JPH1195442A - フォトレジストパターン形成方法 - Google Patents
フォトレジストパターン形成方法Info
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- JPH1195442A JPH1195442A JP9258258A JP25825897A JPH1195442A JP H1195442 A JPH1195442 A JP H1195442A JP 9258258 A JP9258258 A JP 9258258A JP 25825897 A JP25825897 A JP 25825897A JP H1195442 A JPH1195442 A JP H1195442A
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
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- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/09—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers
- G03F7/092—Photosensitive materials characterised by structural details, e.g. supports, auxiliary layers characterised by backside coating or layers, by lubricating-slip layers or means, by oxygen barrier layers or by stripping-release layers or means
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 酸性ポリマーを保護膜に用いた場合は、塗布
装置内の金属を腐食させやすいとう問題を有している。 【解決手段】 被エッチング基板１上に化学増幅型レジ
ストを塗布する。次に、露光後速やかに融点が１０℃以
下で且つ、沸点が５０℃以上であるパラフィン膜をコー
ティングした。次に、大気中で放置後、１１０℃で９０
秒間、加熱処理し、その後、現像処理、ベーク処理を行
った。
装置内の金属を腐食させやすいとう問題を有している。 【解決手段】 被エッチング基板１上に化学増幅型レジ
ストを塗布する。次に、露光後速やかに融点が１０℃以
下で且つ、沸点が５０℃以上であるパラフィン膜をコー
ティングした。次に、大気中で放置後、１１０℃で９０
秒間、加熱処理し、その後、現像処理、ベーク処理を行
った。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、化学増幅型レジス
トのパターン形成方法に関するものである。
トのパターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路（以下「ＬＳＩ」と記
す。）は、年々高集積化が進み、そのデザインルールも
より微細化が要求されるようになった。そして、フォト
リソフラフィ工程で使用される光源もｉ線（波長３６５
ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）エキシマレーザから
ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）エキシマレーザになってきて
いる。
す。）は、年々高集積化が進み、そのデザインルールも
より微細化が要求されるようになった。そして、フォト
リソフラフィ工程で使用される光源もｉ線（波長３６５
ｎｍ）、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）エキシマレーザから
ＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）エキシマレーザになってきて
いる。
【０００３】一般的に、このエキシマレーザを利用した
化学増幅型レジストは、主成分の樹脂と、エキシマレー
ザ光によって強い酸を発生させる感光剤とからなる。感
光によって発生した酸は樹脂中の側鎖を切断し、更に新
たな酸を発生させる。この側鎖の切断及び酸の発生は、
熱処理（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋ
ｉｎｇ）により次々に誘発され、その結果、現像液に対
し可溶領域と不溶領域とを形成する。
化学増幅型レジストは、主成分の樹脂と、エキシマレー
ザ光によって強い酸を発生させる感光剤とからなる。感
光によって発生した酸は樹脂中の側鎖を切断し、更に新
たな酸を発生させる。この側鎖の切断及び酸の発生は、
熱処理（ＰＥＢ：ｐｏｓｔ−ｅｘｐｏｓｕｒｅ ｂａｋ
ｉｎｇ）により次々に誘発され、その結果、現像液に対
し可溶領域と不溶領域とを形成する。
【０００４】上述のように化学増幅型レジストは、その
性質上、感光時に強い酸を発生させる必要がある。しか
しながら、その酸は、ＰＥＢ工程に移行するまでの間
（以下、感光後ＰＥＢ工程までに要する時間を単に「デ
ィレイ」とする。）に、図２（ａ）に示すように、大気
中の水分、アンモニア等により中和され、失活しやす
い。尚、以下、感光後ＰＥＢ工程までに要する時間を単
にディレイという。その結果、レジスト表面では酸が希
薄となり、図２（ｂ）に示すように、ポジ型レジストで
は現像液に対し難溶に、また、ネガレジストでは現像液
に対し溶解しやすくなる。
性質上、感光時に強い酸を発生させる必要がある。しか
しながら、その酸は、ＰＥＢ工程に移行するまでの間
（以下、感光後ＰＥＢ工程までに要する時間を単に「デ
ィレイ」とする。）に、図２（ａ）に示すように、大気
中の水分、アンモニア等により中和され、失活しやす
い。尚、以下、感光後ＰＥＢ工程までに要する時間を単
にディレイという。その結果、レジスト表面では酸が希
薄となり、図２（ｂ）に示すように、ポジ型レジストで
は現像液に対し難溶に、また、ネガレジストでは現像液
に対し溶解しやすくなる。
【０００５】尚、図２は従来技術の問題点の説明に供す
る図であり、２１は被エッチング基板、２２は化学増幅
型レジスト膜、２３はレジストパターンを示す。
る図であり、２１は被エッチング基板、２２は化学増幅
型レジスト膜、２３はレジストパターンを示す。
【０００６】この酸の失活を防ぐため、ディレイを極力
短くした工程管理、化学フィルタによる環境クリーン
化、強酸性水溶液のオーバーコート等が検討されてい
る。
短くした工程管理、化学フィルタによる環境クリーン
化、強酸性水溶液のオーバーコート等が検討されてい
る。
【０００７】以下、特開平７−２９５２２８号公報に記
載のフォトレジストパターン形成工程を図３を用いて説
明する。
載のフォトレジストパターン形成工程を図３を用いて説
明する。
【０００８】まず、半導体基板３１上に化学増幅型レジ
ストを回転塗布法により塗布し、その半導体基板３１上
に化学増幅型レジスト膜３３を形成する（図３
（ａ））。次に、ここでは、化学増幅型レジスト膜３３
上に、有機材料（例えば、ポリエチレン、酸性ポリマ
ー）の保護膜３５を形成する。即ち、化学増幅型レジス
ト膜３３を露光した際の露光部において生じる触媒を、
露光済み試料を保管する雰囲気中の触媒を失活させる因
子から保護するための保護膜３５を形成する（図３
（ｂ））。次に、化学増幅型レジスト膜３３を保護膜３
５を介して選択的に露光する（図３（ｃ））。次に、保
護膜３５を剥離した後、露光後のベーク処理を行う（図
３（ｄ））。次に、ベーク処理後、現像を行う（図３
（ｅ））。また、この公報では、露光終了後に、レジス
ト上に保護膜を形成する方法についても提案されてい
る。
ストを回転塗布法により塗布し、その半導体基板３１上
に化学増幅型レジスト膜３３を形成する（図３
（ａ））。次に、ここでは、化学増幅型レジスト膜３３
上に、有機材料（例えば、ポリエチレン、酸性ポリマ
ー）の保護膜３５を形成する。即ち、化学増幅型レジス
ト膜３３を露光した際の露光部において生じる触媒を、
露光済み試料を保管する雰囲気中の触媒を失活させる因
子から保護するための保護膜３５を形成する（図３
（ｂ））。次に、化学増幅型レジスト膜３３を保護膜３
５を介して選択的に露光する（図３（ｃ））。次に、保
護膜３５を剥離した後、露光後のベーク処理を行う（図
３（ｄ））。次に、ベーク処理後、現像を行う（図３
（ｅ））。また、この公報では、露光終了後に、レジス
ト上に保護膜を形成する方法についても提案されてい
る。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、ディレイを極
力短くするにも現像機内のスループットにも限界があ
り、ロット最後の処理には約１時間の待ち時間が必要で
ある。そして、その待ち時間内に酸は失活する。また、
化学フィルタは装置内部のアンモニア濃度の低減に特に
効果があるが、水分の除去に関しては十分とは言えな
い。更に、フィルタ交換などメンテナンスが逐次必要と
なる。一方、強酸性水溶液のオーバーコートは、対環境
性に関しては優れているが、ｐＨ２〜３の強酸であるた
め、装置、特に塗布装置内の金属を腐食させ易いという
致命的な欠点を有する。
力短くするにも現像機内のスループットにも限界があ
り、ロット最後の処理には約１時間の待ち時間が必要で
ある。そして、その待ち時間内に酸は失活する。また、
化学フィルタは装置内部のアンモニア濃度の低減に特に
効果があるが、水分の除去に関しては十分とは言えな
い。更に、フィルタ交換などメンテナンスが逐次必要と
なる。一方、強酸性水溶液のオーバーコートは、対環境
性に関しては優れているが、ｐＨ２〜３の強酸であるた
め、装置、特に塗布装置内の金属を腐食させ易いという
致命的な欠点を有する。
【００１０】また、上述の、特開平７−２９５２２８号
公報に開示されている方法では、酸の失活防止にポリエ
チレンからなる保護膜３５を用いるため、保護膜を除去
するための工程が必要となる。これは、通常のレジスト
プロセスに用いられる現像液がアルカリ水溶液を用いる
のに対し、保護膜３５を除去するためにはベンゼン等の
芳香族系の溶剤を用いる必要があるためである。
公報に開示されている方法では、酸の失活防止にポリエ
チレンからなる保護膜３５を用いるため、保護膜を除去
するための工程が必要となる。これは、通常のレジスト
プロセスに用いられる現像液がアルカリ水溶液を用いる
のに対し、保護膜３５を除去するためにはベンゼン等の
芳香族系の溶剤を用いる必要があるためである。
【００１１】一方、ベンゼン等の芳香族系の現像液を用
いて現像時に保護膜３５の除去を同時に行うことも可能
となるが、現像液の使用量が多くなり、環境への影響が
問題となる。酸性ポリマーを保護膜に用いた場合は、強
酸性水溶液を用いた場合と同様に塗布装置内の金属を腐
食させやすいとう問題を有している。
いて現像時に保護膜３５の除去を同時に行うことも可能
となるが、現像液の使用量が多くなり、環境への影響が
問題となる。酸性ポリマーを保護膜に用いた場合は、強
酸性水溶液を用いた場合と同様に塗布装置内の金属を腐
食させやすいとう問題を有している。
【００１２】本発明は、ＫｒＦ（波長２４８ｎｍ）或い
はＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）のエキシマレーザ、Ｘ線及
び電子線等に感光する化学増幅型レジストを用い、ＬＳ
Ｉパターンを形成する際に、露光後、如何なる環境下に
おいても酸の失活を防ぎ得るフォトレジストパターン形
成方法を提供することを目的とする。
はＡｒＦ（波長１９３ｎｍ）のエキシマレーザ、Ｘ線及
び電子線等に感光する化学増幅型レジストを用い、ＬＳ
Ｉパターンを形成する際に、露光後、如何なる環境下に
おいても酸の失活を防ぎ得るフォトレジストパターン形
成方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載のフォト
レジストパターン形成方法は、化学増幅型レジストを用
い所定のフォトレジストパターンを形成する方法におい
て、上記化学増幅型レジストを塗布後上記化学増幅型レ
ジスト表面に、融点が１０℃以下で且つ、沸点が５０℃
以上であるパラフィン膜を形成することを特徴とするも
のである。
レジストパターン形成方法は、化学増幅型レジストを用
い所定のフォトレジストパターンを形成する方法におい
て、上記化学増幅型レジストを塗布後上記化学増幅型レ
ジスト表面に、融点が１０℃以下で且つ、沸点が５０℃
以上であるパラフィン膜を形成することを特徴とするも
のである。
【００１４】また、請求項２に記載のフォトレジストパ
ターン形成方法は、上記パラフィン膜の形成を露光後に
行うことを特徴とする、請求項１記載のフォトレジスト
パターン形成方法である。
ターン形成方法は、上記パラフィン膜の形成を露光後に
行うことを特徴とする、請求項１記載のフォトレジスト
パターン形成方法である。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に基づいて本発
明について詳細に説明する。
明について詳細に説明する。
【００１６】図１は本発明の一実施の形態のフォトレジ
ストパターンの形成工程を示す図であり、１は被エッチ
ング基板、２は化学増幅レジスト膜、３は沸点が５０℃
以上で且つ、融点が１０℃以下であるパラフィン膜を示
す。
ストパターンの形成工程を示す図であり、１は被エッチ
ング基板、２は化学増幅レジスト膜、３は沸点が５０℃
以上で且つ、融点が１０℃以下であるパラフィン膜を示
す。
【００１７】本発明において、使用されるパラフィンの
沸点及び融点の最適範囲は、沸点が５０℃以上、且つ、
融点が１０℃以下である。これは、フォトレジスト保護
膜が長時間安定にレジスト膜を保護し、且つ、速やかに
且つ均一にレジスト膜をコーティングし得る最適範囲で
ある。沸点及び融点が高くなると、換言すれば、パラフ
ィンの平均分子量が大きくなると、パラフィンは保護膜
形成後ほとんど蒸発せずに安定するが、融点が高くなり
過ぎる（融点が１０℃以上）と粘性が高くなり、保護膜
の膜厚が不均一となり易く、また保護膜自体が厚くなり
好ましくない。
沸点及び融点の最適範囲は、沸点が５０℃以上、且つ、
融点が１０℃以下である。これは、フォトレジスト保護
膜が長時間安定にレジスト膜を保護し、且つ、速やかに
且つ均一にレジスト膜をコーティングし得る最適範囲で
ある。沸点及び融点が高くなると、換言すれば、パラフ
ィンの平均分子量が大きくなると、パラフィンは保護膜
形成後ほとんど蒸発せずに安定するが、融点が高くなり
過ぎる（融点が１０℃以上）と粘性が高くなり、保護膜
の膜厚が不均一となり易く、また保護膜自体が厚くなり
好ましくない。
【００１８】一方、沸点及び融点が低くなると、換言す
れば、パラフィンの平均分子量が小さくなると、パラフ
ィンから成る保護膜は容易に薄く、均一にコーティング
されるが、沸点が低く成り過ぎる（沸点が５０℃以下）
と保護膜形成後、短時間で大気中にパラフィンが蒸発し
易く、レジストと大気との隔離が不十分となり好ましく
ない。
れば、パラフィンの平均分子量が小さくなると、パラフ
ィンから成る保護膜は容易に薄く、均一にコーティング
されるが、沸点が低く成り過ぎる（沸点が５０℃以下）
と保護膜形成後、短時間で大気中にパラフィンが蒸発し
易く、レジストと大気との隔離が不十分となり好ましく
ない。
【００１９】尚、沸点及び融点はパラフィンの分子量及
び構造によって一義的に決まるものである。
び構造によって一義的に決まるものである。
【００２０】本発明において、パラフィンとは、一般式
ＣｎＨ2n+2で表される直鎖構造或いは分岐構造の単独或
いは混合物である。具体的には、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン、トリデカン及びテトラデカンの直鎖構造或いは
分岐構造の単独若しくは混合物である。パラフィンはこ
のように炭素（Ｃ）と水素（Ｈ）のみから構成される分
子であるため、完全に非極性な物質である。したがっ
て、水などの極性物質を寄せ付けない働きを有する。そ
の結果、レジスト内の酸と外気とを完全に隔離し、酸の
失活を防ぐ。
ＣｎＨ2n+2で表される直鎖構造或いは分岐構造の単独或
いは混合物である。具体的には、ペンタン、ヘキサン、
ヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ド
デカン、トリデカン及びテトラデカンの直鎖構造或いは
分岐構造の単独若しくは混合物である。パラフィンはこ
のように炭素（Ｃ）と水素（Ｈ）のみから構成される分
子であるため、完全に非極性な物質である。したがっ
て、水などの極性物質を寄せ付けない働きを有する。そ
の結果、レジスト内の酸と外気とを完全に隔離し、酸の
失活を防ぐ。
【００２１】保護膜形成は、レジスト塗布後、若しくは
露光後の何れの過程で実施してもよいが、露光前にパラ
フィン保護膜を形成する場合、パラフィン成分内に塩素
が存在すると露光時にパラフィンが分解され易くなるの
で、塩素の含有量は極力少なくすることが望ましい。ま
た、レジスト塗布後にパラフィン保護膜を形成する場
合、好ましくは、レジストをスピンコーターでウエハに
塗布後、レジスト内の溶媒成分を加熱処理（ＰＢ：Ｐｒ
ｅｂａｋｅ）により蒸留した後形成する。更に、露光後
に実施する場合は、好ましくは、露光後速やかに保護膜
を形成し、酸の失活を防止する。
露光後の何れの過程で実施してもよいが、露光前にパラ
フィン保護膜を形成する場合、パラフィン成分内に塩素
が存在すると露光時にパラフィンが分解され易くなるの
で、塩素の含有量は極力少なくすることが望ましい。ま
た、レジスト塗布後にパラフィン保護膜を形成する場
合、好ましくは、レジストをスピンコーターでウエハに
塗布後、レジスト内の溶媒成分を加熱処理（ＰＢ：Ｐｒ
ｅｂａｋｅ）により蒸留した後形成する。更に、露光後
に実施する場合は、好ましくは、露光後速やかに保護膜
を形成し、酸の失活を防止する。
【００２２】本発明の保護膜は、酸を発生させ、その後
のＰＥＢ工程で酸の増幅を促すタイプのいわゆる化学増
幅型レジストならば如何なる種類のものにも実施でき
る。
のＰＥＢ工程で酸の増幅を促すタイプのいわゆる化学増
幅型レジストならば如何なる種類のものにも実施でき
る。
【００２３】また、本発明の保護膜は、ＰＥＢ工程でそ
の大半は蒸留され、その後、現像液での処理中で現像液
と供に洗い流される。したがって、特別な装置を必要と
せず、従来使用されている塗布装置、現像機を用い形成
し、処理することができる。
の大半は蒸留され、その後、現像液での処理中で現像液
と供に洗い流される。したがって、特別な装置を必要と
せず、従来使用されている塗布装置、現像機を用い形成
し、処理することができる。
【００２４】以下、本発明の第１の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００２５】まず、６インチの単結晶シリコンウエハを
希フッ酸（ＤＨＦ）溶液で洗浄した後、高温で乾燥して
ウエハ表面を前処理した。次いで、ヘキサメチルジシラ
ザン（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、ポジ
型の化学増幅型レジスト（Ｋ２Ｇ、日本合成ゴム（株）
製）を回転塗布法により塗布し、１００℃で９０秒間Ｐ
Ｂ処理した。塗布後の膜厚は０．８μｍであった。
希フッ酸（ＤＨＦ）溶液で洗浄した後、高温で乾燥して
ウエハ表面を前処理した。次いで、ヘキサメチルジシラ
ザン（ＨＭＤＳ）にて表面を親油化した。次いで、ポジ
型の化学増幅型レジスト（Ｋ２Ｇ、日本合成ゴム（株）
製）を回転塗布法により塗布し、１００℃で９０秒間Ｐ
Ｂ処理した。塗布後の膜厚は０．８μｍであった。
【００２６】次いで、同じ回転塗布装置を用いて、沸点
約９０℃、融点約−９０℃の市販のパラフィン系溶剤
（ＤＯＳＢ、シェル化学（株）製）を０．０１μｍの膜
厚で塗布した（図１（ａ））。尚、比較のため、パラフ
ィンを塗布しないウエハも準備した。
約９０℃、融点約−９０℃の市販のパラフィン系溶剤
（ＤＯＳＢ、シェル化学（株）製）を０．０１μｍの膜
厚で塗布した（図１（ａ））。尚、比較のため、パラフ
ィンを塗布しないウエハも準備した。
【００２７】次に、ＫｒＦエキシマレーザ露光装置（Ｎ
ＳＲ−１７５５ ＥＸ−８、ニコン（株）製）を用い、
マスクサイズが０．２５μｍのＬ／Ｓパターンを形成し
た。露光後、大気中で１時間放置した後、１０５℃で９
０秒間ＰＥＢ処理し、冷却後速やかに現像液に浸し、レ
ジストの可溶部を洗い出した。次いで、再度１１０℃で
９０秒間のベーク処理を行い、ウエハに付着した現像液
を完全に蒸留した。
ＳＲ−１７５５ ＥＸ−８、ニコン（株）製）を用い、
マスクサイズが０．２５μｍのＬ／Ｓパターンを形成し
た。露光後、大気中で１時間放置した後、１０５℃で９
０秒間ＰＥＢ処理し、冷却後速やかに現像液に浸し、レ
ジストの可溶部を洗い出した。次いで、再度１１０℃で
９０秒間のベーク処理を行い、ウエハに付着した現像液
を完全に蒸留した。
【００２８】上記のようにしてパターン形成されたウエ
ハの断面観察を電子顕微鏡にて観察した結果、パラフィ
ンをコーティングしていないウエハの断面は、１時間の
ディレイの間に表面の酸の失活により、図２（ｂ）に示
すように、Ｔトップの形状を示しているのに対して、パ
ラフィンをコーティングしたウエハの断面は、図１
（ｂ）に示すように、０．２５μｍの密集ライン（Ｌ／
Ｓ）パターンが明確に形成されていた。
ハの断面観察を電子顕微鏡にて観察した結果、パラフィ
ンをコーティングしていないウエハの断面は、１時間の
ディレイの間に表面の酸の失活により、図２（ｂ）に示
すように、Ｔトップの形状を示しているのに対して、パ
ラフィンをコーティングしたウエハの断面は、図１
（ｂ）に示すように、０．２５μｍの密集ライン（Ｌ／
Ｓ）パターンが明確に形成されていた。
【００２９】次に、本発明の第２の実施の形態について
説明する。
説明する。
【００３０】まず、第１の実施の形態と同様に、希フッ
酸とヘキサメチルジシラザンで表面処理したウエハを準
備した。次いで、ポジ型化学増幅レジスト（ＴＤＵＲ−
Ｐ００９、東京応化工業塗（株）製）を塗布し、９０℃
で９０秒間ＰＢ処理した。塗布後の膜厚は０．７μｍで
あった。
酸とヘキサメチルジシラザンで表面処理したウエハを準
備した。次いで、ポジ型化学増幅レジスト（ＴＤＵＲ−
Ｐ００９、東京応化工業塗（株）製）を塗布し、９０℃
で９０秒間ＰＢ処理した。塗布後の膜厚は０．７μｍで
あった。
【００３１】次に、ＫｒＦレーザ露光装置（ＦＰＡ−３
０００ＥＸ３、キャノン（株）製）を用い、マスクサイ
ズ０．２２μｍのＬ／Ｓパターンを形成した。露光後速
やかに沸点約１４０℃、融点約０℃の流動パラフィン
（試薬）を１μｍの膜厚でコーティングした。比較のた
め、パラフィンを塗布しないウエハも準備した。
０００ＥＸ３、キャノン（株）製）を用い、マスクサイ
ズ０．２２μｍのＬ／Ｓパターンを形成した。露光後速
やかに沸点約１４０℃、融点約０℃の流動パラフィン
（試薬）を１μｍの膜厚でコーティングした。比較のた
め、パラフィンを塗布しないウエハも準備した。
【００３２】次に、３時間大気中で放置後、１１０℃で
９０秒間、ＰＥＢ処理し、その後は、第１の実施の形態
と同様に、現像処理、ベーク処理を行った。
９０秒間、ＰＥＢ処理し、その後は、第１の実施の形態
と同様に、現像処理、ベーク処理を行った。
【００３３】第１の実施の形態と同様に、沸点が５０℃
以上で融点が１０℃以下のパラフィンをコーティングし
ていないウエハの断面は上方が広がったＴトップの形状
を示しているのに対して、このようなパラフィンをコー
ティングしたウエハの断面は、０．２２μｍのＬ／Ｓパ
ターンが明確に形成されていた。
以上で融点が１０℃以下のパラフィンをコーティングし
ていないウエハの断面は上方が広がったＴトップの形状
を示しているのに対して、このようなパラフィンをコー
ティングしたウエハの断面は、０．２２μｍのＬ／Ｓパ
ターンが明確に形成されていた。
【００３４】次に、第３の実施の形態について説明す
る。
る。
【００３５】まず、第１の実施の形態と同様に、希フッ
酸とヘキサメチルジシラザンで表面処理したウエハを準
備した。次いで、ポジ型化学増幅レジスト（ＴＤＵＲ−
Ｐ０１５、東京応化工業塗（株）製）を塗布し、９０℃
で９０秒間ＰＢ処理した。塗布後のレジストの膜厚は
０．７μｍであった。次いで、表１に示す沸点及び融点
を示すパラフィンをコーティングした。
酸とヘキサメチルジシラザンで表面処理したウエハを準
備した。次いで、ポジ型化学増幅レジスト（ＴＤＵＲ−
Ｐ０１５、東京応化工業塗（株）製）を塗布し、９０℃
で９０秒間ＰＢ処理した。塗布後のレジストの膜厚は
０．７μｍであった。次いで、表１に示す沸点及び融点
を示すパラフィンをコーティングした。
【００３６】次に、ＫｒＦレーザ露光装置（ＦＰＡ−３
０００ＥＸ３、キャノン（株）製）を用い、マスクサイ
ズ０．３μｍのＬ／Ｓパターンを形成した。
０００ＥＸ３、キャノン（株）製）を用い、マスクサイ
ズ０．３μｍのＬ／Ｓパターンを形成した。
【００３７】次に、３時間大気中で放置後、１００℃で
９０秒間、ＰＥＢ処理し、その後は、第１の実施の形態
と同様に、現像処理、ベーク処理を行った。
９０秒間、ＰＥＢ処理し、その後は、第１の実施の形態
と同様に、現像処理、ベーク処理を行った。
【００３８】結果を表１に示す。表１に示すように、沸
点が５０℃以上で且つ、融点が１０℃以下の場合のウエ
ハの断面形状が良好であることが分かる。
点が５０℃以上で且つ、融点が１０℃以下の場合のウエ
ハの断面形状が良好であることが分かる。
【００３９】
【表１】
【００４０】表１に示すように、沸点が５０℃以上で且
つ、融点が１０℃以下の場合（Ｎｏ１〜４）のウエハの
断面形状が良好であることが分かる。また、試料Ｎｏ５
の場合は沸点が５０℃以下であり、ＰＥＢ処理の前まで
にパラフィンが蒸発してしまい、また、試料Ｎｏ６及び
Ｎｏ７の場合は、融点が１０℃以上であり、パラフィン
が均一にコーティングできなかった。
つ、融点が１０℃以下の場合（Ｎｏ１〜４）のウエハの
断面形状が良好であることが分かる。また、試料Ｎｏ５
の場合は沸点が５０℃以下であり、ＰＥＢ処理の前まで
にパラフィンが蒸発してしまい、また、試料Ｎｏ６及び
Ｎｏ７の場合は、融点が１０℃以上であり、パラフィン
が均一にコーティングできなかった。
【００４１】
【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明を
用いることにより、既存の回転式塗布装置、現像装置を
用いて、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）或いはＡｒＦ（１９３ｎ
ｍ）のエキシマレーザ、Ｘ線及び電子線等に感光する化
学増幅型レジストの露光後の酸の失活を長時間防ぐこと
ができ、工程の短縮が可能となる。
用いることにより、既存の回転式塗布装置、現像装置を
用いて、ＫｒＦ（２４８ｎｍ）或いはＡｒＦ（１９３ｎ
ｍ）のエキシマレーザ、Ｘ線及び電子線等に感光する化
学増幅型レジストの露光後の酸の失活を長時間防ぐこと
ができ、工程の短縮が可能となる。
【図１】本発明の実施の形態のレジストパターン形成工
程図である。
程図である。
【図２】従来技術の問題点の説明に供する図である。
【図３】従来技術によるレジストパターン形成工程図で
ある。
ある。
１ 被エッチング基板 ２ 化学増幅レジスト膜 ３ パラフィン膜
Claims (2)
- 【請求項１】 化学増幅型レジストを用い所定のフォト
レジストパターンを形成する方法において、 上記化学増幅型レジストを塗布後上記化学増幅型レジス
ト表面に、融点が１０℃以下で且つ、沸点が５０℃以上
であるパラフィン膜を形成することを特徴とするフォト
レジストパターン形成方法。 - 【請求項２】 上記パラフィン膜の形成を露光後に行う
ことを特徴とする、請求項１記載のフォトレジストパタ
ーン形成方法。
Priority Applications (4)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258258A JPH1195442A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | フォトレジストパターン形成方法 |
| US09/131,698 US6132939A (en) | 1997-09-24 | 1998-08-10 | Method for forming photoresist pattern |
| TW087113172A TW402739B (en) | 1997-09-24 | 1998-08-11 | Method for forming photoresist pattern |
| KR1019980032984A KR100308766B1 (ko) | 1997-09-24 | 1998-08-14 | 포토레지스트패턴을형성하는방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9258258A JPH1195442A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | フォトレジストパターン形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1195442A true JPH1195442A (ja) | 1999-04-09 |
Family
ID=17317739
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9258258A Pending JPH1195442A (ja) | 1997-09-24 | 1997-09-24 | フォトレジストパターン形成方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6132939A (ja) |
| JP (1) | JPH1195442A (ja) |
| KR (1) | KR100308766B1 (ja) |
| TW (1) | TW402739B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016063860A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
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|---|---|---|---|---|
| JP2001060542A (ja) * | 1999-08-19 | 2001-03-06 | Tokyo Electron Ltd | レジストパタ−ンの形成方法 |
| JP3648129B2 (ja) * | 2000-05-10 | 2005-05-18 | 東京エレクトロン株式会社 | 塗布現像処理方法及び塗布現像処理システム |
| JP2002148820A (ja) * | 2000-11-15 | 2002-05-22 | Clariant (Japan) Kk | パターン形成方法及びこの方法に使用される処理剤 |
| JP4699483B2 (ja) * | 2005-02-02 | 2011-06-08 | コーロン インダストリーズ インク | 表示装置用アレイ基板の製造方法 |
| JP2007142181A (ja) | 2005-11-18 | 2007-06-07 | Toshiba Corp | 基板処理方法及びリンス装置 |
| JP5472950B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2014-04-16 | Ｊｅインターナショナル株式会社 | マスキング剤および表面処理基材の製造方法 |
| CN111912811B (zh) * | 2020-08-05 | 2023-07-25 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 测量单晶硅中元素含量的方法及装置 |
| CN111965129A (zh) * | 2020-08-05 | 2020-11-20 | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 | 测量单晶硅间隙氧含量的方法及装置 |
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|---|---|---|---|---|
| US4977036A (en) * | 1979-03-30 | 1990-12-11 | Alloy Surfaces Company, Inc. | Coating and compositions |
| US5962196A (en) * | 1991-04-08 | 1999-10-05 | Intel Corporation | Deep ultraviolet light photoresist processing |
| JP3158710B2 (ja) * | 1992-09-16 | 2001-04-23 | 日本ゼオン株式会社 | 化学増幅レジストパターンの形成方法 |
| JP3402415B2 (ja) * | 1994-03-03 | 2003-05-06 | 沖電気工業株式会社 | レジストパターン形成方法 |
-
1997
- 1997-09-24 JP JP9258258A patent/JPH1195442A/ja active Pending
-
1998
- 1998-08-10 US US09/131,698 patent/US6132939A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-08-11 TW TW087113172A patent/TW402739B/zh not_active IP Right Cessation
- 1998-08-14 KR KR1019980032984A patent/KR100308766B1/ko not_active Expired - Fee Related
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2016063860A1 (ja) * | 2014-10-23 | 2016-04-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
| JP2016086042A (ja) * | 2014-10-23 | 2016-05-19 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理方法、プログラム、コンピュータ記憶媒体及び基板処理システム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100308766B1 (ko) | 2001-11-30 |
| KR19990029303A (ko) | 1999-04-26 |
| US6132939A (en) | 2000-10-17 |
| TW402739B (en) | 2000-08-21 |
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