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KR840006566A - 전류선로 제거방법 및 시스템 - Google Patents

전류선로 제거방법 및 시스템 Download PDF

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KR840006566A
KR840006566A KR1019830004959A KR830004959A KR840006566A KR 840006566 A KR840006566 A KR 840006566A KR 1019830004959 A KR1019830004959 A KR 1019830004959A KR 830004959 A KR830004959 A KR 830004959A KR 840006566 A KR840006566 A KR 840006566A
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Abstract

내용 없음

Description

전류선로 제거방법 및 시스템
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 다수의 p-i-n형 셀을 포함하는 텐템형 광전장치나 종속형 광전장치에 대한 부분적 단면도.
제2도는 광전장치 제조용 다중 글로우 방전실 증착시스템에 대한 도식선도.
제3도는 단락회로 전류선로 검출 및 제거 시스템과 전도성 광 전달물질층 형성용 증착실에 대한 개략적 도식도.

Claims (19)

  1. 기판위의 반도체 영역과, 상기 반도체 영역위의 전도성 광전달 물질층을 포함하는 형태의 광전장치 제조처리에서 상기 기판으로부터 상기 반도체 영역을 통과하여 상기 광 전도성 전달 물질층으로 연장되는 단락회로 전류 선로의 제거 방법으로서, 상기 단락회로 전류선로로부터 상기 전도성 광 전달물질을 제거하기 위하여 최소한 상기 단락회로 전류 선로 영역에서 전해질 코팅을 상기 전도성 광 전달물질층에 인가하여 상기 단락회로 전류선로 및 상기 전해질을 통하여 전류가 흐르는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 전류가 상기 단락회로 전류 선도를 통과하는 단계에서 상기 전해질과 상기판 사이에 전압을 인가시키는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 전압을 인가시키는 단계에서 상기 기판에 비해 상기 전해질의 전압값을 양의 값으로 유지시키는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거방법.
  4. 제3항에 있어서, 상기 전해질은 산성용액, 염기성 용액 혹은 알칼리성 용액중의 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 전류선로 제거방법.
  5. 제1항에 있어서, 상기 전도성 광 전달물질의 제거되는 영역 위의 상기 반도체 영역 위에 삽입물질을 증착시키는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거방법.
  6. 기판위의 하나이상의 활성화 영역과, 상기 하나 이상의 활성화 영역위의 전도성 투명물질층을 포함하는 형태의 광전장치 제조처리에서 상기 하나 이상의 활성화영역을 통과하여 상기 전도성 투명물질층으로 향하는 단락회로 전류선로를 제거하는 방법에 있어서, 상기 단락회로 전류 선로의 위치를 검출하여 상기 단락회로 전류선로의 고유저항을 증가시키는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거처리.
  7. 제6항에 있어서, 상기 단락회로 전류선로의 고유 저항을 증가시키는 상기 단계는 상기 단락회로 전류선로와 전기적 접촉을 하는 상기 전도성투명 물질을 제거하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거처리.
  8. 제6항에 있어서, 상기 검출단계에서 상기 전도성 투명물질층과 상기 하나 이상의 활성화 영역 사이에 전압을 인가시키고, 상기 광전장가치 예정한계를 넘을 때를 감지하는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거처리.
  9. 제8항에 있어서, 상기 전압은 상기 광전장치의 순방향 바이어스 전압 이하인 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거처리.
  10. 제6항에 있어서, 상기 단락 회로 전류선로(83), (138) 위에 삽입물질을 인가하는 단계를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거처리.
  11. 상기 단락회로 전류선로가 기판에서 반도체 영역을 통하여 상기 전도성 투명물질층으로 연장될 때 기판위의 반도체 영역과, 하나 이상의 활성화 영역 위의 전도성 투명물질층을 포함하는 형태의 광전장치를 통과하는 단락회로 전류 선로 제거시스템으로서, 전극(66), (92), (158)은 하나 이상의 단락회로 전류선로(72), (83), (153) 영역에서 전해질 비드(68), (106), (125), (162)의 코팅을 상기 전도성 광 전달물질층(64), (84), (152)에 인가하며, 전원(70), (104), (106)은 상기 단락회로 전류선로와 접촉하는 상기 전도성 광 전달물질을 제거하기 위해 상기 단락회로 전류선로 및 상기 전해질을 통하여 전류를 통과시키는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거시스템.
  12. 제11항에 있어서, 임계전류 검출기(100), (126)는 상기 단락회로 전류선로(72), (83), (153)의 위치를 검출하는 것을 특징으로 하는 전류 선로 제거시스템.
  13. 제12항에 있어서, 상기 임계전류 검출기는 상기 전도성 광전달 물질층(64), (84), (152)과 상기 하나 이상의 반도체 영역(82), (154) 사이에 전압을 이가시키는 전원(104), (132)과 상기 광전장치(80), (150)를 통과하는 전류가 예정된 한계를 초과하는 경우를 검출하는 임계전류 검출기(100), (126)를 구비하는 것을 특징으로 하는 전류선로 검출시스템.
  14. 제13항에 있어서, 상기 전압은 상기 광전장치(80), (150)의 순방향 바이어스 전압 이하인 것을 특징으로 하는 전류선로 검출시스템.
  15. 제11항에 있어서, 상기 전해질 비드(68), (106), (125), (162)는 산성, 알칼리성 혹은 염기성 가운데 하나인 것을 특징으로 하는 전류선로 제거시스템.
  16. 제11에 있어서, 인가장치(98)는 상기 전도성 광전달물질층(84)이 제거되는 영역에 삽입물질(87)을 인가하는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거시스템.
  17. 전도성 기판위의 하나 이상의 반도체 영역과 하나 이상의 반도체 영역 위의 전도성 광 전달물질층을 구비하는 형태의 광전장치 제조장치에서 상기 전도성 기판에서 상기 하나 이상의 반도체 영역을 통과하여 상기 전도성 광 전달물질층으로 연장되는 단락회로 전류선로 제거시스템으로서, 임계전류 검출기(100)는 상기 단락회로 전류선로의 위치를 검출하며, 인가장치(98)는 상기 단락회로 전류선로(83)의 고유 저항을 증가시키는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거시스템.
  18. 제17항에 있어서, 상기 단락회로 전류선로(83) 고유 저항을 증가시키는 상기 인가장치(98)는 상기 단락회로 전류선로 위의 상기 하나 이상의 반도체 영역(82)에 삽입물질을 인가시키는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거시스템.
  19. 기판과, 상기 기판위의 반도체 영역과, 상기 반도체 영역위의 광전도성 전달물질층을 구비하는 형태의 광전장치에서 상기 기판에서 상기 반도체 영역을 통과하여 연장되는 단락회로 전류선로 제거수단으로서, 상기 단락회로 전류선로 제거수단은 상기 전도성 광전달 물질층으로부터 상기 단락회로 전류선로(83), (138)위의 상기 반도체 영역(82), (136) 위에 삽입물질을 포함하는 상기 반도체 영역으로 향하는 단락회로 전류선로의 고유 저항을 증가시키는 것을 특징으로 하는 전류선로 제거수단.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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DE (1) DE3381369D1 (ko)
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