[go: up one dir, main page]

KR102011146B1 - 에피택셜 웨이퍼 제조장치 - Google Patents

에피택셜 웨이퍼 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR102011146B1
KR102011146B1 KR1020120148694A KR20120148694A KR102011146B1 KR 102011146 B1 KR102011146 B1 KR 102011146B1 KR 1020120148694 A KR1020120148694 A KR 1020120148694A KR 20120148694 A KR20120148694 A KR 20120148694A KR 102011146 B1 KR102011146 B1 KR 102011146B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
lamps
muffler
chamber
heat exchanger
outlet
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020120148694A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20140079100A (ko
Inventor
김신영
Original Assignee
에스케이실트론 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이실트론 주식회사 filed Critical 에스케이실트론 주식회사
Priority to KR1020120148694A priority Critical patent/KR102011146B1/ko
Publication of KR20140079100A publication Critical patent/KR20140079100A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102011146B1 publication Critical patent/KR102011146B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

본 발명은 에피층을 형성하기 전에 웨이퍼를 로딩시키는 단계에서 공랭 성능을 향상시킬 수 있는 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 관한 것이다.
본 발명은 배기구가 구비된 캐비닛; 상기 캐비닛 내부에 구비되고, 에피층을 형성할 반응가스가 투입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되고, 웨이퍼가 올려지는 서셉터; 상기 챔버 내부에 구비되고, 반응가스를 가열하는 복수개의 램프; 상기 캐비닛 일측에 구비되고, 상기 챔버를 통과한 유체를 냉각시키는 열교환기; 상기 열교환기 일측에 구비되고, 상기 열교환기를 지나도록 유체를 송풍시키는 블로어; 및 상기 블로어의 출구로부터 상기 챔퍼 상측까지 연결되고, 상기 열교환기에 의해 냉각된 유체를 상기 램프들로 집중 분사시키는 머플러;를 포함하고, 상기 머플러는 상기 램프들의 배열에 따라 복수개의 출구로 나눠진 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 제공한다.

Description

에피택셜 웨이퍼 제조장치 {EPITAXIAL WAFER MANUFACTURING APPARATUS}
본 발명은 에피층을 형성하기 전에 웨이퍼를 로딩시키는 단계에서 공랭 성능을 향상시킬 수 있는 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 실리콘 웨이퍼는 처리 방법에 따라 플리시드 웨이퍼(polished wafer), 에피택셜 웨이퍼(epitaxial wafer), SOI 웨이퍼(silicon on insulator wafer), 디퓨즈드 웨이퍼(diffused wafer) 및 하이 웨이퍼(HI wafer) 등으로 구분된다.
이 중에서 에피택셜 웨이퍼는 기존의 실리콘 웨이퍼 표면에 또 다른 단결정층(에피층)을 성장시킨 웨이퍼를 말하며, 기존의 실리콘 웨이퍼보다 표면 결함이 적고, 불순물의 농도나 종류의 제어가 가능한 특성을 갖는 웨이퍼이다.
에피택셜 웨이퍼는 기본적으로 화학 기상 증착 (chemical vapor deposition, CVD)을 이용하는데, 고온에서 실리콘 웨이퍼의 표면으로 실리콘을 포함하는 소스가스를 제공함으로써 실리콘 에피층을 성장시킨다.
기존의 에피택셜 웨이퍼 제조장치는 실리콘 웨이퍼를 수용하여 에피택셜 공정이 수행되는 프로세스 챔버와 상기 프로세스 챔버로 상기 웨이퍼를 이송하는 트랜스퍼 챔버 및 로드락 챔버로 이루어진다.
도 1은 일반적인 에피택셜 웨이퍼 제조공정 상에 온도변화가 도시된 그래프이다.
도 1에 도시된 바와 같이 에피택셜 웨이퍼가 만들어지는 프로세스 챔버 내부의 온도 변화를 살펴보면, 실리콘 웨이퍼를 서셉터에 로딩하기 전에 서셉터 표면의 Si를 제거하거나, 서셉터 코팅으로부터 메탈 오염을 방지하기 위하여 고온 상태를 유지하는 베이크 공정을 진행한 다음, 온도를 낮추는 공랭 공정(A)을 거치고, 실리콘 웨이퍼를 서셉터에 로딩한 다음, 반응가스가 투입됨에 따라 실리콘 웨이퍼 위에 에피층을 형성시키는 에피층 성장 공정이 진행된다.
도 2는 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 일예가 도시된 도면이고, 도 3은 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 머플러가 도시된 도면이다.
도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 살펴보면, 공랭 공정을 진행시키기 위하여 냉각 유체가 머플러(1)를 통하여 장비 내부의 넓은 공간(B) 안에서 전체적으로 흐름이 형성된다. 이때, 상기 머플러(1)는 냉각 유체를 송풍시키는 블로어의 소음을 저감시키기 위하여 장착되는 원통 형상으로써, 냉각 유체를 장비 내부에 전체적으로 분산시키기 위하여 그물형 출구(1a)가 구비된다.
이와 같은 머플러(1)가 적용되면, 냉각 유체를 특정 부분인 챔버(C)로 유체의 흐름을 안내하지 못하고, 챔버(C)를 냉각시켜야 할 유체가 장비의 배기구(E)를 통하여 빠져나는 유량이 많아진다.
따라서, 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치는 특정 위치에 있는 챔버(C)의 공랭 성능이 저하되고, 설정 온도까지 공랭시키는 시간이 길어지는 문제점이 있다.
본 발명은 상기한 종래 기술의 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 특정 위치에 있는 챔버로 냉각 유체를 집중 분사시킬 수 있는 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
또한, 본 발명은 챔버 내부의 램프들의 배열에 따라 냉각 유체의 유량 및 유속을 공급할 수 있는 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
본 발명은 배기구가 구비된 캐비닛; 상기 캐비닛 내부에 구비되고, 에피층을 형성할 반응가스가 투입되는 챔버; 상기 챔버 내부에 구비되고, 웨이퍼가 올려지는 서셉터; 상기 챔버 내부에 구비되고, 반응가스를 가열하는 복수개의 램프; 상기 캐비닛 일측에 구비되고, 상기 챔버를 통과한 유체를 냉각시키는 열교환기; 상기 열교환기 일측에 구비되고, 상기 열교환기를 지나도록 유체를 송풍시키는 블로어; 및 상기 블로어의 출구로부터 상기 챔퍼 상측까지 연결되고, 상기 열교환기에 의해 냉각된 유체를 상기 램프들로 집중 분사시키는 머플러;를 포함하고, 상기 머플러는 상기 램프들의 배열에 따라 복수개의 출구로 나눠진 에피택셜 웨이퍼 제조장치를 제공한다.
본 발명은 열교환기를 통과한 냉각 유체가 머플러를 통하여 챔버 상측으로 공급함으로써, 유체의 유량이 배기되는 것을 방지할 뿐 아니라 챔버 내부로 직접 공급할 수 있으며, 머플러의 출구를 챔버 내부의 히터 배열에 따라 분배함으로써, 유체의 유량 및 유속을 히터가 위치한 특정 위치로 집중시킬 수 있다.
따라서, 머플러를 통하여 냉각 유체의 유량 및 유속을 챔버 내부의 히터 측으로 집중됨에 따라 챔버의 공랭 성능을 향상시키고, 냉각 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명은 캐비닛 내부에 머플러가 크게 장착되더라도 절곡되는 부분마다 탈착 가능하게 구성함으로써, 정비 공간을 확보할 수 있다.
도 1은 일반적인 에피택셜 웨이퍼 제조공정 상에 온도변화가 도시된 그래프.
도 2는 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 일예가 도시된 도면.
도 3은 종래의 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 머플러가 도시된 도면.
도 4는 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 일예가 도시된 도면.
도 5는 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 램프 배열이 도시된 도면.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 램프 배열에 따른 머플러 출구의 실시예들이 도시된 도면.
이하에서는, 본 실시예에 대하여 첨부되는 도면을 참조하여 상세하게 살펴보도록 한다. 다만, 본 실시예가 개시하는 사항으로부터 본 실시예가 갖는 발명의 사상의 범위가 정해질 수 있을 것이며, 본 실시예가 갖는 발명의 사상은 제안되는 실시예에 대하여 구성요소의 추가, 삭제, 변경 등의 실시변형을 포함한다고 할 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치의 일예가 도시된 도면이다.
본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치는 도 4에 도시된 바와 같이 캐비닛(110)과, 챔버(120)와, 열교환기(130)와, 블로어(140)와, 분리 가능한 머플러(150)를 포함하도록 구성된다.
상기 캐비닛(110)은 상기한 장치들이 내장될 수 있는 공간으로써, 작업자가 들어가서 점검 가능하도록 구성된다. 이때, 상기 캐비닛(110)은 상측에 배기구(111)가 구비되고, 상기 배기구(111)에 개폐 가능한 배기 댐퍼(112)가 구비되는데, 상기 배기 댐퍼(112)는 상기 블로어(140) 작동 시에 상기 배기구(111)를 막아주도록 작동된다.
상기 챔버(120)는 상기 캐비닛(110) 중간 부분에 내장되고, 실제 실리콘 웨이퍼 위에 에피층을 형성하는 공정이 내부에서 이루어지는 공간이다. 상세하게, 상기 챔버(120)는 서셉터와 히터가 내장되며, 실리콘 웨이퍼 위에 에피층을 형성할 수 있는 반응가스가 주입되도록 구성된다. 이때, 냉각 유체가 상기 챔버(120)로 공급 또는 회수될 수 있도록 구성되는데, 상기 챔버(120)의 상측이 개방되고, 상기 챔버(120)의 하측에 유연한 연결 덕트(125)가 구비된다.
상기 열교환기(130)는 상기 캐비닛(110) 하측에 상기 연결 덕트(125)와 연통되도록 내장되는데, 송풍되는 고온의 유체를 냉각시킨다. 즉, 상기 챔버(120)를 통과한 고온의 유체가 상기 연결 덕트(125)를 통하여 상기 열교환기(130)로 안내되고, 상기 열교환기(130) 주변을 지나면서 열교환 작용을 통하여 냉각된다.
상기 블로어(140)는 냉각 유체를 송풍시키는 일종의 팬으로써, 모터(141)에 의해 구동되는데, 상기 모터(141)는 냉각 유체의 온도 및 유량에 의해 조절될 수 있으며, 이를 위하여 온도 센서(143) 및 유량 센서(144)가 구비된다.
따라서, 상기 온도 센서(143)에 의해 측정된 냉각 유체의 온도가 설정 온도보다 높으면, 상기 모터(141)의 작동을 조절하여 상기 열교환기(130)를 통과하는 냉각 유체의 유량을 늘리도록 제어함으로써, 단시간에 걸쳐 상기 챔버(120)의 냉각 성능을 높일 수 있다.
또한, 상기 블로어(140)의 입구에는 블로어 댐퍼(142)가 구비되는데, 상기 블로어 댐퍼(142)는 냉각 유체의 온도에 의해 상기 블로어(140)의 입구를 개폐시킬 수 있다.
그런데, 상기 챔버(120) 내부의 온도를 설정 온도 이상으로 높이는 경우, 즉 공랭 공정 이전에 행해지는 베이크 공정이나 공랭 공정 이후에 행해지는 에피층 성장 공정이 진행되는 경우, 냉각 유체가 공급되는 것을 차단하는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 온도 센서(143)에 의해 측정된 냉각 유체의 온도가 설정 온도 미만으로 떨어지면, 상기 블로어 댐퍼(142)가 상기 블로어(140)의 입구를 막아주도록 작동함으로써, 냉각 유체가 더 이상 상기 머플러(150)를 통하여 상기 챔버(120)로 유입되지 않도록 작동할 수 있다.
상기 머플러(150)는 상기 블로어(140)의 출구로부터 상기 챔버(120)의 상측까지 연장되는데, 작업자에 의한 청소가 용이하도록 분리할 수 있다.
실시예에서는, 머플러(150)는 블로어(140)의 출구와 직접 연결되는 입구부(151)와, 상기 입구부(151)로부터 상향 수직 절곡된 수직부(152)와, 상기 수직부(152)로부터 수평 절곡된 수평부(153)와, 상기 수평부(153)로부터 하향 절곡된 출구부(154)로 구성될 수 있다.
그런데, 상기 출구부(154)는 하향될수록 단면적이 넓어지는 디퓨저(Diffuser) 형태로 구성될 수 있으며, 상기 출구부(154)는 상기 챔버(120)의 상측보다 더 넓은 영역을 가지도록 구성될 수 있다. 따라서, 상기 출구부(154)로부터 토출된 냉각 유체가 상기 챔버(120)의 상측 전영역에 걸쳐 직접 분사될 수 있고, 이로 인하여 챔버(120) 내부의 냉각 성능을 높일 수 있다.
도 5는 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 램프 배열이 도시된 도면이다.
상기 챔버(120) 내부의 구성을 살펴보면, 도 5에 도시된 바와 같이 서셉터(121)와, 상부 램프(122)와, 하부 램프(123)와, 스팟 램프(124)를 포함할 수 있다.
상기 서셉터(121)는 실리콘 웨이퍼가 올려진 다음, 회전시킬 수 있도록 구성된다. 이때, 실리콘 웨이퍼가 상기 서셉터(121) 위에 올려진 상태에서 회전됨에 따라 반응가스가 실리콘 웨이퍼 위에 에피층으로 성장된다.
상기 상부 램프(122)는 상기 서셉터(121) 상측에 구비되고, 반응가스의 유동방향과 수평한 방향으로 나란히 배열된 복수개의 라인 형태의 히터이다. 이때, 상기 상부 램프(122)는 위치에 따라 상부 중앙 램프(122a)와 상부 양측 램프(122b,122c)로 나눠지며, 전원 공급을 조절하여 위치별로 온도를 제어할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼의 상면을 전체적으로 가열할 수 있다.
상기 하부 램프(123)는 상기 서셉터(121) 하측에 구비되며, 반응가스의 유동방향과 수직한 방향으로 나란히 배열된 복수개의 라인 형태의 히터이다. 마찬가지로, 상기 하부 램프(123)는 위치에 따라 하부 중앙 램프(123a)와 하부 양측 램프(123b,123c)로 나눠지며, 전원 공급을 조절하여 위치별로 온도를 제어할 수 있으며, 실리콘 웨이퍼의 하면을 전체적으로 가열할 수 있다.
상기 스팟 램프(124)는 상기 상부 램프(122)와 서셉터(121) 사이에 구비되고, 상기 서셉터(121) 중심부 상측에 네 개 정도가 위치될 수 있다. 물론, 상기 스팟 램프(124)는 전원이 공급됨에 따라 실리콘 웨이퍼의 상면 중심을 집중적으로 가열할 수 있다.
이와 같은 램프들(122,123,124)은 실리콘 웨이퍼가 로딩되는 챔버 내부를 가열하고, 이에 따라 베이크 공정 또는 에피층 성장 공정 등이 진행되도록 한다.
그런데, 베이크 공정과 에피층 성장 공정 사이에 공랭 공정이 진행되는데, 상기에서 설명한 바와 같이 냉각 유체가 머플러를 통하여 챔버 내부의 램프를 향하여 집중 공급되며, 가장 상측에 위치한 상부 램프(122)의 배열을 고려하여 공급되도록 하는 것이 바람직하다.
도 6 내지 도 8은 본 발명에 따른 에피택셜 웨이퍼 제조장치에 적용된 램프 배열에 따른 머플러 출구의 실시예들이 도시된 도면이다.
도 6에 도시된 바와 같이 머플러의 출구부(154)는 상기 상부 중앙 램프(122a)와 상부 양측 램프(122b,122c)를 나눌 수 있는 네 개의 수평 격벽(154a)이 구비될 수 있다.
따라서, 상기 머플러의 출구부(154)가 상기 수평 격벽들(154a)에 의해 나눠짐에 따라 실제 단면적이 줄어들고, 동일한 냉각 유량이 공급되더라도 상기 수평 격벽들(154a) 주변 즉, 상기 상부 중앙 램프(122a)와 상부 양측 램프(122b,122c)가 위치한 영역으로 유속을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 냉각 성능을 높일 수 있다.
도 7에 도시된 바와 같이 머플러의 출구부(154)는 상기 수평 격벽들(154a) 이외에도 상기 상부 중앙 램프(122a)로부터 상기 스팟 램프(124)를 나눌 수 있는 두 개의 수직 격벽(154b)이 더 구비될 수 있다.
따라서, 상기 머플러의 출구부(154)가 상기 수평 격벽들(154a)과 수직 격벽들(154b)에 의해 나눠짐에 따라 실제 단면적이 줄어들고, 동일한 냉각 유량이 공급되더라도 상기 수평 격벽들(154a)과 수직 격벽들(154b) 주변 즉, 상기 상부 중앙 램프(122a)와 상부 양측 램프(122b) 및 스팟 램프(124)가 위치한 영역으로 유속을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 냉각 성능을 더욱 높일 수 있다.
도 8에 도시된 바와 같이 머플러의 출구부(154)는 상기 수평 격벽들(154a)과 수직 격벽들(154b) 이외에도 상기 스팟 램프(124)를 각각 나눌 수 있는 보조 격벽(154c)이 더 구비될 수 있는데, 상기 보조 격벽들(154c)은 상기 스팟 램프(124)의 배열에 따라 수직 또는 수평하도록 다양하게 배열될 수 있다.
따라서, 상기 머플러의 출구부(154)가 상기 수평 격벽들(154a)과 수직 격벽들(154b) 및 보조 격벽(154c)에 의해 나눠짐에 따라 실제 단면적이 줄어들고, 동일한 냉각 유량이 공급되더라도 상기 수평 격벽들(154a)과 수직 격벽들(154b) 및 보조 격벽(154c) 주변 즉, 상기 상부 중앙 램프(122a)와 상부 양측 램프(122b,122c) 및 각각의 스팟 램프(124)가 위치한 영역으로 유속을 증가시킬 수 있고, 이로 인하여 냉각 성능을 더욱 높일 수 있다.
도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이 공랭 성능을 향상시키기 위하여 머플러의 출구는 램프들의 배열에 따라 분산되도록 구성될 수 있으며, 상기에서 설명될 구성에 한정되지 아니하며, 다양하게 구성될 수 있다.
110 : 캐비닛 120 : 챔버
121 : 서포터 122 : 상부 램프
123 : 하부 램프 124 : 스팟 램프
130 : 열교환기 140 : 블로어
150 : 머플러 154 : 머플러의 출구부
154a : 수평 격벽 154b : 수직 격벽
154c : 보조 격벽

Claims (6)

  1. 배기구가 구비된 캐비닛;
    상기 캐비닛 내부에 구비되고, 에피층을 형성할 반응가스가 투입되는 챔버;
    상기 챔버 내부에 구비되고, 웨이퍼가 올려지는 서셉터;
    상기 챔버 내부에 구비되고, 반응가스를 가열하는 복수개의 램프;
    상기 캐비닛 일측에 구비되고, 상기 챔버를 통과한 유체를 냉각시키는 열교환기;
    상기 열교환기 일측에 구비되고, 상기 열교환기를 지나도록 유체를 송풍시키는 블로어;
    상기 블로어의 출구로부터 상기 챔퍼 상측까지 연결되고, 상기 열교환기에 의해 냉각된 유체를 상기 램프들로 공급하는 머플러; 및
    상기 머플러의 출구부를 상기 램프들의 배열에 따라 구획하도록 설치되고, 냉각 유체의 유동 방향을 따라 일정 길이를 가지는 복수개의 격벽;을 포함하는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 램프들은 상기 서셉터 상측에 위치하여 간격을 두고 수평하게 배열된 복수개의 상부램프(upper lamp)를 포함하고,
    상기 머플러의 출구부 내측에는 상기 상부 램프들을 적어도 두 개 이상씩 나누도록 상기 상부 램프와 같은 방향으로 수평하게 배열되는 복수개의 수평 격벽이 구비되는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 램프들은 상기 서셉터의 상측 중앙에 서로 맞닿도록 수평 또는 수직하게 배열된 복수개의 스팟 램프(spot lamp)를 포함하고,
    상기 머플러의 출구부 내측에는 상기 스팟 램프들을 적어도 한 개 이상씩 나누도록 상기 스팟 램프와 같은 방향으로 수평 또는 수직하게 배열되는 복수개의 수평 격벽 및 복수개의 수직 격벽이 구비되는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 머플러의 출구부는 상기 캐비닛 내부의 작업 공간을 확보하기 위하여 탈부착 가능하게 조립되는 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 머플러의 출구부는 상기 램프들이 배열된 면적보다 넓은 유로 단면적을 가진 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 머플러의 출구부는 유로 단면적이 넓어지는 디퓨저(Diffuser) 형태인 에피택셜 웨이퍼 제조장치.
KR1020120148694A 2012-12-18 2012-12-18 에피택셜 웨이퍼 제조장치 Active KR102011146B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120148694A KR102011146B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 에피택셜 웨이퍼 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020120148694A KR102011146B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 에피택셜 웨이퍼 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140079100A KR20140079100A (ko) 2014-06-26
KR102011146B1 true KR102011146B1 (ko) 2019-08-14

Family

ID=51130407

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020120148694A Active KR102011146B1 (ko) 2012-12-18 2012-12-18 에피택셜 웨이퍼 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR102011146B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102270391B1 (ko) * 2019-07-30 2021-06-30 에스케이실트론 주식회사 웨이퍼의 에피택셜층의 성장 온도 설정 방법 및 에피택셜층의 성장 방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2009038294A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ
JP4709423B2 (ja) * 2001-05-16 2011-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバ冷却装置および半導体製造装置

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07118470B2 (ja) * 1989-02-03 1995-12-18 アプライド マテリアルズ インコーポレーテッド エピタキシャル蒸着に用いる装置及び方法
US6059567A (en) * 1998-02-10 2000-05-09 Silicon Valley Group, Inc. Semiconductor thermal processor with recirculating heater exhaust cooling system

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4709423B2 (ja) * 2001-05-16 2011-06-22 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド チャンバ冷却装置および半導体製造装置
JP2009038294A (ja) * 2007-08-03 2009-02-19 Shin Etsu Handotai Co Ltd 出力調整方法、シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法、及びサセプタ

Also Published As

Publication number Publication date
KR20140079100A (ko) 2014-06-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI848148B (zh) 基板處理裝置
KR101883583B1 (ko) 기판 처리 장치, 천장부 및 반도체 장치의 제조 방법
CN109494172B (zh) 冷却单元、绝热结构体、基板处理装置、以及半导体装置的制造方法
KR101560612B1 (ko) 단열 구조체 및 반도체 장치의 제조 방법
KR101629366B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 기판 처리 방법
KR102053029B1 (ko) 기판 처리 장치, 반도체 장치의 제조 방법 및 프로그램
KR101985370B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102386812B1 (ko) 샤워헤드 설계
KR20110112074A (ko) 기판 처리 장치 및 방법
KR102011146B1 (ko) 에피택셜 웨이퍼 제조장치
KR20180051914A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
KR102255315B1 (ko) 기판 처리장치 및 기판 처리방법
KR102205383B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102205384B1 (ko) 기판 처리 장치 및 기판의 냉각 방법
KR20180051911A (ko) 로드락챔버 및 이를 포함하는 기판처리장치
CN114051651A (zh) 基板处理装置、半导体器件的制造方法以及程序
JP2010040544A (ja) 気相成長装置
KR20210078093A (ko) 기판 처리 장치
KR20170055765A (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

PN2301 Change of applicant

St.27 status event code: A-3-3-R10-R13-asn-PN2301

St.27 status event code: A-3-3-R10-R11-asn-PN2301

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-2-2-P10-P22-nap-X000

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000