KR102560814B1 - 노광 장치, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법, 디바이스 제조 방법, 및 노광 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
도 2 는, 도 1 의 액정 노광 장치의 제어계를 중심적으로 구성하는 주제어 장치의 입출력 관계를 나타내는 블록도이다.
도 3(a) ∼ 도 3(d) 는, 노광 동작시에 있어서의 액정 노광 장치의 동작을 설명하기 위한 도면 (그 1 ∼ 그 4) 이다.
도 4(a) ∼ 도 4(c) 는, 노광 동작시에 있어서의 액정 노광 장치의 동작을 설명하기 위한 도면 (그 5 ∼ 그 7) 이다.
도 5 는, 제 1 변형예에 관련된 얼라인먼트계의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 6 은, 제 2 변형예에 관련된 얼라인먼트계의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 7 은, 투영계 본체 및 얼라인먼트 현미경의 계측계의 구성을 설명하기 위한 도면이다.
도 8 은, 투영 광학계 및 얼라인먼트계의 구동계의 변형예 (그 1) 를 나타내는 도면이다.
도 9 는, 투영 광학계 및 얼라인먼트계의 구동계의 변형예 (그 2) 를 나타내는 도면이다.
도 10 은, 액정 노광 장치에 있어서의 모듈 교환의 개념도이다.
20 : 조명계
30 : 마스크 스테이지 장치
40 : 투영 광학계
50 : 기판 스테이지 장치
60 : 얼라인먼트계
M : 마스크
P : 기판
Claims (52)
- 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 장치로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성되고, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 마크 검출부와,
상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부를 상기 주사 방향을 따라 이동시키는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부가 서로 접촉하지 않도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는, 노광 장치. - 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 장치로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성되고, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 마크 검출부와,
상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부를 상기 주사 방향을 따라 이동시키는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부의 간격을 소정 거리 이상 띄우도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는, 노광 장치. - 삭제
- 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 장치로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성되고, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 마크 검출부와,
상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부를 상기 주사 방향을 따라 이동시키는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 투영 광학계가 이동을 정지하는 정지 위치와 상기 마크 검출부가 이동을 정지하는 정지 위치가 겹치지 않도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는, 노광 장치. - 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 장치로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성되고, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 마크 검출부와,
상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부를 상기 주사 방향을 따라 이동시키는 제어 장치를 구비하고,
상기 제어 장치는, 상기 투영 광학계의 이동 개시 타이밍과 상기 마크 검출부의 이동 개시 타이밍을 상이하게 하도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키고,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는, 노광 장치. - 삭제
- 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주사 방향에 관해서, 상기 투영 광학계의 타방측에 형성된 제 2 검출부를 추가로 갖고,
상기 제어 장치는, 상기 검출부에 의한 상기 제 1 마크 및 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 투영 광학계를 상기 일방측으로 이동시키면서, 상기 제 2 검출부를 상기 투영 광학계에 접촉하지 않도록 상기 일방측으로 이동시키는, 노광 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 제 2 검출부에 의한 상기 물체에 형성된 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 투영 광학계를 상기 타방측으로 이동시키는, 노광 장치. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 주사 노광을 실시하는 제 1 상태와 상기 주사 노광의 개시 전 또는 종료 후의 상기 광을 상기 물체에 조사하지 않는 제 2 상태에서, 상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부의 간격을 상이하게 하는, 노광 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 1 상태에 있어서의 상기 간격은, 상기 제 2 상태에 있어서의 상기 간격보다 넓은, 노광 장치. - 제 9 항에 있어서,
상기 제 2 상태에 있어서의 상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부는, 상기 투영 광학계의 광축에 평행한 방향에 관해서 상기 물체와는 겹치지 않는 위치에 있는, 노광 장치. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 마크 검출부를, 상기 투영 광학계의 이동 가능 범위와는 일부 겹치지 않는 범위에서 이동시키는, 노광 장치. - 제 12 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 마크 검출부를, 상기 이동 가능 범위보다 넓은 범위에서 이동시키는, 노광 장치. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 물체에 형성된 마크를 검출하는 동작을 포함하는 마크 검출 동작과 상기 주사 노광을 포함하는 주사 노광 동작 중 적어도 일부의 동작을 병행하여 실시하도록 제어하는, 노광 장치. - 제 14 항에 있어서,
상기 마크 검출 동작은, 상기 마크 검출부가 상기 마크를 검출하는 위치로 이동하는 동작을 포함하고,
상기 주사 노광 동작은, 상기 주사 노광의 개시 전의 상기 투영 광학계의 이동 동작을 포함하는, 노광 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 마크 검출부를, 상기 투영 광학계의 이동 가능 범위로부터 퇴피시키는, 노광 장치. - 제 16 항에 있어서,
상기 제어 장치는, 상기 마크 검출부를, 상기 투영 광학계의 상기 이동 가능 범위로부터 퇴피시키기 위해서 상기 투영 광학계의 광축과 평행한 방향을 축으로 하여 회전시키는, 노광 장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 마크 검출부는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향에 관해서, 상기 광이 조사되는 영역의 길이보다 상기 물체 상에 형성된 복수의 마크간의 거리가 긴 마크를 검출 가능한, 노광 장치. - 제 18 항에 있어서,
상기 물체는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향으로 늘어서서 형성된 제 3 및 제 4 구획 영역을 갖고,
상기 마크 검출부는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향에 관해서, 상기 제 3 구획 영역의 근방에 배치된 제 3 마크와 상기 제 4 구획 영역의 근방에 배치된 제 4 마크를 동시에 검출 가능한, 노광 장치. - 삭제
- 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 광축이 수평면에 평행이고,
상기 물체는, 상기 광이 조사되는 노광면이 상기 수평면에 대하여 직교한 상태로 배치되는, 노광 장치. - 제 21 항에 있어서,
상기 마크 검출부와 상기 투영 광학계는, 서로 분리 가능하도록 배치되는, 노광 장치. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물체는, 플랫 패널 디스플레이 장치에 사용되는 기판인, 노광 장치. - 제 23 항에 있어서,
상기 기판은, 적어도 한 변의 길이 또는 대각 길이가 500 ㎜ 이상인, 노광 장치. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 사용하여 상기 물체를 노광하는 것과,
노광된 상기 물체를 현상하는 것을 포함하는, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법. - 제 1 항, 제 2 항, 제 4 항, 및 제 5 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 장치를 사용하여 상기 물체를 노광하는 것과,
노광된 상기 물체를 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법. - 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 방법으로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성된 마크 검출부를 사용하여, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 것과,
상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부가 서로 접촉하지 않도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키는 것,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것, 및
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것을 포함하는 노광 방법. - 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 방법으로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성된 마크 검출부를 사용하여, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 것과,
상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부의 간격을 소정 거리 이상 띄우도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키는 것,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것, 및
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것을 포함하는 노광 방법. - 삭제
- 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 방법으로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성된 마크 검출부를 사용하여, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 것과,
상기 투영 광학계가 이동을 정지하는 정지 위치와 상기 마크 검출부가 이동을 정지하는 정지 위치가 겹치지 않도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키는 것,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것, 및
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것을 포함하는 노광 방법. - 물체에 대하여 투영 광학계를 주사 방향으로 이동시키면서 상기 투영 광학계를 통해서 상기 물체에 광을 조사하여 상기 물체를 주사 노광하는 노광 방법으로서,
상기 주사 방향에 관해서 상기 투영 광학계의 일방측에 형성된 마크 검출부를 사용하여, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상이한 위치에 형성된 제 1 마크 및 제 2 마크를 검출하는 것과,
상기 투영 광학계의 이동 개시 타이밍과 상기 마크 검출부의 이동 개시 타이밍을 상이하게 하도록,
상기 물체의 제 1 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 1 마크를 검출 가능한 제 1 위치와, 상기 주사 방향에 관해서 상기 물체의 상기 제 1 구획 영역과 나란한 제 2 구획 영역의 근방에 배치된 상기 제 2 마크를 검출 가능한 제 2 위치 각각으로 상기 마크 검출부를 이동시키는 것,
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 1 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것, 및
상기 마크 검출부에 의한 상기 제 2 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 제 2 구획 영역에 대하여 상기 투영 광학계를 이동시키는 것을 포함하는 노광 방법. - 삭제
- 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제 1 검출부에 의한 상기 제 1 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 투영 광학계를 상기 일방측으로 이동시키면서, 상기 투영 광학계의 타방측에 형성된 제 2 검출부를 상기 투영 광학계에 접촉하지 않도록 상기 일방측으로 이동시키는, 노광 방법. - 제 33 항에 있어서,
상기 제 2 검출부에 의한 상기 물체에 형성된 마크의 검출 결과에 기초하여 상기 투영 광학계를 상기 타방측으로 이동시키는, 노광 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 주사 노광을 실시하는 제 1 상태와 상기 주사 노광의 개시 전 또는 종료 후의 상기 광을 상기 물체에 조사하지 않는 제 2 상태에서, 상기 투영 광학계와 상기 마크 검출부의 간격을 상이하게 하는, 노광 방법. - 제 35 항에 있어서,
상기 제 1 상태에 있어서의 상기 간격은, 상기 제 2 상태에 있어서의 상기 간격보다 넓은, 노광 방법. - 제 35 항에 있어서,
상기 제 2 상태에 있어서의 상기 투영 광학계 및 상기 마크 검출부는, 상기 투영 광학계의 광축에 평행한 방향에 관해서 상기 물체와는 겹치지 않는 위치에 있는, 노광 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 마크 검출부를, 상기 투영 광학계의 이동 가능 범위와는 일부 겹치지 않는 범위에서 이동시키는, 노광 방법. - 제 38 항에 있어서,
상기 마크 검출부를, 상기 이동 가능 범위보다 넓은 범위에서 이동시키는, 노광 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물체에 형성된 마크를 검출하는 동작을 포함하는 마크 검출 동작과 상기 주사 노광을 포함하는 주사 노광 동작 중 적어도 일부의 동작을 병행하여 실시하는, 노광 방법. - 제 40 항에 있어서,
상기 마크 검출 동작은, 상기 마크 검출부를 상기 마크를 검출하는 위치로 이동시키는 동작을 포함하고,
상기 주사 노광 동작은, 상기 주사 노광의 개시 전의 상기 투영 광학계의 이동 동작을 포함하는, 노광 방법. - 제 33 항에 있어서,
상기 마크 검출부를 상기 투영 광학계의 이동 가능 범위로부터 퇴피시키는, 노광 방법. - 제 42 항에 있어서,
상기 마크 검출부를 상기 투영 광학계의 상기 이동 가능 범위로부터 퇴피시키기 위해서 상기 투영 광학계의 광축과 평행한 방향을 축으로 하여 회전시키는, 노광 방법. - 제 33 항에 있어서,
상기 마크 검출부는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향에 관해서, 상기 광이 조사되는 영역의 길이보다 상기 물체 상에 형성된 복수의 마크간의 거리가 긴 마크를 검출 가능한, 노광 방법. - 제 44 항에 있어서,
상기 물체는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향으로 늘어서서 형성된 제 3 및 제 4 구획 영역을 갖고,
상기 마크 검출부는, 상기 주사 방향에 교차하는 방향에 관해서, 상기 제 3 구획 영역의 근방에 배치된 제 3 마크와 상기 제 4 구획 영역의 근방에 배치된 제 4 마크를 동시에 검출 가능한, 노광 방법. - 삭제
- 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 투영 광학계의 광축이 수평면에 평행이고,
상기 물체는, 상기 광이 조사되는 노광면이 상기 수평면에 대하여 직교한 상태로 배치되는, 노광 방법. - 제 47 항에 있어서,
상기 마크 검출부와 상기 투영 광학계는, 서로 분리 가능하도록 배치되는, 노광 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 물체는, 플랫 패널 디스플레이 장치에 사용되는 기판인, 노광 방법. - 제 49 항에 있어서,
상기 기판은, 적어도 한 변의 길이 또는 대각 길이가 500 ㎜ 이상인, 노광 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 상기 물체를 노광하는 것과,
노광된 상기 물체를 현상하는 것을 포함하는, 플랫 패널 디스플레이의 제조 방법. - 제 27 항, 제 28 항, 제 30 항, 및 제 31 항 중 어느 한 항에 기재된 노광 방법을 이용하여 상기 물체를 노광하는 것과,
노광된 상기 물체를 현상하는 것을 포함하는, 디바이스 제조 방법.
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Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
| JP2013142719A (ja) * | 2012-01-06 | 2013-07-22 | V Technology Co Ltd | 露光装置及び露光済み材製造方法 |
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