KR20140116877A

KR20140116877A - Element structure, and element structure manufacturing method

Info

Publication number: KR20140116877A
Application number: KR1020147020105A
Authority: KR
Inventors: 유코 가토; 타다시 오카; 다카히로 야지마; 카즈야 우치다; 다이스케 오모리
Original assignee: 가부시키가이샤 아루박
Priority date: 2012-01-23
Filing date: 2012-10-30
Publication date: 2014-10-06
Also published as: WO2013111218A1; TW201332176A; TWI635635B; JPWO2013111218A1; CN104067692A

Abstract

산소, 수분 등으로부터 소자를 보호하고, 소자의 열화 등을 억제하는 것이 가능한 소자 구조체 및 소자 구조체의 제조 방법을 제공한다.
소자 구조체(1)는, 기판(2), 디바이스층(3), 제1보호층(4), 제2보호층(5), 및 봉지층(6)을 구비한다. 디바이스층(3)은, 기판(2) 상의 제1영역(11)에 형성된다. 제1보호층(4)은, 디바이스층(3)의 주위에 형성되는 제1주연부(4A)를 가지고, 디바이스층(3)을 피복하고 제1영역(11)을 포함하는 기판(2) 상의 제2영역(12)에 형성되고, 무기물로 이루어진다. 제2보호층(5)은, 제2영역(12)에 대응하는 제1보호층(4) 상의 제3영역(13)에 형성되고, 유기물로 이루어진다. 봉지층(6)은, 제1주연부(4A)와 제2보호층(5)의 주위에 형성되는 제2주연부(6A)를 가지고, 제2보호층(5)을 피복하여 제2영역(12)을 포함하는 기판(2) 상의 제4영역(14)에 형성되고, 무기물로 이루어진다.Provided are a device structure and a method of manufacturing the device structure that can protect the device from oxygen, moisture, and the like, and can suppress deterioration of the device and the like.
The device structure 1 includes a substrate 2, a device layer 3, a first protective layer 4, a second protective layer 5, and a sealing layer 6. The device layer 3 is formed in the first region 11 on the substrate 2. The first protective layer 4 has a first peripheral region 4A formed around the device layer 3 and is formed on the substrate 2 covering the device layer 3 and including the first region 11, Is formed in the second region 12, and is made of an inorganic material. The second protective layer 5 is formed in the third region 13 on the first protective layer 4 corresponding to the second region 12 and is made of an organic material. The sealing layer 6 has a second periphery 6A formed around the first periphery 4A and the second protection layer 5 and covers the second protection layer 5 to form the second region 12 ), And is made of an inorganic material.

Description

ELEMENT STRUCTURE AND ELEMENT STRUCTURE MANUFACTURING METHOD BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은, 산소, 수분 등으로부터 디바이스 등을 보호하는 적층 구조를 가지는 소자 구조체 및 소자 구조체의 제조 방법에 관한 것이다.
The present invention relates to a device structure having a laminated structure for protecting a device or the like from oxygen, moisture, etc., and a method of manufacturing the device structure.

수분 혹은 산소 등에 의해 열화하기 쉬운 성질을 가지는 화합물을 포함한 소자로서, 예를 들면, 최근 개발이 왕성한 유기 EL(Electro Luminescence) 소자 등이 알려져 있다. 이러한 소자에 대해서는, 해당 화합물을 포함하는 층을 피복하는 보호층과 적층 구조를 형성하고, 이와 같이 함으로써 소자 내에 수분 등의 침입을 억제하는 것이 시도되고 있다.
As an element including a compound having a property of being liable to be deteriorated by moisture or oxygen, for example, an organic EL (Electro Luminescence) element which has been recently developed is known. With respect to such a device, it has been attempted to form a laminated structure with a protective layer covering the layer containing the compound, and by doing so, suppressing intrusion of moisture or the like in the device.

상기 적층 구조를 가지는 소자 구조체의 제조 방법으로서 각 층의 형성 영역에 대응한 복수의 개구를 가지는 마스크를 이용해서 보호층을 형성하는 방법이 알려져 있다. 예를 들면, 특허 문헌 1에는, 열변형 등에 의한 뒤틀림의 영향을 받기 어렵고, 넓은 개구 면적을 가지는 마스크 장치에 대해서 개시되고 있다. 상기 마스크 장치는, 일단이 틀에 고정되고, 거기로부터 한 방향으로만 연장하는 테이프 상태의 쉐도우 마스크를 가진다.As a method of manufacturing an element structure having the above-described laminated structure, a method of forming a protective layer using a mask having a plurality of openings corresponding to the formation regions of the respective layers is known. For example, Patent Document 1 discloses a mask apparatus which is hardly affected by distortion due to thermal deformation and has a wide opening area. The mask device has a shadow mask in a tape state, one end of which is fixed to the frame and extends in only one direction from the frame.

[선행 기술 문헌][Prior Art Literature]

[특허 문헌][Patent Literature]

[특허 문헌 1] 특개 2010－168654호 공보
[Patent Document 1] JP-A-2010-168654

그러나, 상기 마스크 장치를 이용해서 소자 구조체의 제조를 실시했을 때는, 각 층의 주연(周緣)이 피복되지 않기 때문에, 각 층의 주위로부터의 수분 등의 침입을 억제하는 것이 어렵다는 문제가 있었다.
However, when the device structure is manufactured by using the above-described mask device, since the periphery of each layer is not covered, there is a problem that it is difficult to suppress intrusion of moisture and the like from the periphery of each layer.

이상과 같은 사정을 감안해서, 본 발명의 목적은, 산소, 수분 등으로부터 소자를 보호하고, 소자의 열화 등을 억제하는 것이 가능한 소자 구조체 및 소자 구조체의 제조 방법을 제공하는 것에 있다.
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above circumstances, an object of the present invention is to provide an element structure that can protect an element from oxygen, water, and the like, and suppress deterioration of the element, and a method of manufacturing the element structure.

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 일 형태에 따른 소자 구조체는, 기판, 디바이스층, 제1보호층, 제2보호층, 및 봉지층을 구비한다.In order to achieve the above object, an element structure according to an aspect of the present invention includes a substrate, a device layer, a first protective layer, a second protective layer, and a sealing layer.

상기 디바이스층은, 상기 기판 상의 제1영역에 형성된다.The device layer is formed in a first region on the substrate.

상기 제1보호층은, 상기 디바이스층의 주위에 형성되는 제1주연부를 가지고, 상기 디바이스층을 피복하여 상기 제1영역을 포함하는 상기 기판 상의 제2영역에 형성되고, 무기물로 이루어진다.The first protective layer has a first peripheral portion formed around the device layer and is formed of a second material on the substrate including the first region covering the device layer and made of an inorganic material.

상기 제2보호층은, 상기 제2영역에 대응하는 상기 제1보호층 상의 제3영역에 형성되고, 유기물로 이루어진다.The second protective layer is formed in a third region on the first protective layer corresponding to the second region, and is made of an organic material.

상기 봉지층은, 상기 제1주연부, 및 상기 제2보호층의 주위에 형성되는 제2주연부를 가지고, 상기 제2보호층을 피복하여 상기 제2영역을 포함하는 상기 기판 상의 제4영역에 형성되고, 무기물로 이루어진다.
Wherein the sealing layer has a first periphery and a second periphery formed around the second passivation layer and covering the second passivation layer to form a fourth region on the substrate including the second region, And is made of inorganic matter.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법은, 기판 상의 제1영역에 디바이스층을 형성하는 공정을 포함한다.In order to achieve the above object, a method of manufacturing an element structure according to an aspect of the present invention includes a step of forming a device layer in a first region on a substrate.

상기 디바이스층을 피복하도록, 상기 제1영역을 포함하는 상기 기판 상의 제2영역에 제1보호층이 형성된다.A first protective layer is formed in a second region on the substrate including the first region so as to cover the device layer.

상기 제2영역에 대응하는 상기 제1보호층 상의 제3영역에 제2보호층이 형성된다.And a second protective layer is formed in a third region on the first protective layer corresponding to the second region.

상기 제1보호층과 상기 제2보호층을 피복하도록, 상기 제2영역을 포함하는 상기 기판 상의 제4영역에 봉지층이 형성된다.
An encapsulation layer is formed on the fourth region on the substrate including the second region so as to cover the first protection layer and the second protection layer.

도 1은 본 발명의 제1실시 형태에 따른 소자 구조체를 나타내는 모식도이며, (A)는 개략 단면도, (B)는 개략 평면도이다.
도 2는 본 발명의 제1실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법을 나타내는 개략 평면도이며, (A)는, 기판 상에 디바이스층이 형성된 형태를 나타내고, (B)는, 제1마스크가 기판 상에 배치된 형태를 나타낸다.
도 3은 본 발명의 제1실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법을 나타내는 개략 평면도이며, (A)는, 제2마스크가 기판 상에 배치된 형태를 나타내고, (C)는, 제3마스크가 기판 상에 배치된 형태를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 제1실시 형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법에 이용하는 성막 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 개략적인 평면도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시 형태에 따른 소자 구조체를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3실시 형태에 따른 소자 구조체를 나타내는 개략 단면도이다.Fig. 1 is a schematic diagram showing a device structure according to a first embodiment of the present invention, wherein (A) is a schematic cross-sectional view and Fig. 2 (B) is a schematic planar view.
FIG. 2 is a schematic plan view showing a method of manufacturing an element structure according to a first embodiment of the present invention, wherein (A) shows a form in which a device layer is formed on a substrate, (B) As shown in FIG.
FIG. 3 is a schematic plan view showing a method of manufacturing an element structure according to a first embodiment of the present invention, wherein (A) shows a configuration in which a second mask is arranged on a substrate, (C) And is arranged on a substrate.
Fig. 4 is a schematic plan view schematically showing a configuration example of a film forming apparatus used in a method of manufacturing an element structure according to the first embodiment of the present invention. Fig.
5 is a schematic cross-sectional view showing an element structure according to a second embodiment of the present invention.
6 is a schematic cross-sectional view showing a device structure according to a third embodiment of the present invention.

상기 소자 구조체는, 제1보호층의 제1주연부 및 봉지층의 제2주연부에 의해서, 디바이스층의 주위가 피복된다. 이와 같이 함으로써, 디바이스층의 주위로부터의 수분, 산소층의 침입을 효과적으로 억제할 수 있다. 또, 제1보호층 및 봉지층은 무기물로 이루어지고, 제2보호층은 유기물로 이루어진다. 이러한 무기물 및 유기물로 이루어지는 보호층을 교대로 적층시킴으로써, 적층 방향으로부터의 수분 등의 침입도 억제할 수 있다.
The device structure is covered with the periphery of the device layer by the first periphery of the first protective layer and the second periphery of the encapsulation layer. By doing so, intrusion of moisture and oxygen from the periphery of the device layer can be effectively suppressed. The first protective layer and the sealing layer are made of an inorganic material, and the second protective layer is made of an organic material. By alternately laminating protective layers made of such inorganic substances and organic substances, invasion of moisture and the like from the lamination direction can be suppressed.

게다가, 상기 제2주연부에 의해서, 제1보호층의 제1주연부와 제2보호층의 주위가 피복됨으로써, 이러한 층간부터의 수분 등의 침입도 억제하는 것이 가능해진다. 따라서, 상기 소자 구조체는, 디바이스층에 수분 등의 침입에 대해서도 매우 높은 억제효과를 발휘하고, 디바이스층의 열화, 불편 등을 억제할 수 있다.
In addition, the periphery of the first periphery of the first protective layer and the periphery of the second protective layer are covered by the second periphery, so that invasion of moisture or the like from such a layer can be suppressed. Therefore, the device structure exhibits a very high suppressing effect against intrusion of moisture or the like into the device layer, and deterioration, inconvenience, etc. of the device layer can be suppressed.

상기 제1보호층과 봉지층은, 실리콘 화합물로 이루어지고, 보다 구체적으로는, 실리콘 질화물, 실리콘 산질화물 및 실리콘 산화물 중 어느 하나를 포함해도 좋다. 또 스퍼터링법으로 형성된 산화알루미늄(Al₂O₃)을 이용해도 좋다.The first protective layer and the sealing layer are made of a silicon compound, and more specifically may include any one of silicon nitride, silicon oxynitride and silicon oxide. Aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) formed by a sputtering method may also be used.

이러한 재료로 이루어지는 제1보호층과 봉지층은, 투습성이 매우 낮기 때문에, 보다 효과적으로 디바이스층을 수분으로부터 보호하고, 열화를 억제할 수 있다.
Since the first protective layer and the sealing layer made of such a material have very low moisture permeability, the device layer can be more effectively protected from moisture and deterioration can be suppressed.

상기 제2보호층은, 아크릴수지로 이루어지고, 예를 들면, 자외선 경화성을 가져도 좋다. 또, 폴리우레아수지를 이용해도 좋다.The second protective layer is made of an acrylic resin and may have ultraviolet curing properties, for example. A polyurea resin may also be used.

이러한 재료로 이루어지는 제2보호층은, 무기물로 이루어지는 제1보호층과 봉지층의 사이에 형성됨으로써, 투습성이 매우 낮은 적층 구조를 구성하고, 보다 효과적으로 디바이스층을 수분 등으로부터 보호할 수 있다.
The second protective layer made of such a material is formed between the first protective layer made of an inorganic material and the sealing layer, so that a laminated structure having a very low moisture permeability can be formed and the device layer can be more effectively protected from moisture and the like.

상기 소자 구조체는, 상기 제3영역에 대응하는 상기 제2보호층 상의 제5영역과 상기 봉지층의 사이에 형성되고, 상기 제2주연부에 의해서 주위가 피복되는, 무기물로 이루어지는 제3보호층, 및 상기 제5영역에 대응하는 상기 제3보호층 상의 제6영역과 상기 봉지층의 사이에 형성되고, 상기 제2주연부에 의해서 주위가 피복되는, 유기물로 이루어지는 제4보호층을 한층 더 구비해도 좋다.
A third protective layer made of an inorganic material, the third protective layer being formed between a fifth region on the second protective layer and the sealing layer corresponding to the third region and covered with the second peripheral portion, And a fourth protective layer formed of an organic material formed between the sixth region on the third protective layer corresponding to the fifth region and the sealing layer and covered with the second peripheral portion good.

이와 같이 함으로써, 적층 방향의 수분 등의 침입을 한층 더 억제하는 것이 가능해진다. 또, 봉지층이 상기 제3보호층과 상기 제4보호층의 주위에도 형성되기 때문에, 이러한 층의 주위로부터의 수분 등의 침입도 억제하는 것이 가능해진다.
By doing so, it is possible to further suppress intrusion of moisture and the like in the stacking direction. In addition, since the sealing layer is also formed around the third protective layer and the fourth protective layer, it is possible to suppress the invasion of moisture and the like from the periphery of such a layer.

본 발명의 일 실시형태에 따른 소자 구조체의 제조 방법은, 기판 상의 제1영역에 디바이스층을 형성하는 공정을 포함한다.A method of manufacturing an element structure according to an embodiment of the present invention includes a step of forming a device layer in a first region on a substrate.

또 예를 들면, 상기 소자 구조체의 제조 방법에 있어서, 상기 제1보호층의 형성 공정에서는, 상기 제2영역에 대응하는 제1개구를 가지는 제1마스크를 이용해서 상기 제1보호층을 형성하고, For example, in the above-described method for fabricating an element structure, in the step of forming the first protective layer, the first protective layer is formed using a first mask having a first opening corresponding to the second region ,

상기 제2보호층의 형성 공정에서는, 상기 제3영역에 대응하는 제2개구를 가지는 제2마스크를 이용해서 상기 제2보호층을 형성하고, In the step of forming the second protective layer, the second protective layer is formed using a second mask having a second opening corresponding to the third region,

상기 봉지층의 형성 공정에서는, 상기 제4영역에 대응하는 제3개구를 가지는 제3마스크를 이용해서 상기 봉지층을 형성해도 좋다.
In the step of forming the sealing layer, the sealing layer may be formed using a third mask having a third opening corresponding to the fourth region.

상기 방법에서는, 각 영역에 대응하는 복수의 개구를 가지는 마스크를 이용해서 각 층을 형성할 수 있다. 이와 같이 함으로써, 대형의 기판 상에 복수의 소자 구조체를 제작하고, 그것들을 개개의 소자마다 분리함으로써, 한 번에 다수의 소자 구조체를 제조하는 것이 가능해진다. 따라서, 생산성을 향상시키는 것이 가능해진다.
In this method, each layer can be formed using a mask having a plurality of openings corresponding to the respective regions. By doing so, it becomes possible to manufacture a plurality of element structures at one time by manufacturing a plurality of element structures on a large substrate and separating them into individual elements. Therefore, productivity can be improved.

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시 형태를 설명한다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

＜제1실시 형태＞&Lt; First Embodiment >

［소자 구조체의 구성］[Configuration of Element Structure]

도 1은, 본 발명의 제1실시 형태에 따른 소자 구조체를 나타내는 모식도이며, (A)는 개략 단면도, (B)는 개략 평면도이다. 소자 구조체(1)는, 기판(2), 디바이스층(3), 제1보호층(4), 제2보호층(5), 및 봉지층(6)을 가지고, 본 실시형태에 있어서, 이것들이 Z축 방향으로 적층된 구조를 가진다. 또한, 도면에 있어서 X축 방향 및 Y축 방향은 수평방향을 나타낸다. Z축 방향은 X축 방향과 Y축 방향에 직교하는 방향을 나타내고, 본 실시형태에 있어서 연직 방향을 나타낸다.
FIG. 1 is a schematic view showing an element structure according to a first embodiment of the present invention, wherein (A) is a schematic cross-sectional view and (B) is a schematic planar view. The device structure 1 has a substrate 2, a device layer 3, a first protective layer 4, a second protective layer 5 and an encapsulating layer 6. In this embodiment, Are stacked in the Z-axis direction. In the drawing, the X-axis direction and the Y-axis direction indicate horizontal directions. The Z-axis direction indicates a direction orthogonal to the X-axis direction and the Y-axis direction, and indicates the vertical direction in the present embodiment.

기판(2)은, 예를 들면 글래스 기판, 플라스틱 기판 등으로 구성된다. 또, 기판(2)의 형상은 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에서는, Z축 방향과 직교하는 XY평면을 포함하는 직사각형의 판상 구조를 가진다. 소자 구조체(1)에 있어서의 기판(2)의 크기, 두께 등은 특히 제한되지 않고, 예를 들면 세로 약 730 mm, 가로 약 920 mm, 두께 약 0.7 mm로 형성할 수 있다.
The substrate 2 is composed of, for example, a glass substrate, a plastic substrate, or the like. The shape of the substrate 2 is not particularly limited. In this embodiment, the substrate 2 has a rectangular plate-like structure including an XY plane orthogonal to the Z-axis direction. The size and thickness of the substrate 2 in the element structure 1 are not particularly limited and may be, for example, about 730 mm in length, about 920 mm in width, and about 0.7 mm in thickness.

디바이스층(3)은, 기판(2) 상의 제1영역(11)에 형성된다. 제1영역(11)의 크기, 형상 등은 특별히 한정되지 않고, 본 실시형태에 있어서, 직사각형의 영역을 구성한다. 또, 제1영역(11)은, 예를 들면, 도 1(A)과 같이, 기판(2)의 대략 평탄한 일 표면 상에 형성되는 것도 가능하고, 기판(2)의 일 표면 상에 형성된 요면(凹面)에 형성되는 것도 가능하다.
The device layer 3 is formed in the first region 11 on the substrate 2. The size, shape and the like of the first region 11 are not particularly limited, but form a rectangular region in the present embodiment. 1 (A), the first region 11 may be formed on a substantially flat surface of the substrate 2, and may be formed on one surface of the substrate 2, for example, (Concave surface).

디바이스층(3)은, 본 실시형태에 있어서 특별히 한정되지 않고, 수분, 산소 등에 의해 열화하기 쉬운 성질의 재료를 포함하는 유기 발광소자, 액정 소자, 발전 소자 등으로 구성되는 것이 가능하다. 또, 필요에 따라서, 이러한 소자와 구동 회로 등을 접속하기 위한 전극 등을 포함하고 있어도 좋다. 디바이스층은, 단일 소자로 구성되어도 좋고, 면내에 배열된 복수의 소자로 구성되어도 좋다.
The device layer 3 is not particularly limited in the present embodiment and can be composed of an organic light emitting element, a liquid crystal element, a power generation element, or the like, which includes a material which is easily deteriorated by moisture, oxygen, or the like. If necessary, an electrode or the like for connecting such a device with a driving circuit or the like may be included. The device layer may be composed of a single element or a plurality of elements arranged in a plane.

제1보호층(4)은, 디바이스층(3)을 피복하여 기판(2) 상의 제2영역(12)에 형성된다. 제2영역(12)의 크기, 형상 등은, 제1영역(11)을 포함하고 있으면 특별히 한정되지 않고, 본 실시형태에 있어서, 예를 들면 디바이스층(3)보다 종횡의 크기가 각각 약 3 mm정도 큰 직사각형의 평면 영역을 구성한다. 즉, 제2영역(12)은, 기판(2) 상에 있어서, 제1영역(11) 이상의 면적을 가지는 영역을 구성한다. 또, 제1보호층(4)의 두께는 특별히 한정되지 않고, 디바이스층(3) 상의 두께를 약 300 nm 내지 약 1㎛로 할 수 있다.
The first protective layer 4 is formed in the second region 12 on the substrate 2 by covering the device layer 3. The size and shape of the second region 12 are not particularly limited as long as they include the first region 11. In this embodiment, for example, the size of the device region 3 is about 3 0.0 > mm. < / RTI > That is, the second region 12 constitutes an area having an area larger than the first region 11 on the substrate 2. In addition, the thickness of the first protective layer 4 is not particularly limited, and the thickness of the device layer 3 can be about 300 nm to about 1 탆.

제1보호층(4)은, 디바이스층(3)의 주위에 형성되는 제1주연부(4A)를 가진다. 제1주연부(4A)는, 본 실시형태에 있어서, 상면(Z축 방향)으로부터 본 경우, 디바이스층(3)을 둘러싸는 직사각형 환상에 형성된다. 또한, 제1주연부(4A)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태에 있어서, 제1주연부(4A)의 디바이스층(3)의 주위면으로부터의 폭은, Z축 방향에 따라 대략 동일하게 형성되어 있지만(도 1(A) 참조), 제2보호층(5) 측이 기판(2) 측보다 크게 형성되어도 좋고, 작게 형성되어도 좋다.
The first protective layer 4 has a first peripheral edge 4A formed around the device layer 3. In the present embodiment, the first periphery 4A is formed on a rectangular ring surrounding the device layer 3 when viewed from the top (Z-axis direction). The shape of the first peripheral edge 4A is not particularly limited. For example, in the present embodiment, the width of the first peripheral portion 4A from the peripheral surface of the device layer 3 is substantially the same in the Z-axis direction (see Fig. 1 (A)), The second protective layer 5 side may be formed larger than the substrate 2 side, or may be formed smaller.

또, 제1보호층(4)은, 본 실시형태에 있어서 무기물로 형성되고, 보다 구체적으로는 실리콘 질화물인 질화 규소(SiN_X)로 형성된다. 질화 규소는, 수분 등을 투과시키기 어려운 특성을 가진다. 또한, 제1보호층(4)의 재료는 질화 규소에 한정되지 않고, 다른 실리콘 질화물이나, 실리콘 산질화물, 실리콘 산화물 등의 실리콘 화합물 등을 채용할 수 있다. 또 스퍼터링법으로 형성된 산화알루미늄(Al₂O₃)을 이용해도 좋다.
In addition, the first protective layer 4 is formed of an inorganic material in this embodiment mode, and more specifically, silicon nitride (SiN _x ), which is silicon nitride. Silicon nitride has characteristics that make it difficult to permeate water or the like. In addition, the material of the first protective layer 4 is not limited to silicon nitride, and other silicon nitride, silicon compounds such as silicon oxynitride, silicon oxide, and the like can be employed. Aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) formed by a sputtering method may also be used.

제2보호층(5)은, 제2영역(12)에 대응하는 제1보호층(4) 상의 제3영역(13)에 형성되고, 제1보호층(4)의 상면을 피복하도록 형성된다. 제2보호층(5)의 두께는 특히 제한되지 않고, 예를 들면, 약 200 nm 내지 약 1㎛로 할 수 있다.
The second protective layer 5 is formed in the third region 13 on the first protective layer 4 corresponding to the second region 12 and is formed to cover the top surface of the first protective layer 4 . The thickness of the second protective layer 5 is not particularly limited, and may be, for example, about 200 nm to about 1 탆.

여기서, "제2영역(12)에 대응하는 제3영역(13)"이란, 이하의 의미로 이용된다. 즉, 후술한 바와 같이, 제2영역(12) 및 제3영역(13)은, 제조시에 기판(2) 상에 배치되는 마스크의 개구로부터 노출하는 평면 영역이며, 해당 마스크 및 그 개구는 대략 동일한 형상 및 면적을 가지는 것으로 여겨진다. 이것으로부터, 제2영역(12) 및 제3영역(13)은, 대략 동일한 배치, 형상 및 면적을 가지는 평면 영역으로 할 수 있고, 기판(2) 상에 제3영역(13)을 투영한 경우, 제3영역(13)은, 제2영역(12)과 대략 일치하도록 구성된다.
Here, the "third region 13 corresponding to the second region 12" is used in the following meaning. That is, as described later, the second region 12 and the third region 13 are planar regions exposed from the openings of the mask disposed on the substrate 2 at the time of manufacturing, It is considered to have the same shape and area. Therefore, the second region 12 and the third region 13 can be planar regions having substantially the same arrangement, shape, and area, and when the third region 13 is projected onto the substrate 2 , And the third region 13 are configured to substantially coincide with the second region 12.

제2보호층(5)은, 본 실시형태에 있어서 유기물로 형성되고, 보다 구체적으로는, 예를 들면 자외선 경화성을 가지는 아크릴수지로 형성될 수 있다. 아크릴수지는, 실리콘 화합물 등의 무기물과 적층시키는 경우, 보다 수분의 투과를 억제하는 효과를 발휘한다. 또한, 재료는 아크릴수지에 한정되지 않고, 폴리우레아수지 등을 채용하는 것도 가능하다.
The second protective layer 5 is formed of an organic material in the present embodiment, and more specifically, may be formed of, for example, an acrylic resin having ultraviolet curing properties. When an acrylic resin is laminated with an inorganic substance such as a silicon compound, the effect of suppressing the permeation of water is exerted. The material is not limited to acrylic resin, and polyurea resin or the like may be employed.

봉지층(6)은, 제2보호층(5)을 피복하여 기판(2) 상의 제4영역(14)에 형성된다. 제4영역(14)의 크기, 형상 등은, 제2영역(12)을 포함하고 있으면 특별히 한정되지 않지만, 본 실시형태에 있어서, 보호층(5)보다 종횡의 크기가 각각 약 3 mm정도 큰 직사각형의 평면 영역을 구성한다. 즉, 기판(2) 상에 있어서, 제4영역(14)은, 제2영역(11)보다 큰 영역을 구성한다. 또, 봉지층(6)의 제2보호층(5) 상의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 약 500 nm 내지 약 1㎛정도로 할 수 있다.
The sealing layer 6 is formed in the fourth region 14 on the substrate 2 by covering the second protective layer 5. The size and shape of the fourth region 14 are not particularly limited as long as they include the second region 12. In this embodiment, the size of the fourth region 14 is larger than that of the protective layer 5 by about 3 mm And forms a rectangular planar area. That is, on the substrate 2, the fourth region 14 constitutes a region larger than the second region 11. The thickness of the sealing layer 6 on the second protective layer 5 is not particularly limited and may be, for example, about 500 nm to about 1 탆.

봉지층(6)은, 제1보호층(4)의 제1주연부(4A) 및 제2보호층(5)의 주위에 형성되는 제2주연부(6A)를 가진다. 제2주연부(6A)는, 본 실시형태에 있어서, Z축 방향으로부터 본 경우, 제1보호층(4)과 제2보호층(5)을 둘러싸는 직사각형 환상(環狀)으로 형성된다. 또한, 제2주연부(6A)의 형상은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들면, 본 실시형태에 있어서, 제2주연부(6A)의 제2보호층(5)의 주위면으로부터의 폭은, Z축 방향에 따라 대략 동일하게 형성되지만, 봉지층(6)의 상면 측이 기판(2) 측보다 크게 형성되어도 좋고, 작게 형성되어도 좋다.
The sealing layer 6 has a second peripheral edge 6A formed around the first peripheral edge 4A of the first protective layer 4 and the second protective layer 5. The second peripheral portion 6A is formed in a rectangular annular shape surrounding the first and second protective layers 4 and 5 when viewed from the Z axis direction in the present embodiment. The shape of the second peripheral portion 6A is not particularly limited. For example, in the present embodiment, the width of the second peripheral edge 6A from the peripheral surface of the second protective layer 5 is substantially the same along the Z-axis direction, May be formed larger than the substrate 2 side, or may be formed smaller.

봉지층(6)은, 본 실시형태에 있어서, 실리콘 산질화물인 산질화 규소(SiO_XN_Y)로 형성된다. 산질화 규소는, 수분 등을 투과시키기 어려운 특성을 가진다. 또한, 봉지층(6)의 재료는 산질화 규소로 한정되지 않고, 예를 들면 다른 실리콘 산질화물이나, 질화 규소(SiN_X) 등의 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등의 실리콘 화합물 등을 채용할 수 있다. 또 스퍼터링법으로 형성된 산화알루미늄(Al₂O₃)을 이용해도 좋다.
The sealing layer 6 is formed of silicon oxynitride (SiO _x N _y ) in this embodiment. The silicon oxynitride has a property that makes it difficult to transmit moisture and the like. Further, the material of the sealing layer 6 is not limited to silicon oxynitride. For example, other silicon oxynitride, silicon nitride such as silicon nitride (SiN _x ), silicon compound such as silicon oxide, . Aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) formed by a sputtering method may also be used.

다음에, 소자 구조체(1)의 제조 방법에 대해 설명한다.
Next, a method of manufacturing the element structure 1 will be described.

［소자 구조체의 제조 방법］[Method of manufacturing device structure]

도 2, 도 3은, 본 실시형태에 따른 소자 구조체(1)의 제조 방법을 나타내는 개략 평면도이다. 도 4는, 본 실시형태에 따른 소자 구조체(1)의 제조 방법에 이용하는 성막 장치의 구성예를 모식적으로 나타내는 개략 상면도이다. 본 실시형태에 따른 소자 구조체(1)의 제조 방법은, 디바이스층의 형성 공정, 제1보호층의 형성 공정, 제2보호층의 형성 공정, 봉지층의 형성 공정, 및 분리 공정을 가진다.
Figs. 2 and 3 are schematic plan views showing a method of manufacturing the element structure 1 according to the present embodiment. Fig. 4 is a schematic top view schematically showing a configuration example of a film forming apparatus used in the method for manufacturing the element structure 1 according to the present embodiment. The method for manufacturing the element structure 1 according to the present embodiment has a device layer forming step, a first protective layer forming step, a second protective layer forming step, a sealing layer forming step, and a separating step.

본 실시형태에 있어서, 제1보호층의 형성 공정 이후의 공정에는, 예를 들면, 도 4에 나타낸 클래스터형 성막 장치(91, 92, 93)가 이용된다. 성막 장치(91, 92, 93)는, 전체적으로 성막 처리 시스템(90)을 구성하고, 성막 장치(91, 92)는 연결실(94)에 의해서 연결되고, 성막 장치(92, 93)는 연결실(95)에 의해서 연결된다. 성막 처리 시스템(90)의 장치 구성예에 대해서, 이하에 간략하게 설명한다.
In the present embodiment, for example, the clathrate film forming apparatuses 91, 92, and 93 shown in Fig. 4 are used in the steps after the first protective layer forming step. The film forming devices 91 and 92 constitute a film forming system 90 as a whole and the film forming devices 91 and 92 are connected by a connecting chamber 94, (95). An example of the apparatus configuration of the film formation processing system 90 will be briefly described below.

성막 장치(91)에서는, 예를 들면, 제1보호층의 형성 공정이 실시된다. 성막 장치(91)는, 코어실(910), 코어실(910)에 각각 연결된 4개의 성막실(911, 912, 913, 914), 및 기판 삽입실(915)을 가진다. 기판 삽입실(915)은, 다른 장치 등부터 성막 장치(91) 내에 기판이 삽입된다. 코어실(910)에는, 예를 들면, 도시하지 않는 기판 반송 로봇이 배치된다. 이와 같이 함으로써, 각 성막실(911~914)과 기판 삽입실(915)의 사이에서 기판의 반송이 가능하게 되는 것과 더불어, 연결실(94)을 통해 성막 장치(92) 측으로 기판을 반송하는 것이 가능하다. 코어실(910), 각 성막실(911~914), 기판 삽입실(915)는, 각각 도시하지 않는 진공 배기 시스템이 접속된 진공 챔버를 구성한다.
In the film forming apparatus 91, for example, a step of forming the first protective layer is performed. The film forming apparatus 91 has four film forming chambers 911, 912, 913, and 914 connected to the core chamber 910 and the core chamber 910, respectively, and a substrate inserting chamber 915. In the substrate inserting chamber 915, the substrate is inserted into the film forming apparatus 91 from another apparatus or the like. In the core chamber 910, for example, a substrate transport robot (not shown) is disposed. By doing so, it is possible to transport the substrate between the deposition chambers 911 to 914 and the substrate inserting chamber 915, and to transport the substrate to the deposition apparatus 92 through the coupling chamber 94 It is possible. The core chamber 910, each of the film deposition chambers 911 to 914, and the substrate insertion chamber 915 constitute a vacuum chamber to which a vacuum exhaust system (not shown) is connected.

연결실(94)은, 코어실(910) 및 코어실(920)을 접속하고, 연결실(95)은, 코어실(920) 및 코어실(930)을 접속하도록 구성된다. 또, 연결실(94, 95) 내부에는, 도시하지 않는 기판 반송 로봇 등을 각각 배치할 수 있고, 각 장치 사이에 있어서의 기판의 반송이 가능하도록 구성된다. 또한 회전 가능한 금속 롤을 복수 이용해서 기판을 반송해도 좋고, 벨트 컨베이어를 이용해서 기판을 반송해도 좋다.
The coupling chamber 94 connects the core chamber 910 and the core chamber 920 and the coupling chamber 95 is configured to connect the core chamber 920 and the core chamber 930. Further, a substrate transfer robot or the like (not shown) can be disposed inside the coupling chambers 94 and 95, respectively, and the substrate can be transferred between the devices. The substrate may be transported using a plurality of rotatable metal rolls, or the substrate may be transported using a belt conveyor.

성막 장치(92)에서는, 예를 들면, 제2보호층의 형성 공정이 실시된다. 성막 장치(92)는, 성막 장치(91)와 유사한 구성을 가질 수 있다. 즉, 성막 장치(92)는, 코어실(920), 및 코어실(920)에 각각 연결되는 성막실(921, 922, 923, 924)를 가진다. 연결실(94)을 통해 성막 장치(92)로 반송된 기판은, 코어실(920)을 통해, 각 성막실(921~924)로 반송된다.
In the film forming apparatus 92, for example, a step of forming a second protective layer is performed. The film forming apparatus 92 may have a structure similar to that of the film forming apparatus 91. That is, the film forming apparatus 92 has film forming chambers 921, 922, 923, and 924 connected to the core chamber 920 and the core chamber 920, respectively. The substrate transported to the film formation apparatus 92 through the connection chamber 94 is transported to the respective film formation chambers 921 to 924 through the core chamber 920.

성막 장치(93)에서는, 예를 들면, 봉지층의 형성 공정이 실시된다. 또, 성막 장치(93)도, 성막 장치(91, 92)와 유사한 구성을 가질 수 있다. 즉, 성막 장치(93)은, 코어실(930), 코어실(930)에 각각 연결되는 성막실 (931, 932, 933, 934), 및 기판 취출실(935)을 가진다. 연결실(95)로부터 성막 장치(93)으로 반송된 기판은, 코어실(930)을 통해, 각 성막실(931~934)로 반송된다. 소정의 성막 처리가 종료한 기판은, 코어실(930)을 통해, 기판 취출실(935)로부터, 성막 처리 시스템(90) 외부로 반출된다.
In the film forming apparatus 93, for example, a step of forming an encapsulating layer is performed. The film forming apparatus 93 may also have a configuration similar to that of the film forming apparatus 91, 92. That is, the film forming apparatus 93 has film forming chambers 931, 932, 933, and 934 connected to the core chamber 930 and the core chamber 930, respectively, and a substrate takeout chamber 935. The substrate transported from the connection chamber 95 to the film formation apparatus 93 is transported to the respective film formation chambers 931 to 934 through the core chamber 930. The substrate having undergone the predetermined film forming process is carried out from the substrate take-out chamber 935 to the outside of the film formation processing system 90 through the core chamber 930.

예를 들면, 상기 구성의 성막 처리 시스템(90)을 이용해서 소자 구조체(1)의 제조를 실시함으로써, 각 제조 공정을 자동화할 수 있는 것과 더불어, 동시에 복수의 성막실을 이용해서 효율적으로 제조를 실시할 수 있고, 생산성을 높이는 것이 가능해진다.
For example, by performing the production of the element structure 1 using the film formation processing system 90 having the above-described structure, it is possible to automate the respective production steps, and at the same time, And it is possible to increase the productivity.

한편, 본 실시형태에 따른 소자 구조체(1)는, 기판 W상의 복수의 소자 영역에 형성된다. 복수의 소자 영역은, 기판 W의 Z축 방향과 직교하는 XY평면상에, X축 방향, Y축 방향으로, 예를 들면 각 2구역씩 배치된다. 후술한 바와 같이, 소자 구조체(1)는, 분리 공정에서, 스크라이브 라인 L에 따라 기판 W를 분리함으로써 제작된다. 분리된 기판 W는, 각각 소자 구조체(1)에 포함되는 기판(2)이 된다. 또한, 기판 W 상에 형성되는 소자 구조체(1)의 수는, 상기의 예로 한정되지 않는다.
On the other hand, the element structure 1 according to the present embodiment is formed in a plurality of element regions on the substrate W. The plurality of device regions are arranged in the X-axis direction and the Y-axis direction on the XY plane orthogonal to the Z-axis direction of the substrate W, for example, two zones. As described later, the element structure 1 is manufactured by separating the substrate W along the scribe line L in the separation step. The separated substrates W become the substrates 2 included in the element structure 1, respectively. The number of the element structures 1 formed on the substrate W is not limited to the above example.

이하, 각 공정에 대해 설명한다.
Each step will be described below.

(디바이스층의 형성 공정예)(Example of forming process of device layer)

우선, 기판 W상의 제1영역(11)에 디바이스층(3)을 형성한다. 도 2(A)는, 기판(2) 상의 제1영역(11)에 디바이스층(3)이 형성된 형태를 나타내고 있다. 본 실시형태에 있어서, 제1영역(11)은, 기판 W 상에 예를 들면 합계 4개소 배치되고, X축 방향 및 Y축 방향으로 각각 2개소씩, 소정 간격으로 배열된다.
First, the device layer 3 is formed in the first region 11 on the substrate W. 2 (A) shows a mode in which the device layer 3 is formed on the first region 11 on the substrate 2. In the present embodiment, the first regions 11 are arranged on the substrate W at a total of four locations, for example, at two positions in the X-axis direction and the Y-axis direction at predetermined intervals.

디바이스층(3)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않고, 디바이스층(3)의 재료, 구성 등에 의해서 적당히 선택하는 것이 가능하다. 예를 들면, 기판 W를 도시하지 않는 성막 장치의 성막실 등으로 반송하고, 기판 W 상에 소정의 재료의 증착, 스퍼터링 등을 실시하고, 또한 패턴 가공 등을 함으로써, 제1영역(11) 상에 소망의 디바이스층(3)을 형성할 수 있다. 패턴 가공 방법은 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 에칭 등을 채용하는 것이 가능하다.
The method of forming the device layer 3 is not particularly limited and can be suitably selected depending on the material and configuration of the device layer 3. [ For example, the substrate W is transported to a film deposition chamber of a film deposition apparatus (not shown), and a predetermined material is deposited on the substrate W, sputtering, etc., The desired device layer 3 can be formed. The pattern processing method is not particularly limited, and etching and the like can be adopted, for example.

또, 본 공정에서 이용하는 성막 장치와 이하의 공정에서 이용하는 성막 장치(91)의 기판 삽입실(915)을 연결함으로써, 1개의 성막 처리 시스템이 구성되어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 형성된 디바이스층(3)과 대기의 접촉의 가능성을 저감시키는 것과 더불어, 생산성을 더 높이는 것이 가능해진다.
Note that one film-forming processing system may be constituted by connecting the film-forming apparatus used in this step and the substrate inserting chamber 915 of the film-forming apparatus 91 used in the following process. By doing so, it is possible to further increase the productivity, in addition to reducing the possibility of contact between the formed device layer 3 and the atmosphere.

(제1보호층의 형성 공정예)(Example of forming process of first protective layer)

다음에, 디바이스층(3)을 피복하도록, 제1영역(11)을 포함하는 기판 W상의 제2영역(12)에 제1보호층(4)을 형성한다. 본 공정에서는, 제2영역(12)에 대응하는 4개의 개구(121)(제1개구)을 가지는 마스크 M1(제1마스크)를 이용해서, 예를 들면 질화 규소로 이루어지는 제1보호층(4)을 형성한다.
The first protective layer 4 is formed in the second region 12 on the substrate W including the first region 11 so as to cover the device layer 3. Next, In this step, a mask M1 (first mask) having four openings 121 (first openings) corresponding to the second region 12 is used to form a first protective layer 4 (for example, ).

본 공정은, 예를 들면, 성막 장치(91)을 이용해서 실시된다. 이 경우, 성막 장치(91)의 각 성막실(911~914)는, 모두 동일한 구성을 가지는 CVD 장치로 할 수 있다. 또, 도시하지 않지만, 각 성막실(911~914)내에는, 기판 W를 배치하기 위한 스테이지, 기판 W 상에 배치되는 마스크 M1, 및 마스크 M1를 지지하고, 스테이지 상의 기판 W에 대해서 마스크 M1의 위치 맞춤 등을 실시하는 마스크 얼라이먼트 장치 등이 설치된다.
This process is carried out, for example, by using the film forming apparatus 91. In this case, the respective deposition chambers 911 to 914 of the film forming apparatus 91 can be all made of a CVD apparatus having the same configuration. Although not shown, each of the deposition chambers 911 to 914 supports a stage for disposing the substrate W, a mask M1 disposed on the substrate W, and a mask M1, And a mask alignment device for performing alignment and the like are provided.

우선, 디바이스층(3)이 형성된 기판 W는, 기판 삽입실(915)로부터 성막 장치(91) 내로 반입되고, 코어실(910)에 배치된 기판 반송 로봇 등에 의해서, 성막실(911~914) 중 일실로 반입된다. 스테이지 상에 배치된 기판 W 상에는, 마스크 얼라이먼트 장치 등에 의해서, 마스크 M1가 기판 W상의 소정 위치에 배치된다.
The substrate W on which the device layer 3 is formed is transported from the substrate inserting chamber 915 into the film forming apparatus 91 and transported to the deposition chambers 911 to 914 by the substrate transport robot or the like disposed in the core chamber 910. [ Are brought in. On the substrate W placed on the stage, the mask M1 is arranged at a predetermined position on the substrate W by a mask alignment apparatus or the like.

도 2(B)는, 마스크 M1가 기판 W 상에 배치된 형태를 나타낸다. 마스크 M1는, 개구(121)을 통해, 기판 W상의 제2영역(12) 및 제1영역(11)에 형성된 디바이스층(3)이 노출되도록 기판 W 상에 배치된다. 그리고, 예를 들면 CVD법에 의해서, 질화 규소 등으로 이루어지는 제1보호층(4)이, 디바이스층(3)을 피복하도록 제2영역(12) 상에 형성된다. 또한, 제1보호층(4)의 형성 방법은 CVD법으로 한정되지 않고, 예를 들면 스퍼터링법을 채용할 수도 있다. 이 경우에, 성막 장치(91)의 각 성막실(911~914)는, 각각 스퍼터링 장치로서 구성된다.
2 (B) shows a mode in which the mask M1 is arranged on the substrate W. In Fig. The mask M1 is disposed on the substrate W such that the second region 12 on the substrate W and the device layer 3 formed on the first region 11 are exposed through the opening 121. [ Then, a first protective layer 4 made of silicon nitride or the like is formed on the second region 12 so as to cover the device layer 3, for example, by the CVD method. The method of forming the first protective layer 4 is not limited to the CVD method, and for example, a sputtering method may be employed. In this case, each of the deposition chambers 911 to 914 of the deposition apparatus 91 is configured as a sputtering apparatus.

마스크 M1는, Z축 방향에 직교하는 XY평면을 가지는 판상 구조를 가지고, X축 방향 및 Y축 방향으로 소정의 간격으로 2 개씩 배열된 합계 4개의 개구(121)를 가진다. 또, 마스크 M1는, 본 실시형태에 있어서, 산화알루미늄(Al₂O₃), SUS, 인바(invar) 등의 열 인장이 적은 금속 등에 의해서 형성된다.
The mask M1 has a plate-like structure having an XY plane orthogonal to the Z-axis direction, and has four openings 121 in total arranged two at a predetermined interval in the X-axis direction and the Y-axis direction. In addition, the mask M1, in the present embodiment, is formed such as by aluminum oxide _{_{(Al 2 O 3), SUS}} , Invar (invar) heat seal the small metal such.

여기서, "제2영역(12)에 대응하는 개구(121)"란, 기판 W 상에 마스크 M1를 배치했을 때, 개구(121)로부터 노출된 기판 W 상의 평면 영역이, 각각 제2영역(12)을 구성하는 것을 의미한다. 또, 개구(121)는, 제1영역(11)의 면적보다 큰 직사각형 형상으로 형성된다. 이와 같이 함으로써, 기판 W 상에 마스크 M1를 배치했을 때, 개구(121)로부터 제1영역(11)의 전체가 노출되고, 제2영역(12)이 제1영역(11)을 포함하도록 형성되는 것이 가능해진다.
Here, the "opening 121 corresponding to the second region 12" means that the planar region on the substrate W exposed from the opening 121 when the mask M1 is arranged on the substrate W is the second region 12 ). The opening 121 is formed in a rectangular shape larger than the area of the first region 11. In this manner, when the mask M1 is arranged on the substrate W, the entire first region 11 is exposed from the opening 121, and the second region 12 is formed to include the first region 11 Lt; / RTI >

(제2보호층의 형성 공정예)(Example of forming process of second protective layer)

다음에, 제2영역(12)에 대응하는 제1보호층(4) 상의 제3영역(13)에 제2보호층(5)을 형성한다. 본 공정에서는, 제3영역(13)에 대응하는 개구(131)(제2개구)을 가지는 마스크 M2(제2마스크)를 이용하고, 예를 들면 자외선 경화형 아크릴수지로 이루어지는 제2보호층(5)을 형성한다.
Next, the second protective layer 5 is formed in the third region 13 on the first protective layer 4 corresponding to the second region 12. Then, In this step, a mask M2 (second mask) having an opening 131 (second opening) corresponding to the third region 13 is used, and a second protective layer 5 (for example, an ultraviolet curing type acrylic resin) ).

본 공정은, 예를 들면, 성막 장치(92)를 이용해서 실시된다. 성막 장치(92)의 각 성막실(921~924) 내에는, 기판 W를 배치하기 위한 스테이지, 기판 W 상에 배치되는 마스크 M2, 및 마스크 M2를 지지하고, 스테이지 상의 기판 W에 대해서 마스크 M2의 위치 맞춤 등을 실시하는 마스크 얼라이먼트 장치 등이 설치된다(미도시).
The present process is carried out, for example, by using the film forming apparatus 92. A stage for disposing the substrate W, a mask M2 arranged on the substrate W, and a mask M2 are supported in the respective film forming chambers 921 to 924 of the film forming apparatus 92, And a mask alignment device for performing alignment and the like are provided (not shown).

우선, 제1보호층(4)이 형성된 기판 W는, 연결실(94)로부터 성막 장치(92) 내에 반입되고, 코어실(920)에 배치된 기판 반송 로봇 등에 의해서, 성막실(921~924)의 일실에 반입된다. 스테이지 상에 배치된 기판 W 상에는, 마스크 M2가, 마스크 배치 장치 등에 의해서, 기판 W상의 소정 위치에 배치된다.
The substrate W on which the first protective layer 4 is formed is carried into the film forming apparatus 92 from the connecting chamber 94 and is transported to the film forming chambers 921 to 924 ). On the substrate W placed on the stage, the mask M2 is arranged at a predetermined position on the substrate W by a mask arranging device or the like.

성막 장치(92)의 각 성막실(921~924)는, 예를 들면, 아크릴수지의 도포 및 도포된 수지의 경화를 위한 자외선조사를 동일한 챔버 안에서 가능하게 하도록 구성되어도 좋다. 이와 같이 함으로써, 각 성막실(921~924)를, 모두 동일한 장치 구성으로 하는 것이 가능해져, 생산성을 향상시킬 수 있다. 또, 상기의 장치 구성에 한정되지 않고, 예를 들면, 성막실(921~923) 등을 스핀 코트, 분사 등에 의한 아크릴수지의 도포 등을 실시하는 장치를 이용해서, 성막 장치(924) 등을 UV 조사장치로서 구성하는 것도 가능하다.
The respective film forming chambers 921 to 924 of the film forming apparatus 92 may be configured to enable, for example, irradiation of ultraviolet rays for application of an acrylic resin and curing of a coated resin in the same chamber. By doing so, all of the deposition chambers 921 to 924 can have the same apparatus configuration, and productivity can be improved. For example, the film forming apparatuses 921 to 923 and the like may be replaced with a film forming apparatus 924 or the like by using an apparatus for applying an acrylic resin by spin coating, spraying, or the like. It may be configured as a UV irradiation device.

도 3(A)은, 마스크 M2가 기판 W 상에 배치된 형태를 나타낸다. 이와 같이 마스크 M2를 기판 W 상에 배치함으로써, 제3영역(13)에, 자외선 경화형 아크릴수지 등으로 이루어지는 제2보호층(5)이 형성된다. 제2보호층(5)의 형성 방법은 특히 한정되지 않는다. 예를 들면, 스핀 코트법이나 분사법 등으로 제1보호층(4) 상에 아크릴수지를 도포하고, 도포된 아크릴수지에의 자외선조사에 의해서 해당 수지를 경화시킴으로써, 제2보호층(5)이 형성된다.
3 (A) shows a mode in which the mask M2 is arranged on the substrate W. By disposing the mask M2 on the substrate W in this way, the second protective layer 5 made of an ultraviolet curing type acrylic resin or the like is formed in the third region 13. The method of forming the second protective layer 5 is not particularly limited. For example, an acrylic resin is coated on the first protective layer 4 by a spin coating method or a spraying method, and the resin is cured by irradiating ultraviolet rays to the applied acrylic resin, .

마스크 M2는, 본 실시형태에 있어서, 마스크 M1와 유사한 구성을 가진다. 즉, 마스크 M2는, Z축 방향에 직교하는 XY평면을 가지는 판상 구조를 가지고, X축 방향 및 Y축 방향에 마스크 M1의 개구(121)와 대략 동일한 간격으로 2 개씩 배열된 합계 4개의 개구(131)를 가진다. 또, 개구(131)는, 본 실시형태에 있어서, 마스크 M1의 개구(121)와 대략 동일한 형상, 면적을 가진다. 이와 같이 함으로써, 제2영역(12)에 대응하는 제1보호층(4) 상의 제3영역(13)에 제2보호층(5)을 형성하는 것이 가능해진다. 또, 마스크 M2는, 본 실시형태에 있어서, 산화알루미늄(Al₂O₃), SUS, 인바(invar) 등의 열 인장이 적은 금속 등에 의해서 형성된다.
The mask M2 has a configuration similar to that of the mask M1 in this embodiment. That is, the mask M2 has a plate-like structure having an XY plane orthogonal to the Z-axis direction, and has four openings (in total, two arrays) arranged at substantially the same intervals as the openings 121 of the mask M1 in the X- 131). The opening 131 has substantially the same shape and area as the opening 121 of the mask M1 in the present embodiment. This makes it possible to form the second protective layer 5 in the third region 13 on the first protective layer 4 corresponding to the second region 12. In addition, the mask M2 is, in this embodiment, is formed such as by aluminum oxide _{_{(Al 2 O 3), SUS}} , Invar (invar) heat seal the small metal such.

또, "제3영역(13)에 대응하는 개구(131)"란, 개구(121)와 같게, 기판 W 상에 마스크 M2를 배치했을 때, 개구(131)로부터 노출된 기판 W상의 영역이, 각각 제1보호층(4) 상의 제3영역(13)을 구성하는 것을 의미한다.
The "opening 131 corresponding to the third area 13" means that the area on the substrate W exposed from the opening 131 when the mask M2 is arranged on the substrate W, like the opening 121, (3) on the first protective layer (4).

(봉지층의 형성 공정예)(Example of forming a sealing layer)

다음에, 제1보호층(4) 및 제2보호층(5)을 피복하도록, 제2영역(12)을 포함하는 기판 W상의 제4영역(14)에 봉지층(6)을 형성한다. 본 공정에서는, 제4영역(14)에 대응하는 개구(141)(제3개구)을 가지는 마스크 M3(제3마스크)를 이용해서 봉지층(6)을 형성한다.
Next, the sealing layer 6 is formed in the fourth region 14 on the substrate W including the second region 12 so as to cover the first protective layer 4 and the second protective layer 5. In this step, the sealing layer 6 is formed using a mask M3 (third mask) having an opening 141 (third opening) corresponding to the fourth region 14.

본 공정은, 예를 들면, 성막 장치(93)을 이용해서 행해진다. 이 경우, 성막 장치(93)의 각 성막실(931~934)은, 모두 동일한 구성을 가지는 CVD 장치로 할 수 있다. 또, 도시는 하지 않지만, 각 성막실(931~934) 내에는, 기판 W를 배치하기 위한 스테이지, 기판 W 상에 배치되는 마스크 M3 및 마스크 M3를 지지하고, 스테이지 상의 기판 W에 대해서 마스크 M3의 위치 맞춤 등을 실시하는 마스크 얼라이먼트 장치 등이 설치된다.
The present process is performed, for example, by using the film forming apparatus 93. In this case, the respective deposition chambers 931 to 934 of the film formation apparatus 93 can be all made of a CVD apparatus having the same configuration. Although not shown, a stage for disposing the substrate W, a mask M3 and a mask M3 disposed on the substrate W are supported in the respective deposition chambers 931 to 934, and a mask M3 And a mask alignment device for performing alignment and the like are provided.

우선, 제2보호층(5)까지가 형성된 기판 W는, 연결실(95)로부터 성막 장치(93)내에 반입되고, 코어실(930)에 배치된 기판 반송 로봇 등에 의해서, 성막실(931~934)의 소정의 일실로 반입된다. 스테이지 상에 배치된 기판 W 상에는, 마스크 M3가, 마스크 배치 장치 등에 의해서, 기판 W 상의 소정 위치에 배치된다.
The substrate W on which the second protective layer 5 has been formed is carried into the deposition apparatus 93 from the connection chamber 95 and is transported to the deposition chambers 931 to 930 by the substrate transport robot or the like disposed in the core chamber 930. [ 934). On the substrate W arranged on the stage, a mask M3 is arranged at a predetermined position on the substrate W by a mask arranging device or the like.

도 3(B)은, 마스크 M3가 기판 W 상에 배치된 형태를 나타낸다. 이때, 개구(141)를 통해, 기판 W 상의 제4영역(14), 제2보호층(5), 및 제1보호층(4)이 노출되어 있다. 그리고, 예를 들면 CVD법에 의해서, 산질화 규소 등으로 이루어지는 봉지층(6)이, 제1보호층(4) 및 제2보호층(5)를 피복하도록 제4영역(14) 상에 형성된다. 또한, 봉지층(6)의 형성 방법은 CVD법으로 한정되지 않고, 예를 들면 스퍼터링법 등을 채용할 수도 있다. 이 경우에, 성막 장치(93)의 각 성막실(931~934)은, 각각 스퍼터링 장치로서 구성된다.
Fig. 3 (B) shows a mode in which the mask M3 is arranged on the substrate W. Fig. At this time, the fourth region 14, the second protective layer 5, and the first protective layer 4 on the substrate W are exposed through the opening 141. A sealing layer 6 made of silicon oxynitride or the like is formed on the fourth region 14 so as to cover the first protective layer 4 and the second protective layer 5 by CVD, do. The method of forming the sealing layer 6 is not limited to the CVD method, and for example, a sputtering method or the like may be employed. In this case, each of the deposition chambers 931 to 934 of the deposition apparatus 93 is configured as a sputtering apparatus.

마스크 M3는, 본 실시형태에 있어서, Z축 방향에 직교하는 XY평면을 가지는 판상 구조를 가지고, X축 방향 및 Y축 방향에 소정의 간격으로 2 개씩 배열된 개구(141)를 가지고 있다. 또, 마스크 M3는, 본 실시형태에 있어서, 산화알루미늄(Al₂O₃), SUS, 인바(invar) 등의 열 인장이 적은 금속 등에 의해서 형성된다.
In the present embodiment, the mask M3 has a plate-like structure having an XY plane orthogonal to the Z-axis direction and has openings 141 arranged at two predetermined intervals in the X-axis direction and the Y-axis direction. Further, a mask M3 is, in this embodiment, is formed such as by aluminum oxide _{_{(Al 2 O 3), SUS}} , Invar (invar) heat seal the small metal such.

여기서, "제4영역(14)에 대응하는 개구(141)"란, 기판 W 상에 마스크 M3를 배치했을 때, 개구(141)로부터 노출된 기판 W상의 영역이, 각각 제4영역(14)을 구성하는 것을 의미한다. 또, 개구(141)는, 제2영역(12)의 면적보다 큰 직사각형 형상으로 형성된다. 이와 같이 함으로써, 기판 W 상에 마스크 M3를 배치했을 때, 개구(141)로부터 제1영역(11)의 전체가 노출되고, 제4영역(14)이 제2영역(12)을 포함하도록 형성되는 것이 가능해진다.
The opening 141 corresponding to the fourth region 14 means a region on the substrate W exposed from the opening 141 when the mask M3 is arranged on the substrate W is divided into the fourth region 14, . &Lt; / RTI > The opening 141 is formed in a rectangular shape larger than the area of the second region 12. Thus, when the mask M3 is disposed on the substrate W, the entire first region 11 is exposed from the opening 141, and the fourth region 14 is formed to include the second region 12 Lt; / RTI >

마지막으로, 봉지층(6)까지 적층된 기판 W를, 복수의 소자 구조체(1)로 분리한다.
Finally, the substrate W stacked up to the sealing layer 6 is separated into a plurality of element structures 1.

(분리 공정예)(Example of separation process)

성막 장치(93)의 기판 취출실(935)로부터, 봉지층(6)까지 적층된 기판 W를 꺼내고, 스크라이브 라인 L에 따라 X축 방향 및 Y축 방향으로 소자 구조체(1)를 분리 한다. 분리 방법으로서는, 다이싱쏘(dicing saw), 레이저를 이용한 가공 기술, 드라이 에칭 등을 들 수 있지만, 이것으로 한정되지 않는다. 이 공정에 의해서, 기판 W는 분리되고, 기판(2)을 포함하는 소자 구조체(1)가 제조된다.
The substrate W stacked up from the substrate take-out chamber 935 of the film forming apparatus 93 to the sealing layer 6 is taken out and the element structure 1 is separated in the X-axis direction and the Y-axis direction along the scribe line L. Examples of the separation method include a dicing saw, a processing technique using a laser, dry etching, and the like, but the present invention is not limited thereto. By this process, the substrate W is separated, and the element structure 1 including the substrate 2 is manufactured.

이상과 같은 구성의 소자 구조체(1)는, 수분 등의 투과성이 낮은 질화 규소 등의 무기물로 이루어지는 제1보호층(4), 봉지층(6), 및 아크릴수지 등의 유기물로 이루어지는 제2보호층(5)이 교대로 적층된다. 이와 같이 함으로써, 적층 방향(Z축 방향)으로부터의 수분 등의 침입을 보다 효과적으로 억제하는 것이 가능해진다.
The element structure 1 having the above-described structure has the first protection layer 4 made of an inorganic material such as silicon nitride having low permeability such as moisture, the sealing layer 6 and the second protection made of an organic material such as acrylic resin The layers 5 are alternately laminated. By doing so, it becomes possible to more effectively suppress the intrusion of moisture and the like from the lamination direction (Z-axis direction).

또, 소자 구조체(1)는, 디바이스층(3)의 주위가, 모두 수분 등을 투과시키기 어려운 질화 규소 등으로 이루어지는 제1보호층(4)의 제1주연부(4A), 및 봉지층(6)의 제2주연부(6A)의 2층으로 피복되고 있다. 이와 같이 함으로써, Z축 방향뿐만 아니라, 디바이스층(3)의 주위로부터의 수분, 산소 등의 침입을 효율적으로 억제하는 것이 가능해진다.
The device structure 1 is formed such that the periphery of the device layer 3 is surrounded by the first peripheral portion 4A of the first protective layer 4 made of silicon nitride or the like which is hardly permeable to moisture or the like, And the second peripheral edge 6A of the second peripheral portion 6A. By doing so, it is possible to effectively suppress intrusion of moisture, oxygen, and the like from the periphery of the device layer 3 as well as the Z-axis direction.

게다가 소자 구조체(1)는, 제2주연부(6A)에 의해서, 제1보호층(4) 및 제2보호층(5)의 주위를 피복하도록 구성된다. 이와 같이 함으로써, 제1보호층(4) 및 제2보호층(5)의 층간 부분으로부터의 수분 등의 침입도 억제하는 것이 가능하게 된다. 따라서, 층간 부분의 주위로부터의 수분 등의 침입을 걱정하는 일 없이, 높은 수분 등 억제효과를 가지는 Z축 방향의 적층 구조를 가지는 소자 구조체(1)를 제작하는 것이 가능해진다.
In addition, the element structure 1 is configured to cover the periphery of the first protective layer 4 and the second protective layer 5 by the second peripheral edge 6A. This makes it possible to suppress the penetration of moisture and the like from the interlayer part of the first protective layer 4 and the second protective layer 5. Therefore, it is possible to manufacture the element structure 1 having the multilayer structure in the Z-axis direction, which has a high moisture suppressing effect, without worrying about intrusion of moisture or the like from around the interlayer part.

＜제2실시 형태＞&Lt; Second Embodiment >

도 5는, 본 발명의 제2실시 형태에 따른 소자 구조체(10)를 나타내는 개략 단면도이다. 소자 구조체(10)는, 제1실시 형태와 유사한 구성의 기판(20), 디바이스층(30), 제1보호층(40), 제2보호층(50), 및 봉지층(60)에 더해, 제3보호층(70) 및 제4보호층(80)을 가지고, 본 실시형태에 있어서, 이것들이 Z축 방향으로 적층된 구조를 가진다. 또한, 도면에 있어서 상술의 제1실시 형태와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.
5 is a schematic cross-sectional view showing the element structure 10 according to the second embodiment of the present invention. The device structure 10 includes a substrate 20, a device layer 30, a first protective layer 40, a second protective layer 50, and a sealing layer 60, which are similar to those of the first embodiment A third protective layer 70 and a fourth protective layer 80. In the present embodiment, these layers are stacked in the Z-axis direction. In the drawings, parts corresponding to those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

본 실시형태에 따른 소자 구조체(10)는, 제2보호층(50) 상에 제3보호층(70)이 형성되고, 제3보호층(70) 상에 제4보호층(80)이 형성된다. 게다가 기판(20) 상에 제2주연부(60A)를 가지는 봉지층(60)이 형성되고, 제1보호층(40), 제2보호층(50), 제3보호층(70), 및 제4보호층(80)의 주위는, 제2주연부(60A)에 의해서 피복된다. 즉, 제1실시 형태에 있어서는 디바이스층(30) 상에 봉지층(6)을 포함하는 합계 3층의 적층 구조가 형성되었지만, 본 실시형태에 있어서는 합계 5층의 적층 구조가 형성된다.
The device structure 10 according to the present embodiment is characterized in that the third protective layer 70 is formed on the second protective layer 50 and the fourth protective layer 80 is formed on the third protective layer 70 do. The sealing layer 60 having the second peripheral portion 60A is formed on the substrate 20 and the first protective layer 40, the second protective layer 50, the third protective layer 70, 4 The periphery of the protective layer 80 is covered with the second peripheral edge 60A. That is, in the first embodiment, a total of three laminated layers including the encapsulation layer 6 is formed on the device layer 30, but in this embodiment, a total of five laminated layers are formed.

제3보호층(70)은, 제3영역(130)에 대응하는 제2보호층(50) 상의 제5영역(150)과 봉지층(60)의 사이에 형성되고, 제3보호층(70)이 제2보호층(50)의 상면을 피복하도록 형성된다. 제3보호층(70)은, 제1보호층(40)과 동일한 무기물로 형성되고, 보다 구체적으로는 실리콘 질화물인 질화 규소(SiN_X)로 형성된다. 또한, 제3보호층(70)의 재료는 SiN_X로 한정되지 않고, 예를 들면, 다른 실리콘 질화물이나, 실리콘 산질화물, 실리콘 산화물 등의 실리콘 화합물 등을 채용할 수 있다. 또, 스퍼터링법으로 형성된 산화알루미늄(Al₂O₃)을 이용해도 좋다.
The third protective layer 70 is formed between the fifth region 150 on the second protective layer 50 corresponding to the third region 130 and the sealing layer 60 and the third protective layer 70 Is formed so as to cover the upper surface of the second protective layer 50. The third protective layer 70 is formed of the same inorganic material as the first protective layer 40, and more specifically, silicon nitride (SiN _x ), which is silicon nitride. The material of the third passivation layer 70 is not limited to SiN _x . For example, another silicon nitride, a silicon compound such as silicon oxynitride, silicon oxide, or the like may be employed. Aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) formed by a sputtering method may also be used.

제4보호층(80)은, 제5영역(150)에 대응하는 제3보호층(70) 상의 제6영역(160)과 봉지층(60)의 사이에 형성되고, 제4보호층(80)이 제3보호층(70)의 상면을 피복하도록 형성된다. 제4보호층(80)은, 제2보호층(50)과 동일한 유기물로 형성되고, 보다 구체적으로는, 자외선 경화성을 가지는 아크릴수지로 형성된다. 또한, 재료는 아크릴수지로 한정되지 않고, 폴리우레아수지 등을 채용하는 것도 가능하다.
The fourth protective layer 80 is formed between the sixth region 160 on the third protective layer 70 corresponding to the fifth region 150 and the sealing layer 60 and the fourth protective layer 80 Is formed so as to cover the upper surface of the third protective layer 70. The fourth protective layer 80 is formed of the same organic material as that of the second protective layer 50, and more specifically, formed of an acrylic resin having ultraviolet curable properties. The material is not limited to acrylic resin, and polyurea resin or the like can be employed.

여기서, "제3영역(130)에 대응하는 제5영역(150)"란, "제2영역(12)에 대응하는 제3영역(13)"과 유사한, 이하의 의미로 이용된다. 즉, 제3영역(130) 및 제5영역(150)은, 제조시에 기판(20) 상에 배치되는 마스크의 개구로부터 노출하는 평면 영역이며, 해당 마스크 및 그 개구는 대략 동일한 형상 및 면적을 가지는 것으로 여겨진다. 이것으로부터, 제3영역(130) 및 제5영역(150)은, 대략 동일한 배치, 형상 및 면적을 가지는 영역으로 할 수 있고, 기판(20) 상에 제5영역(150)을 투영했을 경우, 제5영역(150)은, 제3영역(130)과 대략 일치하도록 구성된다.
Here, the "fifth region 150 corresponding to the third region 130" is used in the following meaning similar to "the third region 13 corresponding to the second region 12" That is, the third region 130 and the fifth region 150 are planar regions exposed from an opening of a mask disposed on the substrate 20 at the time of manufacturing, and the mask and its openings have substantially the same shape and area It is considered to have. Therefore, the third region 130 and the fifth region 150 can have substantially the same arrangement, shape, and area. When the fifth region 150 is projected onto the substrate 20, The fifth region 150 is configured to substantially coincide with the third region 130.

또, "제5영역(150)에 대응하는 제6영역(160)"도, 유사하게 이하의 의미로 이용된다. 즉, 제5영역(150) 및 제6영역(160)은, 제조시에 기판(20) 상에 배치되는 마스크의 개구로부터 노출하는 평면 영역이며, 해당 마스크 및 그 개구는 대략 동일한 형상 및 면적을 가지는 것으로 여겨진다. 이와 같이 함으로써, 결과적으로, 제2영역(120), 제3영역(130), 제5영역(150), 및 제6영역(160)은 대략 동일한 형상, 면적을 가지는 영역으로 할 수 있고, 기판(20) 상에 제6영역(160)을 투영했을 경우, 제6영역은, 제5영역과 대략 일치하도록 구성된다.
Similarly, the "sixth region 160 corresponding to the fifth region 150" is similarly used in the following meaning. That is, the fifth region 150 and the sixth region 160 are planar regions exposed from an opening of a mask disposed on the substrate 20 at the time of manufacturing, and the mask and its openings have substantially the same shape and area It is considered to have. As a result, the second region 120, the third region 130, the fifth region 150, and the sixth region 160 can have substantially the same shape and area, When the sixth region 160 is projected onto the second region 20, the sixth region is configured to substantially coincide with the fifth region.

봉지층(60)은, 제1보호층(40), 제2보호층(50), 제3보호층(70), 및 제4보호층(80)을 피복하고 기판(20)상의 제4영역(140)에 형성된다. 제4영역(140)의 크기, 형상 등은, 제2영역(120)을 포함하고 있으면 특별히 한정되지 않는다. 즉, 이 경우는, 제4영역(140)이, 제3영역(130), 제5영역(150), 제6영역(160)도 포함하게 된다. 또, 봉지층(60)의 제4보호층(80) 상의 두께는 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 약 200 nm 내지 약 1㎛ 정도로 할 수 있다.
The encapsulation layer 60 is formed by covering the first passivation layer 40, the second passivation layer 50, the third passivation layer 70 and the fourth passivation layer 80, (140). The size, shape, and the like of the fourth region 140 are not particularly limited as long as they include the second region 120. That is, in this case, the fourth region 140 includes the third region 130, the fifth region 150, and the sixth region 160 as well. The thickness of the fourth protective layer 80 of the sealing layer 60 is not particularly limited and may be, for example, about 200 nm to about 1 탆.

봉지층(60)은, 제1주연부(40A), 제2보호층(50), 제3보호층(70), 및 제4보호층(80)의 주위를 피복하는 제2주연부(60A)를 가진다. 또, 봉지층(60)은, 본 실시형태에 있어서도 무기물로 형성되고, 구체적으로는, 실리콘 산질화물인 산질화 규소(SiO_XN_Y) 등으로 형성된다. SiO_XN_Y는, 수분 등을 투과시키기 어려운 특성을 가진다. 또한, 봉지층(6)의 재료는 SiO_XN_Y에 한정되지 않고, 예를 들면 다른 실리콘 산질화물이나, 질화 규소(SiN_X) 등의 실리콘 질화물, 실리콘 산화물 등의 실리콘 화합물 등을 채용할 수 있다. 또 스퍼터링법으로 형성된 산화알루미늄(Al₂O₃)을 이용해도 좋다.
The sealing layer 60 has a second peripheral portion 60A covering the periphery of the first peripheral portion 40A, the second protective layer 50, the third protective layer 70 and the fourth protective layer 80 I have. In addition, the sealing layer 60 is also formed of an inorganic material in the present embodiment, specifically, silicon oxynitride (SiO _x N _y ) or the like. SiO _X N _Y has a property that makes it difficult to transmit moisture and the like. Further, the material of the sealing layer 6 is not limited to SiO _X N _Y , and for example, other silicon oxynitride, silicon nitride such as silicon nitride (SiN _x ), silicon compound such as silicon oxide, have. Aluminum oxide (Al ₂ O ₃ ) formed by a sputtering method may also be used.

여기서, 소자 구조체(10)은, 디바이스층(30) 상에, 질화 규소로 이루어지는 제1보호층(40), 제3보호층(70), 봉지층(60), 및 아크릴수지로 이루어지는 제2보호층(50), 및 제4보호층(80)이 교대로 Z축 방향으로 적층되어 있다. 이러한 무기물과 유기물과의 적층 구조는, 투습도(WVTR：Water Vapor Transmission Rate)를 저하시키는 것이, 발명자들 등의 실험에 의해서 확인되고 있다.
Here, the element structure 10 includes a first protective layer 40 made of silicon nitride, a third protective layer 70, a sealing layer 60, and a second layer made of an acrylic resin on the device layer 30 The protective layer 50, and the fourth protective layer 80 are alternately stacked in the Z-axis direction. It has been confirmed by the inventors of the present invention that the laminated structure of such an inorganic substance and an organic substance lowers the water vapor transmission rate (WVTR).

예를 들면, PET 필름 기판 상에 질화 규소로 이루어지는 층과 아크릴수지로 이루어지는 층을 교대로 2층씩, 합계 4층 적층시켜, 이른바 칼슘 법에 따라 WVTR를 측정하였더니, 1.0×10^－6g/m2/day 이하의 측정 하한계의 측정치를 얻었다. 이와 같이 함으로써, 본 실시형태에 따른 디바이스층(3) 상의 적층 구조는, 특히 Z축 방향으로부터의 수분 등의 침입에 대해서 매우 높은 억제효과를 갖는 것으로 확인된다.
For example, the WVTR was measured on the PET film substrate in accordance with the so-called calcium method by laminating four layers of two layers of a silicon nitride layer and an acrylic resin layer alternately in a thickness of 1.0 x 10 ^-6 g / m2 / day was obtained. By doing so, it is confirmed that the laminated structure on the device layer 3 according to the present embodiment has a very high suppressing effect particularly against intrusion of moisture and the like from the Z-axis direction.

이상으로부터, 본 실시형태에 따른 소자 구조체(10)는, 디바이스층(30) 및 각 보호층 사이의 주위로부터의 수분 등의 침입을 억제하는 것과 더불어, Z축 방향에도 매우 높은 수분 등에 대한 억제효과를 발휘하는 것이 가능해진다.
As described above, the device structure 10 according to the present embodiment suppresses the penetration of moisture and the like from the periphery between the device layer 30 and the respective protective layers, As shown in Fig.

＜제3실시 형태＞&Lt; Third Embodiment >

도 6은, 본 발명의 제3실시 형태에 따른 소자 구조체(100)을 나타내는 개략 단면도이다. 소자 구조체(100)은, 제1실시 형태와 마찬가지로, 기판(2), 디바이스층(300), 제1보호층(4), 제2보호층(5) 및 봉지층(6)을 가지고, 이것들이 Z축 방향으로 적층된 구조를 가진다. 본 실시형태는, 디바이스층(300)이 유기 EL 발광소자로 이루어지는 점에서, 제1실시 형태와 다르다. 또한, 도면에 있어서 상술의 제1실시 형태와 대응하는 부분에 대해서는 동일한 부호를 붙이고, 그 상세한 설명은 생략한다.
6 is a schematic cross-sectional view showing a device structure 100 according to a third embodiment of the present invention. The device structure 100 has a substrate 2, a device layer 300, a first protective layer 4, a second protective layer 5 and an encapsulating layer 6 as in the first embodiment, Are stacked in the Z-axis direction. This embodiment is different from the first embodiment in that the device layer 300 is formed of an organic EL light emitting element. In the drawings, parts corresponding to those of the first embodiment described above are denoted by the same reference numerals, and a detailed description thereof will be omitted.

본 실시형태에 따른 디바이스층(300)은, 하부 전극층(310), 정공 주입층(320), 발광층(330), 전자 주입층(340), 및 상부 전극층(350)을 가지고, 이것들이 Z축 방향으로 적층된 구조를 가진다. 하부 전극층(310)은, 양극으로서 예를 들면 인듐 주석 산화물(ITO), 산화 아연(ZnO) 등의 투명전극으로 이루어진다. 상부 전극층(350)은, 음극으로서 예를 들면 알루미늄 등으로 이루어진다. 정공 주입층(320)은, 정공 수송층을 포함하고, 하부 전극층(310)으로부터 발광층(330)에 정공을 주입한다. 전자 주입층(340)은, 전자 수송층을 포함하고, 상부 전극층(350)으로부터 발광층(330)으로 전자를 주입한다. 발광층(330)은, 소망한 색으로 발광하는 유기 발광재료로 형성되고, 주입된 정공 및 전자의 재결합에 의해 발광한다.
The device layer 300 according to the present embodiment includes a lower electrode layer 310, a hole injection layer 320, a light emitting layer 330, an electron injection layer 340, and an upper electrode layer 350, Direction. &Lt; / RTI > The lower electrode layer 310 is made of a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO), zinc oxide (ZnO) or the like as an anode. The upper electrode layer 350 is made of, for example, aluminum as the cathode. The hole injection layer 320 includes a hole transport layer and injects holes from the lower electrode layer 310 into the light emitting layer 330. The electron injection layer 340 includes an electron transporting layer and injects electrons from the upper electrode layer 350 into the light emitting layer 330. The light emitting layer 330 is formed of an organic light emitting material that emits light of a desired color, and emits light by recombination of the injected holes and electrons.

디바이스층(300)은, 내부에 복수의 발광층(330)을 함유하는 것이 가능하다. 복수의 발광층은, 단책상(單冊狀) 혹은 스트라이프상으로 형성되어도 좋다. 복수의 발광층은, 예를 들면 R(빨강), G(초록), B(청색)의 3 종류의 발광층을 포함하고 있어도 좋고, 이것에 의해 소자 구조체(100)을 1개의 디스플레이로서 구성하는 것이 가능하다.
The device layer 300 may contain a plurality of light emitting layers 330 therein. The plurality of light emitting layers may be formed in a single shape or a stripe shape. The plurality of light emitting layers may include, for example, three kinds of light emitting layers of R (red), G (green) and B (blue), whereby the element structure 100 can be constituted as one display Do.

하부 전극층(310)은, 발광층(330)에 정공을 주입할 수 있도록, 발광층(330)에 대응하도록 형성되고, 예를 들면 Y축 방향에 따라 신장되는 전극으로 할 수 있다. 상부 전극층(350)은, 전자 주입층(340)을 통해 발광층(330)에 전자를 주입할 수 있도록, 일부가 발광층(330) 상에 배치된다. 상부 전극층(350)은, 예를 들면, X축 방향에 따라 연장되는 전극으로 할 수 있다. 또, 필요에 따라 복수의 상부 전극층(350)을 설치해도 좋고, 그 경우는 Y축 방향에 주기적으로 배치하는 것도 가능하다. 하부 전극층(310) 및 상부 전극층(350)은, 예를 들면, 일부가 봉지층(6) 등에 피복되지 않는 제4영역(14)의 외부에 형성됨으로써, 외부의 구동 전원 등과 접속 가능하게 구성된다.
The lower electrode layer 310 may be formed to correspond to the light emitting layer 330 so as to inject holes into the light emitting layer 330 and may be an electrode extending along the Y axis direction, for example. The upper electrode layer 350 is partially disposed on the light emitting layer 330 so that electrons can be injected into the light emitting layer 330 through the electron injection layer 340. The upper electrode layer 350 may be an electrode extending along the X-axis direction, for example. In addition, a plurality of upper electrode layers 350 may be provided if necessary, and in this case, it is also possible to arrange them periodically in the Y-axis direction. The lower electrode layer 310 and the upper electrode layer 350 are formed outside the fourth region 14 that is not partially covered with the sealing layer 6 or the like so that the lower electrode layer 310 and the upper electrode layer 350 can be connected to an external driving power supply or the like .

소자 구조체(100)의 디바이스층(300)은, 예를 들면, 이하와 같이 형성된다. 하부 전극층(310)은, 예를 들면 스퍼터링법, 증착법 등에 의해 성막할 수 있고, 성막 후, 소정 형상으로 패턴 가공된다. 다음에, 하부 전극층(310) 상에, 예를 들면 증착법 등에 의해 정공 주입층(320)을 형성한다. 발광층(330)은, 정공 주입층(320) 상에, 예를 들면 증착법 등에 의해 성막할 수 있고, 성막 후, 소정 형상으로 패턴 가공된다. 전자 주입층(340)은, 발광층(330) 상에, 예를 들면 증착법 등에 의해 성막할 수 있다. 게다가 상부 전극층(350)은, 예를 들면 스퍼터링법, 증착법 등에 의해 성막할 수 있고, 성막 후, 소정 형상으로 패턴 가공된다. 상기 각 층의 형성은, 동일한 성막실 내에서 실시하는 것도 가능하고, 다른 성막실 내에서 실시하는 것도 가능하다.
The device layer 300 of the device structure 100 is formed, for example, as follows. The lower electrode layer 310 can be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like, and patterned into a predetermined shape after the film formation. Next, a hole injection layer 320 is formed on the lower electrode layer 310 by, for example, a vapor deposition method. The light emitting layer 330 can be formed on the hole injection layer 320 by, for example, vapor deposition or the like, and patterned into a predetermined shape after the film formation. The electron injection layer 340 can be formed on the light emitting layer 330 by, for example, a vapor deposition method. In addition, the upper electrode layer 350 can be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. After the film formation, the upper electrode layer 350 is patterned into a predetermined shape. The formation of each of the layers may be performed in the same deposition chamber or in another deposition chamber.

이상과 같은 소자 구조체(100)은, 수분, 산소 등의 영향을 매우 받기 쉬운 디바이스층(300)을 가지지만, 제1보호층(4), 제2보호층(5) 및 봉지층(6)의 적층 구조에 의해서, 디바이스층(300)으로의 수분 등의 침입을 억제하는 것이 가능해진다. 이와 같이 함으로써, 소자 구조체(100)에 의해서, 불편이 적고 내구성이 높은 유기 EL디스플레이 등을 제공하는 것이 가능해진다.
The device structure 100 as described above has the device layer 300 that is highly susceptible to moisture, oxygen, and the like, but the first protective layer 4, the second protective layer 5, and the sealing layer 6, The penetration of moisture into the device layer 300 can be suppressed. By doing so, it becomes possible to provide an organic EL display or the like with less discomfort and high durability by the element structure 100.

이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이것으로 한정되는 일 없이, 본 발명의 기술적 사상에 근거해서 여러 가지의 변형이 가능하다.
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited thereto, and various modifications are possible based on the technical idea of the present invention.

이상의 실시 형태에서는, 보호층이 2층 및 4층이며, 최상층이 모두 유기물로 이루어지는 예를 들었지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 3층, 5층 등의 홀수의 보호층을 적층시키는 경우, 최상층을 무기물로 이루어지는 층으로 하는 것도 가능하다.
In the above embodiment, the protective layer is of two-layer and four-layer, and the top layer is made of an organic material, but the present invention is not limited thereto. For example, when an odd number of protective layers such as three or five layers are laminated, the uppermost layer may be a layer made of an inorganic material.

또, 이상의 실시 형태에서는, 각 층의 패턴 가공 방법으로서 Al₂O₃ 등으로 형성되는 마스크를 이용하는 방법을 채용했지만, 이것으로 한정되지 않는다.In the above embodiment, a method using a mask formed of Al ₂ O ₃ or the like is employed as a pattern processing method for each layer, but the present invention is not limited to this.

예를 들면, 에칭 등의 다른 패턴 가공 방법을 채용하는 일도 물론 가능하다.
For example, other pattern processing methods such as etching may be employed.

또, 이상의 실시 형태에서는, 소자 구조체의 제조 방법으로서 대형의 기판 상에 다수의 소자 영역을 형성하고, 그것들을 분리해서 개개의 소자 구조체를 제조하는 방법을 채용했지만, 이것으로 한정되지 않는다. 예를 들면, 1장의 기판 상에 1개의 소자 구조체를 형성하고, 분리 공정을 갖지 않는 제조 방법을 채용하는 것도 가능하다.
In the above embodiments, a method of forming a plurality of element regions on a large substrate and separating them to manufacture individual element structures is employed as a method of manufacturing the element structure, but the present invention is not limited thereto. For example, it is also possible to employ a manufacturing method in which one element structure is formed on one substrate and no separation step is employed.

또, 이상의 실시 형태에서는, 클러스터형 성막 장치를 이용한 제조 방법의 예를 들었지만, 물론 이것으로 한정되지 않고, 인 라인식 등 다른 구성의 성막 장치를 이용하는 것도 가능하다.
In the above embodiment, an example of the manufacturing method using the cluster-type film-forming apparatus has been described. However, the present invention is not limited thereto.

1, 10, 100 소자 구조체
2, 20 기판
3, 30, 300 디바이스층
4, 40 제1보호층
4 A, 40 A 제1주연부
5, 50 제2보호층
6, 60 봉지층
6 A, 60 A 제2주연부
70 제3보호층
80 제4보호층
11, 110 제1영역
12, 120 제2영역
13, 130 제3영역
14, 140 제4영역
150 제5영역
160 제6영역
121 제1개구
131 제2개구
141 제3개구
M1 제1마스크
M2 제2마스크
M3 제3마스크1, 10, 100 device structure
2, 20 substrate
3, 30, 300 device layers
4, 40 First protective layer
4A, 40A First periphery
5, 50 Second protective layer
6, 60 bags layer
6 A, 60 A Second circumference
70 third protective layer
80 fourth protective layer
11, 110,
12, 120 Second area
13, 130,
14, 140,
150 fifth region
160 sixth region
121 first opening
131 second opening
141 third opening
M1 first mask
M2 second mask
M3 third mask

Claims

Board,
A device layer formed in the first region on the substrate,
A first protective layer formed on the second region on the substrate including the first region and having a first peripheral edge formed around the device layer,
A second protective layer formed on the third region on the first protective layer corresponding to the second region and made of an organic material,
An encapsulation layer formed on the fourth region on the substrate including the second region and having a second periphery formed around the first periphery and the second protection layer,
.

The method according to claim 1,
Wherein the first protective layer and the sealing layer are made of aluminum oxide formed by a silicon compound or a sputtering method.

3. The method of claim 2,
Wherein the silicon compound comprises any one of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide.

4. The method according to any one of claims 1 to 3,
And the second protective layer is made of an acrylic resin or a polyurea resin.

5. The method of claim 4,
Wherein the acrylic resin has ultraviolet curing properties.

The method according to claim 1,
A third protective layer formed of an inorganic material, the third protective layer being formed between a fifth region on the second protective layer corresponding to the third region and the sealing layer and covered with the second peripheral portion;
A fourth protective layer formed of an organic material and formed between the sixth region on the third protective layer corresponding to the fifth region and the sealing layer and covered with the second peripheral portion,
Further comprising:

Forming a device layer in a first region on the substrate,
Forming a first protective layer on a second region on the substrate including the first region,
Forming a second protective layer in a third region on the first protective layer corresponding to the second region,
Forming an encapsulation layer in a fourth region on the substrate including the second region so as to cover the first protection layer and the second protection layer,
A method of manufacturing a device structure.

8. The method of claim 7,
In the step of forming the first protective layer, the first protective layer is formed using a first mask having a first opening corresponding to the second region,
In the step of forming the second protective layer, the second protective layer is formed using a second mask having a second opening corresponding to the third region,
Wherein the sealing layer is formed by using a third mask having a third opening corresponding to the fourth region,
A method of manufacturing a device structure.