KR102534203B1 - 기판 처리 시스템 - Google Patents
기판 처리 시스템 Download PDFInfo
- Publication number
- KR102534203B1 KR102534203B1 KR1020197027405A KR20197027405A KR102534203B1 KR 102534203 B1 KR102534203 B1 KR 102534203B1 KR 1020197027405 A KR1020197027405 A KR 1020197027405A KR 20197027405 A KR20197027405 A KR 20197027405A KR 102534203 B1 KR102534203 B1 KR 102534203B1
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- substrate
- wafer
- area
- sound wave
- wave emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67763—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations the wafers being stored in a carrier, involving loading and unloading
- H01L21/67766—Mechanical parts of transfer devices
-
- H10P72/3402—
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
- H01L21/67196—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the construction of the transfer chamber
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
- H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
- H01L21/67742—Mechanical parts of transfer devices
-
- H10P72/0464—
-
- H10P72/30—
-
- H10P72/3302—
-
- H10P76/00—
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Robotics (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
기판을 처리하는 처리 장치로서 열 처리 장치 등을 구비하고, 당해 처리 장치에 웨이퍼(W)를 반송하기 위한 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하여 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비한다. 음파 방사 장치는, 예를 들어 반송 영역에 있어서의 열 처리 장치의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역이나, 기판 반송 영역에 있어서의, 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련된다. 또한, 음파 방사 장치는, 기판 반송 장치에 설치되어 있어도 된다.
Description
(관련 출원의 상호 참조)
본원은, 2017년 2월 24일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-32961호, 및 2017년 12월 27일에 일본에 출원된 일본 특허 출원 제2017-251489호에 기초하여, 우선권을 주장하고, 그 내용을 여기에 원용한다.
본 발명은, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 관한 것이다.
예를 들어 반도체 디바이스의 제조 프로세스에 있어서의 포토리소그래피 공정에서는, 예를 들어 기판으로서의 반도체 웨이퍼(이하, 「웨이퍼」라고 함) 표면 상에 도포액을 공급하여 반사 방지막이나 레지스트막을 형성하는 도포 처리, 레지스트막을 소정의 패턴으로 노광하는 노광 처리, 노광된 레지스트막을 현상하는 현상 처리, 웨이퍼를 가열하는 열 처리 등이 순차 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 레지스트 패턴이 형성된다. 그리고 레지스트 패턴을 마스크로 하여 에칭 처리가 행해지고, 그 후 레지스트막의 제거 처리 등이 행해져, 웨이퍼 상에 소정의 패턴이 형성된다. 이들 일련의 처리는, 웨이퍼를 처리하는 각종 처리 장치나 웨이퍼를 반송하는 반송 기구 등을 탑재한 기판 처리 시스템인 도포 현상 처리 시스템에서 행해지고 있다.
또한, 도포 현상 처리 시스템에서는, 예를 들어 반송 영역 내의 분위기를 청정하게 유지하기 위해, 반송 기구가 마련된 반송 영역을 밀폐함과 함께, 반송 영역의 천장면에, 청정한 에어의 하강 기류를 공급하는 ULPA(Ultra Low Penetration Air) 필터를 마련하고 있다(특허문헌 1). ULPA 필터를 마련함으로써, 반송 영역 내의 부유 파티클을, 시스템의 하방으로 유하시켜, 배기 기구에 의해 배출할 수 있다.
그런데, 장치 내의 파티클의 제어에 대해, 반도체 디바이스의 제조 프로세스의 미세화에 수반하여, 관리되는 파티클도 금후 점점 엄격해질 것이라고 생각할 수 있다. 따라서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 대책으로서, 특허문헌 1과 같이 반송 영역에 대해 ULPA 필터를 마련하는 것만으로는, 장치 내의 파티클의 제어로서 충분하지 않게 될 것이라고 생각할 수 있다. 예를 들어, ULPA 필터를 마련하였다고 해도, 웨이퍼 반송 장치의 동작 등에 의해 기류의 흐름이 차단, 변경되어, 웨이퍼 반송 장치가 동작하고 있지 않은 정지 상태와 상이한 내부 기류가 발생함으로써, 일단 하방을 향한 부유 파티클이 다시 상방으로 흐르게 되어 버리는 경우도 있다. 이 경우, 반송 영역으로부터 장시간 배출되지 않는 파티클도 존재할 가능성이 있어, 제조 프로세스에 따라서는, 이러한 파티클의 관리도 필요해지는 것이 예상된다.
본 발명은, 이러한 점에 비추어 이루어진 것이며, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지하는 것을 목적으로 하고 있다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명의 일 양태는, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명에 따르면, 음파를 방사하는 음파 방사 장치를 상기 기판 반송 영역에 구비하기 때문에, 부유 파티클을 배기 기구의 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.
본 발명에 따르면, 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서, 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 더 확실하게 방지할 수 있다.
도 1은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 평면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 정면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 배면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 정면도이다.
도 6은 음파 방사 장치의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 7은 음파 방사 장치의 다른 예를 도시하는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 선반 유닛에 마련된 수납 블록의 내부의 상면도이다.
도 2는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 정면도이다.
도 3은 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 배면도이다.
도 4는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 측면도이다.
도 5는 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 종단 정면도이다.
도 6은 음파 방사 장치의 일례를 도시하는 평면도이다.
도 7은 음파 방사 장치의 다른 예를 도시하는 측면도이다.
도 8은 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이다.
도 9는 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이다.
도 10은 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 12는 본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 선반 유닛에 마련된 수납 블록의 내부의 상면도이다.
(제1 실시 형태)
이하, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명한다. 도 1은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구성의 개략을 도시하는 설명도이다. 도 2 및 도 3은, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 정면도와 배면도이다. 도 4 및 도 5는, 각각 기판 처리 시스템의 내부 구성의 개략을 모식적으로 도시하는, 종단 측면도와 종단 정면도이다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 기능 구성을 갖는 요소에 대해서는, 동일한 번호를 붙임으로써 중복 설명을 생략한다.
기판 처리 시스템(1)은, 도 1에 도시하는 바와 같이 복수 매의 웨이퍼(W)를 수용한 카세트(C)가 반입출되는 카세트 스테이션(10)과, 웨이퍼(W)에 소정의 처리를 실시하는 복수의 각종 처리 장치를 구비한 처리 스테이션(11)과, 처리 스테이션(11)에 인접하는 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하는 인터페이스 스테이션(13)을 일체로 접속한 구성을 갖고 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)가 마련되어 있다. 카세트 적재대(20)에는, 기판 처리 시스템(1)의 외부에 대해 카세트(C)를 반입출할 때, 카세트(C)를 적재하는 카세트 적재판(21)이 복수 마련되어 있다.
카세트 스테이션(10)에는, 카세트 적재대(20)와 처리 스테이션(11) 사이에 웨이퍼 반송 영역 L이 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 영역 L에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 X 방향으로 연장되는 반송로(22) 상을 이동 가능한 웨이퍼 반송 장치(23)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(23)는, 상하 방향 및 연직축 주위(θ 방향)로도 이동 가능하며, 각 카세트 적재판(21) 상의 카세트(C)와, 후술하는 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
처리 스테이션(11)에는, 각종 장치를 구비한 복수, 예를 들어 제1∼제4의 4개의 블록 G1, G2, G3, G4가 마련되어 있다. 예를 들어 처리 스테이션(11)의 정면측(도 1의 X 방향 부방향측)에는, 제1 블록(G1)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 배면측(도 1의 X 방향 정방향측)에는, 제2 블록(G2)이 마련되어 있다. 또한, 처리 스테이션(11)의 카세트 스테이션(10)측(도 1의 Y 방향 부방향측)에는, 제3 블록(G3)이 마련되고, 처리 스테이션(11)의 인터페이스 스테이션(13)측(도 1의 Y 방향 정방향측)에는, 제4 블록(G4)이 마련되어 있다.
예를 들어 제1 블록(G1)에는, 도 2에 도시하는 바와 같이 복수의 액 처리 장치, 예를 들어 웨이퍼(W)를 현상 처리하는 현상 처리 장치(30), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 하층에 반사 방지막(이하 「하부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 웨이퍼(W)에 레지스트액을 도포하여 레지스트막을 형성하는 레지스트 도포 장치(32), 웨이퍼(W)의 레지스트막의 상층에 반사 방지막(이하 「상부 반사 방지막」이라고 함)을 형성하는 상부 반사 방지막 형성 장치(33)가 아래로부터 이 순서로 배치되어 있다.
예를 들어, 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)는, 각각 수평 방향으로 4개 나열되어 배치되어 있다. 또한, 이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)의 수나 배치는, 임의로 선택할 수 있다.
이들 현상 처리 장치(30), 하부 반사 방지막 형성 장치(31), 레지스트 도포 장치(32), 상부 반사 방지막 형성 장치(33)에서는, 예를 들어 웨이퍼(W) 상에 소정의 도포액을 도포하는 스핀 코팅이 행해진다. 스핀 코팅에서는, 예를 들어 도포 노즐로부터 웨이퍼(W) 상에 도포액을 토출함과 함께, 웨이퍼(W)를 회전시켜, 도포액을 웨이퍼(W)의 표면으로 확산시킨다.
예를 들어 제2 블록(G2)에는, 도 3에 도시하는 바와 같이 웨이퍼(W)의 가열이나 냉각과 같은 열 처리를 행하는 열 처리 장치(40)나, 레지스트액과 웨이퍼(W)의 정착성을 높이기 위한 어드히젼 장치(41), 웨이퍼(W)의 외주부를 노광하는 주변 노광 장치(42)가 상하 방향 등으로 나열되어 마련되어 있다. 이들 열 처리 장치(40), 어드히젼 장치(41), 주변 노광 장치(42)의 수나 배치에 대해서도, 임의로 선택할 수 있다.
예를 들어 제3 블록(G3)에는, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다. 또한, 제4 블록(G4)에도, 복수의 전달 장치 등이 적층된 선반 유닛이 마련되어 있다.
도 1에 도시하는 바와 같이 제1 블록(G1)∼제4 블록(G4)으로 둘러싸인 영역에는, 웨이퍼 반송 영역 R이 형성되어 있다.
또한, 도 1에 도시하는 바와 같이 제3 블록(G3)의 X 방향 정방향측의 옆에는, 웨이퍼 반송 장치(100)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 예를 들어 X 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(100a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(100)는, 반송 암(100a)에 의해 웨이퍼(W)를 지지한 상태에서 상하로 이동하여, 제3 블록(G3) 내의 각 전달 장치로 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
인터페이스 스테이션(13)에는, 웨이퍼 반송 장치(110)와 전달 장치(111)가 마련되어 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 Y 방향, θ 방향 및 상하 방향으로 이동 가능한 반송 암(110a)을 갖고 있다. 웨이퍼 반송 장치(110)는, 예를 들어 반송 암(110a)에 웨이퍼(W)를 지지하여, 제4 블록(G4) 내의 각 전달 장치, 전달 장치(111) 및 노광 장치(12)와의 사이에서 웨이퍼(W)를 반송할 수 있다.
웨이퍼 반송 영역 R에 대해 더 설명한다. 웨이퍼 반송 영역 R은, 도 4에 도시하는 바와 같이, 4개의 반송 영역 R1∼R4가 아래로부터 차례로 적층되어 구성되고, 반송 영역 R1∼R4는 각각, 제3 블록(G3)측으로부터 제4 블록(G4)측을 향하는 방향(도 4의 Y 방향 정방향)으로 연장되도록 형성되어 있다. 도 5에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향의 한쪽에는, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치가 배치되고, 다른 쪽에는 예를 들어 열 처리 장치(40)가 배치된다. 열 처리 장치(40) 대신에, 어드히젼 장치(41)나 주변 노광 장치(42)가 배치되는 경우도 있다.
또한, 반송 영역 R1∼R4에는 각각, 당해 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향(도 5의 Y 방향)을 따라 연신하는 가이드(301)와, 당해 가이드(301)를 따라 웨이퍼(W)를 반송하는 반송 장치인 반송 암 A1∼A4가 마련되어 있다. 반송 암 A1∼A4는, 반송 영역 R1∼R4마다 당해 영역 R1∼R4에 인접하는 모든 모듈 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 것이다. 이 반송 암 A1∼A4(이하, 통합하여 반송 암(A)이라고 칭하는 경우가 있음)는, 가이드(301)를 따라 이동하는 프레임(302)과, 당해 프레임(302)을 따라 승강하는 승강체(303)와, 당해 승강체(303) 상을 회동하는 회동체(304)와, 당해 회동체(304) 상을 진퇴하는 웨이퍼 지지부(305)를 갖는다.
레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치는, 스핀 코팅에 의해 도포막을 형성하기 위해, 웨이퍼(W)를 보유 지지하여 회전시키는 스핀 척(201)과, 도포액을 공급하는 도시하지 않은 도포액 공급 노즐을 갖는다. 또한, 상기 액 처리 장치는, 웨이퍼(W)를 둘러싸고 웨이퍼(W)로부터 비산한 도포액을 회수하는 컵(202)과, 당해 컵(202)의 상방에 마련되고 컵(202) 내에 청정한 에어를 공급하는 필터(203)를 갖는다.
열 처리 장치(40)는, 웨이퍼(W)를 가열하는 열판(401)과, 당해 열판(401)과 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)를 전달함과 함께 웨이퍼(W)를 냉각하는 플레이트(402)와, 열판(401)의 상방에 마련된 정류판(403)과, 반송 영역 R1∼R4 및 열 처리 장치(40) 내를 배기하는 배기부(404, 405)를 갖는다. 위로부터 2개째, 4개째, 6개째, 8개째의 열 처리 장치(40)의 하방에는, 반송 영역 R1∼R4를 배기하는 팬 장치(406)가 마련되어 있다.
처리 스테이션(11)에 대해 더 설명한다. 처리 스테이션(11)은, 하우징(51)을 구비하고, 당해 하우징(51) 내에 상술한 각 장치가 수납되어 있고, 하우징(51) 내는 반송 영역 R1∼R4마다 구획되어 있다. 하우징(51) 상에는 팬 필터 유닛(FFU)(52)이 마련되어 있고, 당해 FFU(52)에는 상하로 연신되어, 반송 영역 R1∼R4에 걸치도록 형성된 수직 덕트(53)가 접속되어 있다. 이 수직 덕트(53)는, 각 반송 영역 R1∼R4의 길이 방향을 따라 연신되는 수평 덕트(54)에 접속되어 있다.
수평 덕트(54)는, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서의, 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치측의 에지부의 상방에 마련되어 있다. 또한, 수평 덕트(54)는, 도시하지 않은 ULPA 필터를 내부에 갖는다. 상술한 팬 필터 유닛(52)으로부터 송풍된 에어는, 직접 또는 수직 덕트(53)를 통해, 수평 덕트(54)로 유입되고, ULPA 필터에 의해 청정화되어, 수평 덕트(54)로부터 하방으로 공급된다.
또한, 수평 덕트(54)의 하방에는, 구획판(55)이 마련되어 있다. 이 구획판(55)은, 각 반송 영역 R1∼R4의 천장면을 형성하는 것이며, 수평 덕트(54)로부터 공급되는 에어를 확산하는 기체 확산실(도시하지 않음)을 내부에 갖는다. 또한, 구획판(55)의 하면에는, 기체 확산실에서 확산된 에어를 반송 영역 R1∼R4로 토출하기 위한 다수의 토출구가 전체면에 형성되어 있다.
수평 덕트(54)의 ULPA 필터를 통과하고 파티클이 제거되어 청정화된 에어는, 구획판(55)의 기체 확산실로 유입되어, 토출구를 통해, 하방으로 토출된다. 이와 같이 하여, 각 반송 영역 R1∼R4에 있어서, 청정화된 에어에 의한 하강 기류가 형성되어 있다.
처리 스테이션(11)은, 상술한 청정화된 에어에 의한 하강 기류로, 부유 파티클을 하방으로 유하시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출하고 있다. 이 처리 스테이션(11)에서는, 각 반송 영역 R1∼R4 내의 분위기를 더 청정화하기 위해, 반송 영역 R1∼R4 내에 각각 음파 방사 장치가 마련되어 있다. 구체적으로는, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 레지스트 도포 장치(32) 등의 액 처리 장치의 웨이퍼(W)의 반출입구 K1에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(60)가 마련되고, 반송 영역 R1∼R4에 있어서 열 처리 장치(40)의 웨이퍼(W)의 반출입구 K2에 인접하는 영역에 음파 방사 장치(70)가 마련되어 있다.
음파 방사 장치(60, 70)는, 예를 들어 상기 반출입구 K1, K2의 상방으로부터, 배기용 팬 장치(406)가 마련된 반송 영역 R1∼R4의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.
음파 방사 장치(60, 70)로부터 저부 방향으로 방사한 음파에 의해, 상술한 반출입구 근방 등에 존재하는 부유 파티클을 하방으로 이동시켜, 팬 장치(406)를 통해 외부로 배출할 수 있다.
또한, 상기 음파 방사 장치(60, 70)를 상술한 바와 같이 마련함으로써, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)와 반송 암 A1∼A4 사이에서의 웨이퍼(W) 전달 시에, 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로부터 반송 영역 R1∼R4로 파티클이 침입하거나, 반송 영역 R1∼R4로부터 액 처리 장치 및 열 처리 장치(40)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 음파 방사 장치(60, 70)를 마련함으로써, 메인터넌스 시에, 반송 영역 R1∼R4의 개방 등에 의해 파티클의 침입이나 인적 동작에 의한 발진 등에 의해 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 신속하게 복귀시킬 수 있다.
또한, 반출입구 K1, K2는, 후술하는 제어부(500)의 제어에 기초하여 개폐 가능하게 구성되어 있다.
도면의 예에서는, 열 처리 장치(40)에 2개의 반출입구 K2에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 마련하고 있지만, 2개의 반출입구 K2 각각에 대해 하나의 음파 방사 장치(70)를 설치하도록 해도 된다.
또한, 음파 방사 장치(70)는, 반송 영역 R1∼R4의 저부측을 향해 음파를 방출하는 것이 아니라, 배기부(404, 405)가 마련된 열 처리 장치(40)의 외측을 향해 음파를 방출하도록 설치되어도 된다. 이에 의해, 열 처리 장치(40)의 반출입구 근방의 파티클을 외측으로 이동시켜, 배기부(404, 405)를 통해 외부로 배출할 수 있다.
도 6은, 음파 방사 장치(60)의 일례를 도시하는 평면도이다.
음파 방사 장치(60)는, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(61)를 평판상의 베이스(62)에 나열하여, 파라메트릭 어레이가 구성된 것이다. 예를 들어, 트랜스듀서(61)가 아래를 향하도록 베이스(62)를 반송 영역 R1∼R4의 천장 부근에 고정함으로써 음파 방사 장치(60)는 설치된다.
음파 방사 장치(60)가 방출하는 음파는, 가청 영역의 주파수인 것이어도 되고, 예를 들어 20㎑ 이상의 주파수를 갖는 초음파여도 된다.
음파 방사 장치(60)를 파라메트릭 스피커로 구성함으로써, 부유 파티클을 원하는 방향으로 이동시킬 수 있으므로, 당해 부유 파티클을 확실하게 외부로 배제하여 제거할 수 있다.
또한, 도면의 예에서는, 세로 4개×가로 8개의 계 32개의 트랜스듀서(61)가 나열되어 있었지만, 트랜스듀서(61)의 수나 배치는 이 예에 한정되는 것은 아니다.
또한, 음파 방사 장치(70)의 구성은, 음파 방사 장치(60)와 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.
이상의 각 장치로 이루어지는 기판 처리 시스템(1)에는, 도 1에 도시하는 바와 같이 제어부(500)가 마련되어 있다. 제어부(500)는, 예를 들어 컴퓨터이며, 프로그램 저장부(도시하지 않음)를 갖고 있다. 프로그램 저장부에는, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 웨이퍼(W)의 처리를 제어하는 프로그램이 저장되어 있다. 또한, 프로그램 저장부에는, 상술한 각종 처리 장치나 반송 장치 등의 구동계 동작을 제어하여, 기판 처리 시스템(1)에 있어서의 후술하는 도포 처리를 실현시키기 위한 프로그램도 저장되어 있다. 또한, 상기 프로그램은, 예를 들어 컴퓨터 판독 가능한 하드 디스크(HD), 플렉시블 디스크(FD), 콤팩트 디스크(CD), 마그넷 옵티컬 디스크(MO), 메모리 카드 등의 컴퓨터에 판독 가능한 기억 매체(H)에 기록되어 있었던 것이며, 그 기억 매체로부터 제어부(500)에 인스톨된 것이어도 된다.
다음으로, 이상과 같이 구성된 기판 처리 시스템(1)을 사용하여 행해지는 웨이퍼 처리에 대해 설명한다. 먼저, 복수의 웨이퍼(W)를 수납한 카세트(C)가, 기판 처리 시스템(1)의 카세트 스테이션(10)에 반입되고, 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트(C) 내의 각 웨이퍼(W)가 순차 처리 스테이션(11)의 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다.
다음으로, 웨이퍼(W)가 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R2의 반송 암 A2에 의해 열 처리 장치(40)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 반송 영역 R2에 인접하는 제2 블록(G2)의 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K2의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.
음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 웨이퍼(W)는 열 처리 장치(40)에 의해 온도 조절 처리된다.
온도 조절 처리 후, 열 처리 장치(40)의 반출입구 K2가 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(70)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 열 처리 장치(40) 내에 삽입되고, 당해 열 처리 장치(40)의 플레이트(402)로부터 웨이퍼 지지부(305)로 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 열 처리 장치(40) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K2가 폐쇄되고, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 열 처리 장치(40)에서의 가열 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K2의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(70)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)를 향해 반송된다. 이 반송과 함께, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 반송 영역 R2의 저부를 향해 음파가 방사된다. 반출입구 K1의 개구 동작 개시 전으로부터 음파 방사가 개시되는 것이 바람직하다.
음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀(도시하지 않음)에 웨이퍼가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 그리고 하부 반사 방지막 형성 장치(31)에 의해 웨이퍼(W) 상에 하부 반사 방지막이 형성된다.
하부 반사 방지막 형성 후, 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 반출입구 K1이 개구되고, 이 개구 동작에 맞추어, 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된다. 음파 방사 장치(60)로부터 음파가 방사된 상태에서, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)가 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내에 삽입되고, 당해 하부 반사 방지막 형성 장치(31)의 웨이퍼 전달용의 핀으로부터 웨이퍼 지지부(305)에 웨이퍼(W)가 전달된다. 전달 후, 반송 암 A2의 웨이퍼 지지부(305)는, 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 내로부터 빼내어져, 반출입구 K1이 폐쇄되고, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 정지된다. 또한, 이하의 하부 반사 방지막 형성 장치(31) 이외의 액 처리 장치에서의 처리 시에도, 상술한 바와 마찬가지로 반출입구 K1의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치(60)로부터의 음파 방사가 개시/정지된다. 따라서, 이하에서는, 액 처리 장치에 의한 가열 처리 시에 행해지는 음파 방사에 대해 설명을 생략한다.
그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 열 처리 장치(40) 내로 반송되어, 가열 처리되고, 온도 조절된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 어드히젼 장치(41)로 반송되어, 어드히젼 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 어드히젼 장치(41)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R2에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 어드히젼 장치(41)에 의한 어드히젼 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.
그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A2에 의해 반송 영역 R2에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 반송 영역 R3 내의 반송 암 A3에 의해 레지스트 도포 장치(32)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 레지스트막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 프리베이크 처리된다. 또한, 프리베이크 처리에 있어서도 하부 반사 방지막 형성 후의 열 처리와 마찬가지의 처리가 행해지고, 또한 후술하는 반사 방지막 형성 후의 열 처리, 노광 후 베이크 처리, 포스트베이크 처리에 있어서도 마찬가지의 처리가 행해진다. 단, 각 열 처리에 제공되는 열 처리 장치(40)는 서로 다르다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 반송 암 A3에 의해 반송 영역 R3에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록(G4)의 다른 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R4 내의 반송 암 A4에 의해 상부 반사 방지막 형성 장치(33)로 반송되어, 웨이퍼(W) 상에 상부 반사 방지막이 형성된다. 그 후 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 가열되고, 온도 조절된다. 그 후, 웨이퍼(W)는, 반송 암 A4에 의해 반송 영역R4에 인접하는 주변 노광 장치(42)로 반송되고, 주변 노광 처리된다. 또한, 도시는 생략하지만, 주변 노광 장치(42)에도 웨이퍼(W)의 반출입구가 마련되어 있고, 반송 영역 R4에 있어서의 상기 반출입구에 인접하는 영역에 음파 방사 장치가 마련된다. 그리고 주변 노광 장치(42)에 의한 주변 노광 처리 시에도, 열 처리 장치(40)에 의한 가열 처리 시와 마찬가지로, 반출입구의 개폐에 동기하여, 음파 방사 장치로부터의 음파 방사가 개시/정지된다.
다음으로 웨이퍼(W)는 반송 암 A4에 의해 반송 영역 R4에 인접하는 제4 블록의 전달 장치로 반송된다. 그리고 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 노광 장치(12)로 반송되어, 소정의 패턴으로 노광 처리된다.
다음으로 웨이퍼(W)는, 웨이퍼 반송 장치(110)에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 제4 블록(G4)의 전달 장치로 반송된다. 이어서, 웨이퍼(W)는, 반송 영역 R1 내의 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되어, 노광 후 베이크 처리된다. 그 후 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해, 현상 처리 장치(30)로 반송되어 현상 처리된다. 현상 처리 종료 후, 웨이퍼(W)는 반송 암 A1에 의해, 반송 영역 R1에 인접하는 열 처리 장치(40)로 반송되고, 포스트베이크 처리된다. 그리고 웨이퍼(W)는, 반송 암 A1에 의해 반송 영역 R1에 인접하는 제3 블록(G3)의 전달 장치로 반송된다. 그 후, 웨이퍼(W)는 웨이퍼 반송 장치(23)에 의해 카세트 적재판(21)의 카세트(C)로 반송되어, 일련의 포토리소그래피 공정이 완료된다.
이상의 예에서는, 개폐에 동기하여 음파 방사 장치(70)로부터 음파를 방사하고 있었지만, 음파 방사의 타이밍은 이 예에 한정되지 않는다. 예를 들어, 처리 스테이션(11) 내에 웨이퍼(W)가 존재하고 있을 때에는 항시 방사하고 있어도 되고, 구체적으로는, 처리 스테이션(11)의 제3 블록에 웨이퍼(W)가 반입되었을 때에 음파의 방사를 개시시켜 제4 블록으로부터 웨이퍼(W)가 반출되었을 때에 음파의 방사를 정지시키도록 해도 된다.
도 7은, 음파 방사 장치 다른 예를 나타내는 측면도이다.
도면의 음파 방사 장치(60')는, 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 음파의 방출 방향을 조절 가능하게 하기 위해, 음파 방사 장치(60')가 요동 가능하게 지지되어 있다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(60')는, 복수의 트랜스듀서(61)를 갖는 베이스(62')가, 축 지지부(63)에 의해 요동 가능하게 지지되어 있다. 또한, 축 지지부(63) 자체는, 예를 들어 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 지지된다.
이와 같이 음파 방사 장치(60')를 요동 가능하게 지지함으로써, 음파 방사 장치(60')로서 작은 것을 사용할 수 있고, 기판 처리 시스템(1)의 제조 비용의 대폭의 상승을 방지할 수 있다.
음파 방사 장치(60')는, 예를 들어 주기적으로 요동하도록 제어부(500)에 의해 제어된다.
(제1 실시 형태의 다른 예)
도 8은, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 다른 예의 개략을 도시하는 설명도이며, 카세트 스테이션만을 도시하는 정면도이다.
도 5 등의 예에서는, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4에 음파 방사 장치(60, 70)를 마련하고 있었다. 그것에 비해, 도 8의 예에서는, 카세트 스테이션(10')의 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다. 구체적으로는, 카세트 스테이션(10)이 하우징(56)을 갖고, 당해 하우징(56)이, 카세트 적재대(20)에 적재된 카세트(C)에 대한 반출입구 K3을 가지므로, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 상기 반출입구 K3과 인접하는 영역에 음파 방사 장치(80)를 마련하고 있다.
이와 같이 음파 방사 장치(80)를 카세트 스테이션(10)의 웨이퍼 반송 영역 L에 마련함으로써, 카세트(C)로부터의 웨이퍼(W)의 반출 또는 카세트(C)로의 웨이퍼(W)의 반입 시에, 카세트(C)로부터 웨이퍼 반송 영역 L에 파티클이 침입하거나, 웨이퍼 반송 영역 L로부터 카세트(C)로 파티클이 침입하거나 하는 것을 방지할 수 있다.
또한, 음파 방사 장치(80)의 구성에는 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치(80)를 도 8과 같이 반출입구 K3의 근방에 마련해도 되고, 반출입구 K3의 상방이며 천장면의 근방에 마련해도 된다.
도시는 생략하지만, 카세트 스테이션(10)에 대해서도 FFU 유닛은 마련되어 있고, 웨이퍼 반송 영역 L 내의 분위기를 배기하는 배기 기구가 카세트 스테이션(10)의 저부에 마련되어 있다. 음파 방사 장치(80)는, 예를 들어 반출입구 K3의 상방으로부터, 배기 기구가 마련된 웨이퍼 반송 영역 L의 저부를 향해, 음파를 방출하도록 설치된다.
(제1 실시 형태의 다른 예)
이상의 예에서는, 음파 방사 장치는, 반송 영역에 있어서의 웨이퍼의 반출입구에 인접하는 영역에만 마련되어 있지만, 음파 방사 장치가 마련되는 영역은 상술한 예에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 반송 영역의 천장면으로부터의 하강 기류를 방해하지 않는 범위에서, 당해 천장면의 전체를 덮도록 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 처리 스테이션(11)의 반송 영역 R1∼R4의 폭 방향 중앙에, 길이 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련해도 된다. 또한, 반송 영역의 폭 방향을 따라 복수의 음파 방사 장치를 마련하도록 해도 된다.
또한, 반송 영역에 있어서의 제3 블록(G3)이나 제4 블록(G4)의 전달 장치와 인접하는 영역에 음파 방사 장치를 마련해도 된다.
(제1 실시 형태의 또 다른 예)
도 9는, 본 발명의 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 또 다른 예의 설명도이며, 도 9의 (A)는 본 예의 기판 반송 장치의 주변의 상태를 도시하고, 도 9의 (B)는 도 9의 (A)의 기판 반송 장치에 설치되는 음파 방사 장치의 일부를 도시하는 도면이다.
도 5 등의 예에서는, 음파 방사 장치는 처리 스테이션(11)의 하우징(51)에 설치되어 있다. 그것에 비해, 본 예에서는, 도 9의 (A)에 도시하는 바와 같이, 음파 방사 장치(600)가 기판 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있다.
기판 반송 암(A)에 설치되어 있는 음파 방사 장치(600)는, 제1 음파 방사 유닛(610)과 제2 음파 방사 유닛(620)을 갖는다.
제1 음파 방사 유닛(610) 및 제2 음파 방사 유닛(620)은 각각, 초음파를 사용함으로써 지향성을 갖는 음파를 방출하는 파라메트릭 스피커이며, 초음파를 방출하는 복수의 트랜스듀서(611, 621)와, 당해 트랜스듀서(611, 621)를 기판 반송 암(A)에 대해 고정하기 위한 베이스 부재(612, 622)를 갖는다.
베이스 부재(612)는, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 반송 암(A)의 승강체(303)에 대한 고정면(612b)을 포함한다.
또한, 제2 음파 방사 유닛(620)의 구성은, 제1 음파 방사 유닛(610)과 마찬가지이므로 그 설명을 생략한다.
제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파와 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파는 모두, 반송 암(A)에 적재되어 있는 웨이퍼의 표면 전체에 방사된다. 단, 제1 음파 방사 유닛(610)의 트랜스듀서(611)를 지지하는 지지면(612a)과, 제2 음파 방사 유닛(620)의 트랜스듀서(621)를 지지하는 지지면은 서로 비평행이다. 따라서, 제1 음파 방사 유닛(610)으로부터의 음파의 벡터 V1과 제2 음파 방사 유닛(620)으로부터의 음파의 벡터 V2는 비평행이며, 양 벡터 V1, V2의 합은 반송 암(A)의 근원으로부터 선단 방향(도면의 X 방향 부방향)을 향하는 벡터가 된다. 따라서, 웨이퍼 반송 중에 음파 방사 장치(600)로부터 음파를 방사함으로써, 웨이퍼 표면 근방의 파티클을 웨이퍼로부터 이격시켜 외부로 배출할 수 있으므로, 웨이퍼에 파티클이 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 도 9의 (B)에 도시하는 바와 같이, 복수의 트랜스듀서(611)로 이루어지는 트랜스듀서군의 중심에 웨이퍼(W)가 위치하도록 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 더 구체적으로는, 상기 트랜스듀서군의 길이 방향이 웨이퍼(W)의 표면과 평행이 되고, 상기 트랜스듀서군의 짧은 방향의 중심이 웨이퍼(W)의 표면에 위치하도록, 제1 음파 방사 유닛(610)은 반송 암(A)에 고정된다. 제2 음파 방사 유닛(620)에 대해서도 마찬가지이다.
이상의 예에서는, 음파 방사 장치(600)가 반송 암(A)의 외측에 설치되어 있었다. 그러나 음파 방사 장치는, 반송 암(A)의 상방에 설치되어 있어도 된다. 더 구체적으로는, 반송 암(A)의 웨이퍼 지지부(305)의 상방에 음파 방사 장치는 설치되어 있어도 된다.
(제2 실시 형태)
도 10은, 본 발명의 제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)는 각각, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 구획판의 상면도 및 측면도이다.
제2 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 음파 방사 장치를 구비하는 것 외에도, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L이 흡착 영역을 갖는다.
구체적으로는, 예를 들어 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R2∼R4의 저면을 형성하는 구획판(55) 상에, 냉각된 냉각판(700)이 설치되어 있고, 냉각판(700)에 의한 열영동에 의해, 온도가 높은 영역의 부유 파티클이 냉각판(700)에 흡착된다. 바꾸어 말하면, 구획판(55) 상의 냉각판(700)에 의해 흡착 영역이 형성된다.
냉각판(700)은, 예를 들어 내부에 냉각수를 순환시킴으로써 냉각된다. 단, 냉각판(700)의 냉각 방법은 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 냉풍에 의해 냉각하도록 해도 된다.
또한, 반송 영역 R1의 저면을 형성하는 저벽의 위에도 냉각판(700)을 설치하는 것이 바람직하다.
반송 영역 R1∼R4의 저면에 흡착 영역을 형성하면, 부유 파티클을 포집할 수 있을 뿐만 아니라, 당해 저면에 퇴적된 파티클이 말려 올라가는 것을 방지할 수 있다. 또한, 음파 방사 장치 외에도 상술한 바와 같이 흡착 영역을 마련함으로써, 메인터넌스 시에 청정도가 악화되어도, 원래의 청정도로 더욱 신속하게 복귀시킬 수 있다.
또한, 냉각판(700)을 구획판(55)이나 저벽의 위에 마련하는 대신에, 구획판(55)의 내부나 저벽의 내부에 냉각수를 순환시키거나 하여, 구획판(55)이나 저벽에 냉각 영역, 즉 부유 파티클의 흡착 영역을 형성하도록 해도 된다.
도 11은, 냉각판의 다른 예를 도시하는 도면이다.
도 10의 냉각판(700)은, 구획판(55)의 대략 전체면을 덮도록 당해 구획판(55) 상에 마련되어 있었다. 그것에 비해, 도 11의 냉각판(800)은, 구획판(55)의 일부를 덮도록, 구체적으로는 구획판(55)의 반송 영역 R2∼R4의 폭 방향 중앙은 덮지 않고 양측만을 덮도록, 구획판(55) 상에 마련되어 있다.
이 냉각판(800)에 의해서도, 부유 파티클을 흡착할 수 있다.
(제2 실시 형태의 다른 예)
이상의 예에서는, 냉각판은, 구획판(55) 등의 반송 영역의 저벽을 형성하는 부분에 설치되어 있었다. 그러나 냉각판은, 반송 영역을 형성하는 측벽을 형성하는 부분에 설치하도록 해도 된다.
또한, 반송 암(A)에 냉각판을 설치하도록 해도 된다. 반송 암(A)에 냉각판을 설치하는 경우, 예를 들어 승강체(303)에 냉각판은 설치된다. 또한, 반송 암(A)에 대해 배기 기구가 마련되어 있고, 배기는 X축/θ축으로부터 Z축을 경유하여 Y축으로부터 배기되고 있다. 상술한 바와 같이, 승강체(303) 등, 반송 암(A)의 하부에 냉각판을 설치함으로써, 반송 암(A)의 배기계로로부터 파티클이 누설되어 있는 경우라도, 더 구체적으로는, θ-z축관에서 파티클 누설이 발생하는 경우라도, 냉각판으로 파티클을 흡착할 수 있다.
(제2 실시 형태의 다른 예)
이상의 예에서는, 냉각판을 사용한 열영동에 의해 파티클의 흡착 영역을 형성하고 있었다. 그러나 흡착 방법은 상술한 예에 한정되지 않고, 정전 흡착에 의해 부유 파티클을 흡착하도록 해도 된다. 이러한 경우, 냉각판 대신에, 대전된 대전판이 반송 영역 내에 마련된다.
본 실시 형태와 같이 흡착 영역을 마련하는 경우, 흡착 영역은 소정의 타이밍에 청소되고, 포집된 파티클은 제거된다.
흡착 영역의 청소는, 예를 들어 정기 메인터넌스 시에 행해진다. 또한, 흡착 영역의 오염 상태를 감시하고, 청소가 필요해진 경우에 유저에게 통보하여, 통보 결과에 따라서 흡착 영역의 청소가 행해지도록 해도 된다.
흡착 영역으로부터의 파티클의 제거는, 예를 들어 흡인 노즐에 의해 수동으로 흡입함으로써 행해도 되고, 흡착 영역의 주위에 배기 기구를 마련하여, 당해 배기 기구에 의해 자동적으로 배출함으로써 행해도 된다.
(제3 실시 형태)
본 발명의 제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템을, 도 12 및 도 13을 사용하여 설명한다. 도 12 및 도 13은, 본 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템의 제3 블록에 마련된 선반 유닛의 개략을 설명하기 위한 도면이며, 도 12는 선반 유닛의 측면도, 도 13은 선반 유닛에 마련된 후술하는 수납 블록의 내부의 상면도이다.
제3 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템은, 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L에 인접하는 장치가, 당해 반송 영역 R1∼R4 및/또는 웨이퍼 반송 영역 L을 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치를 갖는다.
구체적으로는, 예를 들어 도 12에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3)에 마련된 수용 장치로서의 선반 유닛(900)이, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 갖는다.
선반 유닛(900)은, 반송 영역 R1∼R4에 대응하기 위해 복수로 구획된 수납 블록 B1∼B4를 갖는다. 도시는 생략하지만, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에는 각각, 웨이퍼(W)를 수용하는 수용부로서, 적재 선반이나 냉각 플레이트가 마련되어 있다. 냉각 플레이트는 웨이퍼(W)를 소정 온도로 조정하기 위한 것이다.
또한, 선반 유닛(900)은, 제3 블록(G3)과 제4 블록(G4) 사이에서 직선적으로 웨이퍼(W)를 반송하는 도시하지 않은 셔틀 반송 장치와 반송 암 A1∼A4 사이에서 웨이퍼(W)의 전달을 행하기 위한 전달 스테이지를 갖는 전달부 TR1, TR2를 갖는다.
음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 도 6의 음파 방사 장치(60)와 마찬가지의 구성을 채용할 수 있다.
또한, 음파 방사 장치(910)는, 수납 블록 B1∼B4마다 하나 마련되어 있다. 또한, 본 예에서는, 수납 블록 B1에 있어서, 음파 방사 장치(910)는, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반송 영역 R1을 향해 음파가 방사되도록, 수납 블록 B1에 웨이퍼(W)를 수용하였을 때에 당해 웨이퍼(W)를 사이에 두고 반송 영역 R1과 대향하는 위치에 마련되어 있다. 수납 블록 B2∼B4에 있어서의 음파 방사 장치(910)의 배치 위치도 마찬가지이다.
본 실시 형태와 같이 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파를 방사하는 별도의 음파 방사 장치(910)를 선반 유닛(900)에 마련함으로써, 반송 영역 R1∼R4에 존재하는 부유 파티클이 선반 유닛(900) 내에 침입하는 것을 방지할 수 있다. 그 때문에, 반송 영역 R1∼R4 내의 부유 파티클이, 선반 유닛(900)에 수용된 웨이퍼(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
음파 방사 장치(910)는, 예를 들어 대응하는 반송 암 A1∼A4의 동작에 맞추어 음파를 방사한다. 구체적으로는, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1의 웨이퍼 지지부(305)가 수납 블록 B1에 대해 움직이기 시작할 때부터, 즉, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로부터 움직이기 시작할 때부터, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사한다. 이 대신에, 음파 방사 장치(910)는, 대응하는 반송 암 A1이 선반 유닛(900)에 액세스할 때에 반송 암 A1이 선반 유닛(900)을 향하는 방향(도 1의 Y 방향 부방향)의 이동을 정지하고 나서, 웨이퍼 지지부(305)가 홈 위치로 복귀될 때까지의 동안, 음파를 방사해도 된다. 또한, 음파 방사 장치(910)는, 상시 음파를 발생시켜도 된다.
음파 방사 장치(910)의 음파 방사 타이밍은, 수납 블록 B1∼B4에서 공통이어도 되고, 수납 블록 B1∼B4마다 상이해도 된다.
또한, 상술한 예에서는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 웨이퍼 반송 영역 L이나 웨이퍼 반송 장치(100)가 존재하는 반송 영역을 향해 음파를 방사시키도록 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다. 단, 음파 방사 장치(910)를 하나만 마련하는 경우는, 반송 영역 R1∼R4를 향해 음파가 방사되도록 마련하는 것이 바람직하다. 반송 암 중, 가장 빈번하게 동작하는 것이 반송 암 A1∼A4이며, 당해 반송 암 A1∼A4가 마련된 반송 영역 R1∼R4에 부유 파티클이 존재할 가능성이 높기 때문이다.
또한, 상술한 예에서는, 선반 유닛(900)의 수납 블록 B1∼B4에만 음파 방사 장치(910)가 마련되어 있었지만, 전달부 TR1, TR2에 마찬가지로 음파 방사 장치(910)를 마련해도 된다.
또한, 상술한 예에서는, 음파 방사 장치(910)는, 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제3 블록(G3) 내의 선반 유닛(900)에 마련되어 있었다. 그러나 이것에 추가하여, 또는 이것 대신에, 음파 방사 장치(910)는 반송 영역 R1∼R4에 인접하는 제4 블록(G4) 내의 선반 유닛에 마련되어 있어도 된다.
또한, 제3 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태에 관한 기판 처리 시스템과 같이, 반송 영역에 음파 방사 장치를 구비하는 것이 바람직하다.
본 발명은, 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 유용하다.
1 : 기판 처리 시스템
K1, K2, K3 : 반출입구
A1, A2, A3, A4 : 반송 암
R1, R2, R3, R4 : 반송 영역
20 : 카세트 적재대
23 : 웨이퍼 반송 장치
60, 70, 80, 600, 910 : 음파 방사 장치
700, 800 : 냉각판
900 : 선반 유닛
K1, K2, K3 : 반출입구
A1, A2, A3, A4 : 반송 암
R1, R2, R3, R4 : 반송 영역
20 : 카세트 적재대
23 : 웨이퍼 반송 장치
60, 70, 80, 600, 910 : 음파 방사 장치
700, 800 : 냉각판
900 : 선반 유닛
Claims (11)
- 기판을 처리하는 처리 장치를 구비하고, 당해 처리 장치에 기판을 반송하기 위한 기판 반송 영역이 마련된 기판 처리 시스템에 있어서,
음파를 방사하여 상기 기판 반송 영역 내의 부유 파티클이 기판에 부착되는 것을 방지하는 음파 방사 장치를 구비하고,
상기 기판 반송 영역은, 그 저부에 배기 기구가 마련되어 있고,
상기 음파 방사 장치가 방사하는 음파는, 지향성을 갖고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하거나, 또는 기판의 표면을 따르는 방향으로 음파를 방출하는,
기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의 상기 처리 장치의 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
기판을 수용하는 카세트를 적재하는 카세트 적재부를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역에 있어서의, 상기 카세트 적재부에 대한 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되어 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치를 구비하고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 장치에 설치되어 기판의 표면을 따르는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 요동 가능하게 지지되어 있는, 기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역은, 진애를 흡착하는 흡착 영역을 갖는, 기판 처리 시스템. - 삭제
- 제1항에 있어서,
상기 기판 반송 영역에 인접하는 장치를 구비하고,
상기 기판 반송 영역을 향해 음파를 방사하도록 상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 음파 방사 장치를 더 포함하는, 기판 처리 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 인접하는 장치는, 기판의 전달을 위해 기판을 수용하는 수용 장치이고,
상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역 내의 부유 파티클이 상기 수용 장치 내로 침입하지 않도록, 상기 수용 장치에 기판을 수용하였을 때에 당해 기판을 사이에 두고 상기 기판 반송 영역과 대향하는 위치에 마련되어 있는, 기판 처리 시스템. - 제8항에 있어서,
상기 인접하는 장치에 마련되어 있는 상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반송 영역 내를 이동하여 기판을 반송하는 기판 반송 장치의 동작에 맞추어 음파를 방사하는, 기판 처리 시스템. - 제1항에 있어서,
상기 음파 방사 장치는, 상기 처리를 행하기 위해서 상기 기판이 통과하는 기판 반출입구에 인접하는 영역에 마련되고,
상기 음파 방사 장치는, 상기 기판 반출입구의 상방으로부터 상기 저부를 향하는 방향으로 음파를 방출하는, 기판 처리 시스템.
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2017-032961 | 2017-02-24 | ||
| JP2017032961 | 2017-02-24 | ||
| JP2017251489 | 2017-12-27 | ||
| JPJP-P-2017-251489 | 2017-12-27 | ||
| PCT/JP2018/000655 WO2018154993A1 (ja) | 2017-02-24 | 2018-01-12 | 基板処理システム |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190117685A KR20190117685A (ko) | 2019-10-16 |
| KR102534203B1 true KR102534203B1 (ko) | 2023-05-19 |
Family
ID=63253175
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020197027405A Active KR102534203B1 (ko) | 2017-02-24 | 2018-01-12 | 기판 처리 시스템 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP6902601B2 (ko) |
| KR (1) | KR102534203B1 (ko) |
| CN (1) | CN110313060B (ko) |
| TW (1) | TWI770118B (ko) |
| WO (1) | WO2018154993A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP7072301B1 (ja) | 2021-09-01 | 2022-05-20 | 伸和コントロールズ株式会社 | 製造プラント及び製造プラントにおける機器の設置方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
| JP2004260099A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理流体供給装置およびこれを適用した基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
| JP2005354025A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
| JP2016178256A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス | ウェーハ搬送装置 |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4564742B2 (ja) * | 2003-12-03 | 2010-10-20 | キヤノン株式会社 | 露光装置及びデバイス製造方法 |
| CN100584714C (zh) * | 2004-05-13 | 2010-01-27 | 东京毅力科创株式会社 | 基板输送机构及输送装置、颗粒除去法及程序和存储介质 |
| CN100592468C (zh) * | 2006-02-02 | 2010-02-24 | 株式会社迅动 | 基板处理装置 |
| JP4954728B2 (ja) * | 2007-01-26 | 2012-06-20 | 東京エレクトロン株式会社 | ゲートバルブの洗浄方法及び基板処理システム |
| JP5395405B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2014-01-22 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板洗浄方法及び装置 |
| JP5123820B2 (ja) * | 2008-10-27 | 2013-01-23 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置の真空排気方法及び基板処理装置 |
| JP5557161B2 (ja) | 2011-01-24 | 2014-07-23 | 住友電気工業株式会社 | 構造解析方法 |
| TWI523134B (zh) * | 2011-09-22 | 2016-02-21 | 東京威力科創股份有限公司 | 基板處理系統、基板搬運方法、及電腦記憶媒體 |
| JP5956324B2 (ja) * | 2012-12-13 | 2016-07-27 | 東京エレクトロン株式会社 | 搬送基台及び搬送システム |
| JP2015126203A (ja) * | 2013-12-27 | 2015-07-06 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板受け渡し装置及び基板受け渡し方法 |
-
2018
- 2018-01-12 CN CN201880012674.XA patent/CN110313060B/zh active Active
- 2018-01-12 WO PCT/JP2018/000655 patent/WO2018154993A1/ja not_active Ceased
- 2018-01-12 KR KR1020197027405A patent/KR102534203B1/ko active Active
- 2018-01-12 JP JP2019501109A patent/JP6902601B2/ja active Active
- 2018-02-12 TW TW107104891A patent/TWI770118B/zh active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002041375A1 (fr) * | 2000-11-15 | 2002-05-23 | Nikon Corporation | Procedes et dispositfs de transfert et d'exposition et procede servant a fabriquer un composant |
| JP2004260099A (ja) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 処理流体供給装置およびこれを適用した基板処理装置、ならびに基板処理方法 |
| JP2005354025A (ja) * | 2004-05-13 | 2005-12-22 | Tokyo Electron Ltd | 基板搬送機構、該基板搬送機構を備える基板搬送装置、基板搬送機構のパーティクル除去方法、基板搬送装置のパーティクル除去方法、該方法を実行するためのプログラム、及び記憶媒体 |
| JP2016178256A (ja) * | 2015-03-23 | 2016-10-06 | 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス | ウェーハ搬送装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| WO2018154993A1 (ja) | 2018-08-30 |
| JP6902601B2 (ja) | 2021-07-14 |
| CN110313060B (zh) | 2023-10-24 |
| KR20190117685A (ko) | 2019-10-16 |
| TWI770118B (zh) | 2022-07-11 |
| TW201843439A (zh) | 2018-12-16 |
| JPWO2018154993A1 (ja) | 2019-11-21 |
| CN110313060A (zh) | 2019-10-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3910821B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| KR101901012B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| US6632281B2 (en) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
| JP2002280296A (ja) | 液処理装置 | |
| TWI780191B (zh) | 液處理裝置 | |
| JP5002471B2 (ja) | 基板洗浄装置、基板洗浄方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| KR102366179B1 (ko) | 반송 장치 및 이를 가지는 기판 처리 장치 | |
| JPH1079343A (ja) | 処理方法及び塗布現像処理システム | |
| JPH113850A (ja) | 処理システム | |
| KR20210113075A (ko) | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 | |
| JP2011205004A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JP4294837B2 (ja) | 処理システム | |
| KR20220021290A (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR102534203B1 (ko) | 기판 처리 시스템 | |
| JP5216713B2 (ja) | 塗布処理装置、塗布処理方法、プログラム及びコンピュータ記憶媒体 | |
| JP3673397B2 (ja) | 基板冷却装置および基板冷却方法 | |
| JP3254148B2 (ja) | 処理装置 | |
| KR101877428B1 (ko) | 기판 처리 장치 | |
| KR20150076808A (ko) | 기판반송유닛 | |
| JP2001023892A (ja) | 基板処理装置 | |
| JP3962490B2 (ja) | 現像処理装置及び現像処理方法 | |
| JP2007277014A (ja) | 処理システム | |
| JP4996749B2 (ja) | 基板の処理装置 | |
| WO2025057743A1 (ja) | 基板処理装置及び基板処理方法 | |
| JP2000138276A (ja) | 基板処理装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PA0105 | International application |
St.27 status event code: A-0-1-A10-A15-nap-PA0105 |
|
| PG1501 | Laying open of application |
St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501 |
|
| PA0201 | Request for examination |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201 |
|
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| E13-X000 | Pre-grant limitation requested |
St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E90F | Notification of reason for final refusal | ||
| PE0902 | Notice of grounds for rejection |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902 |
|
| P11-X000 | Amendment of application requested |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000 |
|
| P13-X000 | Application amended |
St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000 |
|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| PE0701 | Decision of registration |
St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701 |
|
| GRNT | Written decision to grant | ||
| PR0701 | Registration of establishment |
St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701 |
|
| PR1002 | Payment of registration fee |
St.27 status event code: A-2-2-U10-U12-oth-PR1002 Fee payment year number: 1 |
|
| PG1601 | Publication of registration |
St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601 |
|
| P22-X000 | Classification modified |
St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000 |