KR100814219B1 - 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
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- 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,복수의 편향 영역에 걸치는 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,입력된 상기 레이아웃 데이터를 기초로 하여 상기 복수의 편향 영역의 편향 영역마다 상기 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 부분 패턴을 생성하고,상기 편향 영역마다 영역 내의 부분 패턴이 정의된 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 상기 복수의 편향 영역 중 어느 하나의 편향 영역의 패턴으로서 정의되고,상기 부분 패턴을 생성할 때에 상기 복수의 편향 영역 중 상기 걸치는 패턴의 데이터를 걸쳐진 편향 영역에 복사하고, 복사한 후에 각 편향 영역에 있어서, 자기의 영역에서 편향 가능한 위치로부터 벗어난 패턴 부분을 삭제하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선은 실제로 편향 가능한 경계선으로부터 소정의 폭만큼 내측에 설정되고,상기 편향 영역의 경계선으로부터 상기 소정의 폭 이내로 설정되는 소정의 위치에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 복수의 소영역으로 가상 분할되고,상기 복수의 소영역 중 어느 하나의 소영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 중복되는 부분을 갖도록 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제2항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 속성 정보로서 절단 위치가 정의되고, 상기 걸치는 패턴은 상기 절단 위치에서 분리되고, 분리된 한쪽이 삭제되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 묘화 데이터를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 스트립 상의 복수개 영역으로 분할되고, 인접하는 영역을 묘화하는 경우에 묘화 장치의 스테이지를 이동시키고,상기 걸치는 패턴은 상기 묘화 장치의 스테이지의 이동이 필요한 영역 사이에 걸치는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 회로의 레이아웃 데이터로부터 하전 입자선을 이용하여 상기 하전 입자선을 편향시키면서 소정의 패턴을 묘화하기 위한 묘화 데이터를 작성하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법에 있어서,복수의 편향 영역 중 어느 한쪽의 편향 영역의 패턴으로서 정의되고, 상기 복수의 편향 영역에 걸치는 상기 패턴이 포함되는 레이아웃 데이터를 입력하고,상기 걸치는 패턴이 정의된 편향 영역에 있어서, 상기 걸치는 패턴 중 자기의 영역에서 편향 가능한 위치로부터 벗어난 패턴 부분을 분할하고,분할된 상기 패턴 부분을 걸쳐진 편향 영역에 있어서의 부분 패턴으로서 적용시키고,상기 부분 패턴이 적용된 후, 상기 레이아웃 데이터를 하전 입자선 묘화 데이터로 변환하여 출력하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용될 수 있는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 편향 영역의 경계선은 실제로 편향 가능한 경계선으로부터 소정의 폭만큼 내측에 설정되고,상기 편향 영역의 경계선으로부터 상기 소정의 폭 이내로 설정되는 소정의 위치에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 복수의 소영역으로 가상 분할되고, 상기 복수의 소영역 중 어느 하나의 소영역의 경계선에서 상기 걸치는 패턴은 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 중복되는 부분을 갖도록 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 걸치는 패턴은 속성 정보로서 절단 위치가 정의되고, 상기 걸치는 패턴은 상기 절단 위치에서 분리되고, 분리된 한쪽이 걸쳐진 편향 영역에 적용되는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법은, 또한, 분할된 상기 패턴 부분의 데이터를 걸쳐진 편향 영역용 버퍼에 저장하는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
- 제9항에 있어서, 상기 묘화 데이터를 기초로 하여 묘화되는 묘화 영역은 스트립 상의 복수개 영역으로 분할되어, 인접하는 영역을 묘화하는 경우에 묘화 장치의 스테이지를 이동시키고,상기 걸치는 패턴은 상기 묘화 장치의 스테이지의 이동이 필요한 영역 사이에 걸치는 것을 특징으로 하는 하전 입자선 묘화 데이터의 작성 방법.
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| JP5314937B2 (ja) * | 2008-06-06 | 2013-10-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置及び描画用データの処理方法 |
| US20120221985A1 (en) * | 2011-02-28 | 2012-08-30 | D2S, Inc. | Method and system for design of a surface to be manufactured using charged particle beam lithography |
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| JP5468796B2 (ja) * | 2009-03-10 | 2014-04-09 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、及びデータ処理方式選択装置 |
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| JP5586183B2 (ja) * | 2009-07-15 | 2014-09-10 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画方法および装置 |
| JP5567802B2 (ja) * | 2009-08-19 | 2014-08-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置、荷電粒子ビーム描画方法、および、荷電粒子ビーム描画用データの処理装置 |
| JP5547553B2 (ja) * | 2010-05-26 | 2014-07-16 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置およびその制御方法 |
| TWI410757B (zh) * | 2010-06-18 | 2013-10-01 | Univ Nat Taiwan | An electron beam exposure apparatus, an electron beam generating apparatus, and an exposure method |
| JP5693981B2 (ja) * | 2011-01-20 | 2015-04-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| US9057956B2 (en) | 2011-02-28 | 2015-06-16 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| US9612530B2 (en) | 2011-02-28 | 2017-04-04 | D2S, Inc. | Method and system for design of enhanced edge slope patterns for charged particle beam lithography |
| KR102005083B1 (ko) * | 2011-02-28 | 2019-07-29 | 디2에스, 인코포레이티드 | 하전 입자 빔 리소그래피를 사용하여 패턴들을 형성하는 방법 및 시스템 |
| JP2012209399A (ja) * | 2011-03-29 | 2012-10-25 | Nuflare Technology Inc | 荷電粒子ビーム描画装置及び描画データの抽出方法 |
| JP5985852B2 (ja) | 2012-03-27 | 2016-09-06 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6147528B2 (ja) * | 2012-06-01 | 2017-06-14 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | マルチ荷電粒子ビーム描画方法及びマルチ荷電粒子ビーム描画装置 |
| JP2015095524A (ja) * | 2013-11-11 | 2015-05-18 | キヤノン株式会社 | 描画装置、および物品の製造方法 |
| JP6484491B2 (ja) * | 2015-04-10 | 2019-03-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子ビーム描画装置及び荷電粒子ビーム描画方法 |
| JP6819475B2 (ja) * | 2017-06-14 | 2021-01-27 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ処理方法、荷電粒子ビーム描画装置、及び荷電粒子ビーム描画システム |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176114A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Jeol Ltd | ステップアンドリピート方式荷電粒子ビーム描画方法 |
| JPH1167648A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Nec Corp | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6390827A (ja) * | 1986-10-03 | 1988-04-21 | Jeol Ltd | 荷電粒子線描画方法および装置 |
| JPH0574690A (ja) * | 1991-09-11 | 1993-03-26 | Mitsubishi Electric Corp | 電子ビーム描画方法 |
| JP3827422B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及び荷電粒子ビーム露光装置 |
| JP3827423B2 (ja) * | 1997-10-01 | 2006-09-27 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法 |
| JP3594474B2 (ja) * | 1998-02-17 | 2004-12-02 | 富士通株式会社 | 荷電粒子ビーム露光方法及びそれを実施する荷電粒子ビーム露光装置 |
| JP4989158B2 (ja) * | 2005-09-07 | 2012-08-01 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電粒子線描画データの作成方法及び荷電粒子線描画データの変換方法 |
| JP4953693B2 (ja) * | 2006-05-30 | 2012-06-13 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 荷電ビーム描画装置の描画エラー診断方法および荷電ビーム描画装置 |
| JP4751273B2 (ja) * | 2006-08-17 | 2011-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 描画装置の描画エラー検証方法及び描画装置の描画エラー検証用データの作成装置 |
| JP4751353B2 (ja) * | 2007-03-06 | 2011-08-17 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | データ検証方法及び荷電粒子ビーム描画装置 |
-
2006
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-
2007
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Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04176114A (ja) * | 1990-11-08 | 1992-06-23 | Jeol Ltd | ステップアンドリピート方式荷電粒子ビーム描画方法 |
| JPH1167648A (ja) * | 1997-08-22 | 1999-03-09 | Nec Corp | 荷電粒子線描画用のパターンデータ作成方法 |
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