JPH118260A - 樹脂封止型半導体装置の製造方法 - Google Patents
樹脂封止型半導体装置の製造方法Info
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- JPH118260A JPH118260A JP9176585A JP17658597A JPH118260A JP H118260 A JPH118260 A JP H118260A JP 9176585 A JP9176585 A JP 9176585A JP 17658597 A JP17658597 A JP 17658597A JP H118260 A JPH118260 A JP H118260A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 導電性基板上にめっき法により回路部を形成
し、半導体素子を搭載、樹脂封止後に、半導体装置を導
電性基板から分離して得る、プラスチックＢＧＡ等の作
製において、複数に面付けされた状態（１連の状態）で
工程進行ができる製造方法を提供する。 【解決手段】 一つの半導体装置用の単位回路部を、面
付けされた状態に、複数個、導電性基板の上に作製し、
該導電性基板の各回路部毎に半導体素子を搭載し、必要
な電気接続を行った後、順次、各半導体装置毎の樹脂封
止とともに、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一
部において一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部
を設けて、隣接する半導体装置間を連結させ、処理する
複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状
態に樹脂封止する樹脂封止工程と、処理する複数個の半
導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態で、導電
性基板より剥離する剥離工程と、剥離後に、各半導体装
置を互いに分離させるための、封止用樹脂からなる連結
部を除去するトリミング工程とを有する。
し、半導体素子を搭載、樹脂封止後に、半導体装置を導
電性基板から分離して得る、プラスチックＢＧＡ等の作
製において、複数に面付けされた状態（１連の状態）で
工程進行ができる製造方法を提供する。 【解決手段】 一つの半導体装置用の単位回路部を、面
付けされた状態に、複数個、導電性基板の上に作製し、
該導電性基板の各回路部毎に半導体素子を搭載し、必要
な電気接続を行った後、順次、各半導体装置毎の樹脂封
止とともに、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一
部において一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部
を設けて、隣接する半導体装置間を連結させ、処理する
複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状
態に樹脂封止する樹脂封止工程と、処理する複数個の半
導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態で、導電
性基板より剥離する剥離工程と、剥離後に、各半導体装
置を互いに分離させるための、封止用樹脂からなる連結
部を除去するトリミング工程とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は，めっきにより薄く
形成された回路部を有する、面実装型の樹脂封止型半導
体装置用の回路部材を用いた半導体装置の製造方法に関
するもので、特に、ＰＢＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｂａｌ
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置用の回
路部材を用いた半導体装置の製造方法に関する。
形成された回路部を有する、面実装型の樹脂封止型半導
体装置用の回路部材を用いた半導体装置の製造方法に関
するもので、特に、ＰＢＧＡ（Ｐｌａｓｔｉｃ Ｂａｌ
ｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）タイプの半導体装置用の回
路部材を用いた半導体装置の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置は、電子機器の高性能
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化が図ら
れており、これに伴い、半導体装置には、ますます多端
子（ピン）化が求められるようになってきた。多端子
（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに
代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉ
ｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の
半導体装置化には、リードフレームを用いたＱＦＰ（Ｑ
ｕａｄＦｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッ
ケージが用いられており、ＱＦＰでは３００ピンクラス
のものまでが実用化に至ってきている。ＱＦＰは、図４
（ｂ）に示す単層リードフレーム４１０を用いたもの
で、図４（ａ）にその断面図を示すように、ダイパッド
４１１上に半導体素子４２０を搭載し、銀めっき、金め
っき等の処理がされたインナーリード先端部４１２Ａと
半導体素子４２０の端子（電極パッド）４２１とをワイ
ヤ４３０にて結線した後に、樹脂４４０で封止し、ダム
バー部をカットし、アウターリード４１３部をガルウイ
ング状に折り曲げて作製されている。このようなＱＦＰ
は、パッケージの４方向へ外部回路と電気的に接続する
ためのアウターリードを設けた構造となり、多端子（ピ
ン）化に対応できるものとして開発されてきた。ここで
用いられる単層リードフレーム４１０は、通常、コバー
ル、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の導電性
に優れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリソグラフイ
ー技術を用いたエッチング加工方法やスタンピング法等
により、図４（ｂ）に示すような形状に加工して作製さ
れていた。
化と軽薄短小化の傾向（時流）からＬＳＩのＡＳＩＣに
代表されるように、ますます高集積化、高機能化が図ら
れており、これに伴い、半導体装置には、ますます多端
子（ピン）化が求められるようになってきた。多端子
（ピン）ＩＣ、特にゲートアレイやスタンダードセルに
代表されるＡＳＩＣあるいは、マイコン、ＤＳＰ（Ｄｉ
ｇｉｔａｌ Ｓｉｇｎａｌ Ｐｒｏｃｅｓｓｏｒ）等の
半導体装置化には、リードフレームを用いたＱＦＰ（Ｑ
ｕａｄＦｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）等の表面実装型パッ
ケージが用いられており、ＱＦＰでは３００ピンクラス
のものまでが実用化に至ってきている。ＱＦＰは、図４
（ｂ）に示す単層リードフレーム４１０を用いたもの
で、図４（ａ）にその断面図を示すように、ダイパッド
４１１上に半導体素子４２０を搭載し、銀めっき、金め
っき等の処理がされたインナーリード先端部４１２Ａと
半導体素子４２０の端子（電極パッド）４２１とをワイ
ヤ４３０にて結線した後に、樹脂４４０で封止し、ダム
バー部をカットし、アウターリード４１３部をガルウイ
ング状に折り曲げて作製されている。このようなＱＦＰ
は、パッケージの４方向へ外部回路と電気的に接続する
ためのアウターリードを設けた構造となり、多端子（ピ
ン）化に対応できるものとして開発されてきた。ここで
用いられる単層リードフレーム４１０は、通常、コバー
ル、４２合金（４２％Ｎｉ−鉄）、銅系合金等の導電性
に優れ、且つ強度が大きい金属板をフオトリソグラフイ
ー技術を用いたエッチング加工方法やスタンピング法等
により、図４（ｂ）に示すような形状に加工して作製さ
れていた。
【０００３】しかしながら、近年の半導体素子の信号処
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度を低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。また、インナーリード先端部を狭いピッチで
作製するにも加工限界がある。結局、加工限界と実装性
の面から、多ピン化を図ると、パッケージの拡大が必要
で、パッケージの小型化には限界が見え始めていた。
理の高速化及び高性能（機能）化は、更に多くの端子を
必要としている。これに対し、ＱＦＰでは、外部端子ピ
ッチを狭めることにより、更なる多端子化に対応できる
が、外部端子を狭ピッチ化した場合、外部端子自体の幅
も狭める必要があり、外部端子強度を低下させることと
なる。その結果、端子成形（ガルウイング化）の位置精
度あるいは平坦精度等において問題を生じてしまう。ま
た、ＱＦＰでは、アウターリードのピッチが、０．４ｍ
ｍ、０．３ｍｍと更にピッチが狭くなるにつれ、これら
狭ピッチの実装工程が難しくなってきて、高度なボード
実装技術を実現せねばならない等の障害（問題）をかか
えている。また、インナーリード先端部を狭いピッチで
作製するにも加工限界がある。結局、加工限界と実装性
の面から、多ピン化を図ると、パッケージの拡大が必要
で、パッケージの小型化には限界が見え始めていた。
【０００４】これら従来のＱＦＰパッケージがかかえる
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子としての半田ボールを裏面
にマトリクス状（アレイ状）に配置した表面実装型半導
体装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通
常、このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配
線基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球
状の半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホー
ルを通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとっ
ていた。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端
子ピッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体
装置より広くすることができ、この結果、半導体装置の
実装工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応でき
た。しかしながら、このＢＧＡは搭載する半導体素子と
ワイヤの結線を行う回路と、半導体装置化した後にプリ
ント基板に実装するための外部端子用電極とを、基材の
両面に設け、これらをスルーホールを介して電気的に接
続した複雑な構成であり、樹脂の熱膨張の影響によりス
ルーホールに断線を生じることもあり、作製上、信頼性
の点で問題が多かった。
実装効率、実装性の問題を回避するために、半田ボール
をパッケージの外部端子に置き換えた面実装型パッケー
ジであるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）と
呼ばれるプラスチックパッケージ半導体装置が開発され
てきた。ＢＧＡは、外部端子としての半田ボールを裏面
にマトリクス状（アレイ状）に配置した表面実装型半導
体装置（プラスチックパッケージ）の総称である。通
常、このＢＧＡは、入出力端子を増やすために、両面配
線基板の片面に半導体素子を搭載し、もう一方の面に球
状の半田を取付けた外部端子用電極を設け、スルーホー
ルを通じて半導体素子と外部端子用電極との導通をとっ
ていた。球状の半田をアレイ状に並べることにより、端
子ピッチの間隔を従来のリードフレームを用いた半導体
装置より広くすることができ、この結果、半導体装置の
実装工程を難しくせず、入出力端子の増加に対応でき
た。しかしながら、このＢＧＡは搭載する半導体素子と
ワイヤの結線を行う回路と、半導体装置化した後にプリ
ント基板に実装するための外部端子用電極とを、基材の
両面に設け、これらをスルーホールを介して電気的に接
続した複雑な構成であり、樹脂の熱膨張の影響によりス
ルーホールに断線を生じることもあり、作製上、信頼性
の点で問題が多かった。
【０００５】この為、上記ＢＧＡの作製プロセスの簡略
化、信頼性の低下を回避し、多ピン化、パッケージの小
型化に対応する、図２や図３に示すような、半導体装置
の製造方法が提案されている。この方法による半導体装
置は、従来の両面配線基板を用いたＢＧＡと同様に、半
導体装置の一面に外部回路と接続するための外部端子の
一部を封止用樹脂から露出させて、配列させるものであ
り、新しい型のプラスチックＢＧＡ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ
ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に成り得るものである。
図２に示す半導体装置の製造方法は、導電性基板２２０
上にめっき法にて導電性金属からなる回路部２１０を形
成した回路部材２００を用意し（図１（ａ））、該回路
部２１０上に半導体素子２５０を搭載し、必要な電気的
接続を行った（図２（ｂ））後に、導電性基板２２０上
で樹脂封止し（図２（ｃ））、樹脂封止された半導体装
置２８０Ａを該導電性基板２２０から剥離して得る（図
２（ｄ）、図２（ｅ））、あるいは、更に露出した回路
部２１０の面に半田ボール２９０を付けて得る（図２
（ｆ）））ものである。この方法の場合には、導電性基
板２２０上に形成された導電性金属からなる回路部２１
０が、剥離し易いように、あらかじめ、導電性基板２２
０の一面に凹凸を付ける表面処理を行い、且つ剥離性を
持たせる剥離処理を行っておく等の処置が採られる。
尚、ここでの表面処理としてはサンドブラストによるブ
ラスト処理、剥離処理としては導電性基板の表面に酸化
膜を生成する処理等が挙げられる。
化、信頼性の低下を回避し、多ピン化、パッケージの小
型化に対応する、図２や図３に示すような、半導体装置
の製造方法が提案されている。この方法による半導体装
置は、従来の両面配線基板を用いたＢＧＡと同様に、半
導体装置の一面に外部回路と接続するための外部端子の
一部を封止用樹脂から露出させて、配列させるものであ
り、新しい型のプラスチックＢＧＡ、ＣＳＰ（Ｃｈｉｐ
ｓｉｚｅ Ｐａｃｋａｇｅ）に成り得るものである。
図２に示す半導体装置の製造方法は、導電性基板２２０
上にめっき法にて導電性金属からなる回路部２１０を形
成した回路部材２００を用意し（図１（ａ））、該回路
部２１０上に半導体素子２５０を搭載し、必要な電気的
接続を行った（図２（ｂ））後に、導電性基板２２０上
で樹脂封止し（図２（ｃ））、樹脂封止された半導体装
置２８０Ａを該導電性基板２２０から剥離して得る（図
２（ｄ）、図２（ｅ））、あるいは、更に露出した回路
部２１０の面に半田ボール２９０を付けて得る（図２
（ｆ）））ものである。この方法の場合には、導電性基
板２２０上に形成された導電性金属からなる回路部２１
０が、剥離し易いように、あらかじめ、導電性基板２２
０の一面に凹凸を付ける表面処理を行い、且つ剥離性を
持たせる剥離処理を行っておく等の処置が採られる。
尚、ここでの表面処理としてはサンドブラストによるブ
ラスト処理、剥離処理としては導電性基板の表面に酸化
膜を生成する処理等が挙げられる。
【０００６】また、図３に示す半導体装置の製造方法
は、導電性基板３２０として、その一面にめっき法等に
より、金属層３２３を設けたものを使用して、金属層３
２３上に、めっき法により回路部３１０を形成した回路
部材３００を用意し（図３（ａ））、該回路部３１０上
に半導体素子３５０を搭載し、必要な電気的接続を行っ
た（図３（ｂ））後に、導電性基板３２０上で樹脂封止
し、樹脂封止された半導体装置３８０Ａを、前記金属層
３２３を溶解する（図３（ｄ））ことにより、該導電性
基板３２０から剥離して得る（図３（ｄ））、更に露出
した回路部３１０の面に半田ボール３９０を付けて得る
（図３（ｅ））ものである。
は、導電性基板３２０として、その一面にめっき法等に
より、金属層３２３を設けたものを使用して、金属層３
２３上に、めっき法により回路部３１０を形成した回路
部材３００を用意し（図３（ａ））、該回路部３１０上
に半導体素子３５０を搭載し、必要な電気的接続を行っ
た（図３（ｂ））後に、導電性基板３２０上で樹脂封止
し、樹脂封止された半導体装置３８０Ａを、前記金属層
３２３を溶解する（図３（ｄ））ことにより、該導電性
基板３２０から剥離して得る（図３（ｄ））、更に露出
した回路部３１０の面に半田ボール３９０を付けて得る
（図３（ｅ））ものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、図２や、図３
に示す半導体装置の製造方法は、樹脂封止された半導体
装置を導電性基板から剥離した際、個々のパッケージが
独立し、その後の取扱が、困難であるという不具合があ
り、問題となっていた。本発明は、これに対応するもの
で、図２や図３に示す、エレクトロフォーミング法（め
っき法）により回路部を形成した回路部材を用いた、プ
ラスチックＢＧＡ等の樹脂封止型半導体装置の作製にお
いて、通常の面付けされたリードフレーム（１連とも言
う）を用いた樹脂封止型の半導体装置作製の場合と同様
に、複数に面付けされた状態（１連の状態）で工程進行
ができる半導体装置の製造方法を提供しようとするもの
である。
に示す半導体装置の製造方法は、樹脂封止された半導体
装置を導電性基板から剥離した際、個々のパッケージが
独立し、その後の取扱が、困難であるという不具合があ
り、問題となっていた。本発明は、これに対応するもの
で、図２や図３に示す、エレクトロフォーミング法（め
っき法）により回路部を形成した回路部材を用いた、プ
ラスチックＢＧＡ等の樹脂封止型半導体装置の作製にお
いて、通常の面付けされたリードフレーム（１連とも言
う）を用いた樹脂封止型の半導体装置作製の場合と同様
に、複数に面付けされた状態（１連の状態）で工程進行
ができる半導体装置の製造方法を提供しようとするもの
である。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明の樹脂封止型半導
体装置の製造方法は、導電性基板と、導電性基板上にめ
っきにより形成された導電性金属により少なくとも二次
元的に形成された回路部等を有する半導体装置用の回路
部材で、且つ、少なくとも回路部の一部が、導電性基板
の一面上に、直接または絶縁層を介してめっきにより形
成されている回路部材を用い、該回路部材に半導体素子
を搭載し、必要な電気接続を施し、樹脂封止した後に、
前記導電性基板から分離させて半導体装置を作製する方
式の、樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一つ
の半導体装置用の単位回路部を、面付けされた状態に、
複数個、導電性基板の上に作製し、該導電性基板の各回
路部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接続を行った
後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止とともに、半導体
装置の封止用樹脂部と少なくとも一部において一体的に
連結する封止用樹脂からなる連結部を設けて、隣接する
半導体装置間を連結させ、処理する複数個の半導体装置
全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹脂封止する樹
脂封止工程と、処理する複数個の半導体装置全てを封止
用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板より剥離する
剥離工程と、剥離後に、各半導体装置を互いに分離させ
るための、封止用樹脂からなる連結部を除去するトリミ
ング工程とを有することを特徴とするものである。
体装置の製造方法は、導電性基板と、導電性基板上にめ
っきにより形成された導電性金属により少なくとも二次
元的に形成された回路部等を有する半導体装置用の回路
部材で、且つ、少なくとも回路部の一部が、導電性基板
の一面上に、直接または絶縁層を介してめっきにより形
成されている回路部材を用い、該回路部材に半導体素子
を搭載し、必要な電気接続を施し、樹脂封止した後に、
前記導電性基板から分離させて半導体装置を作製する方
式の、樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一つ
の半導体装置用の単位回路部を、面付けされた状態に、
複数個、導電性基板の上に作製し、該導電性基板の各回
路部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接続を行った
後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止とともに、半導体
装置の封止用樹脂部と少なくとも一部において一体的に
連結する封止用樹脂からなる連結部を設けて、隣接する
半導体装置間を連結させ、処理する複数個の半導体装置
全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹脂封止する樹
脂封止工程と、処理する複数個の半導体装置全てを封止
用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板より剥離する
剥離工程と、剥離後に、各半導体装置を互いに分離させ
るための、封止用樹脂からなる連結部を除去するトリミ
ング工程とを有することを特徴とするものである。
【０００９】
【作用】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法は、
上記のような構成にすることにより、ＢＧＡの作製プロ
セスの簡略化、信頼性の低下を回避し、多ピン化、パッ
ケージの小型化に対応する図２や、図３に示すエレクト
ロフォーミング法（めっき法）により回路部を形成し
た、プラスチックＢＧＡの作製において、通常の面付け
されたリードフレーム（１連とも言う）を用いた樹脂封
止型の半導体装置作製の場合と同様に、複数に面付けさ
れた状態（１連の状態）で工程進行を可能とするもの
で、この結果、作業が安定的にでき、コスト低下にも繋
がる。具体的には、必要に応じてパッケージ裏面に絶縁
層を塗布する工程や、半田めっき工程を、処理する複数
個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態
で、且つ、導電性基板より剥離した状態で行うことを可
能とするものである。詳しくは、導電性基板と、導電性
基板上にめっきにより形成された導電性金属により少な
くとも二次元的に形成された回路部等を有する半導体装
置用の回路部材で、且つ、少なくとも回路部の一部が、
導電性基板の一面上に、直接または絶縁層を介してめっ
きにより形成されている回路部材を用い、該回路部材に
半導体素子を搭載し、必要な電気接続を施し、樹脂封止
した後に、前記導電性基板から分離させて半導体装置を
作製する方式の、樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
って、一つの半導体装置用の単位回路部を、面付けされ
た状態に、複数個、導電性基板の上に作製し、該導電性
基板の各回路部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接
続を行った後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止ととも
に、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一部におい
て一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部を設け
て、隣接する半導体装置間を連結させ、処理する複数個
の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹
脂封止する樹脂封止工程と、処理する複数個の半導体装
置全てを封止用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板
より剥離する剥離工程と、剥離後に、各半導体装置を互
いに分離させるための、封止用樹脂からなる連結部を除
去するトリミング工程とを有することにより、これを達
成している。
上記のような構成にすることにより、ＢＧＡの作製プロ
セスの簡略化、信頼性の低下を回避し、多ピン化、パッ
ケージの小型化に対応する図２や、図３に示すエレクト
ロフォーミング法（めっき法）により回路部を形成し
た、プラスチックＢＧＡの作製において、通常の面付け
されたリードフレーム（１連とも言う）を用いた樹脂封
止型の半導体装置作製の場合と同様に、複数に面付けさ
れた状態（１連の状態）で工程進行を可能とするもの
で、この結果、作業が安定的にでき、コスト低下にも繋
がる。具体的には、必要に応じてパッケージ裏面に絶縁
層を塗布する工程や、半田めっき工程を、処理する複数
個の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態
で、且つ、導電性基板より剥離した状態で行うことを可
能とするものである。詳しくは、導電性基板と、導電性
基板上にめっきにより形成された導電性金属により少な
くとも二次元的に形成された回路部等を有する半導体装
置用の回路部材で、且つ、少なくとも回路部の一部が、
導電性基板の一面上に、直接または絶縁層を介してめっ
きにより形成されている回路部材を用い、該回路部材に
半導体素子を搭載し、必要な電気接続を施し、樹脂封止
した後に、前記導電性基板から分離させて半導体装置を
作製する方式の、樹脂封止型半導体装置の製造方法であ
って、一つの半導体装置用の単位回路部を、面付けされ
た状態に、複数個、導電性基板の上に作製し、該導電性
基板の各回路部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接
続を行った後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止ととも
に、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一部におい
て一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部を設け
て、隣接する半導体装置間を連結させ、処理する複数個
の半導体装置全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹
脂封止する樹脂封止工程と、処理する複数個の半導体装
置全てを封止用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板
より剥離する剥離工程と、剥離後に、各半導体装置を互
いに分離させるための、封止用樹脂からなる連結部を除
去するトリミング工程とを有することにより、これを達
成している。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の樹脂封止型半導体装置の
製造方法を図に基づいて説明する。図１は本発明の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例を示し
たものである。図１中、１１０は回路部材、１１３は単
位回路部、１１５は治具孔、１１７はダイパッド、１１
８は端子部、１２０は封止用樹脂、１２５は連結部、１
２５Ａはトリミング部、１３０は連結状態の半導体装置
群、１４０は半導体装置（１個）である。先ず、１つの
半導体装置用の回路である単位回路部１１３を、複数個
面付けした状態で、導電性基板１１０Ａの表面処理を施
した一面に形成した回路部材１１０を用意する。（図１
（ａ））表面処理はブラスト処理で、導電性基板１１０
Ａの回路を形成する側の面を粗化するものである。回路
部の形成は、めっきレジストを導電性基板の表面処理面
側にパターンニング形成し、露出した面にめっきを施す
ものである。半導体素子１個に対応する単位回路部１１
３は、例えば、図１（ａ１）に示すような形状のもので
ある。回路部のめっき構成は、特に限定されないが、ワ
イヤボンディング性等から、例えば、導電性基板側か
ら、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５
μｍ、０．１μｍの厚に形成するものが挙げられる。図
１に示す回路部材は、導電性基板の一面に、回路部全体
を直接めっき形成したものであるが、特にこれに限定は
されない。
製造方法を図に基づいて説明する。図１は本発明の樹脂
封止型半導体装置の製造方法の実施の形態の１例を示し
たものである。図１中、１１０は回路部材、１１３は単
位回路部、１１５は治具孔、１１７はダイパッド、１１
８は端子部、１２０は封止用樹脂、１２５は連結部、１
２５Ａはトリミング部、１３０は連結状態の半導体装置
群、１４０は半導体装置（１個）である。先ず、１つの
半導体装置用の回路である単位回路部１１３を、複数個
面付けした状態で、導電性基板１１０Ａの表面処理を施
した一面に形成した回路部材１１０を用意する。（図１
（ａ））表面処理はブラスト処理で、導電性基板１１０
Ａの回路を形成する側の面を粗化するものである。回路
部の形成は、めっきレジストを導電性基板の表面処理面
側にパターンニング形成し、露出した面にめっきを施す
ものである。半導体素子１個に対応する単位回路部１１
３は、例えば、図１（ａ１）に示すような形状のもので
ある。回路部のめっき構成は、特に限定されないが、ワ
イヤボンディング性等から、例えば、導電性基板側か
ら、順に、Ｐｄ、Ｎｉ、Ｐｄをそれぞれ０．１μｍ、５
μｍ、０．１μｍの厚に形成するものが挙げられる。図
１に示す回路部材は、導電性基板の一面に、回路部全体
を直接めっき形成したものであるが、特にこれに限定は
されない。
【００１１】次いで、半導体素子をそれぞれの単位回路
部１１３のダイパッド１１７に搭載した後、半導体素子
の端子部と単位回路部１１３の端子部１１８とワイヤボ
ンディング接続を行った後、各半導体装置毎の樹脂封止
とともに、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一部
において一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部１
２５を設けて、隣接する半導体装置１４０間を連結さ
せ、処理する複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて
連結させた状態に樹脂封止する。（図１（ｂ））次い
で、処理する複数個の半導体装置１４０全てを封止用樹
脂１２０にて連結させた状態（１３０）で、導電性基板
１１０Ａより剥離する。（図１（ｃ））剥離後、封止用
樹脂からなる連結部１２５を除去するトリミング工程を
行い、各半導体装置１４０を互いに分離させる。（図１
（ｄ））
部１１３のダイパッド１１７に搭載した後、半導体素子
の端子部と単位回路部１１３の端子部１１８とワイヤボ
ンディング接続を行った後、各半導体装置毎の樹脂封止
とともに、半導体装置の封止用樹脂部と少なくとも一部
において一体的に連結する封止用樹脂からなる連結部１
２５を設けて、隣接する半導体装置１４０間を連結さ
せ、処理する複数個の半導体装置全てを封止用樹脂にて
連結させた状態に樹脂封止する。（図１（ｂ））次い
で、処理する複数個の半導体装置１４０全てを封止用樹
脂１２０にて連結させた状態（１３０）で、導電性基板
１１０Ａより剥離する。（図１（ｃ））剥離後、封止用
樹脂からなる連結部１２５を除去するトリミング工程を
行い、各半導体装置１４０を互いに分離させる。（図１
（ｄ））
【００１２】図１に示す例は、図２に示す半導体装置製
造の場合と同様に、導電性基板の面から樹脂封止後、半
導体装置を引張り剥離するものであるが、図３に示す半
導体装置製造の場合のように、予め導電性基板一面上に
金属層を設けておき、樹脂封止後、導電性基板一面上に
設けられている金属層を溶解することにより剥離しても
良い。この場合は、例えば、導電性基板としては、鉄−
ニッケル系、鉄−ニッケル−クロム系、鉄−ニッケル−
カーボン系のものを用い、予め、その一面に、後に剥離
の為に溶解させる金属層として銅層を設けておき、銅層
上に回路部として、順次、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ層をそれぞ
れ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍ厚にめっき形成す
る。
造の場合と同様に、導電性基板の面から樹脂封止後、半
導体装置を引張り剥離するものであるが、図３に示す半
導体装置製造の場合のように、予め導電性基板一面上に
金属層を設けておき、樹脂封止後、導電性基板一面上に
設けられている金属層を溶解することにより剥離しても
良い。この場合は、例えば、導電性基板としては、鉄−
ニッケル系、鉄−ニッケル−クロム系、鉄−ニッケル−
カーボン系のものを用い、予め、その一面に、後に剥離
の為に溶解させる金属層として銅層を設けておき、銅層
上に回路部として、順次、Ａｕ、Ｎｉ、Ｐｄ層をそれぞ
れ０．１μｍ、５μｍ、０．１μｍ厚にめっき形成す
る。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、上記のように、更なる樹脂封
止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められる状況
のもと、従来のＢＧＡにおける不具合を伴なわず、多ピ
ン化、ハッケージの小型化を達成でき、図２や図３に示
す、エレクトロフォーミング法（めっき法）により回路
部を形成した、プラスチックＢＧＡの作製において、通
常の面付けされたリードフレーム（１連とも言う）を用
いた樹脂封止型の半導体装置作製の場合と同様に、複数
に面付けされた状態（１連の状態）で工程進行ができる
製造方法の提供を可能としている。
止型半導体装置の高集積化、高機能化が求められる状況
のもと、従来のＢＧＡにおける不具合を伴なわず、多ピ
ン化、ハッケージの小型化を達成でき、図２や図３に示
す、エレクトロフォーミング法（めっき法）により回路
部を形成した、プラスチックＢＧＡの作製において、通
常の面付けされたリードフレーム（１連とも言う）を用
いた樹脂封止型の半導体装置作製の場合と同様に、複数
に面付けされた状態（１連の状態）で工程進行ができる
製造方法の提供を可能としている。
【図１】本発明の樹脂封止型半導体装置の製造方法の１
例を示した図
例を示した図
【図２】エレクトロフォーミング法（めっき法）により
作製された回路部材を用いた半導体装置の製造方法の工
程図
作製された回路部材を用いた半導体装置の製造方法の工
程図
【図３】エレクトロフォーミング法（めっき法）により
作製された回路部材を用いた半導体装置の製造方法の工
程図
作製された回路部材を用いた半導体装置の製造方法の工
程図
【図４】リードフレームとＱＦＰを説明するための図
１１０ 回路部材 １１３ 単位回路部 １１５ 治具孔 １１７ ダイパッド １１８ 端子部 １２０ 封止用樹脂 １２５ 連結部 １２５Ａ トリミング部 １３０ 連結状態の半導体装置群 １４０ 半導体装置（１個） ２００ 回路部材 ２１０ 回路部 ２２０ 導電性基板 ２２５ 治具孔 ２３０ 銀めっき部 ２５０ 半導体素子 ２５１ 端子部 ２５５ ワイヤ ２７０ 封止用樹脂 ２８０、２８０Ａ 半導体装置 ２９０ 半田ボール ３００ 回路部材 ３１０ 回路部 ３２０ 導電性基板 ３２１ 導電性基板素材 ３２３ 金属層 ３２５ 治具孔 ３３０ 銀めっき部 ３５０ 半導体素子 ３５１ 端子部 ３５５ ワイヤ ３７０ 封止用樹脂 ３８０、３８０Ａ 半導体装置 ３９０ 半田ボール ４１０ 単層リードフレーム ４１１ ダイパッド ４１２ インナーリード ４１３ アウターリード ４１４ ダムバー ４１５ 吊りリード ４１６ 枠部（フレーム） ４２０ 半導体素子 ４２１ 端子（電極パッド） ４３０ ワイヤ ４４０ 樹脂
Claims (1)
- 【請求項１】 導電性基板と、導電性基板上にめっきに
より形成された導電性金属により少なくとも二次元的に
形成された回路部等を有する半導体装置用の回路部材
で、且つ、少なくとも回路部の一部が、導電性基板の一
面上に、直接または絶縁層を介してめっきにより形成さ
れている回路部材を用い、該回路部材に半導体素子を搭
載し、必要な電気接続を施し、樹脂封止した後に、前記
導電性基板から分離させて半導体装置を作製する方式
の、樹脂封止型半導体装置の製造方法であって、一つの
半導体装置用の単位回路部を、面付けされた状態に、複
数個、導電性基板の上に作製し、該導電性基板の各回路
部毎に半導体素子を搭載し、必要な電気接続を行った
後、順次、各半導体装置毎の樹脂封止とともに、半導体
装置の封止用樹脂部と少なくとも一部において一体的に
連結する封止用樹脂からなる連結部を設けて、隣接する
半導体装置間を連結させ、処理する複数個の半導体装置
全てを封止用樹脂にて連結させた状態に樹脂封止する樹
脂封止工程と、処理する複数個の半導体装置全てを封止
用樹脂にて連結させた状態で、導電性基板より剥離する
剥離工程と、剥離後に、各半導体装置を互いに分離させ
るための、封止用樹脂からなる連結部を除去するトリミ
ング工程とを有することを特徴とする樹脂封止型半導体
装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17658597A JP3678883B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17658597A JP3678883B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118260A true JPH118260A (ja) | 1999-01-12 |
| JP3678883B2 JP3678883B2 (ja) | 2005-08-03 |
Family
ID=16016146
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17658597A Expired - Fee Related JP3678883B2 (ja) | 1997-06-18 | 1997-06-18 | 樹脂封止型半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3678883B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289739A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法 |
| JP2003046055A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2005241629A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 検査装置、検査方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012134563A (ja) * | 2012-04-06 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材 |
-
1997
- 1997-06-18 JP JP17658597A patent/JP3678883B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002289739A (ja) * | 2001-03-23 | 2002-10-04 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材とその製造方法 |
| JP2003046055A (ja) * | 2001-07-31 | 2003-02-14 | Sanyo Electric Co Ltd | 板状体、リードフレームおよび半導体装置の製造方法 |
| JP2005241629A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-09-08 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 検査装置、検査方法及び半導体装置の製造方法 |
| JP2012134563A (ja) * | 2012-04-06 | 2012-07-12 | Dainippon Printing Co Ltd | 樹脂封止型半導体装置および半導体装置用回路部材 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3678883B2 (ja) | 2005-08-03 |
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