KR20080069765A - 형광체 제조 방법 및 그 형광체를 이용한 발광 다이오드 - Google Patents

Abstract

본 발명은 형광체 제조방법 및 이를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다.

본 발명 실시 예에 따른 형광체 제조방법은, 형광체 모체로서 스트론튬 질산염(Sr(NO₃)₂) 및 금속알콕 사이드(TEOS)와, 형광체 활성제로서 유로피움 산화물(Eu)을 포함하는 전구체 용액을 합성하는 단계; 상기 합성된 전구체 용액을 가열하여 겔을 형성하는 단계; 상기 겔 상태의 시편을 건조하는 건조 단계; 상기 건조된 겔에서 유기물 및 수분을 제거하는 소성 단계; 상기 겔의 유로피움 산화물의 환원 처리를 통해 형광체인 산화물 고체를 만드는 환원처리 단계를 포함한다.

졸-겔법, 형광체, 실리케이트계 황색 형광체, 발광 다이오드

Description

형광체 제조 방법 및 그 형광체를 이용한 발광 다이오드{Manufacturing method for fluorescent material and light emitting diode using thereof}

도 1은 본 발명 실시 예에 따른 형광체 제조방법을 나타낸 플로우 챠트.

도 2는 형광체 입자를 비교한 도면으로서, (a)는 고상법에 의해 제조된 형광체 입자이며, (b)는 본 발명에 따른 졸-겔법에 의해 제조된 형광체 입자를 나타낸 도면.

도 3은 고상법과 본 발명 졸-겔법에 의한 형광체 휘도를 나타낸 도면.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른, 표면 실장형 형태인 백색 발광다이오드의 구조를 나타낸 도면.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른, 버티컬 램프 타입인 백색 발광다이오드의 구조를 나타낸 도면.

< 도면의 주요 부분에 대한 설명 >

110,210: 리드프레임 130,230: 발광다이오드 칩

150,250: 와이어

170,270: 광 투과 수지

172,272: 실리케이트계 황색형광체 174,274: 실리케이트계 녹색형광체

본 발명은 형광체 제조방법 및 이를 이용한 발광 다이오드에 관한 것이다.

반도체 발광소자 (Light Emitting Diode: LED)는 PN 접합된 화합물 반도체로서, 전압을 가하면 전자와 정공의 결합으로 반도체의 밴드갭 (bandgap)에 해당하는 에너지를 빛의 형태로 방출하는 일종의 광전자소자 (optoelectronic device)이다.

GaN 계의 질화물 반도체 발광물질에 의해 고휘도의 청색 LED가 개발되어 LED의 풀 컬러화가 실현됨에 따라, LED는 표시장치의 표시소자 뿐만 아니라 조명용으로까지 그 사용범위가 확대되고 있다. 조명용 LED는 형광등 및 백열등과 같은 기존의 조명기구에 비해 약 10~15％ 정도의 낮은 전력소모와 100,000시간 이상의 반영구적인 수명, 및 환경 친화적 특성등을 지니고 있어서 에너지 소비 효율을 획기적으로 개선할 수 있다.

반도체 발광소자가 조명용으로 응용되기 위해서는 LED를 이용하여 백색광을 얻을 수 있어야 한다. 백색 반도체 발광장치를 구현하는 방법에는 크게 3가지가 알려져 있다. 첫 번째 방법은 빛의 삼원색인 적색, 녹색, 청색을 내는 3개의 LED를 조합하여 백색을 구현하는 방법으로서, 발광물질로는 InGaN, AlInGaP 형광체를 이용한다. 이 방법은 단일 칩 위에 RGB의 3색 LED를 구성하여 백색 LED를 만드는 작업이 용이하지 않으며, 각각의 LED를 만드는 물질과 방식이 서로 다르고, 각각의 LED의 구동전압이 달라서 전류의 세기를 조절하기가 용이하지 않다. 두 번째 방법은 자외선 LED를 광원으로 이용하여 삼원색 형광체를 여기시켜 백색을 구현하는 방 법으로서, InGaN/R,G,B 형광체를 발광물질로서 이용한다. 이 방법은 고 전류하에서 사용될 수 있고, 색감을 개선시킬 수 있다. 그러나, 상기 두 방법은 현재 녹색 구현을 위한 물질의 개발이 만족 스럽지 못하고 단파장인 청색 LED로부터 방출된 광이 장파장인 적색 LED에 흡수되어 전체 발광효율이 저하될 수 있다는 문제가 있다. 세 번째 방법은 청색 LED를 광원으로 사용하여 황색 형광체를 여기시킴으로써 백색을 구현하는 방법이며, 일반적으로 InGaN/YAG:Ce 형광체를 발광물질로서 이용한다.

형광체를 이용하는 조명기구의 효율은 여기 광선 (exciting radiation)의 파장과 방출되는 광선의 파장의 차이가 작을수록 증가한다. 따라서, 형광체의 발광특성은 반도체 발광장치의 색상과 휘도의 결정에 매우 중요한 인자로 작용한다. 형광체는 일반적으로 결정성 무기화합물로 된 모체(matrix)와 이러한 모체를 효과적인 형광물질로 전환시키는 작용을 하는 활성제(activator)로 되어 있으며, 다양한 형태의 에너지를 흡수하여 전자가 여기상태로 되었다가 바닥상태로 되돌아가면서 주로 가시영역의 빛을 내는 물질이다. 상기 무기화합물 모체와 활성제의 적절한 조합에 의해 방출광의 칼라가 조절될 수 있다.

이러한 형광체 기능성 재료의 합성에 사용되고 있는 방법에는 일반적으로 고상법(Solid-state reaction)이 많이 사용되고 있다. 상기 고상법에서는 각각의 구성 성분들의 산화물을 혼합하고 반복되는 고온열처리 및 분쇄공정을 거쳐 최종적으로 원하는 다성분 산화물 형광체를 제조하므로, 고상법으로 순수한 조성을 얻기 위해서는 고온과 장시간의 공정을 거쳐야 한다. 또한, 반복되는 열처리 및 분쇄과정을 거치면서 형광체에 불순물이 함유될 수 있으며, 이 방법으로 제조되는 형광체는 일 반적으로 크기가 수 마이크론에 해당되며 표면이 거칠고 형태가 불균일하다.

이러한 고상법의 이러한 문제점을 해결하기 위하여 액상법을 이용한 제조방법이 연구되고 있다.

본 발명은 형광체 제조방법 및 그 형광체를 이용한 발광 다이오드를 제공한다.

본 발명은 액상법의 졸-겔법을 형광체의 합성에 응용하여, 형광체 입자의 제어와 저온소결합성을 위한 형광체 제조방법 및 그 형광체를 이용한 발광 다이오드를 제공한다.

본 발명 실시 예에 따른 형광체 제조방법은, 형광체 모체로서 스트론튬 질산염(Sr(NO₃)₂) 및 금속알콕 사이드(TEOS)와, 형광체 활성제로서 유로피움 산화물(Eu)을 포함하는 전구체 용액을 합성하는 단계; 상기 합성된 전구체 용액을 가열하여 겔을 형성하는 단계; 상기 겔 상태의 시편을 건조하는 건조 단계; 상기 건조된 겔에서 유기물 및 수분을 제거하는 소성 단계; 상기 겔의 유로피움 산화물의 환원 처리를 통해 형광체인 산화물 고체를 만드는 환원처리 단계를 포함한다.

또한, 본 발명 실시 예에 따른 발광 다이오드는, 리드 프레임; 상기 리드 프레임에 실장된 발광 다이오드 칩; 상기 발광 다이오드 칩을 리드 프레임에 전기적으로 연결하기 위한 통전수단; 상기 발광 다이오드 칩 주위에 몰딩되는 광 투과 수 지; 상기 광 투과 수지에 포함되며, 졸-겔법을 이용하여 형성된 실리게이트계 형광체를 포함한다.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명 실시 예에 따른 형광체 제조 방법에 대하여 설명하면 다음과 같다.

도 1은 본 발명 실시 예에 따른 형광체 제조 방법을 나타낸 플로우 챠트이며, 도 2의 (a)(b)는 고상법 및 졸-겔법으로 제조된 형광체 입자를 비교한 도면이며, 도 3은 고상법과 본 발명의 졸-겔법의 형광체 휘도를 나타낸 도면이다.

도 1을 참조하면, 출발물질들을 이용하여 전구체 용액을 합성하게 된다(S101). 상기 출발물질로는 스트론튬 질산염(Sr(NO₃)₂: Strontium nitrate), 금속알콕 사이드(TEOS : Tetraethyl orthosilicate), 유로피움 산화물(Eu : Europium oxide)을 사용하게 된다. 그리고 융제(FLUX)로서 암모늄 불화물(Ammonium fluoride), 또는 F, Ci 등을 사용하게 된다. 여기서, 상기 금속알콕 사이드는 순도 98%정도이며, 유로피움 산화물은 순도 99.99%정도이고, 융제로서 암모늄 불화물은 순도 99% 정도이다.

상기 스트론튬 질산염(Sr(NO₃)₂) 및 금속 알콕 사이드(TEOS)는 형광체의 모체가 되고, 상기 모체를 도핑하는 활성제로는 유로피움 산화물(Eu)이 된다. 상기 금속 알콕 사이드(TEOS)는 Si를 위한 유기 용매이며, 소성 과정에서 유기 성분은 모두 제거되고 무기물인 Si가 남게 된다. 이때, 혼합 비율은 Sr = (3-x) mol, TEOS = 1mol, Eu = x mol 이 된다.

이러한 출발물질을 합성하여 전구체 용액을 제조하게 된다. 이를 위해, 상기 금속 알콕 사이드를 에탄올에 용해시킨 후, 스트론튬 질산염을 물(증류수)에 녹여 혼합한 용액과 혼합한 후, 활성제를 첨가하거나, 질산염을 물에 녹일 때 활성제를 첨가하여 전구체 용액을 제조할 수 있다. 또는 산화물 형태의 경우 물에 용해되지 않을 경우 질산을 첨가하여 깨끗한 용액을 얻은 후, 활성제로서 유로피움 산화물을 첨가하여 전구체 용액을 제조한다.

여기서, 출발물질 전구체 용액의 Ph는 1로 조절하게 되는데, 이는 형광체 입자를 구형으로 얻기 위함이다. 또한 상기 물과 금속 알콕 사이드인 TEOS의 비는 60 : 1로 한다.

이러한 전구체 용액이 제조되면 졸 용액의 겔화 공정이 수행된다(S103). 상기 졸 용액의 겔화 공정은 상기 합성된 전구체 용액을 65~70℃의 항온조에서 환류시키며 장시간 가열하여 겔을 형성하게 된다. 여기서, 가열 시간은 물의 양과 상관이 있으며, 물의 양이 많으면 겔화 시간은 길어지며, 물의 양을 최소한으로 줄인다면 겔화 시간은 짧아질 수 있다.

여기서, 졸-겔법에서의 용액의 겔화(Gelation) 공정은 가수분해와 중합반응의 결과 일어나며, 겔화가 일어나기 위해서는 금속 알콕사이드의 중합에 의해 = Si - O - Si = 의 결합으로부터 생성되는 실리카 중합체의 생성 전에 가수분해가 먼저 일어나게 된다.

균일한 다성분계 겔을 제조함에 있어서, 가수분해와 축합반응은 동시에 일어 나며 졸 용액이 유동성을 읽게 되면서 겔화가 일어나기 때문에, 이 두 반응은 반응 동안에 유사한 반응속도가 요구된다. 이러한 반응을 진행시켜 졸(sol)을 겔(gel)로 고화하게 된다.

상기 가수 분해는 물 분자가 반응물의 하나로 작용하는 복분해 반응이며, 중합반응은 단위체 내에 2개 이상의 작용기가 있을 때, = Si - O - Si = 와 같은 단위체끼리 결합할 때 분자들이 빠져나가면서 중합체를 만드는 반응이다. 축합 반응은 촉매 존재하에서 두 분자가 반응하여 물이나 다른 간단한 분자가 제거되면서 결합하는 유기반응이다.

가수분해(Hydrolysis) 화학식은 다음과 같다.

M(OR)_z　+ xH₂O - - - partially hydrolyzed -> (HO)_X-M(OR)_z-x　+ xROH ; 0 <　x <　z　　

M(OR)_z　+ zH₂O - - - completely hydrolyzed -> M(OH)_z　+ zROH

중합 반응 (Condensation) 화학식은 다음과 같다.

(RO)_z-1M-OH + HO-M(OR)_z-1　-> (RO)_z-1　M-O-M(OR)_z-1　+ H₂O　　

(RO)_z-1M-OR + HO-M(OR)_z-1　-> (RO)_z-1　M-O-M(OR)_z-1　+ ROH

그리고, 상기 형성된 겔을 건조하게 된다(S105). 이러한 겔 건조 단계는 겔 상태의 시편을 출발 물질의 특성이나 상태에 따라 24시간 동안 80~200℃로 가열, 건조하여 겔의 수분을 최대한 제거하게 된다.

그리고 겔 상태의 시편을 소성(소결)하게 된다(S107). 상기 소성 단계는 건 조된 겔의 완전한 수분 제거 및 유기물을 제거하는 단계로서, 3~5시간 동안 500~1000℃로 가열하게 된다.

여기서, 본 발명은 졸 용액 상태로 반응이 이루어진다. 이에 따라, 모든 화학적인 반응이 액상에서 진행되기 때문에 반응이 이루어지는 분자의 균일한 조성과 분자간의 1:1 반응이 용이하게 된다. 즉, 용액으로부터 출발하므로 다성분계의 원료(예: Si)가 분자단위나 원자단위로 혼합되므로 균질성이 증가하며, 이는 다성분계 화합물의 합성시 빈공간을 최소화하여 치밀하게 소결할 수 있다.

이러한 겔 상태의 시편이 소성되면, 환원 처리를 수행하게 된다. 이는 유로피움 산화물 이온과 스트론튬 질산염 이온의 치환 반응을 위해, 5% 수소가스 분위기에서 3~5시간 동안 1200~1350℃ 온도로 가열함으로써, Eu^{3 +} 이온 모두가 Eu^{2 +} 이온으로 환원된다. 이때 -Eu^{3 +} + N₂ - = Eu^{2 +}이 된다.

이러한 과정을 거친 최종 겔로 고화된 산화물 고체가 형광체 분말 즉, 형광체가 된다. 이에 따라 실리게이트계 황색 형광체 Sr_{3 - x}SiO₅:Eu^{2 +} _x(0 ≤ x ≤1)가 제조된다.

이와 같이 졸-겔법을 이용하여 형광체를 합성하였을 경우, 고상법에 비해 입자가 치밀하게 응집되어 있으며, 입자간의 접촉이 많으므로 낮은 온도에서 소결이 가능하게 된다. 또한 공극이 균등하게 분포하고 있어 기공율이 작고 입경이 고상법에 비해 균일하고, 치밀한 소결체가 얻어질 수 있다.

도 2는 고상법과 본 발명의 졸-겔법의 형광체 입자 형상을 비교한 도면으로서, (a)는 고상법에 의해 제조된 형광체 입자이며, (b)는 본 발명에 따른 졸-겔법에 의해 제조된 형광체 입자를 나타낸 도면이다. 본 발명에 의한 졸-겔법의 형광체 입자가 상대적으로 작게 나타난다. 여기서, 형광체 입자 사이즈는 2~30um정도가 된다. 이러한 형광체 입자는 산, 염기 촉매를 사용함으로써 입자의 형태의 조절이 가능하게 된다.

이에 따라 졸-겔법을 이용하여 합성된 형광체의 발광 특성에 밀접한 영향을 미치며 도 3과 같이 고상법(Solid state reaction)과 비교하여 졸-겔법(Sol-Gel method)의 형광체 휘도가 높게 나타난다.

본 발명은 Si를 모체로 가지는 형광체는 졸-겔법으로 가능하므로, 상기의 실리게이트계 황색 형광체는 물론, Ba_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x 또는 Ca_{1 - x}MgSi₂O₇:Eu^{2 +} _x 또는 Sr_{2 -x}SiO₄:Eu²⁺ _x(0.001≤x ≤1) 등의 실리게이트계 녹색 형광체 등도 적용할 수 있다.

한편, 본 발명에 따른 상기 형광체를 이용한 백색 발광 다이오드를 도 4 및 도 5를 참조하여 상세히 설명한다.

도 4는 표면 실장형(SMD) 형태인 백색 발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.

도 4를 참조하면, 양극 및 음극의 리드프레임(110)과, 전압을 인가하면 400 ~ 480nm 영역에 발광 스펙트럼의 주피크를 갖는 광을 발생시키는 InGaN의 발광 다이오드 칩(130)과, 상기 리드프레임(110)과 발광다이오드 칩(130)의 통전을 위한 와이어(150)와, 상기 발광다이오드 칩(130) 주위 전체를 몰딩한 광 투과 수지(170) 를 포함한다. 여기서, 광 투과 수지(170)는 실리콘 수지 또는 에폭시 수지이다.

상기 광 투과 수지(170)에는 상기 Sr_{3 - x}SiO₅:Eu^{2 +} _x(0 ≤ x ≤1)인 실리케이트계 황색 형광체(172)와 Ba_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x 또는 Ca_{1 - x}MgSi₂O₇:Eu^{2 +} _x 또는 Sr_{2 -x}SiO₄:Eu²⁺ _x(0.001≤x ≤1)중 어느 하나의 실리케이트계 녹색 형광체(174)가 혼합되어 상기 발광다이오드 칩(130) 주위 전체를 몰딩하여 백색광을 발광하는 백색 발광 다이오드를 제공한다.

여기서, 백색의 경우 광 투과 수지에 혼합되는 실리게이트계 황색 형광체와 실리케이트계 녹색 형광체의 혼합 비율은 1:1 ~ 1:9 또는 9:1 ~ 1:1로 할 수 있다. 또한, 청백색(bluish white)의 경우, 녹색 형광체와 황색 형광체는 1:2 ~ 1:5로 혼합될 수 있다.

도 5는 본 발명의 다른 실시예에 따른 버티컬 램프 타입인 백색 발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.

도 5에 도시된 바와 같이, 버티컬 램프 타입의 백색 발광다이오드는 한 쌍의 리드프레임(210)과, 상기 리드프레임(210)에 실장되는 청색 발광다이오드 칩(230)과, 상기 리드프레임(210)과 발광 다이오드 칩(230)을 전기적으로 연결하기 위한 와이어(250)과, 상기 발광다이오드 칩(230) 주위 전체를 몰딩하는 광 투과 수 지(270)와 외장재(280)를 포함한다.

상기 광 투과 수지(270)에는 상기 표면 실장형 백색 발광다이오드와 마찬가지로, Sr_{3 - x}SiO₅:Eu^{2 +} _x(0 ≤ x ≤1)인 실리케이트계 황색 형광체(272)와 Ba_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x 또는 Ca_{1 - x}MgSi₂O₇:Eu^{2 +} _x 또는 Sr_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x(0.001≤x ≤1)중 어느 하나의 실리케이트계 녹색 형광체(274)가 혼합되어 상기 발광다이오드 칩(230) 주위 전체를 몰딩하여 백색광을 발광하는 백색 발광 다이오드를 제공한다.

구체적으로는, 상기 광 투과 수지(270)에 상기 발광다이오드 칩(230)에서 발생되는 청색광(400~480nm)에 의하여 여기되는 주피크가 550 ~ 600nm인 실리케이트계 황색 형광체(272)와 주피크가 500 ~ 550nm인 실리케이트계 녹색 형광체(274)가 혼합되어 상기 발광다이오드 칩(230)을 포위하도록 성형된다.

이때, 상기 실리케이트계 황색 형광체(272)는 상기 발광다이오드 칩(230)에서 발생되는 청색광(400~480nm)에 의하여 550 ~ 600nm영역의 주피크를 갖는 광이 여기되며, 상기 실리케이트계 녹색 형광체(274)는 500 ~ 550nm영역의 주피크를 갖는 광이 여기된다.

상기 표면실장형 백색 발광다이오드 또는 버티컬 램프 타입의 백색 발광다이오드에서 백색광이 구현되는 과정을 상세하게 설명하면, 도 4 및 도 5와 같이 청색 발광다이오드 칩(130,230)에서 출사되는 청색의 광(400 ~ 480nm)은 상기 실리케이트계 황색 형광체(172,272) 및 실리케이트계 녹색 형광체(174,274)를 통과하게 된다. 여기서, 일부의 광은 상기 실리케이트계 황색 형광체(172,272) 및 실리케이트 계 녹색 형광체(174,274)를 여기시켜 각각 여기 파장 중심이 550 ~ 600nm 및 500 ~ 550nm 대의 주피크를 갖는 광을 발생시키며, 나머지 광은 청색광으로 그대로 투과하게 된다.

이상에서 본 발명에 대하여 실시 예를 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다.

예를 들어, 본 발명의 실시 예에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부된 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.

본 발명 실시 예에 따른 형광체 및 이를 이용한 발광 다이오드에 의하면, 졸-겔법을 이용하여 형광체를 합성함으로써 다성분계 화합물의 균질성을 증가시켜 줄 수 있으며, 치밀하게 소결할 수 있다.

또한 형광체의 휘도를 개선할 수 있어, LCD용 광원, LED 램프, 지시용 LED, 형광등에 채용되는 백색 발광 다이오드의 휘도를 개선시켜 줄 수도 있다.

Claims (11)

1. 형광체 모체로서 스트론튬 질산염(Sr(NO₃)₂) 및 금속알콕 사이드(TEOS)와, 형광체 활성제로서 유로피움 산화물(Eu)을 포함하는 전구체 용액을 합성하는 단계;

   상기 합성된 전구체 용액을 가열하여 겔을 형성하는 단계;

   상기 겔 상태의 시편을 건조하는 건조 단계;

   상기 건조된 겔에서 유기물 및 수분을 제거하는 소성 단계;

   상기 겔의 유로피움 산화물의 환원 처리를 통해 형광체인 산화물 고체를 만드는 환원처리 단계를 포함하는 형광체 제조방법.
2. 제 1항에 있어서,

   상기 전구체 용액은 금속 알콕 사이드를 에탈올에 용해시킨 후 스트론듐 질산염을 물에 녹인 용액과 혼합한 후, 활성제를 첨가하는 것을 특징으로 하는 형광체 제조방법.
3. 제 1항에 있어서,

   상기 전구체 용액의 Ph는 1로 하는 형광체 제조방법.
4. 제 1항에 있어서,

   상기 겔 상태의 시편을 건조하기 위해 23~25시간 동안 80~200℃로 가열하는 형광체 제조방법.
5. 제 1항에 있어서,

   상기 소정 단계는 1~5시간 동안 800~1000℃로 가열하는 형광체 제조방법.
6. 제 1항에 있어서,

   상기 환원 처리 단계는 수소가스 분위기에서 3~5시간 동안 1200~1350℃로 가열하는 형광체 제조방법.
7. 제 1항에 있어서,

   상기 형광체는 Sr_{3 - x}SiO₅:Eu^{2 +} _x(0 ≤ x ≤1) 실리게이트계 황색 형광체를 포함하는 형광체 제조방법.
8. 제 1항에 있어서,

   상기 형광체는 Sr_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x(0.001≤x ≤1) 중 어느 하나의 실리게이트계 녹색 형광체를 포함하는 형광체 제조방법.
9. 제 1항에 있어서,

   상기 Sr = (3-x) mol, TEOS = 1mol, Eu = x mol 비율로 혼합하는 형광체 제 조방법.
10. 리드 프레임;

    상기 리드 프레임에 실장된 발광 다이오드 칩;

    상기 발광 다이오드 칩을 리드 프레임에 전기적으로 연결하기 위한 통전수단;

    상기 발광 다이오드 칩 주위에 몰딩되는 광 투과 수지;

    상기 광 투과 수지에 포함되며, 졸-겔법을 이용하여 형성된 실리게이트계 형광체를 포함하는 발광 다이오드.
11. 제 10항에 있어서,

    상기 실리게이트계 형광체는 Sr_{3 - x}SiO₅:Eu^{2 +} _x(0 < x ≤1), Ba_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x , Ca_{1 -x}MgSi₂O₇:Eu²⁺ _x 또는 Sr_{2 - x}SiO₄:Eu^{2 +} _x(0.001≤x ≤1)중 적어도 하나의 실리게이트계 형광체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드.

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