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KR20080020337A - Liquid crystal display - Google Patents

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Publication number
KR20080020337A
KR20080020337A KR1020060083712A KR20060083712A KR20080020337A KR 20080020337 A KR20080020337 A KR 20080020337A KR 1020060083712 A KR1020060083712 A KR 1020060083712A KR 20060083712 A KR20060083712 A KR 20060083712A KR 20080020337 A KR20080020337 A KR 20080020337A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electrode
display panel
semiconductor layer
gate
source electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
KR1020060083712A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
김동규
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Priority to KR1020060083712A priority Critical patent/KR20080020337A/en
Publication of KR20080020337A publication Critical patent/KR20080020337A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

표면 평탄화가 증가된 액정 표시 장치가 제공된다. 액정 표시 장치는 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 게이트 전극과 오버랩되어 있는 반도체층, 반도체층 상에 게이트 전극과 오버랩되어 형성되며, 서로 이격되어 마주하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 반도체층 상에 게이트 전극과 오버랩되어 형성되되, 소오스 전극 및 드레인 전극의 대향 영역 이외의 영역에 형성되며, 소오스 전극 및 드레인 전극과 분리되어 있는 더미 플로팅 전극, 및 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 포함하는 제1 표시판, 제1 표시판과 이격되어 대향하는 제2 표시판, 및 제1 표시판 및 제2 표시판의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서로서, 제1 표시판과 제2 표시판의 사이에서 게이트 전극과 오버랩되도록 위치하는 컬럼 스페이서를 포함한다.A liquid crystal display device having increased surface planarization is provided. The liquid crystal display includes a gate electrode formed on an insulating substrate, a semiconductor layer overlapping the gate electrode, a source electrode and a drain electrode formed on the semiconductor layer overlapping with the gate electrode, and spaced apart from each other, and a gate electrode on the semiconductor layer. A first display panel formed in an area other than opposite regions of the source electrode and the drain electrode, the dummy floating electrode separated from the source electrode and the drain electrode, and a pixel electrode connected to the drain electrode; The display panel may include a second display panel spaced apart from the display panel and a column spacer configured to maintain a gap between the first display panel and the second display panel, wherein the column spacer is disposed to overlap the gate electrode between the first display panel and the second display panel.

Description

액정 표시 장치{Liquid Crystal Display}Liquid crystal display

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 어레이를 개략적으로 나타낸 도면이다. 1 is a diagram schematically illustrating a pixel array of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 2는 도 1의 액정 표시 장치의 일 화소에 대한 등가 회로도이다.FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the liquid crystal display of FIG. 1.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제1 표시판의 레이아웃도이다. 3 is a layout diagram of a first display panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 4a 및 도 4b는 도 3의 제1 박막 트랜지스터 및 제2 박막 트랜지스터를 확대한 확대도들이다.4A and 4B are enlarged views illustrating the first thin film transistor and the second thin film transistor of FIG. 3.

도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제2 표시판의 레이아웃도이다.5 is a layout diagram of a second display panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 레이아웃도이다.6 is a layout diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention.

도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 자른 단면도이다. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII 'of FIG. 6.

<도면의 주요부분에 대한 부호의 설명><Description of the symbols for the main parts of the drawings>

100: 제1 표시판 200: 제2 표시판100: first display panel 200: second display panel

300: 액정층 310: 컬럼 스페이서300: liquid crystal layer 310: column spacer

400: 액정 표시 장치400: liquid crystal display

본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것으로서, 더욱 상세하게는 표면 평탄화가 증가된 액정 표시 장치에 관한 것이다. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display, and more particularly, to a liquid crystal display with increased surface planarization.

액정 표시 장치는 박막 트랜지스터가 어레이되어 있는 제1 표시판 및 그에 대향하는 제2 표시판, 그리고 이들 사이에 개재되어 있는 액정층을 포함하여 이루어진다. 제1 표시판과 제2 표시판 사이에는 스페이서가 구비되어 이들간의 셀갭을 유지한다. The liquid crystal display device includes a first display panel in which thin film transistors are arrayed, a second display panel opposite thereto, and a liquid crystal layer interposed therebetween. A spacer is provided between the first display panel and the second display panel to maintain a cell gap therebetween.

스페이서는 주로 비투과 영역에 배치된다. 예를 들어 제1 표시판의 게이트 배선, 데이터 배선 또는 박막 트랜지스터와 오버랩됨과 동시에 제2 표시판의 블랙 매트릭스와 오버랩되도록 배치된다. 여기서, 제1 표시판의 오버랩 영역은 바람직하기로는 상대적으로 넓은 면적을 갖는 박막 트랜지스터 형성 영역이다. 예를 들어 컬럼 스페이서의 경우, 제2 표시판 상에 블랙 매트릭스와 오버랩되도록 형성한 후, 컬럼 스페이서의 말단을 박막 트랜지스터와 오버랩된 위치에서 제1 표시판의 상면에 맞닿도록 대향시킨다. The spacer is mainly disposed in the non-transmissive region. For example, the semiconductor device may be disposed to overlap the gate line, the data line, or the thin film transistor of the first display panel and to overlap the black matrix of the second display panel. Here, the overlap region of the first display panel is preferably a thin film transistor formation region having a relatively large area. For example, the column spacer may be formed to overlap the black matrix on the second display panel, and then the ends of the column spacer may face the upper surface of the first display panel at a position overlapped with the thin film transistor.

박막 트랜지스터는 게이트 배선, 데이터 배선 및 반도체층이 조합되어 이루어진다. 그런데 반도체층 상에는 데이터 배선이 형성되는 영역도 있고 형성되지 않은 영역도 있을 수 있다. 이 경우 상기 영역에 따른 두께 차이가 반영되어 이들을 덮는 보호막의 상면에도 단차가 형성되는 등 표면이 불균일해질 수 있다. 따라서, 여기에 컬럼 스페이서의 말단을 맞닿게 하는 경우, 스페이싱이 불안정해지거나 간 격이 달라질 수 있다. 즉, 액정 표시 장치의 셀갭 불량이 발생할 수 있다. The thin film transistor is formed by combining a gate wiring, a data wiring and a semiconductor layer. However, some regions may be formed on the semiconductor layer, and some regions may not be formed. In this case, the thickness difference according to the region may be reflected, and thus the surface may be uneven such that a step is formed on the upper surface of the protective film covering the regions. Thus, when the end of the column spacer is brought into contact with it, the spacing may become unstable or the interval may vary. That is, the cell gap failure of the liquid crystal display may occur.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 보호막의 표면 평탄화가 증가된 액정 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.An object of the present invention is to provide a liquid crystal display device having an increased surface planarization of a protective film.

본 발명이 이루고자 하는 다른 기술적 과제는 컬럼 스페이서의 안정적인 스페이싱 및 정확한 셀갭이 유지되는 액정 표시 장치를 제공하고자 하는 것이다.Another object of the present invention is to provide a liquid crystal display device in which stable spacing of column spacers and accurate cell gaps are maintained.

본 발명의 기술적 과제들은 이상에서 언급한 기술적 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 기술적 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Technical problems of the present invention are not limited to the technical problems mentioned above, and other technical problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 기술적 과제들을 달성하기 위한 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치는 절연 기판 상에 형성된 게이트 전극, 상기 게이트 전극과 오버랩되어 있는 반도체층, 상기 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 오버랩되어 형성되며, 서로 이격되어 마주하는 소오스 전극 및 드레인 전극, 상기 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 오버랩되어 형성되되, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극의 대향 영역 이외의 영역에 형성되며, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 분리되어 있는 더미 플로팅 전극, 및 상기 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 포함하는 제1 표시판, 상기 제1 표시판과 이격되어 대향하는 제2 표시판, 및 상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서로서, 상기 제1 표시판과 제2 표시판의 사이에서 상기 게이트 전극과 오버랩되도록 위치하는 컬럼 스페이서를 포함한다. A liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention for achieving the technical problem is formed by overlapping with the gate electrode formed on an insulating substrate, a semiconductor layer overlapping the gate electrode, on the semiconductor layer A source electrode and a drain electrode spaced apart from each other, and overlapping with the gate electrode on the semiconductor layer, and formed in a region other than an opposite region of the source electrode and the drain electrode, and separated from the source electrode and the drain electrode. A first display panel including a dummy floating electrode, and a pixel electrode connected to the drain electrode, a second display panel spaced apart from and opposed to the first display panel, and a column maintaining a distance between the first display panel and the second display panel A spacer, the gate electrode and an ohmic region between the first display panel and the second display panel; And a column spacer which is located so that the lap.

기타 실시예의 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Specific details of other embodiments are included in the detailed description and drawings.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 크기 및 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but will be implemented in various forms, and only the present embodiments are intended to complete the disclosure of the present invention, and the general knowledge in the art to which the present invention pertains. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. In the drawings, the sizes and relative sizes of layers and regions may be exaggerated for clarity.

소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위 뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.When elements or layers are referred to as "on" or "on" of another element or layer, intervening other elements or layers as well as intervening another layer or element in between It includes everything. On the other hand, when a device is referred to as "directly on" or "directly on" indicates that no device or layer is intervened in the middle. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

공간적으로 상대적인 용어인 "아래(below)", "아래(beneath)", "하부(lower)", "위(above)", "상부(upper)" 등은 도면에 도시되어 있는 바와 같이 하나의 소자 또는 구성 요소들과 다른 소자 또는 구성 요소들과의 상관관계를 용이하게 기술하기 위해 사용될 수 있다. 공간적으로 상대적인 용어는 도면에 도시되어 있는 방향에 더하여 사용시 또는 동작시 소자의 서로 다른 방향을 포함하는 용어로 이해되어야 한다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.The spatially relative terms " below ", " beneath ", " lower ", " above ", " upper " It may be used to easily describe the correlation of a device or components with other devices or components. Spatially relative terms are to be understood as including terms in different directions of the device in use or operation in addition to the directions shown in the figures. Like reference numerals refer to like elements throughout.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 구비되어 있는 더미 플로팅 전극은 게이트 전극 및 반도체층과 오버랩된 영역을 평탄화하는 데 기여한다. 따라서, 상기 영역에 오버랩되도록 배치된 컬럼 스페이서는 안정적인 스페이싱 역할을 할 수 있으며, 설계에 따른 셀갭을 정확하게 유지할 수 있게 된다. 이하, 첨부된 도면을 참고로 하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대해 상세히 설명한다. 이하에서 예시적으로 설명되는 본 발명의 일 실시예는 제1 표시판, 제2 표시판 및 그 사이에 개재된 액정층을 포함하며, 제1 표시판의 화소 전극이 제1 서브 화소 전극과 제2 서브 화소 전극으로 분할되어 있고, 각각의 서브 화소 전극이 별개의 스위칭 소자에 의해 구동되는 액정 표시 장치에 관한 것이다. 그러나, 상기 구조를 갖는 액정 표시 장치에 한정되지 않음은 물론이다.The dummy floating electrode included in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention contributes to planarization of the overlapped region with the gate electrode and the semiconductor layer. Therefore, the column spacer disposed to overlap the region may serve as a stable spacing, and accurately maintain the cell gap according to the design. Hereinafter, a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. An exemplary embodiment of the present invention described below includes a first display panel, a second display panel, and a liquid crystal layer interposed therebetween, wherein the pixel electrode of the first display panel includes a first sub pixel electrode and a second sub pixel. The present invention relates to a liquid crystal display device divided into electrodes, each sub pixel electrode being driven by a separate switching element. However, of course, it is not limited to the liquid crystal display device which has the said structure.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 화소 어레이를 개략적으로 나타낸 도면이다. 도 2는 도 1의 액정 표시 장치의 일 화소에 대한 등가 회로도이다.1 is a diagram schematically illustrating a pixel array of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of one pixel of the liquid crystal display of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하여 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 전체적인 구조 및 동작에 대해 설명하면, 액정 표시 장치는 게이트 신호를 전달하는 다수의 게이트 라인(G)과 데이터 신호를 전달하는 데이터 라인(Da, Db)을 포함한다. 다수의 게이트 라인(G)은 예컨대 행 방향으로 서로 평행하게 연장되어 있다. 다수의 데이터 라인(Da, Db)은 예컨대, 열 방향으로 서로 평행하게 연장되어 있다.Referring to FIGS. 1 and 2, the overall structure and operation of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described. The liquid crystal display transmits a plurality of gate lines G and data signals that transmit gate signals. Data lines Da and Db. The plurality of gate lines G extend parallel to each other, for example, in the row direction. The plurality of data lines Da and Db extend parallel to each other, for example, in the column direction.

화소(PX)는 매트릭스 형상으로 배열되어 있으며, 한 쌍의 서브 화소(PXa, PXb)를 포함한다. 각 서브 화소(PXa, PXb)는 해당 데이터 라인(Da, Db) 및 하나의 게이트 라인(G)에 연결되어 있는 스위칭 소자(Qa, Qb), 이에 연결된 액정 커패시터(liquid crystal capacitor)(Clca, Clcb), 및 이에 연결된 스토리지 커패시터(storage capacitor)(Csta, Cstb)를 포함한다. 즉, 한 쌍의 서브 화소(PXa, PXb)에는 두 개의 데이터 라인(Da, Db)과 한 개의 게이트 라인(G)이 할당된다. 스토리지 커패시터(Csta, Cstb)는 필요에 따라 생략할 수 있다.The pixels PX are arranged in a matrix and include a pair of sub pixels PXa and PXb. Each of the sub-pixels PXa and PXb includes switching elements Qa and Qb connected to the corresponding data lines Da and Db and one gate line G, and liquid crystal capacitors Clca and Clcb connected thereto. ), And storage capacitors Csta and Cstb connected thereto. That is, two data lines Da and Db and one gate line G are allocated to the pair of sub pixels PXa and PXb. The storage capacitors Csta and Cstb may be omitted as necessary.

각 서브 화소(PXa, PXb)의 스위칭 소자(Qa, Qb)는 제1 표시판에 구비되어 있는 박막 트랜지스터 등으로 이루어지며, 게이트 신호가 인가되는 게이트 라인(G)에 연결되어 있는 제어 단자(이하, 게이트 전극), 데이터 라인(Da, Db)에 연결되어 있는 입력 단자(이하, 소오스 전극), 그리고 액정 커패시터(Clca, Clcb) 및 스토리지 커패시터(Csta, Cstb)에 연결되어 있는 출력 단자(이하, 드레인 전극)를 가지는 삼단자 소자이다. 이러한 스위칭 소자(Qa, Qb)로는 박막 트랜지스터가 예시된다.The switching elements Qa and Qb of each of the sub-pixels PXa and PXb are formed of a thin film transistor or the like provided in the first display panel, and are connected to a control terminal connected to a gate line G to which a gate signal is applied (hereinafter, Gate electrodes), input terminals (hereinafter referred to as source electrodes) connected to the data lines Da and Db, and output terminals (hereinafter referred to as drains) connected to the liquid crystal capacitors Clca and Clcb and storage capacitors Csta and Cstb. Electrode) having a three-terminal element. As such switching elements Qa and Qb, thin film transistors are exemplified.

액정 커패시터(Clca, Clcb)는 제1 표시판의 서브 화소 전극과 제2 표시판의 공통 전극을 두 단자로 하며, 서브 화소 전극과 공통 전극 사이의 액정층은 유전체로서 기능한다. 각 서브 화소 전극(Pa, Pb)은 제1 표시판에 전기적으로 분리되도록 형성되며, 스위칭 소자(Qa, Qb)에 연결되어 있다. 공통 전극은 제2 표시판의 전면에 형성되어 있고, 공통 전압(Vcom)을 인가 받는다. 공통 전극은 제1 표시판에 구비될 수도 있다. The liquid crystal capacitors Clca and Clcb have two terminals of the sub pixel electrode of the first display panel and the common electrode of the second display panel, and the liquid crystal layer between the sub pixel electrode and the common electrode functions as a dielectric. Each sub pixel electrode Pa or Pb is formed to be electrically separated from the first display panel, and is connected to the switching elements Qa and Qb. The common electrode is formed on the entire surface of the second display panel and receives the common voltage Vcom. The common electrode may be provided on the first display panel.

액정 커패시터(Clca, Clcb)의 보조적인 역할을 하는 스토리지 커패시 터(Csta, Cstb)는 제1 표시판에 구비된 스토리지 배선과 서브 화소 전극이 절연체를 사이에 두고 오버랩되어 이루어지며 스토리지 배선에는 공통 전압(Vcom) 등의 정해진 전압이 인가된다. The storage capacitors Csta and Cstb, which serve as an auxiliary part of the liquid crystal capacitors Clca and Clcb, are formed by overlapping the storage wirings provided on the first display panel with the sub pixel electrodes with an insulator interposed therebetween. A predetermined voltage such as Vcom is applied.

상기한 바와 같이 하나의 화소는 두 개의 스위칭 소자와, 각 스위칭 소자에 연결된 서브 화소 전극(Pa, Pb)을 포함한다. 여기서 제1 서브 화소 전극(Pa)에 상대적으로 낮은 데이터 전압이 인가되고, 제2 서브 화소 전극(Pb)에 상대적으로 높은 데이터 전압이 인가되는 경우를 가정한다. 이하, 데이터 전압의 높고 낮음은 공통 전압과 데이터 전압의 차이의 높고 낮음을 의미한다. 또한, 화소의 좌측에 위치하는 제1 데이터 라인(Da)을 통해 제1 서브 화소 전극(Pa)에 데이터 전압이 인가되는 화소를 B형 화소라고 하고, 화소의 우측에 위치하는 제2 데이터 라인(Db)을 통해 제1 서브 화소 전극(Pa)에 데이터 전압이 인가되는 화소를 A형 화소라고 하기로 한다.As described above, one pixel includes two switching elements and sub pixel electrodes Pa and Pb connected to each switching element. It is assumed here that a relatively low data voltage is applied to the first sub pixel electrode Pa and a relatively high data voltage is applied to the second sub pixel electrode Pb. Hereinafter, high and low of the data voltage means high and low of the difference between the common voltage and the data voltage. In addition, a pixel to which a data voltage is applied to the first sub pixel electrode Pa through the first data line Da positioned on the left side of the pixel is referred to as a B-type pixel, and the second data line (located on the right side of the pixel ( A pixel to which a data voltage is applied to the first sub pixel electrode Pa through Db) will be referred to as an A-type pixel.

본 실시예에 따른 액정 표시 장치는 도 1에 도시된 바와 같이 A형 화소와 B형 화소를 가로 방향 및 세로 방향으로 교대로 배열되어 있다. 이와 같은 배열로부터 액정 표시 장치에서 세로줄무늬 또는 가로줄무늬가 시인되는 것을 방지될 수 있다.In the liquid crystal display according to the present exemplary embodiment, as shown in FIG. 1, A-type pixels and B-type pixels are alternately arranged in a horizontal direction and a vertical direction. From this arrangement, the vertical stripes or the horizontal stripes in the liquid crystal display can be prevented from being recognized.

만약 모든 화소에 대하여 제1 데이터 라인(Da)을 통하여 제1 서브 화소 전극(Pa)에 데이터 전압이 인가되는 경우, 즉 화소 어레이가 모두 B형 화소로 이루어진 경우, 액정 표시 장치가 컬럼 반전(column inversion)에 의해 구동되면 프레임당 한 화소만큼 수평방향으로 이동하는 검사 패턴에 대하여 수평방향으로 이동하는 세로줄무늬가 시인될 수 있다. 이에 대하여 하나의 화소 행(row)에 대해서는 제1 데이터 라인(Da)을 통하여 제1 서브 화소 전극(Pa)에 데이터 전압이 인가되고, 다음 화소 행을 이루는 화소에 대하여 제2 데이터 라인(Db)을 통하여 제1 서브 화소 전극(Pa)에 데이터 전압이 인가하면, 즉 B형 화소의 행과 A형 화소의 행이 교대로 배열하면, 앞서 언급한 수평방향으로 이동하는 세로줄무늬가 시인되는 것을 방지할 수 있다. 다만 제1 서브 화소 전극(Pa)은 그 양쪽에 위치하는 제1 및 제2 데이터 라인(Da, Db)과 커플링(coupling)이 일어나는데, 제1 서브 화소 전극(Pa)과 제1 및 제2 데이터 라인(Da, Db)의 커플링 커패시턴스가 B형 화소 및 A형 화소에 따라 다르기 때문에 가로줄무늬가 시인될 수 있다.If the data voltage is applied to the first sub-pixel electrode Pa through the first data line Da for all the pixels, that is, when the pixel array is all formed of the B-type pixels, the liquid crystal display may perform column inversion. When driven by an inversion, vertical stripes moving in the horizontal direction may be viewed with respect to the test pattern moving in the horizontal direction by one pixel per frame. In contrast, a data voltage is applied to the first sub pixel electrode Pa through the first data line Da for one pixel row, and the second data line Db for the pixels forming the next pixel row. When the data voltage is applied to the first sub pixel electrode Pa through, that is, when the rows of the B-type pixels and the rows of the A-type pixels are alternately arranged, the aforementioned vertical stripes moving in the horizontal direction are prevented from being recognized. can do. However, the first sub pixel electrode Pa is coupled with the first and second data lines Da and Db positioned at both sides thereof, and the first sub pixel electrode Pa and the first and second Since the coupling capacitance of the data lines Da and Db is different depending on the B-type pixel and the A-type pixel, the horizontal stripes can be viewed.

따라서, 도 1에 도시된 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치와 같이 A형 화소와 B형 화소를 가로 방향 및 세로 방향으로 교대로 배열함으로써 앞서 언급한 수평방향으로 이동하는 세로줄무늬 또는 가로줄무늬를 방지할 수 있다. Therefore, as in the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention illustrated in FIG. 1, the vertical stripes or horizontal lines moving in the horizontal direction by arranging the A-type pixels and the B-type pixels in the horizontal and vertical directions alternately. Streaks can be prevented.

이하, 상기한 바와 같은 액정 표시 장치의 화소 구조에 대해 더욱 상세히 설명한다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제1 표시판의 레이아웃도이다. 도 4a 및 도 4b는 도 3의 제1 박막 트랜지스터 및 제2 박막 트랜지스터를 확대한 확대도들이다. 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제2 표시판의 레이아웃도이다. 도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 레이아웃도이다. 도 7은 도 6의 Ⅶ-Ⅶ'선을 따라 자른 단면도이다. 도 6의 레이아웃도에서는 도 3의 레이아웃과 도 5의 레이아웃이 결합된 상태를 도시한다. 도 3, 도 5 및 도 6의 레이아웃도들에서는 행 방향으로 이웃하는 2개의 화소인 B형 화 소 및 A형 화소에 대한 레이아웃이 예시적으로 도시되어 있다. Hereinafter, the pixel structure of the liquid crystal display device as described above will be described in more detail. 3 is a layout diagram of a first display panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 4A and 4B are enlarged views illustrating the first thin film transistor and the second thin film transistor of FIG. 3. 5 is a layout diagram of a second display panel of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. 6 is a layout diagram of a liquid crystal display according to an exemplary embodiment of the present invention. FIG. 7 is a cross-sectional view taken along the line VII-VII 'of FIG. 6. In the layout diagram of FIG. 6, the layout of FIG. 3 and the layout of FIG. 5 are combined. 3, 5, and 6 illustrate layouts for two pixels, B-type pixels and A-type pixels, which are adjacent to each other in the row direction.

먼저, 도 3, 도 6 및 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제1 표시판에 대해 설명한다.First, the first display panel of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 3, 6, and 7.

제1 표시판(100)은 투명한 유리, 석영 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(110)을 베이스 기판으로 사용한다. The first display panel 100 uses an insulating substrate 110 made of transparent glass, quartz, plastic, or the like as a base substrate.

절연 기판(110) 위에는 도전성 물질로 이루어진 게이트 라인(122), 게이트 라인(122)과 연결되어 있는 제1 게이트 전극(124a), 및 제2 게이트 전극(124b)이 형성되어 있다. 도면에서 좌측에 위치하는 A형 화소에서는 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 게이트 전극(124b) 순으로 배치되어 있고, 우측에 위치하는 B형 화소에서는 제2 게이트 전극(124b) 및 제1 게이트 전극(124a)의 순으로 배치되어 있다. 제1 게이트 전극(124a)과 제2 게이트 전극(124b)의 형상은 실질적으로 동일할 수 있다. A gate line 122 made of a conductive material, a first gate electrode 124a connected to the gate line 122, and a second gate electrode 124b are formed on the insulating substrate 110. In the drawing, the first gate electrode 124a and the second gate electrode 124b are disposed in the A-type pixel on the left side, and the second gate electrode 124b and the first gate in the B-type pixel on the right side. It arrange | positions in order of the electrode 124a. The shape of the first gate electrode 124a and the second gate electrode 124b may be substantially the same.

또, 절연 기판(100) 위의 게이트 라인(122)과 동일한 층에는 스토리지 배선(128)이 형성되어 있다. 도면에서 스토리지 배선(128)은 화소의 중앙부를 가로지르도록 형성되어 있지만, 스토리지 배선(128)의 위치 및 형상은 다양하게 변형될 수 있다. In addition, the storage wiring 128 is formed on the same layer as the gate line 122 on the insulating substrate 100. Although the storage wiring 128 is formed to cross the center portion of the pixel in the drawing, the position and shape of the storage wiring 128 may be variously modified.

게이트 라인(122), 제1 및 제2 게이트 전극(124a, 124b), 및 스토리지 배선(128)은 게이트 절연막(130)에 의해 덮여 있다. 게이트 절연막(130)은 예를 들어 산화 규소 또는 질화 규소로 이루어진 단일막 또는 이들의 적층막일 수 있다. The gate line 122, the first and second gate electrodes 124a and 124b, and the storage wiring 128 are covered by the gate insulating layer 130. The gate insulating layer 130 may be, for example, a single film made of silicon oxide or silicon nitride or a stacked film thereof.

게이트 절연막(130) 위에는 수소화 비정질 규소 등으로 이루어진 반도체층(140a, 140b)이 형성되어 있다. 반도체층은 제1 반도체층(140a) 및 제2 반도체 층(140b)을 포함한다. 제1 반도체층(140a)은 제1 게이트 전극(124a)과 오버랩되어 있고, 제2 반도체층(140b)은 제2 게이트 전극(124b)과 오버랩되어 있다. The semiconductor layers 140a and 140b made of hydrogenated amorphous silicon or the like are formed on the gate insulating layer 130. The semiconductor layer includes a first semiconductor layer 140a and a second semiconductor layer 140b. The first semiconductor layer 140a overlaps the first gate electrode 124a, and the second semiconductor layer 140b overlaps the second gate electrode 124b.

제1 및 제2 반도체층(140a, 140b) 위에는 도전성 물질로 이루어진 제1 및 제2 데이터 라인(162, 163)이 형성되어 있다. 제1 데이터 라인(162)은 화소의 좌측에 배치되어 있고, 제2 데이터 라인(163)은 화소의 우측에 배치되어 있다. First and second data lines 162 and 163 made of a conductive material are formed on the first and second semiconductor layers 140a and 140b. The first data line 162 is disposed on the left side of the pixel, and the second data line 163 is disposed on the right side of the pixel.

제1 데이터 라인(162) 또는 제2 데이터 라인(162)은 제1 반도체층(140a) 측으로 분지하여 제1 게이트 전극(124a) 및 제1 반도체층(140a)과 오버랩되는 제1 소오스 전극(165a)을 형성한다. 또한, 제1 데이터 라인(162) 또는 제2 데이터 라인(162)은 제2 반도체층(140b) 측으로 분지하여 제2 게이트 전극(124b) 및 제1 반도체층(140b)과 오버랩되는 제2 소오스 전극(165b)을 형성한다. 도면에 도시된 예에서 좌측에 위치하는 화소에서는 제1 소오스 전극(165a)이 제1 데이터 라인(162)에 연결되어 있고, 제2 소오스 전극(165b)이 제2 데이터 라인(163)에 연결되어 있다. 또, 도면의 우측에 위치하는 화소에서는 제1 소오스 전극(165a)이 제2 데이터 라인(163)에 연결되어 있고, 제2 소오스 전극(165b)이 제1 데이터 라인(162)에 연결되어 있다. The first data line 162 or the second data line 162 is branched toward the first semiconductor layer 140a to overlap the first gate electrode 124a and the first semiconductor layer 140a. ). In addition, the first data line 162 or the second data line 162 is branched toward the second semiconductor layer 140b and overlaps the second gate electrode 124b and the first semiconductor layer 140b. (165b) is formed. In the example illustrated in the drawing, the first source electrode 165a is connected to the first data line 162, and the second source electrode 165b is connected to the second data line 163. have. In the pixel on the right side of the drawing, the first source electrode 165a is connected to the second data line 163, and the second source electrode 165b is connected to the first data line 162.

상기와 같은 연결은 도 1을 참조하여 설명한 바와 같이 화소의 행 방향에 따라 다르다. 즉, 행 방향의 이웃하는 화소 별로 상기 제1 소오스 전극(165a) 및 제2 소오스 전극(165b)이 연결되어 있는 데이터 라인은 서로 다르게 된다. 또, 제1 데이터 라인(162)에 대하여 열 방향의 화소마다 제1 소오스 전극(165a) 및 제2 소오스 전극(165b)이 교대로 분지된다. Such a connection is different depending on the row direction of the pixel as described with reference to FIG. 1. That is, the data lines to which the first source electrode 165a and the second source electrode 165b are connected to each other in the row direction are different from each other. The first source electrode 165a and the second source electrode 165b are alternately branched with respect to the first data line 162 for each pixel in the column direction.

제1 반도체층(140a) 상에는 제1 소오스 전극(165a)과 이격되어 마주하는 제1 드레인 전극(166a)이 형성되어 있다. 제2 반도체층(140a) 상에는 제2 소오스 전극(165b)과 이격되어 마주하는 제2 드레인 전극(166b)이 형성되어 있다. 제2 반도체층(140a) 상에는 또한 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)과 분리되어 있는 더미 플로팅 전극(168b)이 형성되어 있다. 더미 플로팅 전극(168b)에 대한 상세한 설명은 후술하기로 한다.The first drain electrode 166a is formed on the first semiconductor layer 140a to face the first source electrode 165a. A second drain electrode 166b spaced apart from the second source electrode 165b is formed on the second semiconductor layer 140a. A dummy floating electrode 168b is also formed on the second semiconductor layer 140a, which is separated from the second source electrode 165b and the second drain electrode 166b. Detailed description of the dummy floating electrode 168b will be described later.

상기한 제1 게이트 전극(124a), 제1 소오스 전극(165a), 및 제1 드레인 전극(166a)은 제1 반도체층(140a)을 채널로 하는 제1 박막 트랜지스터를 이룬다. 또, 제2 게이트 전극(124b), 제2 소오스 전극(165b), 및 제2 드레인 전극(166b)은 제2 반도체층(140b)을 채널로 하는 제2 박막 트랜지스터를 이룬다. The first gate electrode 124a, the first source electrode 165a, and the first drain electrode 166a form a first thin film transistor having the first semiconductor layer 140a as a channel. In addition, the second gate electrode 124b, the second source electrode 165b, and the second drain electrode 166b form a second thin film transistor having the second semiconductor layer 140b as a channel.

한편, 제1 반도체층(140a)과 제1 소오스 전극(165a) 사이 및 제1 반도체층(140a)과 제1 드레인 전극(166a) 사이에는 각각 오믹 콘택층(155a, 156a)이 형성되어 있다. 또, 제2 반도체층(140b)과 제2 소오스 전극(165b) 사이, 제1 반도체층(140b)과 제2 드레인 전극(166b) 사이, 및 제1 반도체층(140a)과 더미 플로팅 전극(168b) 사이에는 각각 오믹 콘택층(155b, 156b, 158b)이 형성되어 있다. 오믹 콘택층(155a, 156a, 155b, 156b, 158b)은 n형 불순물이 고농도로 도핑된 n+ 수소화 비정질 규소 등으로 이루어지며, 반도체층(140a, 140b)과 상부의 배선간의 접촉 저항을 낮추어주는 역할을 한다. On the other hand, ohmic contact layers 155a and 156a are formed between the first semiconductor layer 140a and the first source electrode 165a and between the first semiconductor layer 140a and the first drain electrode 166a, respectively. In addition, between the second semiconductor layer 140b and the second source electrode 165b, between the first semiconductor layer 140b and the second drain electrode 166b, and between the first semiconductor layer 140a and the dummy floating electrode 168b. The ohmic contact layers 155b, 156b, and 158b are formed between the two layers. The ohmic contact layers 155a, 156a, 155b, 156b, and 158b are made of n + hydrogenated amorphous silicon doped with a high concentration of n-type impurities, and lowers the contact resistance between the semiconductor layers 140a and 140b and the upper wiring. Do it.

제1 및 제2 데이터 라인(162, 163), 제1 및 제2 소오스 전극(165a, 165b), 제1 및 제2 드레인 전극(166a, 166b), 및 더미 플로팅 전극(168b)은 제1 보호 막(170)에 의해 덮여 있다. 제1 보호막(170)은 예를 들어 질화 규소로 이루어진다. 그리고, 제1 보호막(170) 위에는 유기 물질 등으로 이루어진 제2 보호막(172)이 형성되어 있다. 제1 보호막(170)과 제2 보호막(172) 중 어느 하나는 생략될 수도 있다.The first and second data lines 162 and 163, the first and second source electrodes 165a and 165b, the first and second drain electrodes 166a and 166b, and the dummy floating electrode 168b may have a first protection. Covered by membrane 170. The first passivation layer 170 is made of, for example, silicon nitride. The second passivation layer 172 made of an organic material or the like is formed on the first passivation layer 170. One of the first passivation layer 170 and the second passivation layer 172 may be omitted.

제1 보호막(170)과 제2 보호막(172)은 제1 드레인 전극(166a) 형성 영역에서 관통되어 제1 콘택홀(176a)을 형성하고, 제2 드레인 전극(166b) 형성 영역에서 관통되어 제2 콘택홀(176b)을 형성한다. The first passivation layer 170 and the second passivation layer 172 pass through the first drain electrode 166a forming region to form the first contact hole 176a, and pass through the second drain electrode 166b forming region. Two contact holes 176b are formed.

제2 보호막(172) 위에는 투명한 도전성 물질인 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 화소 전극(182a, 182b)이 형성되어 있다. 화소 전극은 제1 서브 화소 전극(182a) 및 제2 서브 화소 전극(182b)으로 분할되어 있다. The pixel electrodes 182a and 182b made of ITO or IZO, which is a transparent conductive material, are formed on the second passivation layer 172. The pixel electrode is divided into a first sub pixel electrode 182a and a second sub pixel electrode 182b.

제1 서브 화소 전극(182a)은 제1 콘택홀(176a)을 통하여 제1 드레인 전극(166a)과 연결되어 있다. 제2 서브 화소 전극(182b)은 제2 콘택홀(176b)을 통하여 제2 드레인 전극(166b)과 연결되어 있다. 제1 서브 화소 전극(182a)과 제2 서브 화소 전극(182b)은 간극(183)을 사이에 두고 서로 분리되어 있다. 또, 제1 서브 화소 전극(182a)과 제2 서브 화소 전극(182b)은 각각 내부에 간극(183)과 유사한 절개부(184)를 구비한다. 이러한 간극(183) 및 절개부(184)는 후술하는 제2 표시판(200)의 절개부(253)와 함께 액정(320)의 도메인을 규제하는데 기여한다. The first sub pixel electrode 182a is connected to the first drain electrode 166a through the first contact hole 176a. The second sub pixel electrode 182b is connected to the second drain electrode 166b through the second contact hole 176b. The first sub pixel electrode 182a and the second sub pixel electrode 182b are separated from each other with a gap 183 therebetween. In addition, the first sub pixel electrode 182a and the second sub pixel electrode 182b each have a cutout 184 similar to the gap 183 therein. The gap 183 and the cutout 184 together with the cutout 253 of the second display panel 200 to be described later contribute to regulating the domain of the liquid crystal 320.

제1 서브 화소 전극(182a)은 제2 서브 화소 전극(182b)보다 넓은 면적을 가지며, 제2 서브 화소 전극(182b)을 예컨대, 3 측면에서 감싸도록 형성된다. 상술한 바와 같이 제1 서브 화소 전극(182a)에는 제2 서브 화소 전극(182b)보다 상대적으 로 낮은 전압이 인가된다. The first sub pixel electrode 182a has a larger area than the second sub pixel electrode 182b and is formed to surround the second sub pixel electrode 182b from, for example, three sides. As described above, a voltage lower than the second sub pixel electrode 182b is applied to the first sub pixel electrode 182a.

계속해서, 도 4a 및 도 4b를 참조하여 상기한 제1 박막 트랜지스터 및 제2 박막 트랜지스터에 대해 더욱 상세히 설명한다. Subsequently, the first thin film transistor and the second thin film transistor will be described in more detail with reference to FIGS. 4A and 4B.

제1 박막 트랜지스터의 제1 드레인 전극(166a)은 상술한 바와 같이 상대적으로 넓은 면적의 제1 서브 화소 전극(182a)과 연결되어 있다. 따라서, 상대적으로 넓은 면적의 제1 서브 화소 전극(182a)에 전압을 충전하려면 제1 박막 트랜지스터의 채널 영역을 통과하는 전류의 양이 많아야 하고, 그에 따라 제1 박막 트랜지스터의 채널 영역이 제2 박막 트랜지스터의 채널 영역에 비해 넓어야 한다. 이를 위하여, 제1 박막 트랜지스터의 제1 소오스 전극(165a)은 제2 박막 트랜지스터의 제2 소오스 전극(165b)에 비해 대체로 길이가 더 길다. 즉, 소오스 전극(165a, 165b)과 드레인 전극(166a, 166b)은 서로 맞물려 있는 형상인데, 채널의 길이인 제1 소오스 전극(165a)과 제1 드레인 전극(166a) 간의 간격(d1)과 제2 소오스 전극(166a)과 제2 드레인 전극(166b) 간의 간격(d2)는 실질적으로 동일하지만, 채널의 폭인 제1 소오스 전극(165a)과 제1 드레인 전극(166a)이 이격된 영역의 길이(l1)는 제2 소오스 전극(165b)과 제2 드레인 전극(166b)이 이격된 영역의 길이(l2)보다 크다. As described above, the first drain electrode 166a of the first thin film transistor is connected to the first sub pixel electrode 182a having a relatively large area. Therefore, in order to charge the first sub-pixel electrode 182a having a relatively large area, the amount of current passing through the channel region of the first thin film transistor must be large, so that the channel region of the first thin film transistor is the second thin film. It must be wider than the channel region of the transistor. To this end, the first source electrode 165a of the first thin film transistor is generally longer than the second source electrode 165b of the second thin film transistor. That is, the source electrodes 165a and 165b and the drain electrodes 166a and 166b are meshed with each other, and the distance d1 between the first source electrode 165a and the first drain electrode 166a, which is the length of the channel, is formed. The distance d2 between the two source electrodes 166a and the second drain electrode 166b is substantially the same, but the length of the region in which the first source electrode 165a and the first drain electrode 166a, which are the width of the channel, is spaced apart ( l1 is larger than the length l2 of the region where the second source electrode 165b and the second drain electrode 166b are spaced apart from each other.

상기 관점에서 제1 소오스 전극(165a)의 형상은 예컨대 'ㅌ'자 또는 'E'자 형상이고, 제2 소오스 전극(165b)의 형상은 예컨대 'ㄷ'자 또는 'U'자 형상일 수 있다. 그에 맞추어 제1 드레인 전극(166a)은 '11'자 형상이고, 제2 드레인 전극(166b)은 '1'자 형상일 수 있다.In this regard, the shape of the first source electrode 165a may be, for example, a 'ㅌ' or 'E' shape, and the shape of the second source electrode 165b may be, for example, a 'c' or 'U' shape. . Accordingly, the first drain electrode 166a may have a '11' shape, and the second drain electrode 166b may have a '1' shape.

그런데, 제1 반도체층(140a)의 위는 대체로 제1 소오스 전극(165a) 및 제1 드레인 전극(166a) 대부분의 면을 점유하지만, 제2 반도체층(140b)의 위는 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)의 면적이 상대적으로 작기 때문에, 이들이 점유하지 않는 면이 많다. 특히, 액정 표시 장치(400)가 대형화되면, 그에 따라 소오스 전극(165a, 165b) 및 드레인 전극(166a, 166b)의 두께도 증가하는데, 이와 같이 제2 반도체층(140b) 상에 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)에 의해 점유되지 않는 면이 많으면, 그 위에 형성되는 제1 보호막(170) 및 제2 보호막(172)의 표면도 단차를 갖게 된다. 제2 보호막(172)이 단차를 가질 경우, 그 위에 스페이서(310)가 배치될 때, 스페이서(310)의 안정성이 저해될 수 있고, 또, 정확한 셀갭을 유지하기 어렵다.However, the first semiconductor layer 140a generally occupies most of the surfaces of the first source electrode 165a and the first drain electrode 166a, but the second semiconductor layer 140b is disposed on the second source electrode ( Since the areas of the 165b and the second drain electrode 166b are relatively small, there are many aspects in which they do not occupy. In particular, when the liquid crystal display 400 is enlarged, the thicknesses of the source electrodes 165a and 165b and the drain electrodes 166a and 166b are also increased. Thus, the second source electrode is formed on the second semiconductor layer 140b. When there are many surfaces not occupied by 165b and the second drain electrode 166b, the surfaces of the first protective film 170 and the second protective film 172 formed thereon also have steps. When the second protective film 172 has a step, when the spacer 310 is disposed thereon, the stability of the spacer 310 may be impaired, and it is difficult to maintain an accurate cell gap.

따라서, 제2 반도체층(140b) 위에는 상기한 단차를 최소화하도록 더미 플로팅 전극(168b)이 구비된다. 즉, 더미 플로팅 전극(168b)은 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)과 분리됨으로써, 별도의 전기적 작용은 하지 않으며, 표면 단차만을 보상한다. 바람직하기로는 제2 반도체층(140b) 상에 오버랩되어 형성되는 제2 보호막(172)이 제1 반도체층(140a) 상에 오버랩되어 형성되는 제2 보호막(172)과 실질적으로 동일한 표면을 갖도록 형성된다. 즉, 제2 반도체층(140b) 상의 더미 플로팅 전극(168b)과 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)의 전체적인 형상은 제1 반도체층(140a) 상의 제1 소오스 전극(165a) 및 제1 드레인 전극(166b)의 전체적 형상과 실질적으로 동일할 수 있도록 형성된다. 다만, 더미 플로팅 전극(168b)이 제2 소오스 전극(165b) 및 제2 드레인 전극(166b)과 분리되기 때문에, 상기 영역에서는 그 형상에 차이가 있다.Therefore, the dummy floating electrode 168b is provided on the second semiconductor layer 140b to minimize the above-described step. That is, since the dummy floating electrode 168b is separated from the second source electrode 165b and the second drain electrode 166b, the dummy floating electrode 168b does not perform a separate electrical operation and compensates only a surface level difference. Preferably, the second passivation layer 172 overlapped on the second semiconductor layer 140b is formed to have substantially the same surface as the second passivation layer 172 formed on the first semiconductor layer 140a. do. That is, the overall shape of the dummy floating electrode 168b, the second source electrode 165b, and the second drain electrode 166b on the second semiconductor layer 140b may have a first source electrode 165a on the first semiconductor layer 140a. ) And the first drain electrode 166b may be substantially the same as the overall shape. However, since the dummy floating electrode 168b is separated from the second source electrode 165b and the second drain electrode 166b, there is a difference in shape in the region.

도 4b의 예에서 더미 플로팅 전극(168b)의 일부는 제2 소오스 전극(165b)과 함께 실질적으로 'ㅌ'자 형상을 이루어 제1 반도체층(140a) 상의 제1 소오스 전극(165a)과 실질적으로 동일한 형상을 나타낸다. 또, 더미 플로팅 전극(168b)의 다른 일부는 제2 드레인 전극(166b)과 함께 실질적으로 '11'자 형상을 이루어 제1 반도체층(140a) 상의 제1 드레인 전극(166a)과 실질적으로 동일한 형상을 나타낸다. In the example of FIG. 4B, a portion of the dummy floating electrode 168b is formed in a substantially 'ㅌ' shape together with the second source electrode 165b to substantially form the first source electrode 165a on the first semiconductor layer 140a. The same shape is shown. In addition, another portion of the dummy floating electrode 168b is substantially '11' shaped together with the second drain electrode 166b to be substantially the same shape as the first drain electrode 166a on the first semiconductor layer 140a. Indicates.

상기와 같은 구조로부터, 도 7에 도시된 바와 같이 제2 반도체층(140b) 상에 형성되어 있는 제2 보호막(172)의 표면도 제1 반도체층(140a) 상에 형성되어 있는 제2 보호막(172)의 표면과 같이 평탄해질 수 있다. As shown in FIG. 7, the surface of the second protective film 172 formed on the second semiconductor layer 140b is also formed on the first semiconductor layer 140a as shown in FIG. 7. 172 may be leveled.

다음으로, 도 5 내지 도 7을 참조하여, 본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치의 제2 표시판에 대해 설명한다. Next, the second display panel of the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 to 7.

제2 표시판(100)의 경우에도 베이스 기판은 투명한 유리, 석영 또는 플라스틱 등으로 이루어진 절연 기판(210)이다. In the case of the second display panel 100, the base substrate is an insulating substrate 210 made of transparent glass, quartz, or plastic.

절연 기판(210) 위에는 블랙 매트릭스(220)가 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(220)는 개구부를 정의하며, 개구부 내에는 컬러 필터(230)가 형성되어 있다. 여기서 블랙 매트릭스(220)는 대체로 제1 표시판의 게이트 라인(122)과 제1 및 제2 데이터 라인(162, 163)에 오버랩되도록 정렬되고, 컬러 필터(230)는 제1 서브 화소 전극(182a) 및 제2 서브 화소 전극(182b)에 오버랩되도록 정렬된다. The black matrix 220 is formed on the insulating substrate 210. The black matrix 220 defines an opening, and the color filter 230 is formed in the opening. The black matrix 220 is generally aligned to overlap the gate line 122 of the first display panel and the first and second data lines 162 and 163, and the color filter 230 is arranged in the first sub pixel electrode 182a. And overlap the second sub pixel electrode 182b.

블랙 매트릭스(220) 및 컬러 필터(230) 상에는 오버코트층(240)이 형성되어 있다. 오버코트층(240) 상에는 투명한 도전성 물질인 ITO 또는 IZO 등으로 이루어진 공통 전극(250)이 형성되어 있다. 공통 전극(250) 내에는 절개부(253)가 형성되 어 있으며, 제1 표시판(100)의 간극(183) 및 절개부(184)와 함께 액정(320)의 도메인을 규제하는데 기여한다. An overcoat layer 240 is formed on the black matrix 220 and the color filter 230. The common electrode 250 made of ITO or IZO, which is a transparent conductive material, is formed on the overcoat layer 240. A cutout 253 is formed in the common electrode 250, and contributes to regulating the domain of the liquid crystal 320 together with the gap 183 and the cutout 184 of the first display panel 100.

한편, 블랙 매트릭스(220)와 오버랩된 영역에서 공통 전극(250) 위에는 컬럼 스페이서(310)가 형성되어 있다. 컬럼 스페이서(310)는 제1 표시판(100)과 제2 표시판(200) 사이에 다수개 배치되어 이들의 셀갭을 유지하는 역할을 한다. 예를 들어 컬럼 스페이서(310)는 화소당 2개씩 배치될 수 있다. In the meantime, the column spacer 310 is formed on the common electrode 250 in the region overlapping with the black matrix 220. A plurality of column spacers 310 are disposed between the first display panel 100 and the second display panel 200 to maintain their cell gaps. For example, two column spacers 310 may be disposed per pixel.

컬럼 스페이서(310)의 말단은 제1 표시판(100) 상의 제2 보호막(172)에 맞닿게 된다. 컬럼 스페이서(310)가 맞닿는 영역은 바람직하기로는 빛이 투과하지 못하는 차광 영역일 수 있다. 일예로 상대적으로 면적이 넓은 제1 박막 트랜지스터의 제1 게이트 전극(124a) 및 제2 박막 트랜지스터의 제2 게이트 전극(124b)과 오버랩된 영역일 수 있다. 그런데, 상기한 바와 같이 제1 게이트 전극(124a)에 오버랩된 영역의 제2 보호막(172)의 표면 뿐만 아니라, 제2 게이트 전극(124b)에 오버랩된 제2 보호막(172)의 표면도 제2 반도체층(140b) 상에 더미 플로팅 전극(168b)을 구비함으로써 평탄화되어 있기 때문에, 여기에 컬럼 스페이서(310)가 위치하더라도 안정적인 스페이싱이 역할을 할 수 있다. 따라서, 설계에 따른 셀갭을 정확하게 유지할 수 있다. An end of the column spacer 310 may contact the second passivation layer 172 on the first display panel 100. The region where the column spacer 310 abuts may be a light blocking region through which light does not pass. For example, it may be a region overlapping with the first gate electrode 124a of the first thin film transistor having a relatively large area and the second gate electrode 124b of the second thin film transistor. However, as described above, not only the surface of the second passivation layer 172 in the region overlapping the first gate electrode 124a, but also the surface of the second passivation layer 172 overlapping the second gate electrode 124b. Since the semiconductor substrate 140 is planarized by providing the dummy floating electrode 168b on the semiconductor layer 140b, even when the column spacer 310 is positioned, stable spacing may play a role. Therefore, the cell gap according to the design can be maintained accurately.

컬럼 스페이서(310)에 의해 셀갭이 유지된 영역에는 액정(310)을 포함하는 액정층(300)이 형성된다. 액정층(300)의 액정(310)은 제1 표시판(100)의 화소 전극(182a, 182b) 및 제2 표시판(200)의 공통 전극(250)에 의해 생성된 전계에 의해 유전율 및 투과율이 바뀌게 된다.The liquid crystal layer 300 including the liquid crystal 310 is formed in a region where the cell gap is maintained by the column spacer 310. In the liquid crystal layer 310 of the liquid crystal layer 300, the dielectric constant and transmittance are changed by an electric field generated by the pixel electrodes 182a and 182b of the first display panel 100 and the common electrode 250 of the second display panel 200. do.

한편, 도면에는 도시되지 않았지만, 액정층(300)과 제1 표시판(100)의 사이, 및 액정층(300)과 제2 표시판(200)의 사이에는 배향막(미도시)이 더 구비될 수도 있다. Although not illustrated, an alignment layer (not shown) may be further provided between the liquid crystal layer 300 and the first display panel 100 and between the liquid crystal layer 300 and the second display panel 200. .

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들을 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

본 발명의 일 실시예에 따른 액정 표시 장치에 의하면, 반도체층 상에 소오스 전극 및 드레인 전극 형성 면적에 따라 형성될 수 있는 표면 단차를 더미 플로팅 전극에 의해 보상함으로써 단차를 최소화하고 그 위에 형성되는 보호막의 표면를 평탄화할 수 있다. 따라서, 여기에 컬럼 스페이서를 배치하더라도 안정적인 스페이싱 역할을 수행할 수 있으며, 정확한 셀갭을 유지할 수 있다. According to the liquid crystal display according to the exemplary embodiment of the present invention, a surface layer that may be formed on the semiconductor layer according to the source and drain electrode formation areas may be compensated by the dummy floating electrode to minimize the step and the protective layer formed thereon. The surface of can be planarized. Therefore, even if the column spacer is disposed here, it can play a stable spacing role and maintain an accurate cell gap.

Claims (11)

절연 기판 상에 형성된 게이트 전극,A gate electrode formed on the insulating substrate, 상기 게이트 전극과 오버랩되어 있는 반도체층,A semiconductor layer overlapping the gate electrode; 상기 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 오버랩되어 형성되며, 서로 이격되어 마주하는 소오스 전극 및 드레인 전극,A source electrode and a drain electrode formed overlapping with the gate electrode on the semiconductor layer, and spaced apart from each other; 상기 반도체층 상에 상기 게이트 전극과 오버랩되어 형성되되, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극의 대향 영역 이외의 영역에 형성되며, 상기 소오스 전극 및 드레인 전극과 분리되어 있는 더미 플로팅 전극, 및A dummy floating electrode formed on the semiconductor layer so as to overlap the gate electrode, and formed in a region other than an opposite region of the source electrode and the drain electrode, and separated from the source electrode and the drain electrode; 상기 드레인 전극과 연결된 화소 전극을 포함하는 제1 표시판;A first display panel including a pixel electrode connected to the drain electrode; 상기 제1 표시판과 이격되어 대향하는 제2 표시판; 및A second display panel spaced apart from the first display panel to face the first display panel; And 상기 제1 표시판 및 상기 제2 표시판의 간격을 유지하는 컬럼 스페이서로서, 상기 제1 표시판과 제2 표시판의 사이에서 상기 게이트 전극과 오버랩되도록 위치하는 컬럼 스페이서를 포함하는 액정 표시 장치.And a column spacer spaced apart from the first display panel and the second display panel, the column spacer being disposed to overlap the gate electrode between the first display panel and the second display panel. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제1 표시판은 매트릭스 형상으로 배열된 다수개의 화소를 포함하며, 하나의 화소에서 상기 화소 전극은 제1 서브 화소 전극 및 제2 서브 화소 전극으로 분할되어 있는 액정 표시 장치.The first display panel includes a plurality of pixels arranged in a matrix, and in one pixel, the pixel electrode is divided into a first sub pixel electrode and a second sub pixel electrode. 제2 항에 있어서,The method of claim 2, 상기 하나의 화소에서 상기 게이트 전극은 동일한 게이트 라인과 연결된 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극을 포함하고,In the one pixel, the gate electrode includes a first gate electrode and a second gate electrode connected to the same gate line, 상기 반도체층은 상기 제1 게이트 전극과 오버랩된 제1 반도체층 및 상기 제2 게이트 전극과 오버랩된 제2 반도체층을 포함하고,The semiconductor layer may include a first semiconductor layer overlapping the first gate electrode and a second semiconductor layer overlapping the second gate electrode. 상기 소오스 전극은 서로 다른 데이터 라인과 연결된 제1 소오스 전극 및 제2 소오스 전극을 포함하고, The source electrode includes a first source electrode and a second source electrode connected to different data lines. 상기 드레인 전극은 상기 제1 소오스 전극과 이격되어 마주하는 제1 드레인 전극 및 상기 제2 소오스 전극과 이격되어 마주하는 제2 드레인 전극을 포함하고,The drain electrode includes a first drain electrode spaced apart from and facing the first source electrode and a second drain electrode spaced apart from and facing the second source electrode, 상기 제1 드레인 전극은 상기 제1 서브 화소 전극와 전기적으로 연결되어 있고,The first drain electrode is electrically connected to the first sub pixel electrode. 상기 제2 드레인 전극은 상기 제2 서브 화소 전극과 전기적으로 연결되어 있는 액정 표시 장치.The second drain electrode is electrically connected to the second sub pixel electrode. 제3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 상기 제1 서브 화소 전극은 상기 제2 서브 화소 전극보다 면적이 더 큰 액정 표시 장치.The first sub pixel electrode has a larger area than the second sub pixel electrode. 제4 항에 있어서, The method of claim 4, wherein 상기 제1 소오스 전극과 상기 제1 드레인 전극이 이격된 영역의 길이는 상기 제2 소오스 전극과 상기 제2 드레인 전극이 이격된 영역의 길이보다 큰 액정 표시 장치.The length of a region where the first source electrode and the first drain electrode are spaced apart is greater than a length of a region where the second source electrode and the second drain electrode are spaced apart from each other. 제4 항에 있어서,The method of claim 4, wherein 상기 더미 플로팅 전극은 상기 제2 반도체층 상에 형성되며, 상기 제2 소오스 전극 및 상기 제2 드레인 전극과 분리되어 있는 액정 표시 장치. The dummy floating electrode is formed on the second semiconductor layer, and is separated from the second source electrode and the second drain electrode. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1 반도체층 상에 상기 제1 게이트 전극과 오버랩되어 형성된 상기 제1 소오스 전극과 상기 제1 드레인 전극의 전체적인 형상은 상기 제2 반도체층 상에 상기 제2 게이트 전극과 오버랩되어 형성된 상기 제2 소오스 전극, 상기 제2 드레인 전극 및 상기 더미 플로팅 전극의 전체적인 형상과 실질적으로 동일한 액정 표시 장치.The overall shape of the first source electrode and the first drain electrode formed to overlap the first gate electrode on the first semiconductor layer may be formed by overlapping the second gate electrode on the second semiconductor layer. A liquid crystal display device substantially the same as the overall shape of the source electrode, the second drain electrode, and the dummy floating electrode. 제6 항에 있어서, The method of claim 6, 상기 제1 소오스 전극은 'ㅌ'자 형상이고, 상기 제2 소오스 전극은 'ㄷ'자 형상인 액정 표시 장치.The first source electrode has a 'ㅌ' shape, and the second source electrode has a 'c' shape. 제8 항에 있어서, The method of claim 8, 상기 더미 플로팅 전극은 상기 제2 소오스 전극과 분리된 것을 제외하고, 상 기 상기 제2 소오스 전극과 함께 실질적으로 'ㅌ'자 형상을 이루는 액정 표시 장치.The dummy floating electrode has a substantially 'ㅌ' shape with the second source electrode, except that the dummy floating electrode is separated from the second source electrode. 제3 항에 있어서, The method of claim 3, wherein 동일한 게이트 라인에 연결된 상기 제1 및 제2 게이트 전극은 상기 행 방향의 이웃하는 화소 별로 배열 순서가 다르고,The first and second gate electrodes connected to the same gate line have a different arrangement order for each of the neighboring pixels in the row direction. 동일한 데이터 라인에 연결된 상기 제1 및 제2 소오스 전극은 상기 열 방향의 화소마다 교대로 배열되어 있는 액정 표시 장치.The first and second source electrodes connected to the same data line are alternately arranged for each pixel in the column direction. 제1 항에 있어서, According to claim 1, 상기 제2 표시판은 블랙 매트릭스 패턴을 더 포함하며,The second display panel further includes a black matrix pattern. 상기 컬럼 스페이서는 상기 블랙 매트릭스 패턴과 오버랩되도록 상기 제2 표시판 상에 형성되어 있는 액정 표시 장치.The column spacer is formed on the second display panel so as to overlap the black matrix pattern.
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