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KR100270618B1 - 다결정 실리콘 박막의 제조방법 - Google Patents

다결정 실리콘 박막의 제조방법 Download PDF

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KR100270618B1 KR1019920011615A KR920011615A KR100270618B1 KR 100270618 B1 KR100270618 B1 KR 100270618B1 KR 1019920011615 A KR1019920011615 A KR 1019920011615A KR 920011615 A KR920011615 A KR 920011615A KR 100270618 B1 KR100270618 B1 KR 100270618B1
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Abstract

본 발명은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon: a-Si) 박막을 레이저를 이용하여 균일하게 열처리(annealing) 함으로써 다결정 실리콘(Poly Crystalline Silicon: p-Si) 박막으로 결정화시키는 방법에 관한 것으로, 유리기판(11)의 a-Si 부분(3) 위에 불균일한 빔이 조사되는 부분에 금속반사층(7)을 형성시키고, 그 위에는 전체적으로 SiO2절연막(8)을 형성시킨 다음 상기 금속반사층(7) 양쪽 모서리 위쪽으로 마이크로 렌즈(6)을 위치시켜 다결정 실리콘 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
결과적으로 본 발명의 다결정 실리콘은 종래의 고온공정이 아닌 저온공정으로 p-Si 박막을 제작할 수 있으므로 고가의 단결정이나 석영기판을 사용하는 대신 저렴한 유리기판이나 플래스틱, 세라믹등 다양한 기판을 사용할 수 있으며 정밀하게 균일한 강도분포의 레이저 빔을 제작하려면 고가의 광학설비를 갖추어야 하나 본 발명의 경우 종래의 반도체 박막제작공정을 채용함으로써 현 보유설비나 기술을 이용할 수 있어 경제적이다.
또한 균일한 p-Si 박막을 제작할 수 있으므로 소자의 동작성능 및 신뢰성이 향상되었다.

Description

다결정 실리콘 박막의 제조방법
제1도는 엑시머 레이져 빔의 불균일한 강도를 나타낸 그래프이고,
제2도는 엑시머 레이져 빔의 균일한 강도를 나타낸 그래프이며,
제3도는 종래기술에 의해 결정화된 균일한 다결정 박막의 단면도이고,
제4도는 종래기술에 의한 균일한 다결정 박막을 사용한 예의 평면도이며,
제5도는 본 발명에 의해 결정화된 균일한 다결정 실리콘 박막의 단면도이고,
제6도는 본 발명에 의해 결정화된 균일한 다결정 실리콘 박막의 제조 공정도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
1 : 1차 스캐닝 빔(scanning beam) 2 : p-Si 부분
3 : a-Si 부분 4 : μ-Si 부분
5 : 마이크로렌즈에 의해 흡수 또는 반사되는 빛
6 : 마이크로렌즈(Microlens)
7 : 금속반사층 8 : SiO2절연막
9 : 창부분 12 : 저굴절율 박막
본 발명은 비정질 실리콘(Amorphous Silicon: a-Si) 박막을 레이저를 이용하여 균일하게 열처리(annealing) 함으로써 다결정 실리콘(Poly Crystalline Silicon: p-Si) 박막으로 결정화시키는 방법에 관한 것으로, 유리기판(11)의 a-Si 부분(3) 위에 불균일한 빔이 조사되는 부분에 금속반사층(7)을 형성시키고, 그 위에는 전체적으로 SiO2절연막(8)을 형성시킨 다음 상기 금속반사층(7) 양쪽 모서리 위쪽으로 마이크로 렌즈(6)을 위치시켜 다결정 실리콘 박막을 제조하는 방법에 관한 것이다.
최근 다결정 실리콘 박막은 반도체의 DRAM 소자나 디스플레이 분야의 p-Si TFT LCD 혹은 CIS(Contact Image Senser) 등에 널리 사용되어지고 있다. 일반적으로 현재 개발되어 사용되고 있는 제조방법은 비정질 혹은 미정질 실리콘(Micro Crystalline Silicon : μ-Si)등을 1000℃부근의 고온에서 열처리하는 것으로 특성은 우수하나 고온으로 인하여 기판이 휘거나 박리되는 현상이 발생하므로 단결정 실리콘(Crystal Silicon : c-Si)이나 석영(Quartz) 등의 고가기판을 사용해야 하는 단점이 있었다. 특히 박막이 두꺼울수록 그 정도가 심해 그 다음 공정인 사진 식각공정을 진행할수 없게 되는 문제점이 있었다.
구체적으로 a-Si박막을 p-Si박막으로 결정화하는데는 노(Furnace)등에서 가열하는 고상결정화(Solid Phase Crystallization : SPC)법과 레이저로 가열하는 레이져 어닐링(Laser Annealing : LA)법이 있다.(미합중국 특허 제4851363호 및 제4880753호, 일본 공개특허 제62104117호, 제63119576호, 제64025515호, 제02033935호 및 제02143559호 참조) 상기 SPC법의 경우 균일하게 p-Si로 결정화할 수 있는 장점이 있으나 열처리 온도가 1000℃부근으로 높아 사용기판에 제약이 있다는 단점이 있다. 현재 600℃부근의 저온 열처리가 연구되고 있으나 이 또한 저렴한 유리기판을 사용할 수 있는 정도는 아니다(OPTRONICS, N08, 1991, PP53, IEEE ELECTRON DEVICELETTERS, VOL.10, N08, AUGUST 1989, PP349 참조) 이를 해결하기 위해 a-Si의 광흡수가 높은 엑시머 레이저를 이용하여 열처리하는 엑시머 레이져 어닐링(Excimer Laser Annealing : ELA)방법이 연구되고 있다. 엑시머 레이저는 빔 사이즈(Beam Size)가 크고 단파장의 펄스이므로 a-Si의 표면에서 광에너지가 흡수되어 기판에 열전달이 적어 어닐링에 유리하나 기판의 전면에 균일하게 열처리 하는데는 문제가 있다. 이는 제3도 및 제4도에 나타낸 바와 같이 종래기술로 엑시머 레이져 빔을 겹쳐서 스캐닝(Scanning)할때 제1도에 나타낸 것처럼 레이져 빔 에너지가 균일하지 않아 중앙의 고에너지 부분으로 어닐링된 a-Si은 쉽게 p-Si으로 결정화되나 저에너지 부분인 빔의 가장자리 부분의 a-Si은 에너지가 모자라 a-Si으로 남거나 μ-Si으로 변화된다. 이를 해결하기 위해 레이져 빔을 균일화(Homogenize)하는 연구가 진행되었으나 균일화된 레이져 빔도 제2도에 나타낸 것과 같이 빔 가장자리의 에너지는 균일하지 않기 때문에 제2도의 ΔX부분은 a-Si을 결정화시키기에는 에너지가 모자라 μ-Si로 변환시킨다. 일단 μ-Si으로 변환되면 엔탈피(Enthalpy) 값이 30% 상승하기 때문에 3배의 에너지를 가해야만 p-Si으로 결정화할 수 있으나 실제로 3배의 에너지를 가하면 박막이 파괴되어 버리기 때문에 현재 이 문제는 해결되지 않고 있다. 따라서, 제3도 및 제4도에 나타낸 것과 같이 레이져 빔을 겹치면서 스캐닝을 하여도 기판전면에는 μ-Si와 p-Si이 공존하게 된다. 이 경우 p-Si과 μ-Si의 전기적 특성의 차이로 인해 소자가 위치에 따라 동작특성이 달라지며 사진식각등의 제작공정에서도 화학물질에 대한 반응특성이나 내열특성이 달라지므로 소자의 신뢰성이 상실된다.
따라서 본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위하여 엑시머 레이져와 같은 단파장의 레이저 빔을 균일하게 조사하여 600℃이하의 저온공정에서도 a-Si을 균일하게 p-Si으로 결정화시킬 수 있는 다결정 실리콘 박막의 제조방법을 제공하는데 있다.
또한 본 발명의 또 다른 목적은 저온 공정으로 인하여 고가의 석영 기판 대신 값싼 유리기판을 사용할 수 있게 하므로서 디스플레이소자등에 적용할 경우 대폭적인 원가절감이 가능한 다결정 실리콘 박막의 제조방법을 제공하는데 있다.
상술한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에서는 유리기판(11)의 a-Si부분(3)위에 불균일한 빔이 조사되는 부분에 금속반사층(7)을 형성시키고, 그 위에는 전체적으로 SiO2절연막(8)을 형성시킨 다음 상기 금속반사층(7) 양쪽 모서리 위쪽으로 마이크로 렌즈(6)를 위치시켜 레이져 빔을 조사하므로서 다결정 실리콘 박막을 제조하였다.
본 발명을 도면에 의하여 좀 더 상세히 설명하면 다음과 같다.
엑시머 레이져 빔의 에너지 강도를 공간적으로 균일화하면 제2도와 같은 형태를 얻는다. 에너지가 균일한 부분이 a-Si을 p-Si으로 결정화하는데 알맞은 에너지 강도를 갖도록 조정하면 가장자리 ΔX부분의 a-Si은 에너지가 약해 μ-Si으로 변화하므로 본 발명은 μ-Si으로 변하는 부분은 a-Si으로 남아 있도록 ΔX부분의 에너지강도를 오목마이크로렌즈 및 금속반사막을 사용하여 제거하는 것이다.
그 방법으로 제5도 및 제6도에 나타낸 것과 같이 엑시머 레이저빔을 반사하는 역할을 하는 금속반사막(7)과, a-Si(3)과 금속반사막(7)의 사이에 존재하면서 어닐링도중의 고온에 의한 a-Si과 금속반사막의 원치않는 반응을 억제해 주는 SiO2절연막(8)과, 금속반사막 상부에 존재하면서 레이져 빔 가장자리 부분의 에너지를 산란시켜 에너지 집중을 방지하는 마이크로렌즈(6)를 이용함으로써 균일하게 레이저 빔을 조사할 수 있었다.
우선 본 발명의 제조방법은 제6도에 도시한 바와 같이, a-Si 박막(3)을 소자가 요구하는 형태로 사진식각법으로 패터닝한 후 SiO2절연막(8)을 CVD나 스퍼터링 등의 일반적인 박막제조법으로 1000Å 이상 제작한다.(제6(a)도) 다음에, 알루미늄, 금, 은, 동 등의 금속에서 하나를 선택하여 스퍼터링이나 증발건조법(Evaporation) 등의 일반적인 반도체 박막 제작법으로 두께 1000Å 이상의 금속반사막(7)을 상기 절연막(8) 상부에 제작한 후 사진식각법으로 창(window, 9)을 형성하는데 크기가 균일한 레이저 빔 크기인 X보다 작도록 한다.(제6(b)도) 상기 형성된 금속반사막(7)의 폭은 상부에는 μ-Si이 존재하는 영역 ΔX보다 크고 X보다 작도록 하여 레이저 빔이 새어들지 않도록 한다. 그 후에 금속반사막(7) 상부에는 ΔX 부분의 에너지를 분산시켜 결정화에 기여하지 못하도록 하는 마이크로렌즈(6)를 제작하는데 일반적인 제작법은 SiO2등의 저굴절율(약 1.45) 박막(12)을 제작한 후 사진식각법을 이용하여 상기 금속반사막(7)의 창 가장자리를 따라 홈을 형성한 후 고굴절율인 Si3N4(약 2.0) 등을 스퍼터링이나 화학기상 증착법(Chimical Vapour Deposition)으로 삽입함으로써 오목렌즈의 형태로 형성한다.(제6(c)도)
이렇게 제조된 금속반사막(7)의 창부분(9)을 엑시머 레이저로 어닐링한다.(제6(d)도) 어닐링을 통하여 a-Si 부분(3)의 일부를 p-Si 부분(2)으로 결정화시킨 후에 금속반사막(7) 및 마이크로렌즈(6)를 제거한 후(제6(e)도) 금속 반사막(7) 하부의 결정화되지 않은 a-Si 부분(3)을 엑시머 레이저로 결정화한다.(제6(f)도) 이렇게 하여 기판전면을 균일하게 레이저 어닐링한 p-Si 박막을 완성한다.
상기 금속반사막(7)의 창부분(9)이 균일한 에너지 강도부분과 겹치도록 레이저 빔을 조사하면 창 가장자리의 오목 마이크로렌즈가 높은 에너지 강도부분 X로 굴절시켜 ΔX 부분의 에너지 강도를 분산시켰다. 따라서, 낮은 에너지 강도 부분만 일부 내부의 p-Si 결정화에 기여하고 나머지는 금속반사막(7)에 반사되거나 흡수되기 때문에 금속반사막 하부의 a-Si 부분(3)은 결정화되지 않고 a-Si으로 남게 된다. 창부분(9)의 a-Si 부분(3)을 전부 결정화 시킨 후 오목 마이크로렌즈층 및 금속반사막 부분을 사진식각법으로 제거하고 남아있는 a-Si을 동일한 레이저 빔을 사용하여 결정화시킨다. 이 때 먼저 결정화된 부분(창부분)의 p-Si 부분(2)은 이미 안정한 상태로 존재하기 때문에 다시 레이저 빔에 노출되어도 결정화에 영향을 받지 않는다.
따라서, 금속반사막(7) 하부의 크기가 X보다 작도록 하여 그 부분을 레이저빔으로 어닐링하면 전면을 균일하게 결정화할 수 있는 것이다.
하기의 실시예는 본 발명의 다결정 실리콘 박막의 제조방법을 좀 더 구체적으로 설명하는 것이지만 본 발명의 범주를 한정하는 것은 아니다.
[실시예]
유리기판(11) 위에 a-Si 박막(3)을 사진식각법으로 패터닝한 후 SiO2절연막(8)을 스퍼터링 방법으로 1000Å의 박막으로 제조하였다.(제6(a)도) 다음에 1000Å 두께의 금속반사막(7)으로 Al을 스퍼터링하여 상기 SiO2절연막(8) 상부에 형성한 후 사진식각법으로 창(window, 9)을 형성하는데 크기가 균일한 레이저 빔 크기인 X보다 작은 길이로 하였다.(제6(b)도) 그 후에 금속반사막(7) 상부에는 ΔX 부분의 에너지를 분산시켜 결정화에 기여하지 못하도록 하는 마이크로렌즈(6)를 제작하는데 SiO2등의 저굴절율(약 1.45) 박막(12) 1500Å을 전체적으로 제작한 후 사진식각법을 이용하여 상기 금속반사막(7)의 창 가장자리를 따라 홈을 형성한 후 고굴절율인 Si3N4(약 2.0) 등을 화학기상 증착법으로 삽입함으로써 오목렌즈 형태로 마이크로렌즈(6)를 형성한다.(제6(c)도)
이렇게 제조된 금속반사막(7)의 창부분(9)을 엑시머 레이저로 어닐링하여(제6(d)도) a-Si 부분(3)의 일부를 p-Si 부분(2)으로 결정화시킨 후에 금속반사막(7) 및 마이크로렌즈(6)를 제거하였다.(제6(e)도) 마지막으로 금속반사막(7) 하부의 결정화되지 않은 a-Si 부분(3)을 엑시머 레이저로 결정화하여(제6(f)도) 기판 전면이 균일하게 레이저 어닐링 된 다결정 실리콘 박막을 제조하였다.
결과적으로 본 발명의 다결정 실리콘은 종래의 고온공정이 아닌 저온공정으로 p-Si 박막을 제작할 수 있으므로 고가의 단결정이나 석영기판을 사용하는 대신 저렴한 유리기판이나 플라스틱, 세라믹 등 다양한 기판을 사용할 수 있으며 정밀하게 균일한 강도분포의 레이저 빔을 제작하려면 고가의 광학설비를 갖추어야 하나 본 발명의 경우 종래의 반도체 박막제작공정을 채용함으로써 현 보유설비나 기술을 이용할 수 있어 경제적이다.
또한, 균일한 p-Si 박막을 제작할 수 있으므로 소자의 동작성능 및 신뢰성이 향상되었다.

Claims (4)

  1. 레이저를 이용하여 비정질 실리콘 박막을 열처리하여 다결정 실리콘 박막을 제조하는데 있어서, 비정질 실리콘(a-Si) 박막(3)을 소정의 형태로 사진식각법으로 패터닝하는 단계; SiO2절연막(8)을 CVD 또는 스퍼터링 박막제작법으로 1000Å 이상 제작하는 단계; 유리기판(11)의 비정질 실리콘(a-Si) 부분(3) 위에 불균일한 빔이 조사되는 부분에 금속반사막(7)을 형성시키는 단계; 그 위에는 전체적으로 SiO2저굴절율 박막(12)을 형성시키는 단계 및; 상기 금속반사막(7) 양쪽 모서리 위쪽으로 마이크로 렌즈(6)를 위치시키는 단계로 제조되는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 금속반사막(7)은 알루미늄, 금, 은, 동 등의 금속 중 어느 하나를 선택하여 사용하는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
  3. 제1항에 있어서, 상기 금속반사막(7)에 사진식각법으로 창부분(9)을 형성시키는 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
  4. 제1항에 있어서, 상기 마이크로 렌즈(6)는 SiO2저굴절율 박막(12)에 고굴절율의 물질을 삽입하여 오목렌즈 형태로 제조한 것을 특징으로 하는 다결정 실리콘 박막의 제조방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101054235B1 (ko) * 2003-01-21 2011-08-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및레이저 조사 시스템

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW297138B (ko) * 1995-05-31 1997-02-01 Handotai Energy Kenkyusho Kk
JP3883592B2 (ja) * 1995-08-07 2007-02-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射方法および半導体作製方法および半導体装置の作製方法および液晶電気光学装置の作製方法
US5731405A (en) * 1996-03-29 1998-03-24 Alliant Techsystems Inc. Process and materials for inducing pre-tilt in liquid crystals and liquid crystal displays
US5817743A (en) * 1996-03-29 1998-10-06 Alliant Techsystems Inc. Process and materials for inducing pre-tilt in liquid crystals and liquid crystal displays
US6759628B1 (en) * 1996-06-20 2004-07-06 Sony Corporation Laser annealing apparatus
KR100505449B1 (ko) * 1998-12-24 2005-10-14 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 폴리사이드 게이트 전극 형성방법
TW487959B (en) * 1999-08-13 2002-05-21 Semiconductor Energy Lab Laser apparatus, laser annealing method, and manufacturing method of a semiconductor device
JP2002043245A (ja) * 2000-07-31 2002-02-08 Fujitsu Ltd 結晶性半導体薄膜の形成方法
JP4969024B2 (ja) * 2003-01-21 2012-07-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2009135453A (ja) * 2007-10-30 2009-06-18 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の作製方法、半導体装置及び電子機器
US9536970B2 (en) 2010-03-26 2017-01-03 Samsung Electronics Co., Ltd. Three-dimensional semiconductor memory devices and methods of fabricating the same
US11190810B2 (en) 2018-01-26 2021-11-30 Samsung Electronics Co., Ltd. Device and method for compressing image data using quantization parameter and entropy tables

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4897150A (en) * 1988-06-29 1990-01-30 Lasa Industries, Inc. Method of direct write desposition of a conductor on a semiconductor
JPH03140920A (ja) * 1989-10-26 1991-06-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 投写型表示装置及び該投写型表示装置に用いる液晶表示装置
JPH046823A (ja) * 1990-04-24 1992-01-10 Seiko Epson Corp 結晶性半導体薄膜の製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101054235B1 (ko) * 2003-01-21 2011-08-08 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 레이저 조사 방법, 반도체 장치를 제조하는 방법, 및레이저 조사 시스템

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