KR102168056B1

KR102168056B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Info

Publication number: KR102168056B1
Application number: KR1020197001983A
Authority: KR
Inventors: 아키토 하타노; 도요히데 하야시; 다카유키 고하라; 히로아키 다카하시; 고타 소토쿠
Original assignee: 가부시키가이샤 스크린 홀딩스
Priority date: 2016-09-26
Filing date: 2017-09-04
Publication date: 2020-10-20
Anticipated expiration: 2037-09-04
Also published as: CN109478500A; CN109478500B; TWI660401B; JP6698489B2; JP2018056182A; WO2018056039A1; TW201816842A; KR20190021364A

Abstract

기판 처리 장치는, 지지 부재와, 후드와, 급기 유닛과, 배기 유닛을 구비한다. 급기 유닛은, 급기구로부터 토출된 기체를, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급한다. 배기 유닛은, 천장면에 있어서 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 기판의 상면과 천장면 사이의 기체를 배출한다. 기판의 상면의 중심부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격은, 기판의 상면의 외주부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격보다 좁다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

본 발명은 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상의 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.

반도체 장치나 액정 표시 장치 등의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼나 액정 표시 장치용 유리 기판 등의 기판을 처리하는 기판 처리 장치가 사용된다. 특허문헌 1 의 기판 처리 장치는, 레지스트가 도포된 기판을 가열하여, 레지스트막에 포함되는 용제를 제거하는 PAB 공정을 실행하는 베이크 노 (爐) 를 구비하고 있다.

특허문헌 1 의 베이크 노는, 기판을 수평으로 지지하면서 가열하는 핫 플레이트와, 기판의 상방에 배치되는 천판을 포함한다. 드라이 에어를 토출하는 가스 공급구는, 기판보다 외측에 배치되어 있고, 드라이 에어를 배출하는 중심 배기구는, 천판의 천장면에 있어서 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구되어 있다.

가스 공급구로부터 토출된 드라이 에어는, 기판의 상면과 천판의 천장면의 사이를 기판의 중심을 향해 흘러서, 중심 배기구로 배출된다. 기판의 가열에 의해 레지스트막으로부터 증발한 용제는, 드라이 에어와 함께 중심 배기구로 배출된다. 기판의 상면과 천판의 천장면의 간격은, 기판의 상면의 외주부로부터 기판의 상면의 중심부까지 일정하다.

일본 공개특허공보 2011-175998호

본 발명자들의 연구에 의하면, 특허문헌 1 의 베이크 노에서는 기판의 상면의 중심부에서만 처리의 속도가 저하될 가능성이 있음을 알았다. 본 발명자들은, 이 원인의 하나가 다음과 같다고 생각하고 있다.

즉, 특허문헌 1 의 베이크 노에서는, 가스 공급구로부터 토출된 드라이 에어가 기판의 상면과 천판의 천장면의 사이를 기판의 중심 쪽으로 흐른다. 도 13 에 나타내는 바와 같이, 중심 배기구의 근방에서는, 드라이 에어가 기판의 상면에 접하면서 흐르는 것이 아니라, 기판의 상면으로부터 중심 배기구 쪽으로 흐른다. 그 때문에, 기체의 유동성이 상대적으로 낮은 체류역 (도 13 에 있어서 2 점 쇄선으로 둘러싸인 영역) 이 중심 배기구의 바로 아래에 발생한다. 이것이 처리의 속도를 저하시키는 원인의 하나로 생각된다.

그래서, 본 발명의 목적의 하나는, 기판의 상면을 따라 기판의 외주로부터 기판의 중심으로 흐르는 기류를 형성하면서 기판을 처리하는 프로세스에 있어서 기판의 처리의 균일성을 높일 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.

본 발명의 일 실시형태는, 기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면 (筒狀面) 을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드와, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치된 급기구로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상 (環狀) 의 급기구를 포함하고, 상기 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에, 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 유닛과, 상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 포함하고, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를 상기 배기구를 통하여 배출하는 배기 유닛을 구비하는, 기판 처리 장치를 제공한다.

이 구성에 의하면, 환상의 급기구로부터 토출된 기체가, 기판의 상면과 후드의 천장면의 사이를 기판의 중심을 향해 흘러서, 기판의 상면의 중심부에 대향하는 배기구로 배출된다. 이로써, 기판의 중심을 향해 흐르는 기류가 기판의 상방에 형성된다.

기판의 상면의 중심부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격은, 기판의 상면의 외주부에서의 기판의 상면과 천장면의 간격보다 좁다. 그 때문에, 급기구로부터 토출된 기체는, 천장면에 의해 기판의 상면의 중심부 쪽으로 안내된다. 이로써, 기체의 유동성이 상대적으로 낮은 체류역이 배기구의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있어, 기판의 처리의 균일성을 높일 수 있다.

또한, 기판의 상면과 천장면의 간격은, 도처에서 좁은 것이 아니라, 기판의 상면의 중심부에서만 좁다. 기판의 상면과 천장면의 간격이 도처에서 좁으면, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간에 공급되는 기체에 가해지는 저항이 증가하여, 당해 공간에서의 원활한 기체의 흐름이 저해될 수 있다. 따라서, 기판의 상면과 천장면의 간격을 국소적으로 좁게 함으로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 체류역이 배기구의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.

급기구로부터 토출되는 기체는, 기판과 반응하는 반응 가스여도 되고, 불활성 가스, 드라이 에어, 및 클린 에어 등의 기판과는 반응하지 않는 가스여도 되며, 이들 이외의 기체여도 된다. 환상의 급기구는, 둘레 방향으로 배열된 복수의 토출구여도 되고, 전체 둘레에 걸쳐서 연속된 하나의 슬릿이어도 된다. 복수의 토출구에 포함되는 토출구는, 원형 또는 타원형의 토출구여도 되고, 둘레 방향으로 연장되는 슬롯이어도 된다.

본 실시형태에 있어서, 이하의 특징 중 적어도 하나가, 상기 기판 처리 장치에 추가되어도 된다.

상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부로부터 상기 기판의 상면의 중심부까지 상기 연직선에 가까워짐에 따라서 단계적 또는 연속적으로 감소한다.

기류를 갑자기 기판의 상면 쪽으로 방향 전환시키면, 기류의 흐트러짐이 발생할 수 있다. 이 구성에 의하면, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간을 안쪽으로 흐르는 기체가, 기판의 상면과 천장면의 간격이 감소함에 따라서 기판의 상면 쪽으로 단계적 또는 연속적으로 안내된다. 이로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 기판의 중심을 향해 흐르는 기류를 기판의 상면에 서서히 근접시킬 수 있다.

상기 천장면은, 상기 연직선을 향하여 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사부를 포함한다.

이 구성에 의하면, 연직선을 향하여 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사부가, 천장면에 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 기판의 상면과 천장면의 간격은, 기판의 상면의 중심부에 가까워짐에 따라서 연속적으로 감소하고 있다. 기판의 상면과 천장면 사이의 공간을 안쪽으로 흐르는 기체는, 천장면의 경사부에 의해 기판의 상면 쪽으로 연속적으로 안내된다. 따라서, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 기판의 중심을 향해 흐르는 기체를 기판의 상면에 서서히 근접시킬 수 있다.

상기 후드는, 원호상의 연직 단면을 가지고 있고, 상기 천장면의 외측 가장자리로부터 상기 통상면의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부를 추가로 포함한다.

이 구성에 의하면, 천장면의 외측 가장자리로부터 통상면의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부가, 원호상의 연직 단면을 가지고 있다. 코너부의 연직 단면이 L 자 형상인 경우, 체류역이 코너부에 발생할 수 있다. 따라서, 원호상의 연직 단면을 갖는 코너부를 후드에 형성함으로써, 이와 같은 체류역의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.

상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁고, 상기 기판의 두께보다 넓다.

이 구성에 의하면, 기판의 상면의 중심부와 천장면의 간격은, 기판의 상면의 외주부와 천장면의 간격보다 좁을 뿐만 아니라, 기판의 두께보다 넓다. 배기구는, 천장면에 있어서 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구되어 있다. 기판의 상면으로부터 배기구까지의 연직 방향의 거리는, 기판의 두께보다 넓다. 배기구가 기판의 상면에 지나치게 가까우면, 배기구와 기판의 사이로 진입하고자 하는 기체에 커다란 저항이 가해진다. 따라서, 배기구를 적당한 거리만큼 기판의 상면으로부터 떨어뜨려 놓음으로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 체류역이 배기구의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.

상기 급기구는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면보다 상방이면서 또한 상기 천장면보다 하방의 높이에 배치되어 있고, 평면에서 볼 때, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면의 중심부를 향하는 토출 방향으로 기체를 토출한다.

급기구가 기체를 연직으로 토출하는 경우, 토출된 기체는, 대략 90 도 방향 전환한 후, 기판의 중심을 향해 안쪽으로 흐른다. 이 구성에 의하면, 급기구가, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간에 수평으로 대향하고 있다. 급기구로부터 토출된 기체는, 큰 각도로 방향 전환하지 않고, 기판의 상면을 따라 안쪽으로 흐른다. 따라서, 급기구가 기체를 연직으로 토출하는 경우와 비교하여, 기판의 외주부에서의 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.

평면에서 보아 기판의 상면의 중심부를 향하는 방향이면, 토출 방향은, 수평 방향이어도 되고, 수평면에 대해 상방 또는 하방으로 기울어진 경사 방향이어도 된다.

상기 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치되어 있으며, 상기 기판에 공급되는 열을 발생시키는 히터를 추가로 구비하고, 상기 급기 유닛은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 급기구에 공급하는 반응 가스 공급 유닛을 포함한다.

이 구성에 의하면, 기판과 반응하는 반응 가스가, 급기구로부터 토출되어, 기판의 상면에 공급된다. 이로써, 기판의 상면이 반응 가스에 의해 처리된다. 또한, 반응 가스는, 히터에 의해 가열되어 있는 기판의 상면에 공급된다. 이로써, 기판과 반응 가스의 반응을 촉진시킬 수 있다.

상기 기판 처리 장치는, 처리액으로 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 유닛과, 상기 지지 부재 및 후드를 포함하는 드라이 처리 유닛으로부터 상기 웨트 처리 유닛으로 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 추가로 구비한다.

이 구성에 의하면, 기판에 액체를 공급하지 않고서 당해 기판을 처리하는 드라이 처리 공정이, 지지 부재 및 후드를 포함하는 드라이 처리 유닛에 의해 실행된다. 그 후, 반송 유닛이, 기판을 드라이 처리 유닛으로부터 웨트 처리 유닛으로 반송한다. 웨트 처리 유닛에서는, 기판에 처리액을 공급하는 웨트 처리 공정이 실행된다. 따라서, 동일한 기판 처리 장치에 의해, 드라이 처리 공정 및 웨트 처리 공정의 양방을 실행할 수 있다. 그리고, 드라이 처리 공정 및 웨트 처리 공정이 별도의 유닛에 의해 실행되므로, 각 유닛의 복잡화를 억제 또는 방지할 수 있다.

상기 기판 처리 장치는, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판의 상면에 형성된 박막의 패턴의 위에 위치하는 레지스트의 패턴을 제거하는 장치이다.

이 구성에 의하면, 기판의 상면과 천장면 사이의 공간이, 급기구로부터 토출된 반응 가스로 채워지고, 중심부를 포함하는 기판의 상면의 각 부에 반응 가스가 균일하게 공급된다. 레지스트의 패턴은, 레지스트와 반응 가스의 반응에 의해 기화 또는 변질된다. 이로써, 기판의 표층을 형성하는 박막의 패턴으로부터 레지스트의 패턴을 제거할 수 있다.

상기 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치되어 있으며, 상기 기판에 공급되는 열을 발생시키는 히터를 추가로 구비하고, 상기 급기 유닛은, 오존 가스를 상기 급기구에 공급하는 오존 가스 공급 유닛을 포함한다.

이 구성에 의하면, 급기구로부터 토출된 오존 가스가 기판의 상면에 공급된다. 레지스트의 패턴은, 레지스트와 오존 가스의 반응에 의해 기화 또는 변질된다. 또한, 오존 가스는, 히터에 의해 가열되어 있는 기판의 상면에 공급된다. 이로써, 레지스트와 오존 가스의 반응을 촉진시킬 수 있어, 레지스트의 패턴을 균일하게 단시간에 오존 가스와 반응시킬 수 있다.

본 발명의 다른 실시형태는, 기판을 지지 부재에 의해 수평으로 지지하는 지지 공정과, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드의 내부에 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 배치하는 커버 공정과, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치되고, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 공정과, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를, 상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 배출하는 배기 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

본 실시형태에 있어서, 이하의 특징 중 적어도 하나가, 상기 기판 처리 방법에 추가되어도 된다.

상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부로부터 상기 기판의 상면의 중심부까지 상기 연직선에 가까워짐에 따라서 단계적 또는 연속적으로 감소한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 천장면은, 상기 연직선을 향하여 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사부를 포함한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 후드는, 원호상의 연직 단면을 가지고 있고, 상기 천장면의 외측 가장자리로부터 상기 통상면의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부를 추가로 포함한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁고, 상기 기판의 두께보다 넓다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 급기구는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면보다 상방이면서 또한 상기 천장면보다 하방의 높이에 배치되어 있고, 평면에서 볼 때, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면의 중심부를 향하는 토출 방향으로 기체를 토출한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치된 히터가 발생시킨 열로 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 추가로 포함하고, 상기 급기 공정은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 급기구로부터 토출하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 상기 지지 공정, 커버 공정, 급기 공정, 및 배기 공정이 실행되는 드라이 처리 유닛으로부터, 처리액으로 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 유닛으로 반송 유닛에 의해 상기 기판을 반송하는 반송 공정과, 상기 반송 공정이 실행된 후, 상기 웨트 처리 유닛에 의해 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 공정을 추가로 포함한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판의 상면에 형성된 박막의 패턴의 위에 위치하는 레지스트의 패턴을 제거하는 방법이다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

상기 기판 처리 방법은, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치된 히터가 발생시킨 열로 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 추가로 포함하고, 상기 급기 공정은, 오존 가스를 상기 급기구로부터 토출하는 공정을 포함한다. 이 방법에 의하면, 전술한 효과와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.

본 발명에 있어서의 전술하거나, 혹은 또 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부한 도면을 참조하여 다음에 서술하는 실시형태의 설명에 의해 분명해진다.

도 1 은 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 개략 구성을 나타내는 모식적인 평면도이다.
도 2 는 기판 처리 장치에 의해 실행되는 기판의 처리의 일례를 나타내는 공정도이다.
도 3 은 도 2 에 나타내는 기판의 처리의 일례가 실행되기 전과 후의 기판의 단면을 나타내는 모식도이다.
도 4 는 가열 유닛의 연직 단면을 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 5 는 후드의 모식적인 평면도이다.
도 6 은 핫 플레이트의 모식적인 평면도이다.
도 7 은 도 4 의 일부를 확대한 확대 단면도이다.
도 8 은 가열 유닛에 기체를 공급하는 급기 유닛과, 가열 유닛으로부터 기체를 배출하는 배기 유닛을 나타내는 모식도이다.
도 9A 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9B 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9C 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9D 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9E 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 9F 는 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정이 실시되고 있을 때의 가열 유닛의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.
도 10 은 기판의 상면을 따라 기판의 외주로부터 기판의 중심으로 흐르는 기체의 흐름에 대해서 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.
도 11 은 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 가열 유닛의 연직 단면의 일부를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 12 는 본 발명의 다른 실시형태에 관련된 가열 유닛의 연직 단면의 일부를 나타내는 모식적인 단면도이다.
도 13 은 종래 기술에 있어서의 기체의 흐름에 대해서 설명하기 위한 모식적인 단면도이다.

도 1 은, 본 발명의 일 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 개략 구성을 나타내는 모식적인 평면도이다.

기판 처리 장치 (1) 는, 반도체 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 을 1 장씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 기판 처리 장치 (1) 는, 기판 (W) 을 수용하는 복수의 캐리어 (C) 를 각각 유지하는 복수의 로드 포트 (LP) 와, 복수의 로드 포트 (LP) 로부터 반송된 기판 (W) 을 처리액이나 처리 가스 등의 처리 유체로 처리하는 복수의 처리 유닛 (2) 을 포함한다.

기판 처리 장치 (1) 는, 또한, 기판 (W) 을 반송하는 반송 유닛과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다. 제어 장치 (3) 는, 프로그램 등의 정보를 기억하는 메모리 (3m) 와 메모리 (3m) 에 기억된 정보에 따라서 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 프로세서 (3p) 를 포함하는 컴퓨터이다.

반송 유닛은, 복수의 로드 포트 (LP) 로부터 복수의 처리 유닛 (2) 으로 연장되는 반송 경로 상에 배치된 인덱서 로봇 (IR), 셔틀 (SH), 및 센터 로봇 (CR) 을 포함한다. 인덱서 로봇 (IR) 은, 복수의 로드 포트 (LP) 와 셔틀 (SH) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 셔틀 (SH) 은, 인덱서 로봇 (IR) 과 센터 로봇 (CR) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 센터 로봇 (CR) 은, 셔틀 (SH) 과 복수의 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 센터 로봇 (CR) 은, 또한, 복수의 처리 유닛 (2) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송한다. 도 1 에 나타내는 굵은 선의 화살표는, 인덱서 로봇 (IR) 및 셔틀 (SH) 의 이동 방향을 나타내고 있다.

복수의 처리 유닛 (2) 은, 수평으로 떨어져 있는 4 개의 위치에 각각 배치된 4 개의 탑을 형성하고 있다. 각 탑은, 상하 방향으로 적층된 복수의 처리 유닛 (2) 을 포함한다. 4 개의 탑은, 반송 경로의 양측에 2 개씩 배치되어 있다. 복수의 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 을 건조시킨 채로 당해 기판 (W) 을 처리하는 복수의 드라이 처리 유닛 (2D) 과, 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 웨트 처리 유닛 (2W) 을 포함한다. 로드 포트 (LP) 측의 2 개의 탑은, 복수의 드라이 처리 유닛 (2D) 으로 형성 되어 있고, 나머지 2 개의 탑은, 복수의 웨트 처리 유닛 (2W) 으로 형성되어 있다.

드라이 처리 유닛 (2D) 은, 기판 (W) 이 통과하는 반입 반출구가 형성된 드라이 챔버 (4) 와, 드라이 챔버 (4) 의 반입 반출구를 개폐하는 셔터 (5) 와, 드라이 챔버 (4) 내에서 기판 (W) 을 가열하면서 처리 가스를 기판 (W) 에 공급하는 가열 유닛 (8) 과, 가열 유닛 (8) 에 의해 가열된 기판 (W) 을 드라이 챔버 (4) 내에서 냉각하는 냉각 유닛 (7) 과, 드라이 챔버 (4) 내에서 기판 (W) 을 반송하는 실내 반송 기구 (6) 를 포함한다.

웨트 처리 유닛 (2W) 은, 기판 (W) 이 통과하는 반입 반출구가 형성된 웨트 챔버 (9) 와, 웨트 챔버 (9) 의 반입 반출구를 개폐하는 셔터 (10) 와, 웨트 챔버 (9) 내에서 기판 (W) 을 수평으로 유지하면서 기판 (W) 의 중심부를 지나는 연직의 회전축선 (A1) 둘레로 회전시키는 스핀 척 (11) 과, 스핀 척 (11) 에 유지되어 있는 기판 (W) 을 향하여 처리액을 토출하는 복수의 노즐을 포함한다.

복수의 노즐은, 약액을 토출하는 약액 노즐 (12) 과, 린스액을 토출하는 린스액 노즐 (13) 을 포함한다. 제어 장치 (3) 는, 스핀 척 (11) 의 복수의 척 핀에 기판 (W) 을 유지시키면서, 스핀 척 (11) 의 스핀 모터로 기판 (W) 을 회전시킨다. 이 상태에서, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액 노즐 (12) 또는 린스액 노즐 (13) 로 액체를 토출시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전역이 액막으로 덮인다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 스핀 척 (11) 으로 기판 (W) 을 고속 회전시켜, 기판 (W) 을 건조시킨다.

도 2 는, 기판 처리 장치 (1) 에 의해 실행되는 기판 (W) 의 처리의 일례를 나타내는 공정도이다. 도 3 은, 도 2 에 나타내는 기판 (W) 의 처리의 일례가 실행되기 전과 후의 기판 (W) 의 단면을 나타내는 모식도이다. 제어 장치 (3) 는, 이하의 동작을 기판 처리 장치 (1) 에 실행시키도록 프로그램되어 있다.

도 3 의 좌측에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에 의해 처리되는 기판 (W) 은, 레지스트의 패턴 (PR) 으로 덮인 박막을 에칭하여, 박막의 패턴 (PF) 을 형성하는 에칭 처리 공정이 실시된 기판이다. 요컨대, 이와 같은 기판 (W) 이 수용된 캐리어 (C) 가 로드 포트 (LP) 상에 놓여진다. 이하에서 설명하는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 에서는, 박막의 패턴 (PF) 위에 위치하는 레지스트의 패턴 (PR) 을 제거하는 레지스트 제거 공정이 실시된다. 도 3 의 우측은, 레지스트 제거 공정이 실시된 기판 (W) 의 단면을 나타내고 있다.

기판 처리 장치 (1) 에 의해 기판 (W) 을 처리할 때에는, 인덱서 로봇 (IR), 셔틀 (SH), 및 센터 로봇 (CR) 이, 로드 포트 (LP) 에 놓여진 캐리어 (C) 내의 기판 (W) 을 드라이 처리 유닛 (2D) 으로 반송한다 (도 2 의 스텝 S1). 드라이 처리 유닛 (2D) 에서는, 기판 (W) 을 가열하면서, 오존 가스를 기판 (W) 에 공급하는 드라이 처리 공정이 실시된다 (도 2 의 스텝 S2). 그 후, 센터 로봇 (CR) 이, 드라이 처리 유닛 (2D) 내의 기판 (W) 을 웨트 처리 유닛 (2W) 에 반입시킨다 (도 2 의 스텝 S3).

웨트 처리 유닛 (2W) 에서는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 의 상면에 처리액을 공급하는 웨트 처리 공정이 실시된다 (도 2 의 스텝 S4). 구체적으로는, 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액 노즐 (12) 로 약액을 토출시키는 약액 공급 공정이 실시된다. 그 후, 기판 (W) 을 회전시키면서, 기판 (W) 의 상면을 향하여 린스액 노즐 (13) 로 린스액을 토출시키는 린스액 공급 공정이 실시된다. 그 후, 기판 (W) 을 고속 회전시킴으로써 기판 (W) 을 건조시키는 건조 공정이 실시된다. 계속해서, 인덱서 로봇 (IR), 셔틀 (SH), 및 센터 로봇 (CR) 이, 웨트 처리 유닛 (2W) 내의 기판 (W) 을 로드 포트 (LP) 에 놓여진 캐리어 (C) 로 반송한다 (도 2 의 스텝 S5).

다음으로, 가열 유닛 (8) 에 대해 상세하게 설명한다.

도 4 는, 가열 유닛 (8) 의 연직 단면 (연직면으로 절단된 단면) 을 나타내는 모식적인 단면도이다. 도 5 는, 후드 (30) 의 모식적인 평면도이다. 도 5 는, 도 4 에 나타내는 화살표 V 의 방향으로 후드 (30) 를 본 도면이다. 도 6 은, 핫 플레이트 (21) 의 모식적인 평면도이다. 도 7 은, 도 4 의 일부를 확대한 확대 단면도이다. 이하에서는, 특별히 언급이 없는 한, 후드 (30) 가 하측 위치 (도 4 에 나타내는 위치) 에 위치하고 있는 상태에 대해서 설명한다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 가열 유닛 (8) 은, 기판 (W) 을 수평으로 지지하면서 가열하는 핫 플레이트 (21) 와, 핫 플레이트 (21) 에 지지되어 있는 기판 (W) 의 상방에 배치되는 후드 (30) 와, 후드 (30) 를 지지하는 베이스 링 (27) 을 포함한다.

가열 유닛 (8) 은, 또한, 핫 플레이트 (21) 및 베이스 링 (27) 에 대해서 후드 (30) 를 승강시키는 후드 승강 액추에이터 (29) 와, 후드 (30) 와 베이스 링 (27) 사이의 간극을 밀폐하는 O 링 (28) 과, 핫 플레이트 (21) 와 후드 (30) 의 사이에서 기판 (W) 을 수평으로 지지하는 복수의 리프트 핀 (24) 과, 복수의 리프트 핀 (24) 을 승강시키는 리프트 승강 액추에이터 (26) 를 포함한다.

핫 플레이트 (21) 는, 줄 열을 발생시키는 히터 (22) 와, 기판 (W) 을 수평으로 지지함과 함께, 히터 (22) 의 열을 기판 (W) 에 전달하는 지지 부재 (23) 를 포함한다. 히터 (22) 및 지지 부재 (23) 는, 기판 (W) 의 하방에 배치된다. 히터 (22) 는, 히터 (22) 에 전력을 공급하는 배선 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 히터 (22) 는, 지지 부재 (23) 의 하방에 배치되어 있어도 되고, 지지 부재 (23) 의 내부에 배치되어 있어도 된다.

도 4 및 도 6 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (21) 의 지지 부재 (23) 는, 기판 (W) 의 하방에 배치되는 원판상의 베이스부 (23b) 와, 베이스부 (23b) 의 상면으로부터 상방으로 돌출되는 복수의 반구상의 돌출부 (23a) 와, 베이스부 (23b) 의 외주면으로부터 바깥쪽으로 돌출되는 원환상의 플랜지부 (23c) 를 포함한다. 베이스부 (23b) 의 상면은, 기판 (W) 의 하면과 평행하고, 기판 (W) 의 외경 이상의 외경을 가지고 있다. 복수의 돌출부 (23a) 는, 베이스부 (23b) 의 상면으로부터 상방으로 떨어진 위치에서 기판 (W) 의 하면에 접촉한다. 복수의 돌출부 (23a) 는, 기판 (W) 이 수평으로 지지되도록, 베이스부 (23b) 의 상면 내의 복수의 위치에 배치되어 있다. 기판 (W) 은, 기판 (W) 의 하면이 베이스부 (23b) 의 상면으로부터 상방으로 떨어진 상태로 수평으로 지지된다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 복수의 리프트 핀 (24) 은, 핫 플레이트 (21) 를 관통하는 복수의 관통 구멍에 각각 삽입되어 있다. 가열 유닛 (8) 의 밖에서부터 관통 구멍으로의 유체의 진입은, 리프트 핀 (24) 을 둘러싸는 벨로즈 (25) 에 의해 방지된다. 가열 유닛 (8) 은, 벨로즈 (25) 대신하거나 혹은 벨로즈 (25) 에 추가하여, 리프트 핀 (24) 의 외주면과 관통 구멍의 내주면 사이의 간극을 밀폐하는 O 링을 구비하고 있어도 된다. 리프트 핀 (24) 은, 기판 (W) 의 하면에 접촉하는 반구상의 상단부를 포함한다. 복수의 리프트 핀 (24) 의 상단부는, 같은 높이에 배치되어 있다.

리프트 승강 액추에이터 (26) 는, 복수의 리프트 핀 (24) 의 상단부가 핫 플레이트 (21) 보다 상방에 위치하는 상측 위치 (도 9A 에 나타내는 위치) 와, 복수의 리프트 핀 (24) 의 상단부가 핫 플레이트 (21) 의 내부로 퇴피한 하측 위치 (도 4 에 나타내는 위치) 의 사이에서, 복수의 리프트 핀 (24) 을 연직 방향으로 이동시킨다. 리프트 승강 액추에이터 (26) 는, 전동 모터 또는 에어 실린더여도 되고, 이들 이외의 액추에이터여도 된다. 후드 승강 액추에이터 (29) 등의 다른 액추에이터에 대해서도 동일하다.

기판 (W) 이 핫 플레이트 (21) 에 지지되어 있는 상태로, 리프트 승강 액추에이터 (26) 가 복수의 리프트 핀 (24) 을 하측 위치에서 상측 위치로 상승시키면, 기판 (W) 의 하면이 핫 플레이트 (21) 의 복수의 돌출부 (23a) 로부터 떨어져, 복수의 리프트 핀 (24) 에 접촉한다. 이것과는 반대로, 기판 (W) 이 복수의 리프트 핀 (24) 에 지지되어 있는 상태로, 리프트 승강 액추에이터 (26) 가 복수의 리프트 핀 (24) 을 상측 위치에서 하측 위치로 하강시키면, 기판 (W) 의 하면이 복수의 리프트 핀 (24) 으로부터 떨어져, 핫 플레이트 (21) 의 복수의 돌출부 (23a) 에 접촉한다. 이와 같이 하여, 기판 (W) 이, 핫 플레이트 (21) 와 복수의 리프트 핀 (24) 의 사이에서 주고 받음된다.

베이스 링 (27) 은, 핫 플레이트 (21) 의 플랜지부 (23c) 의 상면 위에 배치되어 있다. 베이스 링 (27) 은, 핫 플레이트 (21) 의 직경 방향으로 간격을 두고 베이스부 (23b) 를 둘러싸고 있다. 베이스 링 (27) 의 상면은, 베이스부 (23b) 의 상면보다 하방에 배치되어 있다. O 링 (28) 은, 베이스 링 (27) 의 상면으로부터 하방으로 우묵한 환상 홈에 끼워져 있다. 후드 (30) 가 베이스 링 (27) 상에 실리면, 핫 플레이트 (21) 에 지지되어 있는 기판 (W) 을 수용하는 밀폐 공간 (SP) 이, 핫 플레이트 (21), 후드 (30), 및 베이스 링 (27) 에 의해 형성된다.

후드 승강 액추에이터 (29) 는, 상측 위치 (도 9A 에 나타내는 위치) 와 하측 위치 (도 4 에 나타내는 위치) 의 사이에서 후드 (30) 를 연직으로 이동시킨다. 상측 위치는, 기판 (W) 이 후드 (30) 의 하면과 베이스 링 (27) 의 상면 사이를 통과할 수 있도록 후드 (30) 의 하면이 베이스 링 (27) 의 상면으로부터 상방으로 떨어진 위치이다. 하측 위치는, 후드 (30) 의 하면과 베이스 링 (27) 의 상면 사이의 간극이 밀폐되어, 핫 플레이트 (21) 에 지지되어 있는 기판 (W) 을 수용하는 밀폐 공간 (SP) 이 형성되는 위치이다.

후드 (30) 는, 핫 플레이트 (21) 에 지지되어 있는 기판 (W) 의 상방에 배치되는 평면에서 볼 때 원형의 상측 플레이트 (32) 와, 기판 (W) 의 외경보다 큰 내경을 갖는 하측 링 (34) 과, 상측 플레이트 (32) 의 하면과 하측 링 (34) 의 상면 사이의 간극을 밀폐하는 환상의 판상 시일 (33) 과, 상측 플레이트 (32) 의 중심부를 관통하는 중심 관통 구멍에 삽입된 중앙 블록 (31) 을 포함한다. 중앙 블록 (31) 은, 상측 플레이트 (32) 에 지지되어 있고, 하측 링 (34) 은, 판상 시일 (33) 을 개재하여 상측 플레이트 (32) 에 연결되어 있다. 상측 플레이트 (32) 는, 기판 (W) 의 상면과 평행한 하면을 갖는 플레이트부 (32a) 를 포함한다. 중앙 블록 (31) 은, 플레이트부 (32a) 의 하면으로부터 하방으로 돌출되어 있다.

후드 (30) 의 내면은, 기판 (W) 의 상방에 배치되는 평면에서 볼 때 원형의 천장면 (41) 과, 기판 (W) 의 외경보다 큰 직경을 갖는 통상면 (43) 과, 천장면 (41) 의 외측 가장자리로부터 통상면 (43) 의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부 (42) 를 포함한다. 천장면 (41) 은, 기판 (W) 의 외경보다 큰 외경을 가지고 있다. 코너부 (42) 는, 예를 들어, L 자 형상의 연직 단면을 가지고 있다.

천장면 (41) 은, 기판 (W) 의 중심부를 지나는 연직선 (A2) 과 동축이면서 또한 수평인 중앙 수평부 (41a) 와, 중앙 수평부 (41a) 의 외측 가장자리로부터 비스듬한 위로 바깥쪽으로 연장되는 환상의 중앙 경사부 (41b) 와, 중앙 경사부 (41b) 의 외측 가장자리로부터 연직 상방으로 연장되는 환상의 중앙 연직부 (41c) 와, 중앙 연직부 (41c) 의 상단으로부터 바깥쪽으로 수평으로 연장되는 환상의 외측 수평부 (41d) 를 포함한다. 코너부 (42) 는, 외측 수평부 (41d) 의 외측 가장자리로부터 통상면 (43) 의 상측 가장자리까지 연장되어 있다.

기판 처리 장치 (1) 는, 가열 유닛 (8) 의 내부에 기체를 공급하는 급기 유닛과, 가열 유닛 (8) 내의 기체를 배출하는 배기 유닛을 포함한다. 급기 유닛은, 기체를 토출하는 복수의 급기구 (46) 와, 각 급기구 (46) 로 기체를 안내하는 공급로 (47) 를 포함한다. 배기 유닛은, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된 기체가 유입되는 배기구 (44) 와, 배기구 (44) 내에 유입된 기체를 가열 유닛 (8) 의 밖으로 안내하는 배기로 (45) 를 포함한다.

배기구 (44) 는, 후드 (30) 의 내면에 포함되는 중앙 수평부 (41a) 에서 개구되어 있다. 배기구 (44) 는, 원형 또는 타원형이다. 배기구 (44) 는, 공간만을 사이에 두고 기판 (W) 의 상면에 연직 방향으로 대향한다. 배기구 (44) 는, 급기구 (46) 보다 상방에 배치되어 있다. 배기로 (45) 는, 배기구 (44) 로부터 후드 (30) 의 외면까지 연장되어 있다. 배기로 (45) 는, 중앙 블록 (31) 에 형성되어 있다. 배기로 (45) 는, 중앙 블록 (31) 을 연직 방향으로 관통하고 있다.

급기구 (46) 는, 후드 (30) 의 내면에 포함되는 통상면 (43) 에서 개구되어 있다. 급기구 (46) 는, 원형 또는 타원형이다. 급기구 (46) 는, 둘레 방향으로 연장되는 슬롯이어도 된다. 복수의 급기구 (46) 는, 동일한 높이에 배치되어 있다. 급기구 (46) 는, 기판 (W) 의 상면보다 상방이면서 또한 후드 (30) 의 천장면 (41) 보다 하방의 높이에 배치되어 있다. 복수의 급기구 (46) 는, 핫 플레이트 (21) 의 둘레 방향으로 등간격으로 배열되어 있다.

도 4 및 도 5 에 나타내는 바와 같이, 공급로 (47) 는, 후드 (30) 의 외면으로부터 후드 (30) 의 내부로 연장되는 복수의 상류로 (47a) 와, 각 상류로 (47a) 에 접속되어 있고, 연직선 (A2) 을 둘러싸는 상류 환상로 (47b) 와, 상류 환상로 (47b) 로부터 하방으로 연장되는 복수의 중간로 (47c) 와, 각 중간로 (47c) 에 접속되어 있고, 연직선 (A2) 을 둘러싸는 하류 환상로 (47d) 와, 하류 환상로 (47d) 로부터 복수의 급기구 (46) 까지 연장되는 복수의 하류로 (47e) 를 포함한다.

상류로 (47a) 및 상류 환상로 (47b) 는, 상측 플레이트 (32) 에 형성되어 있다. 중간로 (47c) 는, 판상 시일 (33) 에 형성되어 있다. 하류 환상로 (47d) 및 하류로 (47e) 는, 하측 링 (34) 에 형성되어 있다. 상류 환상로 (47b) 및 하류 환상로 (47d) 는, 판상 시일 (33) 에 의해 서로 구획되어 있다. 중간로 (47c) 는, 상류 환상로 (47b) 로부터 하류 환상로 (47d) 까지 하방으로 연장되어 있다. 도 5 에 나타내는 바와 같이, 복수의 중간로 (47c) 는, 평면에서 보아 복수의 상류로 (47a) 와 겹쳐지지 않는 위치에 배치되어 있다.

도 4 에 나타내는 바와 같이, 하류로 (47e) 는, 하류 환상로 (47d) 의 내측에 배치되어 있다. 하류로 (47e) 는, 하류 환상로 (47d) 로부터 급기구 (46) 까지 수평으로 연장되어 있다. 급기구 (46) 는, 하류로 (47e) 로부터 공급된 기체를 연직선 (A2) 을 향하는 수평한 토출 방향 (D1) 으로 토출한다. 평면에서 보아 기판 (W) 의 상면의 중심부를 향하는 방향이면, 토출 방향 (D1) 은, 수평면에 대해 상방 또는 하방으로 기울어진 경사 방향이어도 된다.

도 7 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격, 요컨대, 기판 (W) 의 상면으로부터 천장면 (41) 까지의 연직 방향의 거리는, 기판 (W) 의 중심부에서 가장 좁고, 기판 (W) 의 외주부에서 가장 넓다. 보다 구체적으로는, 기판 (W) 의 상면의 중심부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Gc) 은, 기판 (W) 의 상면의 외주부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Ge) 보다 좁다. 간격 (Gc) 은, 기판 (W) 의 두께 (T1) 보다 넓고, 연직 방향에 대한 급기구 (46) 의 길이에 상당하는 급기구 (46) 의 직경 (D2) 보다 넓다. 간격 (Gc) 은, 급기구 (46) 의 직경 (D2) 이하여도 된다.

기판 (W) 의 상면의 중심부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Gc) 은, 기판 (W) 의 상면으로부터 배기구 (44) 까지의 연직 방향의 거리와 동등하다. 간격 (Gc) 은, 배기구 (44) 의 직경 (D3) 보다 좁고, 중앙 블록 (31) 의 돌출량, 요컨대, 외측 수평부 (41d) 로부터 중앙 수평부 (41a) 까지의 연직 방향의 거리 (G1) 보다 좁다. 중앙 블록 (31) 의 반경 (R1), 요컨대, 연직선 (A2) 으로부터 중앙 경사부 (41b) 의 외단 (상단) 까지의 직경 방향의 거리 (R1) 는, 중앙 경사부 (41b) 의 외단으로부터 통상면 (43) 까지의 직경 방향의 거리 (R2) 보다 짧다. 이들 치수는 단순한 구체예로서, 이것에 한정되는 것은 아니다.

도 8 은, 가열 유닛 (8) 에 기체를 공급하는 급기 유닛과 가열 유닛 (8) 으로부터 기체를 배출하는 배기 유닛을 나타내는 모식도이다.

급기 유닛은, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출되는 기체를 안내하는 제 1 공통 배관 (55) 과, 제 1 공통 배관 (55) 으로부터 공급된 기체를 공급로 (47) 로 안내하는 복수의 제 2 공통 배관 (56) 을 포함한다.

배기 유닛은, 배기구 (44) 로 배출된 기체를 안내하는 제 1 배기 배관 (60) 과, 제 1 배기 배관 (60) 으로부터 공급된 기체를 안내하는 제 2 배기 배관 (61) 과, 제 2 배기 배관 (61) 을 흐르는 기체에 포함되는 오존을 제거하는 오존 필터 (62) 를 포함한다.

급기 유닛은, 오존 가스 생성 유닛 (51) 에서 생성된 오존 가스를 안내하는 제 1 오존 가스 배관 (52) 과, 제 1 오존 가스 배관 (52) 으로부터 공급된 오존 가스를 제 1 공통 배관 (55) 으로 안내하는 제 2 오존 가스 배관 (53) 과, 제 2 오존 가스 배관 (53) 사이에 장착된 오존 가스 공급 밸브 (54) 를 포함한다.

급기 유닛은, 또한, 질소 가스 공급원으로부터 공급된 질소 가스를 안내하는 제 1 질소 가스 배관 (57) 과, 제 1 질소 가스 배관 (57) 으로부터 공급된 질소 가스를 제 1 공통 배관 (55) 으로 안내하는 제 2 질소 가스 배관 (58) 과, 제 2 질소 가스 배관 (58) 사이에 장착된 질소 가스 공급 밸브 (59) 를 포함한다.

도시하지는 않지만, 오존 가스 공급 밸브 (54) 는, 유로를 형성하는 밸브 보디와, 유로 내에 배치된 밸브체와, 밸브체를 이동시키는 액추에이터를 포함한다. 다른 밸브에 대해서도 동일하다. 액추에이터는, 공압 액추에이터 또는 전동 액추에이터여도 되고, 이들 이외의 액추에이터여도 된다. 제어 장치 (3) 는, 액추에이터를 제어함으로써, 오존 가스 공급 밸브 (54) 를 개폐시킨다.

오존 가스 생성 유닛 (51) 은, 기판 (W) 의 처리에 적절한 고농도의 오존 가스를 생성하는 유닛이다. 오존 가스에 포함되는 오존의 농도의 구체예는, 250 ∼ 300 g/㎥ 이다. 오존 가스 생성 유닛 (51) 은, 기판 처리 장치 (1) 내에 배치되어 있어도 되고, 기판 처리 장치 (1) 의 밖에 배치되어 있어도 된다. 후자의 경우, 오존 가스 생성 유닛 (51) 은, 기판 처리 장치 (1) 의 주위에 배치되어 있어도 되고, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되는 클린 룸의 아래 (지하) 에 배치되어 있어도 된다.

오존 가스 공급 밸브 (54) 가 열리면, 오존 가스 생성 유닛 (51) 에서 생성된 오존 가스가, 제 1 오존 가스 배관 (52), 제 2 오존 가스 배관 (53), 제 1 공통 배관 (55), 및 제 2 공통 배관 (56) 을 이 순서대로 통하여 가열 유닛 (8) 에 공급되고, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된다. 마찬가지로, 질소 가스 공급 밸브 (59) 가 열리면, 질소 가스가, 제 1 질소 가스 배관 (57), 제 2 질소 가스 배관 (58), 제 1 공통 배관 (55), 및 제 2 공통 배관 (56) 을 이 순서대로 통하여, 가열 유닛 (8) 에 공급되고, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된다.

오존 가스는, 가열 유닛 (8) 이 닫혀 있는 상태, 요컨대, 후드 (30) 가 하측 위치에 위치하고 있는 상태에서, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된다. 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된 오존 가스는, 배기구 (44) 를 통하여 제 1 배기 배관 (60) 으로 배출된다. 제 1 배기 배관 (60) 내의 오존 가스는, 제 2 배기 배관 (61) 으로 흘러, 오존 필터 (62) 를 통과한다. 이로써, 제 2 배기 배관 (61) 을 흐르는 기체에 포함되는 오존의 농도가 저하된다. 오존 필터 (62) 를 통과한 기체는, 기판 처리 장치 (1) 가 설치되는 공장에 형성된 배기 설비를 향하여 안내된다.

도 9A ∼ 도 9F 는, 도 2 에 나타내는 드라이 처리 공정 (스텝 S2) 이 실시되고 있을 때의 가열 유닛 (8) 의 상태의 일례를 나타내는 모식도이다.

도 9A 에 나타내는 바와 같이, 드라이 처리 유닛 (2D) 으로 기판 (W) 을 반입할 때에는, 셔터 개폐 액추에이터 (63) 가 셔터 (5) 를 열림 위치에 위치시키고, 후드 승강 액추에이터 (29) 및 리프트 승강 액추에이터 (26) 가 후드 (30) 및 복수의 리프트 핀 (24) 을 상측 위치에 위치시킨다. 이 상태에서, 센터 로봇 (CR) 은, 핸드 (H) 에 의해 기판 (W) 을 지지하면서, 핸드 (H) 를 드라이 챔버 (4) 안으로 진입시킨다. 그 후, 디바이스 형성면인 표면이 위로 향한 기판 (W) 이 복수의 리프트 핀 (24) 상에 놓인다. 기판 (W) 은, 센터 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 에 의해 복수의 리프트 핀 (24) 상에 놓여져도 되고, 실내 반송 기구 (6) (도 1 참조) 에 의해 복수의 리프트 핀 (24) 상에 놓여져도 된다.

센터 로봇 (CR) 은, 핸드 (H) 상의 기판 (W) 을 드라이 처리 유닛 (2D) 에 건네준 후, 핸드 (H) 를 드라이 챔버 (4) 의 밖으로 이동시킨다. 그 후, 셔터 개폐 액추에이터 (63) 가 셔터 (5) 를 닫힘 위치로 이동시켜, 드라이 챔버 (4) 의 반입 반출구를 닫는다. 또한, 도 9B 에 나타내는 바와 같이, 리프트 승강 액추에이터 (26) 가, 복수의 리프트 핀 (24) 을 하측 위치로 이동시키고, 후드 승강 액추에이터 (29) 가, 후드 (30) 를 하측 위치로 이동시킨다. 이로써, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (21) 에 지지된다. 핫 플레이트 (21) 는, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (21) 에 지지되기 전부터 실온보다 높은 온도 (예를 들어, 100 ℃ 이상) 로 유지되고 있다. 기판 (W) 이 핫 플레이트 (21) 에 지지되면, 기판 (W) 의 가열이 개시된다.

다음으로, 도 9C 에 나타내는 바와 같이, 오존 가스 공급 밸브 (54) 가 열리고, 복수의 급기구 (46) 가 오존 가스의 토출을 개시한다. 오존 가스는, 복수의 급기구 (46) 로부터 기판 (W) 의 중심을 향해 기판 (W) 의 상면을 따라 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 외주로부터 기판 (W) 의 상면의 중심을 향해 흐르는 복수의 기류가 형성된다. 밀폐 공간 (SP) 내의 공기는, 오존 가스에 의해 배기구 (44) 쪽으로 인도되고, 배기구 (44) 를 통해서 밀폐 공간 (SP) 의 밖으로 배출된다. 이로써, 밀폐 공간 (SP) 이 오존 가스로 채워진다.

또한, 밀폐 공간 (SP) 내의 오존 가스는, 나중에 토출된 오존 가스에 의해 배기구 (44) 쪽으로 인도되고, 배기구 (44) 를 통해서 밀폐 공간 (SP) 의 밖으로 배출된다. 따라서, 밀폐 공간 (SP) 은, 복수의 급기구 (46) 로부터 토출된 직후의 오존 가스로 계속해서 채워진다. 급기구 (46) 로부터 토출된 오존 가스는, 단시간에 농도가 대폭 저하되기 쉽다. 따라서, 농도의 저하가 작은 오존 가스, 요컨대, 활성이 높은 오존 가스가 기판 (W) 의 상면에 계속해서 공급된다.

도 10 은, 기판 (W) 의 상면을 따라 기판 (W) 의 외주로부터 기판 (W) 의 중심으로 흐르는 기체의 흐름에 대해서 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 급기구 (46) 로부터 토출된 오존 가스는, 후드 (30) 의 외측 수평부 (41d) 와 기판 (W) 의 상면의 외주부 사이를 안쪽으로 흐른다. 그 후, 오존 가스는, 후드 (30) 의 중앙 경사부 (41b) 에 의해 기판 (W) 의 상면 쪽으로 안내되면서, 기판 (W) 의 상면과 후드 (30) 의 내면 사이를 안쪽으로 흐른다. 계속해서, 오존 가스는, 후드 (30) 의 중앙 수평부 (41a) 와 기판 (W) 의 상면 사이를 안쪽으로 흘러, 배기구 (44) 로 배출된다.

이와 같이, 기판 (W) 의 상면으로부터 배기구 (44) 까지의 거리가 짧기 때문에, 오존 가스는, 기판 (W) 의 상면의 중심부를 따라 흐른 후, 배기구 (44) 로 배출된다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 중심부에서 기체가 체류하기 어렵고, 여기에 존재하는 오존 가스가 새로운 오존 가스로 치환되기 쉽다. 또한 중앙 경사부 (41b) 및 중앙 수평부 (41a) 에서는, 기판 (W) 의 상면으로부터 상방으로 떨어진 위치를 흐르는 오존 가스, 요컨대, 오존 가스와 레지스트의 반응이나 오존 가스의 온도 상승에서 기인하는 활성의 저하가 작은 오존 가스가, 기판 (W) 쪽으로 안내되므로, 기판 (W) 의 상면의 중심부에서의 처리 속도를 더욱 높일 수 있다.

오존 가스 공급 밸브 (54) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 오존 가스 공급 밸브 (54) 가 닫히고, 오존 가스의 토출이 정지된다. 그 후, 도 9D 에 나타내는 바와 같이, 질소 가스 공급 밸브 (59) 가 열리고, 복수의 급기구 (46) 가 질소 가스의 토출을 개시한다. 밀폐 공간 (SP) 내의 오존 가스는, 질소 가스에 의해 배기구 (44) 쪽으로 인도되어, 배기구 (44) 를 통해서 밀폐 공간 (SP) 의 밖으로 배출된다. 이로써, 밀폐 공간 (SP) 내의 오존 가스가 질소 가스로 치환된다. 질소 가스 공급 밸브 (59) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 질소 가스 공급 밸브 (59) 가 닫히고, 질소 가스의 토출이 정지된다.

다음으로, 도 9E 에 나타내는 바와 같이, 리프트 승강 액추에이터 (26) 가, 복수의 리프트 핀 (24) 을 상측 위치로 이동시키고, 후드 승강 액추에이터 (29) 가, 후드 (30) 를 상측 위치로 이동시킨다. 또한, 도 9F 에 나타내는 바와 같이, 셔터 개폐 액추에이터 (63) 가 셔터 (5) 를 열림 위치로 이동시킨다. 핫 플레이트 (21) 상의 기판 (W) 은, 복수의 리프트 핀 (24) 에 의해 들어 올려진다. 센터 로봇 (CR) 은, 기판 (W) 이 냉각 유닛 (7) (도 1 참조) 에 의해 냉각된 후, 핸드 (H) 에 의해 기판 (W) 을 수취한다. 그 후, 센터 로봇 (CR) 은, 핸드 (H) 상의 기판 (W) 을 웨트 처리 유닛 (2W) 에 반입시킨다.

이상과 같이 본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 상면의 중심부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Gc) 이, 기판 (W) 의 상면의 외주부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Ge) 보다 좁다. 그 때문에, 급기구 (46) 로부터 토출된 기체는, 천장면 (41) 에 의해 기판 (W) 의 상면의 중심부로 안내된다. 이로써, 기체의 유동성이 상대적으로 낮은 체류역이 배기구 (44) 의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있어, 기판 (W) 의 처리의 균일성을 높일 수 있다.

또한, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격은, 도처에서 좁은 것이 아니라, 기판 (W) 의 상면의 중심부에서만 좁다. 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격이 도처에서 좁으면, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 사이의 공간에 공급되는 기체에 가해지는 저항이 증가하여, 당해 공간에서의 원활한 기체의 흐름이 저해될 수 있다. 따라서, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격을 국소적으로 좁게 함으로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 체류역이 배기구 (44) 의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.

또, 기류를 갑자기 기판 (W) 의 상면 쪽으로 방향 전환시키면, 기류의 흐트러짐이 발생할 수 있다. 본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 사이의 공간을 안쪽으로 흐르는 기체가, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격이 감소함에 따라서 기판 (W) 의 상면 쪽으로 단계적 또는 연속적으로 안내된다. 이로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 기판 (W) 의 중심을 향해 흐르는 기류를 기판 (W) 의 상면에 서서히 근접시킬 수 있다.

본 실시형태에서는, 연직선 (A2) 을 향해 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 중앙 경사부 (41b) 가, 천장면 (41) 에 형성되어 있다. 바꾸어 말하면, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격은, 기판 (W) 의 상면의 중심부에 가까워짐에 따라서 연속적으로 감소하고 있다. 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 사이의 공간을 안쪽으로 흐르는 기체는, 천장면 (41) 의 중앙 경사부 (41b) 에 의해 기판 (W) 의 상면 쪽으로 연속적으로 안내된다. 따라서, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 기판 (W) 의 중심을 향해 흐르는 기체를 기판 (W) 의 상면에 서서히 근접시킬 수 있다.

본 실시형태에서는, 기판 (W) 의 상면의 중심부와 천장면 (41) 의 간격 (Gc) 은, 기판 (W) 의 상면의 외주부와 천장면 (41) 의 간격 (Ge) 보다 좁을 뿐만 아니라, 기판 (W) 의 두께 (T1) 보다 넓다. 배기구 (44) 는, 천장면 (41) 에 있어서 기판 (W) 의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구되어 있다. 기판 (W) 의 상면으로부터 배기구 (44) 까지의 연직 방향의 거리는, 기판 (W) 의 두께 (T1) 보다 넓다. 배기구 (44) 가 기판 (W) 의 상면에 지나치게 가까우면, 배기구 (44) 와 기판 (W) 의 사이로 진입하고자 하는 기체에 커다란 저항이 가해진다. 따라서, 배기구 (44) 를 적당한 거리만큼 기판 (W) 의 상면으로부터 떨어뜨려 놓음으로써, 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지하면서, 체류역이 배기구 (44) 의 바로 아래에 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.

급기구 (46) 가 기체를 연직으로 토출하는 경우, 토출된 기체는, 대략 90 도 방향 전환한 후, 기판 (W) 의 중심을 향해 안쪽으로 흐른다. 본 실시형태에서는, 급기구 (46) 가, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 사이의 공간에 수평으로 대향하고 있다. 급기구 (46) 로부터 토출된 기체는, 큰 각도로 방향 전환하지 않고, 기판 (W) 의 상면을 따라 안쪽으로 흐른다. 따라서, 급기구 (46) 가 기체를 연직으로 토출하는 경우와 비교하여, 기판 (W) 의 외주부에서의 기류의 흐트러짐의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.

본 실시형태에서는, 기판 (W) 에 액체를 공급하지 않고 당해 기판 (W) 을 처리하는 드라이 처리 공정이, 드라이 처리 유닛 (2D) 에 의해 실행된다. 그 후, 센터 로봇 (CR) 이, 기판 (W) 을 드라이 처리 유닛 (2D) 으로부터 웨트 처리 유닛 (2W) 으로 반송한다. 웨트 처리 유닛 (2W) 에서는, 기판 (W) 에 처리액을 공급하는 웨트 처리 공정이 실행된다. 따라서, 동일한 기판 처리 장치 (1) 에 의해, 드라이 처리 공정 및 웨트 처리 공정의 양방을 실행할 수 있다. 그리고, 드라이 처리 공정 및 웨트 처리 공정이 별도의 유닛에 의해 실행되므로, 각 유닛의 복잡화를 억제 또는 방지할 수 있다.

오존 가스는, 기판 (W) 과 반응하는 반응 가스의 일례이다. 본 실시형태에서는, 급기구 (46) 로부터 토출된 오존 가스가 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 레지스트의 패턴 (PR) 은, 레지스트와 오존 가스의 반응에 의해 기화 또는 변질된다. 또한, 오존 가스는, 히터 (22) 에 의해 가열되어 있는 기판 (W) 의 상면에 공급된다. 이로써, 레지스트와 오존 가스의 반응을 촉진시킬 수 있어, 레지스트의 패턴 (PR) 을 균일하게 단시간에 오존 가스와 반응시킬 수 있다.

기타 실시형태

본 발명은 전술한 실시형태의 내용으로 한정되는 것이 아니고, 여러 가지의 변경이 가능하다.

예를 들어, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 후드 (30) 의 내면에 포함되는 코너부 (42) 의 연직 단면은, L 자 형상에 한정되지 않고, 원호상이어도 되며, 이들 이외의 형상이어도 된다.

코너부 (42) 의 연직 단면이 L 자 형상인 경우, 체류역이 코너부 (42) 에 발생할 수 있다. 따라서, 원호상의 연직 단면을 갖는 코너부 (42) 를 후드 (30) 에 형성함으로써, 이와 같은 체류역의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다.

도 12 에 나타내는 바와 같이, 상측 플레이트 (32) 의 플레이트부 (32a) 의 하면은, 기판 (W) 의 상면과 평행하지 않아도 된다. 도 12 는, 중앙 블록 (31) 이 생략되고, 중앙 수평부 (41a) 와 외측 경사부 (41e) 가 플레이트부 (32a) 의 하면에 형성되어 있는 예를 나타내고 있다. 외측 경사부 (41e) 는, 후드 (30) 의 천장면 (41) 의 외측 가장자리로부터 중앙 수평부 (41a) 의 외측 가장자리까지 비스듬한 하방으로 연장되어 있다.

기판 (W) 의 상면의 중심부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Gc) 이, 기판 (W) 의 상면의 외주부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Ge) 보다 좁으면, 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격은, 기판 (W) 의 상면의 외주부에서 가장 넓지 않아도 된다.

기판 (W) 의 상면의 외주부에서의 기판 (W) 의 상면과 천장면 (41) 의 간격 (Ge) 은, 전체 둘레에 걸쳐서 일정해도 되고, 둘레 방향의 위치에 따라서 변화되어 있어도 된다. 중심부를 제외한 기판 (W) 의 상면의 다른 부분에서의 간격에 대해서도 동일하다.

급기구 (46) 는, 평면에서 보아 기판 (W) 의 상면의 중심부를 향하는 방향으로 한정되지 않고, 급기구 (46) 로부터 상방 또는 하방으로 연장되는 연직 방향으로 기체를 토출해도 된다. 요컨대, 토출 방향 (D1) 은, 급기구 (46) 로부터 상방 또는 하방으로 연장되는 연직 방향이어도 된다.

급기구 (46) 로부터 토출되는 기체는, 오존 가스 이외의 기체여도 된다. 예를 들어, 불화수소나 IPA (이소프로필알코올) 등의 기판 (W) (실리콘 웨이퍼 등의 기판 (W) 의 모재 및 모재 상에 형성된 박막을 포함한다) 과 반응하는 물질을 포함하는 기체여도 되고, 드라이 에어나 클린 에어여도 된다.

오존 가스, 불화수소를 포함하는 기체 및 IPA 를 포함하는 기체는, 기판 (W) 과 반응하는 반응 가스의 예이고, 드라이 에어나 클린 에어는, 기판 (W) 과 반응하지 않는 가스의 예이다. 불화수소를 포함하는 기체는, 불화수소산의 증기여도 되고, 불화수소산의 증기 또는 미스트와 캐리어 가스 (예를 들어, 불활성 가스) 를 포함하는 기체여도 된다. IPA 를 포함하는 기체에 대해서도 동일하다.

히터 (22) 가 기판 처리 장치 (1) 로부터 생략되어도 된다. 마찬가지로, 웨트 처리 유닛 (2W) 이 기판 처리 장치 (1) 로부터 생략되어도 된다.

기판 처리 장치 (1) 는, 원판상의 기판 (W) 을 처리하는 장치에 한정되지 않고, 다각형의 기판 (W) 을 처리하는 장치여도 된다.

전술한 모든 구성의 2 가지 이상이 조합되어도 된다. 전술한 모든 공정의 2 가지 이상이 조합되어도 된다.

이 출원은, 2016년 9월 26일에 일본국 특허청에 제출된 일본 특허출원 2016-187093호에 대응하고 있으며, 이 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 도입되는 것으로 한다. 본 발명의 실시형태에 대해서 상세히 설명하였지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해 이용된 구체예에 불과하며, 본 발명은 이들 구체예로 한정하여 해석되어야 하는 것이 아니라, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부한 청구범위에 의해서만 한정된다.

1 : 기판 처리 장치
2D : 드라이 처리 유닛
2W : 웨트 처리 유닛
8 : 가열 유닛
21 : 핫 플레이트
22 : 히터
23 : 지지 부재
30 : 후드
41 : 후드의 천장면
41a : 천장면의 중앙 수평부
41b : 천장면의 중앙 경사부
41c : 천장면의 중앙 연직부
41d : 천장면의 외측 수평부
41e : 천장면의 외측 경사부
42 : 후드의 코너부
43 : 후드의 통상면
44 : 배기구
46 : 급기구
51 : 오존 가스 생성 유닛
52 : 제 1 오존 가스 배관 (반응 가스 공급 유닛, 오존 가스 공급 유닛)
53 : 제 2 오존 가스 배관 (반응 가스 공급 유닛, 오존 가스 공급 유닛)
54 : 오존 가스 공급 밸브 (반응 가스 공급 유닛, 오존 가스 공급 유닛)
55 : 제 1 공통 배관
56 : 제 2 공통 배관
60 : 제 1 배기 배관
61 : 제 2 배기 배관
62 : 오존 필터
A2 : 연직선
CR : 센터 로봇
D1 : 토출 방향
Gc : 기판의 상면의 중심부와 천장면의 간격
Ge : 기판의 상면의 외주부와 천장면의 간격
IR : 인덱서 로봇
PF : 박막의 패턴
PR : 레지스트의 패턴
SH : 셔틀
T1 : 기판의 두께
W : 기판

Claims

기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치된 급기구로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구를 포함하고, 상기 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에, 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 유닛과,
상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 포함하고, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를 상기 배기구를 통하여 배출하는 배기 유닛을 구비하고,
상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부로부터 상기 기판의 상면의 중심부까지 상기 연직선에 가까워짐에 따라서 단계적 또는 연속적으로 감소하는, 기판 처리 장치.
제 1 항에 있어서,
상기 천장면은, 상기 연직선을 향하여 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사부를 포함하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁고, 상기 기판의 두께보다 넓은, 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치되어 있으며, 상기 기판에 공급되는 열을 발생시키는 히터를 추가로 구비하고,
상기 급기 유닛은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 급기구에 공급하는 반응 가스 공급 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 처리액으로 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 유닛과, 상기 지지 부재 및 후드를 포함하는 드라이 처리 유닛으로부터 상기 웨트 처리 유닛으로 상기 기판을 반송하는 반송 유닛을 추가로 구비하는, 기판 처리 장치.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판의 상면에 형성된 박막의 패턴의 위에 위치하는 레지스트의 패턴을 제거하는 장치인, 기판 처리 장치.
제 6 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치되어 있으며, 상기 기판에 공급되는 열을 발생시키는 히터를 추가로 구비하고,
상기 급기 유닛은, 오존 가스를 상기 급기구에 공급하는 오존 가스 공급 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치된 급기구로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구를 포함하고, 상기 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에, 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 유닛과,
상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 포함하고, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를 상기 배기구를 통하여 배출하는 배기 유닛을 구비하고,
상기 후드는, 원호상의 연직 단면을 가지고 있고, 상기 천장면의 외측 가장자리로부터 상기 통상면의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
기판을 수평으로 지지하는 지지 부재와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드와,
상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치된 급기구로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구를 포함하고, 상기 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에, 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 유닛과,
상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 포함하고, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를 상기 배기구를 통하여 배출하는 배기 유닛을 구비하고,
상기 급기구는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면보다 상방이면서 또한 상기 천장면보다 하방의 높이에 배치되어 있고, 평면에서 볼 때, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면의 중심부를 향하는 토출 방향으로 기체를 토출하는, 기판 처리 장치.
기판을 지지 부재에 의해 수평으로 지지하는 지지 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드의 내부에 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 배치하는 커버 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치되고, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를, 상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 배출하는 배기 공정을 포함하고,
상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부로부터 상기 기판의 상면의 중심부까지 상기 연직선에 가까워짐에 따라서 단계적 또는 연속적으로 감소하는, 기판 처리 방법.
제 10 항에 있어서,
상기 천장면은, 상기 연직선을 향하여 비스듬한 하방으로 연장되는 환상의 경사부를 포함하는, 기판 처리 방법.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격은, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁고, 상기 기판의 두께보다 넓은, 기판 처리 방법.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 급기구는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면보다 상방이면서 또한 상기 천장면보다 하방의 높이에 배치되어 있고, 평면에서 볼 때, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면의 중심부를 향하는 토출 방향으로 기체를 토출하는, 기판 처리 방법.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 기판 처리 방법은, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치된 히터가 발생시킨 열로 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 추가로 포함하고,
상기 급기 공정은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 급기구로부터 토출하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 지지 공정, 커버 공정, 급기 공정, 및 배기 공정이 실행되는 드라이 처리 유닛으로부터, 처리액으로 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 유닛으로 반송 유닛에 의해 상기 기판을 반송하는 반송 공정과,
상기 반송 공정이 실행된 후, 상기 웨트 처리 유닛에 의해 상기 기판을 처리하는 웨트 처리 공정을 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
제 10 항 또는 제 11 항에 있어서,
상기 기판 처리 방법은, 상기 기판과 반응하는 반응 가스를 상기 기판에 공급함으로써, 상기 기판의 상면에 형성된 박막의 패턴의 위에 위치하는 레지스트의 패턴을 제거하는 방법인, 기판 처리 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 기판 처리 방법은, 상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 하방에 배치된 히터가 발생시킨 열로 상기 기판을 가열하는 가열 공정을 추가로 포함하고,
상기 급기 공정은, 오존 가스를 상기 급기구로부터 토출하는 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
기판을 지지 부재에 의해 수평으로 지지하는 지지 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드의 내부에 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 배치하는 커버 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치되고, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를, 상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 배출하는 배기 공정을 포함하고,
상기 후드는, 원호상의 연직 단면을 가지고 있고, 상기 천장면의 외측 가장자리로부터 상기 통상면의 상측 가장자리로 연장되는 환상의 코너부를 추가로 포함하는, 기판 처리 방법.
기판을 지지 부재에 의해 수평으로 지지하는 지지 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면에 대향하는 천장면과 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 둘러싸는 통상면을 포함하고, 상기 기판의 상면의 중심부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격이, 상기 기판의 상면의 외주부에서의 상기 기판의 상면과 상기 천장면의 간격보다 좁아지도록 형성된 후드의 내부에 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판을 배치하는 커버 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판보다 외측에 배치되고, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 중심부를 지나는 연직선을 둘러싸는 환상의 급기구로부터 토출된 기체를, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 공간에 당해 공간의 주위로부터 공급하는 급기 공정과,
상기 지지 공정과 병행하여 실행되는 공정으로서, 상기 기판의 상면과 상기 천장면 사이의 기체를, 상기 천장면에 있어서 상기 기판의 상면의 중심부에 대향하는 위치에서 개구하는 배기구를 통하여 배출하는 배기 공정을 포함하고,
상기 급기구는, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면보다 상방이면서 또한 상기 천장면보다 하방의 높이에 배치되어 있고, 평면에서 볼 때, 상기 지지 부재에 지지되어 있는 상기 기판의 상면의 중심부를 향하는 토출 방향으로 기체를 토출하는, 기판 처리 방법.
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