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KR102009168B1 - Optical proximity correction modeling method and system - Google Patents

Optical proximity correction modeling method and system Download PDF

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KR102009168B1
KR102009168B1 KR1020120128939A KR20120128939A KR102009168B1 KR 102009168 B1 KR102009168 B1 KR 102009168B1 KR 1020120128939 A KR1020120128939 A KR 1020120128939A KR 20120128939 A KR20120128939 A KR 20120128939A KR 102009168 B1 KR102009168 B1 KR 102009168B1
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KR
South Korea
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material pattern
region
edge function
generating
filter
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Inventor
정문규
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삼성전자 주식회사
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    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/36—Masks having proximity correction features; Preparation thereof, e.g. optical proximity correction [OPC] design processes
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20—Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2002—Exposure; Apparatus therefor with visible light or UV light, through an original having an opaque pattern on a transparent support, e.g. film printing, projection printing; by reflection of visible or UV light from an original such as a printed image
    • G03F7/2014—Contact or film exposure of light sensitive plates such as lithographic plates or circuit boards, e.g. in a vacuum frame
    • G03F7/2016—Contact mask being integral part of the photosensitive element and subject to destructive removal during post-exposure processing

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
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  • Image Analysis (AREA)

Abstract

광근접보정 모델링 방법 및 시스템이 제공된다. 상기 광근접보정 모델링 방법은 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서, 상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터와, 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하고, 상기 제1 영역 필터와 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성하고, 상기 에지함수, 상기 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 상기 제1 영역 필터 및 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성하고, 상기 벌크 이미지 신호와 상기 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성하는 것을 포함한다.Optical proximity correction modeling methods and systems are provided. The optical proximity compensation modeling method includes a topography effect by a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern. In the optical proximity correction modeling method that can predict), the first region filter corresponding to the first material pattern, the second region filter corresponding to the second material pattern, and the edge function corresponding to the boundary region edge function), a bulk image signal generated from a layout using the first region filter and the second region filter, and a feature kernel reflecting characteristics of the edge function and the edge region, the first region filter. And generating an edge image signal from the layout using the second area filter, and using the bulk image signal and the edge image signal. , It includes generating a final signal model.

Description

광근접보정 모델링 방법 및 시스템{Optical proximity correction modeling method and system}Optical proximity correction modeling method and system

본 발명은 광근접보정 모델링 방법 및 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a method and system for optical proximity correction modeling.

집적 회로의 설계시, 반도체 기판에 원하는 회로를 형성하기 위하여 회로의 레이아웃을 제작하고, 레이아웃은 포토마스크를 통해 웨이퍼 표면에 전사될 수 있다. 반도체 소자가 고집적화되어 집적 회로 설계가 복잡해짐에 따라 포토리소그래피 공정시 필요한 포토마스크상에 최초에 의도한 설계에 따른 패턴 레이아웃을 정확하게 구현하는 것이 매우 중요하다.In the design of integrated circuits, the layout of the circuit is fabricated to form the desired circuit on the semiconductor substrate, and the layout can be transferred to the wafer surface through a photomask. As semiconductor devices become highly integrated and complex integrated circuit designs are required, it is very important to accurately implement the pattern layout according to the originally intended design on the photomask required for the photolithography process.

노광 장비에서 사용되는 광원의 파장이 반도체 소자의 피쳐 사이즈 (feature size)에 근접하면서, 빛의 회절, 간섭 등에 의해 패턴의 왜곡 현상이 나타날 수 있다. 그에 따라, 웨이퍼상에는 원래 형상과 다른 형상의 상이 맺히거나 인접 패턴의 영향에 의한 패턴 형상의 왜곡이 발생되는 광 근접 효과가 나타난다. 광 근접 효과에 따른 치수 변동 등의 문제를 방지하기 위하여, 패턴 전사시의 치수 변동을 미리 예측하고, 설계 패턴을 미리 변형시켜, 패턴 전사 후 원하는 레이아웃에 따른 패턴 형상이 얻어질 수 있도록 하기 위한 광근접보정(Optical Proximity Correction, 이하, OPC라 함) 공정이 행해진다.While the wavelength of the light source used in the exposure equipment is close to the feature size of the semiconductor device, the distortion of the pattern may appear due to diffraction, interference, or the like of light. As a result, an optical proximity effect occurs in which an image having a shape different from the original shape is formed on the wafer, or distortion of the pattern shape due to the influence of the adjacent pattern. In order to prevent problems such as dimensional fluctuations due to the optical proximity effect, light for predicting dimensional fluctuations during pattern transfer in advance and deforming the design pattern in advance so that a pattern shape according to a desired layout can be obtained after pattern transfer. Proximity correction (hereinafter referred to as OPC) process is performed.

본 발명이 해결하려는 과제는, 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 OPC 모델링 방법을 제공하는 것이다.An object of the present invention is to provide an OPC modeling method capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure.

본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 패턴 스택 구조에 의한 토포그래피 이펙트를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 시스템을 제공하는 것이다.Another object of the present invention is to provide an optical proximity correction modeling system capable of predicting a topography effect by a pattern stack structure.

본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.Problems to be solved by the present invention are not limited to the above-mentioned problems, and other problems not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the following description.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광근접보정 모델링 방법의 일 면(aspect)은 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서, 상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터와, 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하고, 상기 제1 영역 필터와 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성하고, 상기 에지함수, 상기 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 상기 제1 영역 필터 및 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성하고, 상기 벌크 이미지 신호와 상기 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성하는 것을 포함한다.An aspect of the optical proximity compensation modeling method of the present invention for solving the above problems is a pattern stack including a first material pattern, a second material pattern and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern. An optical proximity correction modeling method capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure, the method comprising: a first region filter corresponding to the first material pattern and a second corresponding to the second material pattern Generating a two-region filter and an edge function corresponding to the boundary region, and generating a bulk image signal from a layout using the first region filter and the second region filter, and generating the bulk image signal from the layout. An edge image signal is generated from the layout by using a feature kernel, the first region filter, and the second region filter reflecting characteristics of a boundary region, and the bulk image is generated. Using the image signal and the image edge signal, it includes generating a final signal model.

상기 에지함수는 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계를 슬릿(slit) 형태로 오픈(open)한 것일 수 있다.The edge function may be formed by opening a boundary between the first material pattern and the second material pattern in a slit form.

상기 에지 이미지 신호를 생성하는 것은, 상기 에지함수를 이용하여, 레이아웃으로부터 가중된 에지함수를 생성하고, 상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널과, 제1 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제1 부분 에지함수를 생성하고, 상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널과, 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제2 부분 에지함수를 생성하는 것을 포함할 수 있다.The generating of the edge image signal may include generating a weighted edge function from a layout by using the edge function, reflecting a characteristic of the first material pattern side among the boundary regions, and a first region filter. The first partial edge function is generated from the weighted edge function and a second characteristic kernel reflecting the characteristics of the second material pattern side of the boundary region is obtained, and the weighted edge function is applied using a second region filter. Generating a second partial edge function from the edge function.

상기 가중된 에지함수를 생성하는 것은, 상기 레이아웃의 반영 이미지와, 상기 에지함수를 곱하여, 가중된 에지함수를 생성할 수 있다. Generating the weighted edge function may generate a weighted edge function by multiplying the reflected image of the layout with the edge function.

상기 반영 이미지는, 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수 있다.The reflection image may be a layout image based on air.

상기 제1 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제1 특성 커널을 제1 컨볼루션하고, 상기 제1 컨볼루션한 결과에 상기 제1 영역 필터를 곱하는 것을 포함하고, 상기 제2 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제2 특성 커널을 제2 컨볼루션하고, 상기 제2 컨볼루션한 결과에 상기 제2 영역 필터를 곱하는 것을 포함할 수 있다. Generating the first partial edge function includes first convolving the weighted edge function and the first characteristic kernel and multiplying the result of the first convolution by the first region filter, wherein the first Generating a two-part edge function may include second convolving the weighted edge function and the second characteristic kernel and multiplying the result of the second convolution by the second region filter.

상기 각 특성 커널은, 중심에서부터 바깥쪽으로 가중치(weight)가 골고루 분포하는 단위 커널 세트의 선형 조합일 수 있다.Each of the feature kernels may be a linear combination of unit kernel sets with weights evenly distributed from the center to the outside.

상기 단위 커널 세트는 베셀 세트(Bessel Set)일 수 있다.The unit kernel set may be a Bessel set.

상기 벌크 이미지 신호를 생성하는 것은, 상기 레이아웃의 제1 에어리얼 이미지(aerial image)와 상기 제1 영역 필터를 곱하여, 제1 부분 에어리얼 이미지를 생성하고, 상기 레이아웃의 제2 에어리얼 이미지와 상기 제2 영역 필터를 곱하여, 제2 부분 에어리얼 이미지를 생성하고, 상기 제1 부분 에어리얼 이미지와 상기 제2 부분 에어리얼 이미지를 합하여 상기 벌크 이미지 신호를 생성할 수 있다. The generating of the bulk image signal may include multiplying a first aerial image of the layout by the first area filter to generate a first partial aerial image, and generating a second aerial image and the second area of the layout. The second partial aerial image may be generated by multiplying a filter, and the bulk image signal may be generated by adding the first partial aerial image and the second partial aerial image.

상기 제1 에어리얼 이미지는, 상기 제1 물질의 플래너 스택 구조(planar stack structure)를 기초로 한 레이아웃 이미지이고, 상기 제2 에어리얼 이미지는, 상기 제2 물질의 플래너 스택 구조를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수 있다.The first aerial image is a layout image based on a planar stack structure of the first material, and the second aerial image is a layout image based on a planar stack structure of the second material. Can be.

상기 최종 모델 신호를 생성하는 것은, 상기 벌크 이미지 신호, 상기 에지 이미지 신호 각각에 가중치를 곱하여 더하는 것을 포함할 수 있다.Generating the final model signal may include multiplying and adding each of the bulk image signal and the edge image signal.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광근접보정 모델링 방법의 다른 면은 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서, 상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터와, 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하고, 상기 에지함수를 이용하여, 레이아웃으로부터 가중된 에지함수를 생성하고, 상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널과, 제1 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제1 부분 에지함수를 생성하고, 상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널과, 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제2 부분 에지함수를 생성하는 것을 포함할 수 있다. Another aspect of the optical proximity compensation modeling method of the present invention for solving the above problems is a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern In the optical proximity correction modeling method that can predict the topography effect (stack structure) by the stack structure, the first region filter corresponding to the first material pattern and the second region filter corresponding to the second material pattern And generating an edge function corresponding to the boundary region, generating an edge function weighted from a layout using the edge function, and reflecting characteristics of the first material pattern side of the boundary region. A first partial edge function is generated from the weighted edge function using a first characteristic kernel and a first region filter, and the characteristic of the second material pattern side of the boundary region is generated. And generating a second partial edge function from the weighted edge function by using the second characteristic kernel reflecting the second characteristic filter and the second region filter.

상기 가중된 에지함수를 생성하는 것은, 상기 레이아웃의 반영 이미지와, 상기 에지함수를 곱하여, 가중된 에지함수를 생성할 수 있다.Generating the weighted edge function may generate a weighted edge function by multiplying the reflected image of the layout with the edge function.

상기 반영 이미지는, 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수 있다.The reflection image may be a layout image based on air.

상기 제1 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제1 특성 커널을 제1 컨볼루션하고, 상기 제1 컨볼루션한 결과에 상기 제1 영역 필터를 곱하는 것을 포함하고, 상기 제2 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제2 특성 커널을 제2 컨볼루션하고, 상기 제2 컨볼루션한 결과에 상기 제2 영역 필터를 곱하는 것을 포함할 수 있다. Generating the first partial edge function includes first convolving the weighted edge function and the first characteristic kernel and multiplying the result of the first convolution by the first region filter, wherein the first Generating a two-part edge function may include second convolving the weighted edge function and the second characteristic kernel and multiplying the result of the second convolution by the second region filter.

상기 각 특성 커널은, 중심에서부터 바깥쪽으로 가중치(weight)가 골고루 분포하는 단위 커널 세트의 선형 조합일 수 있다. Each of the feature kernels may be a linear combination of unit kernel sets with weights evenly distributed from the center to the outside.

상기 단위 커널 세트는 베셀 세트(Bessel Set)일 수 있다. The unit kernel set may be a Bessel set.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광근접보정 모델링 방법의 또 다른 면은 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서, 최종모델 신호

Figure 112012093690600-pat00001
는 다음의 수식으로 결정되되,Another aspect of the optical proximity compensation modeling method of the present invention for solving the above problems is a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern ( In the optical proximity correction modeling method which can predict the topography effect by the pattern stack structure, the final model signal
Figure 112012093690600-pat00001
Is determined by the formula

Figure 112012093690600-pat00002
Figure 112012093690600-pat00002

Figure 112012093690600-pat00003
는 각 텀(term)의 계수이고,
Figure 112012093690600-pat00004
는 상기 제1 물질의 플래너 스택 구조(planar stack structure)를 기초로 한 제1 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00005
는 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터이고,
Figure 112012093690600-pat00006
는 상기 제2 물질의 플래너 스택 구조를 기초로 한 제2 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00007
는 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터이고,
Figure 112012093690600-pat00008
는 상기 경계 영역에 대응되는 에지 함수(edge function)이고,
Figure 112012093690600-pat00009
는 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00010
는 상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널이고,
Figure 112012093690600-pat00011
는 상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널일 수 있다.
Figure 112012093690600-pat00003
Is the coefficient of each term,
Figure 112012093690600-pat00004
Is a first aerial image based on a planar stack structure of the first material,
Figure 112012093690600-pat00005
Is a first region filter corresponding to the first material pattern,
Figure 112012093690600-pat00006
Is a second aerial image based on the planar stack structure of the second material,
Figure 112012093690600-pat00007
Is a second region filter corresponding to the second material pattern,
Figure 112012093690600-pat00008
Is an edge function corresponding to the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00009
Is an layout image based on air,
Figure 112012093690600-pat00010
Is a first characteristic kernel reflecting the characteristic of the first material pattern side of the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00011
May be a second characteristic kernel reflecting characteristics of the second material pattern side of the boundary region.

상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 광근접보정 모델링 시스템의 일 면은 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 시스템에 있어서, 상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터를 생성하는 필터 생성부; 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하는 에지함수 생성부; 상기 제1 영역 필터와 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성하는 벌크 이미지 생성부; 상기 에지함수, 상기 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 상기 제1 영역 필터 및 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성하는 에지 이미지 생성부; 및 상기 벌크 이미지 신호와 상기 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성하는 최종 모델 생성부를 포함할 수 있다. One surface of the optical proximity compensation modeling system of the present invention for solving the other problem is a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern and a boundary region of the first material pattern and the second material pattern ( A light proximity correction modeling system capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure, comprising: a first region filter corresponding to the first material pattern and a second region corresponding to the second material pattern A filter generator for generating a filter; An edge function generator for generating an edge function corresponding to the boundary area; A bulk image generation unit generating a bulk image signal from a layout by using the first region filter and the second region filter; An edge image generator configured to generate an edge image signal from the layout by using the edge function, a feature kernel reflecting characteristics of the boundary region, the first region filter, and the second region filter; And a final model generator configured to generate a final model signal by using the bulk image signal and the edge image signal.

본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.Other specific details of the invention are included in the detailed description and drawings.

도 1은 패턴 스택 구조와 마스크를 설명하기 위한 평면도이다.
도 2a 및 도 2b는 도 1의 Y-Y를 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 4는 도 3의 S320(벌크 이미지 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 도 3의 S330(에지 이미지 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 흐름도이다.
도 6 내지 도 8은 각각 제1 영역 필터, 제2 영역 필터, 에지함수를 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 도 4를 설명하기 위한 개념도이다.
도 10 및 도 11은 도 4의 S321(제1 에어리얼 이미지 생성 단계), S325(제2 에어리얼 이미지 생성 단계)를 설명하기 위한 도면이다.
도 12는 도 5의 S331(가중된 에지함수 생성 단계)를 설명하기 위한 도면이다.
도 13은 도 5를 설명하기 위한 개념도이다.
도 14 및 도 15는 각 물질 패턴에 영향을 주는 광을 설명하기 위한 개념도이다.
도 16a 내지 도 16e는 단위 커널 세트를 설명하기 위한 도면들이다.
도 17은 도 3의 S340(최종 모델 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 개념도이다.
도 18은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 시스템을 설명하기 위한 블록도이다.1 is a plan view for explaining a pattern stack structure and a mask.
2A and 2B are cross-sectional views taken along the line YY of FIG. 1.
3 is a flowchart illustrating an OPC modeling method according to some embodiments of the present invention.
4 is a flowchart for explaining S320 (bulk image signal generation step) of FIG. 3.
FIG. 5 is a flowchart for explaining S330 (edge image signal generation step) of FIG. 3.
6 to 8 are diagrams for explaining a first region filter, a second region filter, and an edge function, respectively.
9 is a conceptual diagram for explaining FIG. 4.
10 and 11 are diagrams for describing S321 (first aerial image generation step) and S325 (second aerial image generation step) of FIG. 4.
FIG. 12 is a diagram for explaining S331 (weighted edge function generation step) of FIG. 5.
FIG. 13 is a conceptual diagram for describing FIG. 5.
14 and 15 are conceptual diagrams for describing light affecting each material pattern.
16A to 16E are diagrams for describing a unit kernel set.
FIG. 17 is a conceptual diagram for explaining S340 (final model signal generation step) of FIG. 3.
18 is a block diagram illustrating an OPC modeling system according to some embodiments of the present invention.

본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.Advantages and features of the present invention and methods for achieving them will be apparent with reference to the embodiments described below in detail with the accompanying drawings. However, the present invention is not limited to the embodiments disclosed below, but may be implemented in various forms. It is provided to fully convey the scope of the invention to those skilled in the art, and the present invention is defined only by the scope of the claims. Like reference numerals refer to like elements throughout.

하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다. When an element is referred to as being "connected to" or "coupled to" with another element, it may be directly connected to or coupled with another element or through another element in between. This includes all cases. On the other hand, when one device is referred to as "directly connected to" or "directly coupled to" with another device indicates that no other device is intervened. Like reference numerals refer to like elements throughout. “And / or” includes each and all combinations of one or more of the items mentioned.

비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.Although the first, second, etc. are used to describe various elements, components and / or sections, these elements, components and / or sections are of course not limited by these terms. These terms are only used to distinguish one element, component or section from another element, component or section. Therefore, the first device, the first component, or the first section mentioned below may be a second device, a second component, or a second section within the technical spirit of the present invention.

본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.The terminology used herein is for the purpose of describing particular embodiments only and is not intended to be limiting of the invention. In this specification, the singular also includes the plural unless specifically stated otherwise in the phrase. As used herein, “comprises” and / or “comprising” refers to the presence of one or more other components, steps, operations and / or elements. Or does not exclude additions.

다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다. Unless otherwise defined, all terms (including technical and scientific terms) used in the present specification may be used in a sense that can be commonly understood by those skilled in the art. In addition, the terms defined in the commonly used dictionaries are not ideally or excessively interpreted unless they are specifically defined clearly.

도 1은 패턴 스택 구조와 마스크를 설명하기 위한 평면도이고, 도 2a 및 도 2b는 도 1의 Y-Y를 따라 절단한 단면도이다.1 is a plan view illustrating a pattern stack structure and a mask, and FIGS. 2A and 2B are cross-sectional views taken along the line Y-Y of FIG. 1.

도 1, 도 2a 및 도 2b를 참조하면, 기판 상에 패턴 스택 구조(pattern stack structure)(10, 20)가 형성되어 있다. 여기서, 패턴 스택 구조(10, 20)는, 마스크(30) 하부에 형성된 구조가 둘 이상의 물질을 포함하는 것을 의미한다. 반면, 플래나 스택 구조(planar stack structure)는, 마스크(30) 하부에 형성된 구조가 하나의 물질만을 포함하는 것을 의미한다. 도 1에 도시된 것과 같이, 패턴 스택 구조(10, 20)는 예를 들어, 제1 물질 패턴(10)과 제2 물질 패턴(20)을 포함할 수 있다. 제1 물질 패턴(10)은 일 방향(예를 들어, 가로 방향)으로 길게 형성되고, 제2 물질 패턴(20)은 제1 물질 패턴(10)을 둘러싸도록 형성될 수 있다. 도 1의 Y - Y를 따라서 절단하면, 단면도는 예를 들어, 도 2a 또는 도 2b와 같을 수 있다. 도 2a와 같이, 제1 물질 패턴(10)의 상면과 제2 물질 패턴(20)의 상면이 평평하게 서로 연결될 수 있다. 또는 도 2b와 같이, 제1 물질 패턴(10) 상에 제2 물질 패턴(20)이 형성될 수도 있다. 1, 2A, and 2B, pattern stack structures 10 and 20 are formed on a substrate. Here, the pattern stack structures 10 and 20 mean that the structure formed under the mask 30 includes two or more materials. On the other hand, a planar stack structure means that the structure formed under the mask 30 includes only one material. As shown in FIG. 1, the pattern stack structures 10 and 20 may include, for example, a first material pattern 10 and a second material pattern 20. The first material pattern 10 may be formed long in one direction (eg, in a horizontal direction), and the second material pattern 20 may be formed to surround the first material pattern 10. Cutting along the Y-Y of FIG. 1, the cross-sectional view may be, for example, the same as FIG. 2A or 2B. As illustrated in FIG. 2A, an upper surface of the first material pattern 10 and an upper surface of the second material pattern 20 may be connected to each other flatly. Alternatively, as shown in FIG. 2B, the second material pattern 20 may be formed on the first material pattern 10.

도 1에서는 예시적으로, 패턴 스택 구조(10, 20)가 2개의 물질 패턴만을 포함하는 것으로 도시하였으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어, 3개 이상의 물질 패턴을 포함할 수 있다. In FIG. 1, the pattern stack structures 10 and 20 are illustrated to include only two material patterns, but are not limited thereto. For example, it may include three or more material patterns.

한편, 마스크(30) 하부에 형성된 구조는, 마스크를 형성할 때 영향을 줄 수 있다. 여기서, 이러한 영향을 "토포그래피 이펙트(topography effect)"라고 부른다. 마스크(30) 하부에 어떤 스택 구조가 형성되어 있는지에 따라, 마스크(30)의 형상이 달라질 수 있다. On the other hand, the structure formed under the mask 30 may have an effect when forming the mask. This effect is referred to herein as a "topography effect." The shape of the mask 30 may vary depending on what stack structure is formed under the mask 30.

이하에서, 패턴 스택 구조(10, 20)에 의한 토포그래피 이펙트를 예측할 수 있는 OPC 모델링 방법을 설명한다. 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 방법은, 경계 영역(boundary region)과 벌크 영역(bulk region)으로 구분하여, 독립적으로 모델링한다. 여기서, 경계 영역은 제1 물질 패턴(10)과 제2 물질 패턴(20)의 경계 및 인접 영역을 의미하고, 벌크 영역은 경계 영역에서 떨어져 있는 제1 물질 패턴(10), 제2 물질 패턴(20)을 의미한다.Hereinafter, an OPC modeling method capable of predicting the topography effect of the pattern stack structures 10 and 20 will be described. The OPC modeling method according to some embodiments of the present invention is divided into a boundary region and a bulk region and modeled independently. Here, the boundary region refers to a boundary between the first material pattern 10 and the second material pattern 20 and an adjacent region, and the bulk region refers to the first material pattern 10 and the second material pattern (distant from the boundary region). 20).

도 3은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 방법을 설명하기 위한 흐름도이다. 도 4는 도 3의 S320(벌크 이미지 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 5는 도 3의 S330(에지 이미지 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 흐름도이다. 도 6 내지 도 8은 각각 제1 영역 필터, 제2 영역 필터, 에지함수를 설명하기 위한 도면이다. 도 9는 도 4를 설명하기 위한 개념도이다. 도 10 및 도 11은 도 4의 S321(제1 에어리얼 이미지 생성 단계), S325(제2 에어리얼 이미지 생성 단계)를 설명하기 위한 도면이다. 도 12는 도 5의 S331(가중된 에지함수 생성 단계)를 설명하기 위한 도면이다. 도 13은 도 5를 설명하기 위한 개념도이다. 도 14 및 도 15는 각 물질 패턴에 영향을 주는 광을 설명하기 위한 개념도이다. 도 16a 내지 도 16e는 단위 커널 세트를 설명하기 위한 도면들이다. 도 17은 도 3의 S340(최종 모델 신호 생성 단계)를 설명하기 위한 개념도이다. 3 is a flowchart illustrating an OPC modeling method according to some embodiments of the present invention. 4 is a flowchart for explaining S320 (bulk image signal generation step) of FIG. 3. FIG. 5 is a flowchart for explaining S330 (edge image signal generation step) of FIG. 3. 6 to 8 are diagrams for explaining a first region filter, a second region filter, and an edge function, respectively. 9 is a conceptual diagram for explaining FIG. 4. 10 and 11 are diagrams for describing S321 (first aerial image generation step) and S325 (second aerial image generation step) of FIG. 4. FIG. 12 is a diagram for explaining S331 (weighted edge function generation step) of FIG. 5. FIG. 13 is a conceptual diagram for describing FIG. 5. 14 and 15 are conceptual diagrams for describing light affecting each material pattern. 16A to 16E are diagrams for describing a unit kernel set. FIG. 17 is a conceptual diagram for explaining S340 (final model signal generation step) of FIG. 3.

먼저, 도 3을 참조하면, 패턴 스택 구조(10, 20)로부터, 제1 물질 패턴(10)에 대응되는 제1 영역 필터(도 6의 40 참조), 제2 물질 패턴(20)에 대응되는 제2 영역 필터(도 7의 50 참조), 경계 영역(19)에 대응되는 에지함수(도 8의 60 참조)를 생성한다(S310).First, referring to FIG. 3, from the pattern stack structures 10 and 20, the first region filter corresponding to the first material pattern 10 (see 40 in FIG. 6) and the second material pattern 20 may correspond to the first material filter 10. A second region filter (see 50 of FIG. 7) and an edge function (see 60 of FIG. 8) corresponding to the boundary region 19 are generated (S310).

제1 영역 필터(40)는 예를 들어, 제1 물질 패턴(10)에 해당하는 부분을 오픈(open)하고, 제2 물질 패턴(20)에 해당하는 부분을 가릴 수 있다(도면부호 41 참조). 제2 영역 필터(50)는 예를 들어, 제2 물질 패턴(20)에 해당하는 부분을 오픈하고, 제1 물질 패턴(10)에 해당하는 부분을 가릴 수 있다(도면부호 51 참조). 에지함수(60)는 제1 물질 패턴(10)과 제2 물질 패턴(20)의 경계를 슬릿(slit)(61) 형태로 오픈(open)한 것일 수 있다. For example, the first region filter 40 may open a portion corresponding to the first material pattern 10 and may cover a portion corresponding to the second material pattern 20 (see reference numeral 41). ). For example, the second region filter 50 may open a portion corresponding to the second material pattern 20 and may cover a portion corresponding to the first material pattern 10 (see reference numeral 51). The edge function 60 may be formed by opening the boundary between the first material pattern 10 and the second material pattern 20 in the form of a slit 61.

한편, 다시 도 3을 참조하면, 벌크 이미지 신호를 생성한다(S320). 벌크 이미지 신호를 생성하는 것을 도 4를 이용하여 자세히 설명한다.Meanwhile, referring back to FIG. 3, a bulk image signal is generated (S320). Generating the bulk image signal will be described in detail with reference to FIG. 4.

먼저, 레이아웃의 제1 에어리얼 이미지(aerial image)(도 9의 112 참조)를 생성한다(S321). 여기서, 제1 에어리얼 어미지(112)는 도 10에 도시된 것과 같이, 상기 제1 물질(10)의 플래너 스택 구조(planar stack structure)를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수 있다. 즉, 제1 에어리얼 이미지(112)는 마스크(30) 하부에 형성된 구조는 제1 물질(10)만을 포함한 경우의 레이아웃 이미지일 수 있다. 이와 같이 하는 이유는, 경계 영역에서 떨어져 있는 영역은, 플래너 스택 구조라고 가정해도 무방하기 때문이다. First, a first aerial image (see 112 of FIG. 9) of the layout is generated (S321). Here, as shown in FIG. 10, the first aerial image 112 may be a layout image based on a planar stack structure of the first material 10. That is, the first aerial image 112 may be a layout image when the structure formed under the mask 30 includes only the first material 10. The reason for doing this is that the region distant from the boundary region may be assumed to be a planar stack structure.

제1 에어리얼 이미지(112)와 제1 영역 필터(40)를 곱하여, 제1 부분 에어리얼 이미지(도 9의 45 참조)를 생성한다(S322).By multiplying the first aerial image 112 and the first region filter 40, a first partial aerial image (see 45 of FIG. 9) is generated (S322).

레이아웃의 제2 에어리얼 이미지(도 9의 114 참조)를 생성한다(S325). 여기서, 제2 에어리얼 이미지(114)는 도 11에 도시된 것과 같이, 제2 물질(20)의 플래너 스택 구조를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수도 있다. 즉, 제2 에어리얼 이미지(114)는 마스크(30) 하부에 형성된 구조는 제2 물질(20)만을 포함한 경우의 레이아웃 이미지일 수 있다. 이와 같이 하는 이유는, 경계 영역에서 떨어져 있는 영역은, 플래너 스택 구조라고 가정해도 무방하기 때문이다.A second aerial image (see 114 in FIG. 9) of the layout is generated (S325). Here, the second aerial image 114 may be a layout image based on the planar stack structure of the second material 20, as shown in FIG. 11. That is, the second aerial image 114 may be a layout image when the structure formed under the mask 30 includes only the second material 20. The reason for doing this is that the region distant from the boundary region may be assumed to be a planar stack structure.

제2 에어리얼 이미지(114)와 제2 영역 필터(50)를 곱하여, 제2 부분 에어리얼 이미지(도 9의 55 참조)를 생성한다(S326).The second partial image 114 is multiplied by the second region filter 50 to generate a second partial aerial image (see 55 of FIG. 9) (S326).

이어서, 제1 부분 에어리얼 이미지(45)와 제2 부분 에어리얼 이미지(55)를 합하여, 벌크 이미지 신호(130)를 완성한다(S328).Subsequently, the first partial aerial image 45 and the second partial aerial image 55 are combined to complete the bulk image signal 130 (S328).

한편, 다시 도 3을 참조하면, 에지 이미지 신호를 생성한다(S330). 에지 이미지 신호를 생성하는 것을 도 5를 이용하여 자세히 설명한다.Meanwhile, referring back to FIG. 3, an edge image signal is generated (S330). Generating the edge image signal will be described in detail with reference to FIG. 5.

먼저, 가중된 에지함수(weighted edge function)을 생성한다(S331). 도 12에 도시된 것과 같이, 에지함수(60)와 레이아웃의 반영 이미지(110)를 서로 곱하여, 가중된 에지함수(120)를 생성할 수 있다.First, a weighted edge function is generated (S331). As illustrated in FIG. 12, the weighted edge function 120 may be generated by multiplying the edge function 60 and the reflection image 110 of the layout by each other.

여기서, 레이아웃의 반영 이미지(110)는, 레이아웃의 밝은 부분(즉, 마스크(30)에 의해 가려지지 않는 부분)과 어두운 부분(즉, 마스크(30)에 의해 가려지는 부분)을 보여주는 것이면 어떤 것이든 가능하다. Here, the reflection image 110 of the layout is what shows if the light portion (that is, the portion not covered by the mask 30) and the dark portion (ie, the portion hidden by the mask 30) of the layout is shown. Anything is possible.

예를 들어, 레이아웃의 반영 이미지(110)는 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지일 수 있다. 즉, 레이아웃의 반영 이미지(110)는 마스크(30) 하부에 공기가 있는 경우의 레이아웃 이미지일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다.For example, the reflection image 110 of the layout may be a layout image based on air. That is, the reflection image 110 of the layout may be a layout image when there is air under the mask 30, but is not limited thereto.

다른 예를 들면, 레이아웃의 반영 이미지(110)는 전술한 제1 에어리얼 이미지(도 9의 112 참조)(제1 물질의 플래나 스택 구조를 기초로 한 레이아웃 이미지) 및 제2 에어리얼 이미지(도 9의 114 참조)(제2 물질의 플래나 스택 구조를 기초로 한 레이아웃 이미지)일 수도 있다. 이러한 경우, 제1 부분 에지함수 생성 단계(S333)에서 제1 에어리얼 이미지(112)를 사용하고, 제2 부분 에지함수 생성 단계(S336)에서 제2 에어리얼 이미지(114)를 사용할 수도 있다.In another example, the reflection image 110 of the layout includes the first aerial image (see 112 in FIG. 9) (the layout image based on the planar stack structure of the first material) and the second aerial image (FIG. 9). 114) (the layout image based on the planar or stack structure of the second material). In this case, the first aerial image 112 may be used in the first partial edge function generation step S333, and the second aerial image 114 may be used in the second partial edge function generation step S336.

한편, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 방법에서, 제1 부분 에지함수와 제2 부분 에지함수를 별도로 계산한다. Meanwhile, in the OPC modeling method according to some embodiments of the present invention, the first partial edge function and the second partial edge function are separately calculated.

이어서, 제1 특성 커널을 생성한다(S332).Next, a first characteristic kernel is generated (S332).

제1 특성 커널(도 13의 152 참조)은 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴(10) 측의 특성을 반영한 것일 수 있다. 즉, 제1 특성 커널(152)은 경계 영역 중에서 제1 물질 패턴(10) 측에 영향을 미치는 요소만을 반영하여 얻은 함수이다. 도 14에 도시된 것과 같이, 제1 물질 패턴(10)에 영향을 주는 광은, 예를 들어, 제1 물질 패턴(10)과 제2 물질 패턴(20)의 경계에서 반사되는 광(L1)과, 제2 물질 패턴(20)에서부터 제1 물질 패턴(10)으로 굴절되어 입사하는 광(L2)일 수 있다. 제1 특성 커널(152)은 이와 같이 다양한 광에 의한 물리적 현상을 반영한 것일 수 있다. The first characteristic kernel (see 152 of FIG. 13) may reflect the characteristic of the first material pattern 10 side in the boundary region. That is, the first characteristic kernel 152 is a function obtained by reflecting only an element affecting the first material pattern 10 side in the boundary region. As shown in FIG. 14, light affecting the first material pattern 10 is, for example, light L1 reflected at the boundary between the first material pattern 10 and the second material pattern 20. And the light L2 refracted from the second material pattern 20 into the first material pattern 10 and incident. The first characteristic kernel 152 may reflect physical phenomena caused by various lights as described above.

예를 들어, 제1 특성 커널(152)은 중심에서부터 바깥쪽으로 가중치(weight)가 골고루 분포하는 단위 커널 세트의 선형 조합일 수 있다. 선형 조합은 아래의 수학식 1과 같을 수 있다. 제1 특성 커널(152)은 경계 영역에서 발생할 수 있는 물리적 거동을, 선형 시스템으로 근사화하여 표현한 것이다.For example, the first feature kernel 152 may be a linear combination of unit kernel sets with weights evenly distributed from the center to the outside. The linear combination may be as in Equation 1 below. The first characteristic kernel 152 expresses the physical behavior that may occur in the boundary region by approximating a linear system.

[수학식 1][Equation 1]

Figure 112012093690600-pat00012
Figure 112012093690600-pat00012

Figure 112012093690600-pat00013
은 제1 특성 커널을 의미하고,
Figure 112012093690600-pat00014
는 단위 커널을 의미하고, Ci는 가중치를 의미한다. 여기서, 단위 커널 세트는 베셀 세트(Bessel Set)일 수 있으나, 이에 한정되지 않는다. 예를 들어,
Figure 112012093690600-pat00015
(단, i=1~5)는 도 16a 내지 도 16e에 도시된 것과 같이, 다양한 형태일 수 있다. Ci는 웨이퍼 측정 결과를 토대로, OPC 모델의 다른 파라미터를 최적화할 때 함께 결정될 수 있다.
Figure 112012093690600-pat00013
Means the first characteristic kernel,
Figure 112012093690600-pat00014
Denotes a unit kernel, and C i denotes a weight. Here, the unit kernel set may be a Bessel set, but is not limited thereto. E.g,
Figure 112012093690600-pat00015
(I = 1 to 5) may be in various forms, as shown in FIGS. 16A to 16E. C i can be determined together when optimizing other parameters of the OPC model based on the wafer measurement results.

이어서, 제1 부분 에지함수(도 13의 162 참조)를 생성한다(S333).Subsequently, a first partial edge function (see 162 of FIG. 13) is generated (S333).

구체적으로, 제1 특성 커널(152)과, 제1 영역 필터(40)를 이용하여, 가중된 에지함수(120)로부터 제1 부분 에지함수(162)은 생성할 수 있다. 예를 들어, 가중된 에지함수(120)와 제1 특성 커널(152)을 제1 컨볼루션(convolution)하고, 제1 컨볼루션한 결과에 제1 영역 필터(40)를 곱하여, 제1 부분 에지함수(162)를 생성할 수 있다. In detail, the first partial edge function 162 may be generated from the weighted edge function 120 using the first characteristic kernel 152 and the first region filter 40. For example, a first convolution of the weighted edge function 120 and the first characteristic kernel 152 is performed, and the result of the first convolution is multiplied by the first region filter 40 to generate the first partial edge. Function 162 may be generated.

이어서, 제2 특성 커널을 생성한다(S335).Next, a second characteristic kernel is generated (S335).

제2 특성 커널(도 13의 154 참조)은 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴(20) 측의 특성을 반영한 것일 수 있다. 즉, 제2 특성 커널(154)은 경계 영역 중에서 제2 물질 패턴(20) 측에 영향을 미치는 요소만을 반영하여 얻은 함수이다. 도 15에 도시된 것과 같이, 제2 물질 패턴(20)에 영향을 주는 광은, 예를 들어, 제1 물질 패턴(10)과 제2 물질 패턴(20)의 경계에서 반사되는 광(L3)과, 제1 물질 패턴(10)에서부터 제2 물질 패턴(20)으로 굴절되어 입사하는 광(L4)일 수 있다. 제2 특성 커널(154)은 이와 같이 다양한 광에 의한 물리적 현상을 반영한 것일 수 있다. The second characteristic kernel (see 154 of FIG. 13) may reflect the characteristic of the second material pattern 20 in the boundary region. That is, the second characteristic kernel 154 is a function obtained by reflecting only an element affecting the second material pattern 20 side in the boundary region. As shown in FIG. 15, light affecting the second material pattern 20 is, for example, light L3 reflected at the boundary between the first material pattern 10 and the second material pattern 20. And the light L4 refracted from the first material pattern 10 into the second material pattern 20 and incident. The second characteristic kernel 154 may reflect physical phenomena caused by various lights as described above.

제2 특성 커널(154)은 제1 특성 커널(152)과 유사하게, 중심에서부터 바깥쪽으로 가중치가 골고루 분포하는 단위 커널 세트의 선형 조합일 수 있다. Similar to the first feature kernel 152, the second feature kernel 154 may be a linear combination of unit kernel sets with weights evenly distributed from the center to the outside.

이어서, 제2 부분 에지함수(도 13의 164 참조)를 생성한다(S336).Next, a second partial edge function (see 164 of FIG. 13) is generated (S336).

구체적으로, 제2 특성 커널(154)과, 제2 영역 필터(50)를 이용하여, 가중된 에지함수(120)로부터 제2 부분 에지함수(164)은 생성할 수 있다. 예를 들어, 가중된 에지함수(120)와 제2 특성 커널(154)을 제2 컨볼루션하고, 제2 컨볼루션한 결과에 제2 영역 필터(50)를 곱하여, 제2 부분 에지함수(164)를 생성할 수 있다. In detail, the second partial edge function 164 may be generated from the weighted edge function 120 using the second characteristic kernel 154 and the second region filter 50. For example, the second partial convolution of the weighted edge function 120 and the second characteristic kernel 154 and multiplying the result of the second convolution by the second area filter 50 results in the second partial edge function 164. ) Can be created.

다시 도 4를 참조하면, 벌크 이미지 신호(130)와 에지 이미지 신호(162, 164)를 이용하여, 최종 모델 신호(190)를 생성한다(S328).Referring to FIG. 4 again, the final model signal 190 is generated using the bulk image signal 130 and the edge image signals 162 and 164 (S328).

구체적으로, 도 17에 도시된 것과 같이, 벌크 이미지 신호(130), 제1 에지 이미지 신호(162), 제2 에지 이미지 신호(164) 각각에 가중치(d0, d1, d2)를 곱하여 더하여, 최종 모델 신호(190)를 생성할 수 있다. Specifically, as shown in FIG. 17, the bulk image signal 130, the first edge image signal 162, and the second edge image signal 164 are each multiplied by the weights d0, d1, and d2 to add the final values. The model signal 190 may be generated.

여기서, 도 1 내지 도 17을 이용하여 설명한 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 방법을 수식으로 정리하면 다음과 같다. 즉, 최종모델 신호

Figure 112012093690600-pat00016
는 다음의 수학식2로 결정될 수 있다.Here, the OPC modeling method according to some embodiments of the present invention described with reference to FIGS. 1 to 17 are summarized as follows. That is, the final model signal
Figure 112012093690600-pat00016
May be determined by Equation 2 below.

[수학식 2][Equation 2]

Figure 112012093690600-pat00017
Figure 112012093690600-pat00017

Figure 112012093690600-pat00018
는 각 텀(term)의 계수일 수 있다. 도 17에서는 가중치 d0, d1, d2로 표현한 것과 대응될 수 있다.
Figure 112012093690600-pat00018
May be a coefficient of each term. In FIG. 17, this may correspond to the weight d0, d1, and d2.

수학식2의 앞의 2개 텀(term)은, 벌크 이미지 신호를 생성하는 것을 의미하고, 수학식2의 뒤의 2개 텀(term)은 에지 이미지 신호를 생성하는 것을 의미한다.The two terms in front of Equation 2 mean generating a bulk image signal, and the two terms after Equation 2 mean generating an edge image signal.

즉,

Figure 112012093690600-pat00019
는 상기 제1 물질의 플래너 스택 구조(planar stack structure)를 기초로 한 제1 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00020
는 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터이고,
Figure 112012093690600-pat00021
는 상기 제2 물질의 플래너 스택 구조를 기초로 한 제2 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00022
는 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터이다.In other words,
Figure 112012093690600-pat00019
Is a first aerial image based on a planar stack structure of the first material,
Figure 112012093690600-pat00020
Is a first region filter corresponding to the first material pattern,
Figure 112012093690600-pat00021
Is a second aerial image based on the planar stack structure of the second material,
Figure 112012093690600-pat00022
Is a second area filter corresponding to the second material pattern.

또한,

Figure 112012093690600-pat00023
는 상기 경계 영역에 대응되는 에지 함수(edge function)이고,
Figure 112012093690600-pat00024
는 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00025
는 상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널이고,
Figure 112012093690600-pat00026
는 상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널일 수 있다.Also,
Figure 112012093690600-pat00023
Is an edge function corresponding to the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00024
Is an layout image based on air,
Figure 112012093690600-pat00025
Is a first characteristic kernel reflecting the characteristic of the first material pattern side of the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00026
May be a second characteristic kernel reflecting characteristics of the second material pattern side of the boundary region.

도 18은 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 시스템을 설명하기 위한 블록도이다. 도 18의 OPC 모델링 시스템은, 도 1 내지 도 17을 이용하여 설명한 OPC 모델링 방법을 구현하기 위한 시스템이다. 설명의 편의상, 도 1 내지 도 17을 이용하여 설명한 부분은 생략한다.18 is a block diagram illustrating an OPC modeling system according to some embodiments of the present invention. The OPC modeling system of FIG. 18 is a system for implementing the OPC modeling method described with reference to FIGS. 1 to 17. For convenience of explanation, the parts described with reference to FIGS. 1 to 17 will be omitted.

도 18을 참조하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 OPC 모델링 시스템(1)은, 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 제1 물질 패턴과 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있다. 이러한 OPC 모델링 시스템(1)은 필터 생성부(410), 에지함수 생성부(420), 벌크 이미지 생성부(430), 에지 이미지 생성부(440), 최종 모델 생성부(450) 등을 포함할 수 있다. Referring to FIG. 18, an OPC modeling system 1 according to some embodiments of the present disclosure may include a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern. A topography effect due to a pattern stack structure can be predicted. The OPC modeling system 1 may include a filter generator 410, an edge function generator 420, a bulk image generator 430, an edge image generator 440, a final model generator 450, and the like. Can be.

필터 생성부(410)는 제1 물질 패턴(10)에 대응되는 제1 영역 필터(40)와, 제2 물질 패턴(20)에 대응되는 제2 영역 필터(50)를 생성할 수 있다.The filter generator 410 may generate a first region filter 40 corresponding to the first material pattern 10 and a second region filter 50 corresponding to the second material pattern 20.

에지함수 생성부(420)는 경계 영역에 대응되는 에지함수(60)을 생성할 수 있다.The edge function generator 420 may generate the edge function 60 corresponding to the boundary area.

벌크 이미지 생성부(430)는 제1 영역 필터(40)와 제2 영역 필터(50)를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성할 수 있다. The bulk image generator 430 may generate a bulk image signal from the layout by using the first region filter 40 and the second region filter 50.

에지 이미지 생성부(440)는 에지함수(60), 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 제1 영역 필터(40) 및 제2 영역 필터(50)를 이용하여, 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성할 수 있다. The edge image generator 440 may generate an edge image signal from the layout by using the edge function 60, the feature kernel reflecting the characteristics of the boundary region, the first region filter 40, and the second region filter 50. Can be.

최종 모델 생성부(450)은 벌크 이미지 신호와 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성할 수 있다. The final model generator 450 may generate the final model signal by using the bulk image signal and the edge image signal.

이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다. Although embodiments of the present invention have been described above with reference to the accompanying drawings, those skilled in the art to which the present invention pertains may implement the present invention in other specific forms without changing the technical spirit or essential features thereof. I can understand that. Therefore, it should be understood that the embodiments described above are exemplary in all respects and not restrictive.

S310: 영역필터 및 에지함수 생성 단계
S320: 벌크 이미지 생성 단계
S321: 제1 에어리얼 이미지 생성 단계
S322: 제1 부분 에어리얼 이미지 생성 단계
S325: 제2 에어리얼 이미지 생성 단계
S326: 제2 부분 에어리얼 이미지 생성 단계
S328: 벌크 이미지 신호 완성 단계
S330: 에지 이미지 생성 단계
S331: 가중된 에지 함수 생성 단계
S332: 제1 특성커널 생성 단계
S333: 제1 부분 에지함수 생성 단계
S335: 제2 특성커널 생성 단계
S336: 제2 부분 에지함수 생성 단계
S340: 최종 모델 신호 생성 단계S310: Step of generating area filter and edge function
S320: Bulk Image Creation Steps
S321: first aerial image generation step
S322: generating a first partial aerial image
S325: second aerial image generation step
S326: second partial aerial image generation step
S328: bulk image signal completion step
S330: Edge Image Generation Step
S331: Weighted Edge Function Generation Step
S332: generating the first characteristic kernel
S333: generating a first partial edge function
S335: generating the second characteristic kernel
S336: generating a second partial edge function
S340: generating the final model signal

Claims (10)

제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서,
상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터와, 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하고,
상기 제1 영역 필터와 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성하고,
상기 에지함수, 상기 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 상기 제1 영역 필터 및 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성하고,
상기 벌크 이미지 신호와 상기 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성하는 것을 포함하는 광근접보정 모델링 방법.Optical proximity capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern In the correction modeling method,
Generating a first region filter corresponding to the first material pattern, a second region filter corresponding to the second material pattern, and an edge function corresponding to the boundary region,
Generating a bulk image signal from a layout using the first region filter and the second region filter,
Generating an edge image signal from the layout by using the edge function, a characteristic kernel reflecting characteristics of the boundary region, the first region filter, and the second region filter,
And generating a final model signal using the bulk image signal and the edge image signal. 제 1항에 있어서,
상기 에지함수는 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계를 슬릿(slit) 형태로 오픈(open)한 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 1,
The edge function is an optical proximity correction modeling method of opening a boundary between the first material pattern and the second material pattern in a slit form. 제 1항에 있어서, 상기 에지 이미지 신호를 생성하는 것은,
상기 에지함수를 이용하여, 레이아웃으로부터 가중된 에지함수를 생성하고,
상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널과, 제1 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제1 부분 에지함수를 생성하고,
상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널과, 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제2 부분 에지함수를 생성하는 것을 포함하는 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 1, wherein generating the edge image signal,
Using the edge function, generate a weighted edge function from the layout,
Generating a first partial edge function from the weighted edge function using a first characteristic kernel reflecting the characteristic of the first material pattern side of the boundary region and a first region filter,
And generating a second partial edge function from the weighted edge function using a second characteristic kernel reflecting the characteristic of the second material pattern side of the boundary region and a second region filter. . 제 3항에 있어서, 상기 가중된 에지함수를 생성하는 것은,
상기 레이아웃의 반영 이미지와, 상기 에지함수를 곱하여, 가중된 에지함수를 생성하는 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 3, wherein generating the weighted edge function,
And a reflection image of the layout and the edge function to generate a weighted edge function. 제 3항에 있어서,
상기 제1 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제1 특성 커널을 제1 컨볼루션하고, 상기 제1 컨볼루션한 결과에 상기 제1 영역 필터를 곱하는 것을 포함하고,
상기 제2 부분 에지함수를 생성하는 것은, 상기 가중된 에지함수와 상기 제2 특성 커널을 제2 컨볼루션하고, 상기 제2 컨볼루션한 결과에 상기 제2 영역 필터를 곱하는 것을 포함하는 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 3, wherein
Generating the first partial edge function comprises first convolving the weighted edge function and the first characteristic kernel, and multiplying the result of the first convolution by the first region filter,
Generating the second partial edge function includes convolution of the weighted edge function with the second characteristic kernel and multiplying the result of the second convolution by the second region filter. Modeling method. 제 3항에 있어서,
상기 각 특성 커널은, 단위 커널 세트의 선형 조합인 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 3, wherein
Wherein each characteristic kernel is a linear combination of unit kernel sets. 제 1항에 있어서, 상기 벌크 이미지 신호를 생성하는 것은,
상기 레이아웃의 제1 에어리얼 이미지(aerial image)와 상기 제1 영역 필터를 곱하여, 제1 부분 에어리얼 이미지를 생성하고,
상기 레이아웃의 제2 에어리얼 이미지와 상기 제2 영역 필터를 곱하여, 제2 부분 에어리얼 이미지를 생성하고,
상기 제1 부분 에어리얼 이미지와 상기 제2 부분 에어리얼 이미지를 합하여 상기 벌크 이미지 신호를 생성하는 광근접보정 모델링 방법.The method of claim 1, wherein generating the bulk image signal comprises:
Multiplying the first aerial image of the layout by the first region filter to generate a first partial aerial image,
Multiplying the second aerial image of the layout by the second area filter to generate a second partial aerial image;
And the first partial aerial image and the second partial aerial image to generate the bulk image signal. 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서,
상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터와, 상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하고,
상기 에지함수를 이용하여, 레이아웃으로부터 가중된 에지함수를 생성하고,
상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널과, 제1 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제1 부분 에지함수를 생성하고,
상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널과, 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 가중된 에지함수로부터 제2 부분 에지함수를 생성하는 것을 포함하는 광근접보정 모델링 방법.Optical proximity capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern In the correction modeling method,
Generating a first region filter corresponding to the first material pattern, a second region filter corresponding to the second material pattern, and an edge function corresponding to the boundary region,
Using the edge function, generate a weighted edge function from the layout,
Generating a first partial edge function from the weighted edge function using a first characteristic kernel reflecting the characteristic of the first material pattern side of the boundary region and a first region filter,
And generating a second partial edge function from the weighted edge function using a second characteristic kernel reflecting the characteristic of the second material pattern side of the boundary region and a second region filter. . 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 방법에 있어서,
최종모델 신호
Figure 112012093690600-pat00027
는 다음의 수식으로 결정되되,
Figure 112012093690600-pat00028

Figure 112012093690600-pat00029
는 각 텀(term)의 계수이고,
Figure 112012093690600-pat00030
는 상기 제1 물질의 플래너 스택 구조(planar stack structure)를 기초로 한 제1 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00031
는 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터이고,
Figure 112012093690600-pat00032
는 상기 제2 물질의 플래너 스택 구조를 기초로 한 제2 에어리얼 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00033
는 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터이고,
Figure 112012093690600-pat00034
는 상기 경계 영역에 대응되는 에지 함수(edge function)이고,
Figure 112012093690600-pat00035
는 공기를 기초로 한 레이아웃 이미지이고,
Figure 112012093690600-pat00036
는 상기 경계 영역 중 상기 제1 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제1 특성 커널이고,
Figure 112012093690600-pat00037
는 상기 경계 영역 중 상기 제2 물질 패턴 측의 특성을 반영한 제2 특성 커널인 광근접보정 모델링 방법.Optical proximity capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern In the correction modeling method,
Final Model Signal
Figure 112012093690600-pat00027
Is determined by the formula
Figure 112012093690600-pat00028

Figure 112012093690600-pat00029
Is the coefficient of each term,
Figure 112012093690600-pat00030
Is a first aerial image based on a planar stack structure of the first material,
Figure 112012093690600-pat00031
Is a first region filter corresponding to the first material pattern,
Figure 112012093690600-pat00032
Is a second aerial image based on the planar stack structure of the second material,
Figure 112012093690600-pat00033
Is a second region filter corresponding to the second material pattern,
Figure 112012093690600-pat00034
Is an edge function corresponding to the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00035
Is an layout image based on air,
Figure 112012093690600-pat00036
Is a first characteristic kernel reflecting the characteristic of the first material pattern side of the boundary region,
Figure 112012093690600-pat00037
Is a second characteristic kernel reflecting the characteristics of the second material pattern side of the boundary region. 제1 물질 패턴, 제2 물질 패턴 및 상기 제1 물질 패턴과 상기 제2 물질 패턴의 경계 영역을 포함하는 패턴 스택 구조(pattern stack structure)에 의한 토포그래피 이펙트(topography effect)를 예측할 수 있는 광근접보정 모델링 시스템에 있어서,
상기 제1 물질 패턴에 대응되는 제1 영역 필터와, 상기 제2 물질 패턴에 대응되는 제2 영역 필터를 생성하는 필터 생성부;
상기 경계 영역에 대응되는 에지함수(edge function)을 생성하는 에지함수 생성부;
상기 제1 영역 필터와 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 레이아웃으로부터 벌크 이미지 신호를 생성하는 벌크 이미지 생성부;
상기 에지함수, 상기 경계 영역의 특성을 반영한 특성 커널, 상기 제1 영역 필터 및 상기 제2 영역 필터를 이용하여, 상기 레이아웃으로부터 에지 이미지 신호를 생성하는 에지 이미지 생성부; 및
상기 벌크 이미지 신호와 상기 에지 이미지 신호를 이용하여, 최종 모델 신호를 생성하는 최종 모델 생성부를 포함하는 광근접보정 모델링 시스템.Optical proximity capable of predicting a topography effect due to a pattern stack structure including a first material pattern, a second material pattern, and a boundary region between the first material pattern and the second material pattern In a calibration modeling system,
A filter generator configured to generate a first region filter corresponding to the first material pattern and a second region filter corresponding to the second material pattern;
An edge function generator for generating an edge function corresponding to the boundary area;
A bulk image generation unit generating a bulk image signal from a layout by using the first region filter and the second region filter;
An edge image generator configured to generate an edge image signal from the layout by using the edge function, a feature kernel reflecting characteristics of the boundary region, the first region filter, and the second region filter; And
And a final model generator configured to generate a final model signal by using the bulk image signal and the edge image signal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20080148218A1 (en) 2006-12-19 2008-06-19 Nec Electronics Corporation Mask data generation method, mask formation method, pattern formation method

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