RU2005108674A - Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок - Google Patents
Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок Download PDFInfo
- Publication number
- RU2005108674A RU2005108674A RU2005108674/02A RU2005108674A RU2005108674A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A RU 2005108674/02 A RU2005108674/02 A RU 2005108674/02A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A RU 2005108674 A RU2005108674 A RU 2005108674A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- intensity
- radiation
- plasma
- thin film
- thin films
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims 22
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims 12
- 238000012544 monitoring process Methods 0.000 title claims 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 claims 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims 15
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims 10
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 4
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims 4
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000005260 alpha ray Effects 0.000 claims 1
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 claims 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims 1
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/04—Coating on selected surface areas, e.g. using masks
- C23C16/045—Coating cavities or hollow spaces, e.g. interior of tubes; Infiltration of porous substrates
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Details Of Rigid Or Semi-Rigid Containers (AREA)
Claims (17)
1. Способ формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного мономера и окисляющего реагирующего газа, и формирования тонких пленок на поверхности подложки, причем тонкая пленка образована из оксида, включающий первую стадию формирования первой тонкой пленки путем превращения в плазму газовой смеси при изменении соотношения величины потока газообразного мономера относительно реагирующего газа при условии, что соотношение величин потоков находится по меньшей мере в установленном диапазоне.
2. Способ по п.1, в котором соотношение величин потоков непрерывно уменьшается на первой стадии формирования тонкой пленки.
3. Способ по п.2, в котором исходное значение соотношения величин потоков на первой стадии формирования тонкой пленки находится в диапазоне от 0,02 до 0,2.
4. Способ по п.2 или 3, дополнительно включающий вторую стадию формирования тонкой пленки при увеличении соотношения величин потоков после первой стадии формирования тонкой пленки.
5. Способ по п.4, в котором газовая смесь превращается в плазму при управлении отраженной мощностью так, чтобы она составляла 10% или менее, от подаваемой высокочастотной мощности, причем отраженная мощность генерируется при подаче высокочастотного питания с частотой 100 МГц или ниже на высокочастотный электрод через схему согласования импедансов.
6. Устройство для формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного мономера и реагирующего окисляющего газа, и формирования тонких пленок на внутренней поверхности цилиндрических емкостей, имеющих закрытый конец, причем тонкая пленка образована из оксида, включающее множество камер для формирования тонких пленок, каждая из которых снабжена цилиндрическим высокочастотным электродом, один конец которого закрыт, так, чтобы цилиндрическая емкость могла быть размещена на внутренней поверхности высокочастотного электрода, а также снабжена заземленным электродом, размещенным в цилиндрической емкости, причем заземленный электрод имеет в своей концевой части газогенерирующий порт, выполненный с возможностью генерирования газовой смеси; блок высокочастотного электропитания, снабженный схемой согласования импедансов, и источником высокочастотного электропитания, подающим высокочастотное питание на высокочастотный электрод через схему согласования импедансов; и блок управления величинами потоков для регулирования соотношения величин потоков газообразного мономера и реакционного газа, содержащихся в газовой смеси, при этом: высокочастотное питание с блока высокочастотного питания подается к множеству камер для формирования тонких пленок.
7. Устройство по п.6, в котором съемная вставка, образованная изолирующим материалом, расположена между цилиндрической емкостью и высокочастотным электродом.
8. Устройство по п.6 или 7, в котором газогенерирующий порт имеет, по меньшей мере, одно отверстие с диаметром 5 мм или менее и/или прорезь, ширина которой 0,5 мм или менее.
9. Устройство по п.8, в котором средняя поверхностная шероховатость внешней поверхности заземленного электрода составляет от 5 до 50 мкм.
10. Устройство по п.9, в котором по меньшей мере на части внешней поверхности заземленного электрода предусмотрена съемная защитная трубка, и средняя поверхностная шероховатость внешней поверхности защитной трубки составляет от 5 до 50 мкм.
11. Устройство по п.10, в котором на внешнюю поверхность, имеющую среднюю поверхностную шероховатость, напылен металлический или керамический материал.
12. Способ мониторинга процесса формирования тонких пленок посредством превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного кремнийорганического соединения и окисляющего газа, и формирования тонкой пленки оксида кремния на поверхности подложки, включающий измерение интенсивности альфа лучей водорода, испускаемых плазмой и интенсивности излучения кислорода; сравнение интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода с уже измеренной интенсивностью альфа лучей водорода и уже измеренной интенсивностью излучения кислорода, при которых тонкая пленка оксида кремния имеет желаемое качество поверхности; и определение сформирована ли тонкая пленка оксида кремния, обладающая желаемым качеством поверхности.
13. Способ по п.12, в котором интенсивность альфа лучей водорода и интенсивность излучения кислорода измеряют посредством выделения излучения, которое имеет определенный диапазон длин волн, из всего излучения, испускаемого плазмой, и измерения интенсивности выделенного излучения.
14. Способ по п.12, в котором интенсивность альфа лучей водорода и интенсивность излучения кислорода измеряют путем измерения интенсивности излучения, которое имеет диапазон длин волн 656±5 нм и интенсивности излучения, которое имеет диапазон длин волн 777±5 нм, среди всего излучения, испускаемого плазмой.
15. Устройство для формирования тонких пленок, включающее камеру для превращения в плазму газовой смеси, состоящей из газообразного кремнийорганического вещества и окисляющего газа, и для формирования тонкой пленки оксида кремния на поверхности подложки; измеряющий блок для измерения интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода, причем оба вида излучения испускаются плазмой в камере; блок хранения для записи интенсивности альфа лучей водорода и интенсивности излучения кислорода, при которых тонкая кремнийорганическая пленка имеет предварительно определенное желаемое качество поверхности; и определяющий блок для определения находится ли измеренная интенсивность альфа лучей водорода и измеренная интенсивность излучения кислорода в установленном диапазоне, путем сравнения измеренной интенсивности альфа лучей водорода с интенсивностью альфа лучей водорода в блоке хранения, и путем сравнения интенсивности излучения кислорода, измеренной измеряющим блоком, с интенсивностью излучения кислорода, которая записана в блоке хранения.
16. Устройство по п.15, в котором измеряющий блок снабжен полосовым фильтром, для выделения только того излучения, которое имеет определенный диапазон длин волн, из всего излучения, испускаемого плазмой в камере.
17. Устройство по п.15, в котором измеряющий блок включает в себя первый полосовой фильтр, пропускание которого для излучения, имеющего длину волны за пределами диапазона 656±5, составляет 1% или ниже; второй полосовой фильтр, пропускание которого для излучения, имеющего длину волны за пределами диапазона 777±5, составляет 1% или ниже; первый светочувствительный элемент, который воспринимает излучение, прошедшее через первый полосовой фильтр; и второй светочувствительный элемент, который воспринимает излучение, прошедшее через второй полосовой фильтр.
Applications Claiming Priority (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002-287847 | 2002-09-30 | ||
| JP2002287847A JP4794800B2 (ja) | 2002-09-30 | 2002-09-30 | 薄膜成膜方法および薄膜成膜装置 |
| JP2003-282653 | 2003-07-30 | ||
| JP2003282653A JP4411896B2 (ja) | 2003-07-30 | 2003-07-30 | 薄膜成膜プロセスの監視方法および薄膜成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2005108674A true RU2005108674A (ru) | 2006-01-20 |
| RU2324765C2 RU2324765C2 (ru) | 2008-05-20 |
Family
ID=32072467
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2005108674/02A RU2324765C2 (ru) | 2002-09-30 | 2003-09-26 | Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8062716B2 (ru) |
| EP (1) | EP1548149B1 (ru) |
| CN (1) | CN100445423C (ru) |
| AU (1) | AU2003272894A1 (ru) |
| ES (1) | ES2430268T3 (ru) |
| RU (1) | RU2324765C2 (ru) |
| WO (1) | WO2004031440A1 (ru) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006032568A1 (de) * | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Stein, Ralf | Verfahren zur plasmagestützten chemischen Gasphasenabscheidung an der Innenwand eines Hohlkörpers |
| DE102008037159A1 (de) * | 2008-08-08 | 2010-02-11 | Krones Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern |
| DE102010012501A1 (de) * | 2010-03-12 | 2011-09-15 | Khs Corpoplast Gmbh | Verfahren und Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Werkstücken |
| JP4889834B2 (ja) * | 2010-05-13 | 2012-03-07 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び方法 |
| DE102011009056B4 (de) * | 2011-01-20 | 2016-04-07 | Schott Ag | Vorrichtung zur Plasmabehandlung von Hohlkörpern |
| DE102012204690A1 (de) * | 2012-03-23 | 2013-09-26 | Krones Ag | Vorrichtung zum Plasmabeschichten von Füllgutbehältern, wie Flaschen |
| DE102017108992A1 (de) * | 2017-04-26 | 2018-10-31 | Khs Corpoplast Gmbh | Vorrichtung zur Innenbeschichtung von Behältern |
| US10801109B2 (en) * | 2018-08-29 | 2020-10-13 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for providing station to station uniformity |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6289869A (ja) | 1985-10-15 | 1987-04-24 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 硬質炭素膜の気相合成法 |
| JPS6293382A (ja) | 1985-10-21 | 1987-04-28 | Mitsubishi Electric Corp | 薄膜形成装置 |
| ZA884511B (en) | 1987-07-15 | 1989-03-29 | Boc Group Inc | Method of plasma enhanced silicon oxide deposition |
| US4888199A (en) * | 1987-07-15 | 1989-12-19 | The Boc Group, Inc. | Plasma thin film deposition process |
| CA2048168A1 (en) | 1990-08-03 | 1992-02-04 | John T. Felts | Silicon oxide based thin film vapour barriers |
| FR2711556B1 (fr) * | 1993-10-29 | 1995-12-15 | Atohaas Holding Cv | Procédé de dépôt d'une couche mince sur la surface d'un substrat en matière plastique. |
| JP2788412B2 (ja) | 1994-08-11 | 1998-08-20 | 麒麟麦酒株式会社 | 炭素膜コーティングプラスチック容器の製造装置および製造方法 |
| JPH08146358A (ja) | 1994-11-25 | 1996-06-07 | Balzers Ag | 眼鏡用プラスチックレンズ |
| JP3022229B2 (ja) | 1994-12-26 | 2000-03-15 | 東洋製罐株式会社 | プラスチックス材料からなる立体形状の容器に均一の膜厚の珪素酸化物被膜を形成する方法 |
| DE19516669A1 (de) | 1995-05-05 | 1996-11-07 | Siemens Ag | Verfahren zur Abscheidung einer Siliziumoxidschicht |
| JPH08316214A (ja) * | 1995-05-24 | 1996-11-29 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| US6152071A (en) * | 1996-12-11 | 2000-11-28 | Canon Kabushiki Kaisha | High-frequency introducing means, plasma treatment apparatus, and plasma treatment method |
| JPH10168575A (ja) | 1996-12-11 | 1998-06-23 | Canon Inc | 非晶質シリコン系感光体形成装置および形成方法 |
| JPH11181570A (ja) | 1997-12-17 | 1999-07-06 | Toshiba Corp | プラズマcvd装置用電極板及びその表面処理方法 |
| JP4158265B2 (ja) * | 1999-03-10 | 2008-10-01 | 凸版印刷株式会社 | プラスチック容器の製造方法及び容器 |
| RU2165476C2 (ru) | 1999-07-27 | 2001-04-20 | Омский государственный университет | Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления |
| JP3925025B2 (ja) * | 2000-02-01 | 2007-06-06 | 凸版印刷株式会社 | 成膜装置及び成膜方法 |
| JP2001335945A (ja) | 2000-05-24 | 2001-12-07 | Mitsubishi Shoji Plast Kk | Cvd成膜装置及びcvd成膜方法 |
| RU2188878C2 (ru) | 2000-07-19 | 2002-09-10 | Омский государственный университет | Способ нанесения пленок аморфного кремния и устройство для его осуществления |
| JP4595276B2 (ja) * | 2000-12-25 | 2010-12-08 | 東洋製罐株式会社 | マイクロ波プラズマ処理方法及び装置 |
| US6905940B2 (en) * | 2002-09-19 | 2005-06-14 | Applied Materials, Inc. | Method using TEOS ramp-up during TEOS/ozone CVD for improved gap-fill |
-
2003
- 2003-09-26 EP EP03753955.8A patent/EP1548149B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-26 WO PCT/JP2003/012334 patent/WO2004031440A1/ja not_active Ceased
- 2003-09-26 ES ES03753955T patent/ES2430268T3/es not_active Expired - Lifetime
- 2003-09-26 CN CNB038227592A patent/CN100445423C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-26 US US10/529,362 patent/US8062716B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-09-26 AU AU2003272894A patent/AU2003272894A1/en not_active Abandoned
- 2003-09-26 RU RU2005108674/02A patent/RU2324765C2/ru not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US8062716B2 (en) | 2011-11-22 |
| EP1548149A4 (en) | 2011-04-13 |
| CN100445423C (zh) | 2008-12-24 |
| US20050271818A1 (en) | 2005-12-08 |
| AU2003272894A1 (en) | 2004-04-23 |
| RU2324765C2 (ru) | 2008-05-20 |
| EP1548149A1 (en) | 2005-06-29 |
| ES2430268T3 (es) | 2013-11-19 |
| EP1548149B1 (en) | 2013-09-11 |
| WO2004031440A1 (ja) | 2004-04-15 |
| CN1685079A (zh) | 2005-10-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5770097A (en) | Control of etch selectivity | |
| US5006220A (en) | Electrode for use in the treatment of an object in a plasma | |
| TWI253702B (en) | Monitoring an effluent from a chamber | |
| Granier et al. | Diagnostics in helicon plasmas for deposition | |
| JP3774094B2 (ja) | 膜厚、加工深さ測定装置及び成膜加工方法 | |
| JPH0471575B2 (ru) | ||
| US20110293854A1 (en) | Atomic layer growing apparatus and thin film forming method | |
| JP2006505687A (ja) | 基板処理チャンバ用の要素及びその製造方法 | |
| JPH1064882A (ja) | ポリマ硬化前駆体材料の熱源を有するプラズマリアクタ | |
| RU2005108674A (ru) | Способ формирования тонких пленок, устройство для формирования тонких пленок и способ мониторинга процесса формирования тонких пленок | |
| AU9745001A (en) | Method of treatment with a microwave plasma | |
| MXPA03002733A (es) | Metodo y dispositivo para producir oxigeno singulete. | |
| JP3551851B2 (ja) | X線蛍光体製作方法及びx線蛍光体形成用基板 | |
| JP3951003B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
| JP2006086325A (ja) | クリーニングの終点検出方法 | |
| JPS5884431A (ja) | プラズマエツチング装置 | |
| JP4127435B2 (ja) | 原子状ラジカル測定方法及び装置 | |
| Takizawa et al. | Characteristics of C 3 radicals in high-density C 4 F 8 plasmas studied by laser-induced fluorescence spectroscopy | |
| JP3199306B2 (ja) | プラズマ処理装置および方法 | |
| JP4086979B2 (ja) | プラズマ処理装置における炭素原子ラジカル測定用炭素原子光発生装置 | |
| US5716877A (en) | Process gas delivery system | |
| KR100272881B1 (ko) | 기상성장방법및성장장치 | |
| CN101230452B (zh) | 薄膜成膜方法、薄膜成膜装置和薄膜成膜过程的监视方法 | |
| JPH10144666A (ja) | プラズマ処理装置のクリ−ニング方法 | |
| Dowling et al. | The effect of atomic hydrogen on diamond-like carbon film production |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190927 |