JP3551851B2

JP3551851B2 - Ｘ線蛍光体製作方法及びｘ線蛍光体形成用基板

Info

Publication number: JP3551851B2
Application number: JP23673199A
Authority: JP
Inventors: 洋小倉
Original assignee: Panasonic Corp; Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Corp; Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1999-08-24
Filing date: 1999-08-24
Publication date: 2004-08-11
Anticipated expiration: 2019-08-24
Also published as: JP2001059899A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、工場等で用いられるＸ線検査装置に関し、特にＸ線を可視光に変換するＸ線蛍光体の製作方法に関わるものである。
【０００２】
【従来の技術】
Ｘ線蛍光体は、Ｘ線を可視光またはそれに近い光に変換するもので、図６に示すような装置構成で、たとえば回路基板を検査するＸ線検査装置などで用いられている。
【０００３】
図６はＸ線検査装置の概要を示しており、１はＸ線発生部、２は１のＸ線発生部より出力されたＸ線、３は被検査物でたとえば電子機器組込み用の回路基板であり、４は被検査物３を透過したＸ線透過光である。また５はＸ線透過光を可視光に変換するＸ線蛍光体、６はＸ線蛍光体５を形成する基板で、Ｘ線蛍光体５と基板６でＸ線を可視光またはそれに近い光に変換するＸ線センサを構成している。
【０００４】
７はＸ線蛍光体５で変換された可視光またはそれに近い光で、８は可視光またはそれに近い光を受光後、画像処理し、被検査物３の良もしくは不良を判断する検査判定部である。
【０００５】
図６に示したＸ線検査装置においては、Ｘ線蛍光体の性能が装置全体の性能を左右する重要な要素部品となっている。このＸ線蛍光体の材料としては従来より種々の材料が知られているが、なかでもよう化セシウム（ＣｓＩ）はＸ線から可視光に対する変更率が比較的高く、広く一般的に用いられる材料である。しかしながらＣｓＩのみでは発光効率が低いために、たとえば特公昭５４−３５０６０号のごとく、ＣｓＩとよう化ナトリウム（ＮａＩ）を任意のモル比で混合したものを、蒸着を用いて基板上にナトリウム付活よう化セシウム（ＣｓＩ：Ｎａ）として堆積させ、後工程としてアニールを行うことで可視変換効率を向上させ、Ｘ線蛍光体として使用している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、光の特性としておおむね４００〜３８０ｎｍを境にそれよりも低い波長は紫外光、それよりも高い波長は可視光に分類される。また、Ｘ線蛍光体には固有の発光スペクトルがあり、たとえばＣｓＩの発光スペクトルのピークは３１０ｎｍ、ＣｓＩ：Ｎａは４２０ｎｍであり、これらの発光スペクトルは紫外光あるいは紫外光に近い値となっている。
【０００７】
さて、図６に示したような装置構成でＸ線検査装置を製作する際、Ｘ線蛍光体で変換された光は、検査判定部で画像処理を行い良品判定がなされるが、この時検査判定部に入っていく光の波長は、画像処理を行う装置が可視光（下限３８０〜４００ｎｍ、上限７６０〜８００ｎｍ）で処理することを前提とされて製作されたものが多いことから、紫外光に近い波長よりも大きな波長が望ましく、ＣｓＩやＣｓＩ：Ｎａの発光スペクトルは装置の性能を引き出す波長としてはやや低い。
【０００８】
そこでＣｓＩに付加する化合物をＮａ以外の物質に変更することで、発光スペクトルのピークを高い値とすることは、Ｘ線検査装置の特性を向上することにつながる。たとえばよう化インジウム（ＣｓＩ：Ｉｎ）の発光スペクトルのピークは５７０ｎｍであり、これをＸ線検査装置用のＸ線蛍光体とすれば装置の性能向上が図れる。
【０００９】
しかしながらＣｓＩの融点は６２１℃、ＮａＩの融点６５１℃と非常に近い温度なので蒸着時に同時に蒸発が起るのに対し、ＩｎＩ_３の融点２１０℃、Ｉｎ単体では１５６℃であり、ＣｓＩとＩｎＩもしくはＣｓＩとＩｎを同時に蒸着したとき、ＩｎＩもしくはＩｎの融点がＣｓＩよりも低いことからＩｎＩもしくはＩｎが先に蒸発してしまい、良好な蛍光体（ＣｓＩ：Ｉｎ）を得ることができない。
【００１０】
本発明の目的は、高性能なＸ線検査装置を実現するために、適当な発光スペクトルのピークを持つＸ線蛍光体を基板上に形成させる手段を得るものである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】
上記の課題を解決するために本発明は、真空装置内にＣｓＩを蒸着材料とした蒸着源とＩｎＩもしくはＩｎをスパッタターゲットとして配置し、不活性ガスもしくは窒素ガスを用いて真空装置内を所定の圧力とした後、蒸着とスパッタを同時に行うことで基板上にＣｓＩ：Ｉｎを堆積させるもので、これにより、高性能なＸ線検査装置を実現するための適当な発光スペクトルのピークを持つＸ線蛍光体を形成することが可能となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】
本発明の請求項１に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、よう化セシウム（CsI ）を主成分としCsI に対し付加物質を加えるＸ線蛍光体の製作方法において、CsI を蒸着で、インジウム（ In ）、タリウム（ Tl ）、リチウム（ Li ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（ Rb ）、ナトリウム（ Na ）のうちいずれか１つまたは２つ以上からなる付加物質をスパッタで形成することを特徴とする。
【００１３】
この構成によれば、ＣｓＩ内に附加物質が制御されて取り込まれることが可能になる。
【００１４】
請求項２に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、請求項１記載の発明において、蒸着及びスパッタ成膜時の圧力が０．１〜１０Ｐａであることを特徴とする。
【００１５】
この構成によれば、安定したスパッタ放電が得られるとともに、Ｘ線蛍光体の形成速度が飛躍的に向上することが可能となる。
【００１６】
請求項３に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、請求項１または２に記載の発明において、蒸着及びスパッタ成膜時の圧力を０．１〜１０Ｐａにする手段としてアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスのいずれかを導入することにより圧力調整を行うことを特徴とする。
【００１７】
この構成によれば、形成するＸ線蛍光体に酸化等の悪影響を与えずに形成することが可能となる。
【００２０】
請求項４に記載の発明によるＸ線蛍光体形成用基板は、請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法に用いるもので、Ｘ線蛍光体を形成する基板が凹凸形状を有することを特徴とする。
【００２１】
この構成によれば、形成するＸ線蛍光体を光の拡散を押さえる形態とならしめることが可能となる。
【００２２】
請求項５に記載の発明によるＸ線蛍光体形成用基板は、請求項４記載の発明において、各凸部の間隔が 2から20μmであることを特徴とする。
【００２３】
この構成によれば、Ｘ線検査装置に用いたときに画像コントラストの向上を図ることが可能となる。
【００２４】
請求項６に記載の発明によるＸ線蛍光体形成用基板は、請求項４または５記載のＸ線蛍光体形成用基板において、基板材料が、シリコン（Si）、ガラス、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）であることを特徴とする。
【００２５】
この構成によれば、基板材料がプラズマを用いたエッチングが可能であるため、高精度な加工が施された基板となり、Ｘ線検査装置に用いたときに、その性能を高めることが可能となる。
【００２６】
請求項７に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、請求項４記載のＸ線蛍光体形成用基板の製作方法において、１０¹¹cm^-3程度を超える真空度の高密度のプラズマが生成する条件で、第１の工程として基板をエッチングするガスを、第２の工程としてエッチングした側壁に保護膜を形成するガスを供給する工程を有し、第１の工程と第２の工程を繰り返しながら行うことを特徴とする。
【００２７】
この構成によれば、垂直な凸部を形成することが可能となるので、Ｘ線検査装置に用いたときに、その性能を高めることが可能となる。
【００２８】
請求項８に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法を用いて製作したＸ線蛍光体上に、SiO₂、TiO₂、Al、Ti、Crのいずれかを形成することを特徴とする。
【００２９】
この方法によれば、Ｘ線蛍光体の水分付着による発光効率の低下を防ぐことが可能となる。
【００３０】
請求項９に記載の発明によるＸ線蛍光体製作方法は、請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法を用いて製作したＸ線蛍光体に、真空封止、窒素ガス封止、不活性ガス封止のいずれかを行うことを特徴とする。
【００３１】
この方法によれば、Ｘ線蛍光体の水分付着による発光効率の低下を防ぐことが可能となる。
【００３２】
なお、請求項１から３、８、９のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法を用いて製作したＸ線蛍光体を搭載したＸ線検査装置を作製することができる。

【００３３】
この構成によれば、Ｘ線蛍光体の性能が高いため、同じＸ線源を用いた場合でも他のＸ線蛍光体の用いたときよりも大幅な分解能向上を果すＸ線検査装置を提供することが可能となる。
【００３４】
また、上記Ｘ線検査装置を用いて回路基板を生産することができる。
【００３５】
この構成によれば、高精度で検査された基板を生産することとなるので、信頼性の高い基板を提供することが可能となる。
【００３６】
以下、本発明の実施の形態について、図１から図５を用いて説明する。
【００３７】
（実施の形態１）
図１は、本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体形成装置の概略図を示したものである。図１において、１０１は真空容器、１０２は基板ホルダーでヒータが内蔵され、回転機構を有している。１０３はＸ線蛍光体を形成する基板、１０４はシャッター、１０５は膜厚モニター、１０６と１０７は抵抗加熱型蒸着源、１０８はスパッタ源で、１０９のターゲットが設置されており、１１０はスパッタ源１０８用の電源である。１１１は真空容器１０１内に導入する不活性ガスあるいは窒素ガスのボンベ、１１２は導入するガスの圧力及び流量を調整する制御ユニット、１１３は真空容器１０１の真空排気ユニット、１１４はシステム全体を制御する制御ユニットである。
【００３８】
以下、図１を用いて、Ｘ線蛍光体の製作方法を、Ｘ線蛍光体の材料としてＣｓＩ：Ｉｎを例に挙げ説明する。
【００３９】
１０６と１０７は抵抗加熱型蒸着源にＣｓＩ、スパッタ源１０８にターゲット１０９としてＩｎを設置し、基板１０３を基板ホルダー１０２で保持する。このとき使用する基板の表面は平坦ではなく図２の２０１に示すような凹凸加工が施されていることが望ましい。この基板の凹凸加工の方法については、（実施の形態２）において説明する。
【００４０】
Ｘ線蛍光体を形成する際には、基板ホルダー１０２を加熱し基板１０３を１００〜２００℃の温度となるように調整し成膜すると、基板を加熱したい場合に発生する、成膜後基板を真空容器から取り出した際のＸ線蛍光体膜の剥離現象を防ぐことができる。また基板ホルダーを回転させると形成する膜の基板内の均一性を向上させることができる。
【００４１】
Ｘ線蛍光体の形成は真空容器１０１内を真空排気ユニット１１３にて１０^−３Ｐａ以下に排気した後、ガスボンベ１１１より窒素ガスをガス調整ユニット１１２にて圧力及び流量を調整して真空容器１０１内に導入し、真空排気ユニット１１３にて０．１〜１Ｐａの真空度に調整する。その後、ＣｓＩが設置されている抵抗加熱型蒸着源１０６と１０７を加熱し蒸着を行うとともに、スパッタ源１０８にターゲット１０９としてＩｎを設置し、スパッタ源１０９にＲＦもしくはＤＣ電圧を加えスパッタを同時に行う。
【００４２】
スパッタはＣｓＩへのＩｎの付加を考慮しスパッタリング量をＲＦもしくはＤＣの電圧を調整することにより制御する。この工程において、窒素ガスを導入した理由と、Ｉｎを蒸着ではなくスパッタを用いて形成した理由について以下に述べる。
【００４３】
まず窒素ガスを導入する理由について述べる。通常の蒸着では窒素ガスの導入は行われずおおむね１０^−２〜１０^−３Ｐａの真空度で蒸着が行われる。このような真空度で蒸着を行うと図３（ａ）に示すような、緻密な膜３０１が生成する。
【００４４】
一方、窒素ガスを導入し０．１〜１Ｐａの真空度にて蒸着を行うと図３（ｂ）の３０２に示すような、柱状の膜が生成することが実験により明らかとなった。なお、この膜をＸ線回折により分析したところ［１００］方向に配向成長している結晶薄膜であることが確認され、また成膜レートも１時間に１００〜３００μｍの膜厚が得られる高レートの成膜方法であることが実験により確かめられた。
【００４５】
図３（ｂ）の形成されたＸ線蛍光体膜３０２の構造的な特徴としては、基板２０１の凹凸に従って薄膜が形成されていることである。この時の基板２０１の各凸部の間隔は２〜２０μｍの範囲に入ることが望ましい。基板２０１の凹凸に沿って形成されたＸ線蛍光体膜は、Ｘ線検査装置用のＸ線蛍光体として望ましい形態である。すなわち、凹凸上に形成された柱状のＸ線蛍光体は光の拡散を押さえる構造となっておりＸ線検査装置としてのコントラストの悪化を防ぐ効果を生むのである。
【００４６】
また、窒素ガス導入のもう一つの効果は０．１〜１Ｐａの真空度とすることでスパッタの放電が可能となることにある。たとえば０．１Ｐａよりも真空度が高い場合、スパッタの安定した放電は困難になってしまう。上記のように窒素ガスの導入による真空度の制御は極めて効果的であるが、窒素ガスの代りにＡｒやＨｅなどの不活性ガスを用いても同様な効果を得ることができる。
【００４７】
次にＩｎの付加手段としてスパッタを用いた理由について述べる。Ｉｎの付加手段としては、ＣｓＩとＩｎもしくはＩｎＩ_３を独立した蒸着源を用意し、独立に蒸着源を加熱しＸ線蛍光体を成膜する手法が考えられる。しかしながらこの手法をとるとＩｎもしくはＩｎＩ_３の融点が比較的低い温度であるためすぐに多量の蒸着が始まり蒸着量の制御が難しく、多量の蒸着量を押さえるために蒸着ポートの出口を１ｍｍ程度の小径とすると、基板内でのＩｎもしくはＩｎＩ_３の蒸着量のばらつきが大きくなり結果として基板内のＩｎの付加量がばらついてしまうため、良好なＸ線蛍光体膜を得ることが出来ない。
【００４８】
一方、ＩｎもしくはＩｎＩ_３をターゲットとしスパッタを用いてＩｎの付加を行った場合、ＩｎもしくはＩｎＩ_３のターゲット自体を基板よりも大きくすることができ、またスパッタ時に発生するプラズマは真空容器内のほぼ全体の広がることから、基板内でのＩｎもしくはＩｎＩ_３の付加量のばらつきを大幅に押さえることが可能となる。従って、Ｉｎの付加手段としてスパッタを用いる手法は極めて有効である。
【００４９】
以上のように、ＣｓＩ：Ｉｎを成膜した後、Ｎ２雰囲気あるいはＡｒやＨｅなどの不活性ガス中で４００℃で２時間程度アニールを行うと付加されたＩｎが活性化され、発光効率が大幅に向上する。
【００５０】
また、上記アニールを施しても、製作したＸ線蛍光体を大気中に放置しておくと、大気中の水分が付着し発光効率が低下する。この現象は、Ｘ線蛍光体を真空保管することにより徐々に元の発光効率を回復しある一定時間を経れば再び元の発光効率を回復はするが、アニールを行った後のＸ線蛍光体上に対しＳｉＯ_２やＴｉＯ_２の酸化膜やＡｌやＴｉやＣｒなどの金属薄膜を形成することにより、Ｘ線蛍光体の大気中の水分付着を起因とする発光効率の低下を防ぐことができる。
【００５１】
また、アニールを行った後のＸ線蛍光体膜にキャンなどを用いて真空封止、またはＮ_２ガス封止、あるいはＡｒやＨｅ等の不活性ガス封止を行うと同様な効果を得ることができる。
【００５２】
（実施の形態２）
本発明の一実施の形態として、図４に（実施の形態１）で述べた、Ｘ線蛍光体膜を形成する基板の作製手法の概要を示す。図４（ａ）４０１は加工前の基板である。基板の材質としてはＳｉ、Ａｌ、Ｃｕ、ガラス等が挙げられるが、本実施の形態ではＳｉ基板を用いた場合の基板製作方法について述べる。
【００５３】
図４（ｂ）４０２はＳｉ基板４０１に形成したエッチングマスクである。このエッチングマスクの材料はレジストが一般的であるが、Ｓｉ酸化膜やＳｉ窒化膜あるいはＡｌやＡｕあるいはＷなどの金属膜でも同等の機能を得ることができる。図４（ｃ）はＳｉ基板４０１を後述するドライエッチングにより加工し、マスク５０２を取り除いた状態であるが、一般的なドライエッチング装置、例えば反応性イオンエッチングを用いた手法では生成できるプラズマ密度が１０^１０ｃｍ^−３程度と低く、エッチングレートが遅いため例えば５μｍ径の５０μｍの高さの凸形状を多数Ｓｉ基板に形成することが困難である。
【００５４】
そこで本実施の形態では１０^１２ｃｍ^−３程度の高密度のプラズマが生成できる誘導結合型プラズマ源を用いて基板４０１をドライエッチングするものである。また、一般の誘導結合型プラズマ源を搭載したドライエッチング装置はその構造上大面基板に対する均一なエッチングが難しいので、本実施の形態では以下に説明するエッチング装置を用いるものである。
【００５５】
図５はマルチスパイラル搭載誘導結合型プラズマ源を用いたプラズマエッチング装置を示す概略構成図である。図中５０１はマルチスパイラスコイルを示す。このマルチスパイラルコイル５０１は、円筒形状を有するエッチング室５０２の頂部に設けられた石英板５０３上に設置されている。またスパイラルコイル５０１には高周波電源５０４が設置されており、高周波を印可できる構成となっている。また、マルチスパイラルコイル５０１には、高周波電源５０４からマルチスパイラルコイル５０１に印加した高周波電力の整合を取るマッチング回路５０８が接続されている。エッチング室５０２内の底面上には電極５０５が設置されており、電極５０５上にはＳｉ基板５０７が載置されている。また、電極５０５には数百ｋＨｚ〜１３．５６ＭＨｚの高周波を印可する高周波電源５０６が接続されている。また、このエッチング装置には図示しないガス供給部及びガス排出部が取り付けられている。
【００５６】
上記を有するドライエッチング装置においてＳｉ基板４０１にエッチング処理を施す場合、エッチング室５０２内の電極５０５上にＳｉ基板５０７として載置し、エッチング室内にエッチングガスを導入し（図示せず）、真空排気系（図示せず）を用いて１〜１０Ｐａ程度の真空状態を保った後、高周波電源５０４でマルチスパイラルコイル５０１に高周波を印加する。これによりエッチング室５０２内で１０^１２ｃｍ^−３程度の高密度プラズマが生成する。
【００５７】
このようにマルチスパイラルコイル５０１の使用により、通常のシングルスパイラルコイルよりも高いイオン飽和電流密度が得られる。また、多重の渦で構成されたマルチスパイラルコイルは、それぞれの渦が中心で回路的に並列に接続されているためコイル全体のインダクタンスがシングルスパイラルコイルよりも低く、大面積のプラズマ発生に適しており、面内均一性を確保して基板５０７をエッチングすることができる。
【００５８】
なお、このようなエッチングを実現させるためには少なくとも１０^１１ｃｍ^−３を超える真空度の高密度プラズマを生成させることことが必要である。
【００５９】
具体的にＳｉ基板に対し凹凸加工を施す場合、すなわち図４（ａ）の状態から図４（ｃ）のように凹凸を形成する場合、図５に示すドライエッチング装置に第１の工程としてＳＦ６ガスを供給し、第２の工程として弗化炭素ガス、たとえばＣ４Ｆ８ガスを導入する。この第１の工程と第２の工程は繰り返しながら行う。
【００６０】
第１の工程におけるガス流量は、プラズマ発生効率を考慮すると５０〜２００ｓｃｃｍ程度であることが望ましい。また、第１の工程におけるエッチング室内の圧力はイオン飽和電流密度を考慮すると、５Ｐａ以下程度であることが好ましい。また、第１の工程において電流に印加する高周波はプラズマ発生効率を考慮すると５００〜２０００Ｗ程度であることが好ましい。
【００６１】
第２の工程におけるガス流量はプラズマ発生効率を考慮すると３０〜２００ｓｃｃｍ程度であることが望ましい。また、第２の工程におけるエッチング室内の圧力はイオン飽和電流密度を考慮すると、５Ｐａ以下程度であることが好ましい。また、第２の工程において電流に印加する高周波はプラズマ発生効率を考慮すると５００〜１０００Ｗ程度であることが好ましい。第１の工程及び第２の工程においてそれぞれ逃すを供給する時間は１〜１０秒程度であることが好ましい。
【００６２】
このような工程でエッチングを行うと、Ｓｉ基板の垂直加工が達成できる。すなわち、基板材料の結晶方位に依存されない自由な加工形状を得ることができるのである。第１の工程のみでは、Ｓｉ基板の等方的なエッチングのみが発生し、お碗状のエッチング形状となってしまい、５μｍ程度の凸形状を形成しようとすると先端部を消滅させてしまうことになる。これに対して第１の工程と第２の工程を交互に繰り返すことにより第２の工程の際にエッチングされた基板に保護膜（Ｃ膜）が形成される。第１の工程ではＳｉ基板底面へのエッチングエネルギーが高いため、結果的にＳｉ側壁は保護膜によりエッチングが進行しない。その結果、Ｓｉ基板の垂直なエッチング加工面を得ることができる。
【００６３】
なお、この工程の第１の工程のみ電極５０５に高周波電源５０６により高周波を印加する方法を導入すると、第１の工程におけるＳｉ底面に対するエッチングエネルギーがより高まり良好なエッチングが可能となる。
【００６４】
【発明の効果】
以上のように本発明によれば、高性能のＸ線蛍光体を得ることができ、またこのＸ線蛍光体を用いて製作するＸ線検査装置の分解能を大幅に向上することが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体膜形成装置の概略図
【図２】本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体膜形成用基板の断面図
【図３】本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体膜の成膜状態を示す概略図
【図４】本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体膜形成用基板の製作手法を示す概略図
【図５】本発明の一実施の形態によるＸ線蛍光体膜形成用基板の製作装置の概略図
【図６】従来のＸ線検査装置の構成を示す概略図
【符号の説明】
５Ｘ線蛍光体
６、１０３、２０１、４０１基板
１０６，１０７蒸着源
１０８ターゲット
１０９スパッタ源
３０２Ｘ線蛍光体膜
５０１マルチスパイラルコイル

Claims

よう化セシウム（CsI ）を主成分としCsI に対し付加物質を加えるＸ線蛍光体の製作方法において、CsI を蒸着で、インジウム（ In ）、タリウム（ Tl ）、リチウム（ Li ）、カリウム（Ｋ）、ルビジウム（ Rb ）、ナトリウム（ Na ）のうちいずれか１つまたは２つ以上からなる付加物質をスパッタで形成することを特徴とするＸ線蛍光体製作方法。
請求項１記載のＸ線蛍光体製作方法において、蒸着及びスパッタ成膜時の圧力が 0.1〜10Paであることを特徴とするＸ線蛍光体製作方法。
請求項１または２記載のＸ線蛍光体製作方法において、蒸着及びスパッタ成膜時の圧力を 0.1〜10Paにする手段としてアルゴンガス、ヘリウムガス、窒素ガスのいずれかを導入することにより圧力調整を行うことを特徴とするＸ線蛍光体製作方法。
請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法に用い、Ｘ線蛍光体を形成する基板が凹凸形状を有することを特徴とするＸ線蛍光体形成用基板。
請求項４記載のＸ線蛍光体形成用基板において、各凸部の間隔が２から20μｍであることを特徴とするＸ線蛍光体形成用基板。
請求項４または５記載のＸ線蛍光体形成用基板において、基板材料が、シリコン（Si）、ガラス、アルミニウム（Al）、チタン（Ti）のいずれかであることを特徴とするＸ線蛍光体形成用基板。
請求項４記載のＸ線蛍光体形成用基板を、１０¹¹cm^-3程度を超える真空度の高密度のプラズマが生成する条件で、第１の工程として基板をエッチングするガスを、第２の工程としてエッチングした側壁に保護膜を形成するガスを供給する工程を有し、第１の工程と第２の工程を繰り返しながら作製することを特徴とするＸ線蛍光体形成用基板の製作方法。
請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法を用いて製作したＸ線蛍光体上に、SiO₂、TiO₂、Al、Ti、Crのいずれかを形成する工程を有することを特徴とするＸ線蛍光体製作方法。
請求項１から３のいずれかに記載のＸ線蛍光体製作方法を用いて製作したＸ線蛍光体に、真空封止、窒素ガス封止、不活性ガス封止のいずれかを行う工程を有することを特徴とするＸ線蛍光体製作方法。