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JP2013073880A - Light emitting element manufacturing method - Google Patents

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JP2013073880A
JP2013073880A JP2011214009A JP2011214009A JP2013073880A JP 2013073880 A JP2013073880 A JP 2013073880A JP 2011214009 A JP2011214009 A JP 2011214009A JP 2011214009 A JP2011214009 A JP 2011214009A JP 2013073880 A JP2013073880 A JP 2013073880A
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JP
Japan
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light emitting
substrate
mask
manufacturing
region
Prior art date
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Pending
Application number
JP2011214009A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroko Kato
裕子 加藤
Tomohiko Okayama
智彦 岡山
Keisuke Shimoda
圭介 下田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ulvac Inc
Original Assignee
Ulvac Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
Application filed by Ulvac Inc filed Critical Ulvac Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light emitting element manufacturing method capable of restraining immersion of moisture and the like into a light emitting layer.SOLUTION: Plural element regions 10 including a light emitting region 20 and a wiring region 30 adjacent to the light emitting region 20 in an X-axis direction respectively, are aligned in the X-axis direction and a Y-axis direction, so as to manufacture a substrate W. A mask 40 having plural bars 42 extending in the Y-axis direction and aligned in the X-axis direction and plural openings 43 formed between the plural bars 42 is arranged on the substrate W, so that the bars 42 cover the wiring region 30 and the light emitting region 20 is exposed from the openings 43. Inorganic films 8 and organic films 9 are alternately formed on the substrate W. The substrate W is separated for each element region 10. Thus manufactured light emitting element 1 has a protective film P including the inorganic films 8 and the organic films 9, so as to restrain immersion of moisture and the like into the light emitting layer 5 by the protective film P.

Description

本発明は、有機EL素子等の発光素子の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing a light emitting element such as an organic EL element.

近年、有機EL(Electro Luminescence)素子を用いた有機ELディスプレイの開発が進められ、一部の分野では既に実用化されている。有機EL素子は、主として、基板上に発光層と電極等とが積層された構造を有する。発光層を形成する有機化合物は、一般に、水分あるいは酸素により極めて劣化しやすい性質を有する。このことから、個々の素子領域に対応するように形成された複数の矩形の開口を有するマスクを用いて、発光層への水分等の侵入を抑制する保護膜を形成する方法が知られている。   In recent years, organic EL displays using organic EL (Electro Luminescence) elements have been developed, and have already been put into practical use in some fields. The organic EL element mainly has a structure in which a light emitting layer, an electrode, and the like are stacked on a substrate. The organic compound forming the light emitting layer generally has a property that it is very easily deteriorated by moisture or oxygen. For this reason, a method of forming a protective film that suppresses intrusion of moisture or the like into the light emitting layer using a mask having a plurality of rectangular openings formed so as to correspond to individual element regions is known. .

しかしながら、上記マスクは、素子の形成領域がマスクの開口によって決められるため、1枚の基板から効率よく素子を形成することができない。さらに、成膜時の高温条件下における熱変形等によって開口が変形しやすいことから、所望の保護膜の形成が困難になるとともに、高い頻度でマスク全体を交換する必要が生じる。   However, since the element formation region of the mask is determined by the opening of the mask, the element cannot be efficiently formed from a single substrate. Furthermore, since the opening is likely to be deformed due to thermal deformation or the like under high temperature conditions during film formation, it becomes difficult to form a desired protective film, and the entire mask needs to be replaced frequently.

そこで、特許文献1には、一端が枠体に固定され、そこから一方向のみに延在するテープ状のシャドーマスクを有するマスク装置について開示されている。このマスク装置は、テープ状のシャドーマスク間が開口となるため、広い開口面積を有する。このため、1枚の基板から効率よく素子を形成することができるとともに、熱変形等による歪みの影響も受けにくい。さらに、シャドーマスクの枠体に固定された一端とは異なる他端に張力を印加することによって、熱伸び等による開口の変形を抑制することができ、緩まず基板の表面と密着することができる。このことから、均一な成膜が可能となる。   Therefore, Patent Document 1 discloses a mask device having a tape-like shadow mask that is fixed to a frame body at one end and extends only in one direction therefrom. This mask apparatus has a wide opening area because an opening is formed between the tape-shaped shadow masks. Therefore, an element can be efficiently formed from a single substrate and is not easily affected by distortion due to thermal deformation or the like. Furthermore, by applying tension to the other end different from the one end fixed to the frame of the shadow mask, deformation of the opening due to thermal expansion or the like can be suppressed, and the surface of the substrate can be brought into close contact without loosening. . Thus, uniform film formation is possible.

特開2010−168654号公報JP 2010-168654 A

しかしながら、上記特許文献1には、発光層を水分等から保護するための保護膜の具体的な構造及びその形成方法については記載されていない。   However, Patent Document 1 does not describe a specific structure of a protective film for protecting the light emitting layer from moisture or the like and a method for forming the protective film.

以上のような事情に鑑み、本発明の目的は、熱変形等による歪みの影響を受けにくいマスクを用いて、発光層への水分等の侵入を抑制できる発光素子の製造方法を提供することにある。   In view of the circumstances as described above, an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a light-emitting element that can suppress intrusion of moisture or the like into a light-emitting layer using a mask that is not easily affected by distortion due to thermal deformation or the like. is there.

上記目的を達成するため、本発明の一形態に係る発光素子の製造方法は、発光領域と、上記発光領域と第1の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、上記第1の軸方向と上記第1の軸方向に直交する第2の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製する工程を含む。
上記第2の軸方向に延在し上記第1の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、上記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクが、上記複数の遮蔽部が上記複数の素子領域各々の上記配線領域を被覆し、上記複数の開口部から上記複数の素子領域各々の上記発光領域が露出するように、上記基板に対向して配置される。
上記マスクを介して、上記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜が成膜される。
上記基板が、上記素子領域毎に分離される。
In order to achieve the above object, a method for manufacturing a light-emitting element according to an embodiment of the present invention includes: a light-emitting region; and a plurality of device regions each including the light-emitting region and a wiring region adjacent to the light-emitting region in the first axial direction. And a step of producing a substrate arranged in each of a first axial direction and a second axial direction orthogonal to the first axial direction.
A mask having a plurality of linear shielding portions extending in the second axial direction and arranged in the first axial direction, and a plurality of openings formed between the plurality of shielding portions, A plurality of shielding portions cover the wiring regions of each of the plurality of element regions, and are disposed to face the substrate so that the light emitting regions of the plurality of element regions are exposed from the plurality of openings. .
A protective film having a laminated structure of different materials is formed on the substrate through the mask.
The substrate is separated for each element region.

本発明の一実施形態に係る発光素子の構成の一例を示す概略断面図である。It is a schematic sectional drawing which shows an example of a structure of the light emitting element which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板の構造を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the structure of the board | substrate which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係るマスクの構造を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the structure of the mask which concerns on one Embodiment of this invention. 本発明の一実施形態に係る基板上にマスクが配置された態様を示す概略上面図である。It is a schematic top view which shows the aspect by which the mask is arrange | positioned on the board | substrate which concerns on one Embodiment of this invention.

本発明の一実施形態に係る発光素子の製造方法は、発光領域と、上記発光領域と第1の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、上記第1の軸方向と上記第1の軸方向に直交する第2の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製する工程を含む。
上記第2の軸方向に延在し上記第1の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、上記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクが、上記複数の遮蔽部が上記複数の素子領域各々の上記配線領域を被覆し、上記複数の開口部から上記複数の素子領域各々の上記発光領域が露出するように、上記基板に対向して配置される。
上記マスクを介して、上記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜が成膜される。
上記基板が、上記素子領域毎に分離される。
A method for manufacturing a light emitting device according to an embodiment of the present invention includes: a light emitting region; and a plurality of device regions each including a light emitting region and a wiring region adjacent to the light emitting region in the first axial direction. A step of fabricating substrates arranged respectively in a second axial direction orthogonal to the first axial direction.
A mask having a plurality of linear shielding portions extending in the second axial direction and arranged in the first axial direction, and a plurality of openings formed between the plurality of shielding portions, A plurality of shielding portions cover the wiring regions of each of the plurality of element regions, and are disposed to face the substrate so that the light emitting regions of the plurality of element regions are exposed from the plurality of openings. .
A protective film having a laminated structure of different materials is formed on the substrate through the mask.
The substrate is separated for each element region.

上記マスクは、第2の軸方向に沿って形成された大きな開口部を有するため、熱変形等による歪みが少ない。このようなマスクを介して異種材料の積層構造を有する保護膜を形成することで、各層の成膜領域の位置及び形状がほぼ一定に保持された積層構造を形成することが可能となる。このことから、上記保護膜は、発光領域への水分等の侵入を抑制する機能を十分に発揮することができる。したがって、上記製造方法によって、不具合が少なく、寿命が長い発光素子を製造することが可能となる。   Since the mask has a large opening formed along the second axial direction, distortion due to thermal deformation or the like is small. By forming a protective film having a laminated structure of different materials through such a mask, it is possible to form a laminated structure in which the position and shape of the film formation region of each layer are maintained almost constant. For this reason, the protective film can sufficiently exhibit the function of suppressing entry of moisture and the like into the light emitting region. Therefore, the above manufacturing method makes it possible to manufacture a light-emitting element with few defects and a long lifetime.

上記保護膜の成膜工程は、無機膜と有機膜とを交互に成膜することを含んでもよい。
このような保護膜によって、発光層への水分等の侵入をより抑制することが可能となる。
The protective film forming step may include alternately forming an inorganic film and an organic film.
Such a protective film makes it possible to further suppress entry of moisture or the like into the light emitting layer.

上記無機膜は、例えばシリコン化合物で形成されてもよく、さらに具体的には、シリコン窒化物,シリコン酸窒化物,シリコン酸化物の少なくとも一つを含んでもよい。
このような材料からなる無機膜は、透湿性が非常に低いため、より効果的に発光素子を水分から保護し、劣化を抑制することができる。
The inorganic film may be formed of, for example, a silicon compound, and more specifically may include at least one of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide.
An inorganic film made of such a material has very low moisture permeability, and thus can more effectively protect the light-emitting element from moisture and suppress deterioration.

上記有機膜は、アクリル樹脂またはポリウレア樹脂から形成されてもよい。さらに具体的には、上記アクリル樹脂は、紫外線硬化性を有してもよい。
このような材料からなる有機膜は、無機膜と積層させることによって透湿性が非常に低い積層構造を構成し、より効果的に発光素子を水分から保護し、劣化を抑制することができる。
The organic film may be formed from an acrylic resin or a polyurea resin. More specifically, the acrylic resin may have ultraviolet curability.
An organic film made of such a material can form a laminated structure with extremely low moisture permeability by being laminated with an inorganic film, and can more effectively protect the light emitting element from moisture and suppress deterioration.

以下、図面を参照しながら、本発明の実施形態を説明する。   Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.

[発光素子の構成]
図1は、発光素子の構成の一例を示す概略断面図である。図示する発光素子1は、基板2と、下部電極層3と、正孔注入層4と、発光層5と、電子注入層6と、上部電極層7と、複数の無機膜8と、有機膜9とを有する。発光素子1は、全体として、厚みが約5μmの積層構造を有する。なお、図においてX軸方向は「第1の軸方向」に対応し、Y軸方向は「第2の軸方向」に対応し、本実施形態においてX軸方向及びY軸方向は水平方向を示す。Z軸方向はX軸方向とY軸方向とに垂直な方向を示し、本実施形態において鉛直方向を示す。
[Configuration of Light Emitting Element]
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view illustrating an example of a configuration of a light emitting element. The illustrated light-emitting element 1 includes a substrate 2, a lower electrode layer 3, a hole injection layer 4, a light-emitting layer 5, an electron injection layer 6, an upper electrode layer 7, a plurality of inorganic films 8, and an organic film. 9. The light emitting element 1 as a whole has a laminated structure with a thickness of about 5 μm. In the drawing, the X-axis direction corresponds to the “first axial direction”, the Y-axis direction corresponds to the “second axial direction”, and in the present embodiment, the X-axis direction and the Y-axis direction indicate the horizontal direction. . The Z-axis direction indicates a direction perpendicular to the X-axis direction and the Y-axis direction, and indicates a vertical direction in the present embodiment.

基板2は、例えばガラス基板、プラスチック基板等で構成される。下部電極層3は、陽極として、例えばインジウム錫酸化物(ITO)、酸化亜鉛(ZnO)等の透明電極からなる。上部電極層7は、陰極として、例えばアルミニウム等からなる。正孔注入層4は、正孔輸送層を含み、下部電極層3から発光層5へ正孔を注入する。電子注入層6は、電子輸送層を含み、上部電極層7から発光層5へ電子を注入する。発光層5は、所望の色に発光する有機発光材料で形成され、注入された正孔及び電子の再結合により発光する。   The substrate 2 is made of, for example, a glass substrate or a plastic substrate. The lower electrode layer 3 is made of a transparent electrode such as indium tin oxide (ITO) or zinc oxide (ZnO) as an anode. The upper electrode layer 7 is made of, for example, aluminum as a cathode. The hole injection layer 4 includes a hole transport layer and injects holes from the lower electrode layer 3 to the light emitting layer 5. The electron injection layer 6 includes an electron transport layer and injects electrons from the upper electrode layer 7 to the light emitting layer 5. The light emitting layer 5 is formed of an organic light emitting material that emits light of a desired color, and emits light by recombination of injected holes and electrons.

発光素子1は、内部に複数の発光層5を含有することが可能である。複数の発光層は、ストライプ状に形成されてもよいし、グリッド状に形成されてもよい。複数の発光層は、例えばR(赤)、G(緑)、B(青)の3種類の発光層を含んでいてもよく、これによりディスプレイ用途の発光素子を構成することが可能である。   The light emitting element 1 can contain a plurality of light emitting layers 5 inside. The plurality of light emitting layers may be formed in a stripe shape or a grid shape. The plurality of light-emitting layers may include, for example, three types of light-emitting layers of R (red), G (green), and B (blue), whereby a light-emitting element for display use can be configured.

発光層5の形状は特に制限されず、例えばY軸方向に沿って延びるように構成することも可能である。下部電極層3は、発光層5に正孔を注入することができるよう、発光層5に対応して形成される。上部電極層7は、電子注入層6を介して発光層5に電子を注入することができるように、一部が発光層5上に配置される。上部電極層7は、本実施形態において、X軸方向に沿って延びる電極からなる。また、必要に応じて複数の上部電極層7を設けてもよく、その場合はY軸方向に周期的に配置することも可能である。   The shape of the light emitting layer 5 is not particularly limited, and may be configured to extend along the Y-axis direction, for example. The lower electrode layer 3 is formed corresponding to the light emitting layer 5 so that holes can be injected into the light emitting layer 5. A part of the upper electrode layer 7 is disposed on the light emitting layer 5 so that electrons can be injected into the light emitting layer 5 through the electron injection layer 6. In the present embodiment, the upper electrode layer 7 is made of an electrode extending along the X-axis direction. Further, a plurality of upper electrode layers 7 may be provided as necessary, and in that case, they may be periodically arranged in the Y-axis direction.

上部電極層7上には、さらに、無機膜8と、有機膜9とが交互に積層された3層構造からなる保護膜Pが形成されている。発光層5は、水分、酸素等により劣化しやすい性質を有するが、保護膜Pを積層することによって、発光層5への水分、酸素等の侵入が抑制される。   A protective film P having a three-layer structure in which inorganic films 8 and organic films 9 are alternately stacked is formed on the upper electrode layer 7. The light emitting layer 5 has the property of being easily deteriorated by moisture, oxygen, and the like. However, by laminating the protective film P, the entry of moisture, oxygen, and the like into the light emitting layer 5 is suppressed.

保護膜PのX軸方向の幅は、上部電極層7等のX軸方向の幅よりも狭く形成される。これは、上部電極層7上の一部を保護膜Pに被覆されないように構成することによって、例えば上部電極層7と図示しない回路等との接続を容易にするためである。なお、基板2から上部電極層7までの積層構造において、保護膜Pが被覆されない領域は、後述する配線領域30に対応し、保護膜Pが被覆される領域は、後述する発光領域20に対応する。   The width of the protective film P in the X-axis direction is formed to be narrower than the width of the upper electrode layer 7 and the like in the X-axis direction. This is because a part of the upper electrode layer 7 is configured not to be covered with the protective film P, thereby facilitating connection between the upper electrode layer 7 and a circuit (not shown), for example. In the laminated structure from the substrate 2 to the upper electrode layer 7, a region not covered with the protective film P corresponds to a wiring region 30 described later, and a region covered with the protective film P corresponds to a light emitting region 20 described later. To do.

無機膜8は、本実施形態において、窒化ケイ素(SiNx)で形成される。SiNxは、水分を透過させにくい特性を有する。ここで、SiNxで形成された無機膜8について、水蒸気の透過量を示すパラメータである透湿度を測定すると、例えば10−3〜10−4g/m/day程度である。なお、無機膜8の材料はSiNxに限られず、例えば他のシリコン窒化物や,シリコン酸窒化物,シリコン酸化物等のシリコン化合物等を採用することができる。 In the present embodiment, the inorganic film 8 is formed of silicon nitride (SiNx). SiNx has a characteristic that it hardly permeates moisture. Here, with respect to the inorganic film 8 formed of SiNx, the moisture permeability, which is a parameter indicating the amount of water vapor permeated, is measured, for example, about 10 −3 to 10 −4 g / m 2 / day. The material of the inorganic film 8 is not limited to SiNx, and other silicon nitrides, silicon compounds such as silicon oxynitrides, silicon oxides, and the like can be used.

有機膜9は、本実施形態において、例えば紫外線硬化性を有するアクリル樹脂で形成される。なお、材料はアクリル樹脂に限られず、ポリウレア樹脂等を採用することも可能である。   In the present embodiment, the organic film 9 is formed of, for example, an acrylic resin having ultraviolet curing properties. The material is not limited to an acrylic resin, and a polyurea resin or the like can be used.

以上のように本実施形態の保護膜Pは、SiNx等からなる無機膜8と、アクリル樹脂等からなる有機膜9との積層膜で構成される。このことによって、保護膜Pの透湿度は、無機膜8のみの透湿度よりも大幅に減少する。具体的には、本実施形態による保護膜Pによって、透湿度は10−6g/m/dayとなり、無機膜8のみの場合と比較すると100分の1〜1000分の1程度の値になる。すなわち、無機膜8と有機膜9との積層膜である保護膜Pを用いることで、発光層5への水分等の侵入を抑制することが可能となる。また有機膜9は、平坦化層としての機能をも有し、これにより無機膜8のカバレッジ性を高め、透湿度の低下に寄与する。 As described above, the protective film P of the present embodiment is composed of a laminated film of the inorganic film 8 made of SiNx or the like and the organic film 9 made of acrylic resin or the like. As a result, the moisture permeability of the protective film P is significantly reduced compared to the moisture permeability of the inorganic film 8 alone. Specifically, the moisture permeability is 10 −6 g / m 2 / day due to the protective film P according to the present embodiment, which is about 1/100 to 1000 times smaller than that of the inorganic film 8 alone. Become. That is, by using the protective film P that is a laminated film of the inorganic film 8 and the organic film 9, it becomes possible to suppress intrusion of moisture or the like into the light emitting layer 5. The organic film 9 also has a function as a flattening layer, thereby increasing the coverage of the inorganic film 8 and contributing to a decrease in moisture permeability.

保護膜Pは、本実施形態の構造に限られない。例えば、SiNxとシリコン酸窒化物等との積層構造、SiNxとシリコン酸化物等との積層構造や、アクリル樹脂とポリウレア樹脂との積層構造等でも可能である。また、無機膜8及び有機膜9の層数を増加し、保護膜Pを5層以上の積層膜とすることも可能である。さらに、最上層が無機膜8でなく、有機膜9とする構成でも可能である。   The protective film P is not limited to the structure of this embodiment. For example, a laminated structure of SiNx and silicon oxynitride, a laminated structure of SiNx and silicon oxide, a laminated structure of acrylic resin and polyurea resin, or the like is possible. Further, the number of layers of the inorganic film 8 and the organic film 9 can be increased, and the protective film P can be a laminated film of five layers or more. Further, a configuration in which the uppermost layer is not the inorganic film 8 but the organic film 9 is also possible.

なお後述するように、保護膜Pの成膜後に基板2は、所定の素子サイズに切断されることで発光素子1が作製される。したがって保護膜Pの切断面は、図1に示すように無機膜8と有機膜9との端面が揃った形態を有することになるが、このような形態であっても保護膜Pの水蒸気バリア性が劣化しないことが本発明者らの実験により確認されている。   As will be described later, after the protective film P is formed, the substrate 2 is cut into a predetermined element size, whereby the light emitting element 1 is manufactured. Therefore, the cut surface of the protective film P has a form in which the end faces of the inorganic film 8 and the organic film 9 are aligned as shown in FIG. 1. Even in such a form, the water vapor barrier of the protective film P is provided. It has been confirmed by experiments by the present inventors that the property does not deteriorate.

次に、以上のような構成の発光素子1の製造方法について説明する。   Next, a method for manufacturing the light emitting element 1 having the above configuration will be described.

[発光素子の製造方法]
発光素子1の製造方法は、以下の4工程を有する。すなわち、(1)基板の作製工程、(2)マスクの配置工程、(3)無機膜および有機膜の成膜工程、(4)分離工程、を有する。これらを順に説明する。
[Method for Manufacturing Light-Emitting Element]
The manufacturing method of the light emitting element 1 includes the following four steps. That is, it includes (1) a substrate manufacturing process, (2) a mask arranging process, (3) an inorganic film and organic film forming process, and (4) a separation process. These will be described in order.

(基板の作製工程)
基板の作製工程では、基板2上に、下部電極層3と、正孔注入層4と、発光層5と、電子注入層6と、上部電極層7とを形成する。これによって、複数の素子領域を含む構造体である「基板」が作製される。なお、以下の説明において、基板2上に上部電極層7まで形成され、複数の素子領域を含む構造体を、以下基板Wとする。
(Manufacturing process of substrate)
In the substrate manufacturing process, the lower electrode layer 3, the hole injection layer 4, the light emitting layer 5, the electron injection layer 6, and the upper electrode layer 7 are formed on the substrate 2. Thus, a “substrate” that is a structure including a plurality of element regions is manufactured. In the following description, a structure that is formed up to the upper electrode layer 7 on the substrate 2 and includes a plurality of element regions is hereinafter referred to as a substrate W.

基板Wの作製工程としては、まず、基板2を図示しないチャンバ等に搬送し、基板2上に下部電極層3を形成する。下部電極層3は、例えばスパッタ法、蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。次に、下部電極層3上に、例えば蒸着法等により正孔注入層4を形成する。発光層5は、正孔注入層4上に、例えば蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。電子注入層6は、発光層5上に、例えば蒸着法等により成膜することができる。さらに、上部電極層7は、例えばスパッタ法、蒸着法等により成膜することができ、成膜後、所定形状にパターン加工される。上記各層の形成は、同一のチャンバ内で行うことも可能であるし、別のチャンバ内で行うことも可能である。   As a manufacturing process of the substrate W, first, the substrate 2 is transferred to a chamber or the like (not shown), and the lower electrode layer 3 is formed on the substrate 2. The lower electrode layer 3 can be formed by, for example, a sputtering method, a vapor deposition method, or the like. After the film formation, the lower electrode layer 3 is patterned into a predetermined shape. Next, the hole injection layer 4 is formed on the lower electrode layer 3 by, for example, vapor deposition. The light emitting layer 5 can be formed on the hole injection layer 4 by, for example, a vapor deposition method, and is patterned into a predetermined shape after the film formation. The electron injection layer 6 can be formed on the light emitting layer 5 by, for example, vapor deposition. Furthermore, the upper electrode layer 7 can be formed by, for example, a sputtering method, an evaporation method, or the like, and is patterned into a predetermined shape after the film formation. Each of the layers can be formed in the same chamber or in different chambers.

以上のように、複数の素子領域を含む積層構造を有する基板Wを作製する。以下、基板Wの構造について説明する。   As described above, the substrate W having a stacked structure including a plurality of element regions is manufactured. Hereinafter, the structure of the substrate W will be described.

図2は、基板Wの構造を示す概略上面図である。基板Wは、本実施形態において、全体としてZ軸方向と直交するXY平面を含む矩形状の板状構造を有し、例えば一辺が730mm〜920mmである。基板Wは、X軸方向とY軸方向とにそれぞれ配列され、スクライブラインLによって区画される複数の素子領域10が形成されている。本実施形態では、図2に示すように、スクライブラインLはX軸方向及びY軸方向に直線的に素子領域10を区画し、各素子領域10はほぼ同一の構成及び大きさを有する。   FIG. 2 is a schematic top view showing the structure of the substrate W. As shown in FIG. In this embodiment, the substrate W has a rectangular plate-like structure including an XY plane orthogonal to the Z-axis direction as a whole, and has a side of, for example, 730 mm to 920 mm. The substrate W is arranged in each of the X-axis direction and the Y-axis direction, and a plurality of element regions 10 partitioned by the scribe lines L are formed. In the present embodiment, as shown in FIG. 2, the scribe line L linearly partitions the element region 10 in the X-axis direction and the Y-axis direction, and each element region 10 has substantially the same configuration and size.

各素子領域10は、発光領域20と配線領域30とを有する。発光領域20と配線領域30とはX軸方向に隣接して形成され、全体としてX軸方向に交互に周期的に配列される。また、発光領域20及び配線領域30は、それぞれ各素子領域10を横切るようにY軸方向に沿って連続的に延びる。   Each element region 10 has a light emitting region 20 and a wiring region 30. The light emitting regions 20 and the wiring regions 30 are formed adjacent to each other in the X axis direction, and are arranged periodically and alternately in the X axis direction as a whole. In addition, the light emitting region 20 and the wiring region 30 continuously extend along the Y-axis direction so as to cross each element region 10.

各々の素子領域10は、後述するように後の分離工程においてスクライブラインLで分離され、発光素子1の一部となる。また、基板W上に形成される素子領域10の数は図示の例に限られない。   As will be described later, each element region 10 is separated by a scribe line L in a later separation step and becomes a part of the light emitting element 1. Further, the number of element regions 10 formed on the substrate W is not limited to the illustrated example.

発光領域20には、発光層5が含まれる。また、上部電極層7は、発光領域20と配線領域30とを含む各素子領域10を横切るようにX軸方向に沿って連続的に形成される。   The light emitting region 20 includes the light emitting layer 5. The upper electrode layer 7 is continuously formed along the X-axis direction so as to cross each element region 10 including the light emitting region 20 and the wiring region 30.

次に、以上のような構造の基板Wは図示しないチャンバ内に搬送され、基板W上にマスクが配置される。   Next, the substrate W having the above structure is transferred into a chamber (not shown), and a mask is placed on the substrate W.

(マスクの配置工程)
マスクは、典型的には、図示しないチャンバ内部に設置されたマスク載置装置等に、基板Wの搬送前から配置されている。マスク載置装置は、基板Wが配置されるステージの上部に設置されており、基板Wがステージ上に搬送されると、マスク載置装置によってマスクと基板Wとの位置合わせが行われ、以下のようにマスクが基板W上に配置される。なお、マスクの配置工程およびその後の成膜工程に用いられるチャンバは、基板Wの作製に用いたチャンバと別のチャンバでも、同じチャンバでも特に制限されない。
(Mask placement process)
The mask is typically disposed before the substrate W is transported on a mask mounting device or the like installed inside a chamber (not shown). The mask placing device is installed on the upper part of the stage on which the substrate W is placed. When the substrate W is transferred onto the stage, the mask placing device aligns the mask and the substrate W. As described above, the mask is disposed on the substrate W. The chamber used for the mask placement process and the subsequent film formation process is not particularly limited, whether it is a chamber different from the chamber used for manufacturing the substrate W or the same chamber.

図3は、本実施形態に係るマスクの概略上面図であり、図4は、基板W上に当該マスクが配置された態様を示す概略上面図である。マスク40は、枠体41と、複数のバー(遮蔽部)42と、複数のバー42間に形成された開口部43とを有する。枠体41は、矩形環状に形成され、X軸方向に対向する2辺と、Y軸方向に対向する2辺とを有する。このうち、Y軸方向に対向する2辺を、それぞれ第1の辺部411と、第2の辺部412とする。   FIG. 3 is a schematic top view of the mask according to the present embodiment, and FIG. 4 is a schematic top view showing an aspect in which the mask is arranged on the substrate W. The mask 40 includes a frame body 41, a plurality of bars (shielding portions) 42, and an opening 43 formed between the plurality of bars 42. The frame body 41 is formed in a rectangular ring shape, and has two sides facing each other in the X-axis direction and two sides facing each other in the Y-axis direction. Of these, the two sides facing each other in the Y-axis direction are defined as a first side 411 and a second side 412, respectively.

複数のバー42は、Y軸方向に延在し、X軸方向に配列されている。本実施形態において、各バー42の両端は、第1の辺部411及び第2の辺部412上に配置された複数の固定部材44によって固定される。また、各バー42間の間隔、すなわち開口部43の幅は、本実施形態において約3mmとすることができる。バー42の厚みは、例えば0.05〜2.0mmに形成される。   The plurality of bars 42 extend in the Y-axis direction and are arranged in the X-axis direction. In the present embodiment, both ends of each bar 42 are fixed by a plurality of fixing members 44 arranged on the first side portion 411 and the second side portion 412. Moreover, the space | interval between each bar | burr 42, ie, the width | variety of the opening part 43, can be about 3 mm in this embodiment. The thickness of the bar 42 is, for example, 0.05 to 2.0 mm.

枠体41は、図4のように基板Wの周縁に配置される。複数のバー42は、それぞれ上述のように固定部材44によって固定されて配線領域30を被覆し、各バー42間の開口部43は、発光領域20を露出させる。本実施形態では図4のように、配線領域30のX軸方向の幅をバー42とほぼ同じ幅としており、Y軸方向に延びるスクライブラインLはバー42と重複して存在する。なお、配線領域30のX軸方向の幅がバー42の幅以下で、配線領域30の全面がバー42によって被覆されればこれに限られない。   The frame 41 is disposed on the periphery of the substrate W as shown in FIG. As described above, the plurality of bars 42 are fixed by the fixing member 44 so as to cover the wiring area 30, and the opening 43 between the bars 42 exposes the light emitting area 20. In the present embodiment, as shown in FIG. 4, the width of the wiring region 30 in the X-axis direction is substantially the same as that of the bar 42, and the scribe line L extending in the Y-axis direction overlaps with the bar 42. Note that the width of the wiring region 30 in the X-axis direction is equal to or smaller than the width of the bar 42 and the entire surface of the wiring region 30 is covered with the bar 42.

マスク40の枠体41及びバー42は、本実施形態において、アルミナ(Al)によって形成されているが、材料は特に制限されない。例えば、他の材料として金属または耐熱性樹脂等を用いることができる。 The frame body 41 and the bar 42 of the mask 40 are formed of alumina (Al 2 O 3 ) in this embodiment, but the material is not particularly limited. For example, a metal or a heat resistant resin can be used as the other material.

本実施形態のマスク40は、個々の発光領域20に対応して形成された複数の矩形の開口を有するマスクと比較して、高温下における開口部43の形状変化を抑制することができる。なお必要に応じて、マスク40をバー42の延在方向であるY軸方向に引っ張る張力付加機構を備えてもよい。このことによって、開口部43の形状変化をさらに抑制することが可能となる。   The mask 40 of this embodiment can suppress a change in the shape of the opening 43 at a high temperature as compared with a mask having a plurality of rectangular openings formed corresponding to the individual light emitting regions 20. If necessary, a tension applying mechanism for pulling the mask 40 in the Y-axis direction that is the extending direction of the bar 42 may be provided. As a result, the shape change of the opening 43 can be further suppressed.

マスク40に対する基板Wの位置合わせ方法については、特に限られない。例えば、CCDカメラ等によってステージに配置されたアライメントマークを観察しながら行うことも可能である。また、ステージに配置され、基板Wの位置を規定するピン構造等を用いて機械的に行うことも可能である。   A method for aligning the substrate W with respect to the mask 40 is not particularly limited. For example, it can be performed while observing an alignment mark placed on the stage with a CCD camera or the like. Further, it can be mechanically performed using a pin structure or the like that is arranged on the stage and defines the position of the substrate W.

次に、以上のように配置されたマスク40を介して、基板Wの成膜を行う。   Next, the substrate W is formed through the mask 40 arranged as described above.

(保護膜の成膜工程例)
基板Wの成膜工程では、マスク40を介して、開口部43から露出した発光領域20上に、無機膜8と有機膜9とを交互に成膜する。まず、上部電極層7上に、無機膜8が形成される。無機膜8は、例えばCVD法により成膜される。なお、無機膜8の成膜に用いるマスク40と有機膜9の成膜に用いるマスク40とは、それぞれ同一のマスクでもよいし別のマスクでもよい。
(Example of protective film deposition process)
In the film forming process of the substrate W, the inorganic film 8 and the organic film 9 are alternately formed on the light emitting region 20 exposed from the opening 43 through the mask 40. First, the inorganic film 8 is formed on the upper electrode layer 7. The inorganic film 8 is formed by, for example, a CVD method. The mask 40 used for forming the inorganic film 8 and the mask 40 used for forming the organic film 9 may be the same mask or different masks.

次に、無機膜8上に、有機膜9が形成される。有機膜9は、紫外線硬化性を有するアクリル樹脂で形成される。有機膜9の形成方法は特に限定されない。例えば、スピンコート法や吹き付け法等で無機膜8上にアクリル樹脂を塗布し、塗布されたアクリル樹脂への紫外線照射によって当該樹脂を硬化させることで、有機膜9が形成される。   Next, an organic film 9 is formed on the inorganic film 8. The organic film 9 is formed of an acrylic resin having ultraviolet curing properties. The method for forming the organic film 9 is not particularly limited. For example, the organic film 9 is formed by applying an acrylic resin on the inorganic film 8 by spin coating or spraying, and curing the resin by irradiating the applied acrylic resin with ultraviolet rays.

続いて、有機膜9上に、再び無機膜8がCVD法、スパッタ法等により形成される。これにより、基板Wの発光領域20上に、無機膜8と有機膜9とが交互に積層された3層構造の保護膜Pが形成される。有機膜9は、平坦化層としての機能を有し、これにより無機膜8のカバレッジ性を高めることが可能となる。   Subsequently, an inorganic film 8 is formed again on the organic film 9 by CVD, sputtering, or the like. Thereby, a protective film P having a three-layer structure in which the inorganic films 8 and the organic films 9 are alternately stacked is formed on the light emitting region 20 of the substrate W. The organic film 9 has a function as a flattening layer, which can improve the coverage of the inorganic film 8.

なお、無機膜8と有機膜9とが別個のチャンバ内で成膜される際は、それぞれのチャンバ内に配置されたマスク載置装置等に、同一の形状のマスク40を配置することで、保護膜Pを形成することができる。 In addition, when the inorganic film 8 and the organic film 9 are formed in separate chambers, the mask 40 having the same shape is arranged on the mask placing device or the like arranged in each chamber, The protective film P can be formed.

最後に、保護膜Pが積層された基板Wを、複数の素子領域10に分離し、発光素子1を作製する。   Finally, the substrate W on which the protective film P is stacked is separated into a plurality of element regions 10 to manufacture the light emitting element 1.

(分離工程例)
成膜工程を行ったチャンバから基板Wを取り出し、スクライブラインLに沿ってX軸方向及びY軸方向に素子領域10を分離する。分離の方法としては、ダイシングソー、レーザを用いた加工技術、ドライエッチング等が挙げられるが、これに限られない。この工程によって、発光素子1が製造される。
(Example of separation process)
The substrate W is taken out from the chamber in which the film formation process has been performed, and the element region 10 is separated along the scribe line L in the X-axis direction and the Y-axis direction. Examples of the separation method include, but are not limited to, a dicing saw, a processing technique using a laser, and dry etching. Through this step, the light emitting element 1 is manufactured.

以上のような構成の発光素子1は、端面の揃った無機膜8と有機膜9とからなる保護膜Pを有する。これは、マスク40がY軸方向に沿って延びる広い開口部43を有することによって、熱変形等による開口部43の歪みが少ないため、無機膜8と有機膜9との成膜領域の形状をほぼ一定に保持することができるためである。このような保護膜Pによって、発光層5への水分、酸素等の侵入を抑制することができ、不具合が少なく、寿命が長い発光素子1を製造することが可能となる。   The light-emitting element 1 having the above-described configuration has a protective film P composed of an inorganic film 8 and an organic film 9 with uniform end faces. This is because, since the mask 40 has the wide opening 43 extending along the Y-axis direction, the deformation of the opening 43 due to thermal deformation or the like is small, so the shape of the film formation region of the inorganic film 8 and the organic film 9 is reduced. This is because it can be held almost constant. Such a protective film P can suppress intrusion of moisture, oxygen, and the like into the light emitting layer 5, and it is possible to manufacture the light emitting element 1 with few defects and a long lifetime.

一方、個々の素子領域に対応する複数の矩形の開口を有するマスクでは、熱変形等による開口の歪みが生じやすく、所望の領域に成膜することができなかった。特に、基板が大型化した際は1枚の基板に含まれる素子領域の数も多くなるため、上記マスクでは開口部が多く必要となる。また、大型化による熱変形の影響をより受けやすくなる。このため、上記マスクでは基板の大型化に対応することができなかった。さらに、上記マスクに開口の歪みが生じた場合や、CVDプロセスを実施した後のクリーニングガスとして用いられる NFガスによってマスクに腐食が生じた場合は、マスク全体を交換しなければならず、費用の負担も大きかった。 On the other hand, in a mask having a plurality of rectangular openings corresponding to individual element regions, distortion of the openings due to thermal deformation or the like is likely to occur, and a film cannot be formed in a desired region. In particular, when the substrate is increased in size, the number of element regions included in one substrate is increased, so that the mask requires many openings. Moreover, it becomes more susceptible to thermal deformation due to the increase in size. For this reason, the mask cannot cope with the increase in size of the substrate. Furthermore, when the opening of the mask is distorted or when the NF 3 gas used as a cleaning gas after the CVD process is corroded, the entire mask must be replaced. The burden of was also heavy.

本実施形態に係るマスク40を用いた場合は、開口部43が複数の素子領域10に対応し、かつ熱変形等による開口部43の歪みが少ないため、基板の大型化にも十分対応することが可能である。また、枠体41とバー42とが別部材で構成されているため、必要なバー42のみ交換することができ、費用の負担を抑えることができる。   When the mask 40 according to this embodiment is used, the opening 43 corresponds to the plurality of element regions 10 and the opening 43 is less distorted due to thermal deformation or the like. Is possible. In addition, since the frame body 41 and the bar 42 are formed of different members, only the necessary bar 42 can be exchanged, and the cost burden can be suppressed.

また、マスク40は、広い開口部43を有するため、個々の素子領域10を基板W上に効率よく配置することができる。このため、複数の矩形の開口を有するマスクと比較して、1枚の基板Wから多くの発光素子1を分離することが可能となり、各々の発光素子1を低コストに作製することが可能となる。   Further, since the mask 40 has the wide opening 43, the individual element regions 10 can be efficiently arranged on the substrate W. For this reason, as compared with a mask having a plurality of rectangular openings, it becomes possible to separate many light emitting elements 1 from one substrate W, and it is possible to manufacture each light emitting element 1 at low cost. Become.

以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、本発明の技術的思想に基づいて種々の変形が可能である。   The embodiment of the present invention has been described above, but the present invention is not limited to this, and various modifications can be made based on the technical idea of the present invention.

以上の実施形態では、平坦な基板2上に発光層5等を積層したが、これに限られない。例えば、基板2上に複数の凹部を形成し、その凹部に発光層5等が形成される構造とすることもできる。また、基板2には、必要に応じて図示しない駆動回路等を形成することも可能である。   In the above embodiment, the light emitting layer 5 and the like are stacked on the flat substrate 2, but the present invention is not limited to this. For example, a structure in which a plurality of recesses are formed on the substrate 2 and the light emitting layer 5 or the like is formed in the recesses can be employed. In addition, a drive circuit (not shown) or the like can be formed on the substrate 2 as necessary.

また、以上の実施形態において説明した発光素子1は、保護膜Pの上にさらにガラス層、透明フィルム等を形成することができる。この構造によって、発光素子1を、例えばタッチパネル等に使用される表示装置として用いることができる。   Moreover, the light emitting element 1 demonstrated in the above embodiment can form a glass layer, a transparent film, etc. on the protective film P further. With this structure, the light emitting element 1 can be used as a display device used for a touch panel, for example.

1・・・発光素子
3・・・下部電極層
5・・・発光層
7・・・上部電極層
8・・・無機膜
9・・・有機膜
10・・・素子領域
20・・・発光領域
30・・・配線領域
40・・・マスク
42・・・バー(遮蔽部)
43・・・開口部
W・・・基板
P・・・保護膜
L・・・スクライブライン
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light emitting element 3 ... Lower electrode layer 5 ... Light emitting layer 7 ... Upper electrode layer 8 ... Inorganic film 9 ... Organic film 10 ... Element region 20 ... Light emitting region 30 ... Wiring area 40 ... Mask 42 ... Bar (shielding part)
43 ... opening W ... substrate P ... protective film L ... scribe line

Claims (6)

発光領域と、前記発光領域と第1の軸方向に隣接する配線領域とをそれぞれ含む複数の素子領域が、前記第1の軸方向と前記第1の軸方向に直交する第2の軸方向とにそれぞれ配列された基板を作製し、
前記第2の軸方向に延在し前記第1の軸方向に配列された直線的な複数の遮蔽部と、前記複数の遮蔽部間に形成された複数の開口部とを有するマスクを、前記複数の遮蔽部が前記複数の素子領域各々の前記配線領域を被覆し、前記複数の開口部から前記複数の素子領域各々の前記発光領域が露出するように、前記基板に対向して配置し、
前記マスクを介して、前記基板上に異種材料の積層構造を有する保護膜を成膜し、
前記基板を、前記素子領域毎に分離する
発光素子の製造方法。
A plurality of element regions each including a light emitting region and a wiring region adjacent to the light emitting region in the first axial direction include a first axial direction and a second axial direction orthogonal to the first axial direction. A substrate arranged in each is manufactured,
A mask having a plurality of linear shielding portions extending in the second axial direction and arranged in the first axial direction, and a plurality of openings formed between the plurality of shielding portions; A plurality of shielding portions cover the wiring regions of each of the plurality of element regions, and are disposed to face the substrate such that the light emitting regions of the plurality of element regions are exposed from the plurality of openings.
Forming a protective film having a laminated structure of different materials on the substrate through the mask,
A method for manufacturing a light-emitting element, wherein the substrate is separated for each element region.
請求項1に記載の発光素子の製造方法であって、
前記保護膜の成膜工程は、無機膜と有機膜とを交互に成膜することを含む
発光素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the light emitting element according to claim 1,
The step of forming the protective film includes alternately forming an inorganic film and an organic film.
請求項2に記載の発光素子の製造方法であって、
前記無機膜は、シリコン化合物からなる
発光素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the light emitting element according to claim 2,
The inorganic film is made of a silicon compound.
請求項3に記載の発光素子の製造方法であって、
前記シリコン化合物は、シリコン窒化物,シリコン酸窒化物,シリコン酸化物の少なくとも一つを含む
発光素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the light emitting element according to claim 3,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the silicon compound includes at least one of silicon nitride, silicon oxynitride, and silicon oxide.
請求項2に記載の発光素子の製造方法であって、
前記有機膜は、アクリル樹脂またはポリウレア樹脂からなる
発光素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the light emitting element according to claim 2,
The method for manufacturing a light emitting device, wherein the organic film is made of an acrylic resin or a polyurea resin.
請求項5に記載の発光素子の製造方法であって、
前記アクリル樹脂は、紫外線硬化性を有する
発光素子の製造方法。
It is a manufacturing method of the light emitting element according to claim 5,
The said acrylic resin is a manufacturing method of the light emitting element which has ultraviolet curing property.
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