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KR20140016200A - Liquid crystal display device - Google Patents

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KR20140016200A
KR20140016200A KR1020130089865A KR20130089865A KR20140016200A KR 20140016200 A KR20140016200 A KR 20140016200A KR 1020130089865 A KR1020130089865 A KR 1020130089865A KR 20130089865 A KR20130089865 A KR 20130089865A KR 20140016200 A KR20140016200 A KR 20140016200A
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KR
South Korea
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tft substrate
slit
shielding metal
black matrix
liquid crystal
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KR1020130089865A
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Korean (ko)
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KR101439046B1 (en
Inventor
쇼우 야나기사와
Original Assignee
가부시키가이샤 재팬 디스프레이
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
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Publication date
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Abstract

본 발명의 과제는 기판의 단부에까지 블랙 매트릭스를 형성함으로써 화면 주변에서의 콘트라스트의 열화를 방지하는 구성의 신뢰성을 손상시키는 일 없이 실현한다. 대향 기판의 단부에까지 블랙 매트릭스(202)를 형성한다. 대향 기판과 블랙 매트릭스(202)의 계면으로부터 침입하는 수분 등을 차단하기 위해, 시일재(20)의 주변에 블랙 매트릭스(202)가 없는 영역인 BM 슬릿(2021)을 형성한다. BM 슬릿(2021)으로부터 광이 누설되어 오는 것을 방지하기 위해, TFT 기판측에 인출 배선(12)과는 다른 층으로, 차광 금속(142)을 형성한다. 이에 의해, 전체 둘레에서, BM 슬릿(2021)으로부터 누설되어 오는 광을 차단할 수 있어, 화면 주변의 콘트라스트의 열화를 방지할 수 있다.The object of the present invention is achieved by forming a black matrix on the edge of the substrate without impairing the reliability of the structure for preventing deterioration of the contrast around the screen. The black matrix 202 is formed to the end portion of the counter substrate. A BM slit 2021 which is a region where the black matrix 202 is not present is formed in the periphery of the sealing material 20 in order to block moisture and the like intruding from the interface between the counter substrate and the black matrix 202. [ Shielding metal 142 is formed on the TFT substrate side in a layer different from that of the lead wiring 12 in order to prevent light from leaking from the BM slit 2021. [ Thereby, light leaked from the BM slit 2021 can be blocked at the entire periphery, and deterioration of the contrast around the screen can be prevented.

Description

액정 표시 장치{LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE}[0001] LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE [0002]

본 발명은 표시 장치에 관한 것으로, 특히 화면 주변에서도 광 누설이 적고, 고콘트라스트를 실현 가능한 액정 표시 장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a display device, and more particularly, to a liquid crystal display device capable of realizing high contrast with less leakage of light even in the periphery of a screen.

액정 표시 장치에서는 화소 전극 및 박막 트랜지스터(TFT) 등을 갖는 화소가 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, TFT 기판에 대향하여, TFT 기판의 화소 전극과 대응하는 장소에 컬러 필터 등이 형성된 대향 기판이 배치되고, TFT 기판과 대향 기판 사이에 액정이 끼움 지지되어 있다. 그리고 액정 분자에 의한 광의 투과율을 화소마다 제어함으로써 화상을 형성하고 있다.In a liquid crystal display device, a TFT substrate in which pixels having pixel electrodes and thin film transistors (TFT) are formed in a matrix form and a counter substrate on which a color filter and the like are formed is disposed in a position corresponding to the pixel electrodes of the TFT substrate And the liquid crystal is sandwiched between the TFT substrate and the counter substrate. And the image is formed by controlling the transmittance | permeability of the light by a liquid crystal molecule for every pixel.

액정 표시 장치는 편평하고 경량이므로, 다양한 분야에서 용도가 확대되고 있다. 휴대 전화나 DSC(Digital Still Camera) 등에는, 소형의 액정 표시 장치가 널리 사용되고 있다. 액정 표시 패널은 스스로는 발광하지 않으므로, 백라이트가 필요하다. 흑색 표시일 때에 백라이트로부터의 광을 충분히 차광하지 않으면 화면의 콘트라스트의 열화를 초래한다.Since the liquid crystal display device is flat and lightweight, its application in various fields is expanding. BACKGROUND ART Small liquid crystal displays are widely used in mobile phones, digital still cameras (DSCs), and the like. Since the liquid crystal display panel does not emit light by itself, a backlight is required. If the light from the backlight is not sufficiently shielded at the time of black display, the contrast of the screen is deteriorated.

콘트라스트의 향상을 위해, 표시 영역 부근에서는, 차광막이나 블랙 매트릭스를 사용하는 등 다양한 고안이 이루어져 있다. 그러나, 액정 표시 패널의 단면 부근에서는, 높은 신뢰성을 갖고, 차광막을 형성하는 것이 어려우므로, 화면 주변에서의 백라이트로부터의 광 누설이 문제가 되고 있다. 이와 같은 화면 주변에서의 백라이트로부터의 광 누설을 대책하기 위해, 액정 표시 패널의 단부에까지, 차광성의 시일재를 형성하는 구성이 「특허문헌 1」에 기재되어 있다.In order to improve the contrast, various designs have been made in the vicinity of the display area, such as using a light-shielding film or a black matrix. However, in the vicinity of the cross section of the liquid crystal display panel, since it is difficult to form a light-shielding film with high reliability, light leakage from the backlight in the periphery of the screen becomes a problem. In order to counter the light leakage from the backlight in the periphery of such a screen, a structure for forming a light-shielding seal material up to the end of the liquid crystal display panel is described in Patent Document 1. [

한편, 액정 표시 장치의 신뢰성을 향상시키기 위해서는, 액정이 봉입된 내부와 외부를 차단하는 시일부의 신뢰성이 중요하다. 화소에 주사 신호나 영상 신호를 부여하기 위한 인출선은 내부로부터 시일부를 통과하여 외부로 연장된다. 이때, 인출선이 존재하는 부분과 존재하지 않는 부분에서, TFT 기판과 대향 기판과의 간격이 서로 다르다. 이 간격을 균일하게 하기 위해, 인출선 이외의 부분에 더미의 금속을 배치하는 경우가 있다.On the other hand, in order to improve the reliability of the liquid crystal display device, the reliability of the sealing portion that blocks the inside and outside of the liquid crystal sealed is important. An outgoing line for giving a scanning signal or a video signal to the pixel extends from the inside through the sealing portion to the outside. At this time, the distance between the TFT substrate and the counter substrate differs between the portion where the lead line exists and the portion where the lead line does not exist. In order to make the gap uniform, a dummy metal may be disposed at a portion other than the lead line.

「특허문헌 2」에는 더미의 금속을 전부 형성하는 것이 아니라, 금속간에 슬릿을 형성함으로써, 정전기가 생겼을 때의 영향을 작게 하고, 또한, 슬릿을 통해 시일재의 결함을 발견할 수 있는 구성이 기재되어 있다.Patent Document 2 discloses a structure in which the effect of static electricity is reduced by forming a slit between the metals rather than forming the entire dummy metal, and a defect of the sealing material can be found through the slit have.

일본 특허 출원 공개 제2012-32506호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2012-32506 일본 특허 출원 공개 제2005-283862호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2005-283862

도 15는, 종래의 액정 표시 장치에서, 화면 주변으로부터 백라이트로부터의 광이 누설되어, 화면 주변의 콘트라스트를 저하시키는 메커니즘을 기재한 단면 모식도이다. 도 15에 있어서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)이 시일재(20)에 의해 접착하고, 내부에 액정(300)이 충전되어 있다. 대향 기판(200)에는 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있지만, 블랙 매트릭스(202)는 대향 기판(200)의 단부에까지 형성하면, 블랙 매트릭스(202)의 박리 등의 문제를 발생하므로, 단부에까지는 형성되어 있지 않다. 백라이트로부터의 광의 일부는, TFT 기판(100)에서, 전반사를 반복하면서 TFT 기판(100) 및 대향 기판(200)의 주변으로부터 화면 방향으로 출사한다.Fig. 15 is a schematic cross-sectional view showing a mechanism for reducing the contrast around the screen due to leakage of light from the backlight from the periphery of the screen in the conventional liquid crystal display device. In Fig. 15, the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are bonded by the sealing material 20, and the liquid crystal 300 is filled in the inside. The black matrix 202 is formed on the counter substrate 200. However, if the black matrix 202 is formed up to the end of the counter substrate 200, problems such as peeling of the black matrix 202 occur, . A part of the light from the backlight is emitted in the screen direction from the periphery of the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 while repeating total reflection on the TFT substrate 100. [

액정 표시 패널은 플랜지(401)를 갖는 프레임(400)에 의해 수용되어 있지만, 어떤 각도로 대향 기판(200)에 입사하는 광은 화면 방향으로 출사하고, 콘트라스트를 저하시키게 된다. 이를 방지하기 위해서는, 대향 기판(200)의 단부에까지, 블랙 매트릭스(202)를 형성하는 것이 바람직하다. 그러나, 액정 표시 패널은, 다수의 액정 표시 패널을 형성한 마더 기판으로부터 스크라이빙 등에 의해, 개별적으로 분리한다. 따라서, 액정 표시 패널의 단부는 기계적인 스트레스를 받기 때문에, 블랙 매트릭스(202)를 단부에까지 형성하면, 대향 기판(200)의 단부에서의 블랙 매트릭스(202)가 박리되기 쉬워진다고 하는 문제가 발생한다.Although the liquid crystal display panel is accommodated by the frame 400 having the flange 401, the light incident on the counter substrate 200 at an angle is emitted in the screen direction, and the contrast is lowered. In order to prevent this, it is preferable to form the black matrix 202 up to the end of the counter substrate 200. [ However, the liquid crystal display panel is separately separated from the mother substrate on which a plurality of liquid crystal display panels are formed by scribing or the like. Therefore, since the end portion of the liquid crystal display panel is subjected to mechanical stress, there arises a problem that when the black matrix 202 is formed to the end portion, the black matrix 202 at the end portion of the counter substrate 200 is easily peeled off .

블랙 매트릭스(202)가 대향 기판(200)의 단부에서, 박리되거나 하면, 이 부분으로부터 수분이 침입하고, 이것이 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면을 거쳐서 액정 표시 패널의 시일부의 내부에까지 침입하고, 액정 표시 장치의 신뢰성을 손상시킨다. 도 16은, 외부로부터 수분 등이 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면을 거쳐서 시일부의 내부에까지 침입하는 모습을 화살표에 의해 나타내고 있다.When the black matrix 202 is peeled off from the end of the counter substrate 200, moisture enters the black matrix 202 and the liquid crystal enters the seal portion of the liquid crystal display panel through the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 And the liquid crystal display device is damaged. 16 shows a state in which water or the like penetrates into the inside of the seal portion through the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 by the arrows.

도 16에 있어서, TFT 기판(100)에는 게이트 절연막(102), 패시베이션막(106), 층간 절연막(108)이 적층되고, 대향 기판(200)측에는 블랙 매트릭스(202)와 오버코트막(203)이 적층되어 있다. TFT 기판(100)과 대향 기판(200)은 시일재(20)에 의해 접착하고, 시일재(20) 내부에 액정층(300)이 밀봉되어 있다. 도 16에서의 화살표는, 외부로부터의 수분이 시일재(20) 내부의 액정층(300)에까지 침입하는 모습을 모식적으로 도시하고 있다.16, a gate insulating film 102, a passivation film 106 and an interlayer insulating film 108 are laminated on the TFT substrate 100, and a black matrix 202 and an overcoat film 203 are formed on the counter substrate 200 side Respectively. The TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are adhered to each other by the sealing material 20 and the liquid crystal layer 300 is sealed inside the sealing material 20. The arrows in FIG. 16 schematically show how moisture from the outside penetrates into the liquid crystal layer 300 inside the sealing material 20.

도 17은 이 문제를 방지하기 위한 구성을 도시하는 액정 표시 패널의 단면도이다. 도 17에 있어서, 대향 기판(200)에 형성된 블랙 매트릭스(202)는 단부에까지 형성되어 있지만, 시일재(20)의 외측에서, BM 슬릿(2021)에 의해 외측과 내측으로 분단되어 있다. 이와 같은 구성이면, 대향 기판(200)의 단부에서, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200) 사이로부터 침입한 수분 등은, 이 BM 슬릿(2021)에서 차단되고, 그보다도 내부에는 침입하지 않게 된다. 따라서, 도 17에 도시하는 구성은, 액정 표시 패널의 신뢰성을 향상시킬 수 있다.17 is a cross-sectional view of a liquid crystal display panel showing a configuration for preventing this problem. 17, the black matrix 202 formed on the counter substrate 200 is formed to the end, but is separated from the outside of the sealing material 20 by the BM slit 2021 outwardly and inwardly. With such a configuration, moisture and the like penetrating from between the black matrix 202 and the counter substrate 200 at the end of the counter substrate 200 are blocked by the BM slit 2021, do. Therefore, the configuration shown in Fig. 17 can improve the reliability of the liquid crystal display panel.

도 18은, 이와 같은 구성을 갖는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 18에 있어서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 겹친 영역에 표시 영역(10)이 형성되어 있다. TFT 기판(100)은 대향 기판(200)보다도 크게 형성되어 있고, TFT 기판(100)이 1매로 된 부분은 단자부(30)이고, 이 부분에 액정 표시 장치를 구동하는 IC 드라이버(40)가 탑재되어 있다. 또한, 단자부(30)의 단부에는, 액정 표시 패널에 전원이나 주사 신호, 영상 신호 등을 공급하기 위한, 도시하지 않은 플렉시블 배선 기판이 접속된다.Fig. 18 is a plan view of a liquid crystal display device having such a structure. In Fig. 18, a display region 10 is formed in a region where the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped. The TFT substrate 100 is formed to be larger than the counter substrate 200. The portion where the TFT substrate 100 is formed in one piece is the terminal portion 30 and the IC driver 40 for driving the liquid crystal display device is mounted on this portion . A flexible wiring board (not shown) is connected to the end of the terminal portion 30 for supplying power, a scanning signal, a video signal, and the like to the liquid crystal display panel.

도 18에 있어서, 시일재(20)로 둘러싸인 영역에 표시 영역(10)이 형성되어 있다. 대향 기판(200)의 내측에는, 블랙 매트릭스(202)가 시일재(20)의 외측으로 연장되고, 단부에까지 형성되어 있다. 시일재(20)의 외측에서, 블랙 매트릭스(202)에는 틀 형상으로 BM 슬릿(2021)이 형성되고, 블랙 매트릭스(202)의 단부로부터 침입하는 수분 등을 이 BM 슬릿(2021)에서 차단한다.In Fig. 18, a display region 10 is formed in an area surrounded by the sealing material 20. Fig. On the inside of the counter substrate 200, a black matrix 202 extends to the outside of the sealing material 20 and is formed to the end. A BM slit 2021 is formed in a frame shape on the outside of the sealant 20 and a water or the like penetrating from the end of the black matrix 202 is blocked by the BM slit 2021. [

이 구성에서, BM 슬릿(2021) 부분은 차광할 수 없으므로, 백라이트로부터의 광이 BM 슬릿(2021)을 통하여 화면에 누설되어 온다. 이 BM 슬릿(2021)으로부터의 광 누설을 방지하기 위해, TFT 기판측에, BM 슬릿(2021)에 대응하도록, 금속에 의한 차광막이 형성되어 있다. 이 금속은 게이트 전극층과 동시에 형성되는 경우도 있고, 드레인 전극층과 동시에 형성되는 경우도 있다.In this configuration, since the portion of the BM slit 2021 can not be shielded, light from the backlight is leaked to the screen through the BM slit 2021. In order to prevent light leakage from the BM slit 2021, a light shielding film made of metal is formed on the TFT substrate side so as to correspond to the BM slit 2021. This metal may be formed simultaneously with the gate electrode layer or may be formed simultaneously with the drain electrode layer.

이와 같이 하여, BM 슬릿(2021)을 TFT 기판(100)측으로부터 차광한 상태를 도 19의 단면도에 도시한다. 도 19의 예는, 차광 금속(14)은 드레인층과 동시에 형성된 금속의 경우이다. 백라이트로부터의 광은, 차광 금속(14)에 의해 차단되어, BM 슬릿(2021)으로부터 외부로 누설되어 오는 일은 없다. 도 19의 그 밖의 구성은, 도 16 혹은 도 17에서 설명한 바와 마찬이지이다. 도 18 및 도 19에 도시하는 바와 같이, 차광 금속(14)의 폭은 BM 슬릿(2021)의 폭보다도 크게 형성되어 있다.19 shows a state in which the BM slit 2021 is shielded from the TFT substrate 100 side in this way. In the example of Fig. 19, the light shielding metal 14 is a metal formed simultaneously with the drain layer. Light from the backlight is blocked by the shielding metal 14 and does not leak to the outside from the BM slit 2021. [ The other configuration of FIG. 19 is the same as that described in FIG. 16 or 17. As shown in Figs. 18 and 19, the width of the light shielding metal 14 is formed larger than the width of the BM slit 2021. [

도 18에 도시하는 바와 같이, 액정 표시 패널에서, 인출선(11)이 형성되어 있지 않은 3변은 차광 금속(14)에 의해, 백라이트로부터의 광을 차광할 수 있지만, 인출선(11)이 존재하는 변은, 마찬가지의 차광 금속(14)을 형성할 수는 없다. 즉, 종래, 차광 금속(14)은 게이트층 혹은 드레인층과 동시에 형성되어 있었지만, 인출선(11)이 존재하고 있는 부분은 인출선(11)이, 차광 금속(14)에 의해 쇼트될 가능성이 있기 때문이다. 여기서, 인출선(11)이란, 표시 영역(10)에서의 주사선, 영상 신호선(드레인선), 커먼선 등과, 단자부(30)에 배치된 IC 드라이버(40) 등을 접속하기 위한 배선이다.18, in the liquid crystal display panel, the three sides on which the lead wires 11 are not formed can shield the light from the backlight by the shielding metal 14, but the lead wires 11 The existing side can not form the same light shielding metal 14. That is, although the shielding metal 14 has been formed at the same time as the gate layer or the drain layer, the possibility that the lead wire 11 is short-circuited by the shielding metal 14 It is because. The lead wires 11 are wirings for connecting the scanning lines, the video signal lines (drain wires), the common wires and the like in the display area 10 and the IC driver 40 arranged in the terminal portion 30 and the like.

도 20은 인출선(11)이 존재하고 있는 부분인 도 18의 F부의 확대도이고, 도 20의 (a)는 TFT 기판(100)에서의 인출선의 부분의 확대 평면도이고, 도 20의 (b)는 대향 기판(200)에서의 블랙 매트릭스(202)와 BM 슬릿(2021)의 상태를 도시하는 확대 평면도이다. 도 20의 (c)는 TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 경우의 BM 슬릿(2021) 부근에서의 평면도이다. 도 20의 (c)에서, BM 슬릿(2021)에서, 인출선(11)이 존재하고 있는 부분은 차광되어 있지만, 인출선(11)이 존재하고 있지 않은 부분 T는, 백라이트로부터의 광이 투과한다. 따라서, 화면 주변에서 콘트라스트가 저하되게 된다.Fig. 20 is an enlarged view of a portion F in Fig. 18 where the lead line 11 is present, Fig. 20 (a) is an enlarged plan view of a lead line portion in the TFT substrate 100, Is an enlarged plan view showing the state of the black matrix 202 and the BM slit 2021 in the counter substrate 200. FIG. 20C is a plan view of the vicinity of the BM slit 2021 when the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other. 20C, in the BM slit 2021, the portion where the lead line 11 is present is shielded, but the portion T in which the lead line 11 is not present is a portion where the light from the backlight is transmitted do. Therefore, the contrast is lowered around the screen.

본 발명의 과제는, 도 18에서의 인출선(11)이 존재하고 있는 부분에서도, 백라이트로부터의 광의 차광을 가능하게 하고, 화면 주변에서의 콘트라스트의 열화를 방지하는 것이다.The object of the present invention is to make it possible to shield light from the backlight even at the portion where the lead line 11 exists in Fig. 18, thereby preventing deterioration of the contrast around the screen.

본 발명은 상기 문제를 극복하는 것이며, 구체적인 수단은 다음과 같다.The present invention overcomes the above problems, and the specific means are as follows.

(1) TFT와 화소 전극을 갖는 화소가 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, 컬러 필터와 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판이 시일재에 의해 접착하고, 내부에 액정이 끼움 지지된 액정 표시 장치로서, 상기 대향 기판에는 단부에까지 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 블랙 매트릭스는 시일재의 외측에서, 소정의 폭 wb를 갖고 블랙 매트릭스가 없는 영역인 BM 슬릿이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 상기 TFT 기판에는, 상기 BM 슬릿과 대향하는 장소에 소정의 폭 wm을 갖고 차광 금속이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 상기 폭 wm > 상기 폭 wb인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.(1) A liquid crystal display device in which a TFT substrate in which pixels each having a TFT and a pixel electrode are formed in a matrix form, an opposing substrate on which a color filter and a black matrix are formed are adhered by a sealing material and a liquid crystal is interposed therebetween, Wherein a black matrix is formed on an edge of the substrate, the BM matrix having a predetermined width wb and having no black matrix is formed over the entire periphery of the sealing material, and the TFT substrate is provided with a BM slit Wherein the light-shielding metal has a predetermined width wm at an opposed location and is formed over the entire circumference, and the width wm is the width wb.

(2) TFT와 화소 전극을 갖는 화소가 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, 컬러 필터와 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판이 시일재에 의해 접착하고, 내부에 액정이 끼움 지지된 액정 표시 장치로서, 상기 TFT 기판과 상기 대향 기판이 겹친 부분에 표시 영역이 형성되고,(2) A liquid crystal display device in which a TFT substrate in which pixels having TFTs and pixel electrodes are formed in a matrix shape, an opposing substrate on which a color filter and a black matrix are formed are adhered to each other with a sealing material, A display region is formed at a portion where the substrate and the counter substrate overlap,

상기 TFT 기판은 상기 대향 기판보다도 크고, 상기 TFT 기판이 1매로 되어 있는 부분은 단자부로 되어 있고, 상기 단자부에는, 상기 표시 영역에서의 배선과 접속하는 인출선이 형성되어 있고, 상기 대향 기판에는 단부에까지 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 블랙 매트릭스는 시일재의 외측에서, 소정의 폭 wb를 갖고 블랙 매트릭스가 없는 영역인 BM 슬릿이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 상기 TFT 기판에는, 상기 BM 슬릿과 대향하는 장소이며, 또한, 상기 인출 배선과는 다른 층에 소정의 폭 wm을 갖고 차광 금속이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고, 상기 폭 wm > 상기 폭 wb인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.Wherein the TFT substrate is larger than the counter substrate, the portion where the TFT substrate is a single piece is a terminal portion, the terminal portion is provided with a lead line connected to the wiring in the display region, And the black matrix is formed on the outer side of the sealing material so that a BM slit having a predetermined width wb and having no black matrix is formed over the entire circumference, and the TFT substrate is provided with a black matrix And the light-shielding metal is formed over the entire circumference with a predetermined width wm in the layer different from the drawing wiring, and the width wm is the width wb.

본 발명에 따르면, 블랙 매트릭스를 주변에까지 형성할 수 있으므로, 화면 주변에서의 백라이트의 광 누설을 방지하여, 화면 주변에서의 콘트라스트를 향상시킬 수 있다. 또한, 본 발명에서는, 시일의 신뢰성을 향상시키기 위해, 시일재의 외측으로 BM 슬릿을 형성하지만, TFT 기판에 형성한 차광 금속에 의해, 전체 둘레에 걸쳐서 BM 슬릿을 차광할 수 있어, 화면 전체면에 걸쳐 콘트라스트를 향상시킬 수 있다.According to the present invention, since the black matrix can be formed up to the periphery, the light leakage of the backlight around the screen can be prevented, and the contrast around the screen can be improved. Further, in the present invention, the BM slit is formed outside the seal member to improve the reliability of the seal, but the BM slit can be shielded over the entire periphery by the shielding metal formed on the TFT substrate, The contrast can be improved.

도 1은 커먼 톱 방식의 IPS-PRO의 단면 구조이다.
도 2는 IPS-LITE의 단면 구조이다.
도 3은 제1 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 4는 제1 실시예의 A부의 확대도이다.
도 5는 제2 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 6은 제2 실시예의 B부의 확대도이다.
도 7은 제3 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 8은 제3 실시예의 C부의 확대도이다.
도 9는 제4 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 10은 제4 실시예의 D부의 확대도이다.
도 11은 제5 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 12는 제5 실시예의 E부의 확대도이다.
도 13은 제6 실시예의 시일부의 단면도이다.
도 14는 제6 실시예를 도시하는 평면도이다.
도 15는 종래예에서의 문제점을 도시하는 단면 모식도이다.
도 16은 다른 종래예에서의 문제점을 도시하는 단면 모식도이다.
도 17은 도 16의 문제점을 대책하는 구성을 도시하는 단면도이다.
도 18은 종래예의 평면도이다.
도 19는 종래예의 문제점의 일부를 대책하는 단면도이다.
도 20은 도 18에 도시하는 종래예의 문제점을 도시하는 확대도이다.1 is a cross-sectional view of a common top type IPS-PRO.
2 is a sectional view of the IPS-LITE.
3 is a plan view showing the first embodiment.
4 is an enlarged view of part A of the first embodiment.
5 is a plan view showing the second embodiment.
6 is an enlarged view of a portion B of the second embodiment.
7 is a plan view showing the third embodiment.
8 is an enlarged view of part C of the third embodiment.
Fig. 9 is a plan view showing the fourth embodiment.
10 is an enlarged view of part D of the fourth embodiment.
11 is a plan view showing the fifth embodiment.
Fig. 12 is an enlarged view of part E of the fifth embodiment.
13 is a sectional view of the seal portion of the sixth embodiment.
14 is a plan view showing the sixth embodiment.
15 is a schematic cross-sectional view showing a problem in the conventional example.
16 is a schematic cross-sectional view showing a problem in another conventional example.
17 is a cross-sectional view showing a configuration for countering the problem of Fig.
18 is a plan view of a conventional example.
Fig. 19 is a cross-sectional view for explaining a part of the problem of the conventional example.
20 is an enlarged view showing the problem of the conventional example shown in Fig.

액정 표시 장치에는, IPS(In Plane Swiching) 방식, TN 방식, VA 방식 등이 존재하지만, 본 발명은, 그 어느 쪽에도 적용할 수 있다. 본 발명은, TFT 기판에서, 금속 차광막을 사용하고, 이 금속 차광막은 TFT 기판에 금속에 의해 전극이나 배선을 형성하는 경우에 동시에 형성된다. 따라서, 이후에 있어서의 설명을 위해, 액정 표시 패널의 단면 구조를 설명한다. 액정 표시 장치에는 많은 종류의 방식이 존재하므로, 그 모두를 설명할 수는 없으므로, 대표예로서, 소위 IPS-PRO 방식 및 IPS-LITE 방식의 단면 구조에 대해서 설명한다.The liquid crystal display device includes an IPS (In Plane Swiching) method, a TN method, a VA method, and the like, but the present invention can be applied to either of them. In the present invention, a metal shielding film is used in a TFT substrate, and this metal shielding film is formed at the same time when an electrode or a wiring is formed by a metal on a TFT substrate. Therefore, for the following description, the sectional structure of the liquid crystal display panel will be described. Since there are many kinds of methods in a liquid crystal display device, not all of them can be explained, so that a cross-sectional structure of a so-called IPS-PRO method and an IPS-LITE method is described as a representative example.

도 1은, IPS-PRO라고 불리고 있는 타입의 액정 표시 장치이며, 소위 커먼 톱 타입의 단면도이다. 도 1에 있어서, 글래스로 형성된 TFT 기판(100) 위에 게이트 전극(101)이 형성되고, 이를 덮어서 게이트 절연막(102)이 형성되어 있다. 게이트 전극(101)은 Al 합금, MoW 합금 혹은 MoCr 합금, 혹은 그들의 적층막에 의해 형성된다. 게이트 절연막(102)을 사이에 두고 게이트 전극(101)의 상방에 반도체층(103)이 형성되어 있다. 반도체층(103) 위에는, 드레인 전극(104)과 소스 전극(105)이 채널 영역을 사이에 두고 대향하여 형성되어 있다. 드레인 전극(104)은 도시하지 않은 장소에서, 영상 신호선(드레인선)(133)과 접속하고 있다. 드레인 전극(104) 및 소스 전극(105)은 Al 합금, MoW 합금 혹은 MoCr 합금, 혹은 그들의 적층막에 의해 형성된다.1 is a cross-sectional view of a so-called common top type liquid crystal display device of a type called IPS-PRO. In FIG. 1, a gate electrode 101 is formed on a TFT substrate 100 formed of glass, and a gate insulating film 102 is formed to cover the gate electrode 101. The gate electrode 101 is formed of an Al alloy, a MoW alloy, a MoCr alloy, or a laminated film thereof. A semiconductor layer 103 is formed above the gate electrode 101 with the gate insulating film 102 therebetween. On the semiconductor layer 103, a drain electrode 104 and a source electrode 105 are formed so as to face each other with a channel region therebetween. The drain electrode 104 is connected to a video signal line (drain line) 133 at a place not shown. The drain electrode 104 and the source electrode 105 are formed of an Al alloy, a MoW alloy, a MoCr alloy, or a laminated film thereof.

드레인 전극(104)과 소스 전극(105)을 덮어서 SiN 등에 의한 무기 패시베이션막(106)이 형성되어 있다. 무기 패시베이션막(106) 위에는, 평면 전부에 화소 전극(107)이 ITO에 의해 형성되어 있다. 화소 전극(107)과 TFT로부터 연장된 소스 전극(105)은, 무기 패시베이션막(107)에 형성된 쓰루홀을 통해 접속되어 있다. 화소 전극(107) 위에는 층간 절연막(108)이 형성되고, 층간 절연막(108) 위에 슬릿(1091)을 갖는 커먼 전극(109)이 형성되어 있다.An inorganic passivation film 106 of SiN or the like is formed so as to cover the drain electrode 104 and the source electrode 105. [ On the inorganic passivation film 106, a pixel electrode 107 is formed by ITO on the entire plane. The pixel electrode 107 and the source electrode 105 extending from the TFT are connected through a through hole formed in the inorganic passivation film 107. An interlayer insulating film 108 is formed on the pixel electrode 107 and a common electrode 109 having a slit 1091 is formed on the interlayer insulating film 108.

커먼 전극(109)은 화면 전체에 걸쳐, 공통적으로 형성되어 있다. 커먼 전극(109)은 투명 전극인 ITO(Indium Tin Oxide)에 의해 형성되지만, ITO는 전기 저항이 크므로, 커먼 전극(109) 전체를 균일한 전위로 하기 위해, 커먼 전극(109) 위에 저항이 낮은 커먼 금속(110)이, 광이 투과하지 않는 부분으로 형성된다. 본 발명에서는, 이 커먼 금속(110)을 차광 금속으로서 사용하는 경우도 있다. 커먼 금속(110)은 Al 합금, MoW 합금 혹은 MoCr 합금, 혹은 그들의 적층막에 의해 형성된다. 커먼 전극(109) 및 커먼 금속(110)을 덮어서 배향막(111)이 형성되어 있다.The common electrodes 109 are formed in common throughout the screen. Since the common electrode 109 is formed of ITO (Indium Tin Oxide), which is a transparent electrode, the ITO has a large electrical resistance, so that a resistance is applied to the common electrode 109 The low common metal 110 is formed as a portion that does not transmit light. In the present invention, this common metal 110 may be used as a shielding metal. The common metal 110 is formed of an Al alloy, a MoW alloy, a MoCr alloy, or a laminated film thereof. An alignment film 111 is formed covering the common electrode 109 and the common metal 110. [

도 1에 있어서, 액정층(300)을 사이에 두고, 대향 기판(200)이 배치되어 있다. 대향 기판(200)에는 블랙 매트릭스(202)와 컬러 필터(201)가 형성되고, 이들을 덮어서 오버코트막(203)이 형성되어 있다. 오버코트막(203) 위에는, 배향막(111)이 형성되어 있다. 도 1의 TFT 기판(100)에서, 화소 전극(107)에 전압이 인가되면, 커먼 전극(109)과 화소 전극(110) 사이에 전기력선이 발생하고, 액정 분자(301)를 회전시켜 액정(300)의 투과율을 화소마다 제어하고, 화상을 형성한다.In Fig. 1, the counter substrate 200 is disposed with the liquid crystal layer 300 therebetween. A black matrix 202 and a color filter 201 are formed on the counter substrate 200, and an overcoat film 203 is formed to cover them. On the overcoat film 203, an alignment film 111 is formed. When a voltage is applied to the pixel electrode 107 in the TFT substrate 100 shown in Fig. 1, electric lines of force are generated between the common electrode 109 and the pixel electrode 110, and the liquid crystal molecules 301 ) Is controlled for each pixel to form an image.

도 2는, 소위 IPS-LITE라고 불리고 있는 IPS 방식의 액정 표시 장치의 단면도이다. IPS-LITE는 커먼 전극(109)이 최상층에 형성되는 커먼 톱 타입이다. 도 2에 있어서, TFT 기판(100) 위에, 게이트 전극(101), 게이트 절연막(102), 반도체층(103), 드레인 전극(104), 소스 전극(105)이 형성될 때까지는, 앞서 설명한 IPS-PRO 방식과 마찬가지이다. 도 2에 있어서, 드레인 전극(104) 및 소스 전극(105)을 형성 후, 절연막을 개재하지 않고, ITO에 의해 화소 전극(107)이 형성된다.2 is a cross-sectional view of an IPS type liquid crystal display device called IPS-LITE. The IPS-LITE is a common top type in which the common electrode 109 is formed on the uppermost layer. Until the gate electrode 101, the gate insulating film 102, the semiconductor layer 103, the drain electrode 104 and the source electrode 105 are formed on the TFT substrate 100 in FIG. 2, the IPS -PRO method. In Fig. 2, after the drain electrode 104 and the source electrode 105 are formed, the pixel electrode 107 is formed by ITO without interposing an insulating film.

화소 전극(107) 위에는 SiN 등에 의해 무기 패시베이션막(106)이 형성되고, 무기 패시베이션막(106) 위에는 화소 부분에 슬릿(1091)을 갖는 커먼 전극(109)이 형성된다. 커먼 전극(109)은 화면 전체에 공통으로 형성된다. 커먼 전극(109)의 전위를 균일하게 하기 위해, 광이 투과하지 않는 부분의 커먼 전극(109) 위에 커먼 금속(110)이 형성된다. 본 발명에서는, 이 커먼 금속(110)을 차광 금속으로서 사용하는 경우가 있다.An inorganic passivation film 106 is formed on the pixel electrode 107 by SiN or the like and a common electrode 109 having a slit 1091 in the pixel portion is formed on the inorganic passivation film 106. The common electrode 109 is formed in common over the entire screen. In order to make the potential of the common electrode 109 uniform, a common metal 110 is formed on the common electrode 109 at a portion where light is not transmitted. In the present invention, the common metal 110 may be used as a shielding metal.

도 2에 있어서, 액정층(300)을 사이에 두고 대향 기판(200)이 배치되어 있다. 대향 기판(200)의 구성은 도 1에서 설명한 IPS-PRO의 경우와 마찬가지이므로, 설명을 생략한다. 이하에 실시예를 사용해서 본 발명을 상세하게 설명한다.In Fig. 2, the counter substrate 200 is disposed with the liquid crystal layer 300 therebetween. The configuration of the counter substrate 200 is the same as that of the IPS-PRO described in FIG. 1, and therefore, description thereof will be omitted. Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to examples.

<제1 실시예>&Lt; Embodiment 1 >

도 3은 제1 실시예의 구성을 도시하는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 3의 구성은, 인출선(12)이 존재하는 부분을 제외하고는, 도 18의 구성과 마찬가지이다. 즉, 도 3에 있어서, 대향 기판(200)의 단면에까지, 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면으로부터 수분 등이 액정 표시 패널의 내부에 침입하는 것을 방지하기 위해, BM 슬릿(2021)이 시일재(20)의 외측 전체 둘레에 형성되어 있다.3 is a plan view of a liquid crystal display device showing the configuration of the first embodiment. The configuration of Fig. 3 is the same as the configuration of Fig. 18 except for the portion where the lead wire 12 is present. 3, a black matrix 202 is formed up to the end face of the counter substrate 200, and moisture or the like from the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 is formed inside the liquid crystal display panel A BM slit 2021 is formed around the entire outer side of the sealant 20 in order to prevent intrusion.

도 3이 도 18과 다른 것은, 인출선(12)이 형성되어 있는 변에서도, TFT 기판(100)측에 차광 금속(142)이 형성되어 있는 것이다. 도 3의 A부의 확대도를 도 4에 도시한다. 도 4의 (a)는 TFT 기판(100)측에서의 인출선(12) 및 차광 금속(142)의 평면도이고, 도 4의 (b)는 대향 기판(200)의 내측에서의 블랙 매트릭스(202)와 BM 슬릿(2021)을 도시하고, 도 4의 (c)는 TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다.3 is different from Fig. 18 in that the shielding metal 142 is formed on the side of the TFT substrate 100 even at the side where the lead line 12 is formed. An enlarged view of part A in Fig. 3 is shown in Fig. 4A is a plan view of the outgoing line 12 and the shielding metal 142 on the side of the TFT substrate 100. FIG.4B is a plan view of the black matrix 202 and the black matrix 202 on the inside of the counter substrate 200, BM slit 2021, and FIG. 4C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other.

도 4의 (a)에 있어서, 인출선(12)은 게이트 전극과 동일층으로 형성된 게이트 인출선(12)이다. 게이트 인출선(12)을 덮어서, 드레인 전극과 동일층으로 형성된 드레인 차광 금속(142)이 도 4의 (b)에 도시하는 BM 슬릿(2021)에 대응하여 형성되어 있다. 도 4의 (a)에 있어서, 게이트 인출선(12)과 드레인 차광 금속(142)은 게이트 절연막을 사이에 두고 다른 층으로 형성되어 있으므로, 게이트 인출선(12)과 드레인 차광막(142)이 쇼트되는 일은 없다.4 (a), the lead line 12 is a gate lead line 12 formed in the same layer as the gate electrode. The drain shielding metal 142 formed to be the same layer as the drain electrode covering the gate lead-out line 12 is formed corresponding to the BM slit 2021 shown in Fig. 4B. 4 (a), since the gate lead-out line 12 and the drain shielding metal 142 are formed in different layers with the gate insulating film interposed therebetween, the gate lead-out line 12 and the drain shielding film 142 are short- There is nothing to be done.

도 4의 (c)는 BM 슬릿(2021)의 부근에서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다. 도 4의 (c)에 도시하는 바와 같이, BM 슬릿(2021)은 TFT 기판(100)측의 드레인 차광 금속(142)에 의해 아래로부터 덮여져 있으므로, 백라이트로부터의 광이 BM 슬릿(2021)을 통과하는 일은 없다. 드레인 차광 금속(142)의 폭 wm은, BM 슬릿(2021)의 폭 wb보다도 크게 형성되어 있다. BM 슬릿(2021)의 폭 wb는, 예를 들어, 30 내지 50㎛이고, 드레인 차광 금속(142)의 폭 wm은 50 내지 80㎛이다. 이 폭의 예는, 다른 실시예에서도 마찬가지이다.4C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other in the vicinity of the BM slit 2021. FIG. Since the BM slit 2021 is covered from the bottom by the drain shielding metal 142 on the TFT substrate 100 side as shown in FIG. 4C, the light from the backlight passes through the BM slit 2021 There is no passing. The width wm of the drain shielding metal 142 is formed to be larger than the width wb of the BM slit 2021. [ The width wb of the BM slit 2021 is, for example, 30 to 50 占 퐉, and the width wm of the drain shielding metal 142 is 50 to 80 占 퐉. Examples of this width are the same in other embodiments.

이와 같이, 본 실시예에서는 인출선(12)을 게이트 전극과 동일층으로 형성하고, 차광 금속(142)을 드레인 전극층과 동일층으로 형성하므로, 인출선(12)이 형성된 영역에서도, 대향 기판(200)에 형성된 BM 슬릿(2021)을 완전하게 차광할 수 있다. 따라서, 전체 둘레에 걸쳐 콘트라스트가 양호한 화면으로 할 수 있다.As described above, in this embodiment, since the outgoing line 12 is formed in the same layer as the gate electrode and the light shielding metal 142 is formed in the same layer as the drain electrode layer, also in the region where the lead line 12 is formed, 200 can be completely shielded from the BM slit 2021. Therefore, a screen having a good contrast over the entire circumference can be obtained.

<제2 실시예>Second Embodiment

도 5는 제2 실시예의 구성을 도시하는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 5의 구성은, 인출선(13)이 존재하는 부분을 제외하고는, 도 3의 구성과 마찬가지이다. 즉, 도 5에 있어서, 대향 기판(200)의 단부에까지, 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면으로부터 수분 등이 액정 표시 패널의 내부에 침입하는 것을 방지하기 위해, BM 슬릿(2021)이 시일재(20)의 외측 전체 둘레에 형성되어 있다.5 is a plan view of a liquid crystal display device showing the configuration of the second embodiment. The configuration of Fig. 5 is the same as the configuration of Fig. 3 except for the portion where the lead wire 13 is present. 5, a black matrix 202 is formed up to the end of the counter substrate 200, and water or the like is removed from the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 inside the liquid crystal display panel A BM slit 2021 is formed around the entire outer side of the sealant 20 in order to prevent intrusion.

도 5에 있어서도, 도 3과 마찬가지로, 인출선(13)이 형성되어 있는 변에서도, TFT 기판(100)측에 차광 금속(141)이 형성되어 있다. 도 5가 제1 실시예인 도 3과 다른 것은, 인출선(13)과 차광 금속(141)의 관계가 반대로 되어 있는 점이다. 도 5의 B부의 확대도를 도 6에 도시한다. 도 6의 (a)는 TFT 기판(100)측에서의 인출선(13) 및 차광 금속(141)의 평면도이고, 도 6의 (b)는 대향 기판(200)의 내측에서의 블랙 매트릭스(202)와 BM 슬릿(2021)을 도시하고, 도 6의 (c)는 TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다.5, the light shielding metal 141 is formed on the side of the TFT substrate 100 on the side where the lead line 13 is formed as in Fig. 5 differs from that of FIG. 3 in the first embodiment in that the relationship between the lead wire 13 and the light shielding metal 141 is reversed. Fig. 6 is an enlarged view of the portion B in Fig. 6A is a plan view of the lead wire 13 and the shielding metal 141 on the TFT substrate 100 side and FIG. 6B is a plan view of the black matrix 202 and the black matrix 202 on the inside of the counter substrate 200 6B is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other.

도 6의 (a)에 있어서, 인출선(13)은 드레인 전극과 동일층으로 형성된 드레인 인출선(13)이다. 드레인 인출선(13) 아래를 덮고, 게이트 전극과 동일층으로 형성된 게이트 차광 금속(141)이 도 6의 (b)에 도시하는 BM 슬릿(2021)에 대응하여 형성되어 있다. 도 6의 (a)에 있어서, 드레인 인출선(13)과 게이트 차광 금속(141)은 게이트 절연막을 사이에 두고 다른 층으로 형성되어 있으므로, 드레인 인출선(13)과 게이트 차광 금속(141)이 쇼트되는 일은 없다.6 (a), the lead line 13 is a drain lead line 13 formed in the same layer as the drain electrode. A gate shielding metal 141 formed below the drain lead line 13 and formed in the same layer as the gate electrode is formed corresponding to the BM slit 2021 shown in FIG. 6A, since the drain lead-out line 13 and the gate shielding metal 141 are formed of different layers with a gate insulating film interposed therebetween, the drain lead-out line 13 and the gate shielding metal 141 There is no short circuit.

도 6의 (c)는 BM 슬릿(2021)의 부근에서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다. 도 6의 (c)에 도시하는 바와 같이, BM 슬릿(2021)은 TFT 기판(100)측의 게이트 차광 금속(141)에 의해 아래로부터 덮여져 있으므로, 백라이트로부터의 광이 BM 슬릿(2021)을 통과하는 일은 없다. 게이트 차광막(141)의 폭 wm은, BM 슬릿(2021)의 폭 wb보다도 크게 형성되어 있다. BM 슬릿(2021)의 폭 wb는, 예를 들어, 30 내지 50㎛이고, 게이트 차광 금속(141)의 폭 wm은 50 내지 80㎛이다.6C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other in the vicinity of the BM slit 2021. FIG. Since the BM slit 2021 is covered from the bottom by the gate shielding metal 141 on the TFT substrate 100 side as shown in FIG. 6C, the light from the backlight passes through the BM slit 2021 There is no passing. The width wm of the gate shield film 141 is formed to be larger than the width wb of the BM slit 2021. [ The width wb of the BM slit 2021 is, for example, 30 to 50 占 퐉, and the width wm of the gate shielding metal 141 is 50 to 80 占 퐉.

이와 같이, 본 실시예에서는, 인출선(13)을 드레인 전극과 동일층으로 형성하고, 차광 금속(141)을 게이트 전극층과 동일층으로 형성하므로, 인출선(13)이 형성된 영역에서도, 대향 기판(200)에 형성된 BM 슬릿(2021)을 완전하게 차광할 수 있다. 따라서, 전체 둘레에 걸쳐 콘트라스트가 양호한 화면으로 할 수 있다.Thus, in this embodiment, since the outgoing line 13 is formed in the same layer as the drain electrode and the light shielding metal 141 is formed in the same layer as the gate electrode layer, even in the region where the lead line 13 is formed, The BM slit 2021 formed in the lens 200 can be completely shielded. Therefore, a screen having a good contrast over the entire circumference can be obtained.

<제3 실시예>Third Embodiment

도 7은 제3 실시예의 구성을 도시하는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 7의 구성은, 인출선(11)이 존재하는 부분을 제외하고는, 도 3의 구성과 마찬가지이다. 즉, 도 7에 있어서, 대향 기판(200)의 단부에까지, 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면으로부터 수분 등이 액정 표시 패널의 내부에 침입하는 것을 방지하기 위해, BM 슬릿(2021)이 시일재(20)의 외측 전체 둘레에 형성되어 있다.7 is a plan view of a liquid crystal display device showing the configuration of the third embodiment. The configuration of Fig. 7 is the same as the configuration of Fig. 3 except for the portion where the lead wire 11 is present. 7, a black matrix 202 is formed up to the end of the counter substrate 200, and moisture or the like from the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 is formed inside the liquid crystal display panel A BM slit 2021 is formed around the entire outer side of the sealant 20 in order to prevent intrusion.

도 7에 있어서도, 도 3과 마찬가지로, 인출선(11)이 형성되어 있는 변에서도, TFT 기판(100)측에 차광 금속(143)이 형성되어 있다. 도 7이 제1 실시예인 도 3 혹은 제2 실시예인 도 5와 다른 것은, 차광 금속(143)이 커먼 차광 금속(143)에 의해 형성되어 있는 것이다. 도 7의 C부의 확대도를 도 8에 도시한다. 도 8의 (a)는 TFT 기판(100)측에서의 인출선(11) 및 차광 금속(143)의 평면도이고, 도 8의 (b)는 대향 기판(200)의 내측에서의 블랙 매트릭스(202)와 BM 슬릿(2021)을 도시하고, 도 8의 (c)는 TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다.7, a light shielding metal 143 is formed on the side of the TFT substrate 100 on the side where the lead line 11 is formed, as in Fig. 7 differs from the first embodiment shown in Fig. 3 or the second embodiment shown in Fig. 5 in that the light shielding metal 143 is formed of the common light shielding metal 143. Fig. FIG. 8 is an enlarged view of a portion C in FIG. 8A is a plan view of the lead wire 11 and the shielding metal 143 on the TFT substrate 100 side and FIG. 8B is a plan view of the black matrix 202 and the black matrix 202 on the inside of the counter substrate 200 BM slit 2021, and FIG. 8C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other.

도 8의 (a)에 있어서, 인출선(11)은 드레인 전극과 동일층으로 형성된 드레인 인출선(13) 및 게이트 전극과 동일층으로 형성된 게이트 인출선(12)이다. 게이트 인출선(12) 및 드레인 인출선(13)을 덮어, 커먼 금속과 동일층으로 형성된 커먼 차광 금속(143)이 도 8의 (b)에 도시하는 BM 슬릿(2021)에 대응하여 형성되어 있다. 도 8의 (a)에 있어서, 게이트 인출선(12) 혹은 드레인 인출선(13)과 커먼 차광 금속(143)은 무기 패시베이션막 등을 사이에 두고 다른 층으로 형성되어 있으므로, 게이트 인출선(12) 혹은 드레인 인출선(13)과 커먼 차광 금속(143)이 쇼트되는 일은 없다.8A, the lead line 11 is a gate lead-out line 12 formed of the same layer as the drain lead-out line 13 and the gate electrode formed in the same layer as the drain electrode. The common shielding metal 143 formed to be the same layer as the common metal covering the gate lead-out line 12 and the drain lead-out line 13 is formed corresponding to the BM slit 2021 shown in Fig. 8B . 8 (a), since the gate lead-out line 12 or the drain lead-out line 13 and the common light shielding metal 143 are formed in different layers with an inorganic passivation film interposed therebetween, the gate lead- Or the drain lead line 13 and the common light shielding metal 143 are not short-circuited.

도 8의 (c)는 BM 슬릿(2021)의 부근에서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다. 도 8의 (c)에 도시하는 바와 같이, BM 슬릿(2021)은 TFT 기판(100)측의 커먼 차광 금속(143)에 의해 아래로부터 덮여져 있으므로, 백라이트로부터의 광이 BM 슬릿(2021)을 통과하는 일은 없다. 커먼 차광 금속(143)의 폭 wm은, BM 슬릿(2021)의 폭 wb보다도 크게 형성되어 있는 것, 등은 제1 실시예 혹은 제2 실시예와 마찬가지이다.FIG. 8C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other in the vicinity of the BM slit 2021. FIG. Since the BM slit 2021 is covered from the bottom by the common light shielding metal 143 on the TFT substrate 100 side as shown in FIG. 8C, the light from the backlight passes through the BM slit 2021 There is no passing. The width wm of the common light shielding metal 143 is formed to be larger than the width wb of the BM slit 2021 and the like are the same as in the first embodiment or the second embodiment.

이와 같이, 본 실시예에서는 인출선(11)을 게이트 전극과 동일층 및 드레인 전극과 동일층으로 하는 바와 같이, 다층으로 형성할 수 있으므로, 제1 실시예 혹은 제2 실시예의 경우보다도 인출선(11)의 밀도가 큰 경우에도 적용할 수 있다. 그리고, BM 슬릿(2021)을 커먼 차광 금속(143)에 의해 완전하게 백라이트로부터 차광할 수 있으므로, 전체 둘레에 걸쳐 콘트라스트가 양호한 화면으로 할 수 있다.As described above, in this embodiment, since the outgoing line 11 can be formed in the same layer as the gate electrode and the same layer as the drain electrode, it can be formed in multiple layers, 11) having a large density can be applied. Since the BM slit 2021 can be completely shielded from the backlight by the common light shielding metal 143, it is possible to provide a screen having a good contrast over the entire circumference.

<제4 실시예><Fourth Embodiment>

도 9는 제4 실시예의 구성을 도시하는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 9의 구성은, 인출선(11)이 존재하는 부분을 제외하고는, 도 3의 구성과 마찬가지이다. 즉, 도 9에 있어서, 대향 기판(200)의 단부에까지, 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면으로부터 수분 등이 액정 표시 패널의 내부에 침입하는 것을 방지하기 위해, BM 슬릿(2021)이 시일재(20)의 외측 전체 둘레에 형성되어 있다. 도 9에 있어서도, 제1 실시예 내지 제3 실시예와 마찬가지로, 인출선(11)이 형성되어 있는 변에서도, TFT 기판(100)측에 차광 금속(14)이 형성되어 있다.9 is a plan view of a liquid crystal display device showing the configuration of the fourth embodiment. The configuration of Fig. 9 is the same as the configuration of Fig. 3 except for the portion where the lead wire 11 is present. 9, a black matrix 202 is formed to the end of the counter substrate 200, and water or the like is introduced into the liquid crystal display panel from the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 A BM slit 2021 is formed around the entire outer side of the sealant 20 in order to prevent intrusion. 9, the shielding metal 14 is formed on the side of the TFT substrate 100 on the side where the lead line 11 is formed, as in the first to third embodiments.

본 실시예인 도 9는 제1 실시예 내지 제3 실시예와는, 인출선(11)의 평면 형상이 서로 다르다. 즉, 도 9의 인출선(11)은 경사 배선뿐만 아니라, 경사 배선의 부분과 액정 표시 패널의 변과 평행한 부분을 포함하는 것이다. 도 10은, 도 9의 D부의 확대도이다. 도 10의 (a)에 있어서, 경사 배선부 Q의 배선 피치는, 액정 표시 패널의 변에 평행한 부분에서의 배선 P에 비해 피치가 작다. 이 부분에서는, 인출선(11)은 게이트 인출선(12)과 드레인 인출선(13)으로 나누어 배선한 쪽이 선 사이의 절연을 안정적으로 취할 수 있다. 한편, 액정 표시 패널의 변과 평행한 부분 P에서의 배선 피치는, 경사 배선의 부분 Q에 비해 크게 할 수 있다.9, which is the present embodiment, differs from the first to third embodiments in that the outline 11 has a different planar shape. That is, the lead line 11 shown in Fig. 9 includes not only the oblique wiring but also the portion of the oblique wiring and the portion parallel to the sides of the liquid crystal display panel. 10 is an enlarged view of part D in Fig. 10 (a), the wiring pitch of the oblique wiring portion Q is smaller than that of the wiring P in the portion parallel to the sides of the liquid crystal display panel. In this portion, the outgoing line 11 can be stably separated from the line by dividing the lead-out line 12 into the gate lead-out line 12 and the drain lead-out line 13. On the other hand, the wiring pitch in the portion P parallel to the sides of the liquid crystal display panel can be made larger than the portion Q of the oblique wiring.

도 10의 (a)에 있어서, 경사 배선 Q로 되어 있는 드레인 인출선(13)은 액정 표시 패널의 변과 평행한 부분 P와의 절곡부에서, 쓰루홀(50)에 의해, 게이트 인출선(12)으로 바꾼다. 따라서, 액정 표시 패널의 변과 평행한 부분 P에서는, 게이트 전극과 동일층으로 형성한 게이트 인출선(12)만으로 형성할 수 있다. 이와 같은 경우, 차광 금속은 드레인 전극과 동일층으로 형성한 드레인 차광 금속(142)을 사용할 수 있다.10 (a), the drain lead-out line 13 made of the sloped line Q is bent at the bent portion with the portion P parallel to the sides of the liquid crystal display panel by the through hole 50, ). Therefore, in the portion P parallel to the sides of the liquid crystal display panel, only the gate lead-out line 12 formed of the same layer as the gate electrode can be formed. In this case, the light shielding metal may be a drain shielding metal 142 formed of the same layer as the drain electrode.

도 10의 (c)는 BM 슬릿(2021)의 부근에서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다. 도 10의 (c)에 도시하는 바와 같이, BM 슬릿(2021)은 TFT 기판(100)측의 드레인 차광 금속(142)에 의해 아래로부터 덮여져 있으므로, 백라이트로부터의 광이 BM 슬릿(2021)을 통과하는 일은 없다.10C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other in the vicinity of the BM slit 2021. FIG. Since the BM slit 2021 is covered from the bottom by the drain shielding metal 142 on the TFT substrate 100 side as shown in FIG. 10C, the light from the backlight passes through the BM slit 2021 There is no passing.

이와 같이, 본 실시예에서는 인출선(11)에서, 피치가 작은 경사 배선의 부분에서는, 게이트 인출선(12)과 드레인 인출선(13)을 사용하고, 피치가 큰 액정 표시 패널의 변과 평행한 부분(이후 평행 배선이라고 함)에서는, 게이트 인출선(12)만으로 할 수 있으므로, BM 슬릿(2021)에 대한 차광 금속을 드레인 차광 금속으로 하고, 차광 금속으로서 별도 새로운 금속을 형성할 필요가 없다.As described above, in the present embodiment, the gate lead-out line 12 and the drain lead-out line 13 are used in the portion of the inclined wiring having a small pitch in the lead wire 11, It is not necessary to form a shielding metal for the BM slit 2021 as a drain shielding metal and to form a new metal separately as a shielding metal in one portion (hereinafter referred to as parallel wiring) .

이상의 설명에서는, 경사 배선을 2층 배선으로 하고, 평행 배선을 게이트 인출선(12)으로 하였지만, 반대로 경사 배선을 2층 배선으로 하고, 평행 배선을 드레인 인출선(13)으로 할 수도 있다. 이 경우의 차광 금속은 게이트 차광 금속(141)을 사용하게 된다.In the above description, the oblique wiring is a two-layer wiring and the parallel wiring is a gate lead-out wire 12. Conversely, the oblique wiring may be a two-layer wiring and the parallel wiring may be a drain lead- Shielding metal 141 is used as the shielding metal in this case.

<제5 실시예><Fifth Embodiment>

도 11은 제5 실시예의 구성을 도시하는 액정 표시 장치의 평면도이다. 도 11의 구성은, 인출선(11)이 존재하는 부분을 제외하고는, 도 3의 구성과 마찬가지이다. 즉, 도 11에 있어서, 대향 기판(200)의 단부에까지, 블랙 매트릭스(202)가 형성되어 있고, 블랙 매트릭스(202)와 대향 기판(200)과의 계면으로부터 수분 등이 액정 표시 패널의 내부에 침입하는 것을 방지하기 위해, BM 슬릿(2021)이 시일재(20)의 외측 전체 둘레에 형성되어 있다. 도 11에 있어서도, 제1 실시예 내지 제4 실시예와 마찬가지로, 인출선(11)이 형성되어 있는 변에서도, TFT 기판(100)측에 차광 금속(142)이 형성되어 있다.11 is a plan view of a liquid crystal display device showing the configuration of the fifth embodiment. The configuration of Fig. 11 is the same as the configuration of Fig. 3 except for the portion where the lead wire 11 is present. 11, a black matrix 202 is formed up to the end of the counter substrate 200, and water or the like is introduced from the interface between the black matrix 202 and the counter substrate 200 into the inside of the liquid crystal display panel A BM slit 2021 is formed around the entire outer side of the sealant 20 in order to prevent intrusion. 11, the shielding metal 142 is formed on the side of the TFT substrate 100 on the side where the lead line 11 is formed, as in the first to fourth embodiments.

본 실시예인 도 11은 제1 실시예 내지 제3 실시예와는, 인출선(11)의 평면 형상이 서로 다르다. 즉, 도 11의 인출선은 경사 배선으로부터 평행 배선으로 되고, 다시 경사 배선으로 되어 있다. 도 12는, 도 11의 E부의 확대도이다. 도 12의 (a)에 있어서, 경사 배선부는 게이트 인출선(12)과 드레인 인출선(13)의 2층 배선으로 되어 있고, 평행 배선부는 게이트 인출선(12)과 교락(橋絡;bridge) ITO(15)의 2층 배선으로 되어 있다. 이 경우, 차광 금속은 드레인 전극과 동일층으로 형성된 드레인 차광 금속(142)이 사용된다.11, which is the present embodiment, differs from the first to third embodiments in that the outline 11 has a different planar shape. That is, the lead lines in Fig. 11 are made to be parallel wiring from the inclined wirings and are again inclined wirings. Fig. 12 is an enlarged view of part E of Fig. 12A, the inclined wiring portion is a two-layer wiring including a gate lead-out line 12 and a drain lead-out line 13, and a parallel wiring portion is interlinked with a gate lead- Layer wiring of the ITO (15). In this case, the light shielding metal is a drain shielding metal 142 formed in the same layer as the drain electrode.

도 12의 (a)에 있어서, 게이트 인출선은 드레인 차광 금속 아래에 형성되고, 교락 ITO는 드레인 차광 금속 위에 형성되어 있다. 인출선은 차광 금속에 대응한 부분을 지나면 다시 경사 배선으로 되고, 게이트 인출선(12)과 드레인 인출선(13)의 2층 배선으로 된다. 이때, 교락 ITO(15)는 쓰루홀(50)을 통해 드레인 인출선(13)으로 바꾸게 된다.In Fig. 12 (a), a gate lead line is formed under the drain shielding metal, and entangled ITO is formed over the drain shielding metal. When the lead wire passes through the portion corresponding to the shielding metal, the lead wire is again inclined, and the two-layer wiring of the gate lead wire 12 and the drain lead wire 13 is formed. At this time, the interlaced ITO 15 is switched to the drain lead line 13 through the through hole 50.

TFT 기판(100)에 형성되는 드레인 차광 금속(142)은, 도 12의 (b)에 도시하는 대향 기판(200)에 형성된 BM 슬릿(2021)에 대응한 부분에 형성된다. 도 12의 (c)는 BM 슬릿(2021) 부근에서, TFT 기판(100)과 대향 기판(200)을 서로 겹친 상태를 도시하는 평면도이다. 도 12의 (c)에 있어서, BM 슬릿(2021)은 드레인 차광 금속(142)에 의해 아래로부터 완전하게 덮여져 있다. BM 슬릿(2021)의 부분에는, 게이트 인출선(12)과 교락 ITO(15)가 존재하고 있다.The drain shielding metal 142 formed on the TFT substrate 100 is formed in a portion corresponding to the BM slit 2021 formed in the counter substrate 200 shown in Fig. 12B. FIG. 12C is a plan view showing a state in which the TFT substrate 100 and the counter substrate 200 are overlapped with each other in the vicinity of the BM slit 2021. FIG. 12 (c), the BM slit 2021 is completely covered by the drain shielding metal 142 from below. In the portion of the BM slit 2021, the gate lead-out line 12 and the entangled ITO 15 are present.

교락 ITO(15)는, 예를 들어, IPS-PRO에서, 화소 전극(107)을 사용하면 패시베이션막(106)에 대한 쓰루홀의 형성과 드레인 인출선(13)과의 접속을, 화소 부분에서, 패시베이션막(106)에 쓰루홀을 형성하고, 화소 전극(107)과 소스 전극(105)을 접속하는 공정과 동시에 행할 수 있으므로, 공정을 늘리지 않고 행할 수 있다.In the IPS-PRO, for example, the interlaced ITO 15 can form the through hole for the passivation film 106 and the connection to the drain lead line 13 by using the pixel electrode 107, Hole can be formed in the passivation film 106 and the step of connecting the pixel electrode 107 and the source electrode 105 can be performed at the same time without increasing the number of steps.

이상은, 경사 배선으로부터 평행 배선으로 바꿀 때, 드레인 인출선(13)을 교락 ITO(15)로 바꾼 구성이다. 그러나, 이 반대로, 경사 배선으로부터 평행 배선으로 바꿨을 때, 게이트 인출선(12)을 교락 ITO(15)로 바꾼 구성으로 할 수도 있다. 이 경우의 차광 금속은 게이트 차광 금속(141)으로 할 수 있다.The above is a configuration in which the drain lead line 13 is replaced by the intertwined ITO 15 when changing from oblique wiring to parallel wiring. However, conversely, when the wiring is changed from the oblique wiring to the parallel wiring, the gate lead-out line 12 may be replaced by the intertwined ITO 15. The shielding metal in this case can be the gate shielding metal 141.

또한, 도 11에 도시하는 바와 같은, 경사 배선으로부터 평행 배선으로 되고, 다시 경사 배선으로 되는 인출선의 경우, 도 12에 도시하는 것과는 다른 배선 구성으로 할 수도 있다. 그 제1 구성은, 경사 배선은 도 12와 마찬가지로 드레인 인출선(13)과 게이트 인출선(12)의 2층 배선으로 하고, 평행 배선의 부분에서는 드레인 인출선(13)을, 쓰루홀(50)을 통해 게이트 인출선(12)으로 바꾼다. 따라서, 평행 배선 부분에서는, 인출선은 게이트 인출선(12)만으로 된다. 이 경우의 차광 금속은 드레인 차광 금속(142)으로 된다. 평행 배선으로부터 경사 배선으로 될 때는, 다시 쓰루홀(50)을 통해 드레인 인출선(13)과 게이트 인출선(12)의 2층 배선으로 한다.Further, in the case of a lead wire which is a parallel wiring from a sloped wiring and which becomes a sloped wiring as shown in Fig. 11, a wiring structure different from that shown in Fig. 12 may be used. In the first configuration, the oblique wiring is formed as a two-layer wiring of the drain lead-out wire 13 and the gate lead-out wire 12, and the drain lead-out wire 13 is formed in the through- To the gate lead-out line 12 through the through-hole. Therefore, in the parallel wiring portion, the lead-out line is only the gate lead-out wire 12. In this case, the light shielding metal becomes the drain shielding metal 142. Layer wiring of the drain lead-out line 13 and the gate lead-out line 12 through the through hole 50 when the wiring is to be inclined from the parallel wiring.

그 제2 구성은, 경사 배선은 도 12와 마찬가지로 드레인 인출선(13)과 게이트 인출선(12)의 2층 배선으로 하고, 평행 배선의 부분에서는 게이트 인출선(12)을, 쓰루홀(50)을 통해 드레인 인출선(13)으로 바꾼다. 따라서, 평행 배선 부분에서는, 인출선은 드레인 인출선(13)만으로 된다. 이 경우의 차광 금속은, 게이트 차광 금속(141)으로 된다. 평행 배선으로부터 경사 배선으로 될 때는, 다시 쓰루홀(50)을 통해 드레인 인출선(13)과 게이트 인출선(12)의 2층 배선으로 한다.In the second configuration, the oblique wiring is formed as a two-layer wiring of the drain lead-out wire 13 and the gate lead-out wire 12, and the gate lead-out wire 12 is formed in the through- To the drain lead line 13 through the through-hole. Therefore, in the parallel wiring portion, the lead-out line is only the drain lead-out wire 13. The shielding metal in this case becomes the gate shielding metal 141. Layer wiring of the drain lead-out line 13 and the gate lead-out line 12 through the through hole 50 when the wiring is to be inclined from the parallel wiring.

<제6 실시예><Sixth Embodiment>

도 11 혹은, 도 12에 도시하는 바와 같이, 인출선(11)을 교락 ITO(15)를 사용해서 행하는 경우, ITO로서, IPS-LITE에서의 커먼 전극(109)의 ITO를 사용하면 다음과 같은 문제를 발생하는 경우가 있다. IPS-LITE에서의 커먼 전극(109)은 패시베이션막(106) 위에 있고, 최상층으로 형성되어 있다. 즉, ITO 위에는 절연막은 존재하지 않게 된다. ITO와 시일재(20)와의 접착력은 절연막과 시일재와의 접착력에 비해 약하므로, 시일부(20)의 신뢰성을 손상시키는 경우가 있다.12, when the lead line 11 is formed using the entangled ITO 15, and ITO of the common electrode 109 in the IPS-LITE is used as the ITO, the following Sometimes a problem arises. The common electrode 109 in the IPS-LITE is formed on the passivation film 106 as the uppermost layer. That is, the insulating film does not exist on the ITO. The adhesion between the ITO and the sealing material 20 is weaker than the adhesion between the insulating film and the sealing material, so that the reliability of the sealing portion 20 may be deteriorated.

그러나, 차광 금속(14)은 교락 ITO(15)에 대응한 부분에 형성할 필요가 있다. 이와 같은 경우, 도 13에 도시하는 바와 같이, 대향 기판(200)에서의 BM 슬릿(2021)을 시일재(20)와 겹쳐서 형성하고, 또한, 교락 ITO(15)도 시일재(20)와 겹쳐서 형성한다. 이렇게 함으로써, 교락 ITO(15)와 시일재(20)의 접촉을 시일재(20)의 폭 전체에 걸치는 것이 아니라, 시일재(20)의 폭의 일부만 겹쳐서 접촉시킬 수 있다. 이렇게 함으로써, 시일부의 접착 신뢰성의 저하를 회피할 수 있다.However, it is necessary to form the light shielding metal 14 at a portion corresponding to the intertwined ITO 15. 13, the BM slit 2021 in the counter substrate 200 is formed to overlap with the sealing material 20 and the interlaced ITO 15 is also superimposed on the sealing material 20 . By doing so, the contact between the interlaced ITO 15 and the sealing material 20 can be made to overlap not only the entire width of the sealing material 20 but a part of the width of the sealing material 20. By doing so, deterioration of adhesion reliability of the seal portion can be avoided.

도 14는, 도 13과 같이, BM 슬릿(2021)과 교락 ITO를 시일재(20)의 폭 내에 형성하고자 하는 경우의 일례이다. 도 14에 있어서, 도시하지 않은 인출선이 형성되는 변의 측에서, BM 슬릿(2021) 및 차광 금속(14)에 단차부 V를 형성하고, 시일재(20)와 BM 슬릿(2021) 및 교락 ITO를 시일재(20)의 폭 내의 일부에 형성하는 것을 가능하게 하고 있다. BM 슬릿(2021)과 차광 금속(14)에 단차부를 형성하는 것이 아니라, 시일재에 역방향으로 단차를 형성함으로써도 마찬가지의 효과를 얻을 수 있다.14 shows an example of a case where the BM slit 2021 and entangled ITO are to be formed within the width of the sealing material 20 as shown in Fig. 14, a step portion V is formed on the BM slit 2021 and the light shielding metal 14 on the sides where lead lines (not shown) are formed, and the sealing material 20, the BM slit 2021, In a part of the width of the sealing material 20. [0064] The same effect can be obtained by forming a step on the sealing material in the opposite direction instead of forming a step on the BM slit 2021 and the light shielding metal 14.

10 : 표시 영역
11 : 인출선
12 : 게이트 인출선
13 : 드레인 인출선
14 : 차광 금속
15 : 교락 ITO
20 : 시일재
30 : 단자부
40 : IC 드라이버
50 : 쓰루홀
100 : TFT 기판
101 : 게이트 전극
102 : 게이트 절연막
103 : 반도체층
104 : 드레인 전극
105 : 소스 전극
106 : 패시베이션막
107 : 화소 전극
108 : 층간 절연막
109 : 커먼 전극
110 : 커먼 금속
111 : 배향막
133 : 드레인선
141 : 게이트 차광 금속
142 : 드레인 차광 금속
143 : 커먼 차광 금속
200 : 대향 기판
201 : 컬러 필터
202 : 블랙 매트릭스
203 : 오버코트막
300 : 액정층
301 : 액정 분자
400 : 프레임
401 : 플랜지
1091 : 슬릿
2021 : BM 슬릿10: display area
11: Leader
12: gate lead wire
13: drain drawing line
14: shading metal
15: intertwined ITO
20: Seal material
30: terminal part
40: IC driver
50: Through hole
100: TFT substrate
101: gate electrode
102: gate insulating film
103: Semiconductor layer
104: drain electrode
105: source electrode
106: Passivation film
107:
108: Interlayer insulating film
109: Common electrode
110: Common metal
111: alignment film
133: drain line
141: Gate shielding metal
142: drain shielding metal
143: Common shading metal
200: opposing substrate
201: color filter
202: Black Matrix
203: overcoat film
300: liquid crystal layer
301: liquid crystal molecule
400: frame
401: Flange
1091: slit
2021: BM slit

Claims (8)

TFT와 화소 전극을 갖는 화소가 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, 컬러 필터와 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판이 시일재에 의해 접착하고, 내부에 액정이 끼움 지지된 액정 표시 장치로서,
상기 대향 기판에는 단부에까지 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 블랙 매트릭스는 시일재의 외측에서, 소정의 폭 wb를 갖고 블랙 매트릭스가 없는 영역인 BM 슬릿이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고,
상기 TFT 기판에는, 상기 BM 슬릿과 대향하는 장소에 소정의 폭 wm을 갖고 차광 금속이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고,
상기 폭 wm > 상기 폭 wb
인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising a TFT substrate in which pixels each having a TFT and a pixel electrode are formed in a matrix form and an opposing substrate on which a color filter and a black matrix are formed are bonded by a sealing material,
A black matrix is formed on the opposite substrate to the end portion, the BM slit having a predetermined width wb and no black matrix on the outside of the sealing material is formed over the entire circumference,
The TFT substrate is provided with a light shielding metal over a whole circumference with a predetermined width wm at a position facing the BM slit,
The width wm> the width wb
It is a liquid crystal display device characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 드레인 전극과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the light shielding metal is formed in the same layer as the drain electrode formed on the TFT substrate. 제1항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 게이트 전극과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the light shielding metal is formed in the same layer as the gate electrode formed on the TFT substrate. 제1항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 커먼 전극과 접속하는 커먼 금속과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.The method of claim 1,
Wherein the light shielding metal is formed of the same layer as a common metal connected to a common electrode formed on the TFT substrate. TFT와 화소 전극을 갖는 화소가 매트릭스 형상으로 형성된 TFT 기판과, 컬러 필터와 블랙 매트릭스가 형성된 대향 기판이 시일재에 의해 접착하고, 내부에 액정이 끼움 지지된 액정 표시 장치로서,
상기 TFT 기판과 상기 대향 기판이 겹친 부분에 표시 영역이 형성되고,
상기 TFT 기판은 상기 대향 기판보다도 크고, 상기 TFT 기판이 1매로 되어 있는 부분은 단자부로 되어 있고,
상기 단자부에는, 상기 표시 영역에서의 배선과 접속하는 인출선이 형성되어 있고,
상기 대향 기판에는 단부에까지 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 블랙 매트릭스는 시일재의 외측에서, 소정의 폭 wb를 갖고 블랙 매트릭스가 없는 영역인 BM 슬릿이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고,
상기 TFT 기판에는, 상기 BM 슬릿과 대향하는 장소이며, 또한, 상기 인출 배선과는 다른 층에 소정의 폭 wm을 갖고 차광 금속이 전체 둘레에 걸쳐서 형성되고,
상기 폭 wm > 상기 폭 wb
인 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.A liquid crystal display device comprising a TFT substrate in which pixels each having a TFT and a pixel electrode are formed in a matrix form and an opposing substrate on which a color filter and a black matrix are formed are bonded by a sealing material,
A display region is formed at a portion where the TFT substrate and the counter substrate overlap,
Wherein the TFT substrate is larger than the counter substrate, and a portion of the TFT substrate is a terminal portion,
A lead wire connected to the wiring in the display region is formed in the terminal portion,
A black matrix is formed on the opposite substrate to the end portion, the BM slit having a predetermined width wb and no black matrix on the outside of the sealing material is formed over the entire circumference,
The TFT substrate is provided with a shielding metal having a predetermined width wm in a layer different from the lead wiring and facing the BM slit,
The width wm> the width wb
It is a liquid crystal display device characterized by the above-mentioned. 제5항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 드레인 전극과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the light shielding metal is formed in the same layer as the drain electrode formed on the TFT substrate. 제5항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 게이트 전극과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.6. The method of claim 5,
Wherein the light shielding metal is formed in the same layer as the gate electrode formed on the TFT substrate. 제5항에 있어서,
상기 차광 금속은, 상기 TFT 기판에 형성된 커먼 전극과 접속하는 커먼 금속과 동일층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정 표시 장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the light shielding metal is formed of the same layer as a common metal connected to a common electrode formed on the TFT substrate.
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Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2014026199A (en) * 2012-07-30 2014-02-06 Japan Display Inc Liquid crystal display
JP6088779B2 (en) * 2012-10-01 2017-03-01 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US10031361B2 (en) * 2013-06-11 2018-07-24 Sakai Display Products Corporation Liquid crystal panel
US10430420B2 (en) * 2013-08-16 2019-10-01 International Business Machines Corporation Weighting sentiment information
US9638950B2 (en) * 2014-05-15 2017-05-02 Apple Inc. Display with opaque border resistant to electrostatic discharge
JP2016038520A (en) * 2014-08-08 2016-03-22 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
TWI641894B (en) * 2014-09-22 2018-11-21 凸版印刷股份有限公司 Liquid crystal display device and substrate for display device
KR101692487B1 (en) * 2015-03-26 2017-01-04 콘티넨탈 오토모티브 일렉트로닉스 유한회사 Supporter of lcd assembly for automobile
JP6486213B2 (en) * 2015-06-12 2019-03-20 株式会社ジャパンディスプレイ Display device
US10409102B2 (en) * 2016-09-08 2019-09-10 Japan Display Inc. Display device
CN107807480B (en) * 2016-09-08 2021-04-20 株式会社日本显示器 display device
CN106647010A (en) * 2017-03-13 2017-05-10 惠科股份有限公司 Display substrate, display panel and display device
CN109830181A (en) * 2017-11-23 2019-05-31 群创光电股份有限公司 Display device
US11209877B2 (en) * 2018-03-16 2021-12-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electrical module, display panel, display device, input/output device, data processing device, and method of manufacturing electrical module
CN108398839A (en) * 2018-03-26 2018-08-14 京东方科技集团股份有限公司 A kind of display panel and preparation method thereof, display device
CN108873461B (en) * 2018-07-19 2021-04-27 Oppo（重庆）智能科技有限公司 Liquid crystal display panel, liquid crystal display device and method for preparing liquid crystal display panel
US11036091B2 (en) * 2018-11-20 2021-06-15 Himax Display, Inc. Display panel
US10629634B1 (en) * 2018-12-05 2020-04-21 Au Optronics Corporation Pixel array substrate
TWI692089B (en) * 2019-04-09 2020-04-21 友達光電股份有限公司 Display device
CN113093413B (en) * 2019-12-23 2023-11-24 松下电器（美国）知识产权公司 Viewing angle control unit and display device having the same
CN115202093B (en) * 2021-04-13 2024-03-22 合肥京东方显示技术有限公司 Display panel, manufacturing method and display device thereof
CN113219695B (en) * 2021-04-21 2022-12-06 惠科股份有限公司 Color film substrate, manufacturing method thereof and display panel

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH09113922A (en) * 1995-10-03 1997-05-02 Internatl Business Mach Corp <Ibm> Liquid crystal display device and method of manufacturing the same
JP3039517B2 (en) * 1998-06-19 2000-05-08 日本電気株式会社 Active matrix liquid crystal display
JP2001147314A (en) 1999-11-18 2001-05-29 Toray Ind Inc Color filter
KR100720411B1 (en) * 2000-10-25 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Liquid crystal display panel and manufacturing method thereof
JP2003057682A (en) 2001-08-15 2003-02-26 Hitachi Ltd Liquid crystal display
CN1185531C (en) 2001-10-09 2005-01-19 瀚宇彩晶股份有限公司 Thin film transistor liquid crystal display device and manufacturing method
CN100480826C (en) * 2003-05-02 2009-04-22 精工爱普生株式会社 Electro-optic device and electronic equipment
KR100987887B1 (en) * 2003-06-30 2010-10-13 엘지디스플레이 주식회사 Transverse electric field mode liquid crystal display device
TWI265348B (en) * 2003-09-24 2006-11-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid crystal display device and the fabricating method thereof
TWI288842B (en) 2003-10-29 2007-10-21 Hannstar Display Corp Liquid crystal display device with narrow forehead edge
KR100617038B1 (en) * 2003-12-29 2006-08-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 LCD Display
CN100399142C (en) * 2004-01-21 2008-07-02 瀚宇彩晶股份有限公司 Liquid crystal display panel and method for manufacturing the same
JP2005283862A (en) 2004-03-29 2005-10-13 Sanyo Electric Co Ltd Liquid crystal display panel
JP4381938B2 (en) 2004-09-09 2009-12-09 シャープ株式会社 Liquid crystal display panel, inspection method thereof, and inspection apparatus used therefor
JP2006084713A (en) * 2004-09-15 2006-03-30 Sharp Corp Liquid crystal display
JP4682575B2 (en) * 2004-09-30 2011-05-11 ソニー株式会社 Liquid crystal display
TWI481024B (en) 2005-01-28 2015-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 Semiconductor device, electronic device, and method of manufacturing semiconductor device
TWI498626B (en) 2005-11-15 2015-09-01 Semiconductor Energy Lab Liquid crystal display device
JP4869789B2 (en) * 2006-05-31 2012-02-08 株式会社 日立ディスプレイズ Display device
US7456432B2 (en) * 2006-11-20 2008-11-25 Tpo Displays Corp. System having electrostatic discharge protection structure and method for manufacturing the same
CN101359108A (en) * 2007-07-31 2009-02-04 北京京东方光电科技有限公司 LCD display panel structure for thin film transistor
JP2009175497A (en) 2008-01-25 2009-08-06 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
KR101490478B1 (en) * 2008-07-10 2015-02-11 삼성디스플레이 주식회사 Thin film transistor display panel and liquid crystal display device including the same
CN101713882B (en) * 2008-10-01 2013-07-17 株式会社日立显示器 Liquid crystal display device
CN102308247B (en) * 2009-03-13 2015-07-15 夏普株式会社 Liquid crystal display device and method for manufacturing same
JP2010256409A (en) * 2009-04-21 2010-11-11 Mitsubishi Electric Corp Liquid crystal display
JP5261300B2 (en) * 2009-07-08 2013-08-14 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
US20120229736A1 (en) * 2009-11-20 2012-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal panel and liquid crystal display device
KR101309862B1 (en) 2009-12-10 2013-09-16 엘지디스플레이 주식회사 Liquid Crystal Display Device Including Touch Panel
JP5013554B2 (en) 2010-03-31 2012-08-29 株式会社ジャパンディスプレイセントラル Liquid crystal display
JP5507377B2 (en) 2010-07-29 2014-05-28 株式会社ジャパンディスプレイ Liquid crystal display
JP2012084025A (en) * 2010-10-14 2012-04-26 Hitachi Displays Ltd Display device with touch panel
US8982310B2 (en) * 2011-12-15 2015-03-17 Apple Inc. Displays with light-curable sealant
US8786807B2 (en) * 2012-04-17 2014-07-22 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd Liquid crystal display module and liquid crystal display device
JP2014026199A (en) 2012-07-30 2014-02-06 Japan Display Inc Liquid crystal display

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