KR20100080780A

KR20100080780A - 실리콘 에칭액 및 에칭 방법

Info

Publication number: KR20100080780A
Application number: KR1020107007182A
Authority: KR
Inventors: 가즈요시 야구치; 류지 소토아카
Original assignee: 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤
Priority date: 2007-10-04
Filing date: 2008-09-22
Publication date: 2010-07-12
Also published as: WO2009044647A1; US8883652B2; JPWO2009044647A1; US20100248495A1; CN101884095A; CN101884095B; TW200925253A

Abstract

제4급 수산화 암모늄 및 아미노구아니딘염을 함유한 수용액을 이용하고, 단결정 실리콘을 이방적으로 용해하는 것을 특징으로 하는 실리콘 에칭액, 또한 해당 에칭액을 이용하는 실리콘의 에칭 방법은 실리콘의 에칭 가공, 특히 MEMS 부품이나 반도체 디바이스의 제조 공정에서의 실리콘의 에칭 가공에 있어서, 높은 에칭 속도에서의 가공을 가능하게 하는 에칭액 및 에칭 방법이다.

Description

실리콘 에칭액 및 에칭 방법{SILICON ETCHING LIQUID AND ETCHING METHOD}

본 발명은 실리콘의 에칭 가공에 관한 것이고, 특히 MEMS(microelectromechanical systems) 부품이나 반도체 디바이스의 제조에 이용하는 실리콘 에칭액 및 실리콘 에칭 방법에 관한 것이다.

종래, 실리콘 단결정 기판을 화학 약액으로 에칭하는 경우, 불화수소산과 질산 등의 성분을 더한 혼합 수용액인 산계 에칭액으로 에칭하는 방법과 수산화 칼륨, 수산화 테트라메틸 암모늄 등의 수용액인 알칼리계 에칭액으로 에칭하는 방법 등이 있다(비특허 문헌 1, 2 참조).

산계 에칭액을 이용했을 경우, 질산 등의 산화 작용을 가진 성분에 의해서 실리콘 표면이 산화되어 산화 규소가 생성되고, 이 산화 규소는 불화수소산 등에 의해서 불화 실리콘으로 용해됨으로써 에칭이 진행한다. 산계 에칭액으로 에칭을 실시했을 때의 특징은 에칭 대상인 실리콘이 단결정, 다결정, 비정질 중 어느 하나여도 에칭이 등방향(等方向)으로 진행하는 것에 있다. 이 때문에 패턴 마스크 등을 이용하여 패턴 에칭을 실시할 때 에칭을 깊게 하면 할수록, 그 깊이와 동일한 정도의 횡방향에 대한 에칭, 즉 패턴 마스크하의 언더 컷(침식)이 진행하여 문제를 일으키는 경우가 있다.

한편, 알칼리계 에칭액을 이용했을 경우, 액 중의 히드록시 음이온에 의해서 실리콘은 규산 이온으로 용해되고, 이 때 물이 환원되어 수소를 발생한다. 알칼리계 에칭액으로 에칭을 실시하면 산계 에칭액과는 달리 단결정 실리콘에서의 에칭은 이방성(異方性)을 가지면서 진행한다. 이는 실리콘의 결정면 방위마다 실리콘 용해 속도에 차이가 있는 것에 기초를 두고 있고, 결정 이방성 에칭이라고도 불린다. 다결정에서도 미시적으로 보면 이방성을 유지하면서 에칭이 진행하지만, 결정 입자의 면 방위는 랜덤하게 분포하고 있는 것으로부터 거시적으로는 등방성의 에칭이 진행하는 것처럼 보인다. 비정질에서는 미시적으로도 거시적으로도 등방성으로 에칭이 진행한다. 알칼리계 에칭액의 일종으로서 결정면 방위마다의 용해 속도 차이를 이용하는 것만이 아니고, p형 불순물을 국소적으로 박아 넣은 단결정 실리콘 기판을 대상물에 불순물의 유무로 용해 선택성을 발현시키려고 하는 것도 있고, 알칼리 수용액에 알코올이나 페놀 등을 첨가하여 이방성을 향상시킨 에칭을 실시하는 방법이 제안되고 있다(특허 문헌 1 참조).

알칼리계 에칭액 내에 용해시키는 알칼리 화합물은 NaOH나 KOH 등의 무기 알칼리 화합물과 수산화 테트라메틸 암모늄, 콜린 등의 유기 알칼리 화합물로 크게 나눌 수 있다.

무기 알칼리 수용액과 유기 알칼리 수용액을 비교한 경우, 농도나 온도 등의 조건에도 의존하지만 일반적으로 무기 알칼리 수용액 쪽이 높은 실리콘 에칭 속도를 달성할 수 있다. 이 때문에 높은 에칭 속도로 실리콘의 에칭을 실시하고 싶은 경우에는 무기 알칼리 수용액이 이용되는 경우가 많다. 한편, Na 이온이나 K 이온이 에칭 대상물인 실리콘 기판 상, 또는 동일 설비를 이용하여 제조하는 다른 실리콘 기판 상에 존재하는 전기적 소자부나 전기적 배선부의 기능에 대해서 영향을 미치는 것이 염려되는 경우에는 수산화 테트라메틸 암모늄(TMAH) 등의 유기 알칼리 수용액이 이용되는 경우가 많다(비특허 문헌 3 참조).

또, TMAH는 실리콘의 에칭 용도 이외에도 전자재료 분야, 특히 세정용 용제 등의 분야에 있어서 일반적으로 사용되는 화합물이다. 예를 들면, 특허 문헌 2에 실리콘, 금속, 층간 유전 재료 등의 기판 자체를 에칭하는 일 없이, 기판에 부착한 오염물질(레지스트 및 드라이 에칭 잔사 등)을 제거하는 수용성 청정제로서 TMAH와 구아니딘염으로 이루어지는 세제를 사용하는 것이 개시되어 있지만, 실리콘 자체를 에칭하는 것을 목적으로 한 본 발명과는 완전히 다르다.

특허문헌l:일본특개평6-188236호공보 특허문헌2:일본특개2007-16232

비특허 문헌 l: 사토, 「실리콘 에칭 기술」, 표면 기술, Vol.51, N0.8, 2000, p754~759 비특허 문헌 2: 에사시, 「2003 마이크로 머신/MEMS 기술 대전」, p.109~114 비특허 문헌 3: 타하타, 「TMAH 수용액에 의한 Si 결정 이방성 에칭」, 표면 기술, Vol.5l, N0.8, 2000, p767~772

TMAH 등의 제4급 수산화 암모늄의 수용액을 에칭액으로서 이용한 경우, Na 이온이나 K 이온에 의한 전기적 소자부나 전기적 배선부의 기능에 대한 바람직하지 않은 영향은 피할 수 있는 한편, 에칭 속도가 낮기 때문에 에칭 가공에 필요한 시간이 길어져 버린다고 하는 과제가 있었다.

따라서 본 발명의 목적은 제4급 수산화 암모늄을 포함하는 수용액의 에칭 속도를 향상시킴으로써 에칭 가공에 필요한 시간을 단축할 수 있는 에칭액 및 에칭 방법을 제공하는 것에 있다.

본 발명자들은 상기의 과제를 해결하기 위하여 예의 연구를 실시한 결과, 제4급 수산화 암모늄과 아미노구아니딘염을 포함하는 수용액에서 에칭함으로써 실리콘에 대한 높은 에칭 속도를 달성할 수 있음을 알아내어 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 즉 본 발명은 제4급 수산화 암모늄 및 아미노구아니딘염을 함유하는 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 에칭액 및 에칭 방법에 관한 것이고, 이하와 같다.

1. 단결정 실리콘을 이방적(異方的)으로 용해하는 실리콘 에칭액으로서 (1) 제4급 수산화 암모늄 및 (2) 아미노구아니딘염을 함유한 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 에칭액.

2. (1) 제4급 수산화 암모늄이 수산화 테트라메틸 암모늄인 상기 1에 기재된 실리콘 에칭액.

3. (2) 아미노구아니딘염이 아미노구아니딘 중탄산염, 아미노구아니딘 황산염, 아미노구아니딘 염산염 및 아미노구아니딘 질산염으로부터 선택된 1종 이상인 상기 1에 기재된 실리콘 에칭액.

4. (1) 제4급 수산화 암모늄의 농도가 3~30 중량%이고, (2) 아미노구아니딘염의 농도가 1~20 중량%인 상기 1에 기재된 실리콘 에칭액.

5. pH가 11 이상인 상기 1에 기재된 실리콘 에칭액.

6. 에칭 대상물을 상기 1에 기재된 실리콘 에칭액에 침지하는 공정을 갖는 실리콘 에칭 방법.

7. 전기 (2) 아미노구아니딘염이 아미노구아니딘 중탄산염, 아미노구아니딘 황산염, 아미노구아니딘 염산염 및 아미노구아니딘 질산염으로부터 선택된 1종 이상인 상기 6에 기재된 실리콘 에칭 방법.

이상, 본 발명에 의해 Na 이온이나 K 이온에 의한 전기적 소자부나 전기적 배선부의 기능에 대한 바람직하지 않은 영향을 피하면서, 높은 에칭 속도에서의 실리콘의 에칭이 가능하게 된다. 이 때문에 종래의 제4급 수산화 암모늄 수용액에서의 에칭보다 에칭 속도를 향상시킴으로써 에칭 가공에 필요한 시간을 종래보다 단축할 수 있다고 하는 효과가 있다.

본 발명에 이용하는 제4급 수산화 암모늄은 수산화 테트라메틸 암모늄, 수산화 테트라에틸 암모늄, 수산화 테트라부틸 암모늄이 바람직하고, 특히 수산화 테트라메틸 암모늄이 바람직하다. 본 발명의 제4급 수산화 암모늄은 2 종류 이상 조합하여 이용해도 된다.

제4급 수산화 암모늄의 농도는 원하는 실리콘 에칭 속도에 따라 적절히 결정하는 것이 가능하고, 바람직하게는 3~30 중량%의 범위에서 이용된다. 보다 바람직하게는 5~29 중량%이며, 더욱 바람직하게는 8~26 중량%이다. 3 중량% 보다 낮은 농도 범위에서는 에칭된 면의 표면에 피라미드상의 미세한 돌기가 다량으로 생성하여, 최종적으로 제품의 외관 및 기능에 바람직하지 않은 영향을 미치고 마는 경우가 있다. 또 30 중량% 보다 높은 농도에서는 아미노구아니딘염을 첨가함으로써 얻어지는 에칭 속도의 향상을 도모할 수 없다.

또한 3~30 중량%의 농도 범위내여도 처리하는 환경이나 에칭하는 실리콘 자체의 불순물 농도에도 의존하여, 피라미드상의 미세한 돌기가 생성되는 경우가 있다. 이 돌기는 상기의 농도 범위내의 고농도측에서는 생성하는 개수가 적게 되는 경향이 있기 때문에 돌기의 생성을 적게 하고 싶은 경우에는 고농도측의 영역, 예를 들면 10~30 중량%에서 사용하는 것이 바람직하다.

한편, 다소의 돌기의 생성이 프로세스상 문제가 되지 않는 경우에는 3~30 중량%의 범위내에 있어서 비교적 높은 에칭 속도를 얻을 수 있는 저농도측의 영역, 예를 들면 3~10 중량%에서 사용하는 것이 가능하다.

이와 같이 제4급 수산화 암모늄의 농도는 3~30 중량%의 범위에서 적절히 결정하는 것이 가능하다.

본 발명에 있어서는 제4급 수산화 암모늄과 함께 아미노구아니딘염을 이용한다. 아미노구아니딘염으로서 보다 구체적으로는 아미노구아니딘 중탄산염, 아미노구아니딘 황산염, 아미노구아니딘 염산염 및 아미노구아니딘 질산염이다. 아미노구아니딘염은 단독으로 이용해도, 2 종류 이상 조합하여 이용해도 된다.

아미노구아니딘염의 농도는 원하는 실리콘 에칭 속도에 따라 적절히 결정하는 것이 가능하고, 바람직하게는 1~20 중량%의 범위에서 이용된다. 보다 바람직하게는 5~20 중량%이며, 더욱 바람직하게는 10~19 중량%이다. 1 중량% 보다 낮은 농도에서는 아미노구아니딘염의 첨가에 의한 실리콘 에칭 속도의 향상 효과를 명확하게 얻을 수 없는 경우가 있다. 1 중량% 이상이면, 아미노구아니딘염의 첨가에 의한 에칭 속도의 향상 효과를 명확하게 얻을 수 있게 되며, 아미노구아니딘염 농도를 증가시켰을 때에는 이에 수반하여 에칭 속도도 향상하는 경향을 볼 수 있다. 단, 농도가 20 중량%를 초과하여 아미노구아니딘염의 농도를 증가시켜도 에칭 속도의 추가적인 향상 효과를 볼 수 없다. 또한 에칭액의 온도에 따라서는 제4급 수산화 암모늄 및 아미노구아니딘염의 용해성이 불충분하게 되는 경우가 있기 때문에 원하는 에칭 속도를 고려한 다음, 제4급 수산화 암모늄 및 아미노구아니딘염 농도를 조제하면 된다.

또, 본 발명의 에칭액에는 젖음성(濡性)을 향상시키기 위해서 계면활성제를 첨가해도 되고, 예를 들면 양이온계, 비이온계, 음이온계 중 어느 하나의 계면활성제를 사용해도 상관없다. 추가로 착색제 등의 일반적인 첨가제를 더할 수도 있다. 본 발명의 에칭액의 pH는 7 보다 높은 알칼리이면 바람직하고, 9 이상이면 보다 바람직하고, pH11 이상이 더욱 바람직하다

본 발명의 실리콘 에칭 방법은 통상 가온된 에칭액 중에 에칭 대상물을 침지하고, 소정 시간 경과 후에 꺼내어, 에칭 대상물에 부착하고 있는 에칭액을 에칭 대상물로부터 제거하기 위해서 물 등으로 린스한 후, 건조하는 방법이 실시되고 있다. 에칭액의 사용 온도로서는 40℃ 이상 비점 미만의 온도가 바람직하고, 더욱 바람직하게는 50℃에서 90℃, 특히 70℃에서 90℃가 바람직하다. 에칭액의 온도가 40℃ 미만인 경우, 에칭 속도가 낮아지기 때문에 생산 효율이 현저하게 저하해 버린다. 비점까지 온도를 올리면 액 조성 변화가 현저하고, 에칭 조건을 일정하게 유지하는 것이 어렵다. 에칭액의 온도를 높게 하는 것으로 에칭 속도는 상승하지만 에칭액의 성능의 경시 변동을 작게 억제하는 것 등도 고려한 다음, 적절히 최적인 처리 온도를 결정하면 된다.

본 발명에 있어서의 에칭 대상물은 단결정 실리콘을 포함한 기판 또는 다면체 블록이고, 기판이나 블록의 전역 또는 일부 영역에 단결정 실리콘이 존재하고 있는 것이다. 또한 단결정 실리콘은 단층이어도 다층으로 적층된 상태여도 상관없다. 이러한 기판이나 블록의 전역 또는 일부 영역에 이온 도프한 것도 에칭 대상물이 된다. 또 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 실리콘 유기막 등의 재료나 알루미늄막, 크롬막, 금막 등의 금속막이 상기의 에칭 대상물의 표면이나 대상물 내부에 존재하고 있는 것에 대해서도, 본 발명에서의 에칭 대상물에 포함된다.

실시예

이하, 실시예 및 비교예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예로 하등 제한되는 것은 아니다. 실시예 및 비교예 중의 %는 중량%를 의미한다. 평가에 이용한 에칭 대상물은 단결정 실리콘 (100)(단순히 실리콘 (100)이라고 하는 경우가 있다) 웨이퍼이다. 이 실리콘 (100) 웨이퍼의 한쪽 측의 면은 그 전체 면이 실리콘 열 산화막으로 이루어지는 보호막에 의해서 덮인 상태가 되어 있고, 또 한쪽 측의 면에서는 실리콘 열 산화막의 일부를 드라이에칭에 의해 제거하여 실리콘면이 노출한 패턴 형상을 가지고 있다. 이 실리콘 (100) 웨이퍼는 에칭 처리를 하기 직전에 1% 불화수소산 수용액에 상온에서 3분간 침지하고, 그 후 초순수(超純水)에 의한 린스를 실시하고 건조를 실시하였다. 이 불화수소산 수용액 처리에 의해서, 패턴 형상의 실리콘면이 노출한 부분의 표면에 생성되어 있는 실리콘 자연 산화막을 제거한 후에 처리를 실시하였다.

실시예 1

10%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하였다. 이 에칭액을 PTFE제 용기에 넣고 이 용기를 탕욕(湯浴) 중에 담가 에칭액의 온도를 80℃로 가온하였다. 에칭액의 온도가 80℃에 이른 후, 단결정 실리콘 (100) 웨이퍼를 에칭액 중에 10분간 담가 에칭 처리를 실시하고, 그 후 웨이퍼를 꺼내 초순수에 의한 린스 및 건조를 실시하였다. 에칭 처리를 실시한 웨이퍼는 실리콘의 에칭에 수반하여 패턴 부분이 주위보다 움푹 팬 상태가 되어, 에칭된 부분과 에칭되어 있지 않은 부분의 높낮이 차를 측정함으로써 10분간에서의 실리콘 (100) 면의 에칭 깊이를 구했다. 이 에칭 깊이를 10으로 나눈 값을 실리콘 (100) 면의 에칭 속도(단위는 ㎛/분)로서 산출하였다. 이 결과, 실리콘 (100) 면의 에칭 속도는 1.56㎛/분이었다.

실시예 2

10%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 황산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 1.21㎛/분이었다.

실시예 3

10%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 염산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 1.09㎛/분이었다.

실시예 4

10%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 질산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 1.08㎛/분이었다.

비교예 1

10%의 수산화 테트라메틸 암모늄만을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 실리콘 (100) 면의 에칭 속도는 0.61㎛/분이었다.

실시예 1~4 및 비교예 1로부터 유기 알칼리 화합물인 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액에 아미노구아니딘염을 첨가함으로써 같은 농도의 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액보다 실리콘 (100) 면의 에칭 속도가 향상하는 것을 알 수 있다.

실시예 5

8%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 중탄산 아미노구아니딘을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 1.43㎛/분이었다.

비교예 2

8%의 수산화 테트라메틸 암모늄만을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 실리콘 (100) 면의 에칭 속도는 0.73㎛/분이었다.

실시예 6

15%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 1.01㎛/분이었다.

비교예 3

15%의 수산화 테트라메틸 암모늄만을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 실리콘 (100) 면의 에칭 속도는 0.60㎛/분이었다.

실시예 7

25%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 0.62㎛/분이었다.

비교예 4

25%의 수산화 테트라메틸 암모늄만을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 실리콘 (100) 면의 에칭 속도는 0.48㎛/분이었다.

실시예 1과 비교예 1 및 실시예 5, 6, 7과 비교예 2, 3, 4로부터 유기 알칼리 화합물인 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액의 농도를 변화시킨 것에 대하여 일정 농도의 아미노구아니딘염을 첨가한 경우에 각각의 같은 농도의 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액보다 실리콘 (100) 면의 에칭 속도가 향상하는 것을 알 수 있다.

실시예 8

20%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 5.0%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 0.63㎛/분이었다.

실시예 9

20%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 10.0%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 0.72㎛/분이었다.

실시예 10

20%의 수산화 테트라메틸 암모늄과 12.0%의 아미노구아니딘 중탄산염을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 동일한 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 0.77㎛/분이었다.

비교예 5

20%의 수산화 테트라메틸 암모늄만을 포함한 수용액을 에칭액으로서 조제하고, 실시예 1과 같은 방법으로 실리콘 (100) 면의 에칭 속도를 조사한 결과, 0.51㎛/분이었다.

실시예 8, 9, 10 및 비교예 5로부터 유기 알칼리 화합물인 수산화 테트라메틸 암모늄 수용액에 아미노구아니딘염을 첨가한 경우, 그 첨가량에 따라 실리콘 (100) 면의 에칭 속도가 향상하는 것을 알 수 있다.

실시예 1~10 및 비교예 1~5에 있어서 조정된 에칭액의 배합 비율 및 그의 에칭 속도를 표 1에 나타낸다.

[표 1-1]

		실시예 1	실시예 2	실시예 3	실시예 4	비교예 1	실시예 5	비교예 2
배합비율(중량%)	수산화 테트라메틸 암모늄	10	10	10	10	10	8	8
	아미노구아니딘 중탄산염	10					10
	아미노구아니딘 황산염		10
	아미노구아니딘 염산염			10
	아미노구아니딘 질산염				10
에칭 속도 (㎛/분)		1.56	1.21	1.09	1.08	0.61	1.43	0.73

[표 1-2]

		실시예 6	비교예 3	실시예 7	비교예 4	실시예 8	실시예 9	실시예 10	비교예 5
배합비율(중량%)	수산화 테트라메틸 암모늄	15	15	25	25	20	20	20	20
	아미노구아니딘 중탄산염	10		10		5	10	12
	아미노구아니딘 황산염
	아미노구아니딘 염산염
	아미노구아니딘 질산염
에칭 속도 (㎛/분)		1.01	0.60	0.62	0.48	0.63	0.72	0.77	0.51

Claims

단결정 실리콘을 이방적(異方的)으로 용해하는 실리콘 에칭액으로서, (1) 제4급 수산화 암모늄 및 (2) 아미노구아니딘염을 함유한 수용액인 것을 특징으로 하는 실리콘 에칭액.
청구항 1에 있어서,
(1) 제4급 수산화 암모늄이 수산화 테트라메틸 암모늄인 실리콘 에칭액.
청구항 1에 있어서,
(2) 아미노구아니딘염이 아미노구아니딘 중탄산염, 아미노구아니딘 황산염, 아미노구아니딘 염산염 및 아미노구아니딘 질산염으로부터 선택된 1종 이상인 실리콘 에칭액.
청구항 1에 있어서,
(1) 제4급 수산화 암모늄의 농도가 3~30 중량%이고, (2) 아미노구아니딘염의 농도가 1~20 중량%인 실리콘 에칭액.
청구항 1에 있어서,
pH가 11 이상인 실리콘 에칭액.
에칭 대상물을 청구항 1에 기재된 실리콘 에칭액에 침지하는 공정을 갖는 실리콘 에칭 방법.
청구항 6에 있어서,
(2) 아미노구아니딘염이 아미노구아니딘 중탄산염, 아미노구아니딘 황산염, 아미노구아니딘 염산염 및 아미노구아니딘 질산염으로부터 선택된 1종 이상인 실리콘 에칭 방법.