[go: up one dir, main page]

KR100903818B1 - 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법 - Google Patents

유기발광소자용 새도우마스크 제조방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100903818B1
KR100903818B1 KR1020030079899A KR20030079899A KR100903818B1 KR 100903818 B1 KR100903818 B1 KR 100903818B1 KR 1020030079899 A KR1020030079899 A KR 1020030079899A KR 20030079899 A KR20030079899 A KR 20030079899A KR 100903818 B1 KR100903818 B1 KR 100903818B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
silicon substrate
mask
photoresist
light emitting
organic light
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
KR1020030079899A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20050045729A (ko
Inventor
유한성
Original Assignee
에스케이씨 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 에스케이씨 주식회사 filed Critical 에스케이씨 주식회사
Priority to KR1020030079899A priority Critical patent/KR100903818B1/ko
Publication of KR20050045729A publication Critical patent/KR20050045729A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100903818B1 publication Critical patent/KR100903818B1/ko
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50
    • G03F1/76—Patterning of masks by imaging
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/166—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using selective deposition, e.g. using a mask
    • H10P76/4085—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 미세한 패턴이 형성된 구조를 가지는 유기발광소자용 새도우마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 하며, 이 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 마스크용 실리콘기판 중 단자부가 형성되는 액티브 영역의 하면으로부터 전체 두께의 일부를 제거하는 제1단계, 마스크용 실리콘기판의 하측에 보조 실리콘기판 상측을 접합시키는 제2단계, 마스크용 실리콘기판의 패턴영역에 증착공을 형성하는 제3단계, 및 마스크용 실리콘기판과 보조 실리콘기판을 분리하는 제4단계를 포함하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법을 제공한다.

Description

유기발광소자용 새도우마스크 제조방법{Methode for manufacturing shadow mask for organic electroluminescence device}
도 1a 내지 도 1d는 통상적인 유기발광소자의 제조공정을 도시한 단면도들이고,
도 2a 내지 도 2d는 또 다른 통상적인 유기발광소자의 제조공정을 도시한 단면도들이고,
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광소자용 새도우마스크 제조공정을 도시한 단면도들이고,
도 4a 내지 도 4e는 도 3a의 제1단계에 포함되는 여러 단계들을 도시한 단면도들이고,
도 5a 내지 도 5c는 도 3b의 제2단계에 포함되는 여러 단계들을 도시한 단면도들이고,
도 6a 내지 도 6e는 도 3c의 제3단계에 포함되는 여러 단계들을 도시한 단면도들이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
100: 새도우 마스크 150: 마스크용 실리콘기판
151: 하측 포토리지스트 153: 상측 포토리지스트
155: 옥사이드 157: 증착공
160: 보조 실리콘기판 161: 접합 포토리지스트
d: 마스크용 실리콘기판 일부 두께 D: 마스크용 실리콘기판 전체 두께
U1: 마스크용 실리콘기판 상면 U2: 보조 실리콘기판 상면
L: 마스크용 실리콘기판 하면 P: 패턴영역
A: 액티브 영역
본 발명은 새도우마스크 제조방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 미세패턴의 증착공이 형성될 수 있는 유기발광소자용 새도우마스크의 제조 방법에 관한 것이다.
유기발광소자(Organic electroluminescence devices)는 자발 발광형 표시 소자로서, 시야각이 넓고 콘트라스트가 우수할 뿐만 아니라 응답속도가 빠르다는 장점을 가지고 있어 차세대 표시 소자로서 주목을 받고 있다.
일반적으로 유기발광소자는, 양전극과 음전극 사이에 발광층이 형성되어 있는 구조를 가진다. 양전극은 ITO(indium tin oxide)재질로 이루어지고, 음전극은 마그네슘(Mg), 은(Ag), MgAg-Li 등의 금속으로 이루어진다. 이 경우, 음전극이나 발광층은 새도우마스크를 이용하여 원하는 패턴으로 형성된다.
도 1a 내지 도 1d는 금속재질로 이루어진 유기발광소자용 새도우마스크를 이 용한 통상의 유기발광소자의 제조공정도이다. 도 1a 내지 도 1d를 참조하면, 유기발광소자는 사진식각공정(photolithograpy)에 의하여 통상 유리 기판(11)의 상면에 통상 양전극인 제1전극(12)을 코팅하고 패터닝하는 공정(도 1a), 상기 제1전극(12) 상면에 정공전달층(hole transfer layer), 방출층(emission layer), 전자전달층(electron transfer layer) 등의 발광층(14)을 순차적으로 증착시키는 공정(도 1b), 및 금속 새도우마스크(51)를 이용하여 통상 음전극인 제2전극(15)을 진공 증착하여 패터닝시키는 공정(도 1c)(도 1d)을 통하여 제작된다.
도 2a 내지 도 2d는 금속 새도우마스크를 이용한 다른 통상의 유기발광소자의 제조공정이다. 이 경우의 유기발광소자는 적색, 녹색, 청색의 각 화소를 기판 상에 독립 증착시키는 삼색 독립 증착 방식을 이용하여 제작된다. 도 2a 내지 도 2d를 참조하면, 먼저 유리 기판(21)의 상면에 통상 양전극인 제1전극(22)을 코팅하고 패터닝하는 공정(도 2a), 상기 제1전극(22) 상에 분리벽(cathode separator)(23)을 상기 제1전극(22)과 교차되도록 형성시키는 공정(도 2b), 상기 제1전극(22) 상에 금속으로 제작된 새도우마스크(52)를 이용하여 발광층(24)을 증착시키는 공정(도 2c), 및 상기 금속 새도우마스크(52)를 제외시키고 통상 음전극인 제2전극(25)을 도포하는 공정(도 2d)을 통하여 유기발광소자가 제작될 수 있다.
상기와 같이 도1 및 도 2에 도시된 유기발광소자의 제조공정에 있어서, 제2전극(15) 또는 발광층(24)은 금속재질로 이루어진 새도우마스크(51)(52)를 이용하여 패터닝된다. 그런데, 상기 금속으로 제작된 새도우마스크(51)(52)는 금속시트의 미세 가공의 한계로 인하여 제작 가능한 패턴 폭에 한계가 발생하며, 특히 50㎛ 이내의 미세한 패턴을 가지도록 제작하기 어렵다. 이에 따라, 50㎛ 이하의 미세 픽셀이 요구되는 고해상도 유기발광소자의 경우, 이러한 종래의 금속 새도우마스크를 이용하여서는 사실상 제작이 불가능함으로써, 고해상도의 마이크로 디스플레이소자가 구현될 수 없다는 문제점이 있다. 더욱이, 상기 금속새도우마스크(51)(52)는 식각공정에 의하여 패터닝되는데, 상기 패턴 후의 상기 금속 새도우마스크 표면에 잔재물이 잔존함으로 미세패턴의 픽셀을 가지는 유기발광소자가 형성될 수 없다.
본 발명은 상기와 같은 문제점 등을 포함한 여러 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 미세한 패턴의 픽셀을 가진 유기발광소자가 제작될 수 있도록, 실리콘으로 이루어지고 미세패턴을 가지는 유기발광소자용 새도우마스크를 제조하는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 또 다른 목적은 패턴형성 후 잔재물이 존재하지 않는 표면을 구비하는 유기발광소자용 새도우마스크를 제작하는 것이다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은:
마스크용 실리콘기판 중 화상이 구현되는 액티브 영역의 하면으로부터 전체 두께의 일부를 제거하는 제1단계;
상기 마스크용 실리콘기판의 하면에 보조 실리콘기판을 접합시키는 제2단계;
상기 마스크용 실리콘기판의 패턴영역에 증착공을 형성하는 제3단계; 및
상기 마스크용 실리콘기판과 보조 실리콘기판을 분리하는 제4단계;를 포함하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법을 제공한다.
상기 제1단계는 마스크용 실리콘기판의 상면에 옥사이드를 형성하는 단계, 상기 마스크용 실리콘기판 하면에 하측 포토리지스트를 도포하고 패터닝하는 단계, 및 상기 액티브 영역에서 마스크용 실리콘기판의 하면으로부터 두께 일부를 제거하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
여기서, 상기 하측 포토리지스트를 패터닝하는 단계는 사진식각공정 및 현상공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 액티브 영역에서 마스크용 실리콘기판의 하측으로부터 두께 일부를 제거하는 공정은 습식 식각공정에 의하여 수행되는 것이 바람직하다.
제2단계는 보조 실리콘기판 상면에 접합 포토리지스트를 도포하는 단계, 및 상기 마스크용 실리콘기판 하면에 보조 실리콘기판의 상면을 접합시키는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
상기 제3단계는 상기 마스크용 실리콘기판의 상면에 상측 포토리지스트를 도포하는 단계, 상기 패턴영역에 상기 상측 포토리지스트를 패터닝하는 단계, 및 상기 마스크용 실리콘기판에 증착공을 형성하는 단계를 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 제3단계는 상기 옥사이드를 상기 패턴영역에서 옥사이드를 패터닝하는 단계, 및 상기 증착공을 형성하는 단계 후에 옥사이드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것이 바람직하다.
이 경우, 상기 패턴영역에서 옥사이드를 제거하는 단계는 습식 식각법에 의 하여 수행되는 것이 바람직하다.
또한, 상기 상측 포토리지스트를 패터닝하는 단계는 사진식각공정 및 현상공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
더욱이, 상기 마스크용 실리콘기판에 증착공을 형성하는 단계는 건식 식각공정에 의해 수행되는 것이 바람직하다.
제4단계는 상기 증착공 사이로 스트리퍼를 주입하여 접합 포토리지스트 및 하측 포토리지스트를 제거하는 공정으로 수행되는 것이 바람직하다.
이어서, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명한다.
도 3a 내지 도 3d는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 유기발광소자용 새도우마스크의 제조공정을 도시하는 단면도이다. 도면을 참조하면, 유기발광소자용 새도우마스크는 실리콘 재질의 마스크용 실리콘기판(150)으로 이루어진다.
상기 마스크용 실리콘기판(150)을 유기발광소자용 새도우마스크로 제조하는 공정은, 증착공(155)이 형성되는 영역인 액티브 영역(A)에서 마스크용 실리콘기판(150)을 그 하면(L)으로부터 전체 두께(D)의 일부(d)까지 제거하는 제1단계(도 3a), 상기 마스크용 실리콘기판(150)의 하측에 상기 보조 실리콘기판(160) 상측을 접합시키는 제2단계(도 3b), 상기 마스크용 실리콘기판(150)에 증착공(157)을 형성시키는 제3단계(도 3c), 및 보조 실리콘기판(160)과 마스크용 실리콘기판(150)을 분리하여, 상기 마스크용 실리콘기판(150)이 새도우마스크(100)가 되는 제4단계(도 3d)를 포함한다.
각 단계를 구체적으로 설명하면, 제1단계는 도 4a 내지 도 4e에 도시된 바와 같이, 마스크용 실리콘기판(150) 상면(U1)에 옥사이드(oxide)(155)를 형성시키는 단계(도 4b), 상기 마스크용 실리콘기판(150) 하면(L)에 하측 포토리지스트(151)를 도포하는 단계(도 4c), 상기 액티브 영역(A)에서 하측 포토리지스트(151)를 패터닝(patterning)하는 단계(도 4d), 및 상기 액티브 영역(A)에서 마스크용 실리콘기판(150)을 전체 두께(D)의 일부(d)를 제거하는 단계(도 4e)를 포함한다.
상기한 바와 같이, 상기 마스크용 실리콘기판(150)의 상면(U1)에 옥사이드(155)를 형성시키는 것이 바람직한데, 이는 옥사이드(155)가 후술할 증착공을 형성하는 단계에서 패터닝되는 부분 이외의 부분을 보호하는 기능을 하기 때문이다.
또한, 상기 하측 포토리지스트(151)를 패터닝하는 단계는 사진식각공정 및 현상공정에 의하여 수행되는 것이 바람직하다. 즉 마스크용 실리콘기판 하판(L)에 도포된 하측 포토리지스트(151) 중 액티브 영역(A)에 광을 노출시킨 다음, 현상 및 식각 과정을 통하여 패터닝한다. 상기의 경우는, 하측 포토리지스트(151)가 음성 포토리지스트인 경우이며, 이와 달리 하측 포토리지스트(151)가 양성 포토리지스트인 경우에는 액티브 영역(A) 외의 영역에 광을 노출시킴으로써 패터닝하는 것이 가능하다.
또한 상기 액티브 영역에서 마스크용 실리콘기판 두께 일부(d)를 제거하는 공정은 습식 식각공정에 의하여 수행되는 것이 바람직하다. 이 경우, 상기 습식 식각공정은 TMAH(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide)에서 행해지고, 제거되는 두께(d)가 200㎛ 이상이 되도록 마스크용 실리콘기판(150)을 습식 식각하는 것이 바람직하다. 상기 습식 식각공정 시에는 마스크용 실리콘기판(150)을 하프에칭(half etching)하여 전체 두께의 일부(d)를 제거할 수 있다.
제2단계는 도 5a 내지 도 5c에 도시된 바와 같이, 보조 실리콘기판 상면(U2)에 접합 포토리지스트(161)를 도포하는 단계(도 5b), 및 상기 마스크용 실리콘기판 하측에 마스크용 실리콘기판의 상측을 접합시키는 단계(도 5c)를 포함하는 것이 바람직하다. 여기서 보조 실리콘기판 상면(U2)에 접합 포토리지스트(161)를 도포하는 이유는, 이로 인하여 후술할 마스크용 실리콘기판(150)과 보조 실리콘기판(160)을 간편하고 매끈하게 분리할 수 있기 때문이다.
제3단계는, 상기 마스크용 실리콘기판의 상측에 상측 포토리지스트(153)를 도포하는 단계(도 6a), 증착공이 형성되는 영역인 패턴영역(P)에 상기 상측 포토리지스트(153)를 패터닝하는 단계(도 6b), 및 상기 마스크용 실리콘기판의 패턴영역(P)에 증착공(157)을 형성하는 단계(도 6d)를 포함한다. 또한 마스크용 실리콘기판의 상면에 옥사이드(155)가 증착되어 있는 경우에는, 제3단계는 상기 패턴영역(P)에서 옥사이드(155)를 패터닝하는 단계(도 6c), 및 상기 증착공(157)을 형성하는 단계 후에 옥사이드(155)를 제거하는 단계(도 6e)를 더 포함한다.
여기서, 상기 상측 포토리지스트(153)를 패터닝하는 단계(도 6b)는, 하측 포토리지스트(151)를 패터닝하는 단계(도 4d)와 동일한 방법으로, 사진식각공정 및 현상공정에 의하여 수행되는 것이 바람직하다. 즉, 상측 포토리지스트(153) 중 증착공이 형성되는 패턴영역(P)에 광을 노출시킨 다음, 현상 및 식각 과정을 통하여 원하는 패턴영역(P)에서 패터닝하는 것이 바람직하다. 상기의 방법은 상측 포토리 지스트(153)가 음성 포토리지스트인 경우이며, 이와 달리 상측 포토리지스트(153)가 양성 포토리지스트인 경우에는 패턴영역(P) 외의 영역에 광을 노출시킴으로써, 원하는 패턴영역(P)에서 패턴이 가능하다.
또한, 상기 마스크용 실리콘기판(150)에 상기 증착공(157)을 형성하는 단계(도 6d)는 건식 식각공정에 의해 수행되는 것이 바람직한데, 이는, 습식 식각공정에 비하여 건식 식각공정이 미세한 패턴의 증착공 형성이 가능하기 때문이다.
건식 식각공정으로는 RIE(reactive ion etching)법을 이용하여 마스크용 실리콘기판(150)에 패턴을 형성하는 것이 바람직하다.
상기 제4단계는 상기 증착공(157) 사이로 스트리퍼(stripper)를 주입하여 접합 포토리지스트(161) 및 하측 포토리지스트(151)를 제거되는 공정으로 수행되는 것이 바람직하며, 이로서 마스크용 실리콘기판(150) 및 보조 실리콘기판(160)이 분리되며, 상기 마스크용 실리콘기판(150)이 유기발광소자용 새도우마스크(100)로 사용된다.
본 발명에 따른 새도우마스크의 제작방법에 의하여 50㎛이하의 미세패턴 형성이 가능하여, 고해상도 유기발광소자의 제조가 가능하여 진다.
상기와 같은 구조 및 기능을 가진 본 발명에 의하면, 후막 포토리지스트와 두 개의 실리콘기판을 이용하여 미세 선폭의 패턴을 갖는 증착공을 구비하는 유기발광소자용 새도우마스크가 제작됨으로써, 고해상도 유기발광소자 디스플레이의 제작이 가능하다.
또한, 건식 식각공정을 통하여 새도우마스크가 완성됨으로 미세패턴의 정밀도가 향상되어서, 상기 새도우마스크를 이용하여 제작되는 유기발광소자의 성능이 향상된다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 발명이 속하는 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.

Claims (11)

  1. 마스크용 실리콘기판 중 화상이 구현되는 액티브 영역의 하면으로부터 전체 두께의 일부까지 제거하는 제1단계;
    보조 실리콘기판 상면에 접합 포토리지스트를 도포하고, 상기 마스크용 실리콘기판의 하측에 보조 실리콘기판 상측을 접합시키는 제2단계;
    상기 마스크용 실리콘기판의 패턴영역에 증착공을 형성하는 제3단계; 및
    상기 마스크용 실리콘기판과 보조 실리콘기판을 분리하는 제4단계;를 포함하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  2. 제 1 항에 있어서, 상기 제1단계는,
    상기 마스크용 실리콘기판의 상면에 옥사이드를 형성하는 단계;
    상기 마스크용 실리콘기판 하면에 하측 포토리지스트를 도포하고 패터닝하는 단계; 및
    상기 액티브 영역에서 마스크용 실리콘기판의 하면으로부터 두께 일부를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  3. 제 2 항에 있어서, 상기 하측 포토리지스트를 패터닝하는 단계는 사진식각공정 및 현상공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 새도우마스크 제조방법.
  4. 제 2 항에 있어서, 상기 액티브 영역에서 마스크용 실리콘기판의 하면으로부터 두께 일부를 제거하는 공정은 습식 식각공정에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 새도우마스크 제조방법.
  5. 삭제
  6. 제 2 항에 있어서, 상기 제3단계는,
    상기 마스크용 실리콘기판의 상면에 상측 포토리지스트를 도포하는 단계;
    상기 패턴영역에 상기 상측 포토리지스트를 패터닝하는 단계; 및
    상기 마스크용 실리콘기판에 증착공을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서, 상기 제3단계는,
    상기 옥사이드를 상기 패턴영역에서 옥사이드를 패터닝하는 단계, 및 상기 증착공을 형성하는 단계 후에 옥사이드를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  8. 제 7 항에 있어서, 상기 패턴영역에서 옥사이드를 제거하는 단계는 습식 식각법에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서, 상기 상측 포토리지스트를 패터닝하는 단계는 사진식각공정 및 현상공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서, 상기 마스크용 실리콘기판에 증착공을 형성하는 단계는 건식 식각공정에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
  11. 제 2 항에 있어서, 상기 제4단계는 상기 증착공 사이로 스트리퍼를 주입하여 접합 포토리지스트 및 하측 포토리지스트를 제거하는 공정으로 수행되는 것을 특징으로 하는 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법.
KR1020030079899A 2003-11-12 2003-11-12 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법 Expired - Fee Related KR100903818B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030079899A KR100903818B1 (ko) 2003-11-12 2003-11-12 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020030079899A KR100903818B1 (ko) 2003-11-12 2003-11-12 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20050045729A KR20050045729A (ko) 2005-05-17
KR100903818B1 true KR100903818B1 (ko) 2009-06-25

Family

ID=37245374

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030079899A Expired - Fee Related KR100903818B1 (ko) 2003-11-12 2003-11-12 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100903818B1 (ko)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220131116A1 (en) * 2020-10-28 2022-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask and method of manufacturing device using vapor deposition mask
KR102910242B1 (ko) 2024-08-19 2026-01-12 한국기계연구원 다단 나노패턴을 포함하는 메타 구조체 및 이의 제조방법
KR102910241B1 (ko) 2024-08-19 2026-01-12 한국기계연구원 디스플레이용 메타 구조체 및 이의 제조방법

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305079A (ja) 2001-01-26 2002-10-18 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20030082486A (ko) * 2002-04-17 2003-10-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크 및 그 제조 방법, 전계 발광 장치 및 그 제조 방법및 전자기기

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002305079A (ja) 2001-01-26 2002-10-18 Seiko Epson Corp マスク、マスクの製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、有機エレクトロルミネッセンス装置
KR20030082486A (ko) * 2002-04-17 2003-10-22 세이코 엡슨 가부시키가이샤 마스크 및 그 제조 방법, 전계 발광 장치 및 그 제조 방법및 전자기기

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20220131116A1 (en) * 2020-10-28 2022-04-28 Canon Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask and method of manufacturing device using vapor deposition mask
US12178111B2 (en) * 2020-10-28 2024-12-24 Canon Kabushiki Kaisha Vapor deposition mask and method of manufacturing device using vapor deposition mask
KR102910242B1 (ko) 2024-08-19 2026-01-12 한국기계연구원 다단 나노패턴을 포함하는 메타 구조체 및 이의 제조방법
KR102910241B1 (ko) 2024-08-19 2026-01-12 한국기계연구원 디스플레이용 메타 구조체 및 이의 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050045729A (ko) 2005-05-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108321176B (zh) 一种柔性显示面板、其制作方法及显示装置
TWI255666B (en) Vapor deposition mask and organic EL display device manufacturing method
KR100696472B1 (ko) 증착 마스크, 이를 이용한 유기 전계 발광 소자의 제조방법
CN109346505B (zh) 一种有机发光显示面板、其制备方法及显示装置
CN206033864U (zh) 一种开口掩膜板、掩膜板及基板
CN107546246B (zh) 柔性oled显示器件及制作方法
CN113921573A (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
CN107068721A (zh) 像素单元及其制作方法和显示装置
US11430836B2 (en) Display device and manufacturing method thereof
CN107689390A (zh) 像素界定层及其制造方法、显示基板、显示面板
KR101322310B1 (ko) 유기전기발광소자 및 그 제조방법
CN109742125A (zh) 阵列基板的制作方法、阵列基板、显示面板及显示装置
WO2020224010A1 (zh) Oled 显示面板及其制备方法
JP2001068267A5 (ko)
KR100903818B1 (ko) 유기발광소자용 새도우마스크 제조방법
KR100707601B1 (ko) 유기 발광표시장치 및 그 제조방법
CN111668272B (zh) 显示基板及其制备方法
KR20040066156A (ko) Ｅｌ 디스플레이 장치와 그 제조 방법
CN116722082B (zh) 阵列基板的制备方法、阵列基板以及显示面板
KR101420773B1 (ko) 전기광학소자 및 이의 제작 방법
CN116782700A (zh) 一种显示面板及其制备方法、显示装置
KR101026804B1 (ko) 유기 전계 발광 표시장치의 보조전극 형성방법
KR100311307B1 (ko) 풀칼라 유기 전기 발광 소자의 제조 방법
CN110854171B (zh) 一种显示基板及其制备方法、显示装置
KR100625967B1 (ko) 증착마스크와 이의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

R17-X000 Change to representative recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R17-oth-X000

A201 Request for examination
PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-3-3-R10-R18-oth-X000

D13-X000 Search requested

St.27 status event code: A-1-2-D10-D13-srh-X000

D14-X000 Search report completed

St.27 status event code: A-1-2-D10-D14-srh-X000

E902 Notification of reason for refusal
PE0902 Notice of grounds for rejection

St.27 status event code: A-1-2-D10-D21-exm-PE0902

E13-X000 Pre-grant limitation requested

St.27 status event code: A-2-3-E10-E13-lim-X000

P11-X000 Amendment of application requested

St.27 status event code: A-2-2-P10-P11-nap-X000

P13-X000 Application amended

St.27 status event code: A-2-2-P10-P13-nap-X000

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130516

Year of fee payment: 5

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140516

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160328

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170329

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180329

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190325

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U13-oth-PC1903

Not in force date: 20200613

Payment event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

PC1903 Unpaid annual fee

St.27 status event code: N-4-6-H10-H13-oth-PC1903

Ip right cessation event data comment text: Termination Category : DEFAULT_OF_REGISTRATION_FEE

Not in force date: 20200613

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000