[go: up one dir, main page]

KR950007568B1 - 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 - Google Patents

포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 Download PDF

Info

Publication number
KR950007568B1
KR950007568B1 KR1019880000392A KR880000392A KR950007568B1 KR 950007568 B1 KR950007568 B1 KR 950007568B1 KR 1019880000392 A KR1019880000392 A KR 1019880000392A KR 880000392 A KR880000392 A KR 880000392A KR 950007568 B1 KR950007568 B1 KR 950007568B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
photoresist composition
positive functional
naphthoquinonediazide
composition
functional photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1019880000392A
Other languages
English (en)
Other versions
KR880009291A (ko
Inventor
야스마사 카와베
카즈야 우에니시
타다요시 코꾸보
Original Assignee
후지샤싱필름 가부시끼가이샤
오오니시 미노루
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 후지샤싱필름 가부시끼가이샤, 오오니시 미노루 filed Critical 후지샤싱필름 가부시끼가이샤
Publication of KR880009291A publication Critical patent/KR880009291A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR950007568B1 publication Critical patent/KR950007568B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03C—PHOTOSENSITIVE MATERIALS FOR PHOTOGRAPHIC PURPOSES; PHOTOGRAPHIC PROCESSES, e.g. CINE, X-RAY, COLOUR, STEREO-PHOTOGRAPHIC PROCESSES; AUXILIARY PROCESSES IN PHOTOGRAPHY
    • G03C1/00—Photosensitive materials
    • G03C1/72—Photosensitive compositions not covered by the groups G03C1/005 - G03C1/705
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/0226—Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/039—Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
본 발명은 복사선에 감응할 수 있는 포지티브 작용성 감광막 내식막 조성물(pos itive-working photoresist composition)에 관한 것이며, 특히 해상력이 높고 고속도이며 미세구조 단면의 패턴을 형성하는데 적합한 감광성 내식막 조성물에 관한 것이다.
본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은 전문이 본 발명에서 참고문헌으로 삽입된 미합중국 특허원(1987.11.26 : Attorney Docked No. Q-16326)에 기술된 조성물을 개선한 것이다.
포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은 일반적으로 알칼리 가용성 수지와 나프토퀴논디아지드 화합물인 감광성 물질을 함유하는 조성물로 이루어진다. 예를들면, 문헌[참조 : 미합중국 특허 제3,666,473호, 제4,115,128호, 제4,173,470호 등]에는 ＂노볼락(novolak)형 페놀성 수지/치환된 나프토퀴논디아지드 화합물＂이 기술되어 있으며, 또한 가장 전형적인 조성물로서 ＂크레졸-포름알데히드로 이루어진 노볼락 수지 /트리하이 드록시벤조페논의 1,1-나프토퀴논디아지드 설포네이트＂의 예가 문헌[참조 : L. F. Thompson, Istroduction to Microlithography(ACS, No. 219, pp. 112-12 1)]에 기술되어 있다.
결합제로서 사용된 노볼락 수지는 알칼리성 수용액 속에서 팽윤되지 않고 용해될 수 있으며, 생성된 상을 에칭 공정에 대한 마스크로서 사용하는 경우, 특히 플라즈마 에칭(plasma etching)에 대하여 높은 저항성을 제공하기 때문에 결합제로서의 용도에 특히 유용하다. 노볼락 수지의 알칼리 용해성을 감소시키는 용해 방지제로서 작용하는 나프토퀴논디아지드 화합물은 빛의 조사에 의해 분해되는 경우에 노볼락 수지의 알칼리 용해성을 증가시키는 알칼리 가용성 물질을 생성한다는 점에 특징이 있다. 나프토퀴논디자이드 화합물은 상기한 바와 같은 빛에 의해서 야기되는 커다란 성질변화로 인하여 포지티브 작용성 감광막 내식막용 감광성 물질로서 특히 유용하다.
현재까지, 상기의 관점에서 노볼락 수지 및 나프토퀴논디아지드 감광성 물질을 함유하는 많은 포지티브 작용성 감광막 내식막이 개발되어 실용화되어 있으며, 약 1.5 내지 2㎛의 선폭(line width)으로 시행하는데 있어서 충분한 결과가 수득되어 왔다.
그러나, IC회로의 집적도는 더욱 더 증가되어 오고 있으며, 슈퍼-LSI 등에 사용하는 반도체 기재의 제조에 있어서 선폭이 1㎛ 이하인 선으로 구성된 초미세 패턴의 시행이 요구되어 왔다. 이러한 용도에는, 해상력이 높고, 노출 마스크 상을 정확하게 재생시킬 수 있는 패턴 재생 정확도가 높으며, 높은 생산성의 측면에서 속도가 빠른 감광성 내식막이 필요해 왔다. 그러나, 상기의 통상적인 포지티브 작용성 감광성 내식막은 이러한 요구를 충족시키지 못한다.
따라서, 본 발명의 목적은 특히 반도체 장치의 제조에 있어서, (1) 해상력이 큰 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 : (2) 광마스크(photomask) 선폭의 넓은 범위에 걸쳐 마스크 치수를 정확히 재생시킬 수 있는 포지티브 작용성 감광막 내식막 조성물 ; (3)종횡비가 큰 단면을 지닌 선폭이 1㎛ 이하인 내식막 패턴을 형성시킬 수 있는 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 ; (4) 거의 수직인 측벽이 있는 단면을 갖는 패턴을 형성시킬 수 있는 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 ; (5) 현상 범위가 광범위한 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 ; (6) 장시간의 저장 후에 유해한 물질을 생성하지 않는 저장 안정성이 탁월한 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 ; 및 (7) 내열성이 우수한 내식막 상을 제공할 수 있는 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명은 에틸 락테이트 또는 메틸 락테이트에 용해된, 감광성 물질인, 2,3,4,3 ',4',5'-헥사하이드록시 벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-및/ 또는 -5-설포네이트와 알칼리 가용성 노볼락 수지로 이루어진 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물을 제공한다.
2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-및/ 또는 -5-설포네이트는 일반식(A)의 구조를 갖는 에스테르 화합물이다:
[화학식 1]
Figure kpo00001
상기식에서, R은 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 수소원자, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 그룹 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 그룹이다.
본 발명에서 감광성 물질로서 사용되는 에스테르 화합물은 해상력, 단면 프로파일(cross section profile)등의 견지에서 에스테르화 비율이 40% 이상인 것이 적합하며, 바람직하게는 55%이상이다. 에스테르화도가 너무 낮은 경우에는 내식막의 해상력 및 단면 프로파일과 같은 내식막이 특성이 손상된다.
본 발명에서 사용되는 에스테르 화합물 중에서 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포네이트가 바람직하다.
본 발명에서 사용되는 상기 에스테르는 하기 일반식(B)의 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논을 공지된 화합물인 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 클로라이드 또는 이들의 혼합물과 축합시켜 용이하게 합성할 수 있다 :
[화학식 2]
Figure kpo00002
본 발명에서 사용되는 일반식 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논은 문헌에 기술된 방법에 따라서 합성할 수 있다[참조 : H. Bleuler et al., J. Chem. Soc., 107( 1916)].
일반식(B)의 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 클로라이드와의 에스테르화 반응은 통상적인 방법으로 수행한다. 즉, 소정량의 일반식(B)의 헥사하이드록시벤조페논과 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 클로라이드 및 디옥산, 아세톤 또는 메틸 에틸 케톤과 같은 용매를 플라스크에 넣고, 여기에 수산화나트륨, 탄산나트륨, 탄산수소나트륨, 트리에틸아민 등과 같은 염기성 촉매를 적가하여 축합반응을 수행한다. 수득한 생성물은 물로 세척하고, 정제한 다음, 건조시킨다. 일반식(A)의 감광성 물질은 상기한 방법으로 제조할 수 있다.
상기한 에스테르화 반응에 있어서, 각각 에스테르화된 그룹의 수효가 상이하고 에스테르화 위치가 상이한 일반식(A) 화합물들의 혼합물을 수득할 수 있다. 따라서, 본 발명에서 사용하는 용어 ＂에스테르화 비율＂은 에스테르화 화합물들의 혼합물의 평균 에스테르화 비율을 의미한다.
에스테르화 비율은 일반식(B)의 출발 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드-4- 및/또는 -5-설포닐 클로라이드의 혼합비율을 변화시킴으로써 조절할 수 있다. 즉, 첨가한 1,2-나프토퀴논디아지드-4- 및/또는 -5-설포닐 클로라이드의 총량은 거의 에스테르화 반응에 관여하기 때문에, 목적하는 에스테르화 비율을 갖는 에스테르화 혼합물은 일반식(B)의 출발 화합물과 1,2-나프토퀴논디아지드-4- 및/또는 -5-설포닐 클로라이드의 몰비를 적합하게 조정하여 수득할 수 있다. 예를들면, 에스테르화 비율이 66.7%인 일반식(A) 화합물의 에스테르화 혼합물을 목적하는 경우에는, 일반식(B)의 출발 화합물 1몰당 1,2-나프토퀴논디아지드-4-및/또는 -5-설포닐 클로라이드 4몰을 사용할 수 있다.
생성된 화합물의 에스테르화 비율은 NMR법과 같은 통상적인 방법을 사용하여 측정할 수 있다.
본 발명에서 사용하는 알칼리 가용성 노볼락 수지는 산 촉매의 존재하에서 페놀과 페놀 1몰당 0.6 내지 1.0몰의 알데히드를 부가축합시켜 수득할 수 있다. 페놀로서, 페놀, o-크레졸, m-크레졸, p-크레졸, 크실레놀 등을 단독으로 또는 둘 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 알데히드로서, 포름알데히드, 파라포름알데히드, 푸르푸랄 등을 사용할 수 있으며, 산 촉매로서, 염산, 황산, 포름산, 옥살산, 아세트산 등을 사용할 수 있다. 이와 같이 수득한 분자량이 1,000 내지 50,000인 노볼락 수지는 알칼리 가용성이다.
본 발명에서 사용하는 알칼리 가용성 노볼락 수지에 대한 감광성 물질의 적합한 비율은 노볼락 수지 100 중량부당 감광성 물질 5 내지 100중량부, 바람직하게는 10 내지 50중량부이다. 감광성 물질의 양이 5중량부 미만인 경우에는 피막 잔류 비율이 현저히 감소되는 반면, 100중량부 이상인 경우에는 속도 및 용매 중에서의 용해성이 감소된다.
본 발명에 있어서 상기한 감광성 물질을 주로 사용하지만, 목적하는 경우, 2,3, 4-트리하이드록시벤조페논, 2,4,4'-트리하이드록시벤조페논, 2,4,6-트리하이드록시벤조페논 등과 1,2-나프토퀴논디아지드-4-및 /또는 -5-설포닐 클로라이드의 에스테르와 같은 통상적인 감광성 물질도 사용할 수 있다. 이러한 경우에, 이들 감광성 물질은 상기한 감광성 물질(A) 100중량부당 100중량부 이하, 바람직하게는 30중량부 이하의 양으로 사용할 수 있다.
또한, 본 발명의 조성물은 현상액에서 조성물의 용해를 촉진시키기 위하여 폴리하이드록시 화합물을 포함할 수 있다. 이러한 폴리하이드록시 화합물의 바람직한 예로는 페놀, 레조르신, 플로로글로신, 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,3,4,3,'4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 아세톤-피로갈롤 축합 수지 등이 있다. 폴리하이드록시 화합물은 조성물의 고체 함량의 총 중량을 기준으로 하여, 약 0.01 내지 약 20중량%, 바람직하게는 0.2 내지 5중량%의 비율로 사용할 수 있다.
가장 바람직한 결과(장기간의 저장 안정성, 해상력 및 내식막 단면 프로파일에 대하여)는 본 발며의 감광성 물질과 알칼리 가용성 노볼락 수지를 용해시키는 용매로서 에틸 락테이트 또는 메틸 락테이트를 단독으로 또는 혼합하여 사용하는 경우에 수득한다. 그러나, 목적하는 경우, 통상적으로 사용되는 하나 이상의 유기 용매를 용매 성분의 50중량% 이하, 바람직하게는 30중량% 이하의 양으로 상기한 용매와 혼합할 수 있다. 에틸 락테이트 또는 메틸 락테이트와 혼합하여 사용하는 적합한 용매는 케톤(예; 메틸 에틸 케톤, 사이클로헥사논 등), 알코올 에테르(예; 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸 에테르등), 에테르(예; 디옥산, 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르 등), 셀룰로오즈 에스테르(예; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트 등), 지방산 에스테르(예; 부틸 아세테이트 등), 할로겐화 탄화수소(예; 1,2,3-트리클로로에틸렌 등)및 고극성 용매(예; 디메틸 아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸 포름아미드, 디메틸설폭사이드 등)이다.
본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은, 경우에 따라, 염료, 가소제, 접착 보조제, 계면 활성제 등을 포함할 수 있다. 이의 특정한 예는 염료[예 ; 메틸 바이올렛, 크리스탈 바이올렛, 말라카이트 그린(Malachite Green) 등], 가소제[예; 스테아르산, 아세탈 수지, 페녹시 수지, 알키드 수지 등], 접착 보조제[예; 헥사메틸디실라잔, 클로로메틸란 등] 및 계면활성제[예; 노닐페녹시폴리(에틸렌옥시)에탄올, 옥틸페녹시폴리(에틸렌옥시)에탄올 등]를 포함한다.
본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은, 조성물의 총 중량을 기준으로 하여, 고체 함량이 약 10 내지 약 50중량%, 바람직하게는 20 내지 40중량%, 보다 바람직하게는 25 내지 35중량%이다.
상기의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은 방사기 또는 피복기와 같은 적합한 피복수단을 사용하여 정밀한 IC부재를 제조하는데 사용되는 기재(예; 규소/산화규소 피복물)위에 피복시키고, 소정의 마스크를 통해 노출시킨 다음, 현상하여 우수한 내식막을 수득한다.
특히, 본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은 방사 피복법 또는 롤러 피복법 등을 사용하여 반도체 웨이퍼 또는 유리, 세라믹, 금속 등의 지지체 위에 0.5 내지 3㎛의 두께로 피복시킬 수 있다. 이어서, 피복된 조성물은 가열하여 건조시키고, 노출 마스크를 통해 자외선 등에 노출시켜 상기의 조성물 위에 회로 패턴 등을 인쇄시킨 다음, 현상하여 포지티브 상을 수득한다. 마스크로서 이러한 포지티브 상을 사용하는 후속의 에칭 공정에 의하여 하부의 지지체 위에서 패턴과 같은 작업이 수행될 수 있다. 감광성 내식막 조성물에 대한 전형적인 분야에는 IC회로와 같은 반도체 제조공정, 액정, 열 헤드(thermal heads) 등을 위한 회로 지지체 제조공정 및 기타의 광가공 공정(phot ofabrication process)이 포함된다.
본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물에 대한 적합한 현상액은 무기 알칼리[예; 수산화나트륨, 수산화칼륨, 탄산나트륨, 규산나트륨, 메타규산나트륨, 수성암모니아 등], 1급 아민[예; 에틸 아민, n-프로필아민 등], 2급 아민[예; 디에틸아민, 디-n-부틸아민 등], 3급 아민[예; 트리에틸아민, 메틸디에틸아민 등], 4급 암모늄염[예; 문헌(참조 : IBM Technical Disclosure Bulletin, Vol. 13, No. 7, p 2009(1970)에 기술된 수산화테트라메틸암모늄, 미합중국 특허 제4,239,661호에 기술된 수산화테트라에틸암모늄 등], 알코올 아민[예; 디메틸에탄올 아민, 트리에탄올 아민 등] 또는 사이클릭 아민[예; 피롤, 피페리딘 등]과 같은 알칼리의 수용액이다. 또한, 알코올 및 계면활성제는 상기에서 기술한 알칼리의 수용액에 적합한 양으로 첨가할 수 있다.
본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물은 해상력이 높고, 재생 충실도가 높으며, 내식막 상의 단면프로파일, 현상범위, 속도 및 내열성이 우수하다. 또한, 본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 용액은 장시간의 저장 안정성이 탁월하다.
본 발명은 하기의 실시예를 참조로 하여 더욱 상세하게 예시되나, 이들 실시예는 어떤 방법으로도 본 발명을 제한하지 않는다. 달리 나타내지 않는한, 모든 퍼센트는 중량에 대한 것이다.
[실시예 1,2 및 3]
(1)감광성 물질(a)의 합성
2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논 5g, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 19.3g 및 아세톤 300ml를 3구 플라스크 속에 넣고, 교반하여 이들 물질을 균일하게 용해시킨다. 이어서, 트리에틸아민/아세톤(=7.3g/50ml)의 혼합 용액을 단계적으로 적가한 다음, 실온에서 4시간 동안 반응시킨다. 반응이 완결된 후, 내용물을 1% 염산 수용액에 적가하고, 형성된 침전물을 여과하여 수집한 다음, 메탄올로 세척하고, 건조시켜 2,3,4,3',4',5-헥사하이드록시벤조페논의 에스테르화 생성물을 수득한다.
(2)감광성 물질(b)의 합성
2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논 5g, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 24.1g 및 아세톤 300ml를 3구 플라스크 속에 넣고, 교반하여 이들 물질을 균일하게 용해시킨다. 이어서, 트리에틸아민/아세톤(=9.1g/50ml)의 혼합 용액을 단계적으로 적가한다. 방법(1)에서와 동일한 방법으로 후속의 과정을 수행하여 2,3,4,3', 4',5-헥사하이드록시벤조페논의 에스테르화 생성물을 수득한다.
(3)감광성 물질(c)의 합성
2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논 5g, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 클로라이드 29.0g 및 아세톤 300ml를 3구 플라스크 속에 넣고, 교반하여 이들 물질을 균일하게 용해시킨다. 이어서, 트리에틸아민/아세톤(=10.9g/50ml)의 혼합 용액을 단계적으로 적가한다. 방법(1)에서와 동일한 방법으로 후속의 과정을 수행하여 2,3,4, 3',4',5-헥사하이드록시벤조페논의 에스테르화 생성물을 수득한다.
(4)노볼락 수지의 합성
m-크레졸 60g, p-크레졸 40g, 37% 포름알데히드 수용액 54.0g 및 옥살산 0.05g을 3구 플라스크 속에 넣고, 교반하면서 혼합물의 온도를 100℃로 상승시킨다. 혼합물은 10시간 동안 반응시킨다. 반응이 완결된 후, 반응 혼합물을 실온으로 냉각시킨 다음, 압력을 30mmHg로 감압시킨다. 이어서, 혼합물을 단계적으로 150℃로 가열하여 물과 미반응 단량체를 제거한다. 생성된 노볼락 수지는 중량 평균 분자량이 11,0 00(폴리스티렌으로서의 계산치)이다.
(5)포지티브 감광성 내식막 조성물의 제조방법 및 평가
방법(1),(2) 및 (3)에서 수득되며 하기의 표 1에 기재되어 있는 감광성 물질(a ),(b) 및 (c)중의 한가지 물질 1.30g 및 방법(4)에서 수득한 크레졸 노볼락 수지(분자량=11,000) 5g을 에틸 락테이트 15g에 용해시키고, 0.2㎛ 미세 여과기를 통해 여과하여 감광성 내식막 조성물을 제조한다. 이러한 감광성 내식막 조성물은 방사기를 사용하여 규소 웨이퍼 위에 피복시키고, 대류 오븐에서 질소 대기하에 90℃에서 30분 동안 건조시켜, 두께가 1.5㎛인 내식성 피복막을 수득한다. 이러한 피복막은 축소-투사노출장치를 사용하여 노출시킨 다음, 2.38% 수산화테트라메틸암모늄 수용액을 사용하여 1분 동안 현상하고, 물로 30초 동안 세척한 후 건조시킨다.
이와 같이 수득한 규소 웨이퍼 내식막 패턴은 주사전자현미경하에 관찰하여 내식막을 평가한다. 이와 같이 수득한 결과는 표 2에 나타내었다.
-속도는 2.0㎛ 마스크 패턴을 재생하는데 필요한 노출량의 역수로서 정의하며, 비교실시예 1의 속도를 1.0으로 하여 상대적인 값으로 나타낸다.
피막 잔류 비율은 현상하기 전의 노출되지 않는 영역에서의 피막에 대한 현상한 후의 노출되지 않은 영역에서의 피막의 비율을 퍼센트로 나타낸 것이다.
해상력은 2.0㎛ 마스크 패턴을 재생하기에 충분한 노출량에 대한 한계 해상력을 나타낸다.
내열성은 규소 웨이퍼 위에 형성된 내식막 패턴이 대류오븐에서 30분 동안 열처리한 후에 변형되지 않은 온도로서 나타낸다. 내식막의 형태는 1.0㎛ 내식막 패턴의 단면에서 규소 웨이퍼의 평면에 대하여 내식막벽이 이루는 각도(θ)로서 나타낸다.
결과로부터 알 수 있는 바와 같이, 본 발명의 모든 포지티브 감광성 내식막은 해상력, 내식막 프로파일, 속도 및 내열성이 탁월한 것으로 나타났다. 이러한 본 발명의 포지티브 작용성 감광성 내식막 용액은 40℃에서 50일 동안 저장한 후에도 내식막 용액에 침전물이 형성되지 않는다.
[비교실시예 1,2 및 3]
하기의 표 1에 기재되어 있는 감광성 물질(a),(d) 및 (e)중의 한가지 물질 1.3 0g 및 상기의 실시예에서 사용된 크레졸 노볼락 수지 5g을 에틸 셀로솔브 아세테이트 15g에 용해시키고, 실시예 1에서와 동일한 방법으로 내식막을 형성시킨 다음, 평가한다. 이와 같이 수득한 내식막을 표 2에 나타내었다. 비교실시예 1,2 및 3에서, 40℃에서 50일 동안 저장한 후에 내식막 용액중에 침전물이 관찰되었다.
[표 1]
Figure kpo00003
[표 2]
Figure kpo00004
본 발명의 특정 양태를 참조로 하여 본 발명을 상세히 설명하였지만, 당해 분야의 전문가에게는 본 발명의 개념 및 범주로부터 벗어남이 없이 여러가지 변화 및 변형이 이루어질 수 있음이 명백할 것이다.

Claims (7)

  1. 에틸 락테이트 또는 메틸 락테이트 중에 용해된, 감광성 물질로서의 2,3,4,3',4' ,5'-헥사하이드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-4-및/또는 -5-설포네이트와 알칼리 가용성 노볼락 수지를 포함하는 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
  2. 제1항에 있어서, 2,3,4,3',4',5-헥사하이드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-4- 및/또는 -5-설포네이트가 일반식(A)의 화합물인 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
    Figure kpo00005
    상기식에서, R은 동일하거나 상이할 수 있으며, 각각 수소원자, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-설포닐 그룹 또는 1,2-나프토퀴논디아지드-5-설포닐 그룹이다.
  3. 제1항에 있어서, 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논의 1,2-나프토퀴논디아지드-4- 및/또는 -5-설포네이트의 에스테르화 비율이 40% 이상인 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
  4. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 노볼락 수지의 분자량이 1,000 내지 50,000인 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 알칼리 가용성 노볼락 수지가 페놀과 페놀 1몰당 0.6 내지 1.0몰의 알데히드의 산촉매 부가 축합 생성물인 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 감광성 물질이 알칼리 가용성 노볼락 수지 100중량부당 5 내지 100중량부의 양으로 존재하는 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
  7. 제1항에 있어서, 조성물의 고체 함량이 조성물의 총 중량을 기준으로 하여 약 10 내지 50중량%인 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물.
KR1019880000392A 1987-01-20 1988-01-20 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물 Expired - Fee Related KR950007568B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP62010180A JPS63178228A (ja) 1987-01-20 1987-01-20 ポジ型フオトレジスト組成物
JP10180/87 1987-01-20
JP62-10180 1987-01-20

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR880009291A KR880009291A (ko) 1988-09-14
KR950007568B1 true KR950007568B1 (ko) 1995-07-12

Family

ID=11743087

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019880000392A Expired - Fee Related KR950007568B1 (ko) 1987-01-20 1988-01-20 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물

Country Status (5)

Country Link
US (1) US4863828A (ko)
EP (1) EP0275970B1 (ko)
JP (1) JPS63178228A (ko)
KR (1) KR950007568B1 (ko)
DE (1) DE3879516T2 (ko)

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3827567A1 (de) * 1988-08-13 1990-02-22 Basf Ag Waessrige entwicklerloesung fuer positiv arbeitende photoresists
JP2697039B2 (ja) * 1988-12-06 1998-01-14 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物の製造方法
JPH02222955A (ja) * 1989-02-23 1990-09-05 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ポジ型感光性組成物
WO1990013058A1 (en) * 1989-04-27 1990-11-01 Olin Hunt Specialty Products Inc. Hexahydroxybenzophenone compounds as sensitivity enhancers for radiation sensitive mixtures
JP2846892B2 (ja) * 1989-07-19 1999-01-13 三菱化学株式会社 平版印刷版の製造法
JPH0350547A (ja) * 1989-07-19 1991-03-05 Mitsubishi Kasei Corp 平版印刷版の製造法
US5069996A (en) * 1989-07-24 1991-12-03 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Process for developing selected positive photoresists
US5215856A (en) * 1989-09-19 1993-06-01 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compounds as sensitivity enhancers for o-quinonediazide containing radiation-sensitive compositions and elements
US5256521A (en) * 1989-09-19 1993-10-26 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Process of developing a positive pattern in an O-quinone diazide photoresist containing a tris-(hydroxyphenyl) lower alkane compound sensitivity enhancer
US5196517A (en) * 1989-10-30 1993-03-23 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use as photoactive compounds
US5219714A (en) * 1989-10-30 1993-06-15 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Selected trihydroxybenzophenone compounds and their use in photoactive compounds and radiation sensitive mixtures
JP2571136B2 (ja) * 1989-11-17 1997-01-16 日本ゼオン株式会社 ポジ型レジスト組成物
JP2761786B2 (ja) * 1990-02-01 1998-06-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03242650A (ja) * 1990-02-20 1991-10-29 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03294861A (ja) * 1990-04-13 1991-12-26 Mitsubishi Petrochem Co Ltd ポジ型フォトレジスト組成物
US5268256A (en) * 1990-08-02 1993-12-07 Ppg Industries, Inc. Photoimageable electrodepositable photoresist composition for producing non-tacky films
ATE175280T1 (de) * 1990-08-02 1999-01-15 Ppg Industries Inc Lichtempfindliche, elektroabscheidbare photoresistzusammensetzung
JP3139088B2 (ja) * 1991-04-26 2001-02-26 住友化学工業株式会社 ポジ型レジスト組成物
MX9201928A (es) * 1991-04-26 1992-11-01 Sumitomo Chemical Co Composicion de capa protectora positiva (caso 516298).
US5302489A (en) * 1991-10-29 1994-04-12 E. I. Du Pont De Nemours And Company Positive photoresist compositions containing base polymer which is substantially insoluble at pH between 7 and 10, quinonediazide acid generator and silanol solubility enhancer
US5296332A (en) * 1991-11-22 1994-03-22 International Business Machines Corporation Crosslinkable aqueous developable photoresist compositions and method for use thereof
US5206348A (en) * 1992-07-23 1993-04-27 Morton International, Inc. Hexahydroxybenzophenone sulfonate esters of diazonaphthoquinone sensitizers and positive photoresists employing same
US5290418A (en) * 1992-09-24 1994-03-01 Applied Biosystems, Inc. Viscous electrophoresis polymer medium and method
JPH06186744A (ja) * 1992-12-22 1994-07-08 Sumitomo Bakelite Co Ltd 感光性樹脂組成物
TW305869B (ko) * 1993-12-24 1997-05-21 Nissan Chemical Ind Ltd
US5821345A (en) * 1996-03-12 1998-10-13 Shipley Company, L.L.C. Thermodynamically stable photoactive compound

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE879203C (de) * 1949-07-23 1953-04-23 Kalle & Co Ag Verfahren zur Herstellung von Kopien, besonders Druckformen, mit Hilfe von Diazoverbindungen
DE938233C (de) * 1953-03-11 1956-01-26 Kalle & Co Ag Lichtempfindliches Material fuer die photomechanische Herstellung von Druckformen
NL247405A (ko) * 1959-01-15
NL130471C (ko) * 1959-08-05
DE2547905C2 (de) * 1975-10-25 1985-11-21 Hoechst Ag, 6230 Frankfurt Lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3100077A1 (de) * 1981-01-03 1982-08-05 Hoechst Ag, 6000 Frankfurt Lichtempfindliches gemisch, das einen naphthochinondiazidsulfonsaeureester enthaelt, und verfahren zur herstellung des naphthochinondiazidsulfonsaeureesters
US4421841A (en) * 1981-07-28 1983-12-20 Mitsubishi Chemical Industries Limited Photosensitive lithographic plate with sulfonate containing photosensitive polyester
US4499171A (en) * 1982-04-20 1985-02-12 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition with at least two o-quinone diazides
EP0148787A3 (en) * 1984-01-10 1987-05-06 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positive type photosensitive resin composition
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US4626492A (en) * 1985-06-04 1986-12-02 Olin Hunt Specialty Products, Inc. Positive-working o-quinone diazide photoresist composition containing a dye and a trihydroxybenzophenone compound
JPS62123444A (ja) * 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2729284B2 (ja) * 1986-12-23 1998-03-18 シップレー・カンパニー・インコーポレーテッド フォトレジスト方法及びこの方法に用いる組成物

Also Published As

Publication number Publication date
EP0275970A3 (en) 1989-07-19
EP0275970B1 (en) 1993-03-24
DE3879516T2 (de) 1993-10-07
KR880009291A (ko) 1988-09-14
US4863828A (en) 1989-09-05
EP0275970A2 (en) 1988-07-27
JPS63178228A (ja) 1988-07-22
DE3879516D1 (de) 1993-04-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR950007568B1 (ko) 포지티브 작용성 감광성 내식막 조성물
JP2552891B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2700918B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2761786B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0814696B2 (ja) 感光性樹脂組成物
US4871645A (en) Positive-working photoresist composition
JP2568827B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH04328555A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2552900B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
US5248582A (en) Positive-type photoresist composition
JPH04253058A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
US5358824A (en) Photosensitive resin composition utilizing 1,2-naphthoquinone diazide compound having spirobichroman or spirobiindane ring
JPH04274431A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2574692B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2568883B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPS63178229A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2568867B2 (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0527430A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH04178451A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH03253860A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JP2715327B2 (ja) 感光性樹脂組成物
JPH0519466A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05173324A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物
JPH0293651A (ja) ポジ形フオトレジスト組成物
JPH01275654A (ja) ポジ型フオトレジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

A201 Request for examination
P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

G160 Decision to publish patent application
PG1605 Publication of application before grant of patent

St.27 status event code: A-2-2-Q10-Q13-nap-PG1605

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20040709

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee
PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20050713

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20050713

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000