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KR102111803B1 - 표면 처리제 및 표면 처리 방법 - Google Patents

표면 처리제 및 표면 처리 방법 Download PDF

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KR102111803B1
KR102111803B1 KR1020130013385A KR20130013385A KR102111803B1 KR 102111803 B1 KR102111803 B1 KR 102111803B1 KR 1020130013385 A KR1020130013385 A KR 1020130013385A KR 20130013385 A KR20130013385 A KR 20130013385A KR 102111803 B1 KR102111803 B1 KR 102111803B1
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도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
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Abstract

기판 표면의 소수화 처리에 사용되는 표면 처리제에, 디메틸아미노기를 갖는 특정한 구조의 모노실란 화합물 또는 비스실란 화합물을 함유시킨다.

Description

표면 처리제 및 표면 처리 방법 {SURFACE TREATMENT AGENT AND SURFACE TREATMENT METHOD}
본 발명은 기판 표면의 소수화 처리에 사용되는 표면 처리제 및 그것을 사용한 표면 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 디바이스 등의 제조에 있어서는, 기판에 무기 패턴을 형성할 때에 리소그래피 기술이 사용되고 있다. 이 리소그래피 기술에서는, 감광성 수지 조성물을 사용하여 기판 상에 감광성 수지층을 형성하고, 이어서 이것에 활성 방사선을 선택적으로 조사 (노광) 하고, 현상 처리를 실시함으로써 기판 상에 수지 패턴 (레지스트 패턴) 을 형성한다. 그리고, 그 수지 패턴을 마스크로 하여 기판을 에칭함으로써 무기 패턴을 형성한다.
그런데, 최근 반도체 디바이스의 고집적화, 미세화의 경향이 높아져, 무기 패턴의 미세화·고애스펙트비화가 진행되고 있다. 그러나 그 한편에선, 이른바 패턴 쓰러짐의 문제가 발생되게 되었다. 이 패턴 쓰러짐은, 기판 상에 다수의 무기 패턴을 병렬하여 형성시킬 때, 인접하는 패턴끼리가 서로 기대어지도록 근접하고, 경우에 따라서는 패턴이 기부 (基部) 로부터 파손되거나 하는 현상을 말한다. 이러한 패턴 쓰러짐이 발생하면 원하는 제품이 얻어지지 않기 때문에, 제품의 생산율이나 신뢰성 저하를 야기하게 된다.
이 패턴 쓰러짐은, 패턴 형성 후의 린스 처리에 있어서, 린스액이 건조될 때 그 린스액의 표면장력에 의해 발생하는 것이 알려져 있다. 요컨대, 건조 과정에서 린스액이 제거될 때에, 패턴 사이로 린스액의 표면장력에 근거하는 응력이 작용하여 패턴 쓰러짐이 발생하게 된다.
그래서, 지금까지 린스액에 표면장력을 저하시키는 물질 (이소프로판올, 불소계 계면활성제 등) 을 첨가하여 패턴 쓰러짐을 방지하는 시도가 많이 이루어져 왔는데 (예를 들어, 특허문헌 1, 2 를 참조), 이러한 린스액의 연구만으로는 패턴 쓰러짐의 방지가 불충분하였다.
일본 공개특허공보 평6-163391호 일본 공개특허공보 평7-142349호 일본 공표특허공보 평11-511900호 일본 공개특허공보 2011-122137호
그런데, 패턴 쓰러짐과는 다르지만, 마스크가 되는 수지 패턴과 기판 표면의 밀착성을 향상시키고, 현상액에 의한 수지 패턴의 일부 손실을 방지하기 위해서, 기판에 감광성 수지층을 형성하기 전에 헥사메틸디실라잔 (HMDS) 등의 실릴화제를 사용한 소수화 처리 (실릴화 처리) 가 기판 표면에 대하여 실시되고 있다 (예를 들어, 특허문헌 3 의 「발명의 배경」 참조).
본 발명자들은 무기 패턴의 표면을 실릴화제에 의해 소수화하면 린스 처리 후의 건조 과정에서 패턴 사이에 작용하는 응력이 저하되어 패턴 쓰러짐을 방지할 수 있지는 않을까 생각하여, HMDS, N,N-디메틸아미노트리메틸실란 (DMATMS) 등의 몇 가지 실릴화제를 이용해서 각종 기판에 대해 소수화 처리를 시도하였다. 그러나, 기판 표면의 재질이 Si 인 경우에는 고도로 소수화할 수 있었지만, 기판 표면의 재질이 TiN 이나 SiN 인 경우에는, 어떠한 실릴화제에 의해서도 소수화의 정도가 불충분하였다.
또한, 웨트 에칭에 의해 무기 패턴이 형성되는 경우, 플루오르산에 의해 기판 표면이 처리되는 경우가 있는데, 이 경우, 상기 실릴화제에 의한 기판 표면의 소수화가 보다 곤란해지는 경향이 있다. 기판 표면의 재질이 TiN 이나 SiN 인 경우에는 이 경향이 현저하다.
이러한 문제에 대하여, 2,2,5,5-테트라메틸-2,5-디실라-1-아자시클로펜탄 등의 고리형 실라잔 화합물을 실릴화제로서 사용함으로써, 표면 재질이 TiN 이나 SiN 인 기판을 소수화할 수 있음이 알려져 있다 (특허문헌 4 를 참조). 그러나, 고리형 실라잔 화합물을 사용하는 경우, 반도체 디바이스의 제조에서 널리 사용되고 있는, 표면 재질이 실리콘인 기판을 약간 소수화하기 힘든 경우가 있다.
본 발명은 이러한 종래의 실정을 감안하여 이루어진 것으로, 기판 표면이 플루오르산에 의해 처리되어 있는 경우라도 기판 표면의 재질이 실리콘인 기판을 고도로 소수화할 수 있으며, 또한 기판 표면의 재질이 TiN 또는 SiN 인 경우라도 고도로 소수화할 수 있는 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭하였다. 그 결과, 기판 표면의 소수화 처리에 사용되는 표면 처리제에, 디메틸아미노기를 갖는 특정한 구조의 모노실란 화합물 또는 비스실란 화합물을 함유시킴으로써 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아내어, 본 발명을 완성하기에 이르렀다. 구체적으로는, 본 발명은 이하의 것을 제공한다.
본 발명의 제 1 양태는 기판 표면의 소수화 처리에 사용되고, 하기 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 함유하는 표면 처리제이다.
R1 aSi[N(CH3)2]4-a … (1)
(식 (1) 에 있어서, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 또는 분기사슬 지방족 탄화수소기이고, a 는 1 또는 2 이다)
R2 b[N(CH3)2]3-bSi-R4-SiR3 c[N(CH3)2]3-c … (2)
(식 (2) 에 있어서, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬기이고, R4 는 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기이고, b 및 c 는 각각 독립적으로 0 ∼ 2 의 정수이다)
본 발명의 제 2 양태는 기판 표면에 제 1 양태에 관련된 표면 처리제를 노출시켜, 기판 표면을 소수화하는 표면 처리 방법이다.
본 발명에 의하면, 기판 표면이 플루오르산에 의해 처리되어 있는 경우라도 기판 표면의 재질이 실리콘인 기판을 고도로 소수화할 수 있으며, 또한 기판 표면의 재질이 TiN 또는 SiN 인 경우라도 고도로 소수화할 수 있는 표면 처리제, 및 그와 같은 표면 처리제를 사용한 표면 처리 방법을 제공할 수 있다.
<표면 처리제>
먼저, 본 발명에 관련된 표면 처리제에 관해서 설명한다. 본 발명에 관련된 표면 처리제는 기판 표면을 소수화할 때에 바람직하게 사용된다. 여기서, 「기판」으로는, 반도체 디바이스 제조를 위해 사용되는 기판을 들 수 있다. 또한, 「기판 표면」으로는, 기판 자체의 표면 외에 기판 상에 형성된 무기 패턴의 표면, 또는 패턴화되어 있지 않은 무기층의 표면 등을 들 수 있다.
기판 상에 형성된 무기 패턴으로는, 기판에 존재하는 무기층의 표면에 리소그래피 기술을 사용하여 수지 패턴 (레지스트 패턴) 을 형성하고, 그 수지 패턴을 마스크로 하여 무기층에 에칭 처리를 실시함으로써 제작된 패턴을 들 수 있다. 무기층으로는, 기판 자체 외에 기판 표면에 형성한 무기물의 막 등을 들 수 있다.
특히, 본 발명에 관련된 표면 처리제는, 기판 표면의 재질이 실리콘인 경우에 추가하여, 기판 표면의 재질이 TiN 또는 SiN 인 경우에 바람직하게 사용된다. 종래, 기판 표면의 소수화에 사용되어 온 헥사메틸디실라잔 (HMDS) 이나 고리형 실라잔 화합물 등의 실릴화제로는, 기판 표면의 재질이 실리콘인 경우와 TiN 또는 SiN 인 경우에서 기판 표면의 고도한 소수화를 양립시킬 수가 없었다. 그러나, 본 발명에 관련된 표면 처리제에 의하면, 기판 표면의 재질이 실리콘인 경우와 TiN 또는 SiN 인 경우에서 기판 표면의 고도한 소수화를 양립시킬 수 있어, 폭넓은 재료로 이루어지는 기판의 소수화에 적용 가능한 표면 처리제를 제공할 수 있다.
또한, 기판 표면이 플루오르산에 의해 처리되어 있는 경우, 기판 표면의 소수화가 곤란해지는 경향이 있는데, 본 발명에 관련된 표면 처리제에 의하면, 기판 표면이 플루오르산에 의해 처리되어 있는 경우라도 기판 표면을 양호하게 소수화할 수 있다.
본 발명에 관련된 표면 처리제는, 가열이나 버블링 등의 수단에 의해서 기화시킨 다음, 기화된 표면 처리제를 기판의 표면에 접촉시켜 표면 처리하기 위해서 사용되어도 되고, 스핀 코트법이나 침지법 등의 수단에 의해 액체인 채로 기판의 표면에 도포하여 표면 처리하기 위해서 사용되어도 된다.
본 발명에 관련된 표면 처리제는 실릴화제로서 하기 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 함유한다.
R1 aSi[N(CH3)2]4-a … (1)
(식 (1) 에 있어서, R1 은 각각 독립적으로 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 또는 분기사슬 지방족 탄화수소기이고, a 는 1 또는 2 이다)
R2 b[N(CH3)2]3-bSi-R4-SiR3 c[N(CH3)2]3-c … (2)
(식 (2) 에 있어서, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬기이고, R4 는 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기이고, b 및 c 는 각각 독립적으로 0 ∼ 2 의 정수이다)
표면 처리제는 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 복수 함유하고 있어도 되고, 식 (1) 로 나타내는 화합물과 식 (2) 로 나타내는 화합물을 조합하여 함유하고 있어도 된다. 이하, 표면 처리제에 함유되는 성분에 관해서 상세히 설명한다.
[식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물]
본 발명에 관련된 표면 처리제는 실릴화제로서 상기 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 함유한다. 이 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물은 기판 표면을 실릴화하여, 기판 표면의 소수성을 높이기 위한 성분이다.
표면 처리제는 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 단독으로 사용할 수도 있고, 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 후술하는 유기 용제로 희석하여 사용할 수도 있다. 이 때문에, 표면 처리제에 있어서의 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물의 함유량은 본 발명의 목적을 저해하지 않는 범위에서 특별히 한정되지 않는다.
(식 (1) 로 나타내는 화합물)
식 (1) 로 나타내는 화합물은 R1 로서 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 또는 분기사슬 지방족 탄화수소기를 함유한다. R1 의 탄소수는 2 ∼ 18 이 바람직하고, 8 ∼ 18 이 보다 바람직하다. 또한, R1 은 포화 탄화수소기이어도, 불포화 탄화수소기이어도 된다. R1 이 불포화 탄화수소기인 경우, 불포화 결합의 위치 및 수는 특별히 한정되지 않고, 불포화 결합은 이중 결합이어도 되고 삼중 결합이어도 된다.
R1 이 불소 원자로 치환되어 있지 않은, 직사슬 또는 분기사슬 포화 탄화수소기인 경우의 예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 이소부틸기, 아밀기, 이소아밀기, tert-아밀기, 헥실기, 2-헥실기, 3-헥실기, 헵틸기, 2-헵틸기, 3-헵틸기, 이소헵틸기, tert-헵틸기, n-옥틸기, 이소옥틸기, tert-옥틸기, 2-에틸헥실기, 노닐기, 이소노닐기, 데실기, 도데실기, 트리데실기, 테트라데실기, 펜타데실기, 헥사데실기, 헵타데실기, 및 옥타데실기 등을 들 수 있다.
R1 이 불소 원자로 치환되어 있지 않은, 직사슬 또는 분기사슬 불포화 탄화수소기인 경우의 예로는, 비닐기, 1-프로페닐기, 알릴기, 이소프로페닐기, 1-부테닐기, 2-부테닐기, 3-부테닐기, 1,3-부타디에닐기, 1-에틸비닐기, 1-메틸-1-프로페닐기, 1-메틸-2-프로페닐기, 4-펜테닐기, 1,3-펜타디에닐기, 2,4-펜타디에닐기, 3-메틸-1-부테닐기, 5-헥세닐기, 2,4-헥사디에닐기, 6-헵테닐기, 7-옥테닐기, 8-노네닐기, 9-데세닐기, 10-운데세닐기, 11-도데세닐기, 12-트리데세닐기, 13-테트라데세닐기, 14-펜타데세닐기, 15-헥사데세닐기, 16-헵타데세닐기, 17-옥타데세닐기, 에티닐기, 프로파르길기, 1-프로피닐기, 1-부티닐기, 2-부티닐기, 3-부티닐기, 1-펜티닐기, 2-펜티닐기, 3-펜티닐기, 4-펜티닐기, 1-헥시닐기, 2-헥시닐기, 3-헥시닐기, 4-헥시닐기, 5-헥시닐기, 6-헵티닐기, 7-옥티닐기, 8-노니닐기, 9-데시닐기, 10-운데시닐기, 11-도데시닐기, 12-트리데시닐기, 13-테트라데시닐기, 14-펜타데시닐기, 15-헥사데시닐기, 16-헵타데시닐기, 및 17-옥타데시닐기 등을 들 수 있다.
R1 이 불소 원자로 치환되어 있는, 직사슬 또는 분기사슬 지방족 탄화수소기인 경우, 불소 원자의 치환수 및 치환 위치는 특별히 한정되지 않는다. 지방족 탄화수소기에 있어서의 불소 원자의 치환수는 지방족 탄화수소기가 갖는 수소 원자의 수의 50 ％ 이상이 바람직하고, 70 ％ 이상이 보다 바람직하며, 80 ％ 이상이 특히 바람직하다.
R1 로는, 우수한 소수화의 효과를 얻기 쉬운 점에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 지방족 탄화수소기가 바람직하다. 또한, R1 로는, 보존 안정성이 우수한 표면 처리제를 얻기 쉬운 점 등에서, 수소 원자의 일부 또는 전부가 불소 원자로 치환되어 있어도 되는 탄소수 1 ∼ 18 의 직사슬 포화 탄화수소기 (탄소수 1 ∼ 18 의 알킬기) 가 보다 바람직하다.
식 (1) 에 있어서 a 는 1 또는 2 이고, 1 이 바람직하다. a 가 1 인 경우, 기판 표면의 재질이 TiN 인 경우의 소수화 효과가 특히 우수하기 때문이다.
식 (1) 로 나타내는 화합물에 의한 소수화는, 식 (1) 로 나타내는 화합물과 기판 표면과의 반응에 의해, 소수성기인 R1 이 기판 표면에 도입됨으로써 발생한다. R1 이 직사슬인 경우, 입체 장애가 적기 때문에, 기판 표면에 소수성기를 밀집시키기 쉬워, 양호한 소수화의 효과를 얻기 쉬운 것으로 생각된다.
또한, a 가 1 인 경우, R 은 기판 표면에 대하여 수직으로 배치되기 쉽기 때문에, 기판 표면에 소수성기를 밀집시키기 쉽다. 한편, a 가 2 인 경우, 식 (1) 로 나타내는 화합물의 복수의 분자 사이에서 소수성기끼리의 입체 장애가 발생하기 쉬워, 기판 표면에 소수성기를 밀집시키기 어렵다. 이 때문에, a 가 1 인 경우, a 가 2 인 경우보다도 양호한 소수화의 효과를 얻기 쉬운 것으로 생각된다.
(식 (2) 로 나타내는 화합물)
식 (2) 로 나타내는 화합물은 R2 및 R3 으로서 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬기를 함유한다. R2 및 R3 은 동일해도 되고 상이해도 된다. R2 및 R3 으로는 수소 원자, 또는 탄소수 1 ∼ 3 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬기가 바람직하고, 수소 원자 또는 메틸기가 보다 바람직하며, 메틸기가 특히 바람직하다. R2 및 R3 이 이러한 기인 경우, 기판과 식 (2) 로 나타내는 화합물 사이의 입체 장애가 적기 때문에, 식 (2) 로 나타내는 화합물을 기판 표면과 양호하게 반응시키기 쉽다.
R2 및 R3 이 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬기인 경우의 구체예로는, 메틸기, 에틸기, n-프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기 및 이소부틸기를 들 수 있다.
식 (2) 로 나타내는 화합물은 R4 로서 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기를 함유한다. R4 인 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기의 탄소수는 1 ∼ 10 이 바람직하고, 2 ∼ 8 이 보다 바람직하다. 또, 직사슬 알킬렌기란, 메틸렌기, 또는 α,ω-직사슬 알킬렌기이고, 분기사슬 알킬렌기는 메틸렌기 및 α,ω-직사슬 알킬렌기 이외의 알킬렌기이다. R4 는 소수성기로서 작용하기 때문에, 식 (2) 로 나타내는 화합물이 기판 표면과 반응함으로써 기판 표면이 소수화된다. R4 가 이러한 탄소수의 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기인 경우, 식 (2) 로 나타내는 화합물과 기판 표면을 양호하게 반응시키기 쉬워, 기판 표면을 양호하게 소수화하기 쉽다.
또한, R4 는 직사슬 알킬렌기인 것이 바람직하다. R4 가 직사슬 알킬렌기인 경우, 식 (2) 로 나타내는 화합물 사이의 입체 장애가 적기 때문에, 소수성기인 R4 가 밀집한 상태로, 기판 표면에 식 (2) 로 나타내는 화합물을 결합시키기 쉽다.
R4 가 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬 또는 분기사슬 알킬렌기인 경우의 예로는, 메틸렌기, 1,2-에틸렌기, 1,1-에틸렌기, 프로판-1,3-디일기, 프로판-1,2-디일기, 프로판-1,1-디일기, 프로판-2,2-디일기, 부탄-1,4-디일기, 부탄-1,3-디일기, 부탄-1,2-디일기, 부탄-1,1-디일기, 부탄-2,2-디일기, 부탄-2,3-디일기, 펜탄-1,5-디일기, 펜탄-1,4-디일기, 헥산-1,6-디일기, 헵탄-1,7-디일기, 옥탄-1,8-디일기, 2-에틸헥산-1,6-디일기, 노난-1,9-디일기, 데칸-1,10-디일기, 운데칸-1,11-디일기, 도데칸-1,12-디일기, 트리데칸-1,13-디일기, 테트라데칸-1,14-디일기, 펜타데칸-1,15-디일기, 및 헥사데칸-1,16-디일기 등을 들 수 있다.
식 (2) 로 나타내는 화합물에 있어서, b 및 c 는 각각 독립적으로 0 ∼ 2 의 정수이다. 식 (2) 로 나타내는 화합물에 관해서, 합성 및 입수가 용이한 점에서, b 및 c 는 1 또는 2 인 것이 바람직하고, 2 인 것이 보다 바람직하다.
[유기 용제]
본 발명에 관련된 표면 처리제는 추가로 유기 용제를 함유하고 있어도 된다. 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 유기 용제로 희석함으로써, 기판 표면에 대한 도포 작업성, 핸들링성, 린스액과의 치환성 등을 향상시킬 수 있다.
이 유기 용제로는, 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물과 반응하지 않고, 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 용해시킬 수 있으면서, 또한 기판 표면에 대한 데미지가 적은 것이면, 특별히 한정되지 않고 종래 공지된 유기 용제를 사용할 수 있다.
구체적으로는, 디메틸술폭사이드 등의 술폭사이드류 ; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-하이드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰 등의 술폰류 ; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드 등의 아미드류 ; N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-하이드록시메틸-2-피롤리돈, N-하이드록시에틸-2-피롤리돈 등의 락탐류 ; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논류 ; 에틸렌글리콜디메틸에테르, 에틸렌글리콜디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜메틸에틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 트리에틸렌글리콜디메틸에테르 등의 (폴리)알킬렌글리콜디알킬에테르류 ; 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노에틸에테르아세테이트 등의 (폴리)알킬렌글리콜알킬에테르아세테이트류 ; 테트라하이드로푸란 등의 기타 에테르류 ; 메틸에틸케톤, 시클로헥사논, 2-헵타논, 3-헵타논 등의 케톤류 ; 2-하이드록시프로피온산메틸, 2-하이드록시프로피온산에틸 등의 락트산알킬에스테르류 ; 3-메톡시프로피온산메틸, 3-메톡시프로피온산에틸, 3-에톡시프로피온산메틸, 3-에톡시프로피온산에틸, 에톡시아세트산에틸, 3-메틸-3-메톡시부틸아세테이트, 3-메틸-3-메톡시부틸프로피오네이트, 아세트산에틸, 아세트산-n-프로필, 아세트산-i-프로필, 아세트산-n-부틸, 아세트산-i-부틸, 포름산-n-펜틸, 아세트산-i-펜틸, 프로피온산-n-부틸, 부티르산에틸, 부티르산-n-프로필, 부티르산-i-프로필, 부티르산-n-부틸, 피루브산메틸, 피루브산에틸, 피루브산-n-프로필, 아세토아세트산메틸, 아세토아세트산에틸, 2-옥소부탄산에틸 등의 기타 에스테르류 ; β-프로피오락톤, γ-부티로락톤, δ-펜티로락톤 등의 락톤류 ; n-헥산, n-헵탄, n-옥탄, n-노난, 메틸옥탄, n-데칸, n-운데칸, n-도데칸, 2,2,4,6,6-펜타메틸헵탄, 2,2,4,4,6,8,8-헵타메틸노난, 시클로헥산, 메틸시클로헥산 등의 직사슬형, 분기사슬형, 또는 고리형 탄화수소류 ; 벤젠, 톨루엔, 나프탈렌, 1,3,5-트리메틸벤젠 등의 방향족 탄화수소류 ; p-멘탄, 디페닐멘탄, 리모넨, 테르피넨, 보르난, 노르보르난, 피난 등의 테르펜류 등을 들 수 있다. 이들 유기 용제는 단독으로 또는 2 종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
이들 중에서는, 소수성이 높고, 표면 처리제에 함유되는 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물과 공기 중의 수분과의 반응을 억제하기 쉽기 때문에, 직사슬형, 분기사슬형, 또는 고리형 탄화수소류가 바람직하다.
식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 유기 용제로 희석하는 경우, 희석된 액 중의 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물의 농도는 표면 처리제 중 0.1 ∼ 99.9 질량％ 가 바람직하고, 1 ∼ 50 질량％ 가 보다 바람직하고, 1 ∼ 30 질량％ 가 더욱 바람직하며, 3 ∼ 20 질량％ 가 특히 바람직하다. 표면 처리제 중의 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물의 함유량을 상기 범위로 함으로써, 표면 처리의 효과를 유지한 후에, 기판 표면에 대한 도포 작업성, 핸들링성, 린스액과의 치환성 등을 향상시킬 수 있다.
식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 유기 용제로 희석하는 타이밍은 특별히 한정되지 않는다. 예를 들어, 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 미리 유기 용제로 희석한 상태로 보관해 두어도 되고, 표면 처리제를 사용하여 기판 표면을 처리하기 직전에 식 (1) 또는 (2) 로 나타내는 화합물을 유기 용제로 희석하 도록 해도 된다.
<표면 처리 방법>
다음으로, 본 발명에 관련된 표면 처리 방법에 관해서 설명한다. 본 발명에 관련된 표면 처리 방법은 기판 표면에 본 발명에 관련된 표면 처리제를 노출시켜, 그 기판의 표면을 처리하는 것이다.
본 발명에 관련된 표면 처리 방법은 기판 표면을 소수화하는 것으로, 그 처리의 목적은 어떠한 것이어도 상관없지만, 그 처리 목적의 대표적인 예로서, (1) 기판 표면을 소수화하여 수지 패턴 등에 대한 밀착성을 향상시키는 것, (2) 린스 후의 건조 과정에 있어서 기판 표면의 무기 패턴의 패턴 쓰러짐을 방지하는 것을 들 수 있다.
상기 (1) 을 목적으로 하는 경우, 예를 들어 감광성 수지층을 기판 표면에 형성하기 전에, 기판 표면에 대하여 본 발명에 관련된 표면 처리제를 노출시키면 된다. 기판 표면에 본 발명에 관련된 표면 처리제를 노출시키는 방법으로는, 종래 공지된 방법을 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 예를 들어, 본 발명에 관련된 표면 처리제를 기화시켜 증기로 하고, 그 증기를 기판 표면에 접촉시키는 방법, 본 발명에 관련된 표면 처리제를 스핀 코트법이나 침지법 등에 의해 기판 표면에 접촉시키는 방법 등을 들 수 있다. 이러한 조작에 의해 기판 표면의 소수성이 향상되기 때문에, 감광성 수지층 등에 대한 밀착성이 향상된다.
상기 (2) 를 목적으로 하는 경우, 무기 패턴을 형성한 후의 린스 처리 후 건조를 실시하기 전에, 기판 표면에 대하여 본 발명에 관련된 표면 처리제를 노출시키면 된다.
이러한 표면 처리를 실시함으로써, 린스 후 건조 과정에 있어서의 기판 표면의 무기 패턴의 패턴 쓰러짐을 방지할 수 있는 이유에 관해서 설명한다.
기판 표면에 무기 패턴을 형성할 때에는, 예를 들어 드라이 에칭, 웨트 에칭이 실시된다. 드라이 에칭에 의한 패턴 형성에서는, 할로겐계 가스 등에 의해 드라이 에칭을 실시하고, 계속해서, SC-1 (암모니아·과산화수소수), SC-2 (염산·과산화수소수) 등으로 파티클이나 금속 불순물 등의 에칭 잔류물을 세정한다. 그리고, 물이나 이소프로판올 등의 린스액에 의한 린스 후, 무기 패턴의 표면을 자연 건조나 스핀 드라이 등에 의해 건조시킨다. 한편, 웨트 에칭에 의한 패턴 형성에서는, DHF (묽은플루오르산), BHF (플루오르산·불화암모늄), SPM (황산·과산화수소수), APM (암모니아·과산화수소수) 등에 의해 웨트 에칭을 실시하고, 물이나 이소프로판올 등의 린스액에 의한 린스 후, 무기 패턴의 표면을 자연 건조나 스핀 드라이 등에 의해 건조시킨다.
또한, 건조 처리는, 예를 들어, 일본 특허 제3866130호의 단락 [0030] 이후에 기재되어 있는 것과 같은 방법이어도 상관없다.
본 발명에 관련된 표면 처리 방법에서는, 이러한 무기 패턴을 건조시키기 전에, 무기 패턴 표면을 본 발명에 관련된 표면 처리제로 처리하여 소수화한다. 바람직하게는, 린스액에 의한 린스 전에, 무기 패턴 표면을 본 발명에 관련된 표면 처리제로 처리하여 소수화한다.
여기서, 린스 후의 건조 과정에서 무기 패턴의 패턴 사이에 작용하는 힘 (F) 은 이하의 식 (I) 과 같이 표시된다. 단, γ 는 린스액의 표면장력을 나타내고, θ 는 린스액의 접촉각을 나타내고, A 는 무기 패턴의 애스펙트비를 나타내고, D 는 무기 패턴 측벽 사이의 거리를 나타낸다.
F = 2γ·cosθ·A/D … (I)
따라서, 무기 패턴의 표면을 소수화하여, 린스액의 접촉각을 높이는 (cosθ 를 작게 한다) 것이 가능하다면, 린스 후의 건조 과정에서 무기 패턴 사이에 작용하는 힘을 저감할 수 있어, 패턴 쓰러짐을 방지할 수 있다.
이 표면 처리는 무기 패턴이 형성된 기판을 표면 처리제 중에 침지하거나, 또는 표면 처리제를 무기 패턴에 도포 또는 분사함으로써 실시된다. 처리 시간은 10 초간 ∼ 60 분간이 바람직하다.
또, 무기 패턴 표면을 표면 처리제로 처리하기 전에, 무기 패턴의 형성에 사용한 DHF (묽은플루오르산) 이나 BHF (플루오르산·불화암모늄) 등을 이소프로판올 등의 수용성 유기 용제로 치환해 두는 것이 바람직하다. 이로써, 표면 처리제와의 치환성이 향상되어, 소수성 향상의 효과가 높아진다.
또, 스루풋 면에서는, 표면 처리와 린스 처리가 연속된 처리인 것이 바람직하다. 이 때문에, 표면 처리제로는 린스액과의 치환성이 우수한 것을 선택하는 것이 바람직하다. 이 점에서, 린스액으로서 수계의 것을 사용하는 경우, 표면 처리제로는 유기 용제를 다량 성분으로서 함유하는 것이 바람직하다. 유기 용제를 다량 성분으로서 함유함으로써, 표면 처리제의 린스액과의 치환성이 향상되기 때문이다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 ∼ 9, 및 비교예 1 ∼ 8]
표 1 ∼ 4 에 기재된 실릴화제 5 질량％ 와, n-데칸 95 질량％ 로 이루어지는 표면 처리제를 사용하였다. 표 1 ∼ 4 에 기재된 표면 재질의 기판을 농도 1 질량％ 의 불화수소 수용액으로 25 ℃, 1 분간 세정한 후, 표면 처리제에 실온에서 60 초간 침지하였다. 그리고, 기판 표면을 메틸에틸케톤으로 린스하고, 질소 블로우에 의해 건조시켰다. 그 후, Dropmaster 700 (쿄와 계면 과학 주식회사 제조) 를 사용하여, 기판 표면에 순수 액적 (1.8 ㎕) 을 적하하고, 적하 10 초후에 있어서의 접촉각을 측정하였다. 결과를 표 1 ∼ 4 에 나타낸다.
[참고예 1, 및 참고예 2]
참고예 1 로서, 불화수소산에 의한 처리와 표면 처리제에 의한 처리가 실시되지 않은 기판에 관해서, 실시예 1 과 동일하게 접촉각을 측정하였다. 또한, 참고예 2 로서, 불화수소산에 의한 처리가 실시되고, 표면 처리제에 의한 처리가 실시되지 않은 기판에 관해서, 실시예 1 과 동일하게 접촉각을 측정하였다. 참고예 1 및 참고예 2 에서 측정된 각 기판의 접촉각을 표 1 에 나타낸다.
Figure 112013011198176-pat00001
Figure 112013011198176-pat00002
Figure 112013011198176-pat00003
Figure 112013011198176-pat00004
실시예 1 및 실시예 3 ∼ 6 으로부터, 3 개의 디메틸아미노기와 지방족 탄화수소기가 규소 원자에 결합하는 모노실란 화합물을 실릴화제로서 함유하는 표면 처리제에 의해, 표면 재질이 SiN (질화규소) 및 TiN (질화티탄) 인 기판을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예 1 및 실시예 3 ∼ 6 의 표면 처리제에 의하면, 실리콘 기판의 표면을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다.
실시예 2 로부터, 2 개의 디메틸아미노기와 2 개의 메틸기가 규소 원자에 결합하는 모노실란 화합물인, 비스(디메틸아미노)디메틸실란을 실릴화제로서 함유하는 표면 처리제에 의해, 표면 재질이 SiN 인 기판을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예 2 의 표면 처리제에 의하면, 실리콘 기판의 표면을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다.
실시예 7 ∼ 9 로부터, 2 개의 규소 원자에 각각 디메틸아미노기가 결합하고 있고, 2 개의 규소 원자가 탄소수 2 ∼ 8 의 알킬렌기에 의해 연결되어 있는 비스실란 화합물을 실릴화제로서 함유하는 표면 처리제에 의해, 표면 재질이 SiN 인 기판을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다. 또한, 실시예 7 ∼ 9 의 표면 처리제에 의하면, 실리콘 기판의 표면을 양호하게 소수화할 수 있음을 알 수 있다.
또한, 실시예 1 ∼ 9 에서 사용한 기판은 모두 플루오르산에 의해 처리되어 있다는 점에서, 실시예 1 ∼ 9 의 표면 처리제에 의하면, 플루오르산에 의해 표면 처리된 기판이라도 양호하게 소수화됨을 알 수 있다.

Claims (8)

  1. 기판 표면의 소수화 처리에 사용되고, 하기 식 (2) 로 나타내는 화합물을 함유하는 표면 처리제.
    R2 b[N(CH3)2]3-bSi-R4-SiR3 c[N(CH3)2]3-c … (2)
    (식 (2) 에 있어서, R2 및 R3 은 각각 독립적으로 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 직사슬 알킬기 또는 탄소수 3 ∼ 4 의 분기사슬 알킬기이고, R4 는 탄소수 1 ∼ 16 의 직사슬 알킬렌기 또는 탄소수 3 ∼ 16 의 분기사슬 알킬렌기이고, b 및 c 는 각각 독립적으로 1 또는 2 의 정수이다)
  2. 제 1 항에 있어서,
    b 및 c 가 1 인 표면 처리제.
  3. 제 1 항에 있어서,
    R4 가 직사슬 알킬렌기인 표면 처리제.
  4. 제 1 항에 있어서,
    R2 및 R3 이 수소 원자, 또는 메틸기인 표면 처리제.
  5. 제 1 항에 있어서,
    추가로 용제를 함유하는 표면 처리제.
  6. 기판 표면에 제 1 항에 기재된 표면 처리제를 노출시켜, 상기 기판 표면을 소수화하는 표면 처리 방법.
  7. 삭제
  8. 삭제
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10453675B2 (en) * 2013-09-20 2019-10-22 Versum Materials Us, Llc Organoaminosilane precursors and methods for depositing films comprising same
TWI659035B (zh) * 2014-07-10 2019-05-11 L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude 經烷胺基取代之碳矽烷前驅物
US9879340B2 (en) * 2014-11-03 2018-01-30 Versum Materials Us, Llc Silicon-based films and methods of forming the same
US9543159B2 (en) * 2015-03-27 2017-01-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Patterning process of a semiconductor structure with a wet strippable middle layer
TWI724141B (zh) 2016-03-23 2021-04-11 法商液態空氣喬治斯克勞帝方法硏究開發股份有限公司 形成含矽膜之組成物及其製法與用途
KR102519448B1 (ko) 2017-03-24 2023-04-07 후지필름 일렉트로닉 머티리얼스 유.에스.에이., 아이엔씨. 표면 처리 방법 및 이를 위한 조성물
JP7384332B2 (ja) 2018-01-05 2023-11-21 フジフイルム エレクトロニック マテリアルズ ユー．エス．エー．， インコーポレイテッド 表面処理組成物及び表面処理方法
JP7166113B2 (ja) * 2018-09-11 2022-11-07 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法
JP7446097B2 (ja) * 2019-12-06 2024-03-08 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158223A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP2008199028A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Air Products & Chemicals Inc 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法
US20090107713A1 (en) 2007-10-29 2009-04-30 Integrated Surface Technologies Surface coating
WO2012002200A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06163391A (ja) 1992-05-13 1994-06-10 Soltec:Kk レジストパターン形成方法
JPH07142349A (ja) 1993-11-16 1995-06-02 Mitsubishi Electric Corp 現像工程におけるフォトレジストパターンの倒れを防止する方法
AU4283196A (en) 1994-11-22 1996-06-17 Complex Fluid Systems, Inc. Non-aminic photoresist adhesion promoters for microelectronic applications
US20030021996A1 (en) * 2001-04-06 2003-01-30 Yuri Gudimenko Release surfaces
US6919592B2 (en) * 2001-07-25 2005-07-19 Nantero, Inc. Electromechanical memory array using nanotube ribbons and method for making same
US7553686B2 (en) * 2002-12-17 2009-06-30 The Regents Of The University Of Colorado, A Body Corporate Al2O3 atomic layer deposition to enhance the deposition of hydrophobic or hydrophilic coatings on micro-electromechanical devices
JP5680932B2 (ja) 2009-11-13 2015-03-04 東京応化工業株式会社 表面処理剤及び表面処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002158223A (ja) * 2000-11-17 2002-05-31 Tri Chemical Laboratory Inc 膜形成材料、膜形成方法、及び素子
JP2008199028A (ja) 2007-02-15 2008-08-28 Air Products & Chemicals Inc 誘電体膜の材料特性を高めるための活性化学的方法
US20090107713A1 (en) 2007-10-29 2009-04-30 Integrated Surface Technologies Surface coating
WO2012002200A1 (ja) * 2010-06-30 2012-01-05 セントラル硝子株式会社 ウェハの洗浄方法

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Publication number Publication date
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