[go: up one dir, main page]

KR100814219B1 - 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법 - Google Patents

하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100814219B1
KR100814219B1 KR1020070022278A KR20070022278A KR100814219B1 KR 100814219 B1 KR100814219 B1 KR 100814219B1 KR 1020070022278 A KR1020070022278 A KR 1020070022278A KR 20070022278 A KR20070022278 A KR 20070022278A KR 100814219 B1 KR100814219 B1 KR 100814219B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
pattern
data
cell
charged particle
deflection
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
KR1020070022278A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20070092140A (ko
Inventor
아끼히또 안뽀
히또시 히구라시
시게히로 하라
Original Assignee
가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지 filed Critical 가부시키가이샤 뉴플레어 테크놀로지
Publication of KR20070092140A publication Critical patent/KR20070092140A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100814219B1 publication Critical patent/KR100814219B1/ko
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/20Exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/2051Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source
    • G03F7/2059Exposure without an original mask, e.g. using a programmed deflection of a point source, by scanning, by drawing with a light beam, using an addressed light or corpuscular source using a scanning corpuscular radiation beam, e.g. an electron beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70483Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
    • G03F7/70491Information management, e.g. software; Active and passive control, e.g. details of controlling exposure processes or exposure tool monitoring processes
    • G03F7/70508Data handling in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. handling pattern data for addressable masks or data transfer to or from different components within the exposure apparatus
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/302Controlling tubes by external information, e.g. programme control
    • H01J37/3023Programme control
    • H01J37/3026Patterning strategy
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/30Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
    • H01J37/317Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
    • H01J37/3174Particle-beam lithography, e.g. electron beam lithography
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31761Patterning strategy
    • H01J2237/31764Dividing into sub-patterns
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2237/00Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
    • H01J2237/30Electron or ion beam tubes for processing objects
    • H01J2237/317Processing objects on a microscale
    • H01J2237/3175Lithography
    • H01J2237/31776Shaped beam
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/143Electron beam

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Electron Beam Exposure (AREA)

Abstract

본 발명의 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법은 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서, 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고, 입력된 상기 레이아웃 데이터를 기초로 하여 상기 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 상기 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성하고, 상기 편향 영역마다 영역 내의 부분 패턴이 정의된 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 한다.
애퍼처, 반도체 디바이스, 묘화 데이터, 레이아웃 데이터, 셀

Description

하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법{METHOD OF FORMING PATTERN WRITING DATA BY USING CHARGED PARTICLE BEAM}
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도.
도2는 제1 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도.
도3은 제1 실시 형태에 있어서의 레이아웃 데이터의 계층 구조의 일 예를 나타내는 도면.
도4는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 데이터의 계층 구조의 일 예를 나타내는 도면.
도5는 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도.
도6은 제1 실시 형태에 있어서의 복수의 편향 영역에 걸친 셀의 일 예를 나타내는 도면.
도7은 제1 실시 형태에 있어서의 걸쳐진 편향 영역에 복사된 셀의 일 예를 나타내는 도면.
도8은 제1 실시 형태에 있어서의 셀을 클러스터 분할한 일 예를 나타내는 도 면.
도9는 도8의 셀을 클러스터 마진 분할한 일 예를 나타내는 도면.
도10은 제1 실시 형태에 있어서의 복사된 셀을 클러스터 분할한 일 예를 나타내는 도면.
도11은 도10의 셀을 클러스터 마진 분할한 일 예를 나타내는 도면.
도12는 제1 실시 형태에 있어서의 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면.
도13은 제1 실시 형태에 있어서의 복사된 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면.
도14는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 시스템의 주요부 구성의 일 예를 나타내는 개념도.
도15는 제1 실시 형태에 있어서의 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면.
도16은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면.
도17은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면.
도18은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면.
도19는 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면.
도20은 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도.
도21은 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 개념도.
도22는 제2 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요 부 공정을 나타내는 흐름도.
도23은 제2 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도.
도24는 제2 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도.
도25는 제2 실시 형태에 있어서의 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면.
도26은 제2 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도.
도27은 제3 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도.
도28은 제3 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도.
도29는 제3 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도.
도30은 프로그램에 의해 구성하는 경우의 하드웨어 구성의 일 예를 나타내는 블럭도.
도31은 종래의 가변 성형 금형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
10 : 레이아웃 데이터
16 : 클러스터
17 : 패턴
20, 22 : 블럭
40 : 셀
42 : 부분 셀 패턴
[문헌 1] 일본 특허 공개 평4-176114호 공보
[문헌 2] 일본 특허 공개 평11-67648호 공보
본 출원은 그 전체 내용이 본 명세서에 참조로 병합되는 2006년 3월 8일에 일본에서 출원된 종래의 일본 특허 출원 제2006-062046호를 기초로 하고 그로부터 우선권을 청구한다.
본 발명은 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 관한 것이다. 예를 들어, 설계 데이터가 되는 회로의 레이아웃 데이터로부터 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 관한 것이다. 묘화 데이터는 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 데이터이다.
반도체 디바이스의 미세화의 진전을 담당하는 리소그래피 기술은 반도체 제조 프로세스 중에서도 유일 패턴을 생성하는 매우 중요한 프로세스이다. 최근, LSI의 고집적화에 수반하여 반도체 디바이스에 요구되는 회로선 폭은 해마다 미세화되고 있다. 이들 반도체 디바이스로 원하는 회로 패턴을 형성하기 위해서는, 고정밀도의 원화 패턴(레티클 혹은 마스크라고도 함)이 필요해진다. 여기서, 전자선(전자 빔) 묘화 기술은 본질적으로 우수한 해상성을 갖고 있고, 고정밀도의 원화 패턴의 생산에 이용된다.
도31은 가변 성형 금형 전자선 묘화 장치의 동작을 설명하기 위한 개념도이다.
가변 성형 금형 전자선 묘화 장치[EB(Electron beam) 묘화 장치]는 이하와 같이 동작한다. 제1 애퍼처(410)에는 전자선(442)을 성형하기 위한 직사각형, 예를 들어 직사각형의 개구(411)가 형성되어 있다. 또한, 제2 애퍼처(420)에는 개구(411)를 통과한 전자선(442)을 원하는 직사각형으로 성형하기 위한 가변 성형 개구(421)가 형성되어 있다. 하전 입자 소스(430)로부터 조사되어, 개구(411)를 통과한 전자선(442)은 편향기에 의해 편향된다. 그리고, 가변 성형 개구(421)의 일부를 통과하여 스테이지 상에 탑재된 시료(440)에 조사된다. 또한, 스테이지는 묘화 중 소정의 일방향(예를 들어, X방향으로 함)으로 연속적으로 이동한다. 즉, 개구(411)와 가변 성형 개구(421)의 양쪽을 통과할 수 있는 직사각형이, 연속적으로 이동하는 스테이지 상에 탑재된 시료(440)의 묘화 영역에 묘화된다. 개구(411)와 가변 성형 개구(421)의 양쪽을 통과시켜 임의 형상을 작성하는 방식을 가변 성형 방식이라 한다.
이러한 전자 빔 묘화를 행하는 데 있어서, 우선 반도체 집적 회로의 레이아 웃이 설계된다. 그리고, 레이아웃 데이터(설계 데이터)가 생성된다. 그리고, 이러한 레이아웃 데이터가 변환되어 전자선 묘화 장치에 있어서 이용되는 묘화 데이터가 생성된다. 그리고, 묘화 데이터를 기초로 하여, 또한 실제로 전자선을 쇼트(shot)하기 위한 쇼트 사이즈로 도형이 분할되어 묘화된다.
그리고, 시료의 묘화 영역은, 예를 들어 Y방향을 향하고, 편향기의 편향 가능 폭의 스트립형의 복수의 프레임 영역으로 가상적으로 분할된다. 그리고, 시료를 적재한 스테이지가 X방향으로 이동하면서 그 분할된 각 프레임 영역을 1단 혹은 다단의 편향기에 의해 전자 빔을 편향시키면서 묘화해 간다. 그리고, 제1 프레임 영역의 묘화가 종료된 후, 스테이지가 Y방향으로 이동한다. 그리고, 이번에는 제2 프레임 영역의 묘화를 행한다. 여기서도 스테이지가 X방향으로 이동하면서 제2 프레임 영역의 묘화를 행한다. 이와 같이 차례로 각 프레임 영역을 묘화해 간다.
여기서, 스테이지가 1개의 프레임 내를 X방향으로 이동하는 경우에, 스텝 앤드 리피트 방식으로 이동해 가는 전자 빔 묘화의 방법에 대해, 다음의 기술이 개시되어 있다. 즉, 기계적인 이동에 의해 이동의 전후의 영역에 걸치는 패턴의 어긋남을 없애기 위해 패턴을 분할한다. 그리고, 도즈량을 분할 수에 따라서 감소시키는 기술이다(예를 들어, 일본 특허 공개 평4-176114호 공보 참조). 또한, 프레임 폭각의 주편향 영역을 더 작게 분할한 서브 필드 사이를 걸치는 패턴이 존재하는 경우에 대해 다음의 기술이 개시되어 있다. 즉, 걸치는 패턴을 기준으로 서브 필드의 경계 위치를 변경하여 걸치지 않도록 조정한다는 기술이다(예를 들어, 일본 특허 공개 평11-67648호 공보 참조).
묘화 장치에는 1단 또는 다단의 편향 영역이 있다. 그리고, 편향 영역으로부터 비어져 나온 영역에 대해서는, 그 편향 영역에서는 편향기에 의한 하전 입자선의 편향이 미치지 않아 묘화할 수 없게 된다. 그로 인해, 편향 영역을 걸치는 패턴(예를 들어, 셀)을 배치하고 싶은 경우에, 레이아웃 데이터를 작성할 때에 다음과 같이 대책을 강구할 필요가 있었다. 즉, 편향 영역으로부터 비어져 나오지 않도록 미리 셀을 분할하여 레이아웃 데이터를 작성할 필요가 있었다. 이러한 경우, 1개의 셀이 복수의 편향 영역으로 정의되게 된다. 그로 인해, 셀의 배치 위치나 사이즈의 정보 등이 복수 필요해진다. 그 결과, 레이아웃 데이터의 데이터량이 증가하였다.
또한, 본래이면 어레이 구조화할 수 있는 셀을 있던 경우, 그 일부 혹은 전체 요소가 다른 편향 영역에 걸치는 경우, 다음과 같이 대책을 강구할 필요가 있었다. 즉, 일부러 어레이 전개하여 각각의 셀마다 배치되게 되는 편향 영역으로 정의할 필요가 있었다. 그로 인해, 셀에 관한 정보가 복수 필요해지고, 결과적으로 레이아웃 데이터의 데이터량이 증가하였다.
이들과 같이 데이터 변환 처리에 있어서 특히 상류측에서의 레이아웃 데이터의 데이터량이 증가하면, 레이아웃 데이터로부터 묘화 데이터로 변환되는 경우에, 변환에 필요로 하는 시간이 증가한다. 또한, 그뿐만 아니라, 그 데이터를 변환 장치로 송신하는 데에도 방대한 시간이 걸리는 등의 문제가 있었다. 최근 LSI의 고집적화에 수반하여 데이터량이 증가하는 중이고, 이러한 상류측에서의 데이터량의 증가는 묘화 장치의 처리량에도 영향을 미친다. 데이터량이 적으면, 레이아웃 데이터의 정당성을 판단하는 시간(예를 들어, 포맷 체크)을 삭감할 수 있다.
본 발명은 레이아웃 데이터의 데이터량을 저감시키는 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명의 일 형태에 있어서의 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법은,
회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,
복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,
입력된 레이아웃 데이터를 기초로 하여 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성하고,
편향 영역마다 영역 내의 부분 패턴이 정의된 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 한다.
또한, 본 발명의 다른 형태에 있어서의 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법은,
회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,
복수의 편향 영역 중 어느 하나의 편향 영역의 패턴으로서 정의되어, 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,
걸치는 패턴이 정의된 편향 영역에 있어서, 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 위치로부터 벗어난 패턴 부분을 분할하고,
분할된 상기 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역에 있어서의 부분 패턴으로서 적용시키고,
편향 영역마다 영역 내의 부분 패턴이 정의된 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 한다.
이하, 실시 형태에서는 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법, 혹은 그 장치에 대해 주로 설명한다. 묘화 데이터는 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 데이터이다. 그리고, 하전 입자선의 일 예로서, 전자 빔을 이용한 경우를 설명한다. 여기서, 하전 입자선은 전자 빔으로 한정되는 것은 아니고, 이온 빔 등의 하전 입자이면 상관없다.
(제1 실시 형태)
도1은 제1 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이다.
도1에 있어서, 전자선 묘화 데이터의 검증 방법은 입력 공정(S102), 셀 추출 공정(S104), 패턴 생성 공정의 일부가 되는 복사 공정(S106), 클러스터 분할 공정(S108), 클러스터 분배 공정(S110), 패턴 생성 공정의 일부가 되는 삭제 공정(S112), 묘화 데이터 변환 공정(S114)이라는 일련의 공정을 실시한다.
도2는 제1 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도이다.
묘화 시스템(600)은 장치 입력 포맷 변환 장치(300)와 묘화 장치(100)를 구비하고 있다. 우선, 반도체 집적 회로의 레이아웃이 설계되어, 레이아웃 데이터(10)(설계 데이터)가 생성된다. 그리고, 장치 입력 포맷 변환 장치(300)는 이러한 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)를 변환하여 묘화 장치(100)에 있어서 이용되는 묘화 데이터(12)가 생성된다. 본 실시 형태에서는, 또한 묘화 데이터(12)를 기초로 하여 실제로 전자선을 쇼트하기 위한 쇼트 사이즈로 도형이 분할되는 쇼트 데이터 등까지 변환된다. 이 변환에 의해, 묘화 장치(100)에 입력하기 위한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 생성한다. 그리고, 이러한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 묘화 장치(100)에 출력한다. 그리고, 묘화 장치(100)는 전자 빔을 이용하여 전자 빔을 편향시키면서 시료에 소정의 패턴을 묘화한다. 시료로서는, 반도체 장치를 제조하기 위한 마스크가 포함된다.
도2에 있어서, 장치 입력 포맷 변환 장치(300)는 묘화 데이터 변환 장치(320)와 장치 입력 포맷 변환 회로(350)를 구비하고 있다. 묘화 데이터 변환 장치(320)는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 장치의 일 예가 된다. 묘화 데이터 변환 장치(320)는 셀 추출 회로(322), 클러스터 분할 회로(324), 클러스터 분배 회로(326), 셀 분류 회로(328), 묘화 데이터 변환 회로(330), 메모리(332)를 구비하고 있다. 그리고, 셀 분류 회로(328)는 복사 회로(342), 삭제 회로(344)를 갖고 있다. 묘화 데이터 변환 장치(320)는 묘화 데이터(12)를 작성하여 출력한다. 그 리고, 장치 입력 포맷 변환 회로(350)는 묘화 데이터(12)를 입력하고, 장치 입력 포맷 데이터(14)로 변환하여 출력한다. 도2에서는 본 제1 실시 형태를 설명한 후, 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 장치 입력 포맷 변환 장치(300)나 묘화 장치(100)에 그 밖의 구성이 포함되어도 상관없다.
도3은 제1 실시 형태에 있어서의 레이아웃 데이터의 계층 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
레이아웃 데이터(10)는 묘화 영역이 칩의 층, 프레임의 층, 블럭의 층, 셀의 층, 도형의 층 등의 일련의 복수의 내부 구성 단위마다 계층화되어 있다. 프레임은 칩 영역을, 예를 들어 y방향을 향해 스트립형으로 분할한 영역이다. 셀은 적어도 1개 이상의 도형으로 구성된다. 도형은 이러한 셀을 구성하는 패턴이 된다.
도4는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 데이터의 계층 구조의 일 예를 나타내는 도면이다.
묘화 데이터(12)는 묘화 영역이 칩의 층, 스트라이프의 층, 블럭의 층, 셀의 층, 클러스터의 층, 도형의 층 등의 일련의 복수의 내부 구성 단위마다 계층화되어 있다. 스트라이프는 칩 영역을, 예를 들어 y방향을 향해 스트립형으로 분할한 영역이다.
상술한 바와 같이, 편향 영역으로부터 비어져 나온 영역에 대해서는, 그 편향 영역에서는 편향기에 의한 하전 입자선의 편향이 미치지 않아 묘화할 수 없게 된다.
그로 인해, 편향 영역을 걸치는 패턴(예를 들어, 셀)을 배치하고 싶은 경우 에 종래에는 이하와 같이 하고 있었다. 종래에는 반도체 집적 회로의 레이아웃을 설계한다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)를 작성할 때에 이러한 편향 영역으로부터 비어져 나오지 않도록 미리 셀을 분할하여 레이아웃 데이터(10)를 작성하고 있었다. 그러나, 본 실시 형태에서는 레이아웃 상, 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴(예를 들어, 셀)이 포함되는 경우에, 이하와 같이 한다. 즉, 이와 같은 경우에도 레이아웃 데이터에서 이러한 패턴을 절단하지 않는다. 그 대신에, 묘화 데이터(12)로 변환할 때에 그 과정의 하나로서, 이러한 패턴을 각 편향 영역으로 분류한다. 이하, 셀 단위에서 패턴을 파악한 경우에 대해 설명한다.
도5는 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도5에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(40)의 기준점 좌표는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)으로 셀(40)이 정의되어 있다. 블럭은 편향 영역의 일 예가 된다. 즉, 걸치는 패턴은 복수의 편향 영역 중, 1개의 편향 영역의 패턴으로서 정의된다. 이러한 셀(40)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2)에 걸쳐서 레이아웃되어 있다. 상술한 바와 같이, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 셀(40)을 분할하지 않는다. 그리고, 묘화 데이터 변환 장치(320)에 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 그리고, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 편향 영역마다 걸치는 셀(40) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(42, 44)을 생성한다. 도5에서는 셀(40)의 데이터를 블럭(20)에도 카피(복사)한다. 그리고, 블럭(20)으로 셀(40)을 정의한다. 그리고, 블럭(22)에서 는 셀(40) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(44) 이외를 절단하여 삭제한다. 마찬가지로, 블럭(20)에서는 셀(40) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(42) 이외를 절단하여 삭제한다. 이와 같이, 걸치는 패턴의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사하고, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 삭제한다. 이에 의해, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 분할시키지 않고 완료할 수 있다. 이러한 구성에 의해, 레이아웃 데이터(10)가 아닌, 묘화 데이터(12)를 작성할 때에, 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 존재하는 경우에 각각의 영역 분의 부분 패턴을 생성할 수 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.
도1에 있어서의 S(단계) 102에 있어서, 입력 공정으로서 묘화 데이터 변환 장치(320)는 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 레이아웃 데이터(10)에는 복수의 편향 영역에 걸치는 셀이 포함된다.
도1에 있어서의 S104에 있어서, 셀 추출 공정으로서, 셀 추출 회로(322)는 레이아웃 데이터(10)로부터 블럭마다 자기의 영역으로 정의된 셀을 추출한다.
도6은 제1 실시 형태에 있어서의 복수의 편향 영역에 걸친 셀의 일 예를 나타내는 도면이다.
레이아웃 데이터(10) 및 묘화 데이터(12)를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 편향기에서 편향 가능한 폭(W)으로 스트립 상의 복수개 영역인 프레임(18)으로 분할된다. 그리고, 묘화 장치(100)에서 인접하는 프레임(18)의 영역을 묘화하는 경우에는 다음과 같이 한다. 즉, 묘화 장치(100)의 편향기에서 변경 가능한 영역 을 초과하고 있으므로, 묘화 장치(100)의 스테이지를 이동시킨다. 스테이지의 이동에 의해 편향기에서 변경 가능한 영역까지 이동시키게 된다. 그리고, 도6에 도시한 바와 같이 각 프레임(18)은 복수의 블럭으로 더 분할되어 있다. 도6에서는 블럭 좌표(3, 4)의 블럭(22)에 대해 자기의 영역으로 정의된 셀을 추출하는 경우를 나타내고 있다. 또한, 블럭 좌표(3, 4)에서는 셀(40)이 묘화 장치(100)의 스테이지의 이동이 필요한 프레임(18a)과 프레임(18b)의 영역 사이에 걸치도록 레이아웃되어 있는 경우를 나타내고 있다. 구체적으로는, 셀(40)이 프레임(18b)의 경계에 접하는 블럭(22)으로 정의된다. 그리고, 인접하는 프레임(18a)의 경계에 접하는 블럭(20)에 걸치고 있다. 셀(40)은 패턴(17)에 의해 구성되어 있다.
도1에 있어서의 S106에 있어서, 패턴 생성 공정의 일부가 되는 복사 공정으로서, 셀 분류 회로(328) 내의 복사 회로(342)는 셀(40)의 데이터를 걸쳐진 편향 영역인 블럭(20)에 카피(복사)한다.
도7은 제1 실시 형태에 있어서의 걸쳐진 편향 영역에 복사된 셀의 일 예를 나타내는 도면이다.
도7에 도시한 바와 같이, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 걸쳐진 블럭(20)에도 카피한다. 그리고, 셀(40)을 블럭(20) 내의 셀로서 정의한다. 카피함으로써 정의되어 있지 않은 영역에도 자기의 영역 내에 위치하는 패턴을 인식시킬 수 있다.
도1에 있어서의 S108에 있어서, 클러스터 분할 공정으로서, 클러스터 분할 회로(324)는 셀(40) 내를 클러스터 분할한다.
도8은 제1 실시 형태에 있어서의 셀을 클러스터 분할한 일 예를 나타내는 도면이다.
도8에서는 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 도시하고 있다. 도8에 도시한 바와 같이, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)의 영역 내는 복수의 클러스터(16)의 영역으로 클러스터 분할된다. 클러스터 분할함으로써, 묘화 장치(100)에 있어서 다중 노광하는 경우에 그 노광 위치에 사용할 수 있다.
도9는 도8의 셀을 클러스터 마진 분할한 일 예를 나타내는 도면이다.
도9에 도시한 바와 같이, 클러스터 분할한 후, 패턴(17)이 존재하지 않는 클러스터(16)를 생략하는 처리를 행함으로써 데이터량을 저감시킬 수 있다.
도10은 제1 실시 형태에 있어서의 복사된 셀을 클러스터 분할한 일 예를 나타내는 도면이다.
도10에서는 복사되어 블럭(20)으로 정의된 셀(40)에 대해 도시하고 있다. 도10에 도시한 바와 같이, 블럭(22)과 마찬가지로 블럭(20)으로 정의된 셀(40)에 영역 내는 복수의 클러스터(16)의 영역으로 클러스터 분할된다. 클러스터 분할함으로써, 묘화 장치(100)에 있어서 다중 노광하는 경우에 그 노광 위치에 사용할 수 있다.
도11은 도10의 셀을 클러스터 마진 분할한 일 예를 나타내는 도면이다.
도11에 도시한 바와 같이, 블럭(22)과 마찬가지로 클러스터 분할한 후, 패턴(17)이 존재하지 않는 클러스터(16)를 생략하는 처리를 행함으로써 데이터량을 저감시킬 수 있다.
도1에 있어서의 S110에 있어서, 클러스터 분배 공정으로서, 클러스터 분배 회로(326)는 걸치는 셀(40)이 정의된 편향 영역과 걸쳐진 그 밖의 편향 영역에 있어서, 걸치는 셀(40) 중 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 절단하여 셀(40)을 복수의 부분 셀 패턴으로 분리한다.
도12는 제1 실시 형태에 있어서의 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면이다.
도12에 도시한 바와 같이, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 있는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(44)과 편향할 수 없는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(42)을 생성한다. 그리고, 편향 영역으로부터 벗어난 부분 셀 패턴(42)을 절단한다.
도13은 제1 실시 형태에 있어서의 복사된 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면이다.
도13에 도시한 바와 같이, 블럭(20)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 있는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(42)과 편향할 수 없는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(44)을 생성한다. 그리고, 편향 영역으로부터 벗어난 부분 셀 패턴(44)을 절단한다.
도1에 있어서의 S112에 있어서, 삭제 공정으로서, 셀 분류 회로(328) 내의 삭제 회로(344)는 걸치는 셀(40)이 정의된 편향 영역과 걸쳐진 그 밖의 편향 영역에 있어서, 걸치는 셀(40) 중 자기의 편향 영역으로부터 벗어나 편향할 수 없는 패턴 부분을 삭제한다. 즉, 도12에 도시한 바와 같이, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분인, 절단되어 분리된 부분 셀 패턴(42)의 데이터를 삭제한다. 마찬가지로, 도13에 도시한 바와 같이, 블럭(20)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분인, 절단되어 분리된 부분 셀 패턴(44)의 데이터를 삭제한다.
이상과 같이 구성함으로써, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)로 분할시키지 않고 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 저감시킬 수 있다.
도1에 있어서의 S114에 있어서, 묘화 데이터 변환 공정으로서, 묘화 데이터 변환 회로(330)는 블럭, 혹은 프레임(18)마다 레이아웃 데이터(10)를 묘화 데이터(12)로 변환한다. 그리고, 묘화 데이터(12)가 묘화 데이터 변환 장치(320)로부터 장치 입력 포맷 변환 회로(350)로 출력된다.
이상의 설명에 있어서, 각 회로의 입출력 데이터는 메모리(332)에 저장(기억)하고, 메모리(332)를 거쳐서 다른 회로로 전송된다. 단, 이에 한정되는 것은 아니고, 직접 회로 사이에서 데이터의 통신을 행해도 상관없다. 데이터의 통신은 도시하고 있지 않은 버스를 거쳐서 행하면 좋다.
도14는 제1 실시 형태에 있어서의 묘화 시스템의 주요부 구성의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도14에 있어서, 묘화 시스템(600)은 묘화 장치(100)의 일 예가 되는 노광 장치와 장치 입력 포맷 변환 장치(300)를 구비하고 있다. 묘화 장치(100)는 묘화 부(150), 제어 회로(110), 데이터 처리 회로(120)를 구비하고 있다. 묘화부(150)는 전자 경통(102)과 묘화실(103)을 갖고 있다. 전자 경통(102) 내에는 전자 총(201), 조명 렌즈(202), 제1 애퍼처(203), 투영 렌즈(204), 편향기(205), 제2 애퍼처(206), 대물 렌즈(207), 편향기(208)가 배치되어 있다. 묘화실(103) 내에는 XY 스테이지(105)가 배치된다. 그리고, XY 스테이지(105) 상에 패러데이 컵(209)을 갖고 있다. 그리고, XY 스테이지(105) 상에 시료(101)가 배치된다. 도14에서는 본 제1 실시 형태를 설명한 후, 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 묘화 장치(100)에 그 밖의 구성이 포함되어도 상관없다.
장치 입력 포맷 변환 장치(300)에 있어서, 장치 입력 포맷 데이터(14)를 생성한 후, 장치 입력 포맷 데이터(14)를 데이터 처리 회로(120)에 출력한다. 그리고, 데이터 처리 회로(120)는 입력된 장치 입력 포맷 데이터(14)를 기초로 하여 각 회로를 구동시키기 위한 데이터 처리를 행한다. 그리고, 데이터 처리 회로(120)로부터 각 제어 신호가 제어 회로(110)로 이송된다. 그리고, 제어 회로(110)에 의해 묘화부(150)가 제어되어 시료(101)에 묘화 데이터(12)에 포함된 도형 패턴이 묘화된다.
전자 총(201)으로부터 나온 전자 빔(200)은 조명 렌즈(202)에 의해, 예를 들어 직사각형의 구멍을 갖는 제1 애퍼처(203) 전체를 조명한다. 여기서, 전자 빔(200)을 우선, 예를 들어 직사각형으로 성형한다. 그리고, 제1 애퍼처(203)를 통과한 제1 애퍼처상의 전자 빔(200)은 투영 렌즈(204)에 의해 제2 애퍼처(206) 상에 투영된다. 이러한 제2 애퍼처(206) 상에서의 제1 애퍼처상의 위치는 편향 기(205)에 의해 제어된다. 이에 의해, 빔 형상과 치수를 변화시킬 수 있다. 그리고, 제2 애퍼처(206)를 통과한 제2 애퍼처상의 전자 빔(200)은 대물 렌즈(207)에 의해 초점을 맞춘다. 그리고, 편향기(208)에 의해 편향되어 XY 스테이지(105) 상의 시료(101)의 원하는 위치에 조사된다. 묘화 중, XY 스테이지(105)는 연속 이동하고 있다. 상술한 바와 같이, 묘화 영역은 편향기(208)에 의해 편향 가능한 폭으로 스트립 상으로 분할된 영역[묘화 데이터(12)에서는 스트라이프] 내에서 편향된다. 그리고, 인접하는 편향 가능하지 않은 영역으로는 XY 스테이지(105)를 이동함으로써 편향기(208)에 의해 편향 가능한 위치까지 시료(101)를 이동시킬 수 있다.
도15는 제1 실시 형태에 있어서의 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면이다.
블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 블럭(20)이 걸쳐져 있는 경우, 편향 영역 경계선 상을 분리 위치(500)(절단 위치)로서 절단하도록 구성할 수 있다. 그리고, 블럭(22)에는 부분 셀 패턴(44)이, 블럭(20)에는 부분 셀 패턴(42)이 정의된다.
절단 위치는 이에 한정되는 것은 아니고 다른 위치라도 상관없다.
도16은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면이다.
편향 영역 경계선은 실제로 편향 가능한 경계선으로부터 어느 정도의 마진 폭을 남기고 내측에 설정된다. 따라서, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 블럭(20)이 걸쳐져 있는 경우, 편향 영역 마진 내의 어느 하나의 위치를 분리 위치(500)(절단 위치)로서 절단하도록 구성해도 적합하다. 그리고, 블럭(22)에는 부분 셀 패턴(44)이, 블럭(20)에는 부분 셀 패턴(42)이 정의된다. 혹은, 이하와 같이 절단해 도 좋다.
도17은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면이다.
클러스터 분할에 의해 생성된 클러스터(16)도 기준점 좌표가 위치하는 셀로 정의된다. 따라서, 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 블럭(20)이 걸쳐져 있는 경우, 편향 영역 마진 내에서 클러스터 경계선 상을 분리 위치(500)(절단 위치)로서 절단하도록 구성해도 적합하다. 그리고, 클러스터(16)가 편향 영역 경계선 상에 걸치는 경우에는, 걸치는 클러스터(16)가, 자기가 정의되는 부분 셀 패턴측으로 들어가도록 클러스터(16)의 기준점 좌표를 고려하여 클러스터 경계에서 절단하도록 구성하면 더 적합하다. 그리고, 블럭(22)에는 부분 셀 패턴(44)이, 블럭(20)에는 부분 셀 패턴(42)이 정의된다. 혹은, 이하와 같이 절단해도 좋다.
도18은 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면이다.
도18에서는 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 블럭(20)이 걸쳐져 있는 경우, 편향 영역 마진 내에서 셀(40)을 구성하는 패턴(17)의 일부가 오버랩(중복)되도록 편향 영역 마진 내에서 2개의 분리 위치(500)[분리 위치(500a)와 분리 위치(500b)]에서 절단하도록 구성해도 적합하다. 그리고, 블럭(22)에는 패턴(17b)이 포함되는 부분 셀 패턴(44)이, 블럭(20)에는 패턴(17a)이 포함되는 부분 셀 패턴(42)이 정의된다. 혹은, 이하와 같이 절단해도 좋다.
도19는 제1 실시 형태에 있어서의 다른 절단 위치의 일 예를 나타내는 도면 이다.
레이아웃 데이터(10)에는 셀 패턴 데이터가 포함되지만, 또한 복수의 편향 영역에 걸치는 셀에 대해서는 셀에 속성 정보로서 절단 위치를 정의해 두는 것도 적합하다. 예를 들어, 도19에 도시한 바와 같이 플러스 마진과 마이너스 마진을 갖는 절단 위치 정보를 속성 정보로서 준비한다. 그리고, 이러한 절단 위치 정보에 의한 위치를 분리 위치(500)로서 절단하도록 구성하면 좋다. 그리고, 블럭(22)에는 부분 셀 패턴(44)이, 블럭(20)에는 부분 셀 패턴(42)이 정의된다.
여기서, 레이아웃 데이터(10)에 포함되는 셀 패턴은 각각 단독으로 자기의 기준 위치 좌표가 위치하는 블럭으로 정의되는 경우로 한정되는 것은 아니다. 반복 배치되는 셀 패턴에 대해서는 어레이 셀로서 1개의 셀 패턴과 반복 정보가 1개의 블럭으로 정의되는 경우도 있다.
도20은 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도20에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(52)과 셀(54)로 구성되는 어레이 셀(50)의 기준점 좌표는 편향 영역의 일 예가 되는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)에 어레이 셀(50)이 정의되어 있다. 이러한 어레이 셀(50) 중 셀(52)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2)에 걸쳐서 레이아웃되어 있다. 상술한 바와 같이, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 어레이 셀(50)을 분할하지 않고, 묘화 데이터 변환 장치(320)에 입력한다. 그리고, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 편향 영역마다 걸치는 어레이 셀(50)을 구성하는 셀(52) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(56, 58)을 생성한다. 도20에서는 어레이 셀(50)의 데이터를 블럭(20)에도 카피(복사)한다. 그리고, 블럭(20)에 어레이 셀(50)을 정의한다. 그리고, 블럭(22)에서는 어레이 셀(50) 중 걸친 셀(52)에 대해 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(58) 이외를 절단하여 삭제한다. 마찬가지로, 블럭(20)에서는 어레이 셀(50) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(56) 이외를 절단하여 삭제한다. 이와 같이, 어레이 구조를 유지한 상태에서 걸치는 패턴의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사하고, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 삭제한다. 이에 의해, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 이로 인해, 레이아웃 데이터(10)에서 불필요하게 셀을 분할하지 않고, 어레이 구조를 유지한 상태에서 레이아웃 데이터(10)를 작성할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 부분 셀 패턴으로 분류하기 위한 데이터량의 증대 외에, 어레이 구조를 더 분해함에 따른 데이터량의 증대를 회피할 수 있다. 각 공정은 도1에 나타내는 공정과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
도21은 제1 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 다른 일 예를 나타내는 개념도이다.
도21에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(52)과 셀(54)로 구성되는 어레이 셀(50)의 기준점 좌표는 편향 영역의 일 예가 되는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)으로 어레이 셀(50)이 정의되어 있다. 이러한 어레이 셀(50) 중 셀(52)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2)에 걸쳐서 레이아웃 되어 있다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 어레이 셀(50)을 분할하지 않고, 묘화 데이터 변환 장치(320)에 입력한다. 여기까지는, 상술한 도20과 마찬가지이다. 그리고, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 편향 영역마다 걸치는 어레이 셀(50)을 구성하는 셀(52) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(56, 58)을 생성한다. 그러나, 도21에서는 어레이 셀(50) 전체의 데이터를 블럭(20)에 카피(복사)하는 것은 아니고, 블럭(20)에 걸친 요소의 셀(52)의 데이터만을 블럭(20)에 카피(복사)한다. 그리고, 블럭(20)에 셀(52)을 정의한다. 그리고, 블럭(22)에서는 어레이 셀(50) 중 걸친 셀(52)에 대해 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(58) 이외를 절단하여 삭제한다. 마찬가지로, 블럭(20)에서는 셀(52) 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(56) 이외를 절단하여 삭제한다. 이와 같이, 어레이 구조를 유지한 상태에서 걸치는 패턴의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사하고, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 삭제한다. 이에 의해, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 이로 인해, 레이아웃 데이터(10)에서 불필요하게 셀을 분할하지 않고, 어레이 구조를 유지한 상태에서 레이아웃 데이터(10)를 작성할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 부분 셀 패턴으로 분류하기 위한 데이터량의 증대 외에, 어레이 구조를 더 분해함으로써 데이터량의 증대를 회피할 수 있다. 각 공정은, 도1에 도시하는 공정과 마찬가지이므로 설명을 생략한다.
이상과 같이, 복수의 편향 영역 중 걸치는 패턴(셀)의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사한 후, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 삭제함으로써 묘 화 데이터 변환 장치(320) 내로 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서 분할시키지 않고 완료할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 묘화 데이터 변환 장치(320)로의 전송 시간을 단축할 수 있다.
레이아웃 데이터(10)의 단계에서 분류하는 경우와, 묘화 데이터(12)로 변환할 때에 분류하는 경우를 비교하면, 묘화 데이터(12)를 묘화 데이터 변환 장치(320)로부터 장치 입력 포맷 변환 회로(350)로 송신하는 시간은 동일하다. 그러나, 레이아웃 데이터(10)를 묘화 데이터 변환 장치(320)로 입력하는(전송하는) 시간에 큰 차가 생긴다. 즉, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서 분류하여 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 증가시키면, 묘화 데이터 변환 장치(320)로의 전송 시간이 대폭으로 길어진다. 따라서, 본 실시 형태와 같이 묘화 데이터(12)로 변환할 때에 걸치는 패턴을 분류함으로써 레이아웃 데이터(10)를 묘화 데이터 변환 장치(320)로 입력 개시한 후 장치 입력 포맷 변환 회로(350)로 송신할 때까지의 시간을 단축할 수 있다.
(제2 실시 형태)
제2 실시 형태에서는 제1 실시 형태와는 다른 방법에 의해 레이아웃 상, 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴(예를 들어, 셀)을 각 편향 영역으로 분류하는 방법에 대해 설명한다. 제1 실시 형태와 마찬가지로, 이하, 셀 단위로 패턴을 잡은 경우에 대해 설명한다. 또한, 걸치는 패턴을 절단하여 분리하는 위치는 제1 실시 형태와 마찬가지로, 다양한 구성이 적용 가능하다.
도22는 제2 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이다.
도22에 있어서, 전자선 묘화 데이터의 검증 방법은 입력 공정(S102), 셀 추출 공정(S104), 클러스터 분할 공정(S108), 클러스터 분배 공정(S110), 패턴 생성 공정의 일부가 되는 적용 공정(S113), 묘화 데이터 변환 공정(S114)이라는 일련의 공정을 실시한다.
도23은 제2 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도이다.
레이아웃 데이터(10)(설계 데이터)와 묘화 데이터(12)의 계층 구조 등은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 장치 입력 포맷 변환 장치(300)가 이러한 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)를 변환하여 묘화 장치(100)에 있어서 이용되는 묘화 데이터(12)가 생성된다. 그리고, 묘화 데이터(12)를 기초로 하여 실제로 전자선을 쇼트하기 위한 쇼트 사이즈로 도형이 분할되는 쇼트 데이터 등까지 변환한다. 이에 의해, 묘화 장치(100)에 입력하기 위한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 생성한다. 그리고, 이러한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 묘화 장치(100)에 출력한다. 이상까지의 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
도23에 있어서, 셀 분류 회로(328)가 도2의 복사 회로(342)와 삭제 회로(344) 대신에, 적용 회로(346)를 갖고 있는 점 이외는, 도2와 마찬가지이다. 도23에서는 제2 실시 형태를 설명한 후, 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 장치 입력 포맷 변환 장치(300)나 묘화 장치(100)를 구비한 묘화 시스템(600)에 그 밖의 구성이 포함되어도 상관없다.
도24는 제2 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도24에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(40)의 기준점 좌표는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)으로 셀(40)이 정의되어 있다. 이러한 셀(40)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2)에 걸쳐서 레이아웃되어 있다. 상술한 바와 같이, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 셀(40)을 분할하지 않고, 묘화 데이터 변환 장치(320)에 입력한다. 그리고, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 셀(40)이 정의된 측의 편향 영역이 되는 블럭(22)으로 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(44)과 그 이외의 부분 셀 패턴(42)을 생성한다. 그리고, 걸치는 셀(40)이 정의된 편향 영역이 되는 블럭(22)에 있어서, 걸치는 셀(40) 중 자기의 영역에서 편향할 수 없는 셀 패턴 부분인 부분 셀 패턴(42)을 절단하여 분할한다. 그리고, 분할된 셀 패턴 부분인 부분 셀 패턴(42)을 걸쳐진 편향 영역인 블럭(20)에 있어서의 부분 셀 패턴으로서 적용시킨다. 이와 같이, 걸치는 패턴의 데이터 중 편향할 수 없는 셀 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역으로 미룸으로써, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 분할시키지 않고 완료할 수 있다. 이와 같이, 레이아웃 데이터(10)가 아닌, 묘화 데이터(12)를 작성할 때에 복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 존재하는 경우에 각각의 영역 분의 부분 패턴을 생성할 수 있다. 이하, 구체적으로 설명한다.
도22에 있어서의 S102에 있어서, 입력 공정으로서, 묘화 데이터 변환 장치(320)는 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 레이아웃 데이터(10)에는 복수의 편향 영역에 걸치는 셀이 포함된다.
도22에 있어서의 S104에 있어서, 셀 추출 공정으로서, 셀 추출 회로(322)는 레이아웃 데이터(10)로부터 블럭마다 자기의 영역으로 정의된 셀을 추출한다.
제2 실시 형태에 있어서, 제1 실시 형태와 같이 도6에 도시한 바와 같이 묘화 영역은 편향기에서 편향 가능한 폭(W)으로 스트립 상의 복수개 영역인 프레임(18)으로 분할된다. 그리고, 묘화 장치(100)에서 인접하는 프레임(18)의 영역을 묘화하는 경우에는 묘화 장치(100)의 편향기에서 변경 가능한 영역을 초과하고 있으므로, 묘화 장치(100)의 스테이지를 이동시킨다. 이에 의해, 편향기에서 변경 가능한 영역까지 이동시키게 된다. 그리고, 각 프레임(18)은 복수의 블럭으로 더 분할되어 있다. 여기서는, 블럭 좌표(3, 4)의 블럭(22)에 대해 자기의 영역으로 정의된 셀을 추출했을 때, 셀(40)이 묘화 장치(100)의 스테이지의 이동이 필요한 프레임(18a)과 프레임(18b)의 영역 사이에 걸치도록 레이아웃되어 있는 경우를 나타내고 있다. 구체적으로는, 셀(40)이 프레임(18b)의 경계에 접하는 블럭(22)으로 정의되고, 인접하는 프레임(18a)의 경계에 접하는 블럭(20)에 걸치고 있다. 셀(40)은 패턴(17)에 의해 구성되어 있다.
도22에 있어서의 S108에 있어서, 클러스터 분할 공정으로서, 클러스터 분할 회로(324)는 셀(40) 내를 클러스터 분할한다. 도8에서 도시한 바와 같이, 블 럭(22)으로 정의된 셀(40)의 영역 내는 복수의 클러스터(16)의 영역으로 클러스터 분할된다. 클러스터 분할함으로써, 묘화 장치(100)에 있어서 다중 노광하는 경우에 그 노광 위치에 사용할 수 있다. 그리고, 도9에 도시한 바와 같이, 클러스터 분할한 후, 패턴(17)이 존재하지 않는 클러스터(16)에 대해서는 분할할 필요가 없으므로, 패턴(17)이 존재하지 않는 클러스터(16)를 생략하는 처리를 행함으로써 데이터량을 저감시킬 수 있다.
도22에 있어서의 S110에 있어서, 분할 공정의 일 예가 되는 클러스터 분배 공정으로서, 클러스터 분배 회로(326)는 걸치는 셀(40) 중 걸치는 셀(40)이 정의된 편향 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 절단한다. 클러스터 분배 공정은 분할 공정의 일 예가 된다.
도25는 제2 실시 형태에 있어서의 셀을 절단한 일 예를 나타내는 도면이다.
도25에 도시한 바와 같이 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 있는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(44)과 편향할 수 없는 패턴 부분인 부분 셀 패턴(42)을 생성한다. 그리고, 부분 셀 패턴(42)을 절단하여 분할한다.
도22에 있어서의 S113에 있어서, 적용 공정으로서, 셀 분류 회로(328) 내의 적용 회로(346)는 걸치는 셀(40)이 정의된 편향 영역에서 절단되어 분할된 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역에 있어서의 부분 패턴으로서 적용시킨다. 즉, 도25에 도시한 바와 같이 블럭(22)으로 정의된 셀(40)에 대해 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분인, 절단되어 분리한 부분 셀 패턴(42)의 데이터를 미룬다. 그리고, 블럭(20)의 셀 패턴으로서 적용시키고, 블럭(20)의 셀 패턴으로서 정의한다. 여기 서, 도25에 도시한 바와 같이 부분 셀 패턴(42)의 기준점은 절단 전의 셀(40)의 기준점을 이용하면 계산 처리상 적합하다. 단, 이에 한정되는 것은 아니고, 부분 셀 패턴(42) 영역으로 고쳐서 기준점을 마련해도 좋다.
이상과 같이 구성함으로써 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 분할시키지 않고 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 저감시킬 수 있다.
도22에 있어서의 S114에 있어서, 묘화 데이터 변환 공정으로서, 묘화 데이터 변환 회로(330)는 블럭, 혹은 프레임(18)마다 레이아웃 데이터(10)를 묘화 데이터(12)로 변환한다.
이상의 설명에 있어서, 각 회로의 입출력 데이터는 메모리(332)에 저장(기억)하고, 메모리(332)를 거쳐서 다른 회로로 전송된다. 단, 이에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 직접, 회로 사이에서 데이터의 통신을 행해도 상관없다. 데이터의 통신은 도시되어 있지 않은 버스를 거쳐서 행하면 좋다.
또한, 제2 실시 형태에 있어서의 묘화 시스템의 주요부 구성 및 그 동작은 도14와 마찬가지이다. 또한, 셀의 절단 위치 및 절단 방법에 대해서도 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
여기서, 레이아웃 데이터(10)에 포함되는 셀 패턴은 각각 단독으로 자기의 기준 위치 좌표가 위치하는 블럭으로 정의되는 경우로 한정되는 것은 아니다. 상 술한 바와 같이, 반복 배치되는 셀 패턴에 대해서는 어레이 셀로서 1개의 셀 패턴과 반복 정보가 1개의 블럭으로 정의되는 경우도 있다. 이하, 어레이 구조인 경우에 대해 설명한다.
도26은 제2 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 어레이 구조의 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도26에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(62)과, 셀(64)과, 셀(66)로 구성되는 어레이 셀(60)의 기준점 좌표는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)으로 어레이 셀(60)이 정의되어 있다. 이러한 어레이 셀(60) 중 셀(62)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2) 내에 레이아웃되어 있다. 셀(64)은 인접하는 블럭(20)(편향 영역2)에 걸쳐서 레이아웃되어 있다. 상술한 바와 같이, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 어레이 셀(60)을 각 요소로 세분화한 후, 분할하지 않고 어레이 셀(60)의 구조를 유지한 상태에서 묘화 데이터 변환 장치(320)에 입력한다. 그리고, 입력된 레이아웃 데이터(10)를 기초로 하여 어레이 셀(60)을 구성하는 걸치는 셀(64) 중 어레이 셀(60)이 정의된 측의 편향 영역이 되는 블럭(22)으로 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(65)과 어레이 셀(60)을 구성하는 것 외의 부분 셀 패턴(63)과 셀(62)을 생성한다. 그리고, 블럭(22)에 있어서, 걸치는 셀(64) 중 자기의 영역에서 편향할 수 없는 셀 패턴 부분인 부분 셀 패턴(63) 이후를 절단하여 분할한다. 그리고, 분할된 셀 패턴 부분인 부분 셀 패턴(63)과 셀(62)을 걸쳐진 편향 영역인 블럭(20)에 있어서의 부분 셀 패턴과 셀로서 적용시킨다. 이와 같이, 걸치는 패턴의 데이터 중 편향할 수 없는 셀 패턴 부 분을 걸쳐진 편향 영역으로 미룬다. 이에 의해, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 이로 인해, 레이아웃 데이터(10)에서 불필요하게 셀을 분할하지 않고, 어레이 구조를 유지한 상태에서 레이아웃 데이터(10)를 작성할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 부분 셀 패턴으로 분류하기 위한 데이터량의 증대 이외에, 어레이 구조를 더 분해함으로써 데이터량의 증대를 회피할 수 있다. 각 공정은 도22에 나타내는 공정과 마찬가지이다.
이상과 같이, 복수의 편향 영역 중 걸치는 패턴(셀)의 데이터의 일부를 절단한 후, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 미룸으로써 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서 분할시키지 않고 완료할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 묘화 데이터 변환 장치(320)로의 전송 시간을 단축할 수 있다.
(제3 실시 형태)
제3 실시 형태에서는 복수의 편향 영역 중 걸치는 패턴(셀)의 데이터의 일부를 절단한 후, 자기의 영역에서 편향할 수 없는 패턴 부분을 미루고, 걸쳐진 편향 영역에 적용시킴으로써 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류하는 점에서 제2 실시 형태와 마찬가지이다. 여기서, 제3 실시 형태에서는 자기의 영역에서 편향할 수 없는 절단한 패턴 부분의 데이터를 미리 준비된, 걸쳐진 각 편향 영역용 버퍼가 되는 기억 장치에 저장하는 방법을 설명한다. 또한, 걸치는 패턴을 절단하여 분리하는 위치는 제1 실시 형태와 마찬가지로 다양한 구성이 적용 가능하다.
도27은 제3 실시 형태에 있어서의 전자 빔 묘화 데이터의 작성 방법의 주요부 공정을 나타내는 흐름도이다.
도27에 있어서, 전자선 묘화 데이터의 검증 방법은 입력 공정(S102), 셀 추출 공정(S104), 클러스터 분할 공정(S108), 클러스터 분배 공정(S110), 저장 공정(S111), 패턴 생성 공정의 일부가 되는 적용 공정(S113), 묘화 데이터 변환 공정(S114)이라는 일련의 공정을 실시한다. 저장 공정(S111)을 추가한 것 이외는, 도22와 마찬가지이다.
도28은 제3 실시 형태에 있어서의 장치 입력 포맷 변환 장치의 구성의 일 예를 나타내는 개념도이다.
레이아웃 데이터(10)(설계 데이터)와 묘화 데이터(12)의 계층 구조 등은 제1 실시 형태와 마찬가지이다. 또한, 장치 입력 포맷 변환 장치(300)가 이러한 레이아웃 데이터(10)를 입력한다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)를 변환하여 묘화 장치(100)에 있어서 이용되는 묘화 데이터(12)가 생성된다. 그리고, 묘화 데이터(12)를 기초로 하여 실제로 전자선을 쇼트하기 위한 쇼트 사이즈로 도형이 분할되는 쇼트 데이터 등까지 변환한다. 이와 같이 하여, 묘화 장치(100)에 입력하기 위한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 생성한다. 그리고, 이러한 장치 입력 포맷 데이터(14)를 묘화 장치(100)에 출력하는 점은 제1 실시 형태와 마찬가지이다.
도28에 있어서, 묘화 데이터 변환 장치(320)는 복수의 기판(360)과, 복수의 메모리(332)와, 묘화 데이터 변환 회로(330)를 구비하고 있다. 그리고, 각 기판(360)은 셀 추출 회로(322), 클러스터 분할 회로(324), 클러스터 분배 회로(326), 적용 회로(346)를 갖고 있다. 묘화 데이터 변환 회로(330) 이외는, 도2 혹은 도23과 마찬가지이다. 도28에서는 제3 실시 형태를 설명한 후, 필요한 구성 부분에 대해 기재하고 있다. 장치 입력 포맷 변환 장치(300)나 묘화 장치(100)를 구비한 묘화 시스템(600)에 그 밖의 구성이 포함되어도 상관없다.
도29는 제3 실시 형태에 있어서의 편향 영역을 걸친 셀을 분류하는 방법의 일 예를 나타내는 개념도이다.
도29에 있어서, 레이아웃 데이터(10) 상, 셀(70)의 기준점 좌표는 블럭(22)(편향 영역1) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(22)으로 셀(70)이 정의되어 있다. 셀(70)은 인접하는 편향 영역의 일 예가 되는 블럭(20)(편향 영역2) 및 블럭(20)에 인접하는 편향 영역의 일 예가 되는 블럭(24)(편향 영역3)에 걸쳐서 레이아웃되어 있다. 셀(82) 및 셀(84)로 구성되는 어레이 셀(80)의 기준점 좌표는 블럭(24) 내에 위치하고 있다. 그로 인해, 블럭(24)으로 어레이 셀(80)이 정의되어 있다. 이러한 어레이 셀(80) 중 셀(82)은 블럭(24)에 인접하는 편향 영역의 일 예가 되는 블럭(26)(편향 영역4) 내에 레이아웃된다. 셀(90)의 기준점 좌표는 블럭(20) 내에 위치하고 있으므로, 블럭(20)으로 셀(90)이 정의되어 있다.
도27에 있어서의 S102 내지 S110까지는 제2 실시 형태와 마찬가지이다. 그리고, 레이아웃 데이터(10)의 단계에서는 셀(70)과 어레이 셀(80)을 분할하지 않고, 셀(70)과 어레이 셀(80)의 구조를 유지한 상태에서 묘화 데이터 변환 장 치(320)에 입력한다. 여기서, S102 내지 S110까지의 공정에서 제2 실시 형태와 다른 점은, 제3 실시 형태에서는 복수의 기판(360)(a, b … n)을 구비하고 있으므로, 병렬로 처리할 수 있는 점이다. 도29에서는, 일 예로서, 2개의 기판(360a, 360b)에서 병렬 처리하는 경우를 나타내고 있다.
도27에 있어서의 S111에 있어서, 저장 공정으로서, 분할된 패턴 부분의 데이터를 걸쳐진 편향 영역용 버퍼가 되는 각 메모리(332)에 저장한다. 도29에서는 일 예로서, 기판(360)이 2개의 구성인 경우, 우선 블럭(22)과 블럭(24)에 대해 처리를 행한다.
기판(360a)에서 블럭(22)으로 정의된 셀(70)에 대해 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 셀 패턴(72)과 블럭(20)에 걸치는 부분 셀 패턴(74)과 블럭(24)에 걸치는 부분 셀 패턴(76)을 생성하여 분할한다. 그리고, 부분 셀 패턴(72)의 데이터를 블럭(22)용 버퍼1이 되는 메모리(332)에 저장한다. 부분 셀 패턴(74)의 데이터를 블럭(20)용 버퍼2가 되는 메모리(332)에 저장한다. 부분 셀 패턴(76)의 데이터를 블럭(24)용 버퍼3이 되는 메모리(332)에 저장한다. 기판(360a)에서의 처리에 병렬하고, 기판(360b)에서 블럭(24)으로 정의된 어레이 셀(80)에 대해 자기의 영역에서 편향 가능한 어레이 셀(80)의 요소가 되는 셀(84) 외에 블럭(26)에 걸치는 어레이 셀(80)의 요소가 되는 셀(82)을 생성하여 셀(82)을 분할한다. 그리고, 셀(84)의 데이터를 블럭(24)용 버퍼3이 되는 메모리(332)에 저장한다. 셀(82)의 데이터를 블럭(26)용 버퍼4가 되는 메모리(332)에 저장한다.
그리고, 기판(360)이 2개의 구성인 경우, 기판(360a)과 기판(360b)의 처리가 종료된 후, 블럭(20)과 블럭(26)에 대해 처리를 행한다. 기판(360a)에서 블럭(20)으로 정의된 셀(90)에 대해서는 다른 편향 영역에 걸쳐져 있지 않으므로, 그대로 셀(90)의 데이터를 블럭(20)용 버퍼2가 되는 메모리(332)에 저장한다. 기판(360b)에서는 블럭(26)으로 정의된 셀이 존재하지 않으므로, 처리하지 않는다.
도27에 있어서의 S113에 있어서, 적용 공정으로서, 각 기판(360)의 적용 회로(346)는 자기가 처리하는 편향 영역용 버퍼가 되는 메모리(332)로부터 셀의 데이터를 판독하여 자기가 처리하는 편향 영역에 적용시킨다.
각 편향 영역용 버퍼가 되는 복수의 메모리(332)를 구비하고, 그 편향 영역용 데이터를 차례로 저장하여 축적해 감으로써, 자기의 영역에 걸치는 셀이 다른 영역에서 정의되어 있는 경우라도 이러한 영역의 처리와 병렬로 자기의 영역의 처리를 행할 수 있다.
이상과 같이, 걸치는 패턴의 데이터 중 편향할 수 없는 셀 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역용 버퍼가 되는 복수의 메모리(332)에 저장하여 미룸으로써, 묘화 데이터 변환 장치(320) 내에서 걸치는 셀을 각 편향 영역으로 분류할 수 있다. 그 결과, 레이아웃 데이터(10)에서 분할시키지 않고 완료할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 묘화 데이터 변환 장치(320)로의 전송 시간을 단축할 수 있다. 또한, 병렬 처리에 의해 처리 시간을 단축할 수 있다.
이상과 같이, 각 실시 형태 중 적어도 1개에 따르면, 레이아웃 데이터의 셀 배치 수를 억제할 수 있다. 따라서, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 삭감할 수 있다. 즉, 보다 상류측에 있는 레이아웃 데이터의 데이터량을 저감시킬 수 있다. 또한, 어레이 표현할 수 있는 셀이 증가하므로, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 삭감할 수 있다. 또한, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 삭감할 수 있으므로, 자기 디스크 장치와 같은 기억 장치의 디스크 스페이스의 소비를 억제할 수 있다. 또한, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 삭감할 수 있으므로, 묘화 장치(100)로의 데이터 전송 시간을 단축할 수 있다. 또한, 묘화 장치 입력 전에 처리해야 할 프로세스가 존재하는 경우, 레이아웃 데이터(10)의 데이터량을 삭감할 수 있으므로, 일반적으로 그 프로세스의 처리 시간(데이터 액세스 시간 등)을 저감시킬 수 있다. 그 결과, 묘화 개시까지의 시간을 단축할 수 있어, 처리량을 향상시킬 수 있다.
여기서, 상술한 바와 같이, 묘화 데이터를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 스트립 상의 복수개 영역으로 분할된다. 그리고, 인접하는 영역을 묘화하는 경우에 묘화 장치의 스테이지를 이동시킨다. 이에 의해, 편향 가능한 영역으로 이동할 수 있다. 그리고, 상술한 걸치는 패턴이 이와 같은 묘화 장치의 스테이지의 이동이 필요한 영역 사이에 걸치는 경우에, 상술한 각 방법에 의해 부분 패턴을 생성하는 것은 특히 유효하다.
또한, 이상의 설명에 있어서, 「∼회로」 혹은 「∼공정」으로 기재한 것은 컴퓨터로 동작 가능한 프로그램에 의해 구성할 수 있다. 혹은, 소프트웨어가 되는 프로그램뿐만 아니라, 하드웨어와 소프트웨어의 조합에 의해 실시시켜도 상관없다. 혹은, 펌웨어와의 조합이라도 상관없다. 또한, 프로그램에 의해 구성되는 경우, 프로그램은 자기 디스크 장치, 자기 테이프 장치, FD, 혹은 ROM(리드 온리 메모리) 등의 기록 매체에 기록된다.
도30은 프로그램에 의해 구성하는 경우의 하드웨어 구성의 일 예를 나타내는 블럭도이다.
컴퓨터가 되는 CPU(450)는 버스(474)를 거쳐서 RAM(랜덤 액세스 메모리)(452), ROM(454), 자기 디스크(HD) 장치(462), 키보드(K/B)(456), 마우스(458), 외부 인터페이스(I/F)(460), 모니터(464), 프린터(466), FD(468), DVD(470), CD(472)에 접속되어 있다. 여기서, RAM(랜덤 액세스 메모리)(452), ROM(454), 자기 디스크(HD) 장치(462), FD(468), DVD(470), CD(472)는 기억 장치의 일 예이다. 키보드(K/B)(456), 마우스(458), 외부 인터페이스(I/F)(460), FD(468), DVD(470), CD(472)는 입력 수단의 일 예이다. 외부 인터페이스(I/F)(460), 모니터(464), 프린터(466), FD(468), DVD(470), CD(472)는 출력 수단의 일 예이다.
이상, 구체예를 참조하면서 실시 형태에 대해 설명하였다. 그러나, 본 발명은 이들의 구체예로 한정되는 것은 아니다.
또한, 장치 구성이나 제어 방법 등, 본 발명의 설명에 직접 필요하지 않은 부분 등에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요해지는 장치 구성이나 제어 방법을 적절하게 선택하여 이용할 수 있다. 예를 들어, 묘화 장치(100)를 제어하는 제어부 구성에 대해서는 기재를 생략하였지만, 필요해지는 제어부 구성을 적절하게 선택하여 이용하는 것은 물론이다.
그 밖의 본 발명의 요소를 구비하여 당업자가 적절하게 설계 변경할 수 있는 모든 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법 및 그것을 실행하기 위한 프로그램 혹 은 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 장치는 본 발명의 범위에 포함된다.
부가적인 이점 및 변형이 기술 분야의 숙련된 자에게는 바로 가능할 것이다. 따라서, 본 발명은 이의 넓은 측면에서 본 명세서에 도시되고 설명된 구체적인 세부 및 대표적인 실시예로 제한되지 않는다. 따라서, 다양한 변형이 이의 첨부된 청구범위 및 이의 균등물에 의해 한정되는 일반적인 발명의 기술 사상 또는 범위로부터 벗어남이 없이 이뤄질 수 있을 것이다.
본 발명에 따르면, 레이아웃 데이터의 데이터량을 저감시키는 방법을 제공할 수 있다.

Claims (16)

  1. 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,
    복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,
    입력된 상기 레이아웃 데이터를 기초로 하여 상기 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 상기 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성하고,
    상기 편향 영역마다 영역 내의 부분 패턴이 정의된 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 상기 복수의 편향 영역 중 어느 하나의 편향 영역의 패턴으로서 정의되고,
    상기 부분 패턴을 생성할 때에 상기 복수의 편향 영역 중 상기 걸치는 패턴의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사하고, 복사한 후에 각 편향 영역에 있어서, 자기의 영역에서 편향 가능한 위치로부터 벗어난 패턴 부분을 삭제하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  3. 제2항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  4. 제2항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선은 실제로 편향 가능한 경계선으로부터 소정의 폭만큼 내측에 설정되고,
    상기 편향 영역의 경계선으로부터 상기 소정의 폭 이내로 설정되는 소정의 위치에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  5. 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 복수의 소영역으로 가상 분할되고,
    상기 복수의 소영역 중 어느 하나의 소영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  6. 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 중복되는 부분을 갖도록 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  7. 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 속성 정보로서 절단 위치가 정의되고, 상기 걸치는 패턴은 상기 절단 위치에서 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  8. 제1항에 있어서, 상기 묘화 데이터를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 스트립 상의 복수개 영역으로 분할되고, 인접하는 영역을 묘화하는 경우에 묘화 장치의 스테이지를 이동시키고,
    상기 걸치는 패턴은 상기 묘화 장치의 스테이지의 이동이 필요한 영역 사이에 걸치는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  9. 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,
    복수의 편향 영역 중 어느 한쪽의 편향 영역의 패턴으로서 정의되고, 상기 복수의 편향 영역에 걸치는 상기 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,
    상기 걸치는 패턴이 정의된 편향 영역에 있어서, 상기 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 위치로부터 벗어난 패턴 부분을 분할하고,
    분할된 상기 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역에 있어서의 부분 패턴으로서 적용시키고,
    상기 부분 패턴이 적용된 후, 상기 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  10. 제9항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용될 수 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  11. 제9항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선은 실제로 편향 가능한 경계선으로부터 소정의 폭만큼 내측에 설정되고,
    상기 편향 영역의 경계선으로부터 상기 소정의 폭 이내로 설정되는 소정의 위치에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  12. 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 복수의 소영역으로 가상 분할되고, 상기 복수의 소영역 중 어느 하나의 소영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  13. 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 중복되는 부분을 갖도록 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  14. 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 속성 정보로서 절단 위치가 정의되고, 상기 걸치는 패턴은 상기 절단 위치에서 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  15. 제9항에 있어서, 상기 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법은, 또한, 분할된 상기 패턴 부분의 데이터를 걸쳐진 편향 영역용 버퍼에 저장하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
  16. 제9항에 있어서, 상기 묘화 데이터를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 스트립 상의 복수개 영역으로 분할되어, 인접하는 영역을 묘화하는 경우에 묘화 장치의 스테이지를 이동시키고,
    상기 걸치는 패턴은 상기 묘화 장치의 스테이지의 이동이 필요한 영역 사이에 걸치는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
KR1020070022278A 2006-03-08 2007-03-07 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법 Active KR100814219B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2006-00062046 2006-03-08
JP2006062046A JP5001563B2 (ja) 2006-03-08 2006-03-08 荷電粒子線描画データの作成方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070092140A KR20070092140A (ko) 2007-09-12
KR100814219B1 true KR100814219B1 (ko) 2008-03-17

Family

ID=38535105

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070022278A Active KR100814219B1 (ko) 2006-03-08 2007-03-07 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7504645B2 (ko)
JP (1) JP5001563B2 (ko)
KR (1) KR100814219B1 (ko)
TW (1) TWI358749B (ko)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8560981B2 (en) * 2007-12-07 2013-10-15 Mentor Graphics Corporation Segmenting integrated circuit layout design files using speculative parsing
JP5314937B2 (ja) * 2008-06-06 2013-10-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置及び描画用データの処理方法
US20120221985A1 (en) * 2011-02-28 2012-08-30 D2S, Inc. Method and system for design of a surface to be manufactured using charged particle beam lithography
US20120219886A1 (en) 2011-02-28 2012-08-30 D2S, Inc. Method and system for forming patterns using charged particle beam lithography with variable pattern dosage
JP5468796B2 (ja) * 2009-03-10 2014-04-09 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びデータ処理方式選択装置
JP5403603B2 (ja) 2009-05-28 2014-01-29 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置
JP5586183B2 (ja) * 2009-07-15 2014-09-10 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画方法および装置
JP5567802B2 (ja) * 2009-08-19 2014-08-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置
JP5547553B2 (ja) * 2010-05-26 2014-07-16 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法
TWI410757B (zh) * 2010-06-18 2013-10-01 Univ Nat Taiwan An electron beam exposure apparatus, an electron beam generating apparatus, and an exposure method
JP5693981B2 (ja) * 2011-01-20 2015-04-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US9057956B2 (en) 2011-02-28 2015-06-16 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
US9612530B2 (en) 2011-02-28 2017-04-04 D2S, Inc. Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography
KR102005083B1 (ko) * 2011-02-28 2019-07-29 디2에스, 인코포레이티드 하전 입자 빔 리소그래피를 사용하여 패턴들을 형성하는 방법 및 시스템
JP2012209399A (ja) * 2011-03-29 2012-10-25 Nuflare Technology Inc 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法
JP5985852B2 (ja) 2012-03-27 2016-09-06 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6147528B2 (ja) * 2012-06-01 2017-06-14 株式会社ニューフレアテクノロジー マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置
JP2015095524A (ja) * 2013-11-11 2015-05-18 キヤノン株式会社 描画装置、および物品の製造方法
JP6484491B2 (ja) * 2015-04-10 2019-03-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP6819475B2 (ja) * 2017-06-14 2021-01-27 株式会社ニューフレアテクノロジー データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04176114A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Jeol Ltd ステップアンドリピート方式荷電粒子ビーム描画方法
JPH1167648A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Nec Corp 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6390827A (ja) * 1986-10-03 1988-04-21 Jeol Ltd 荷電粒子線描画方法および装置
JPH0574690A (ja) * 1991-09-11 1993-03-26 Mitsubishi Electric Corp 電子ビーム描画方法
JP3827422B2 (ja) * 1997-10-01 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置
JP3827423B2 (ja) * 1997-10-01 2006-09-27 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法
JP3594474B2 (ja) * 1998-02-17 2004-12-02 富士通株式会社 荷電粒子ビーム露光方法及びそれを実施する荷電粒子ビーム露光装置
JP4989158B2 (ja) * 2005-09-07 2012-08-01 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法
JP4953693B2 (ja) * 2006-05-30 2012-06-13 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電ビーム描画装置の描画エラー診断方法および荷電ビーム描画装置
JP4751273B2 (ja) * 2006-08-17 2011-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置
JP4751353B2 (ja) * 2007-03-06 2011-08-17 株式会社ニューフレアテクノロジー データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH04176114A (ja) * 1990-11-08 1992-06-23 Jeol Ltd ステップアンドリピート方式荷電粒子ビーム描画方法
JPH1167648A (ja) * 1997-08-22 1999-03-09 Nec Corp 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP5001563B2 (ja) 2012-08-15
US20070226675A1 (en) 2007-09-27
US7504645B2 (en) 2009-03-17
TWI358749B (en) 2012-02-21
TW200802533A (en) 2008-01-01
JP2007242823A (ja) 2007-09-20
KR20070092140A (ko) 2007-09-12

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100814219B1 (ko) 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법
US7592611B2 (en) Creation method and conversion method of charged particle beam writing data, and writing method of charged particle beam
JP5809419B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
US7949966B2 (en) Data verification method, charged particle beam writing apparatus, and computer-readable storage medium with program
CN103226292B (zh) 描画方法和制造物品的方法
US20090194710A1 (en) Writing apparatus, writing data conversion method, and computer-readable recording medium storing program
US20080046787A1 (en) Writing error verification method of pattern writing apparatus and generation apparatus of writing error verification data for pattern writing apparatus
JP5305601B2 (ja) 描画装置内の演算処理装置の割当て方法
JP5498105B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画方法及び荷電粒子ビーム描画装置
JP5063320B2 (ja) 描画装置及び描画データの変換方法
JP4828460B2 (ja) 描画データ作成方法及び描画データファイルを格納した記憶媒体
US6415432B1 (en) Lithography pattern data generation method, lithography pattern fabrication method and charged particle lithography system
JP4778777B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法
JP5148233B2 (ja) 描画装置及び描画方法
KR20010051381A (ko) 부분 일괄 전사 노광용 마스크 데이터 작성 방법, 및 노광방법
JP5232429B2 (ja) 描画装置及び描画方法
JP5314937B2 (ja) 描画装置及び描画用データの処理方法
JP4778776B2 (ja) 荷電粒子線描画データの作成方法
JP4312205B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP5068515B2 (ja) 描画データの作成方法、描画データの変換方法及び荷電粒子線描画方法
JP5586343B2 (ja) 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法
JP2010147099A (ja) 描画用データの処理方法、描画方法、及び描画装置
JP2002289510A (ja) 露光データ作成方法、アパーチャマスクデータの作成方法、荷電ビーム露光方法、及び荷電ビーム露光装置
JP5068549B2 (ja) 描画データの作成方法及びレイアウトデータファイルの作成方法
JP2008085248A (ja) 荷電粒子ビーム描画データの作成方法及び荷電粒子ビーム描画データの変換方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
PA0109 Patent application

St.27 status event code: A-0-1-A10-A12-nap-PA0109

PA0201 Request for examination

St.27 status event code: A-1-2-D10-D11-exm-PA0201

PG1501 Laying open of application

St.27 status event code: A-1-1-Q10-Q12-nap-PG1501

E701 Decision to grant or registration of patent right
PE0701 Decision of registration

St.27 status event code: A-1-2-D10-D22-exm-PE0701

GRNT Written decision to grant
PR0701 Registration of establishment

St.27 status event code: A-2-4-F10-F11-exm-PR0701

PR1002 Payment of registration fee

St.27 status event code: A-2-2-U10-U11-oth-PR1002

Fee payment year number: 1

PG1601 Publication of registration

St.27 status event code: A-4-4-Q10-Q13-nap-PG1601

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 4

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20121107

Year of fee payment: 6

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 6

R18-X000 Changes to party contact information recorded

St.27 status event code: A-5-5-R10-R18-oth-X000

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 7

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 8

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160218

Year of fee payment: 9

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170220

Year of fee payment: 10

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 11

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190219

Year of fee payment: 12

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 13

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 13

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 14

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 15

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 16

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 17

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000

PR1001 Payment of annual fee

St.27 status event code: A-4-4-U10-U11-oth-PR1001

Fee payment year number: 18

P22-X000 Classification modified

St.27 status event code: A-4-4-P10-P22-nap-X000