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KR20190134168A - Substrate inspection method, substrate processing method and substrate processing system for performing the same - Google Patents

Substrate inspection method, substrate processing method and substrate processing system for performing the same Download PDF

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KR20190134168A
KR20190134168A KR1020180059457A KR20180059457A KR20190134168A KR 20190134168 A KR20190134168 A KR 20190134168A KR 1020180059457 A KR1020180059457 A KR 1020180059457A KR 20180059457 A KR20180059457 A KR 20180059457A KR 20190134168 A KR20190134168 A KR 20190134168A
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Abstract

기판 검사 방법에 있어서, 이송 로봇에 의해 연마 공정이 수행된 기판을 제1 검사 장치를 거쳐 제2 검사 장치 내에 로딩한다. 상기 제1 검사 장치를 통과하도록 이동하는 상기 기판을 촬영하여 획득한 영상으로부터 상기 기판의 전체 영역을 1차적으로 검사한다. 상기 제1 검사 장치의 검사 결과에 기초하여 상기 제2 검사 장치에서 상기 기판의 국부 영역을 2차적으로 검사한다. 상기 제2 검사 장치의 검사 결과에 따라 상기 연마 공정의 파라미터를 조정한다.In the board | substrate test | inspection method, the board | substrate with which the grinding | polishing process was performed by the transfer robot is loaded into a 2nd test | inspection apparatus via a 1st test apparatus. The entire area of the substrate is primarily inspected from an image obtained by photographing the substrate moving through the first inspection apparatus. Based on the inspection result of the first inspection apparatus, the second inspection apparatus inspects the local region of the substrate secondaryly. The parameters of the polishing process are adjusted in accordance with the inspection result of the second inspection device.

Figure P1020180059457
Figure P1020180059457

Description

기판 검사 방법, 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 시스템{SUBSTRATE INSPECTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM FOR PERFORMING THE SAME}Substrate inspection method, substrate processing method and substrate processing system for performing the same {SUBSTRATE INSPECTION METHOD, SUBSTRATE PROCESSING METHOD AND SUBSTRATE PROCESSING SYSTEM FOR PERFORMING THE SAME}

본 발명은 기판 검사 방법, 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 시스템에 관한 것이다. 보다 자세하게, 본 발명은 화학 기계적 연마 고정에 의해 연마된 기판을 검사하기 위한 기판 검사 방법, 기판 처리 방법 및 이를 수행하기 위한 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate inspection method, a substrate processing method and a substrate processing system for performing the same. More specifically, the present invention relates to a substrate inspection method for inspecting a substrate polished by chemical mechanical polishing fixation, a substrate processing method and a substrate processing system for performing the same.

반도체 장치들은 SiO2와 같은 절연막을 연마하는 공정, 및 구리, 텅스텐 등의 금속막을 연마하는 공정을 포함하는 다양한 공정들을 통해 제조될 수 있다. 예를 들면, 화학기계적 연마(CMP, Chemical Mechanical Polishing) 장치가 웨이퍼를 연마하기 위해 사용될 수 있다.The semiconductor devices can be manufactured through various processes including a process of polishing an insulating film such as SiO 2, and a process of polishing a metal film such as copper and tungsten. For example, a chemical mechanical polishing (CMP) apparatus can be used to polish the wafer.

연마된 웨이퍼를 검사하기 위하여, 설비 내 마이크로 검사기를 사용하여 웨이퍼의 두께를 측정할 수 있다. 그러나, 국소 영역 측정이므로 사각 지대가 발생하고, 측정 지점들이 증가할 경우 검사 시간이 증가하여 생산성을 저하시키는 문제점이 있다.In order to inspect the polished wafers, the thickness of the wafers can be measured using a micro-inspector in the installation. However, because of the local area measurement, blind spots occur, and when the measurement points are increased, there is a problem in that the inspection time increases to decrease productivity.

본 발명의 일 과제는 정확하고 생산성을 향상시킬 수 있는 기판 검사 방법을 제공하는 데 있다.One object of the present invention is to provide a substrate inspection method that can improve the accuracy and productivity.

본 발명의 다른 과제는 상술한 기판 검사 방법을 포함하는 기판 처리 방법을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing method including the above-described substrate inspection method.

본 발명의 또 다른 과제는 상술한 기판 검사 방법을 수행하기 위한 기판 검사 장치를 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate inspection apparatus for performing the above-described substrate inspection method.

본 발명의 또 다른 과제는 상술한 기판 처리 방법을 수행하기 위한 기판 처리 시스템을 제공하는 데 있다.Another object of the present invention is to provide a substrate processing system for performing the substrate processing method described above.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 검사 방법에 있어서, 이송 로봇에 의해 연마 공정이 수행된 기판을 제1 검사 장치를 거쳐 제2 검사 장치 내에 로딩한다. 상기 제1 검사 장치를 통과하도록 이동하는 상기 기판을 촬영하여 획득한 영상으로부터 상기 기판의 전체 영역을 1차적으로 검사한다. 상기 제1 검사 장치의 검사 결과에 기초하여 상기 제2 검사 장치에서 상기 기판의 국부 영역을 2차적으로 검사한다. 상기 제2 검사 장치의 검사 결과에 따라 상기 연마 공정의 파라미터를 조정한다.In the substrate inspection method according to exemplary embodiments for achieving the above object of the present invention, the substrate subjected to the polishing process by the transfer robot is loaded into the second inspection device via the first inspection device. The entire area of the substrate is primarily inspected from an image obtained by photographing the substrate moving through the first inspection apparatus. Based on the inspection result of the first inspection apparatus, the second inspection apparatus inspects the local region of the substrate secondaryly. The parameters of the polishing process are adjusted in accordance with the inspection result of the second inspection device.

상기 본 발명의 일 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법에 있어서, 막이 형성된 기판을 연마한다. 상기 연마된 기판을 세정한다. 상기 세정된 기판을 이송 로봇에 의해 제1 검사 장치를 거쳐 제2 검사 장치 내에 기판을 로딩한다. 상기 제1 검사 장치를 통과하는 상기 기판을 촬영한 영상으로부터 상기 기판의 전체 영역을 검사한다. 상기 제1 검사 장치의 검사 결과에 기초하여 상기 제2 검사 장치에서 상기 기판의 국부 영역을 검사한다.In the substrate processing method according to the exemplary embodiments for achieving the above object of the present invention, the substrate on which the film is formed is polished. The polished substrate is cleaned. The cleaned substrate is loaded by the transfer robot into the second inspection apparatus via the first inspection apparatus. The entire area of the substrate is inspected from an image photographing the substrate passing through the first inspection device. The local inspection region of the substrate is inspected by the second inspection apparatus based on the inspection result of the first inspection apparatus.

상기 본 발명의 또 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 검사 장치는 검사 영역을 통과하는 기판을 촬영하고 상기 기판의 전체 영역을 검사하기 위한 제1 검사 장치, 상기 제1 검사 장치에 인접하게 배치되고 상기 기판을 지지하는 스테이지를 포함하고 상기 기판의 국부 영역을 검사하기 위한 제2 검사 장치, 및 상기 기판을 상기 제1 검사 장치의 상기 검사 영역을 거쳐 상기 제2 검사 장치로 로딩 및 언로딩하기 위한 이송 로봇을 포함한다.According to still another aspect of the present invention, there is provided a substrate inspection apparatus including a first inspection apparatus for photographing a substrate passing through an inspection region and inspecting an entire region of the substrate. A second inspection device for inspecting a local area of the substrate, the second inspection device including a stage disposed adjacent to and supporting the substrate, and loading the substrate into the second inspection device via the inspection area of the first inspection device. And a transfer robot for unloading.

상기 본 발명의 또 다른 과제를 달성하기 위한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템은 기판에 대해 화학 기계적 연마 공정을 수행하기 위한 연마 장치, 상기 연마된 기판을 세정하기 위한 세정 장치, 및 상기 세정된 기판을 검사하기 위한 기판 검사 장치를 포함한다. 상기 기판 검사 장치는 검사 영역을 통과하는 상기 기판을 촬영하고 상기 기판의 전체 영역을 검사하기 위한 제1 검사 장치, 상기 제1 검사 장치에 인접하게 배치되고 상기 기판을 지지하는 스테이지를 포함하고 상기 기판의 국부 영역을 검사하기 위한 제2 검사 장치, 및 상기 기판을 상기 제1 검사 장치의 상기 검사 영역을 거쳐 상기 제2 검사 장치로 로딩 및 언로딩하기 위한 이송 로봇을 포함한다.According to another aspect of the present invention, there is provided a substrate processing system including a polishing apparatus for performing a chemical mechanical polishing process on a substrate, a cleaning apparatus for cleaning the polished substrate, and the cleaning process. And a substrate inspection device for inspecting the prepared substrate. The substrate inspection apparatus includes a first inspection apparatus for photographing the substrate passing through an inspection region and inspecting the entire area of the substrate, a stage disposed adjacent to the first inspection apparatus and supporting the substrate, and the substrate A second inspection apparatus for inspecting a local region of the substrate, and a transfer robot for loading and unloading the substrate into the second inspection apparatus via the inspection region of the first inspection apparatus.

예시적인 실시예들에 따르면, 기판 처리 시스템은 연마 공정 및 세정 공정이 수행된 기판을 검사하기 위한 기판 검사 장치를 포함할 수 있다. 상기 기판 검사 장치는 검사 영역을 통과하는 상기 기판을 촬영하고 상기 기판의 전체 영역을 검사하기 위한 제1 검사 장치, 상기 제1 검사 장치에 인접하게 배치되고 상기 기판을 지지하는 스테이지를 포함하고 상기 기판의 국부 영역을 검사하기 위한 제2 검사 장치, 및 상기 기판을 상기 제1 검사 장치의 검사 영역을 거쳐 상기 제2 검사 장치 내부의 스테이지로 로딩 및 언로딩하기 위한 이송 로봇을 포함할 수 있다.According to exemplary embodiments, the substrate processing system may include a substrate inspection apparatus for inspecting a substrate on which a polishing process and a cleaning process are performed. The substrate inspection apparatus includes a first inspection apparatus for photographing the substrate passing through an inspection region and inspecting the entire area of the substrate, a stage disposed adjacent to the first inspection apparatus and supporting the substrate, and the substrate And a second inspection apparatus for inspecting a local region of the substrate, and a transfer robot for loading and unloading the substrate into a stage inside the second inspection apparatus via the inspection region of the first inspection apparatus.

따라서, 매크로 검사 공정을 위하여 별도의 스테이지 설치없이 웨이퍼 이동 경로 상에서 웨이퍼 이미지를 촬영하여 자동적으로 색상 불량을 검출하고, 검출 결과에 기초하여 결정된 웨이퍼의 검출 영역에서 광학적 임계치수(OCD: optical critical dimension)을 측정할 수 있다.Therefore, a color image is automatically detected by taking a wafer image on a wafer moving path without installing a separate stage for a macro inspection process, and an optical critical dimension (OCD) in a detection area of a wafer determined based on the detection result. Can be measured.

다만, 본 발명의 효과는 상기 언급한 효과에 한정되는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위에서 다양하게 확장될 수 있을 것이다.However, the effects of the present invention are not limited to the above-mentioned effects, and may be variously expanded within a range without departing from the spirit and scope of the present invention.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 나타내는 사시도이다.
도 3은 도 2의 기판 검사 장치를 나타내는 평면도이다.
도 4는 도 2의 기판 검사 장치의 제1 검사 장치 및 제2 검사 장치를 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4의 제1 검사 장치에 의해 촬영된 라인 스캔 이미지로부터 합성된 기판 이미지를 나타내는 도면이다.
도 6은 도 4의 제2 검사 장치를 나타내는 도면이다.
도 7는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다.
도 8은 도 7의 기판 처리 방법의 기판 검사 단계를 나타내는 순서도이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing system in accordance with example embodiments.
FIG. 2 is a perspective view illustrating the substrate inspection device of FIG. 1. FIG.
3 is a plan view of the substrate inspection apparatus of FIG. 2.
4 is a block diagram illustrating a first inspection device and a second inspection device of the substrate inspection device of FIG. 2.
FIG. 5 is a diagram illustrating a substrate image synthesized from a line scan image photographed by the first inspection apparatus of FIG. 4.
FIG. 6 is a diagram illustrating a second inspection device of FIG. 4.
7 is a flow chart illustrating a substrate processing method in accordance with example embodiments.
8 is a flowchart illustrating a substrate inspection step of the substrate processing method of FIG. 7.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention.

도 1은 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템을 나타내는 도면이다. 도 2는 도 1의 기판 검사 장치를 나타내는 사시도이다. 도 3은 도 2의 기판 검사 장치를 나타내는 평면도이다. 도 4는 도 2의 기판 검사 장치의 제1 검사 장치 및 제2 검사 장치를 나타내는 블록도이다. 도 5는 도 4의 제1 검사 장치에 의해 촬영된 라인 스캔 이미지로부터 합성된 기판 이미지를 나타내는 도면이다. 도 6은 도 4의 제2 검사 장치를 나타내는 도면이다.1 is a diagram illustrating a substrate processing system in accordance with example embodiments. FIG. 2 is a perspective view illustrating the substrate inspection device of FIG. 1. FIG. 3 is a plan view of the substrate inspection apparatus of FIG. 2. 4 is a block diagram illustrating a first inspection device and a second inspection device of the substrate inspection device of FIG. 2. FIG. 5 is a diagram illustrating a substrate image synthesized from a line scan image photographed by the first inspection apparatus of FIG. 4. FIG. 6 is a diagram illustrating a second inspection device of FIG. 4.

도 1 내지 도 6을 참조하면, 기판 처리 시스템(10)은 연마 장치(100), 세정 장치(200), 기판 검사 장치(300) 및 인덱스 장치(400)를 포함할 수 있다.1 to 6, the substrate processing system 10 may include a polishing apparatus 100, a cleaning apparatus 200, a substrate inspection apparatus 300, and an index apparatus 400.

예시적인 실시예들에 있어서, 연마 장치(100)는 웨이퍼(W)와 같은 기판 상에 화학 기계적 연마 공정을 수행할 수 있다. 연마 장치(100)는 복수 개의 연마 테이블들(110) 및 회전하는 연마 테이블(110) 상의 연마 패드에 기판(W)을 가압하기 위한 캐리어 헤드(120)를 포함할 수 있다. 또한, 연마 장치(100)는 상기 연마 패드 상으로 화학 기계적 연마 공정에 필요한 슬러리 용액을 공급하기 위한 슬러리 공급 장치(130)를 더 포함할 수 있다.In example embodiments, the polishing apparatus 100 may perform a chemical mechanical polishing process on a substrate, such as a wafer (W). The polishing apparatus 100 may include a plurality of polishing tables 110 and a carrier head 120 for pressing the substrate W to the polishing pad on the rotating polishing table 110. In addition, the polishing apparatus 100 may further include a slurry supply device 130 for supplying a slurry solution required for a chemical mechanical polishing process onto the polishing pad.

상기 웨이퍼는 반도체 또는 비반도체 물질로 이루어진 기판을 의미할 수 있다. 상기 웨이퍼는 기판 상에 형성된 하나 이상의 층들을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 층은 포토레지스트, 유전 물질, 전도성 물질을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 또한, 상기 웨이퍼는 반복되는 패턴들의 격자 구조를 각각 갖는 다수개의 다이들을 포함할 수 있다.The wafer may mean a substrate made of a semiconductor or non-semiconductor material. The wafer may include one or more layers formed on a substrate. For example, the layer may include, but is not limited to, photoresist, dielectric material, and conductive material. In addition, the wafer may include a plurality of dies each having a lattice structure of repeating patterns.

예를 들면, 제1 영역(A1)에 로딩된 기판(W)은 대략 사각형 형태의 순환 경로로 캐리어 헤드(120)에 의해 이동되면서 연마 테이블들(110) 상에서 연마된 후, 제2 영역(A2)으로 언로딩될 수 있다.For example, the substrate W loaded in the first area A1 is polished on the polishing tables 110 while being moved by the carrier head 120 in a circular path having a substantially rectangular shape, and then the second area A2. ) Can be unloaded.

세정 장치(200)는 연마 장치(100)의 일측부에 배치되어 제2 영역(A2)에 언로딩된 기판(W)의 표면에 잔류하는 이물질을 세정할 수 있다. 세정 장치(200)는 접촉식 세정 유닛(210) 및 비접촉식 세정 유닛(220)을 포함할 수 있다. 접촉식 세정 유닛(210)은 기판(W)의 표면에 회전하며 접촉하는 세정 브러시를 포함할 수 있다. 비접촉식 세정유닛(220)은 기판(W)의 표면에 케미컬, 순수(DIW), 스팀, 이종 유체 등과 같은 세정 유체를 분사하거나, 기판(W)의 표면에 진동 에너지(메가소닉)를 공급하거나, 기판(W)의 표면에 소프로필 알콜(IPA)을 분사하는 것에 의하여 세정을 수행할 수 있다.The cleaning device 200 may be disposed on one side of the polishing device 100 to clean the foreign matter remaining on the surface of the substrate W unloaded in the second area A2. The cleaning apparatus 200 may include a contact cleaning unit 210 and a non-contact cleaning unit 220. The contact cleaning unit 210 may include a cleaning brush that rotates and contacts the surface of the substrate (W). The non-contact cleaning unit 220 injects a cleaning fluid such as chemical, pure water (DIW), steam, heterogeneous fluid, etc. to the surface of the substrate W, or supplies vibration energy (megasonic) to the surface of the substrate W, Cleaning may be performed by spraying small propyl alcohol (IPA) on the surface of the substrate (W).

인덱스 장치(400)는 세정 장치(200)의 인접한 측부에 배치될 수 있다. 인덱스 장치(400)는 기판(W)을 로딩 및 언로딩하기 위한 반입출 모듈(Equipment Front End Module, EFEM)일 수 있다. 인덱스 장치(400)는 일방향으로 연장한 카세트 스테이지(410)를 포함할 수 있다. 복수 개의 지지 플레이트들(412)은 카세트 스테이지(410) 상에 지지될 수 있다. 복수 개의 기판들(W)이 수납된 웨이퍼 캐리어(FOUP, front opening unified pod)(20)는 지지 플레이트(412) 상에 지지될 수 있다.The index apparatus 400 may be disposed on an adjacent side of the cleaning apparatus 200. The index apparatus 400 may be an equipment front end module (EFEM) for loading and unloading the substrate (W). The index apparatus 400 may include a cassette stage 410 extending in one direction. The plurality of support plates 412 may be supported on the cassette stage 410. The front opening unified pod (FOUP) 20 in which the plurality of substrates W is accommodated may be supported on the support plate 412.

기판 검사 장치(300)는 세정 장치(200) 및 인덱스 장치(400) 사이에 배치되어, 세정된 기판(W)을 검사할 수 있다. 기판 검사 장치(300)는 이송 로봇(302), 제1 검사 장치(310) 및 제2 검사 장치(320)를 포함할 수 있다. 기판 검사 장치(300)는 인덱스 장치(400)의 일측에 배치될 수 있다.The substrate inspecting apparatus 300 may be disposed between the cleaning apparatus 200 and the index apparatus 400 to inspect the cleaned substrate W. FIG. The substrate inspection apparatus 300 may include a transfer robot 302, a first inspection apparatus 310, and a second inspection apparatus 320. The substrate inspection apparatus 300 may be disposed on one side of the index apparatus 400.

이송 로봇(302)은 카세트 스테이지(410)의 연장 방향을 따라 이동 가능하도록 설치되고, 웨이퍼 캐리어(20)로부터 연마 장치(100)로 기판(W)을 이송하고, 세정 장치(200)로부터 기판 검사 장치(300)로 기판(W)을 로딩하고, 기판 검사 장치(300)로부터 웨이퍼 캐리어(20)로 기판(W)을 언로딩할 수 있다.The transfer robot 302 is installed to be movable along the extension direction of the cassette stage 410, transfers the substrate W from the wafer carrier 20 to the polishing apparatus 100, and inspects the substrate from the cleaning apparatus 200. The substrate W may be loaded into the apparatus 300, and the substrate W may be unloaded from the substrate inspection apparatus 300 to the wafer carrier 20.

제1 검사 장치(310) 및 제2 검사 장치(320)는 서로 인접하게 배치되고, 카세트 스테이지(410)의 연장 방향으로 이격 배치될 수 있다. 제2 검사 장치(320) 및 제1 검사 장치(310)는 카세트 스테이지(410)의 연장 방향에 직교하는 방향으로 서로 이격 배치될 수 있다. 제1 검사 장치(310)는 제2 검사 장치(320)와 이송 로봇(302) 사이에 배치될 수 있다.The first inspection device 310 and the second inspection device 320 may be disposed adjacent to each other, and may be spaced apart in the extending direction of the cassette stage 410. The second inspection device 320 and the first inspection device 310 may be spaced apart from each other in a direction orthogonal to the extending direction of the cassette stage 410. The first inspection device 310 may be disposed between the second inspection device 320 and the transfer robot 302.

제1 검사 장치(310)는 검사 영역(311)을 통과하는 기판(W)을 촬영하고 기판(W)의 전체 영역을 검사할 수 있다. 제1 검사 장치(310)의 검사 영역(311)은 이송 로봇(302)에 그립된 기판(W)이 통과하는 통로일 수 있다. 제1 검사 장치(310)는 검사 영역(311) 상에 배치되며 이송 로봇(302)에 의해 검사 영역(311)을 통과하는 기판(W) 상에 광을 조사하기 위한 조명부(312), 기판(W)으로부터 반사된 광으로부터 기판(W)의 이미지를 획득하기 위한 촬영부(314), 및 상기 이미지로부터 기판(W)의 결함을 검출하기 위한 이미지 처리부(316)를 포함할 수 있다.The first inspection apparatus 310 may photograph the substrate W passing through the inspection region 311 and inspect the entire region of the substrate W. FIG. The inspection area 311 of the first inspection device 310 may be a passage through which the substrate W gripped by the transfer robot 302 passes. The first inspection device 310 is disposed on the inspection area 311 and is provided with an illumination unit 312 and a substrate for irradiating light onto the substrate W passing through the inspection area 311 by the transfer robot 302. It may include a photographing unit 314 for obtaining an image of the substrate (W) from the light reflected from the W, and an image processor 316 for detecting a defect of the substrate (W) from the image.

제2 검사 장치(320)는 이송 로봇(302)에 의해 로딩된 기판(W)을 지지하는 스테이지(322), 광을 기판(W)의 검출 영역으로 입사시키기 위한 광 조사부(324), 기판(W)의 상기 검출 영역으로부터 반사된 광으로부터 스펙트럼을 생성하기 위한 분광기(326), 및 제1 검사 장치(310)의 검사 결과에 기초하여 스테이지(322) 상의 기판(W)의 검출 영역을 결정하는 제어부(328)를 포함할 수 있다.The second inspection device 320 includes a stage 322 for supporting the substrate W loaded by the transfer robot 302, a light irradiation unit 324 for injecting light into the detection region of the substrate W, and a substrate ( Determining a detection area of the substrate W on the stage 322 based on a spectroscope 326 for generating a spectrum from the light reflected from the detection area of W) and an inspection result of the first inspection device 310. The controller 328 may be included.

제2 검사 장치(320)는 제1 검사 장치(310)의 검사 영역(311)과 연통된 게이트(321)을 포함할 수 있다. 이송 로봇(302)은 게이트(321)를 통해 기판(W)을 스테이지(322) 상으로 로딩 및 언로딩할 수 있다. 이송 로봇(302)은 기판(W)을 그립하고 제1 검사 장치(310)의 검사 영역(311)을 통과한 후 게이트(321)를 통해 제2 검사 장치(320) 내부로 이송시킬 수 있다.The second inspection device 320 may include a gate 321 communicating with the inspection area 311 of the first inspection device 310. The transfer robot 302 may load and unload the substrate W onto the stage 322 through the gate 321. The transfer robot 302 may grip the substrate W, pass through the inspection area 311 of the first inspection device 310, and then transfer the inside of the second inspection device 320 through the gate 321.

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 검사 장치(310)의 조명부(312)는 이송 로봇(302) 상의 기판(W)이 제1 검사 장치(310)의 검사 영역(311)을 통과할 때 기판(W) 상에 광을 조사하고, 제1 검사 장치(310)의 촬영부(314)는 기판(W)으로부터 반사된 광으로부터 기판(W)의 이미지를 획득할 수 있다.In example embodiments, the lighting unit 312 of the first inspection apparatus 310 may include a substrate when the substrate W on the transfer robot 302 passes through the inspection region 311 of the first inspection apparatus 310. Light is irradiated onto (W), and the image capturing unit 314 of the first inspection apparatus 310 may acquire an image of the substrate W from the light reflected from the substrate W.

도 5에 도시된 바와 같이, 제1 검사 장치(310)의 조명부(312)는 기판(W) 상에 라인 스캔 조명을 조사하고 촬영부(314)는 라인 스캔 이미지(Is)를 획득할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 라인 스캔 이미지들(Is)을 합성하여 기판 이미지(Iw)로 복구할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 기판 이미지(Iw)로부터 기판(W)의 결함을 검출할 수 있다. 제1 검사 장치(310)는 이송 로봇(302)에 의해 비등속으로 매우 빠르게, 예를 들면, 1 m/sec 이상의 속도로 이동하는 기판(W)의 전면을 촬영하고, 기판(W) 이미지를 원형으로 복원할 수 있다.As shown in FIG. 5, the illumination unit 312 of the first inspection apparatus 310 may radiate line scan illumination onto the substrate W and the photographing unit 314 may acquire the line scan image Is. . The image processor 316 may synthesize the line scan images Is to restore the substrate image Iw. The image processor 316 may detect a defect of the substrate W from the substrate image Iw. The first inspection device 310 photographs the front surface of the substrate W moving at a very high speed, for example, at a speed of 1 m / sec or more by the transfer robot 302, and captures the substrate W image. Can be restored to the original.

제1 검사 장치(310)의 이미지 처리부(316)는 기판(W)의 색상 결함을 검출할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 기판 이미지(Iw)를 이진화시키고, 이미지 분석을 통해 웨이퍼(W)의 노치(notch)(또는 플랫부(flat portion))를 기준으로 한 웨이퍼 노치 얼라인(wafer notch align)을 수행할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 이송 로봇(wafer transfer robot)에 의한 노치(notch) 가려짐, 웨이퍼 에지 영역(notch)에 대해 보정, 좌/우 흔들림 보정 및 상/하 속도 보정을 수행할 수 있다.The image processor 316 of the first inspection device 310 may detect a color defect of the substrate W. FIG. The image processor 316 binarizes the substrate image Iw and performs wafer notch alignment based on the notch (or flat portion) of the wafer W through image analysis. Can be performed. The image processor 316 may perform notch obstruction by the transfer robot, correction of the wafer edge area notch, correction of left / right shake, and correction of up / down speed.

이미지 처리부(316)는 극좌표 변환을 통해 다중 스케일 공간에서 다이-대-다이(D2D, Die to Die) 기반 불량을 검출할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 SHF(scale hierarchical filter) 이미지 비교를 통해 반복된 패턴을 제거한 후, D2D(Die to Die) 기반의 불균일 색상 차이로 불량을 검출할 수 있다. 이미지 처리부(316)는 자기-기준(self-reference) 기반 불량 검출을 위해 이미지 영상에 컨볼루션 필터(convolution filter)를 적용하고 다운 샘플링(down sampling) 작업 및 업 샘플링(up sampling) 작업을 수행하여 필터링된 영상을 획득할 수 있다.The image processor 316 may detect die-to-die (D2D) based defects in a multi-scale space through polar coordinate transformation. The image processor 316 may remove the repeated pattern by comparing the scale hierarchical filter (SHF) image, and then detect the defect as a non-uniform color difference based on die to die (D2D). The image processor 316 applies a convolution filter to the image image to perform self-reference based defect detection, and performs down sampling and up sampling operations. The filtered image may be obtained.

제1 검사 장치(310)의 이미지 처리부(316)는 기판(W)의 전체 영역의 검사 결과를 제2 검사 장치(320)의 제어부(328)로 포워딩할 수 있다. 제2 검사 장치(320)의 제어부(328)는 제1 검사 장치(310)의 검사 결과에 기초하여 검출 영역들의 개수 및 좌표를 결정할 수 있다. 제1 검사 장치(310)의 검사 결과가 정상일 경우, 최소의 검출 영역들(예를 들면, 3 points)이 결정될 수 있다. 제1 검사 장치(310)의 검사 결과가 비정상일 경우, 검출된 불량 영역들이 검출 영역들로 결정될 수 있다.The image processor 316 of the first inspection device 310 may forward the inspection results of the entire area of the substrate W to the controller 328 of the second inspection device 320. The controller 328 of the second inspection device 320 may determine the number and coordinates of the detection areas based on the inspection result of the first inspection device 310. When the inspection result of the first inspection apparatus 310 is normal, the minimum detection regions (eg, 3 points) may be determined. When the inspection result of the first inspection apparatus 310 is abnormal, the detected defective regions may be determined as the detection regions.

제2 검사 장치(320)의 광 조사부(324)는 제어부(328)에 의해 결정된 기판(W)의 검출 영역으로 광을 입사시키고, 분광기(326)는 기판(W)의 상기 검출 영역으로부터 반사된 광으로부터 스펙트럼을 생성하고 상기 스펙트럼을 분석하여 상기 검출 영역에서의 기판(W)(상의 패턴)의 두께를 산출하여, 기판(W)의 국부 영역을 검사할 수 있다.The light irradiator 324 of the second inspection device 320 injects light into the detection area of the substrate W determined by the controller 328, and the spectrometer 326 is reflected from the detection area of the substrate W. A local region of the substrate W can be inspected by generating a spectrum from light and analyzing the spectrum to calculate the thickness of the substrate W (pattern on the detection region) in the detection region.

제2 검사 장치(320)의 검사 결과를 피드백하여 연마 공정에서의 파라미터(예를 들면, 캐리어 헤드 압력, 캐리어 헤드 회전 속도, 연마 테이블의 회전 속도, 등)를 조정할 수 있다.The inspection result of the second inspection device 320 may be fed back to adjust parameters (eg, carrier head pressure, carrier head rotation speed, rotation speed of the polishing table, etc.) in the polishing process.

상술한 바와 같이, 기판 처리 시스템(10)은 연마 공정 및 세정 공정이 수행된 기판(W)을 검사하기 위한 기판 검사 장치(300)를 포함하고, 기판 검사 장치(300)는 검사 영역(311)을 통과하는 기판(W)을 촬영하고 기판(W)의 전체 영역을 검사하기 위한 제1 검사 장치(310), 제1 검사 장치(310)에 인접하게 배치되고 기판(W)을 지지하는 스테이지(322)를 포함하고 기판(W)의 국부 영역을 검사하기 위한 제2 검사 장치(320), 및 기판(W)을 제1 검사 장치(300)의 검사 영역(311)을 거쳐 제2 검사 장치(320) 내의 스테이지(322)로 로딩 및 언로딩하기 위한 이송 로봇(302)을 포함할 수 있다.As described above, the substrate processing system 10 includes a substrate inspection apparatus 300 for inspecting a substrate W on which polishing and cleaning processes have been performed, and the substrate inspection apparatus 300 includes an inspection region 311. A stage for photographing the substrate W passing through the substrate W and inspecting the entire area of the substrate W, a stage disposed adjacent to the first inspection device 310 and supporting the substrate W ( 322, the second inspection device 320 for inspecting the local area of the substrate W, and the substrate W passing through the inspection area 311 of the first inspection device 300. Transfer robot 302 for loading and unloading into stage 322 within 320.

따라서, 매크로 검사 공정을 위하여 별도의 스테이지 설치없이 웨이퍼 이동 경로 상에서 웨이퍼 이미지를 촬영하여 자동적으로 색상 불량을 검출하고, 검출 결과에 따라 결정된 웨이퍼의 검출 영역에서 광학적 임계치수(OCD: optical critical dimension)을 측정할 수 있다.Therefore, color inspection is automatically performed by photographing a wafer image on a wafer movement path without installing a separate stage for a macro inspection process, and an optical critical dimension (OCD) is detected in a detection region of a wafer determined according to the detection result. It can be measured.

이하에서는, 도 1의 기판 처리 시스템을 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명하기로 한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the substrate processing system of FIG. 1 will be described.

도 7는 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 방법을 나타내는 순서도이다. 도 8은 도 7의 기판 처리 방법의 기판 검사 단계를 나타내는 순서도이다. 상기 기판 검사 단계는 연마 공정에 의해 평탄화된 기판을 검사하기 위해 사용될 수 있으나, 반드시 이에 한정되는 것을 아니다.7 is a flow chart illustrating a substrate processing method in accordance with example embodiments. 8 is a flowchart illustrating a substrate inspection step of the substrate processing method of FIG. 7. The substrate inspection step may be used to inspect the substrate flattened by a polishing process, but is not necessarily limited thereto.

도 1 내지 4, 도 7 및 도 8을 참조하면, 먼저, 인덱스 장치(400)의 카세트 스테이지(410) 상에 웨이퍼들(W)을 제공한 후, 웨이퍼(W)를 연마 장치(100)로 로딩한 후 화학 기계적 연마 공정을 수행할 수 있다(S100).1 to 4, 7 and 8, first, the wafers W are provided on the cassette stage 410 of the index apparatus 400, and then the wafers W are polished to the polishing apparatus 100. After loading, a chemical mechanical polishing process may be performed (S100).

예시적인 실시예들에 있어서, 이송 로봇(302)을 포함한 이송 메커니즘에 의해 웨이퍼(W)는 제1 영역(A1)에 로딩된 후, 웨이퍼(W)는 캐리어 헤드(120)에 의해 대략 사각형 형태의 순환 경로로 이동되면서 연마 테이블들(110) 상에서 연마될 수 있다. 웨이퍼(W)는 캐리어 헤드(120)에 의해 흡착된 상태로 슬러리 용액이 공급되는 연마 패드의 상면에 회전 접촉됨으로써, 화학 기계적 연마 공정이 수행될 수 있다.In exemplary embodiments, after the wafer W is loaded into the first area A1 by a transfer mechanism including a transfer robot 302, the wafer W is roughly rectangular shaped by the carrier head 120. It can be polished on the polishing tables 110 while being moved in the circulation path of. The wafer W may be rotated in contact with the upper surface of the polishing pad to which the slurry solution is supplied while being adsorbed by the carrier head 120, thereby performing a chemical mechanical polishing process.

상기 연마 공정이 완료된 웨이퍼(W)는 캐리어 헤드(120)에 의해 제2 영역(A2)으로 언로딩될 수 있다.The wafer W on which the polishing process is completed may be unloaded into the second area A2 by the carrier head 120.

이어서, 상기 연마된 웨이퍼(W)를 세정할 수 있다(S110).Subsequently, the polished wafer W may be cleaned (S110).

상기 이송 메커니즘에 의해 제2 영역(A2)에 언로딩된 웨이퍼(W)는 세정 장치(200)로 로딩된 후 세정 공정을 수행할 수 있다. 웨이퍼(W)는 접촉식 세정 유닛(210) 및 비접촉식 세정 유닛(220)으로 순차적으로 이송되어, 웨이퍼(W)의 표면에 잔류하는 이물질을 세정할 수 있다.The wafer W unloaded into the second region A2 by the transfer mechanism may be loaded into the cleaning apparatus 200 and then perform a cleaning process. The wafer W may be sequentially transferred to the contact cleaning unit 210 and the non-contact cleaning unit 220 to clean the foreign matter remaining on the surface of the wafer W.

이후, 세정된 웨이퍼(W)를 검사할 수 있다(S120).Thereafter, the cleaned wafer W may be inspected (S120).

구체적으로, 이송 로봇(302)에 의해 세정된 웨이퍼(W)를 제1 검사 장치(310)를 거쳐 제2 검사 장치(320) 내부로 로딩할 수 있다(S122).Specifically, the wafer W cleaned by the transfer robot 302 may be loaded into the second inspection device 320 via the first inspection device 310 (S122).

예시적인 실시예들에 있어서, 이송 로봇(302)의 이송 암은 세정된 웨이퍼(W)를 그립하고 카세트 스테이지(420)에 장변 방향으로 가이드 레일을 따라 제1 검사 장치(310)까지 이동한 후, 상기 이송 암은 전진 이동하여 웨이퍼(W)를 제1 검사 장치(310)의 검사 영역(311)을 통과시킨 후 제2 검사 장치(320)의 게이트(321)를 통해 내부의 스테이지(322) 상으로 이송시킬 수 있다.In exemplary embodiments, the transfer arm of the transfer robot 302 grips the cleaned wafer W and moves to the first inspection device 310 along the guide rail in the long side direction at the cassette stage 420. The transfer arm moves forward to pass the wafer W through the inspection region 311 of the first inspection apparatus 310, and then through the gate 321 of the second inspection apparatus 320, the stage 322 therein. Can be transferred to the bed.

이후, 제1 검사 장치(310)는 검사 영역(311)을 통과하는 웨이퍼(W)를 촬영하고 촬영한 이미지로부터 웨이퍼(W)의 전체 영역을 검사할 수 있다(S124).Thereafter, the first inspection apparatus 310 may photograph the wafer W passing through the inspection area 311 and inspect the entire region of the wafer W from the photographed image (S124).

예시적인 실시예들에 있어서, 제1 검사 장치(310)는 이송 로봇(302)에 의해 이송되는 웨이퍼(W)를 라인 스캔하여 획득한 라인 스캔 이미지들을 합성하여 웨이퍼 이미지로 복원할 수 있다.In example embodiments, the first inspection apparatus 310 may reconstruct a wafer image by synthesizing the line scan images obtained by line scanning the wafer W transferred by the transfer robot 302.

제1 검사 장치(310)는 웨이퍼 노치(또는 플랫부)를 기준으로 하여 상기 웨이퍼 이미지의 웨이퍼 노치 얼라인을 수행할 수 있다. 또한, 비등속 매크로 검사 결과를 이진화시키고, 이송 로봇(302)에 의한 노치(notch) 가려짐과 노치 보정을 수행할 수 있다. 제1 검사 장치(310)는 SHF(scale hierarchical filter) 이미지 비교를 통해 반복된 패턴을 제거한 후, 다이-대-다이(D2D, Die to Die) 기반의 불균일 색상 차이로 불량을 검출할 수 있다. 제1 검사 장치(310)에 의해 검출된 불량 영역은 오버(over) CMP 영역, 언더(under) CMP 영역을 포함할 수 있다.The first inspection device 310 may perform wafer notch alignment of the wafer image based on the wafer notch (or the flat part). In addition, it is possible to binarize the results of the non-constant macro inspection, and to perform notch obstruction and notch correction by the transfer robot 302. The first inspection device 310 may remove the repeated pattern by comparing the scale hierarchical filter (SHF) image, and then detect the defect by a non-uniform color difference based on die-to-die (D2D). The defective area detected by the first inspection device 310 may include an over CMP area and an under CMP area.

이어서, 제1 검사 장치(310)의 검출 결과에 기초하여 제2 검사 장치(320)에서 웨이퍼(W)의 국부 영역을 검사할 수 있다(S126).Subsequently, based on the detection result of the first inspection device 310, the second inspection device 320 may inspect the local region of the wafer W (S126).

예시적인 실시예들에 있어서, 제2 검사 장치(320)는 제1 검사 장치(310)의 검사 결과에 기초하여 검출 영역들의 개수 및 좌표를 결정할 수 있다. 제1 검사 장치(310)의 검사 결과가 정상일 경우, 최소의 검출 영역들(예를 들면, 3 points)이 결정될 수 있다. 제1 검사 장치(310)의 검사 결과가 비정상일 경우, 검출된 불량 영역들이 검출 영역들로 결정될 수 있다.In example embodiments, the second inspection device 320 may determine the number and coordinates of the detection areas based on the inspection result of the first inspection device 310. When the inspection result of the first inspection apparatus 310 is normal, the minimum detection regions (eg, 3 points) may be determined. When the inspection result of the first inspection apparatus 310 is abnormal, the detected defective regions may be determined as the detection regions.

제2 검사 장치(320)는 웨이퍼(W)의 상기 검출 영역으로 광을 입사시키고, 상기 검출 영역으로부터 반사된 광으로부터 스펙트럼을 생성하고 상기 스펙트럼을 분석하여 상기 검출 영역에서의 웨에퍼(W)(상의 패턴)의 두께를 산출하여, 웨이퍼(W)의 국부 영역을 검사할 수 있다.The second inspection device 320 injects light into the detection area of the wafer W, generates a spectrum from the light reflected from the detection area, and analyzes the spectrum to produce a wafer W in the detection area. By calculating the thickness of the (pattern of the image), the local region of the wafer W can be inspected.

제2 검사 장치(320)의 검사 결과를 피드백하여 상기 연마 공정에서의 파라미터(예를 들면, 캐리어 헤드 압력 캐리어 헤드 회전 속도, 연마 테이블의 회전 속도, 등)를 조정할 수 있다.The inspection result of the second inspection device 320 may be fed back to adjust parameters (eg, carrier head pressure carrier head rotational speed, rotational speed of the polishing table, etc.) in the polishing process.

상기 검사 공정을 수행한 후, 이송 로봇(302)은 제2 검사 장치(320)로부터 웨이퍼(W)를 언로딩할 수 있다.After performing the inspection process, the transfer robot 302 may unload the wafer W from the second inspection device 320.

이어서, 웨이퍼(W)는 이송 로봇(302)에 의해 인덱스 장치(400)로 언로딩될 수 있다.The wafer W may then be unloaded into the indexing device 400 by the transfer robot 302.

전술한 예시적인 실시예들에 따른 기판 처리 시스템 및 기판 처리 방법은 다양한 반도체 장치의 제조에 사용될 수 있다. 예를 들어, 상기 반도체 장치는 중앙처리장치(CPU, MPU), 애플리케이션 프로세서(AP) 등과 같은 로직 소자에 적용될 수 있다. 혹은 상기 반도체 장치는 디램(DRAM) 장치, 에스램(SRAM) 장치 등과 같은 휘발성 메모리 장치나, 플래시 메모리 장치, 피램(PRAM) 장치, 엠램(MRAM) 장치, 알램(RRAM) 장치 등과 같은 불휘발성 메모리 장치에 적용될 수 있다.The substrate processing system and substrate processing method according to the above-described exemplary embodiments can be used in the manufacture of various semiconductor devices. For example, the semiconductor device may be applied to a logic device such as a central processing unit (CPU, MPU), an application processor (AP), or the like. Alternatively, the semiconductor device may be a volatile memory device such as a DRAM device, an SRAM device, or a nonvolatile memory device such as a flash memory device, a PRAM device, an MRAM device, an RRAM device, or the like. It can be applied to the device.

이상에서는 본 발명의 실시예들을 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.Although the above has been described with reference to the embodiments of the present invention, those skilled in the art will be able to variously modify and change the present invention without departing from the spirit and scope of the present invention as set forth in the claims below. It will be appreciated.

10: 기판 처리 시스템 20: 웨이퍼 캐리어
100: 연마 장치 110: 연마 테이블
120: 캐리어 헤드 130: 슬러시 공급 장치
200: 세정 장치 210: 접촉식 세정 유닛
220: 비접촉시 세정 유닛 300: 기판 검사 장치
302: 이송 로봇 310: 제1 검사 장치
311: 검사 영역 312: 조명부
314: 촬영부 316: 이미지 처리부
320: 제2 검사 장치 321: 게이트
322: 스테이지 324: 광 조사부
326: 분광기 328: 제어부
400: 인덱스 장치 410: 카세트 스테이지
412: 지지 플레이트10 substrate processing system 20 wafer carrier
100: polishing apparatus 110: polishing table
120: carrier head 130: slush supply device
200: cleaning device 210: contact cleaning unit
220: non-contact cleaning unit 300: substrate inspection apparatus
302: transfer robot 310: first inspection device
311: inspection area 312: lighting unit
314: photographing unit 316: image processing unit
320: second inspection device 321: gate
322: stage 324: light irradiation unit
326: spectrometer 328: control unit
400: index device 410: cassette stage
412: support plate

Claims (10)

이송 로봇에 의해 연마 공정이 수행된 기판을 제1 검사 장치를 거쳐 제2 검사 장치 내에 로딩하고;
상기 제1 검사 장치를 통과하도록 이동하는 상기 기판을 촬영하여 획득한 영상으로부터 상기 기판의 전체 영역을 1차적으로 검사하고;
상기 제1 검사 장치의 검사 결과에 기초하여 상기 제2 검사 장치에서 상기 기판의 국부 영역을 2차적으로 검사하고; 그리고
상기 제2 검사 장치의 검사 결과에 따라 상기 연마 공정의 파라미터를 조정하는 것을 포함하는 기판 검사 방법.Loading the substrate subjected to the polishing process by the transfer robot into the second inspection apparatus via the first inspection apparatus;
First inspecting an entire area of the substrate from an image obtained by photographing the substrate moving through the first inspection device;
Secondly inspecting a local area of the substrate in the second inspection device based on the inspection result of the first inspection device; And
And adjusting a parameter of the polishing process in accordance with an inspection result of the second inspection apparatus. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 상기 제1 검사 장치를 거쳐 상기 제2 검사 장치 내에 로딩하는 것은 상기 이송 로봇에 의해 그립된 상기 기판을 상기 제1 검사 장치의 검사 영역을 통과한 후 상기 제2 검사 장치의 스테이지 상으로 이송시키는 것을 포함하는 기판 검사 방법.The method of claim 1, wherein the loading of the substrate into the second inspection device via the first inspection device comprises passing the substrate gripped by the transfer robot through the inspection area of the first inspection device and then the second inspection device. A substrate inspection method comprising transferring onto a stage of an inspection apparatus. 제 2 항에 있어서, 상기 이송 로봇에 의해 상기 기판을 이송시킬 때 상기 기판의 이송 속도는 시간에 따라 변화하는 기판 검사 방법.The method of claim 2, wherein the transfer speed of the substrate changes with time when the substrate is transferred by the transfer robot. 제 1 항에 있어서, 상기 기판의 전체 영역을 검사하는 것은
상기 이송 로봇 상의 상기 기판이 상기 제1 검사 장치의 검사 영역을 통해 이동할 때 상기 기판 상에 광을 조사하여 상기 기판의 이미지를 획득하고; 그리고
상기 이미지로부터 상기 기판의 결함을 검출하는 것을 포함하는 기판 검사 방법.The method of claim 1, wherein inspecting the entire area of the substrate
When the substrate on the transfer robot moves through the inspection area of the first inspection device, irradiates light onto the substrate to obtain an image of the substrate; And
Detecting a defect of the substrate from the image. 제 4 항에 있어서, 상기 기판이 상기 제1 검사 장치의 검사 영역을 통해 이동하는 상기 기판의 이미지를 촬영하는 것은
상기 기판 상에 라인 스캔 조명을 조사하고; 그리고
상기 촬영된 라인 스캔 이미지들을 합성하여 기판 이미지로 복구하는 것을 포함하는 기판 검사 방법.5. The method of claim 4, wherein the imaging of the substrate as the substrate moves through the inspection area of the first inspection device
Irradiating line scan illumination on the substrate; And
And synthesizing the photographed line scan images to restore a substrate image. 제 5 항에 있어서, 상기 기판의 이미지를 획득하는 것은 상기 기판 이미지 분석을 통해 웨이퍼 노치 얼라인을 수행하는 것을 더 포함하는 기판 검사 방법.6. The method of claim 5, wherein acquiring an image of the substrate further comprises performing a wafer notch alignment through the substrate image analysis. 제 4 항에 있어서, 상기 이미지로부터 상기 기판의 결함을 검출하는 것은 상기 기판의 색상 결함을 검출하는 것을 포함하는 기판 검사 방법.5. The method of claim 4, wherein detecting a defect of the substrate from the image comprises detecting a color defect of the substrate. 제 1 항에 있어서, 상기 제2 검사 장치에서 상기 기판의 국부 영역을 검사하는 것은
상기 제1 검사 장치의 검사 결과에 기초하여 상기 제2 검사 장치의 스테이지 상의 상기 기판의 검출 영역을 결정하고;
상기 검출 영역에서 광을 검출하고; 그리고
상기 검출 영역에서 검출된 광으로부터 상기 기판의 두께를 검출하는 것을 포함하는 기판 검사 방법.The method of claim 1, wherein the inspecting of the local area of the substrate in the second inspection device comprises:
Determine a detection area of the substrate on the stage of the second inspection device based on the inspection result of the first inspection device;
Detect light in the detection area; And
Detecting the thickness of the substrate from the light detected in the detection region. 제 1 항에 있어서,
상기 이송 로봇에 의해 상기 기판을 상기 제1 검사 장치를 거쳐 제2 검사 장치로부터 언로딩하는 것을 더 포함하는 기판 검사 방법.The method of claim 1,
And unloading the substrate from the second inspection device via the first inspection device by the transfer robot. 제 1 항에 있어서, 상기 기판을 상기 제1 검사 장치를 거쳐 상기 제2 검사 장치 내에 로딩하기 전에, 상기 기판 상에 화학 기계적 연마 공정을 수행하는 것을 더 포함하는 기판 검사 방법.
2. The method of claim 1, further comprising performing a chemical mechanical polishing process on the substrate prior to loading the substrate into the second inspection device via the first inspection device.
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