KR20120136297A

KR20120136297A - 도전성 페이스트

Info

Publication number: KR20120136297A
Application number: KR1020120060721A
Authority: KR
Inventors: 마사끼 사사끼
Original assignee: 다이요 홀딩스 가부시키가이샤
Priority date: 2011-06-08
Filing date: 2012-06-07
Publication date: 2012-12-18
Anticipated expiration: 2032-06-07
Also published as: CN102820072B; JP5771072B2; KR102062401B1; JP2012256500A; CN102820072A

Abstract

본 발명은 나노 크기의 도전성 입자를 함유하면서, 폭넓은 인쇄 방법에 적용 가능한 우수한 인쇄 적성을 갖는 도전성 페이스트를 제공한다.
평균 입경이 5 내지 300 nm인 도전성 입자와 이소보르닐기를 갖는 화합물을 포함하는 용제를 포함하고, 하기 수학식 1로 표시되는 틱소비가 1.0 내지 4.0의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트이다.
<수학식 1>

Description

도전성 페이스트{CONDUCTIVE PASTE}

본 발명은 도전성 페이스트 및 도전 회로에 관한 것이다.

카본, 금속 입자 등의 도전성 물질을 함유하는 도전성 페이스트는 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄와 같은 다양한 인쇄법에 의해 고정밀 회로를 구성하도록 기판에 인쇄되고, 가열에 의한 경화, 소결 처리를 거쳐 기판 상에 전극이나 전기 배선을 형성한다.

예를 들면, 특허문헌 1에는 결합제 수지, 알콕시실란 화합물 및 은 입자를 함유하는 소결성 도전 페이스트가 개시되어 있고, 특허문헌 2에는 도전성 분말, 알킬실리케이트, 유기 티탄 킬레이트 및 고점성 용매를 함유하는 도전성 페이스트 조성물이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 3에는 카르복실산 함유 수지, 도전 입자, 다가 알코올 화합물 및 유기 용제를 함유하는 도전성 페이스트가 개시되어 있다.

최근 들어, 인쇄 배선판 등의 전극?배선 형성용 도전성 페이스트로서 입경이 수 nm 내지 수백 nm인, 나노 크기의 은 입자를 도전성 물질로서 함유하는 것이 주목받고 있다. 나노 크기의 은 입자를 이용함으로써, 표면 거칠기를 억제하여, 평활한 전극, 배선을 형성하는 것이 가능한 도전성 페이스트를 얻을 수 있다. 또한, 나노 크기로 함으로써, 은 입자의 소결 온도를 현저히 낮출 수 있기 때문에, PET 필름 기제를 이용한 플렉시블 기판 등 내열성이 낮아, 고온에서의 소결 처리에 적합하지 않은 디바이스에 사용한 경우라도 양호한 비저항을 얻을 수 있다. 이에 반해 입경이 큰 은 입자는 결착시키기 위한 수지 성분(결합제)이 없으면, 저온에서의 소성 처리에서는 소성이 불충분하여 은 입자끼리의 접촉이 충분히 얻어지지 않아, 전극의 비저항이 커지게 된다. 이와 같이 나노 크기로 함으로써 은 입자의 특성이 크게 달라져, 다양한 유용성을 발견할 수 있다.

그와 같은 나노 크기의 은 입자를 포함하는 도전성 잉크 내지 분산액으로서, 예를 들면 특허문헌 4에는 유기 화합물을 포함하는 보호제에 의해 피복된 금속 나노 입자를 분산 용매에 분산시켜 이루어지는 금속 나노 입자 분산액이 개시되어 있다. 또한, 특허문헌 5에는 카르복실기를 갖는 유기 화합물을 포함하는 보호제가 금속 나노 입자 표면에 피복된 피복 금속 나노 입자를, 다가 알코올 에테르를 포함하는 극성 분산 용매에 대하여 분산하여 이루어지는, 금속 나노 입자 분산액이 개시되어 있다.

일본 특허 공개 제2008-106145호 공보 일본 특허 공개 제2011-60752호 공보 일본 특허 공개 제2011-76899호 공보 일본 특허 공개 제2011-032509호 공보 일본 특허 공개 제2011-038128호 공보

그러나, 기존의 나노 크기의 도전성 입자를 포함하는 도전성 페이스트는 인쇄 방법이 한정되어, 적용 범위가 좁다는 문제가 있었다. 즉, 일반적으로 나노 크기의 도전성 입자는 특허문헌 4, 5와 같이 분산액의 상태로 제공되기 때문에 저점도여서, 잉크젯 인쇄에 밖에 적합하지 않고, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄 등의 다른 인쇄 방법으로의 대응이 곤란하다. 한편, 잉크젯 인쇄에 의한 회로 형성에는 바탕층에 대하여 특수한 처리를 실시하는 것이 필요하다.

나노 크기의 도전성 입자를 포함하는 분산액을 고점도화하는 시도도 행해지고 있지만, 나노 크기의 도전성 입자의 응집을 방지하면서 적당한 레올로지로 조정하는 것은 어렵고, 고틱소트로피성의 액체가 되어 버려, 그라비아 오프셋 인쇄 등으로의 적용이 방해되고 있었다.

이에 본 발명의 목적은 나노 크기의 도전성 입자를 함유하면서, 폭넓은 인쇄 방법에 적용 가능한 우수한 인쇄 적성을 갖는 도전성 페이스트 및 이를 이용한 도전 회로를 제공하는 데에 있다.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 특정 구조를 갖는 저분자 화합물을 분산매에 이용함으로써 상기 과제를 해결할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.

즉, 본 발명의 도전성 페이스트는 평균 입경이 5 내지 300 nm인 도전성 입자와 용제로서의 이소보르닐기를 갖는 화합물을 포함하고, 하기 수학식 1로 표시되는 틱소비가 1.0 내지 4.0의 범위인 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명의 도전성 페이스트는 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물의 분자량이 300 이하인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트는 단환식 모노테르펜알코올 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트는 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물과 상기 단환식 모노테르펜알코올 화합물의 질량비가 25:75 내지 90:10의 범위인 것이 바람직하다.

또한, 본 발명의 도전성 페이스트는 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것이 바람직하다.

(식 중, M은 수산기로 치환된 페닐기 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 나타냄)

(식 중, R은 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타냄)

또한, 본 발명의 도전성 페이스트는 상기 단환식 모노테르펜알코올 화합물이 테르피네올류 화합물인 것이 바람직하다.

본 발명의 도전 회로는 상기 어느 하나의 도전성 페이스트를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다.

본 발명에 의해, 나노 크기의 도전성 입자를 함유하면서 폭넓은 인쇄 방법에 적용 가능한 우수한 인쇄 적성을 갖는 도전성 페이스트 및 이를 이용한 도전 회로를 제공하는 것이 가능해진다.

도 1은 실시예 3, 4, 5, 6 및 비교예 1 각각에서의, 도전성 페이스트의 인쇄 후의 유리 기판의 현미경 사진이다.

본 발명의 도전성 페이스트는 평균 입경이 5 내지 300 nm인 나노 크기의 도전성 입자가 용제로서의 이소보르닐기를 갖는 화합물 중에 분산된 상태로 포함되는 페이스트이다. 본 발명의 도전성 페이스트는 용제 외에 결합제 수지나 틱소제 등을 함유하지 않더라도, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄 등의, 잉크젯 인쇄 이외의 인쇄 방법을 적용할 수 있다. 이에 따라, 도전성 페이스트로서의 성능을 손상시키는 레올로지 조정 성분을 사용하지 않고, 폭넓은 인쇄 적성을 갖는 도전성 페이스트를 제공할 수 있다.

이하, 각 성분에 대하여 상술한다.

본 발명의 도전성 페이스트에 포함되는 도전성 입자는 1차 입자의 평균 입경이 5 내지 300 nm이고, 바람직하게는 10 내지 200 nm이고, 보다 바람직하게는 10 내지 100 nm이다. 평균 입경은 전자 현미경에 의해 구할 수 있다. 도전성 입자의 평균 입경이 상기 범위, 즉 나노 크기임으로써, 페이스트를 도포 내지 인쇄하고 소결하여 이루어지는 전극이나 배선의 표면 거칠기를 낮게 할 수 있을 뿐만 아니라, 소결 온도를 현저히 낮출 수 있는 등, 통상의 입경(μm 오더)의 도전성 입자와는 완전히 다른 성상을 나타낸다.

이러한 도전성 입자로서는, 은, 구리, 알루미늄, 금, 백금, 니켈, 주석, 아연 등으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종의 금속 외에도, 그의 합금, 그의 산화물, 나아가 ITO(Indium Tin Oxide; 인듐 주석 옥사이드), 산화인듐 등을 사용할 수 있다. 그 중에서도 은을 이용하는 것이 바람직하다.

나노 크기의 은 입자의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 기상 합성법이나 액상 환원법 등 어느 제조 방법이든 상관없다. 상기 평균 입경을 갖는 은 입자의 시판품으로서는, 도와(DOWA) 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 제조의 은 나노 입자 건분-1, -2, -3, -4 등을 들 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트에 포함되는 도전성 입자로서는 비표면적이 3 내지 20 m²/g인 것이 바람직하다. 비표면적은 BET법에 의해 측정할 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트에 있어서, 상기 도전성 입자의 함유율은 40 내지 90 질량％가 바람직하고, 50 내지 80 질량％가 보다 바람직하다.

본 발명의 도전성 페이스트는 용제로서 이소보르닐기를 갖는 화합물을 포함한다. 이소보르닐기를 가짐으로써, 그의 입체 구조로 인해 고점도가 되어, 나노 크기의 도전성 입자를 분산시키면서 바람직한 인쇄 적성을 유지할 수 있다고 생각된다. 이소보르닐기를 갖는 화합물로서는 분자량이 300 이하인 것이 바람직하다. 또한, 소결 처리에 의해 휘발되는 것인 것이 바람직하고, 비점이 150 내지 350℃의 범위인 것이 바람직하다. 이소보르닐기를 갖는 화합물로서는, 예를 들면 1-이소보르닐-3,3-디메틸-2-메틸렌노르보르난, (메트)아크릴산이소보르닐, 5-이소보르닐-2-메톡시페놀, 이소보르닐시클로헥산올, 이소보르닐페놀, 5-[2-(이소보르닐옥시)에틸]시클로펜타디엔을 들 수 있다.

상기 이소보르닐기를 갖는 화합물의 바람직한 점도(25℃)로서는 1000 내지 10000 dPa?s가 바람직하고, 3000 내지 7000 dPa?s가 보다 바람직하다. 점도는 예를 들면 콘플레이트형 점도계에 의해 측정할 수 있다.

본 발명에 있어서, 이소보르닐기를 갖는 화합물로서는 하기 화학식 1로 표시되는 것이 바람직하다.

<화학식 1>

<화학식 2>

상기 화학식 1로 표시되는 화합물로서는, 이소보르닐시클로헥산올, 이소보르닐페놀 등을 들 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트는 단환식 모노테르펜알코올 화합물을 더 포함하는 것이 바람직하다. 단환식 모노테르펜알코올 화합물을 포함함으로써, 도전성 페이스트의 점도를 조절하는 것이 가능해져, 인쇄 적성을 향상시킬 수 있다. 단환식 모노테르펜알코올 화합물은 파라멘탄 골격, 시클로프로판 골격, 시클로부탄 골격, 시클로펜탄 골격 등의 단환 구조의 골격 및 수산기를 갖는 테르페노이드이고, 파라멘탄 골격을 갖는 것이 바람직하다. 파라멘탄 골격을 갖는 모노테르펜알코올 화합물로서는, α-, β-, γ-테르피네올 등의 테르피네올류, 카르베올, 테르핀 등을 들 수 있으며, 그 중에서도 테르피네올류(터피네올류라고도 칭함)가 바람직하다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 병용할 수도 있다.

본 발명의 도전성 페이스트가 단환식 모노테르펜알코올 화합물을 포함하는 경우, 바람직하게는 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물과 상기 단환식 모노테르펜알코올 화합물의 함유비가 25:75 내지 90:10의 범위이고, 보다 바람직하게는 40:60 내지 80:20의 범위이다.

본 발명의 도전성 페이스트는 하기 수학식 1로 표시되는 틱소비가 1.0 내지 4.0이고, 바람직하게는 1.5 내지 3.5이다. 또한, 하기 점도치는 25℃에서의 점도치이다. 점도치는 공지된 콘 플레이트형 점도계에 의해 측정할 수 있다.

<수학식 1>

틱소비=

본 발명의 도전성 페이스트에는 본 발명의 효과를 손상시키지 않는 한, 도전성 페이스트에 일반적으로 배합되는 성분을 배합할 수 있다. 그와 같은 성분으로서는, 결합제, 상기 이외의 용제, 착색제, 소포제, 레벨링제, 표면 장력 저하제, 희석제, 가소화제, 충전재, 커플링제 등을 들 수 있다.

상기와 같이, 본 발명의 도전성 페이스트는 결합제를 함유하지 않더라도 우수한 인쇄 적성을 구비하는 것이다. 본 발명의 도전성 페이스트가 결합제를 포함하는 경우에 사용 가능한 결합제로서는 특별히 한정되는 것은 아니고, 예를 들면 폴리에스테르 수지, 우레탄 변성 폴리에스테르 수지, 에폭시 변성 폴리에스테르 수지, 아크릴 변성 폴리에스테르 수지 등의 각종 변성 폴리에스테르 수지, 폴리에테르우레탄 수지, 폴리카보네이트우레탄 수지, 아크릴우레탄 수지, 염화비닐?아세트산비닐 공중합체, 에폭시 수지, 페놀 수지, 아크릴 수지, 폴리비닐부티랄 수지, 폴리아미드이미드, 폴리이미드, 폴리아미드, 니트로셀룰로오스, 셀룰로오스?아세테이트?부티레이트(CAB), 셀룰로오스?아세테이트?프로피오네이트(CAP) 등의 변성셀룰로오스류 등을 들 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트의 제조 방법은 특별히 한정되지 않으며, 공지된 방법에 의해 제조할 수 있다. 예를 들면, 상기 각 성분을 교반 장치를 이용하여 혼합하고, 3축 롤 등으로 분산하는 방법을 들 수 있다.

본 발명의 도전성 페이스트는, 바람직하게는 폴리이미드 수지, 에폭시 수지, 페놀 수지, 유리 등을 포함하는 인쇄 기판, 플렉시블 기판, PET 등의 필름 기판 등의 위에 인쇄 내지 도포되고, 가열에 의한 소결 처리를 실시함으로써, 전극이나 배선 등을 형성하는 데에 이용된다. 소결 처리는 80 내지 200℃의 범위에서 행하는 것이 바람직하다. 이것은 1 μm 이상의 평균 입경을 갖는 은 입자를 포함하는 일반적인 은 페이스트와 비교하면 현저히 낮은 온도로서, 가열에 의한 기판의 열화를 억제하면서 도통시킬 수 있다. 구체적인 용도로서는, 예를 들면 미세 배선 기판을 이용한 전자 부품, 인쇄 배선판, 안테나 회로, 컨덴서 등의 전자 부품, 평판 디스플레이라 일컬어지는 액정 디스플레이, 플라즈마 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, 전계 방출 디스플레이 등의 전극 부재나 전자 회로, IC 실장, 파워 디바이스 등의 전기적 접합 부재, RFID용 태그, 태양 전지, 연료 전지 등의 전극, 열선 차폐, 전자파 차폐의 미세 배선으로의 적용을 들 수 있다.

상기 인쇄 방법으로서는, 그라비아 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등 잉크젯 인쇄 이외의 인쇄 방법에 대해서도 적용 가능하다. 그라비아 인쇄, 그라비아 오프셋 인쇄, 스크린 인쇄 등의 잉크젯 인쇄 이외의 방법에 의해 도전성 페이스트를 인쇄함으로써, 바탕층의 특수한 처리를 필요로 하지 않고 고정밀한 회로를 형성할 수 있다.

본 발명의 도전 회로는 본 발명의 도전성 페이스트를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 것이다. 즉, 필름이나 기판 상에 본 발명의 도전성 페이스트를, 회로를 형성하도록 도포 내지 인쇄한 후, 건조, 소성 공정(가열에 의한 경화, 소결 처리)을 행함으로써 제조된다.

건조 공정은 열풍 순환식 건조로 등을 이용한 공지된 방법에 의할 수 있다.

소성 공정은, 포함되는 도전성 입자의 종류, 사용하는 기판이나 필름에 따라서도 달라질 수 있지만, 바람직하게는 80 내지 200℃이다. 또한, 소성은 유산소 하, 대기 중, 무산소 하 등의 조건을 도전성 입자의 특성에 맞춰 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 대기 중에서 소성하면 산화하기 쉬운 금속을 이용하는 경우에는 무산소 하에서 소성을 행하는 것이 바람직하다.

인쇄, 및 필름이나 기판에 대해서는 상기한 바와 같다.

<실시예>

이하, 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명에 대하여 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.

(도전성 페이스트의 제조)

표 1에 나타내는 배합 비율(질량비)로 각 성분을 배합하고, 자동 공전식 교반기에서 20분간 혼합하여 실시예 1 내지 6, 비교예 1 내지 5의 도전성 페이스트를 얻었다.

나노 은 입자 건분은 도와 일렉트로닉스 가부시끼가이샤 제조의 나노 은 입자 건분-1(평균 입경: 20 nm, 비표면적: 17.5 m²/g), 나노 은 입자 건분-2(평균 입경: 60 nm, 비표면적: 6.5 m²/g), 나노 은 입자 건분-3(평균 입경: 100 nm, 비표면적: 4.5 m²/g)을 각각 사용하였다. 이소보르닐시클로헥산올 및 터피네올 C는 α-, β-, γ-터피네올의 이성체 혼합물이고, 닛본 테르펜 가가꾸 가부시끼가이샤 제조의 것을 사용하였다. 부틸카르비톨아세테이트는 교와 학꼬 케미컬 가부시끼가이샤 제조의 것을 사용하였다.

(유동성의 평가)

얻어진 페이스트를 육안으로 관찰하고, 유동성의 유무를 하기와 같이 평가하였다.

유동성 있음: 틱소성이 낮고, 용기를 기울이면 유동함.

유동성 없음: 매우 고틱소성이고, 외력이 없는 상태에서는 형상을 유지함.

(점도의 측정)

도키 산교 가부시끼가이샤 제조 콘플레이트형 점도계(TVE-33H)를 이용하여, 25℃에서의 점도를 측정하였다. 측정치는 전단 속도=10s^-1 및 전단 속도=100s^-1의 조건으로 측정한 값을 채용하였다.

얻어진 결과를 하기 표 2에 나타낸다.

※1: 전단 속도=10s^-1에서의 점도치

※2: 전단 속도=100s^-1에서의 점도치

※3: [전단 속도 10s^-1에서의 점도치]/[전단 속도 100s^-1에서의 점도치]로부터 산출.

이상의 결과로부터, 비교예 1 내지 3은 틱소성이 7 이상으로 매우 높고, 비교예 5도 틱소성이 6.8로, 모두 페이스트의 유동성이 부족하였다. 한편, 실시예 1 내지 6은 틱소비가 3.2 이하로, 양호한 유동성을 나타내는 것으로 밝혀졌다.

(인쇄 적성의 평가)

각 도전성 페이스트를 라인/스페이스=120/180 μm, 판심(版深): 10μm의 스트라이프 패턴이 형성된 유리 요판의 오목부에 스틸 닥터를 이용하여 충전하였다.

이어서, 이 유리 요판을 고무 경도 30°의 실리콘 고무를 포함하는 블랭킷 몸통에 대고, 오목부에 충전된 도전성 페이스트를 블랭킷 몸통에 전사시켰다(오프 공정).

또한, 두께 1.8 mm의 소다 석회 유리 표면에 블랭킷 몸통 표면의 도전성 페이스트의 패턴을 전사하였다(셋 공정). 또한, 오프 공정과 셋 공정의 시간 간격은 약 10초였다.

도전성 페이스트의 패턴이 전사된 유리 기판을 광학 현미경으로 관찰하고, 인쇄된 패턴의 직진성, 수염 결함의 유무를 평가하였다. 평가 기준은 이하와 같다. 얻어진 결과를 하기 표 3에 나타낸다. 또한, 실시예 3, 4, 5, 6 및 비교예 1에 대해서는, 각각의 도전성 페이스트 인쇄 후의 유리 기판의 현미경 사진을 도 1에 나타낸다. 또한, 각 사진의 하부에 있는 바는 200 μm를 나타낸다.

○: 직진성이 있음, 및/또는 수염 결함이 전혀 보이지 않음.

△: 약간 직진성이 부족함, 및/또는 미미하게 수염 결함이 발생하였음.

×: 패턴이 전혀 인쇄되지 않았음.

(비저항치의 측정)

소다 석회 유리 상에 어플리케이터를 이용한 도전성 페이스트를 도포하고, 열풍 순환식 건조로를 이용하여 180℃에서 30분간 가열 처리를 행하였다. 얻어진 회로의 표면 저항치를 테스터(미쯔비시 가가꾸사 제조 로레스타 EP MCP-T360)를 이용하여 측정하고, 회로의 막 두께로부터 비저항치를 산출하였다.

얻어진 결과를 하기 표 3에 나타낸다.

표 3 및 도 1로부터 분명한 바와 같이, 실시예 1 내지 6의 도전성 페이스트는 그라비아 오프셋 인쇄에 있어서 비교적 양호한 인쇄 적성을 나타내었다. 한편, 비교예 1 내지 3 및 비교예 5의 도전성 페이스트는 전혀 인쇄할 수 없었다. 틱소비가 너무 높는 것이 하나의 원인이라 추측된다. 또한, 비교예 4의 결과로부터 분명한 바와 같이, 나노 크기가 아닌 은 입자를 이용한 도전성 페이스트는 180℃, 30분간의 소결 처리에서는 비저항치가 높은 것이 되었다.

Claims

평균 입경이 5 내지 300 nm인 도전성 입자와 용제로서의 이소보르닐기를 갖는 화합물을 포함하고, 하기 수학식 1로 표시되는 틱소비가 1.0 내지 4.0의 범위인 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트.
<수학식 1>
제1항에 있어서, 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물의 분자량이 300 이하인 도전성 페이스트.
제1항 또는 제2항에 있어서, 단환식 모노테르펜알코올 화합물을 더 포함하는 도전성 페이스트.
제3항에 있어서, 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물과 상기 단환식 모노테르펜알코올 화합물의 질량비가 25:75 내지 90:10의 범위인 도전성 페이스트.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 이소보르닐기를 갖는 화합물이 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 도전성 페이스트.
<화학식 1>

(식 중, M은 수산기로 치환된 페닐기 또는 하기 화학식 2로 표시되는 구조를 나타냄)
<화학식 2>

(식 중, R은 탄소 원자수 1 내지 4의 알킬기를 나타내고, n은 0 내지 3의 정수를 나타냄)
제4항 또는 제5항에 있어서, 상기 단환식 모노테르펜알코올 화합물이 테르피네올류 화합물인 도전성 페이스트.
제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 페이스트를 이용하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 도전 회로.