KR20070003431A

KR20070003431A - Chuck cleaning device

Info

Publication number: KR20070003431A
Application number: KR1020050059408A
Authority: KR
Inventors: 양희상; 한동철
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2005-07-01
Filing date: 2005-07-01
Publication date: 2007-01-05

Abstract

A chuck cleaning apparatus is provided to prevent the surface of a wafer to be fixed to a chuck from being damaged by removing pollutants or particles from a surface of the chuck. A chuck cleaning apparatus includes a body(110), a suction port(115) formed on a bottom surface of the body, at least one discharge port(125) disposed on a side or upper surface of the body, and a path formed in the body for connecting the suction port with the discharge port. The body has a bar shape when viewing at a plan view. The suction port is formed in a line having a uniform width. The path has a width larger than the suction port. A blade protrudes from the bottom surface of the body.

Description

Apparatus for a purging chuck}

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 척 세정 장치를 설명하기 위한 개략적인 사시도이다.1 is a schematic perspective view illustrating a chuck cleaning device according to embodiments of the present invention.

도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 척 세정 장치를 설명하기 위하여 도 1의 I-I′선을 따라 나타낸 단면도이다.FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line II ′ of FIG. 1 to describe a chuck cleaning device according to embodiments of the present invention.

본 발명은 반도체 장치에 관한 것으로, 특히 척 세정 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a semiconductor device, and more particularly to a chuck cleaning device.

일반적으로 반도체 제품은 여러 단계의 공정을 거쳐 완성된다. 즉, 사진, 식각, 확산, 박막 공정 등을 여러 차례 반복하여 수행함으로써 웨이퍼 상에 전기회로 패턴을 형성하는 FAB(fabrication) 공정을 거친 후, 웨이퍼를 구성하고 있는 각 칩의 전기적 특성 및 동작 상태를 테스트하여 양품과 불량품을 분류하는 EDS(Electric Die Sorting) 공정을 거치게 된다. 또한, EDS 공정을 통해 양품으로 판정된 칩은 칩 단위로 절단되어 조립 공정(assembly process)을 거쳐 하나의 완성된 반도체 패키지로 만들어지게 된다. 이와 같이 완성된 반도체 패키지는 반도체 제품으로 사용될 수 있다. In general, semiconductor products are completed through a multi-step process. That is, the photo, etching, diffusion, thin film processes, etc. are repeatedly performed several times, and after the FAB (fabrication) process of forming an electric circuit pattern on the wafer, the electrical characteristics and operating states of each chip constituting the wafer are examined. It goes through an EDS (Electric Die Sorting) process that tests and sorts good and bad parts. In addition, chips that are determined to be good through the EDS process may be cut into chips and then assembled into a completed semiconductor package through an assembly process. The semiconductor package thus completed may be used as a semiconductor product.

상기 FAB 공정 및 EDS 공정 중에 있는 웨이퍼는 핸들링 과정에서 가해지는 충격 및 기타 외력에 견디기 위해 어느 정도의 강도를 유지해야 할 필요성이 있고, 이를 위해 충분한 두께를 가져야만 한다. 그러나 칩 단위로 절단한 후 조립 공정을 거쳐 완성된 반도체 패키지의 소형화 및 고집적화를 위해서는 웨이퍼의 두께가 얇은 것이 유리하다. 따라서 FAB 공정 및 EDS 공정 중에는 웨이퍼의 두께를 통상 750㎛ 정도로 유지하다가, 조립 공정을 위해 웨이퍼를 칩 단위로 절단하기 전에 웨이퍼의 이면, 즉 전기회로 패턴이 형성된 면의 반대면을 연마하여 웨이퍼의 두께를 대략 280㎛ 정도까지 감소시키고 있다.Wafers in the FAB and EDS processes need to maintain some strength to withstand the impact and other external forces applied during handling, and must have a sufficient thickness for this. However, a thin wafer is advantageous for miniaturization and high integration of the semiconductor package, which is cut through a chip unit and then assembled through the assembly process. Therefore, during FAB process and EDS process, the thickness of the wafer is generally maintained at about 750 μm, and then the back side of the wafer, that is, the surface opposite to the surface on which the electric circuit pattern is formed, is polished before the wafer is cut into chips for the assembly process. Is reduced to approximately 280 μm.

일반적으로, 웨이퍼의 이면 연마는, 웨이퍼 단위로 수행되어지며, 반도체 소자의 조립 공정 이전에 수행된다. 이러한, 웨이퍼 이면 연마 공정, 즉 그라인딩 공정은 다음과 같은 공정으로 이루어질 수 있다. Generally, backside polishing of the wafer is performed on a wafer basis, and is performed before the assembly process of the semiconductor device. Such a wafer back surface polishing process, that is, a grinding process may be performed by the following process.

상기 그라인딩 공정은 웨이퍼의 상면에 형성된 회로 패턴을 보호하기 위하여 보호 테이프를 접착하는 라미네이트(laminator) 공정, 상기 보호 테이프가 접착된 웨이퍼의 이면을 연마하는 공정, 상기 연마가 완료된 웨이퍼로부터 상기 보호 테이프를 제거하는 공정으로 이루어질 수 있다. The grinding process may include a lamination process of adhering a protective tape to protect a circuit pattern formed on an upper surface of the wafer, a process of polishing a rear surface of the wafer to which the protective tape is adhered, and removing the protective tape from the polished wafer. It may consist of a process of removing.

구체적으로, 상기 라미네이트 공정은 웨이퍼의 이면이 연삭되는 과정에서 척과 접촉되는 웨이퍼의 상면이 손상되는 것을 방지하기 위해서 웨이퍼의 전면에 보호 테이프를 부착시키는 공정이다. 이때, 상기 웨이퍼 전면에 보호 테이프를 부착하는 이유는 웨이퍼 이면에 대한 연마가 진행되는 동안 웨이퍼 전면에 오염물질 및 기타 이물질이 부착되어 반도체 소자의 특성이 열화되는 것을 방지하기 위함이다. 이어서, 상기 보호 테이프가 부착된 웨이퍼의 이면을 연마한 후에, 상기 웨이퍼의 이면에 잔존하는 이물질을 제거하는 세정 공정을 진행한다. 이어서, 웨이퍼의 전면에 부착된 보호 테이프를 제거하기 하는 공정을 진행한다.Specifically, the lamination process is a process of attaching a protective tape to the front surface of the wafer in order to prevent the upper surface of the wafer contacting the chuck in the process of grinding the back surface of the wafer. In this case, the reason why the protective tape is attached to the front surface of the wafer is to prevent deterioration of characteristics of the semiconductor device due to contamination and other foreign matter attached to the front surface of the wafer while polishing of the back surface of the wafer is in progress. Subsequently, after polishing the back surface of the wafer on which the protective tape is attached, a cleaning step of removing foreign matter remaining on the back surface of the wafer is performed. Next, a process of removing the protective tape attached to the front surface of the wafer is performed.

상기 웨이퍼의 전면에 보호 테이프를 접착시키기 위한 테이프 마운트 공정과 상기 보호 테이프를 제거하기 위한 테이프 분리 공정을 진행하는 동안에, 상기 웨이퍼는 척(chuck)에 고정될 수 있다. 이 경우에, 상기 척에 이물질이 잔존한다면, 상기 테이프 마운트 공정과 상기 테이프 분리 공정 동안에 웨이퍼에 가해지는 압력에 의하여 웨이퍼가 손상될 수 있다. During the tape mounting process for adhering the protective tape to the front surface of the wafer and the tape separating process for removing the protective tape, the wafer may be fixed to the chuck. In this case, if foreign matter remains in the chuck, the wafer may be damaged by the pressure applied to the wafer during the tape mounting process and the tape separating process.

본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 척을 세정할 수 있는 척 세정 장치를 제공하는데 있다. The technical problem to be achieved by the present invention is to provide a chuck cleaning device capable of cleaning the chuck.

본 발명의 실시예들에 따르면, 척 세정 장치를 제공한다. 상기 척 세정 장치는 몸체를 구비한다. 상기 몸체의 저면에 흡입구가 배치된다. 상기 몸체의 측면 또는 상면에 적어도 하나의 배출구가 배치된다. 상기 흡입구와 상기 배출구를 연결시키도록 상기 몸체의 내부에 유로가 제공된다. According to embodiments of the present invention, a chuck cleaning device is provided. The chuck cleaning device has a body. The suction port is disposed on the bottom of the body. At least one outlet is disposed on the side or the top of the body. A flow path is provided inside the body to connect the inlet and the outlet.

본 발명의 실시예들에서, 상기 몸체는 평면상에서 보았을 때 바 형(bar-type)일 수 있다. In embodiments of the present invention, the body may be a bar-type when viewed in plan.

다른 실시예들에서, 상기 흡입구는 일정한 폭을 갖는 라인 형상일 수 있다.In other embodiments, the inlet may be in the shape of a line with a constant width.

또 다른 실시예들에서, 상기 유로는 상기 흡입구의 폭보다 큰 폭을 가질 수 있다. In still other embodiments, the flow passage may have a width greater than the width of the suction port.

또 다른 실시예들에서, 상기 몸체의 저면으로부터 하부로 돌출된 블레이드(blade)를 더 포함할 수 있다. 이 경우에, 상기 블레이드는 상기 흡입구에 인접한 곳에 제공될 수 있다. In still other embodiments, it may further include a blade protruding downward from the bottom of the body. In this case, the blade may be provided adjacent to the suction port.

또 다른 실시예들에서, 상기 몸체의 측면에 제공된 위치 감지 센서를 더 포함할 수 있다. In still other embodiments, it may further include a position sensor provided on the side of the body.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시예들을 상세히 설명한다. 그러나, 본 발명은 여기서 설명되어지는 실시예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 오히려, 여기서 소개되는 실시예들은 개시된 내용이 철저하고 완전해질 수 있도록 그리고 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 제공되어지는 것이다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.Hereinafter, exemplary embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments described herein and may be embodied in other forms. Rather, the embodiments introduced herein are provided to ensure that the disclosed subject matter is thorough and complete, and that the scope of the invention to those skilled in the art will fully convey. Like numbers refer to like elements throughout.

도 1은 본 발명의 실시예들에 따른 척 세정 장치를 나타낸 개략적인 사시도이고, 도 2는 본 발명의 실시예들에 따른 척 세정 장치를 설명하기 위하여 도 1의 I-I′선을 따라 나타낸 단면도이다.1 is a schematic perspective view showing a chuck cleaning device according to embodiments of the present invention, Figure 2 is a cross-sectional view taken along the line II 'of FIG. 1 to explain the chuck cleaning device according to embodiments of the present invention. .

도 1 및 도 2를 참조하면, 척 세정 장치는 몸체(110)를 구비한다. 상기 몸체(110)는 평면상에서 보았을 때 바 형(bar type)의 형상일 수 있다. 구체적으로, 상기 몸체(110)는 평면상에서 보았을 때, 제1 길이(L1) 및 제1 폭(W1)을 갖는 바 형의 형상일 수 있다. 상기 몸체(110)의 상부 영역은 제 1 폭(W1)을 갖고, 상기 몸체(110)의 저면은 상기 제 1 폭(W1) 보다 작은 제 2 폭(W2)을 갖도록 제공될 수 있 다. 여기서, 상기 몸체(110)의 하부 영역은 상기 몸체(110)의 상부 영역의 제 1 폭(W1)에 비하여 점차적으로 폭이 작아지는 형상일 수 있다. 상기 몸체(110)의 저면에 흡입구(115)가 제공된다. 상기 흡입구(115)는 제3 폭(D1)을 갖도록 제공될 수 있다. 상기 흡입구(115)는 상기 몸체(110)의 저면에서 실질적으로 제3 폭(D1)을 갖는 라인 형상일 수 있다.1 and 2, the chuck cleaning device includes a body 110. The body 110 may have a bar type shape when viewed in a plan view. In detail, the body 110 may have a bar shape having a first length L1 and a first width W1 when viewed in a plan view. An upper region of the body 110 may have a first width W1, and a bottom surface of the body 110 may be provided to have a second width W2 smaller than the first width W1. Here, the lower region of the body 110 may have a shape that gradually decreases in width as compared to the first width W1 of the upper region of the body 110. The suction port 115 is provided on the bottom of the body 110. The suction port 115 may be provided to have a third width D1. The suction port 115 may have a line shape having a third width D1 at a bottom surface of the body 110.

상기 몸체(110)의 측면 또는 상면에 적어도 하나의 배출구(125)가 제공된다. 상기 배출구(125)의 직경은 상기 흡입구(115)의 제3 폭(D1)보다 클 수 있다. 상기 배출구(125)와 상기 흡입구(115)를 연결시키도록 상기 몸체(110)의 내부에 유로(120)가 제공된다. 상기 유로(120)는 상기 흡입구(115)의 제3 폭(D1) 보다 큰 제4 폭(D2)을 갖도록 제공될 수 있다. At least one outlet 125 is provided on the side or top of the body 110. The diameter of the outlet 125 may be larger than the third width D1 of the suction port 115. A flow path 120 is provided inside the body 110 to connect the outlet 125 and the suction port 115. The flow path 120 may be provided to have a fourth width D2 greater than the third width D1 of the suction port 115.

상기 몸체(110)의 저면에 상기 몸체(110)의 저면으로부터 하부로 돌출된 블레이드(blade; 135)가 제공될 수 있다. 이 경우에, 상기 블레이드(135)는 상기 흡입구(115)에 인접한 곳에 배치될 수 있다. 상기 블레이드(135)는 평면상에서 보았을 때 라인 형상일 수 있다. 상기 블레이드(135)는 스틸(steel)과 같은 금속 재질로 이루어질 수 있다. 상기 몸체(110)의 측면에 적어도 하나의 위치 감지 센서(130)가 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)의 외부에는 진공 펌프(145)가 제공될 수 있다. 상기 몸체(110)와 상기 진공 펌프(145) 사이에는 진공 라인(140)이 제공된다. 상기 진공 라인(140)의 일단은 상기 배출구(125)에 연결되고 상기 진공 라인(140)의 타단은 상기 진공 펌프(145)에 연결된다. 이 경우에, 상기 진공 펌프(145)는 흡입력을 제공하는 수단일 수 있다. A blade 135 protruding downward from the bottom of the body 110 may be provided on the bottom of the body 110. In this case, the blade 135 may be disposed adjacent to the suction port 115. The blade 135 may have a line shape when viewed in a plan view. The blade 135 may be made of a metal material such as steel. At least one position detecting sensor 130 may be provided on a side of the body 110. A vacuum pump 145 may be provided outside the body 110. A vacuum line 140 is provided between the body 110 and the vacuum pump 145. One end of the vacuum line 140 is connected to the outlet 125 and the other end of the vacuum line 140 is connected to the vacuum pump 145. In this case, the vacuum pump 145 may be a means for providing a suction force.

상술한 바와 같은 척 세정 장치가 제공될 수 있다. 상기 척 세정 장치는 웨이퍼를 진공을 이용하여 고정시킬 수 있는 척(chuck; 100)의 표면을 세정할 수 있다. 상기 척(100)은 웨이퍼의 이면을 연마하는 공정, 즉 그라인딩 공정에 사용되는 척일 수 있다. 예를 들어, 상기 척 세정 장치는 웨이퍼의 상면에 보호 테이프를 접착하는 라미네이트(laminator) 공정 또는 상기 보호 테이프를 제거하는 공정에 사용되는 척을 세정 할 수 있다. 상기 척 세정 장치는 도면들에 도시된 바와 같이 척(100) 상부에 위치할 수 있다. 상기 척 세정 장치의 상기 몸체(110)의 길이(L)는 상기 척(100)의 직경 보다 클 수 있다. 도면들에서 상기 척 세정 장치의 몸체(110)의 크기는 명확성을 기하기 위하여 다소 과장되어 있다. 상기 몸체(110)는 그 폭이 대략 1cm 정도, 그 두께는 대략 3 cm 내지 5 cm 정도 및 그 길이는 상기 척(100)의 직경보다 대략 1cm 정도 크도록 제작될 수 있다. 이와 같은 몸체(110)의 크기를 나타내는 치수는 이에 한정되지 않고 다양하게 변화될 수 있다. 상기 척(100)의 표면에는 오염물질 및 이물질이 있을 수 있다. 상기 척(100)의 표면에 있는 오염물질 및 이물질을 제거하기 위하여 상기 척 세정 장치는 다음과 같이 동작할 수 있다. 상기 척 세정 장치는 상하의 수직 방향 또는 앞뒤의 수평방향으로 이동하도록 제어할 수 있는 구동 설비(미도시)에 장착될 수 있다. 상기 구동 설비는 상기 척 세정 장치의 상기 위치 감지 센서(130)와 전기적으로 연결될 수 있다. 상기 구동 설비는 정밀 제어 모터를 구비할 수 있다. 이에 따라, 상기 척 세정 장치의 움직임을 미세하게 제어할 수 있다. The chuck cleaning device as described above may be provided. The chuck cleaning apparatus may clean the surface of the chuck 100 that may fix the wafer using a vacuum. The chuck 100 may be a chuck used for grinding a back surface of the wafer, that is, in a grinding process. For example, the chuck cleaning apparatus may clean a chuck used in a lamination process of adhering a protective tape to an upper surface of a wafer or a process of removing the protective tape. The chuck cleaning device may be located above the chuck 100 as shown in the figures. The length L of the body 110 of the chuck cleaning device may be larger than the diameter of the chuck 100. In the drawings, the size of the body 110 of the chuck cleaning device is exaggerated for clarity. The body 110 may be manufactured to have a width of about 1 cm, a thickness of about 3 cm to 5 cm, and a length of about 1 cm larger than the diameter of the chuck 100. Dimensions indicating the size of the body 110 is not limited thereto and may be variously changed. There may be contaminants and foreign substances on the surface of the chuck 100. In order to remove contaminants and foreign substances on the surface of the chuck 100, the chuck cleaning device may operate as follows. The chuck cleaning device may be mounted in a driving device (not shown) that can be controlled to move in the vertical direction of the vertical direction or the horizontal direction of the front and rear. The driving device may be electrically connected to the position sensor 130 of the chuck cleaning device. The drive facility may comprise a precision control motor. Accordingly, the movement of the chuck cleaning device can be finely controlled.

상기 척 세정 장치는 상기 구동 설비에 의하여 상기 척(100)으로부터 소정의 거리, 예를 들어 0.01mm 내지 1mm 로 이격되어 수평방향의 앞뒤로 움직일 수 있다. 이 경우에, 상기 척 세정 장치의 상기 블레이드(135)는 상기 척(100)의 표면으로부터 소정의 거리로 이격되어 상기 척(100)의 표면에 고정되어 있는 오염물질 및 이물질을 상기 척(100)의 표면으로부터 분리시킬 수 있다. 한편, 상기 진공 펌프(145)가 동작하여 상기 흡입구(115)에서는 상기 척(100)의 표면에 분리되어 있는 오염물질 및 이물질을 흡입할 수 있는 흡입력이 발생한다. 따라서, 상기 척(100)의 표면에 있는 오염물질 및 이물질은 상기 배출구(125)를 통하여 배출될 수 있다. The chuck cleaning apparatus may be moved back and forth in the horizontal direction by being spaced apart from the chuck 100 by a predetermined distance, for example, 0.01 mm to 1 mm by the driving device. In this case, the blade 135 of the chuck cleaning device is separated from the surface of the chuck 100 by a predetermined distance to the contaminants and foreign matter fixed to the surface of the chuck 100 the chuck 100 It can be separated from the surface of the. On the other hand, the vacuum pump 145 is operated to generate a suction force for sucking the contaminants and foreign matter separated on the surface of the chuck 100 in the suction port 115. Therefore, contaminants and foreign substances on the surface of the chuck 100 may be discharged through the outlet 125.

상술한 바와 같이, 상기 척 세정 장치는 상기 척(100)의 표면에 있는 오염물질 및 이물질을 제거할 수 있다. 따라서, 상기 척(100)에 고정되는 웨이퍼가 상기 척(100)의 표면에 있는 오염물질 및 이물질에 의하여 손상되는 것을 방지할 수 있다. As described above, the chuck cleaning device may remove contaminants and foreign substances on the surface of the chuck 100. Therefore, it is possible to prevent the wafer fixed to the chuck 100 from being damaged by contaminants and foreign substances on the surface of the chuck 100.

상술한 바와 같이 본 발명에 따르면, 척의 표면에 있는 오염물질 및 이물질을 제거할 수 있는 척 세정 장치를 제공한다. 상기 척 세정 장치는 척의 표면에 있는 오염물질 및 이물질을 제거하여 상기 척에 고정되는 웨이퍼의 표면에 손상이 발생하는 것을 방지한다. 그 결과, 웨이퍼의 불량이 발생되는 것을 방지하여 생산성을 향상시킬 수 있다. As described above, according to the present invention, there is provided a chuck cleaning apparatus capable of removing contaminants and foreign substances on the surface of a chuck. The chuck cleaning device removes contaminants and foreign matter on the surface of the chuck to prevent damage to the surface of the wafer fixed to the chuck. As a result, the defect of a wafer can be prevented from occurring and productivity can be improved.

Claims

Body;

A suction port disposed at a bottom of the body;

At least one outlet disposed on the side or top of the body; And

And a flow passage provided inside the body to connect the inlet and the outlet.

The method of claim 1,

The body is a chuck cleaning device, characterized in that the bar (bar-type) when viewed in plan view.

The method of claim 1,

The suction port is a chuck cleaning device, characterized in that the line shape having a constant width.

The method of claim 1,

The flow path has a width larger than the width of the suction port, the chuck cleaning device.

The method of claim 1,

And a blade protruding downwardly from the bottom of said body, said blade being provided adjacent said inlet.

The method of claim 1,

Chuck cleaning device further comprises a position sensor provided on the side of the body.