KR102903356B1

KR102903356B1 - 패턴화 점착층 및 그 제조 방법, 경화성 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 및, 반도체 소자의 제조 방법

Info

Publication number: KR102903356B1
Application number: KR1020237010146A
Authority: KR
Inventors: 코스케 야마시타; 토시유키 사이에; 히데키 타카쿠와; 카즈토 시마다
Original assignee: 후지필름 가부시키가이샤
Priority date: 2020-09-28
Filing date: 2021-09-22
Publication date: 2025-12-26
Anticipated expiration: 2041-09-22
Also published as: JP7545487B2; KR20230056043A; WO2022065360A1; TW202212973A; TWI895510B; JPWO2022065360A1

Abstract

경화성 조성물의 경화물을 포함하며, 상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 갖고, 상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 갖는, 패턴화 점착층, 상기 패턴화 점착층의 형성에 이용되는 경화성 조성물, 상기 패턴화 점착층의 제조 방법, 상기 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법, 및, 상기 적층체의 제조 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법.

Description

패턴화 점착층 및 그 제조 방법, 경화성 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 및, 반도체 소자의 제조 방법

본 발명은, 패턴화 점착층 및 그 제조 방법, 경화성 조성물, 적층체 및 그 제조 방법, 및, 반도체 소자의 제조 방법에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조 공정(반도체 프로세스) 등에 있어서, 예를 들면, 배선을 갖는 지지체 상에 수지층 등의 점착층을 마련한 후에, 상기 지지체를 분할하는 등의 가공을 행하고, 상기 가공 후의 지지체와, 배선을 갖는 피접합 부재를 점착층을 개재하여 접합하는 것이 검토되고 있다.

예를 들면 특허문헌 1에는, 기재 상에 광중합성 조성물을 도포하고, 표면 점착력을 갖는 감광성 박막층을 형성하는 제1 공정, 상기 감광성 박막층 표면 상에 차광성 고형 마스크를 전사·고착하는 제2 공정, 고착 고형 마스크 측으로부터 활성광선을 조사함으로써 마스크 개구부의 감광성 박막층을 가교 경화하는 제3 공정 및 고형 마스크를 박리 제거한 후, 미노광 감광성 박막층을 현상 제거하여 기재 상에 고정세(精細) 패턴 화상을 형성하는 제4 공정으로 이루어지는 고정세 패턴 화상을 형성하는 방법에 이용하는 광중합성 조성물로 이루어지는 감광성 점착 레지스트 조성물로서, 특정 광중합성 화합물을 포함하는 감광성 점착 레지스트 조성물이 기재되어 있다.

특허문헌 1: 일본 공개특허공보 평6-266103호

상기 지지체를 분할하는 등의 가공에 있어서, 지지체 상에 점착층의 미세한 패턴을 형성하고자 하는 요구가 있다.

또, 지지체와 피접합 부재의 접합성의 관점에서, 택킹(tacking)성이 우수한 점착층이 요구되고 있다.

본 발명의 목적은, 미세한 패턴이 형성될 수 있는 패턴화 점착층으로서, 지지체의 접합성이 우수한 패턴화 점착층, 상기 패턴화 점착층의 형성에 이용되는 경화성 조성물, 상기 패턴화 점착층의 제조 방법, 상기 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법, 및, 상기 적층체의 제조 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 대표적인 실시양태의 예를 이하에 나타낸다.

<1> 경화성 조성물의 경화물을 포함하고,

상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 가지며,

상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 갖는, 패턴화 점착층.

<2> 상기 경화성 조성물로서, 도포 막두께 10μm, 고압 수은등으로 전체면 노광 1000mJ/cm², 25℃의 0.3질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 1분 침지의 조건에 의하여, 상기 경화성 조성물의 경화물 샘플을 형성하고, 경화물 샘플의 표면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 첩부한 경우의 90도 박리 시험의 결과가 0.05N/20mm 이상인 경화성 조성물을 이용하는, <1>에 기재된 패턴화 점착층.

<3> 평균 두께가 2μm 이상인, <1> 또는 <2>에 기재된 패턴화 점착층.

<4> 패턴의 최소 치수, 또는, 패턴의 간극의 최소 치수가 200μm 이하인 패턴을 포함하는, <1> 내지 <3> 중 어느 하나에 기재된 패턴화 점착층.

<5> <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 패턴화 점착층의 형성에 이용되는, 경화성 조성물.

<6> 용제 이외의 성분의 전체 질량에 대한, 분자량 1000 이상인 유기 성분의 함유량이 20질량% 이하인, <5>에 기재된 경화성 조성물.

<7> 다관능 중합성 화합물을 복수 종 포함하는, <5> 또는 <6>에 기재된 경화성 조성물.

<8> 단관능 중합성 화합물을 포함하는, <5> 내지 <7> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.

<9> 무기 필러를 포함하는, <5> 내지 <8> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.

<10> 경화성 조성물의 전체 질량에 대한 용제의 함유량이 10질량% 이하인, <5> 내지 <9> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물.

<11> <5> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물을 지지체 상에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정,

상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정, 및

적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정을 포함하고,

상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해지는,

패턴화 점착층의 제조 방법.

<12> 상기 현상에 이용되는 현상액이 알칼리 성분을 포함하는, <11>에 기재된 패턴화 점착층의 제조 방법.

<13> 상기 적용 공정에 있어서의 적용 방법이 스핀 코트법을 포함하는, <11> 또는 <12>에 기재된 패턴화 점착층의 제조 방법.

<14> 지지체, <1> 내지 <4> 중 어느 하나에 기재된 패턴화 점착층 및 피접합 부재를 이 순서로 갖는, 적층체.

<15> 상기 지지체가 시트상 또는 필름상인, <14>에 기재된 적층체.

<16> 상기 지지체가 반도체 제작용 기재인, <14> 또는 <15>에 기재된 적층체.

<17> 상기 지지체가 전극을 갖는 지지체인, <14> 내지 <16> 중 어느 하나에 기재된 적층체.

<18> 지지체, 피접합 부재 및 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법으로서,

<5> 내지 <10> 중 어느 하나에 기재된 경화성 조성물을 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중 어느 일방에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정,

상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정,

적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정, 및,

상기 패턴화 점착층에 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중, 적용 공정에 의하여 경화성 조성물이 적용되지 않았던 부재를 접합하는 접합 공정을 포함하며,

적층체의 제조 방법.

<19> 상기 접합이 100~200℃에서 행해지는, <18>에 기재된 적층체의 제조 방법.

<20> 상기 지지체를 가공하는 가공 공정을 포함하는, <18> 또는 <19>에 기재된 적층체의 제조 방법.

<21> 상기 가공 공정이 상기 지지체를 분할하는 공정인, <17>에 기재된 적층체의 제조 방법.

<22> <18> 내지 <21> 중 어느 하나에 기재된 적층체의 제조 방법을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법.

본 발명에 의하면, 미세한 패턴이 형성될 수 있는 패턴화 점착층으로서, 지지체의 접합성이 우수한 패턴화 점착층, 상기 패턴화 점착층의 형성에 이용되는 경화성 조성물, 상기 패턴화 점착층의 제조 방법, 상기 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법, 및, 상기 적층체의 제조 방법을 포함하는 반도체 소자의 제조 방법이 제공된다.

도 1은, 본 발명의 적층체의 제조 방법의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.

이하, 본 발명의 주요한 실시형태에 대하여 설명한다. 그러나, 본 발명은, 명시한 실시형태에 한정되는 것은 아니다.

본 명세서에 있어서 "~"라는 기호를 이용하여 나타나는 수치 범위는, "~"의 전후에 기재되는 수치를 각각 하한값 및 상한값으로서 포함하는 범위를 의미한다.

본 명세서에 있어서 "공정"이라는 말은, 독립적인 공정뿐만 아니라, 그 공정의 소기의 작용이 달성될 수 있는 한에 있어서, 다른 공정과 명확하게 구별할 수 없는 공정도 포함하는 의미이다.

본 명세서에 있어서 기(원자단)에 관하여, 치환 및 무치환을 기재하고 있지 않은 표기는, 치환기를 갖지 않는 기(원자단)와 함께, 치환기를 갖는 기(원자단)도 포함하는 의미이다. 예를 들면, 간단히 "알킬기"라고 기재한 경우에는, 이것은, 치환기를 갖지 않는 알킬기(무치환 알킬기), 및, 치환기를 갖는 알킬기(치환 알킬기)의 양방을 포함하는 의미이다.

본 명세서에 있어서 "노광"이란, 특별히 설명하지 않는 한, 광을 이용한 묘화뿐만 아니라, 전자선, 이온빔 등의 입자선을 이용한 묘화도 포함하는 의미이다. 묘화에 이용되는 에너지선으로서는, 수은등의 휘선 스펙트럼, 엑시머 레이저로 대표되는 원자외선, 극자외선(EUV광) 및 X선 등의 활성광선, 및, 전자선 및 이온선 등의 입자선을 들 수 있다.

본 명세서에 있어서, "(메트)아크릴레이트"는, "아크릴레이트" 및 "메타크릴레이트"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하고, "(메트)아크릴"은, "아크릴" 및 "메타크릴"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미하며, "(메트)아크릴로일"은, "아크릴로일" 및 "메타크릴로일"의 양방, 또는, 어느 하나를 의미한다.

본 명세서에 있어서, 조성물 중의 고형분은, 용제를 제외한 다른 성분을 의미하고, 조성물 중의 고형분의 함유량(농도)은, 특별히 설명하지 않는 한, 그 조성물의 총 질량에 대한, 용제를 제외한 다른 성분의 질량 백분율에 의하여 나타난다.

본 명세서에 있어서, 특별히 설명하지 않는 한, 온도는 23℃, 기압은 101325Pa(1기압)이다.

본 명세서에 있어서, 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 특별히 설명하지 않는 한, 젤 침투 크로마토그래피(GPC 측정)에 따라, 폴리스타이렌 환산값으로서 나타난다. 이 중량 평균 분자량(Mw) 및 수평균 분자량(Mn)은, 예를 들면, HLC-8220(도소(주)제)을 이용하고, 칼럼으로서 가드 칼럼 HZ-L, TSKgel Super HZM-M, TSKgel Super HZ4000, TSKgel Super HZ3000 및 TSKgel Super HZ2000(도소(주)제)을 이용함으로써 구할 수 있다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 용리액으로서 THF(테트라하이드로퓨란)를 이용하여 측정한 것으로 한다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, GPC 측정에 있어서의 검출에는, UV선(자외선)의 파장 254nm 검출기를 사용한 것으로 한다.

본 명세서에 있어서, 적층체를 구성하는 각층(各層)의 위치 관계에 대하여, "상(上)" 또는 "하(下)"라고 기재한 때에는, 주목하고 있는 복수의 층 중 기준이 되는 층의 상측 또는 하측에 다른 층이 있으면 된다. 즉, 기준이 되는 층과 상기 다른 층의 사이에, 제3 층이나 요소가 더 개재되어 있어도 되고, 기준이 되는 층과 상기 다른 층은 접하고 있을 필요는 없다. 또, 특별히 설명하지 않는 한, 기재에 대하여 층이 적층되어 가는 방향을 "상"이라고 칭하고, 또는, 감광층이 있는 경우에는, 기재로부터 감광층을 향하는 방향을 "상"이라고 칭하며, 그 반대 방향을 "하"라고 칭한다. 또한, 이와 같은 상하 방향의 설정은, 본 명세서 중에 있어서의 편의를 위함이며, 실제의 양태에 있어서는, 본 명세서에 있어서의 "상"방향은, 연직 상향과 상이한 경우도 있을 수 있다.

(패턴화 점착층)

본 발명의 패턴화 점착층은, 경화성 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 갖고, 상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 갖는다.

점착층을 경화성 조성물의 경화물을 포함하는 양태로 함으로써, 패턴상의 점착층으로 할 수 있다.

여기에서, 점착층을 패턴상의 점착층(패턴화 점착층)으로 함으로써, 다양한 이점이 있다.

예를 들면, 다이싱 등의 지지체를 분할하는 가공 등에 있어서, 지지체를 분할할 때에, 점착층이 지지체 표면에 균일하게 존재하는 경우, 분할에 이용되는 블레이드 등의 장치에 점착층의 성분이 부착되어, 지지체의 가공을 연속하여 행하는 것이 곤란해지는 경우가 있었다. 이것을 피하기 위하여, 블레이드가 침입하는 부분(예를 들면, 지지체의 가공이 다이싱이면 다이싱 라인)에는 점착층을 형성하지 않는 양태로 하는 것을 생각할 수 있다.

또, 지지체의 점착층과 접하는 측의 표면에는 전극(예를 들면, 돌기 전극) 등이 형성되어 있는 경우가 있다. 이와 같은 지지체와, 전극(돌기 전극 등)을 갖는 피접합 부재를 접합하여, 지지체에 있어서의 전극과, 피접합 부재에 있어서의 전극을 직접 또는 간접적으로 접촉시켜, 전기적인 접합을 형성하는 것이 행해진다. 그러나, 이와 같은 전극 위에 점착층을 형성하면, 지지체에 있어서의 전극과 피접합 부재에 있어서의 전극의 사이에 점착층이 끼여, 전기적인 접합이 저해되는(접합 불량이 발생하는) 경우가 있었다. 이와 같은 접합 불량의 발생을 방지하는 등의 목적에 의하여, 배선 부분에는 점착층을 형성하지 않는 양태로 하는 것이 생각된다.

또, 상기 점착층을 지지체 상(예를 들면, 지지체와 피접합 부재의 사이)에 잔존시켜, 점착층을 예를 들면 굴절률 조정층 등의 기능성층으로서 사용하는 것도 생각된다. 이와 같은 기능성층의 형성에 있어서는, 점착층을 기능성층이 필요한 부분에만 형성하고, 다른 부분에는 형성하지 않는 양태로 하는 것이 생각된다.

여기에서, 점착층의 형성에 이용되는 조성물을 디스펜서 등에 의하여 부분적으로 적용하는 방법도 생각되지만, 생산성이 낮고, 또, 미세한 패턴의 형성에는 한계가 있었다.

본 발명의 패턴화 점착층은 경화성 조성물의 경화물을 포함한다. 이와 같은 양태로 함으로써, 미세한 패턴이 형성된다고 생각된다.

또, 본 발명의 패턴화 점착층은, 경화성 조성물의 경화물을 포함하고, 상기 경화성 조성물은, 상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 가지며, 상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 갖는다. 이와 같은 양태에 의하여, 지지체와 피접합 부재의 사이의 접합성이 확보되어, 지지체의 접합성이 우수하다고 생각된다.

여기에서, 특허문헌 1에는, 경화성 조성물의 경화물을 포함하며, 상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 갖고, 상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 갖는, 패턴화 점착층에 대해서는, 기재되어 있지 않다.

이하, 패턴화 점착층의 상세에 대하여 설명한다.

<패턴화 점착층의 특성>

본 발명의 패턴화 점착층은 경화성 조성물의 경화물을 포함한다.

또, 본 발명의 패턴화 점착층은, 경화성 조성물의 경화물로 이루어지는 패턴화 점착층인 것이 바람직하다.

경화성 조성물은, 용제 이외의 성분을 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물이 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 갖는 조성물인 것이 바람직하다.

용제 이외의 성분을 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물이란, 경화성 조성물에 포함되는 성분 중, 용제만을 제외하여 조제한 조성물을 말한다.

경화성 조성물에 포함되는 각 성분의 상세에 대해서는 후술한다.

조성물이 "유동성"을 갖는다는 것은, 보형성(shape-retaining property)을 갖지 않는 것을 의미한다.

상기 경화물의 표면은 25℃에서 점착성을 갖는다.

또, 접합성의 관점에서는, 상기 경화성 조성물로서, 도포 막두께 10μm, 고압 수은등으로 전체면 노광 1000mJ/cm², 25℃의 0.3질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 1분 침지의 조건에 의하여, 상기 경화성 조성물의 경화물 샘플을 형성하고, 경화물 샘플의 표면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 첩부한 경우의 90도 박리 시험의 결과가 0.05N/20mm 이상인 경화성 조성물을 이용하는 것도 바람직하다.

상기 90도 박리 시험은, JIS Z0237:2009에 따라 행할 수 있다.

상기 90도 박리 시험의 결과는, 0.05N/20mm 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/20mm 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.5N/20mm 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 90도 박리 시험의 결과의 상한은 특별히 한정되지 않지만, 1N/20mm 이하인 것이 바람직하다.

패턴화 점착층의 평균 두께는, 용도에 따라 적절히 설정하면 되지만, 2μm 이상인 것이 바람직하고, 5μm 이상인 것이 보다 바람직하며, 10μm 이상인 것이 보다 바람직하다. 상기 평균 두께의 상한은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 100μm 이하로 할 수 있다.

상기 평균 두께는, 예를 들면, 엘립소미터를 이용하여 10점의 두께를 산출한 경우의 산술 평균값으로서 구할 수 있다.

패턴화 점착층은, 패턴의 최소 치수, 또는, 패턴의 간극의 최소 치수가 200μm 이하인 패턴을 포함하는 것이 바람직하고, 150μm 이하인 패턴을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 100μm 이하인 패턴을 포함하는 것이 더 바람직하다.

패턴의 최소 치수란, 패턴화 점착층이 존재하는 부분의 치수의 최솟값을 말하며, 예를 들면, 라인 앤드 스페이스 패턴의 라인부의 폭의 최솟값, 필러 패턴에 있어서의 상면의 최소 직경(상면이 원형이 아닌 경우는, 원상당 직경) 등을 의미한다.

패턴의 간극의 최소 치수란, 패턴화 점착층이 존재하지 않는 부분의 치수의 최솟값을 말하며, 라인 앤드 스페이스 패턴의 스페이스부의 폭의 최솟값, 홀 패턴의 바닥면의 최소 직경(바닥면이 원형이 아닌 경우는, 원상당 직경) 등을 의미한다.

(경화성 조성물)

본 발명의 경화성 조성물은, 본 발명의 패턴화 점착층의 형성에 이용되는 조성물이다.

본 발명의 경화성 조성물의 경화물이, 본 발명의 패턴화 점착층인 것이 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 감광성을 갖는 조성물인 것이 바람직하고, 노광에 의하여 현상액에 대한 용해도가 변화하는 조성물인 것이 보다 바람직하며, 노광에 의하여 현상액에 대한 용해도가 감소하는 조성물인 것이 보다 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물에 포함되는 각 성분의 상세에 대하여 설명한다.

<중합성 화합물>

본 발명의 경화성 조성물은, 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.

예를 들면, 본 발명의 경화성 조성물이 중합성 화합물을 포함하고, 경화물에 있어서도 반응 가능한 중합성기가 잔존함으로써, 점착층의 점착성을 향상시킬 수 있다.

중합성 화합물로서는, 다관능 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 다관능 중합성 화합물을 복수 종 포함하는 것이 바람직하다.

또, 단관능 중합성 화합물을 포함하는 것이 바람직하고, 단관능 중합성 화합물 및 다관능 중합성 화합물을 포함하는 것이 보다 바람직하며, 적어도 1종의 단관능 중합성 화합물과, 적어도 2종의 다관능 중합성 화합물을 포함하는 것이 더 바람직하다.

또, 중합성 화합물은, 중합성기를 갖는 고분자 화합물이어도 되지만, 패턴을 미세화하는 관점에서는, 분자량 1000 미만인 것이 바람직하고, 100 이상 1000 미만인 것이 보다 바람직하며, 200 이상 800 미만인 것이 보다 바람직하다.

〔라디칼 중합성 화합물〕

또, 중합성 화합물로서는, 라디칼 중합성 화합물이 바람직하다.

라디칼 중합성 화합물로서는, 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 들 수 있다.

에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기로서는, 바이닐기, 알릴기, 아이소알릴기, 방향환에 직접 바이닐기가 결합한 기(예를 들면, 바이닐페닐기), (메트)아크릴아마이드기, (메트)아크릴옥시기 등을 들 수 있으며, 반응성의 관점에서는 (메트)아크릴옥시기가 바람직하다.

라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면, (메트)아크릴산 에스터, 이타콘산 에스터, 크로톤산 에스터, 아이소크로톤산 에스터, 말레산 에스터, 바이닐기 함유 화합물(예를 들면, 아세트산 바이닐, 염화 바이닐, 스타이렌 등), (메트)아크릴산, 말레이미드, 말레산 무수물, (메트)아크릴아마이드(아크릴아마이드, 메타크릴아마이드, N,N-다이메틸아크릴아마이드, N-메틸아크릴아마이드, N-아이소프로필아크릴아마이드 등) 등을 들 수 있다. 그중에서도, (메트)아크릴산 에스터, 바이닐기 함유 화합물, (메트)아크릴아마이드가 보다 바람직하고, 상용성, 반응성 등의 관점에서, (메트)아크릴산 에스터가 특히 바람직하다.

단관능 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소뷰틸(메트)아크릴레이트, t-뷰틸(메트)아크릴레이트, 사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 테트라하이드로퍼퓨릴(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 아이소노닐(메트)아크릴레이트, 아이소데시노닐(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-하이드록시뷰틸(메트)아크릴레이트, 아이소보닐(메트)아크릴레이트, 뷰톡시다이에틸렌글라이콜(메트)아크릴레이트, 벤질(메트)아크릴레이트, 다이사이클로헥실(메트)아크릴레이트, 2-다이사이클로헥실옥시에틸(메트)아크릴레이트, 모폴리노(메트)아크릴아마이드, 페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 다이메틸아미노에틸(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜텐일옥시에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

다관능 라디칼 중합성 화합물로서는, 예를 들면, 에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 폴리에틸렌글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 프로필렌글라이콜다이아크릴레이트, 다이프로필렌글라이콜다이아크릴레이트, 폴리프로필렌글라이콜다이아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글라이콜다이(메트)아크릴레이트, 1,6-헥세인다이올다이(메트)아크릴레이트, 트라이사이클로데케인다이메탄올다이아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인트라이(메트)아크릴레이트, 노네인다이올다이(메트)아크릴레이트, 트리스(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)아이소사이아누레이트, 2-모폴리노에틸(메트)아크릴레이트, 9-안트릴(메트)아크릴레이트, 2,2-비스(4-(메트)아크릴로일옥시페닐)프로페인, 펜타에리트리톨테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리트리톨헥사(메트)아크릴레이트, 트랜스-1,4-사이클로헥세인다이올다이(메트)아크릴레이트, 다이사이클로펜타닐옥시에틸(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다.

이들 중에서도, 다관능 라디칼 중합성 화합물로서는, 지방족 화합물이 바람직하다.

또, 일본 공고특허공보 소48-41708호, 일본 공개특허공보 소51-37193호, 일본 공고특허공보 평2-32293호, 및 일본 공고특허공보 평2-16765호의 각 공보에 기재되어 있는 유레테인아크릴레이트류, 또는, 일본 공고특허공보 소58-49860호, 일본 공고특허공보 소56-17654호, 일본 공고특허공보 소62-39417호, 및 일본 공고특허공보 소62-39418호의 각 공보에 기재된 에틸렌옥사이드계 골격을 갖는 유레테인 화합물류도 적합하다. 또한, 일본 공개특허공보 소63-277653호, 일본 공개특허공보 소63-260909호, 및 일본 공개특허공보 평1-105238호의 각 공보에 기재되는, 분자 내에 아미노 구조 또는 설파이드 구조를 갖는 부가 중합성 화합물류를 이용할 수도 있다. 시판품으로서는, 유레테인 올리고머 UAS-10, UAB-140(상품명, 닛폰 세이시 케미컬(주)제), UA-7200(신나카무라 가가쿠 고교(주)제), DPHA-40H(상품명, 닛폰 가야쿠(주)제), UA-306H, UA-306T, UA-306I, AH-600, T-600, AI-600(상품명, 교에이샤 가가쿠(주)제) 등을 들 수 있다.

또, 산성기를 갖는 에틸렌성 불포화 화합물류도 적합하고, 시판품으로서는, 예를 들면, 도아 고세이 주식회사제의 카복실산기 함유 3관능 아크릴레이트인 TO-756, 및 카복실산기 함유 5관능 아크릴레이트인 TO-1382 등을 들 수 있다.

〔다른 중합성 화합물〕

다른 중합성 화합물로서는, 중합성기로서, 에폭시기, 옥세탄일기, 메틸올기, 알콕시메틸기, 알콕시실릴기, 옥사졸일기, (블록)아이소사이아네이트기 등을 갖는 화합물을 들 수 있다.

〔함유량〕

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 중합성 화합물의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 10~90질량%인 것이 바람직하고, 15~85질량%인 것이 보다 바람직하며, 30~82질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 중합성 화합물을 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<무기 필러>

본 발명의 경화성 조성물은, 패턴화 점착층의 강도, 점착층을 굴절률 조정층 등의 기능성층으로서 이용하는 경우의 기능의 부가 등을 목적으로 하여, 무기 필러를 포함하는 것이 바람직하다.

무기 필러로서는, 탤크, 석면, 실리카, 스멕타이트, 벤토나이트, 탄산 칼슘, 탄산 마그네슘, 알루미나, 몬모릴로나이트, 규조토, 산화 마그네슘, 산화 타이타늄, 질화 타이타늄, 수산화 마그네슘, 수산화 알루미늄, 유리 비즈, 황산 바륨, 석고, 규산 칼슘, 세리사이트 활성 백토, 질화 붕소, 질화 알루미늄, 중공 실리카, 탄화 규소, 다이아몬드, 플라즈마 용사로 표면 개질(ZrO₂, Al2O₃, 그 외 산화물)된 탄화 규소, 지르코니아 등을 들 수 있으며, 알루미나, 실리카 또는 산화 타이타늄이 바람직하다.

무기 필러의 체적 평균 입경은, 특별히 한정되지 않지만, 미세 패턴을 형성하는 등의 관점에서는, 100μm 이하가 바람직하고, 50μm 이하가 보다 바람직하며, 10μm 이하가 더 바람직하다. 상기 체적 평균 입경의 하한은, 특별히 한정되지 않지만, 0.05μm 이상인 것이 바람직하다.

상기 체적 평균 입경은, 특별히 한정되지 않지만, 예를 들면, 공지의 나노 트랙 입도 분석계 등을 이용하여, 동적 광 산란에 의하여 측정할 수 있다.

무기 필러의 형상은, 특별히 한정되지 않지만, 대략 구상인 것이 바람직하다. 또, 무기 필러는, 중공상(中空狀)이어도 되고 중실상(中實狀)이어도 된다.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 무기 필러의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 5~90질량%인 것이 바람직하고, 10~80질량%인 것이 보다 바람직하며, 15~50질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 무기 필러를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<광중합 개시제>

본 발명의 경화성 조성물은, 광중합 개시제를 포함하는 것이 바람직하다.

광중합 개시제는, 상술한 중합성 화합물의 종류에 따라 선택하면 되지만, 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다.

광라디칼 중합 개시제로서는, 특별히 제한은 없으며, 공지의 광라디칼 중합 개시제 중에서 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 자외선 영역으로부터 가시 영역의 광선에 대하여 감광성을 갖는 광라디칼 중합 개시제가 바람직하다. 또, 광 여기된 증감제와 어떠한 작용을 발생시켜, 활성 라디칼을 생성하는 활성제여도 된다.

광라디칼 중합 개시제로서는, 공지의 화합물을 임의로 사용할 수 있다. 예를 들면, 할로젠화 탄화 수소 유도체(예를 들면, 트라이아진 골격을 갖는 화합물, 옥사다이아졸 골격을 갖는 화합물, 트라이할로메틸기를 갖는 화합물 등), 아실포스핀옥사이드 등의 아실포스핀 화합물, 헥사아릴바이이미다졸, 옥심 유도체 등의 옥심 화합물, 유기 과산화물, 싸이오 화합물, 케톤 화합물, 방향족 오늄염, 케톡심에터, 아미노아세토페논 등의 α-아미노케톤 화합물, 하이드록시아세토페논 등의 α-하이드록시케톤 화합물, 아조계 화합물, 아자이드 화합물, 메탈로센 화합물, 유기 붕소 화합물, 철 아렌 착체 등을 들 수 있다. 이들의 상세에 대해서는, 일본 공개특허공보 2016-027357호의 단락 0165~0182, 국제 공개공보 제2015/199219호의 단락 0138~0151의 기재를 참조할 수 있으며, 이들 내용은 본 명세서에 원용된다. 또, 일본 공개특허공보 2014-130173호의 단락 0065~0111, 일본 특허공보 제6301489호에 기재된 화합물, MATERIAL STAGE 37~60p, vol.19, No.3, 2019에 기재된 퍼옥사이드계 광중합 개시제, 국제 공개공보 제2018/221177호에 기재된 광중합 개시제, 국제 공개공보 제2018/110179호에 기재된 광중합 개시제, 일본 공개특허공보 2019-043864호에 기재된 광중합 개시제, 일본 공개특허공보 2019-044030호에 기재된 광중합 개시제, 일본 공개특허공보 2019-167313호에 기재된 과산화물계 개시제를 들 수 있으며, 이들 내용도 본 명세서에 원용된다.

케톤 화합물로서는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 2015-087611호의 단락 0087에 기재된 화합물이 예시되며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다. 시판품으로는, 카야큐어-DETX-S(닛폰 가야쿠(주)제)도 적합하게 이용된다.

본 발명의 일 실시형태에 있어서, 광라디칼 중합 개시제로서는, 하이드록시아세토페논 화합물, 아미노아세토페논 화합물, 및, 아실포스핀 화합물을 적합하게 이용할 수 있다. 보다 구체적으로는, 예를 들면, 일본 공개특허공보 평10-291969호에 기재된 아미노아세토페논계 개시제, 일본 특허공보 제4225898호에 기재된 아실포스핀옥사이드계 개시제를 이용할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.

α-하이드록시케톤계 개시제로서는, Omnirad 184, Omnirad 1173, Omnirad 2959, Omnirad 127(이상, IGM Resins B.V.사제), IRGACURE 184(IRGACURE는 등록 상표), DAROCUR 1173, IRGACURE 500, IRGACURE-2959, IRGACURE 127(상품명: 모두 BASF사제)을 이용할 수 있다.

α-아미노케톤계 개시제로서는, Omnirad 907, Omnirad 369, Omnirad 369E, Omnirad 379EG(이상, IGM Resins B.V.사제), IRGACURE 907, IRGACURE 369, 및, IRGACURE 379(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.

아미노아세토페논계 개시제로서, 365nm 또는 405nm 등의 파장 광원에 극대 흡수 파장이 매칭된 일본 공개특허공보 2009-191179호에 기재된 화합물도 이용할 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.

아실포스핀옥사이드계 개시제로서는, 2,4,6-트라이메틸벤조일-다이페닐-포스핀옥사이드 등을 들 수 있다. 또, Omnirad 819, Omnirad TPO(이상, IGM Resins B.V.사제), IRGACURE-819나 IRGACURE TPO(상품명: 모두 BASF사제)를 이용할 수 있다.

메탈로센 화합물로서는, IRGACURE 784, IRGACURE 784EG(모두 BASF사제), Keycure VIS 813(King Brother Chem사제) 등이 예시된다.

또, 광라디칼 중합 개시제로서, 옥심 화합물도 들 수 있다. 옥심 화합물을 이용함으로써, 노광 래티튜드를 보다 효과적으로 향상시키는 것이 가능해진다. 옥심 화합물은, 노광 래티튜드(노광 마진)가 넓고, 또한, 광경화 촉진제로서도 작용하기 때문에, 특히 바람직하다.

옥심 화합물의 구체예로서는, 일본 공개특허공보 2001-233842호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-080068호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2006-342166호에 기재된 화합물, J. C. S. Perkin II(1979년, pp. 1653-1660)에 기재된 화합물, J. C. S. Perkin II(1979년, pp. 156-162)에 기재된 화합물, Journal of Photopolymer Science and Technology(1995년, pp. 202-232)에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2000-066385호에 기재된 화합물, 일본 공표특허공보 2004-534797호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2017-019766호에 기재된 화합물, 일본 특허공보 제6065596호에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2015/152153호에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2017/051680호에 기재된 화합물, 일본 공개특허공보 2017-198865호에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2017/164127호의 단락 번호 0025~0038에 기재된 화합물, 국제 공개공보 제2013/167515호에 기재된 화합물 등을 들 수 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.

광중합 개시제는, 350nm~500nm의 파장 영역에 극대 흡수 파장을 갖는 화합물이 바람직하고, 360nm~480nm의 파장 영역에 극대 흡수 파장을 갖는 화합물이 보다 바람직하고, 365nm 또는 405nm 중 적어도 일방의 흡광도가 높은 화합물이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 광중합 개시제의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 1~20질량%인 것이 바람직하고, 2~15질량%인 것이 보다 바람직하며, 4~10질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 광중합 개시제를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<표면 장력 조정제>

본 발명의 경화성 조성물은, 막형성 시의 막의 표면의 면 형상을 개량하는 등의 목적으로, 표면 장력 조정제를 포함하는 것도 바람직하다.

표면 장력 조정제란, 조성물의 표면 장력을 저하시키는 기능을 갖는 화합물이면 특별히 한정되지 않지만, 분자 내에 에틸렌성 불포화 결합을 갖는 기를 갖는 실리콘 화합물을 바람직하게 들 수 있다.

표면 장력 조정제의 분자량은, 500~100,000이 바람직하고, 1,000~50,000이 보다 바람직하며, 10,000~30,000이 특히 바람직하다. 상기 범위에 있어서, 양호한 내경화성, 블로킹성을 발현하여, 잉크 조성물을 저점도로 유지할 수 있다.

표면 장력 조정제로서, 구체적으로는, 시판품으로서, EVERCRYL 350,에버크릴4842(이상, 유·시·비·케미컬즈사제), PERENOL S-5(이상, 코그니스사제), RC149, RC300, RC450, RC709, RC710, RC711, RC720, RC802(이상, 골드 슈미트·케미컬·코퍼레이션사제), FM0711, FM0721, FM0725, PS583(이상, 치소(주)제), KP-600, X-22-164, X-22-164AS, X-22-164A, X-22-164B, X-22-164C, X-22-164E(이상, 신에쓰 가가쿠 고교(주)제), BYK UV3500, BYK UV3570, BYKSilclean3700(이상, BYK Chemie사제), Tegorad2100, Tegorad2200N, Tegorad2250N, Tegorad2300, Tegorad2500, Tegorad2600, Tegorad2700(이상, 데구사사제), DMS-V00, DMS-V03, DMS-V05, DMS-V21, DMS-V22, DMS-V25, DMS-V25R, DMS-V31, DMS-V33, DMS-V35, DMS-V41, DMS-V42, DMS-V46, DMS-V52, DMS-V25R, DMS-V35R, PDV-0325, PDV0331, PDV0341, PDV0346, PDV0525, PDV0541, PDV1625, PDV1625, PDV1631, PDV1635, PDV1641, PDV2331, PDV2335, PMV-9925, PVV-3522, FMV-4031, EDV-2025, VDT-123, VDT-127, VDT-131, VDT-153, VDT-431, VDT-731, VDT-954, VDS-2513, VDV-0131, VGM-021, VGP-061, VGF-991, VQM-135, VQM-146, VQX-221, VMS-005, VMS-T11, VTT-106, MTV-124, VAT-4326, VBT-1323, VPT-1323, VMM-010, VEE-005, VPE-005(이상, Gelest사제) 등을 들 수 있다.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 표면 장력 조정제의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 0.05~5질량%인 것이 바람직하고, 0.1~2질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.2~1질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 표면 장력 조정제를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<중합 금지제>

본 발명의 경화성 조성물은, 중합 금지제를 포함하는 것도 바람직하다.

중합 금지제로서는 페놀계 화합물, 퀴논계 화합물, 아미노계 화합물, N-옥실프리 라디칼 화합물계 화합물, 나이트로계 화합물, 나이트로소계 화합물, 헤테로 방향환계 화합물, 금속 화합물 등을 들 수 있다.

중합 금지제로서의 구체적인 화합물로서는, p-하이드로퀴논, o-하이드로퀴논, o-메톡시페놀, p-메톡시페놀, 다이-tert-뷰틸-p-크레졸, 파이로갈롤, p-tert-뷰틸카테콜, 1,4-벤조퀴논, 다이페닐-p-벤조퀴논, 4,4'-싸이오비스(3-메틸-6-tert-뷰틸페놀), 2,2'-메틸렌비스(4-메틸-6-tert-뷰틸페놀), N-나이트로소페닐하이드록시아민 제1 세륨염, N-나이트로소-N-페닐하이드록시아민알루미늄염, N-나이트로소다이페닐아민, N-페닐나프틸아민, 에틸렌다이아민 사아세트산, 1,2-사이클로헥세인다이아민 사아세트산, 글라이콜에터다이아민 사아세트산, 2,6-다이-tert-뷰틸-4-메틸페놀, 5-나이트로소-8-하이드록시퀴놀린, 1-나이트로소-2-나프톨, 2-나이트로소-1-나프톨, 2-나이트로소-5-(N-에틸-N-설포프로필아미노)페놀, N-나이트로소-N-(1-나프틸)하이드록시아민암모늄염, 비스(4-하이드록시-3,5-tert-뷰틸)페닐메테인, 1,3,5-트리스(4-t-뷰틸-3-하이드록시-2,6-다이메틸벤질)-1,3,5-트라이아진-2,4,6-(1H,3H,5H)-트라이온, 4-하이드록시-2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실프리라디칼, 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘 1-옥실프리라디칼, 페노싸이아진, 페녹사진, 1,1-다이페닐-2-피크릴하이드라질, 다이뷰틸다이싸이오카바네이트 구리(II), 나이트로벤젠, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민알루미늄염, N-나이트로소-N-페닐하이드록실아민암모늄염 등이 적합하게 이용된다. 또, 일본 공개특허공보 2015-127817호의 단락 0060에 기재된 중합 금지제, 및, 국제 공개공보 제2015/125469호의 단락 0031~0046에 기재된 화합물을 이용할 수도 있으며, 이 내용은 본 명세서에 원용된다.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서의 중합 금지제의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 0.2~10질량%인 것이 바람직하고, 0.3~5질량%인 것이 보다 바람직하며, 0.5~2질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 중합 금지제를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<분산제>

본 발명의 경화성 조성물은, 분산제를 포함해도 된다.

특히, 경화성 조성물이 무기 필러를 포함하는 경우, 분산제를 더 포함함으로써, 무기 필러의 분산성을 향상시킬 수 있다.

또, 분산제로서는, 예를 들면, 고분자 분산제를 들 수 있다. 고분자 분산제로서는, 예를 들면, 폴리아마이드아민과 그 염, 폴리카복실산과 그 염, 고분자량 불포화산 에스터, 변성 폴리유레테인, 변성 폴리에스터, 변성 폴리(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴계 공중합체, 및, 나프탈렌설폰산 포말린 축합물 등을 들 수 있다.

또, 분산제로서는, 폴리옥시에틸렌알킬 인산 에스터, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 및, 안료 유도체 등을 이용할 수 있다.

그중에서도, 분산제로서는, 고분자 화합물이 바람직하다. 고분자 화합물은, 그 구조로부터 다시 직쇄상 고분자, 말단 변성형 고분자, 그래프트형 고분자, 및 블록형 고분자로 분류할 수 있다.

분산제의 상세로서는, 예를 들면, 국제 공개공보 제2018/173692호의 단락 0091~0164에 기재된 분산제를 이용할 수 있으며, 상기 기재는 본 명세서에 원용된다.

본 발명의 경화성 조성물에 있어서 분산제의 함유량은, 경화성 조성물의 전고형분에 대하여, 0.5~15질량%인 것이 바람직하고, 1~10질량%인 것이 보다 바람직하며, 2~5질량%인 것이 더 바람직하다.

본 발명의 경화성 조성물은, 분산제를 1종만 포함해도 되고, 2종 이상 포함해도 된다. 2종 이상 포함하는 경우, 그들의 합계량이 상술한 범위 내가 되는 것이 바람직하다.

<용제>

경화성 조성물에 사용되는 용제는, 유기 용제인 것이 바람직하다.

유기 용제로서는, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 아세트산 아이소뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰테인산 메틸, 2-옥소뷰테인산 에틸, 1-메톡시-2-프로필아세테이트 등의 에스터류;

다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등의 에터류;

메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈, γ-뷰티로락톤 등의 케톤류;

톨루엔, 자일렌, 아니솔, 메시틸렌, 에틸벤젠, 프로필벤젠, 큐멘, n-뷰틸벤젠, sec-뷰틸벤젠, 아이소뷰틸벤젠, t-뷰틸벤젠, 아밀벤젠, 아이소아밀벤젠, (2,2-다이메틸프로필)벤젠, 1-페닐헥세인, 1-페닐헵테인, 1-페닐옥테인, 1-페닐노네인, 1-페닐데케인, 사이클로프로필벤젠, 사이클로헥실벤젠, 2-에틸톨루엔, 1,2-다이에틸벤젠, o-사이멘, 인데인, 1,2,3,4-테트라하이드로나프탈렌, 3-에틸톨루엔, m-사이멘, 1,3-다이아이소프로필벤젠, 4-에틸톨루엔, 1,4-다이에틸벤젠, p-사이멘, 1,4-다이아이소프로필벤젠, 4-t-뷰틸톨루엔, 1,4-다이-t-뷰틸벤젠, 1,3-다이에틸벤젠, 1,2,3-트라이메틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, 4-t-뷰틸-o-자일렌, 1,2,4-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이에틸벤젠, 1,3,5-트라이아이소프로필벤젠, 5-t-뷰틸-m-자일렌, 3,5-다이-t-뷰틸톨루엔, 1,2,3,5-테트라메틸벤젠, 1,2,4,5-테트라메틸벤젠, 펜타메틸벤젠 등의 방향족 탄화 수소류;

리모넨, p-멘테인, 노네인, 데케인, 도데케인, 데칼린 등의 탄화 수소류 등을 적합하게 들 수 있다.

이들 중에서도, 메시틸렌, t-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트가 바람직하다.

이들 용제는, 도포면 성상의 개량 등의 관점에서, 2종 이상을 혼합할 수도 있다. 이 경우, 특히 바람직하게는, 메시틸렌, t-뷰틸벤젠, 1,2,4-트라이메틸벤젠, p-멘테인, γ-뷰티로락톤, 아니솔, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸, 에틸셀로솔브아세테이트, 락트산 에틸, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 아세트산 뷰틸, 3-메톡시프로피온산 메틸, 2-헵탄온, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 에틸카비톨아세테이트, 뷰틸카비톨아세테이트, 프로필렌글라이콜메틸에터, 및 프로필렌글라이콜메틸에터아세테이트로부터 선택되는 2종 이상으로 구성되는 혼합 용액이다.

경화성 조성물 중의 용제의 함유량은, 경화성 조성물의 도포성 등을 고려하여 결정하면 되지만, 경화성 조성물의 전체 질량에 대하여, 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 5질량% 이하인 것이 더 바람직하다. 상기 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않으며, 0질량%여도 된다.

또, 패턴화 점착층 중의 용제의 함유량은, 1질량% 이하인 것이 바람직하고, 0.1질량% 이하인 것이 보다 바람직하다. 상기 함유량의 하한은 특별히 한정되지 않으며, 0질량%여도 된다.

<그 외의 성분>

본 발명의 경화성 조성물은, 그 외의 성분을 더 포함해도 된다. 그 외의 성분으로서는, 증감제, 연쇄 이동제, 계면활성제, 소포제, 산화 방지제, 응집 방지제, 다른 고분자 화합물 등을 들 수 있다.

<경화성 조성물의 특성>

본 발명의 경화성 조성물은, 미세 패턴의 형성성의 관점에서는, 용제 이외의 성분의 전체 질량에 대한, 분자량 1000 이상인 유기 성분의 함유량이 20질량% 이하인 것이 바람직하고, 10질량% 이하인 것이 보다 바람직하며, 5질량% 이하인 것이 더 바람직하다.

<경화성 조성물의 조제 방법>

본 발명의 경화성 조성물은, 상기 각 성분을 혼합하여 조제할 수 있다. 혼합 방법은 특별히 한정은 없으며, 종래 공지의 방법으로 행할 수 있다.

혼합은 교반 날개에 의한 혼합, 볼 밀에 의한 혼합, 탱크 자체를 회전시키는 혼합 등을 채용할 수 있다.

혼합 중의 조성물의 온도는 10~30℃가 바람직하고, 15~25℃가 보다 바람직하다.

또, 본 발명의 경화성 조성물이 무기 필러를 함유하는 경우, 경화성 조성물은, 무기 필러, 용제 및 필요에 따라 분산제를 혼합하여, 무기 필러의 분산액을 조제한 후에, 중합성 화합물 등의 다른 성분과 상기 분산액을 혼합함으로써 조제해도 된다.

상기 분산액에 있어서의 무기 필러의 분산 방법으로서는, 특별히 한정되지 않으며 공지의 방법을 이용할 수 있고, 볼 밀에 의한 분산 등을 들 수 있다.

(패턴화 점착층의 제조 방법)

본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법은, 본 발명의 경화성 조성물을 지지체 상에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정, 상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정, 및, 적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정을 포함하며, 상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해진다.

<적용 공정>

본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법은, 본 발명의 경화성 조성물을 지지체 상에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정을 포함한다.

〔지지체〕

지지체로서는, 특별히 제한되지 않으며, 적층체의 용도에 따라, 반도체 프로세스에 있어서 사용할 수 있는 다양한 지지체를 사용할 수 있다. 지지체로서는, 예를 들면, 액정 표시 장치 등에 이용되는 투명 기판, 및, 발광 소자, 고체 촬상 소자 및 반도체 메모리 등에 이용되는 반도체 기판 등을 사용할 수 있다. 또, 지지체는 금속 기판, 수지 기판 및 프리프레그(섬유 부재에 수지를 함침시켜 성형한 시트)여도 된다.

이들 중에서도, 지지체로서는, 반도체 제작용 기재가 바람직하다. 반도체 제작용 기재로서는, 반도체의 제조에 있어서 종래 이용되는 기재를 특별히 제한 없이 사용할 수 있지만, 실리콘 칩, 실리콘 웨이퍼, 유리 기판, 반도체 기판 등을 들 수 있다.

투명 기판은, 예를 들면, 석영 유리, 무알칼리 유리, 소다 유리, 붕규산 유리 및 알루미노실리케이트 유리 등의 유리 기판이다. 이들 투명 기판에는, 투명 도전막, 반사막 및 보호막 등 다른 구조가 형성되어 있어도 된다. 반도체 기판은, 예를 들면, 실리콘, 사파이어, 탄화 규소, 질화 갈륨, 알루미늄, 어모퍼스 산화 알루미늄, 다결정 산화 알루미늄, 질화 규소, 산질화 규소, GaAsP, GaP, AlGaAs, InGaN, GaN, AlGaN, ZnSe, AlGa, InP 및 ZnO 등으로 이루어지는 기판이다. 이들 반도체 기판에는, PN 접합층, 발광층, 광전변환층, 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS)층 및 전극층 등 다른 구조가 형성되어 있어도 된다. 금속 기판은, 예를 들면, 알루미늄 기판, 구리 기판 및 스테인리스 기판 등이다. 수지 기판은, 예를 들면, 에폭시 기판, 폴리카보네이트 기판 및 플렉시블 기판(폴리이미드 기판, 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 기판, 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 기판) 등이다.

또, 필요에 따라, 지지체는, 가접착막 측의 표층 부분에, 상부의 층과의 밀착 개량, 물질의 확산 방지 혹은 표면의 평탄화를 위하여 언더코팅층을 포함해도 된다. 또, 지지체는, 가접착막 측의 표층 부분에, 예를 들면 반도체 회로를 포함해도 된다. 지지체는, 단층 구조여도 되고 적층 구조여도 된다. 또, 지지체는, 예를 들면 돌기 전극 등의 전극을 갖는 지지체인 것이 바람직하다.

또한, 지지체의 가공성의 관점에서, 지지체는, 시트상 또는 필름상인 것이 바람직하다.

지지체의 두께(구조물 등을 포함하는 경우에는, 최대의 두께)는, 특별히 제한되지 않고, 적층체의 용도에 따라 적절히설정된다. 지지체의 두께는, 예를 들면 0.2~2mm이다. 이 수치 범위의 상한은, 1.5mm 이하인 것이 바람직하고, 1mm 이하인 것이 보다 바람직하며, 0.8mm 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 0.3mm 이상인 것이 바람직하고, 0.5mm 이상인 것이 보다 바람직하며, 0.6mm 이상인 것이 더 바람직하다.

지지체의 형상은, 특별히 제한되지 않고, 적층체의 용도에 따라 적절히 설정된다. 지지체의 형상은, 예를 들면 원반상(웨이퍼형 기판) 및 직사각형상(패널형 기판)이다. 지지체가 원반상인 경우, 직경은, 예를 들면 50~500mm이다. 이 수치 범위의 상한은, 400mm 이하인 것이 바람직하고, 300mm 이하인 것이 보다 바람직하며, 250mm 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 100mm 이상인 것이 바람직하고, 150mm 이상인 것이 보다 바람직하며, 170mm 이상인 것이 더 바람직하다. 한편, 지지체가 직사각형상인 경우, 최대변의 길이는, 예를 들면 200~1000mm이다. 이 수치 범위의 상한은, 900mm 이하인 것이 바람직하고, 800mm 이하인 것이 보다 바람직하며, 700mm 이하인 것이 더 바람직하다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 300mm 이상인 것이 바람직하고, 400mm 이상인 것이 보다 바람직하며, 450mm 이상인 것이 더 바람직하다. 지지체는, 오리엔테이션 플랫이나 노치를 갖고 있어도 된다.

〔적용 방법〕

경화성 조성물의 적용 방법으로서는, 스핀 코트법, 슬릿 코트법, 스파이럴 코트법, 스프레이 코트법, 스크린 인쇄법, 잉크젯법, 유연 도포법, 롤 도포법 및 적하법(드롭 캐스트)을 들 수 있다. 그중에서도, 적용 방법은, 스핀 코트법, 슬릿 코트법 또는 스파이럴 코트법인 것이 바람직하다. 이들 중에서도, 적용 공정에 있어서의 적용 방법은 스핀 코트법을 포함하는 것이 바람직하다.

또, 미리 막의 형태로 한 경화성 조성물을 지지체의 표면에 첩부하는 방법에 의하여 적용해도 된다.

〔건조〕

또, 경화성 조성물이 용제를 포함하는 경우, 적용한 경화성 조성물을 건조함으로써 경화성막을 형성해도 된다. 건조 조건은, 적절히 조정할 수 있으며, 예를 들면 80~270℃(바람직하게는 150~210℃)에서 0.5~5분간(바람직하게는 1~4분간) 가열함으로써 행할 수 있다.

<경화 공정>

본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법은, 상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정을 포함한다.

경화 방법으로서는, 특별히 한정되지 않지만, 경화성막을 선택적으로 노광하는 공정인 것이 바람직하다.

선택적으로 노광한다는 것은, 막의 일부를 노광하는 것을 의미하고 있다. 또, 선택적으로 노광함으로써, 막에는 노광된 영역(노광부)과 노광되어 있지 않은 영역(비노광부)이 형성된다.

노광량은, 본 발명의 수지 조성물을 경화할 수 있는 한 특별히 정하는 것은 아니지만, 예를 들면, 파장 365nm에서의 노광 에너지 환산으로 50~10,000mJ/cm²가 바람직하고, 200~8,000mJ/cm²가 보다 바람직하다.

노광 파장은, 190~1,000nm의 범위에서 적절히 정할 수 있으며, 240~550nm가 바람직하다.

노광 파장은, 광원과의 관계로 말하면, (1) 반도체 레이저(파장 830nm, 532nm, 488nm, 405nm, 375nm, 355nm etc.), (2) 메탈할라이드 램프, (3) 고압 수은등, g선(파장 436nm), h선(파장 405nm), i선(파장 365nm), 브로드(g, h, i선의 3파장), (4) 엑시머 레이저, KrF 엑시머 레이저(파장 248nm), ArF 엑시머 레이저(파장 193nm), F₂ 엑시머 레이저(파장 157nm), (5) 극단 자외선; EUV(파장 13.6nm), (6) 전자선, (7) YAG 레이저의 제2 고조파 532nm, 제3 고조파 355nm 등을 들 수 있다. 본 발명의 수지 조성물에 대해서는, 특히 고압 수은등에 의한 노광이 바람직하고, 그중에서도, i선에 의한 노광이 바람직하다. 이로써, 특히 높은 노광 감도가 얻어진다.

또, 노광의 방식은 특별히 한정되지 않고, 본 발명의 수지 조성물로 이루어지는 막의 적어도 일부가 노광되는 방식이면 되지만, 포토마스크를 사용한 노광, 레이저 다이렉트 이미징법에 의한 노광 등을 들 수 있다.

<경화 후 가열 공정>

상기 경화 공정 후의 경화성막은, 경화 후에 가열하는 공정(노광 후 가열 공정)에 제공되어도 된다.

노광 후 가열 공정은, 노광 공정 후, 현상 공정 전에 행할 수 있다.

노광 후 가열 공정에 있어서의 가열 온도는, 50℃~140℃인 것이 바람직하고, 60℃~120℃인 것이 보다 바람직하다.

노광 후 가열 공정에 있어서의 가열 시간은, 30초간~300분간이 바람직하고, 1분간~10분간이 보다 바람직하다.

노광 후 가열 공정에 있어서의 승온 속도는, 가열 개시 시의 온도부터 최고 가열 온도까지 1~12℃/분이 바람직하고, 2~10℃/분이 보다 바람직하며, 3~10℃/분이 더 바람직하다.

또, 승온 속도는 가열 도중에 적절히 변경해도 된다.

노광 후 가열 공정에 있어서의 가열 수단으로서는, 특별히 한정되지 않으며, 공지의 핫 플레이트, 오븐, 적외선 히터 등을 이용할 수 있다.

또, 가열 시에, 질소, 헬륨, 아르곤 등의 불활성 가스를 흘려보내는 등에 의하여, 저산소 농도의 분위기에서 행하는 것도 바람직하다.

<현상 공정>

본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법은, 적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정을 포함한다.

상기 현상 공정에 있어서, 상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해진다. 구체적으로는, 예를 들면, 경화성막에 점착성을 갖는 표면 편재 성분을 함유시키는, 경화성막에 점착성을 갖고 현상액에 대한 용해성이 작은 성분을 함유시키는, 경화성막에 중합성을 갖는 세그먼트와 유연성을 갖는 세그먼트를 갖는 블록 공중합체를 함유시키는, 경화성막을 현상에 견딜 수 있는 정도의 낮은 가교 밀도로 경화하여 미가교의 중합성 화합물을 잔존시키는, 중합성을 갖는 세그먼트와 유연성을 갖는 세그먼트를 갖는 블록 공중합체의 적용, 현상에 견딜 수 있는 정도로 낮은 가교 밀도로 경화 등에 의하여, 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 할 수 있다.

상기 현상은, 현상액을 이용하여 행해지는 것이 바람직하다.

현상 공정에 있어서 이용되는 현상액으로는, 알칼리 성분, 또는, 유기 용제를 포함하는 현상액을 들 수 있으며, 알칼리 성분을 포함하는 것이 바람직하다.

현상액이 알칼리 성분을 포함하는 경우, 알칼리 성분으로는, 무기 알칼리류, 제1급 아민류, 제2급 아민류, 제3급 아민류, 제4급 암모늄염을 들 수 있으며, TMAH(테트라메틸암모늄하이드록사이드), 수산화 칼륨, 탄산 나트륨, 수산화 나트륨, 규산 나트륨, 메타규산 나트륨, 암모니아, 에틸아민, n-프로필아민, 다이에틸아민, 다이-n-뷰틸아민, 트라이에틸아민, 메틸다이에틸아민, 다이메틸에탄올아민, 트라이에탄올아민, 테트라에틸암모늄하이드록사이드, 테트라프로필암모늄하이드록사이드, 테트라뷰틸암모늄하이드록사이드, 테트라펜틸암모늄하이드록사이드, 테트라헥실암모늄하이드록사이드, 테트라옥틸암모늄하이드록사이드, 에틸트라이메틸암모늄하이드록사이드, 뷰틸트라이메틸암모늄하이드록사이드, 메틸트라이아밀암모늄하이드록사이드, 다이뷰틸다이펜틸암모늄하이드록사이드, 다이메틸비스(2-하이드록시에틸)암모늄하이드록사이드, 트라이메틸페닐암모늄하이드록사이드, 트라이메틸벤질암모늄하이드록사이드, 트라이에틸벤질암모늄하이드록사이드, 피롤, 피페리딘이 바람직하고, 보다 바람직하게는 TMAH이다. 현상액에 있어서의 염기성 화합물의 함유량은, 예를 들면 TMAH를 이용하는 경우, 현상액 전체 질량에 대하여 0.01~10질량%가 바람직하고, 0.1~5질량%가 보다 바람직하며, 0.2~3질량%가 더 바람직하다.

또, 현상액이 알칼리 성분을 포함하는 경우, 현상액은 알칼리 성분을 포함하는 수용액인 것이 바람직하다.

현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는, 에스터류로서, 예를 들면, 아세트산 에틸, 아세트산-n-뷰틸, 폼산 아밀, 아세트산 아이소아밀, 아세트산 아이소뷰틸, 프로피온산 뷰틸, 뷰티르산 아이소프로필, 뷰티르산 에틸, 뷰티르산 뷰틸, 락트산 메틸, 락트산 에틸, γ-뷰티로락톤, ε-카프로락톤, δ발레로락톤, 알킬옥시아세트산 알킬(예: 알킬옥시아세트산 메틸, 알킬옥시아세트산 에틸, 알킬옥시아세트산 뷰틸(예를 들면, 메톡시아세트산 메틸, 메톡시아세트산 에틸, 메톡시아세트산 뷰틸, 에톡시아세트산 메틸, 에톡시아세트산 에틸 등)), 3-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 3-알킬옥시프로피온산 메틸, 3-알킬옥시프로피온산 에틸 등(예를 들면, 3-메톡시프로피온산 메틸, 3-메톡시프로피온산 에틸, 3-에톡시프로피온산 메틸, 3-에톡시프로피온산 에틸 등)), 2-알킬옥시프로피온산 알킬에스터류(예: 2-알킬옥시프로피온산 메틸, 2-알킬옥시프로피온산 에틸, 2-알킬옥시프로피온산 프로필 등(예를 들면, 2-메톡시프로피온산 메틸, 2-메톡시프로피온산 에틸, 2-메톡시프로피온산 프로필, 2-에톡시프로피온산 메틸, 2-에톡시프로피온산 에틸)), 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 메틸 및 2-알킬옥시-2-메틸프로피온산 에틸(예를 들면, 2-메톡시-2-메틸프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸프로피온산 에틸 등), 피루브산 메틸, 피루브산 에틸, 피루브산 프로필, 아세토아세트산 메틸, 아세토아세트산 에틸, 2-옥소뷰테인산 메틸, 2-옥소뷰테인산 에틸 등, 및, 에터류로서, 예를 들면, 다이에틸렌글라이콜다이메틸에터, 테트라하이드로퓨란, 에틸렌글라이콜모노메틸에터, 에틸렌글라이콜모노에틸에터, 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 다이에틸렌글라이콜모노메틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노에틸에터, 다이에틸렌글라이콜모노뷰틸에터, 프로필렌글라이콜모노메틸에터(PGME), 프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트(PGMEA), 프로필렌글라이콜모노에틸에터아세테이트, 프로필렌글라이콜모노프로필에터아세테이트 등, 및, 케톤류로서, 예를 들면, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 2-헵탄온, 3-헵탄온, N-메틸-2-피롤리돈 등, 및, 환상 탄화 수소류로서, 예를 들면, 톨루엔, 자일렌, 아니솔 등의 방향족 탄화 수소류, 리모넨 등의 환식 터펜류, 설폭사이드류로서 다이메틸설폭사이드, 및, 알코올류로서, 메탄올, 에탄올, 프로판올, 아이소프로판올, 뷰탄올, 펜탄올, 옥탄올, 다이에틸렌글라이콜, 프로필렌글라이콜, 메틸아이소뷰틸카비놀, 트라이에틸렌글라이콜 등, 및, 아마이드류로서, N-메틸피롤리돈, N-에틸피롤리돈, 다이메틸폼아마이드 등을 적합하게 들 수 있다.

현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 유기 용제는 1종 또는, 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 본 발명에서는 특히 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤, 다이메틸설폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, 및, 사이클로헥산온으로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 현상액이 바람직하고, 사이클로펜탄온, γ-뷰티로락톤 및 다이메틸설폭사이드로 이루어지는 군으로부터 선택된 적어도 1종을 포함하는 현상액이 보다 바람직하며, 사이클로펜탄온을 포함하는 현상액이 가장 바람직하다.

현상액이 유기 용제를 포함하는 경우, 현상액의 전체 질량에 대한 유기 용제의 함유량은, 50질량% 이상인 것이 바람직하고, 70질량% 이상인 것이 보다 바람직하며, 80질량% 이상인 것이 더 바람직하고, 90질량% 이상인 것이 특히 바람직하다. 또, 상기 함유량은, 100질량%여도 된다.

현상액은, 다른 성분을 더 포함해도 된다.

다른 성분으로는, 예를 들면, 공지의 계면활성제나 공지의 소포제 등을 들 수 있다.

〔현상액의 공급 방법〕

현상액의 공급 방법은, 원하는 패턴을 형성할 수 있으면 특별히 제한은 없으며, 막이 형성된 기재를 현상액에 침지하는 방법, 기재 상에 형성된 막에 노즐을 이용하여 현상액을 공급하는 퍼들 현상, 또는, 현상액을 연속 공급하는 방법이 있다. 노즐의 종류는 특별히 제한은 없으며, 스트레이트 노즐, 샤워 노즐, 스프레이 노즐 등을 들 수 있다.

현상액의 침투성, 비화상부의 제거성, 제조상의 효율의 관점에서, 현상액을 스트레이트 노즐로 공급하는 방법, 또는 스프레이 노즐로 연속 공급하는 방법이 바람직하고, 화상부로의 현상액의 침투성의 관점에서는, 스프레이 노즐로 공급하는 방법이 보다 바람직하다.

또, 현상액을 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀시켜 현상액을 기재 상으로부터 제거하고, 스핀 건조 후에 재차 스트레이트 노즐로 연속 공급 후, 기재를 스핀시켜 현상액을 기재 상으로부터 제거하는 공정을 채용해도 되며, 이 공정을 복수 회 반복해도 된다.

또 현상 공정에 있어서의 현상액의 공급 방법으로서는, 현상액이 연속적으로 기재에 계속 공급되는 공정, 기재 상에서 현상액이 대략 정지 상태로 유지되는 공정, 기재 상에서 현상액을 초음파 등으로 진동시키는 공정 및 그들을 조합한 공정 등이 채용 가능하다.

현상 시간으로서는, 10초~10분간이 바람직하고, 20초~5분간이 보다 바람직하다. 현상 시의 현상액의 온도는, 특별히 정하는 것은 아니지만, 바람직하게는, 10℃~45℃, 보다 바람직하게는, 18℃~30℃에서 행할 수 있다.

현상 공정에 있어서, 현상액을 이용한 처리 후, 린스액에 의한 패턴의 세정(린스)을 더 행해도 된다. 또, 패턴 상에 접하는 현상액이 완전히 건조되기 전에 린스액을 공급하는 등의 방법을 채용해도 된다.

현상액이 알칼리 수용액인 경우, 린스액으로서는 순수를 들 수 있다.

현상액이 유기 용제인 경우, 린스액으로서는, 현상액과는 상이한 유기 용제를 들 수 있다.

그 외에, 본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법은, 현상 후에 더 노광하는 공정, 지지체를 세정하는 공정 등을 더 포함해도 된다.

(적층체)

본 발명의 적층체는, 지지체, 본 발명의 패턴화 점착층, 및, 피접합 부재를 이 순서로 갖는 적층체이다.

지지체 및 패턴화 점착층의 바람직한 양태는 상술한 바와 같다.

피접합 부재의 소재 및 형태로서는, 상술한 지지체로 들 수 있었던 소재 및 형태를 들 수 있다.

본 발명의 적층체는, 지지체와 패턴화 점착층의 사이, 또는, 패턴화 점착층과 피접합 부재의 사이에, 밀착성을 향상시키는 등의 목적으로 언더코팅층 등을 포함해도 된다.

또, 지지체와 패턴화 점착층이 직접 접하고 있고, 또한, 패턴화 점착층과 피접합 부재가 직접 접하고 있는 양태도, 본 발명의 바람직한 양태 중 하나이다.

(적층체의 제조 방법)

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 지지체, 피접합 부재 및 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법으로서, 본 발명의 경화성 조성물을 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중 어느 일방에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정, 상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정, 적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정, 및, 상기 패턴화 점착층에, 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중, 적용 공정에 의하여 경화성 조성물이 적용되지 않았던 부재를 접합하는 접합 공정을 포함하며, 상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해진다.

본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 적용 공정은, 본 발명의 경화성 조성물을 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중 어느 일방에 적용하여 경화성막을 형성하는 것 이외에는, 상술한 본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법과 동일한 방법에 의하여 행해지며, 바람직한 양태도 동일하다.

본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 적용 공정에 있어서, 본 발명의 경화성 조성물을 상기 피접합 부재에 적용하는 경우의 적용 방법의 바람직한 양태는, 본 발명의 경화성 조성물을 상기 지지체에 적용하는 경우의 적용 방법의 바람직한 양태와 동일하다.

본 발명의 적층체의 제조 방법에 있어서의 경화 공정, 현상 공정은 상술한 본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법에 있어서의 각 공정과 동일하고, 바람직한 양태도 동일하다.

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 본 발명의 패턴화 점착층의 제조 방법과, 상술한 접합 공정을 포함하는 것도 바람직하다.

<접합 공정>

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 적용 공정에 의하여 경화성 조성물이 적용되지 않았던 부재를 접합하는 접합 공정을 포함한다.

접합 공정은, 적용 공정에 있어서 지지체 상에 경화성 조성물을 적용하고, 경화 공정, 현상 공정에 의하여 지지체 상에 패턴화 점착층을 형성한 경우, 패턴화 점착층의 지지체와는 반대 측의 표면에 피접합 부재를 접합하는 공정이다.

또, 접합 공정은, 적용 공정에 있어서 피접합 부재 상에 경화성 조성물을 적용하고, 경화 공정, 현상 공정에 의하여 피접합 부재 상에 패턴화 점착층을 형성한 경우, 패턴화 점착층의 피접합 부재와는 반대 측의 표면에 지지체를 접합하는 공정이다.

접합에 있어서, 지지체, 패턴화 점착층 및 피접합 부재에 대하여, 가열 및 압력 인가를 개별적으로 또는 동시에 실시하는 것이 바람직하고, 그 양방을 동시에 실시하는 것이 보다 바람직하다.

가열 온도는, 경화성 조성물에 포함되는 성분에 따라서도 다르지만, 예를 들면 50~300℃이다. 가열 온도의 상한은, 250℃ 이하인 것이 바람직하고, 200℃ 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 가열 온도의 하한은, 80℃ 이상인 것이 바람직하고, 100℃ 이상인 것이 보다 바람직하다.

가열 시간은, 예를 들면 30초~30분이다. 가열 시간의 상한은, 15분 이하인 것이 바람직하고, 5분 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 가열 시간의 하한은, 45초 이상인 것이 바람직하고, 1분 이상인 것이 보다 바람직하다.

압력은, 예를 들면 0.05~3N/mm²이다. 압력의 상한은, 2.5N/mm² 이하인 것이 바람직하고, 2N/mm² 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 압력의 하한은, 0.08N/mm² 이상인 것이 바람직하고, 0.1N/mm² 이상인 것이 보다 바람직하다.

압력의 부가 시간은, 예를 들면 30초~30분이다. 압력의 부가 시간의 상한은, 20분 이하인 것이 바람직하고, 10분 이하인 것이 보다 바람직하다. 또, 압력의 부가 시간의 하한은, 45초 이상인 것이 바람직하고, 1분 이상인 것이 보다 바람직하다.

접합 공정에 의한 접합은, 예를 들면 압착 장치를 사용하여 행해지는 것이 바람직하다.

<가공 공정>

본 발명의 적층체의 제조 방법은, 지지체를 가공하는 가공 공정을 포함하는 것이 바람직하다.

가공 공정은, 접합 공정 후에 행해져도 되지만, 현상 공정 후, 접합 공정 전에 행해지는 것이 바람직하다.

가공 공정은, 상기 지지체를 분할하는 공정인 것이 바람직하다.

분할 후의 지지체의 형상, 크기 등은, 적층체의 설계, 용도 등에 따라 결정하면 된다.

가공 공정에 있어서는, 예를 들면, 다이싱에 의하여 지지체를 복수의 지지체편(칩)으로 분할할 수 있다. 다이싱 방법은, 특별히 제한되지 않으며, 블레이드 다이싱, 레이저 다이싱 및 플라즈마 다이싱 등 적절히 선택된다. 절삭의 양태는, 특별히 제한되지 않으며, 하프 컷팅이어도 되고 풀 컷팅이어도 되며, 풀 컷팅 중에서도, 싱글 컷팅, 스텝 컷팅 및 베벨 컷팅 등, 어느 양태여도 된다.

다이싱은, 공지의 다이싱 테이프 등의 가지지체에, 패턴화 점착층의 지지체와는 반대의 측을 첩부한 상태에서 행해도 된다.

칩의 형상은, 기재의 외연(外緣) 영역을 제외하고, 직사각형상인 것이 바람직하지만, 그 외의 다각형상이어도 된다. 칩의 사이즈(최대변의 길이)는, 특별히 제한 되지 않지만, 예를 들면 0.8~3mm이다. 이 수치 범위의 상한은, 2.5mm 이하여도 되고, 2mm 이하여도 된다. 또, 이 수치 범위의 하한은, 0.9mm 이상이어도 되고, 1mm 이상이어도 된다.

<그 외의 공정>

그 외에, 본 발명의 적층체의 제조 방법은, 적층체를 세정하는 공정, 적층체로부터 적어도 일부의 패턴화 점착층을 제거하는 공정, 적층체에 배선을 형성하는 공정 등을 더 포함해도 된다.

<바람직한 양태>

이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 적층체의 제조 방법의 바람직한 양태의 일례에 대하여 설명하지만, 본 발명은 이에 한정되는 것은 아니다. 또한, 시인하기 쉽게 하기 위하여, 도면 중의 각 구성 요소의 축척은 실제의 것과는 적절히 상이하게 되어 있다.

도 1의 (a)는, 돌기 전극(2)과, 돌기 전극(2) 상의 땜납(4)을 갖는 지지체(1)의 일례를 나타내고 있다. 돌기 전극(2)은 6개 기재했지만, 실제로는 다수의 돌기 전극이 더 형성되어 있어도 되며, 소수의 돌기 전극이 더 형성되어 있어도 된다. 또, 땜납(4)은 존재하지 않는 경우도 있다.

도 1의 (b)는, 상술한 적용 공정에 의하여, 지지체(1) 상에 경화성막(6)을 형성한 상태의 일례를 나타내고 있다. 경화성막(6)의 막두께는, 돌기 전극(2), 및, 땜납(4)을 덮을 수 있는 두께인 것이 바람직하다.

도 1의 (c)는, 지지체(1) 상의 경화성막(6)에 대하여 상술한 경화 공정 및 현상 공정을 행함으로써, 패턴화 점착층을 형성한 상태의 일례를 나타내고 있다.

상술한 도 1의 (b)에 있어서의 경화성막(6)은, 경화 공정 및 현상 공정에 의하여 패턴화 점착층(10)이 되어 있다.

즉, 현상 공정에 의하여, 제거부(8a)에 있어서의 패턴화 점착층이 존재하지 않는 영역이 형성되어 있다.

도 1의 (c)에 있어서는, 돌기 전극(2) 및 땜납(4) 상에 패턴화 점착층이 존재하지 않는 상태가 나타나고 있다.

또, 도 1의 (c)에 있어서의 파선부는, 다이싱에 의하여 지지체의 분할을 행하는 위치(다이싱 라인의 위치)를 나타내고 있다.

이 파선부를 포함하는 영역에 있어서 점착층이 제거되어 있음으로써, 다이싱 라인에는 점착층이 존재하지 않게 된다. 이 때문에, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 의하면, 블레이드 등의 다이싱을 실시하는 장치에 점착층의 성분이 부착되는 것이 억제된다.

도 1의 (d)는, 다이싱에 의하여 분할된 지지체(1)와, 피접합 부재(12)를 접합하기 전의 상태의 일례를 나타내고 있다. 피접합 부재(12) 상에는, 돌기 전극(14)이 형성되어 있다. 돌기 전극(14)은 3개 기재했지만, 실제로는 다수의 돌기 전극이 더 형성되어 있어도 되고, 소수의 돌기 전극이 더 형성되어 있어도 된다.

도 1의 (e)는, 접합 공정에 의하여 지지체(1)와 피접합 부재(12)가 접합된 상태의 일례를 나타내고 있다.

도 1의 (e)에 있어서, 지지체(1) 상의 돌기 전극(2)과, 피접합 부재(12) 상의 돌기 전극(14)은, 땜납(4)을 개재하여 전기적으로 접합되어 있다.

이와 같이, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 의하면, 현상 공정에 의하여 지지체(1) 상에 형성된 돌기 전극(2) 상에 점착층을 존재하지 않게 하여 점착층 패턴(10)을 형성할 수 있기 때문에, 지지체(1) 상에 형성된 돌기 전극(2)과 피접합 부재(12) 상에 형성된 돌기 전극(14)을 전기적으로 접합할 수 있다.

또, 도 1의 (e)에 있어서는, 1개의 피접합 부재(12)에 1개의 지지체(1)를 접합하고 있지만, 예를 들면, 1개의 피접합 부재(12)에 복수의 지지체(1)를 접합할 수도 있다.

<반도체 소자의 제조 방법>

본 발명의 반도체 소자의 제조 방법은, 본 발명의 적층체의 제조 방법을 포함한다.

즉, 본 발명의 반도체 소자의 제조 방법에 의하여 얻어지는 반도체 소자는, 본 발명의 적층체의 제조 방법에 의하여 얻어진 적층체를 포함하는 반도체 소자이다.

본 발명의 제조 방법에 의하여 제조되는 반도체 소자는, 예를 들면 LSI 디바이스이지만, 본 발명의 반도체 소자는 이에 한정되지 않으며, 본 발명은 다양한 반도체 소자에 적용 가능하다.

본 발명은, 예를 들면, ASIC(Application Specific Integrated Circuit), FPGA(Field Programmable Gate Array), ASSP(Application Specific Standard Product) 등의 로직 집적 회로에도 적용 가능하다. 또, 본 발명은, 예를 들면, CPU(Central Processing Unit), GPU(Graphics Processing Unit) 등의 마이크로 프로세서에도 적용 가능하다. 또, 본 발명은, 예를 들면, DRAM(Dynamic Random Access Memory), HMC(Hybrid Memory Cube), MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory), PCM(Phase-Change Memory), ReRAM(Resistance Random Access Memory), FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory), 플래시 메모리 등의 메모리에도 적용 가능하다. 또, 본 발명은, 예를 들면, LED(Light Emitting Diode), 파워 디바이스, DC(Direct Current)-DC(Direct Current) 컨버터, 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터(Insulated Gate Bipolar Transistor: IGBT) 등의 아날로그 집적 회로에도 적용 가능하다. 또, 본 발명은, 예를 들면, 가속도 센서, 압력 센서, 진동자, 자이로 센서 등의 MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)에도 적용 가능하다. 또, 본 발명은, 예를 들면, GPS(Global Positioning System), FM(Frequency Modulation), NFC(Near field communication), RFEM(RF Expansion Module), MMIC(Monolithic Microwave Integrated Circuit), WLAN(Wireless Local Area Network) 등의 와이어리스 소자, 디스크리트 소자, CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor), CMOS 이미지 센서, 카메라 모듈, Passive 디바이스, SAW(Surface Acoustic Wave) 필터, RF(Radio Frequency) 필터, IPD(Integrated Passive Devices) 등에도 적용 가능하다.

그리고, 상기와 같은 본 발명의 반도체 소자가 탑재되는 최종 제품은, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면, 스마트 TV, 이동 통신 단말, 휴대 전화, 스마트 폰, 태블릿 단말, 데스크탑 PC, 노트 PC, 네트워크 기기(라우터, 스위칭), 유선 인프라 기기, 디지털 카메라, 게임기, 컨트롤러, 데이터 센터, 서버, 마이닝용 PC, HPC, 그래픽 카드, 네트워크 서버, 스토리지, 칩 세트, 차재 기기(전자 제어 기기, 운전 지원 시스템), 카 내비게이션, PND, 조명(일반 조명, 차재 조명, LED 조명, OLED 조명), 텔레비전, 디스플레이, 디스플레이용 패널(액정 패널, 유기 EL 패널, 전자 페이퍼), 음악 재생 단말, 산업용 기기, 산업용 로봇, 검사 장치, 의료 기기, 백색 가전, 우주·항공기용 기기, 웨어러블 디바이스 등이다.

실시예

이하에 실시예를 들어 본 발명을 더 구체적으로 설명한다. 이하의 실시예에 나타내는 재료, 사용량, 비율, 처리 내용, 처리 수순 등은, 본 발명의 취지를 벗어나지 않는 한, 적절히, 변경할 수 있다. 따라서, 본 발명의 범위는 이하에 나타내는 구체예에 한정되는 것은 아니다. "부", "%"는 특별히 설명하지 않는 한, 질량 기준이다.

<경화성 조성물의 조제>

〔분산액의 조정〕

표에 기재된 용제, 분산제, 및 입자를 0.1mm 직경의 지르코니아 비즈를 사용하여, 비즈 밀(감압 기구 부착 고압 분산기 NANO-3000-10(닛폰 비이이(주)제))로, 1시간 혼합하여 각 분산액을 조제했다.

〔경화성 조성물의 조정〕

표에 기재된 각 성분을 혼합하고, 5μm의 구멍 직경을 갖는 폴리테트라플루오로에틸렌제 필터를 이용하여 여과하여, 경화성 조성물(실시예) 또는 비교용 조성물(비교예)을 조제했다.

단, 표 중의 용제, 분산제, 및 입자에 대해서는, 상술한 분산액으로서 첨가했다.

각 실시예에 관한 조성물은, 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물을 조제한 결과, 25℃ 1기압에 있어서 유동성을 갖고 있었다.

비교예 1~2에 관한 조성물은, 경화물이 점착성을 갖지 않는 것이다.

비교예 3에 관한 조성물은, 패턴을 형성할 수 없는 것이다.

[표 1]

표 중의 약어의 상세는 하기와 같다.

〔중합성 화합물〕

·A-1: SR508(사토머사제, 다관능 아크릴레이트)

·A-2: SR833(사토머사제, 다관능 아크릴레이트)

·A-3: SR351S(사토머사제, 다관능 아크릴레이트)

·A-4: SR506(사토머사제, 단관능 아크릴레이트)

·A-5: 신나카무라 가가쿠 고교(주)제 NK에스터 A-DPH-12E(다관능 아크릴레이트)

·A-6: 신나카무라 가가쿠 고교(주)제 NK에스터 A-TMMT(다관능 아크릴레이트)

〔광중합 개시제〕

·B-1: Darocur TPO(BASF 재팬제)

〔표면 장력 조정제〕

·C-1: Tegorad2100(Evonik Tego Chemie사제)

〔중합 금지제〕

·D-1: MEHQ(4-메톡시페놀)

·D-2: Florstab UV-12(ALBEMARLE사제)

〔용제〕

·E-1: PGMEA(프로필렌글라이콜모노메틸에터아세테이트)

〔분산제〕

·F-1: 하기 구조의 화합물(하기 구조 중, 주쇄에 부기(付記)된 수치는 각 반복 단위의 함유비(몰비)를, 측쇄에 부기된 수치는 반복수를, 각각 나타낸다.)

[화학식 1]

〔입자〕

·G-1: 알루미나 0.7μm(스미토모 가가쿠제, 어드밴스트 알루미나)

·G-2: 알루미나 0.3μm(스미토모 가가쿠제, 어드밴스트 알루미나)

·G-3: 실리낙스(등록 상표) SP-PN(b): 닛테쓰 고교사제의 중공 실리카의 분말

·G-4: Ti 블랙 분산액(일본 공개특허공보 2011-89108의 실시예 1에 기재된 분산액)

·조성물 H-1: 하기 표에 기재된 조성물

·조성물 H-2: 하기 표에 기재된 조성물

조성물 H-1 및 H-2는, 하기 표에 기재된 성분을 각 함유량(질량부)으로 혼합함으로써 조제했다.

[표 2]

상기 표 중의 각 성분의 상세는 하기와 같다.

〔수지〕

·A2-1: 하기 식(A2-1)로 나타나는 카복실산 폴리머. 각 반복 단위의 첨자는 각 반복 단위의 함유비(몰비)를 나타낸다.

·A2-2: 폴리(파라하이드록시스타이렌)

[화학식 2]

〔중합성 화합물〕

·B2-1: 하기 식(B2-1)로 나타나는 화합물

·B2-3: 폴리(파라하이드록시스타이렌)

[화학식 3]

〔광중합 개시제〕

·C2-1: 2-methylnaphtho[2,1-b]furan-1(2H)-one-O-tosyloxime

〔용제〕

·H2-1: PGMEA

(평가)

<택킹성의 평가>

도포 막두께 10μm, 고압 수은등으로 전체면 노광 1000mJ/cm², 25℃의 0.3질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 1분 침지의 조건에 의하여, 지지체 실리콘 웨이퍼 상에 각 실시예에 있어서의 경화성 조성물 또는 각 비교예에 있어서의 비교용 조성물의 경화물 샘플을 형성하고, 경화물 샘플의 표면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 첩부한 경우의 90도 박리 시험을 행했다.

평가는 하기 평가 기준에 따라 행하고, 평가 결과는 표의 "택킹성"란에 기재했다.

-평가 기준-

A: 90도 박리 시험의 결과가 0.5N/20mm 이상이었다.

B: 90도 박리 시험의 결과가 0.05N/20mm 이상 0.5N/20mm 미만이었다.

C: 90도 박리 시험의 결과가 0.05N/20mm 미만이었다.

<미세 패턴 형성성의 평가>

지지체(SUMCO제 실리콘 웨이퍼) 상에, 각 실시예에 있어서의 경화성 조성물 또는 비교용 조성물을 적용하고, 100℃, 2분의 건조 조건으로 건조하여, 10μm의 조성물층을 형성했다. 적용 방법은, 표의 "도포 조건"의 란에 "A"라고 기재된 예에 있어서는 스핀 코트(회전수 800rpm), "B"라고 기재된 예에 있어서는 스핀 코트(회전수 1500rpm), "C"라고 기재된 예에 있어서는 슬릿 코트로 했다.

상기 조성물층을, SUSS사제 얼라이너 MA6을 이용하여 50μm, 및, 20μm의 LS(라인&스페이스)의 패턴이 각각 형성된 포토마스크를 개재하여 노광량 1000mJ/cm²의 조건으로 노광했다.

상기 노광 후, 상기 조성물층을, 표 중의 "현상 조건"의 란에 "A"라고 기재된 예에 있어서는, 현상액으로서 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드(TMAH) 수용액(농도 0.26질량%)을 사용하고, 60초간 현상하여, 패턴화 점착층을 얻었다.

현상에 의하여 얻어진 패턴화 점착층을 관찰하고, 하기 평가 기준에 의하여 평가했다. 평가 결과는 표의 "미세 패턴"의 란에 기재했다.

-평가 기준-

A: 20μm의 패턴이 형성 가능했다.

B: 20μm의 패턴은 형성되지 않았지만, 50μm 패턴은 형성 가능했다.

C: 패턴 형성되지 않았다.

<다이싱의 평가>

실시예 1과 비교예 3에 대하여, 미세 패턴 형성의 평가와 동일한 기판을 작성하고, 상기 조성물층을, SUSS사제 얼라이너 MA6을 이용하여, 다이싱 라인의 중심으로부터 좌우 200μm가 미노광부가 되는 패턴이 형성된 포토마스크를 개재하여 노광량 1000mJ/cm²의 조건으로 노광했다. 상기 노광 후, 미세 패턴 형성의 평가와 동일한 현상을 행하고, 패턴화 점착층을 얻었다.

다이싱 라인 상을 다이서(디스코사제, DFD6240)를 이용하여 다이싱했다. 실시예 1은 패턴이 형성되었기 때문에 문제없이 실리콘의 다이싱을 할 수 있었다. 한편, 비교예 3은 패턴이 형성되지 않았기 때문에 실리콘 상에 형성된 조성물마다 다이싱하게 되어, 다이싱 후의 단면이 톱니 모양의 요철이 있는 형상이 되고, 표면에 조성물 유래의 데브리의 부착이 관찰되었다.

<열확산율(막강도)의 평가>

열전도성은 열확산율에 근거하여 평가했다. 열확산율은, 주기 가열법(플라스틱의 국제기준 ISO 22007-3 준거)에 근거하여, 열확산율 측정 장치 FTC-RT(어드밴스 리코제)로 측정했다. 동일한 두께의 실리콘 웨이퍼의 레퍼런스 데이터를 취득하여, 그 차분을 산출함으로써 측정했다. 열확산율은, 패턴을 형성하고 있지 않은 부분에 장치를 접촉시켜 측정하고, 하기의 3단계로 평가했다.

-평가 기준-

A: 0.6mm²/s 이상

B: 0.2mm²/s 이상 0.6mm²/s 미만

C: 0.2mm²/s 미만

<굴절률의 평가>

실시예 8과 실시예 13을 실리콘 웨이퍼 상에 도포하고, 그 후, 핫 플레이트 상에서 100℃에서 2분간 가열하여 투명막을 얻었다. J·A·Woollam·Japan사제 엘립소미터(VASE)를 이용하여, 이 투명막에 있어서의 파장 633nm, 25℃에서 측정한 값을 굴절률로 했다.

-평가 기준-

A: 1.35 미만

B: 1.35 이상

<가시광 투과율의 평가>

유리 기판의 투과율을 레퍼런스로서 측정한 후에, 실시예 8과 실시예 14를 유리 기판 상에 형성하고, 파장 범위 380~780nm의 투과율을, 시마즈 세이사쿠쇼제 UV-1800(파장 영역 200~1100nm)으로 5nm 간격으로 측정하여 평균했다.

-평가 기준-

A: 15% 미만

B: 15% 이상

또, 실시예 1의 실리콘 기판을, 반도체 회로 및 금속 배선, 금속 전극이 표면에 형성된 실리콘 기판으로 바꾸어, 실시예 1과 동일한 수순에 따라 칩을 제작했다. 이때, 상기 금속 전극이 형성된 실리콘 기판의 표면에 조성부를 형성하여 패턴화한 후에 피접착 칩과 접착하고, 반도체 소자로서 칩을 패키징했다. 이 반도체 소자는, 성능에 문제는 없었다.

1 지지체
2 돌기 전극
4 땜납
6 경화성층
8a 제거부
10 패턴화 점착층
12 피접합 부재
14 돌기 전극

Claims

경화성 조성물의 경화물을 포함하며,
상기 경화성 조성물이 단관능 중합성 화합물 및 다관능 중합성 화합물을 포함하고,
상기 경화성 조성물 중 용제 이외의 성분을 상기 경화성 조성물과 동일한 비율로 포함하는 조성물은 25℃, 1기압에 있어서 유동성을 갖고,
상기 경화물의 표면이 25℃에서 점착성을 가지며,
점착층이 존재하는 부분과 점착층이 존재하지 않는 부분으로 형성되는 패턴화 점착층으로, 패턴의 최소 치수, 또는, 패턴의 간극의 최소 치수가 200μm 이하인 패턴을 포함하는, 패턴화 점착층.
청구항 1에 있어서,
상기 경화성 조성물로서, 도포 막두께 10μm, 고압 수은등으로 전체면 노광 1000mJ/cm², 25℃의 0.3질량% 테트라메틸암모늄하이드록사이드 수용액에 1분 침지의 조건에 의하여, 상기 경화성 조성물의 경화물 샘플을 형성하고, 경화물 샘플의 표면에 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 첩부한 경우의 90도 박리 시험의 결과가 0.05N/20mm 이상인 경화성 조성물을 이용하는, 패턴화 점착층.
청구항 1 또는 청구항 2에 있어서,
평균 두께가 2μm 이상인, 패턴화 점착층.
삭제
청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 패턴화 점착층의 형성에 이용되는, 경화성 조성물.
청구항 5에 있어서,
용제 이외의 성분의 전체 질량에 대한, 분자량 1000 이상인 유기 성분의 함유량이 20질량% 이하인, 경화성 조성물.
청구항 5에 있어서,
다관능 중합성 화합물을 복수 종 포함하는, 경화성 조성물.
삭제
청구항 5에 있어서,
무기 필러를 포함하는, 경화성 조성물.
청구항 5에 있어서,
경화성 조성물의 전체 질량에 대한 용제의 함유량이 10질량% 이하인, 경화성 조성물.
청구항 5에 기재된 경화성 조성물을 지지체 상에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정,
상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정, 및
적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정을 포함하고,
상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해지는,
패턴화 점착층의 제조 방법.
청구항 11에 있어서,
상기 현상에 이용되는 현상액이 알칼리 성분을 포함하는, 패턴화 점착층의 제조 방법.
청구항 11에 있어서,
상기 적용 공정에 있어서의 적용 방법이 스핀 코트법을 포함하는, 패턴화 점착층의 제조 방법.
지지체, 청구항 1 또는 청구항 2에 기재된 패턴화 점착층 및 피접합 부재를 이 순서로 갖는, 적층체.
청구항 14에 있어서,
상기 지지체가 시트상 또는 필름상인, 적층체.
청구항 14에 있어서,
상기 지지체가 반도체 제작용 기재인, 적층체.
청구항 14에 있어서,
상기 지지체가 전극을 갖는 지지체인, 적층체.
지지체, 피접합 부재 및 패턴화 점착층을 포함하는 적층체의 제조 방법으로서,
청구항 5에 기재된 경화성 조성물을 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중 어느 일방에 적용하여 경화성막을 형성하는 적용 공정,
상기 경화성막을 선택적으로 경화하는 경화 공정,
적어도 일부가 경화된 상기 경화성막을 현상하여 패턴화 점착층을 얻는 현상 공정, 및,
상기 패턴화 점착층에 상기 지지체 및 상기 피접합 부재 중, 적용 공정에 의하여 경화성 조성물이 적용되지 않았던 부재를 접합하는 접합 공정을 포함하고,
상기 현상은 패턴화 점착층의 표면의 점착성이 남는 조건으로 행해지는, 적층체의 제조 방법.
청구항 18에 있어서,
상기 접합이 100~200℃에서 행해지는, 적층체의 제조 방법.
청구항 18에 있어서,
상기 지지체를 가공하는 가공 공정을 포함하는, 적층체의 제조 방법.
청구항 20에 있어서,
상기 가공 공정이 상기 지지체를 분할하는 공정인, 적층체의 제조 방법.
청구항 18에 기재된 적층체의 제조 방법을 포함하는, 반도체 소자의 제조 방법.
청구항 1에 있어서,
상기 경화성 조성물이 적어도 1종의 단관능 중합성 화합물과, 적어도 2종의 다관능 중합성 화합물을 포함하는, 패턴화 점착층.