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KR900701044A - 반도체 장치 - Google Patents

반도체 장치

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KR900701044A
KR900701044A KR1019890701733A KR890701733A KR900701044A KR 900701044 A KR900701044 A KR 900701044A KR 1019890701733 A KR1019890701733 A KR 1019890701733A KR 890701733 A KR890701733 A KR 890701733A KR 900701044 A KR900701044 A KR 900701044A
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KR
South Korea
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semiconductor region
electrode
degree typical
semiconductor
degree
Prior art date
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Application number
KR1019890701733A
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English (en)
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KR0132717B1 (ko
Inventor
도시다까 세누마
후다오 아마구찌
Original Assignee
오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Publication date
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Publication of KR900701044A publication Critical patent/KR900701044A/ko
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    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D1/00—Resistors, capacitors or inductors
    • H10D1/60—Capacitors
    • H10D1/62—Capacitors having potential barriers
    • H10D1/66—Conductor-insulator-semiconductor capacitors, e.g. MOS capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D89/00—Aspects of integrated devices not covered by groups H10D84/00 - H10D88/00
    • H10D89/60—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD]
    • H10D89/601—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs
    • H10D89/811—Integrated devices comprising arrangements for electrical or thermal protection, e.g. protection circuits against electrostatic discharge [ESD] for devices having insulated gate electrodes, e.g. for IGFETs or IGBTs using FETs as protective elements
    • H10D89/819—Bias arrangements for gate electrodes of FETs, e.g. RC networks or voltage partitioning circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
    • H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
    • H10D84/80—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs
    • H10D84/87—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers characterised by the integration of at least one component covered by groups H10D12/00 or H10D30/00, e.g. integration of IGFETs of PN-junction gate FETs

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  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Processing Of Color Television Signals (AREA)
  • Amplifiers (AREA)
  • Filters That Use Time-Delay Elements (AREA)

Abstract

내용 없음

Description

반도체 장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제 1도 및 제 2도는 본원 발명의 설명을 위한 블록도 및 결선도,
제 3도는 이미 제안한 ACC 회로의 구성예를 나타내는 결선도.

Claims (6)

  1. 반도체 기판 위에 형성된 제 1도 전형의 반도체 영역과, 상기 제 1도 전형의 반도체영역 안에 형성된 제 2도 전형의 반도체 영역을 가지며, 상기 제 2도 전형의 반도체영역 상에 유전체층을 통해서 용량을 형성하는 제 1의 전극을 배설하는 동시에, 상기 제 1도 전형의 반도체영역에 접속된 제 2의 전극을 배설하고, 상기 제 2도전형의 반도체영역에 접속된 제 3의 전극을 배설한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  2. 반도체 기판 위에 형성된 제 1도 전형의 반도체영역과, 상기 제 1도 전형의 반도체 영역 안에 형성된 제 2도 전형의 반도체 영역을 가지며, 상기 제 2도 전형의 반도체 영역상에 유전체층을 통해서 용량을 형성하는 제 1의 전극을 배설하는 동시, 상기 제 1도 전형의 반도체 영역에 접속된 제 2의 전극을 배설하고, 상기 제 2도 전형의 반도체 영역에 접속된 제 3의 전극을 배설한 반도체 용량과 버퍼회로를 가지며, 상기 제 1의 전극 또는 상기 제 3의 전극의 최소한 한쪽의 전극과 상기 버퍼회로의 입력단자를 접속하는 동시에, 상기 제 2의 전극과 상기 버퍼회로의 출력단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 제 2도 전형의 반도체영역 안에 다시 제 1도 전형의 반도체 영역을 가지며, 이 제 1도 전형의 반도체 영역과 상기 제 2도 전형의 반도체 영역이 전기적으로 접속되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
  4. 제 1도 전형의 반도체 기판에 형성된 제 2도 전형의 반도체영역과, 상기 제 2도 전형의 반도체영역 안에 형성된 제 1도 전형의 반도체영역을 가지며, 상기 제 1도 전형의 반도체영역 상에 유전체층을 통해서 용량을 형성하는 제 1의 전극을 배설하는 동시에, 상기 제 1도 전형의 반도체 영역에 접속된 제 2의 전극을 배설하고, 상기 제 2도 전형의 반도체 영역에 접속된 제 3의 전극을 배설한 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  5. 제 1도 전형의 반도체 기판에 형성된 제 2도 전형의 반도체 영역과, 상기 제 2도 전형의 반도체 영역 안에 형성된 제 1도 전형의 반도체영역을 가지며, 상기 제 1도 전형의 반도체 영역상에 유전체층을 통해서 용량을 형성하는 제 1의 전극을 배설하는 동시에, 상기 제 1도 전형의 반도체영역에 접속된 제 2의 전극을 배설하고, 상기 제 2도 전형의 반도체영역에 접속된 제 3의 전극을 배설한 반도체 용량과, 버퍼회로를 가지며, 상기 제 1의 전극 또는 상기 제 2의 전극의 최소한 한쪽의 전극과 상기 버퍼회로의 입력단자를 접속하는 동시에, 상기 제 3의 전극과 상기 버퍼회로의 출력단자를 접속하는 것을 특징으로 하는 반도체장치.
  6. 제 4항 또는 제 5항에 있어서, 상기 제 1도 전형의 반도체영역 안에 다시 제 2도 전형의 반도체 영역을 가지며, 이 제 2도 전형의 반도체 영역과 상기 제 1도 전형의 반도체영역이 전기적으로 접속되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019890701733A 1988-01-22 1989-01-20 반도체 장치 Expired - Fee Related KR0132717B1 (ko)

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