JPH1170738A - 光記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高速で、繰り返しオーバーライト回数が高
く、保存寿命が高く、線速依存性のない媒体を可能にす
るための記録層材料及びその組成を提供すること。 【解決手段】 基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
の各組成比α、β、γ、δ（原子％）が、１≦α＜１
０、１＜β≦２０、３５≦γ≦７０、２０≦δ≦３５
で、α＋β＋γ＋δ＝１００であるものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、且つ、書き換えが可能
である相変化型情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアに応用
可能なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザビーム照射により情報の記
録・再生及び消去が可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行ない記録消去する光磁気記録方式と、
結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去する相変
化光記録方式がある。後者は単一ビームによるオーバー
ライトが可能であること、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒメデ
ィアとの互換性の点で有利であることから、書き換え可
能なメディアとして今日、ＣＤ−ＲＷメディアとして標
準規格が確立され、世に出ようとしている。そして、相
変化光記録媒体の大容量化の研究が行われ、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭメディアの発売とともに書き換え可能なＤＶＤメデ
ィアとしてＤＶＤ−ＲＡＭと称されるメディアの開発が
行われている。

【０００３】相変化記録媒体の記録層に用いられる材料
には、カルコゲン系のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ａｕがこれまでに調べられてい
るが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが実用レベルに達している。し
かし、この材料にしても記録感度、消去感度の向上とオ
ーバライト時の消し残りによる消去比の低下等、特性の
向上は望まれる。そこで、オーバライト時の消去比を一
段と向上させることができた材料として、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系がある（特開平４−７８０３１号公報、特
願平８−１０３８３２号）。この系において消去比が向
上したのは、消去時に微結晶ＡｇＳｂＴｅ₂とアモルフ
ァスＩｎ−Ｓｂの２相状態になっていることによる。

【０００４】また、記録媒体に要求される繰り返し回数
の向上は、上記記録材料だけでは達成できず、この上下
の保護層、更に放熱層を積層することで向上が図られて
いる。これまで、保護層材料としてＺｎＳ・ＳｉＯ
₂（特公平７−１１４０３１号公報）をはじめ、金属酸
化物、金属硫化物、金属窒化物の単体若しくは混合物が
考えられている。更に、反射放熱層の放熱を良くするこ
とで、オーバーライト繰り返し回数が飛躍的に向上する
が、メディア特性を総合的に見た場合、繰り返し回数の
み向上しても他の特性が劣るといった問題がある。今
日、相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＯＭに相当する
大容量のＤＶＤ−ＲＡＭの開発が期待、要求され、コン
ピュータのデータ用メモリーから一般家庭で使用するビ
デオディスクに使用用途が拡大しており、大容量で高速
記録再生、更なる繰り返し回数の向上、長期保存性と高
い仕様が求められている。これらをすべて満足する媒体
はなく今後の新たな課題である。

【０００５】相変化型記録媒体は、前述のように、既に
商品化されてパーソナルコンピュータの外部メモリーに
使われている。そして今日、ＤＶＤ−ＲＯＭメディア、
プレーヤーが世に出始め、更に今後大容量で書き換え可
能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアの商品化が期待されてい
る。ＤＶＤ−ＲＡＭメディアは、ＲＯＭとの互換性を始
め、大容量（４．７ＧＢ）、高速（高線速）記録再生、
繰り返しオーバーライト回数が高いこと等の高い仕様を
要求されている。高線速（現ＣＤの４倍から５倍あるい
はそれ以上）で大容量な仕様が媒体に要求されてくる
と、記録周波数が高くなり、記録消去パワーも高くなる
傾向にある。記録層材料の特性においては、結晶化速度
の向上、融点の低下、熱吸収率の向上等により、低記録
・消去パワーを図ることや、記録マーク長が短くなるこ
とによりマークエッジをシャープにするため、記録スト
ラテジー、層構成により更に冷却、徐冷の制御の正確さ
が要求されてくる。

【０００６】一方、繰り返しオーバーライト回数が更に
高いことも要求されている。これまで相変化記録媒体の
繰り返し特性の劣化は、高速で多数回の溶融、冷却を繰
り返すために体積変化に伴う物質流動、更には短時間に
おける急激で大きな温度差による変化を繰り返すため
に、記録層だけでなくその上下に存在する保護層、更に
は反射放熱層までに影響が及び、膜全体が局所的な膜厚
変動を生じたり、局所的にボイドが生じることで回数が
制限される。従って、この場合は記録層のみならず、保
護層材料及び反射放熱層の熱物性を改良する必要があ
る。そのために熱伝導率を高くし、熱膨張係数を低減さ
せ熱応力を抑制するか、あるいは熱応力緩和させる材
料、構成を考える必要がある。更に、保存性も高くする
必要がある。保存特性の向上として窒素添加した例（特
開平４−７８０３１号公報）がある。この場合、Ａｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系において、Ｓｂ量が６０％を越えた
時に保存性が悪くなるため効果がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、高速で、
繰り返しオーバーライト回数が高く、保存寿命が高く且
つ線速依存性のない媒体を可能にするための記録層材
料、組成を提供することを、その目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討を重ねた結果、基板上に第
１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層を
その順に積層してなる光記録媒体において、線速１．２
ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃの幅広い線速で、しかも繰
り返しオーバーライト回数が１０万回を可能にする相変
化型光記録媒体の記録層材料組成比を見出し、本発明に
到達した。

【０００９】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層
をその順に積層してなる光記録媒体の記録層において、
記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであっ
て、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、
δ（原子％）が １≦α＜１０ １＜β≦２０ ３５≦γ≦７０ ２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体が提供される。第二
に、上記第一に記載した光記録媒体の記録層において、
記録層の構成元素として更にＣｒ又はＺｒを添加し、Ａ
ｇαＩｎβＳｂγＴｅδＣｒ（又はＺｒ）εの組成比ε
（原子％）が０＜ε＜５で、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１０
０であることを特徴とする光記録媒体が提供される。第
三に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体におい
て、第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍ〜２５０ｎｍ、記
録層の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍ、第２の誘電体層の膜
厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍ、反射放熱層の膜厚が３０ｎ
ｍ〜２５０ｎｍであることを特徴とする光記録媒体が提
供される。第四に、上記第三に記載した光記録媒体の記
録層が、回転線速度１．２ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃ
で記録及び再生されるものであることを特徴とする光記
録媒体が提供される。第五に、上記第四に記載した線速
度で記録する記録方式がＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈ
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式であることを特徴とする
光記録媒体が提供される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の光記録媒体は、基板上に第１の誘電体層、
記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をその順に積層し
てなる光記録媒体の記録層において、記録層の構成元素
が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβ
ＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ（原子％）が １≦α＜１０ １＜β≦２０ ３５≦γ≦７０ ２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする。

【００１１】即ち、本発明者らの一部が先に出願したＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂを含む記録材料を用いた光記録媒
体（特願平８−１０３８３２号）においては、記録層中
のＩｎの組成比が７≦β≦２０であったが、本発明者ら
はそれより少ない組成比においても繰り返しオーバーラ
イト特性及び保存性の優れた記録材料であることを見出
したものである。

【００１２】Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含む４元系の
相変化型記録材料を主成分として含有する材料は、記録
（アモルファス）感度、消去（結晶化）感度、及び消去
比が極めて良好なため、記録層の材料として適してい
る。特にこの材料の特徴は、未記録状態である結晶化状
態において、ＡｇＳｂＴｅ₂結晶相とＩｎＳｂアモルフ
ァス相の混相状態になっていることで消去比が高く、高
感度な光記録媒体を得ることが可能になっている。この
ように相変化記録媒体を今後書き換え型ＤＶＤ（ＤＶＤ
−ＲＡＭ）に展開していくために、更に各構成元素の組
成比の範囲を検討した結果、繰り返しオーバーライト回
数が高く、広い線速度での記録再生ができ、しかも信頼
性の高い媒体を提供するが可能になった。

【００１３】本発明の光記録媒体は、基本的に図１に示
されるように、基板１上に第１の誘電体層２、記録層
３、第２の誘電体層４及び反射放熱層５をその順に積層
した構成からなり、更に保護のため反射放熱層５の上に
ＵＶ硬化樹脂６を積層することが好ましい。

【００１４】本発明において、第１及び第２の誘電体層
（保護層）２及び４としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄、等
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で
保護層として用いることができるし、また混合物として
用いることもできる。例えば混合物としては、ＺｎＳと
ＳｉＯｘ，Ｔａ₂Ｏ₅とＳｉＯｘが挙げられる。これら材
料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率及び基
板材料あるいは記録層材料との密着性等があり、融点が
高く、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が
良いといったことが要求される。特に第２の誘電体層
は、繰り返しオーバーライト特性を左右する。

【００１５】誘電体からなる保護層は更に膜厚が重要で
あるが、第１の誘電体層２の膜厚は５０〜２５０ｎｍの
範囲として、７５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。５０ｎ
ｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低
下、畜熱効果の低下となり好ましくない。一方、２５０
ｎｍより厚くなると、スパッタ方法等による膜作製過程
において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが発生
したり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくな
い。第２の誘導体層４の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの
範囲とし、１５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。第２の誘電
体層の場合、１０ｎｍより薄いと、基本的に耐熱性が低
下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記録感度の
低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下によ
り繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。

【００１６】反射放熱層５としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、
混合物を用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金又は混合物を複数積層しても良い。この層は、
熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０ｎｍ
〜２５０ｎｍとする。好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
が良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が
悪くなり、薄すぎると、感度は良いが繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求
される。

【００１７】上記で述べた材料、構成による光記録媒体
は、波長が６８０ｎｍ、６３５ｎｍの半導体レーザー
で、ＮＡ０．６、あるいは０．６３の半導体レーザーを
用い、記録再生を行う。あるいは、再生のみ６５０ｎｍ
のレーザーを用いる場合もある。本媒体は、更に短波長
レーザーにも対応が可能である。

【００１８】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。

【００１９】実施例１〜６及び比較例１〜５ 基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．４８μｍ、溝幅
０．６８μｍ、溝深さ６０ｎｍのポリカーボネート基板
を用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜し
た。第１の誘電体層（第１の保護層）として、ＺｎＳ・
ＳｉＯ₂ターゲットを用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけ
た。次に、所定の組成比のＡｇＩｎＳｂＴｅターゲット
をアルゴンガス圧３×１０^-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３０
０ｍＷでスパッタし膜厚１８ｎｍつけ記録層とした。更
に、その上に第２の誘電体層（第２の保護層）として第
１の誘電体層と同様ＺｎＳ・ＳｉＯ₂を厚さ２０ｎｍつ
けた。更に、その上にＡｌＴｉ合金膜を反射放熱層とし
て厚さ１２０ｎｍつけた。その上に紫外線硬化型樹脂膜
を保護膜としてつけ、媒体とした。比較例についても同
様の作製条件とした。但し、比較例は記録層を作製する
際に窒素ガス流量を０．５ｓｃｃｍ加えＡｒと窒素の混
合ガスを用いている。この窒素は保存特性を向上させる
ために添加している。本発明において窒素を添加しても
良く、添加することにより特性が悪くなることはない。
成膜後の記録層は非晶質であり、結晶化させるための初
期化を施した。

【００２０】記録再生条件は、波長６３５ｎｍ、ＮＡ
０．６あるいは６８０ｎｍ、ＮＡ０．６で記録再生す
る。記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ
（ｅｉｇｈｔ ｔｏ ｆｏｕｒｔｅｅｎ）変調あるいは
ＥＦＭ＋［ｅｉｇｈｔ ｔｏ ｓｉｘｔｅｅｎ（２，１
０）ＲＬＬ］変調方式で行った。記録パワー／消去パワ
ーの比を約２〜２．２にし、再生パワーを０．７ｍＷ〜
１ｍＷ、ボトムパワーを再生パワーと同じかそれより低
くし記録した。線密度を０．３４μｍ／ｂｉｔとしオー
バーライトも同様の条件で行った。ジッターはＤＡＴＡ
ｔｏ ＤＡＴＡによるジッターを測定した。線速はＣ
ＬＶで記録再生とも３．５ｍ／ｓｅｃ（ＤＶＤ−ＲＯＭ
相当）で行った。ジッターσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ
幅）が１２％以下となるオーバーライト（Ｏ／Ｗ）回数
及び８０℃、８５％ＲＨ、５００時間後のアーカイバル
保存の結果を表１に示す。保存においては、ジッターが
初期から変化しないものを（◎）、初期値に対し増加が
約１０％以下のものを（○）、増加が約１０％から３０
％のものを（△）とした。その結果、Ｏ／Ｗ回数が約５
万回のものが得られた。保存もほぼ問題なかった。図２
に実施例３における繰り返しオーバーライト特性を示
す。この結果Ｉｎが３ａｔ％において繰り返しオーバー
ライト特性が優れた媒体であることがわかった。更に、
Ｓｂの組成が約６４ａｔ％と多く、窒素などを含有させ
なくても保存性が優れている。記録消去パワーは最適パ
ワーを用いた。

【００２１】

【表１】

【００２２】実施例７〜１５ 成膜条件・記録条件は実施例１〜６とすべて同じである
が、記録再生時の線速を５ｍ／ｓｅｃ、６ｍ／ｓｅｃで
行った。その結果、線速５ｍ／ｓｅｃでＯ／Ｗ回数が約
３万回のものが得られた。実施例１４において、Ｉｎが
６ａｔ％において繰り返しオーバーライト特性と保存性
の優れた媒体が得られた。

【００２３】実施例１〜１５において、Ｉｎが少ないこ
とによる繰り返しオーバーライト特性の向上及び保存性
の向上の効果が示された。保存性においては、Ｉｎのみ
の効果というよりＩｎとＳｂの組成の和がＩｎの量をか
なり少なくすることで小さくなり、Ｉｎ、Ｓｂに比べガ
ラス温度の高いＡｇとＴｅの和が増加することで向上す
る。従って、Ｓｂ量が多い場合でも保存性が良くなる。

【００２４】実施例１６〜３１ 実施例１〜１５で示した成膜条件・記録条件と同じであ
るが、第１、第２誘電体層、記録層、反射層の各層厚を
表２に示すように変えた。層厚を変えることにより、更
に繰り返しオーバーライト特性が向上し、しかも記録感
度を下げない構成のものが得られた。図３に実施例２
１、２９の繰り返しオーバーライト特性を示す。

【００２５】以上により、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅか
らなる４元系相変化記録型材料が線速依存性が少なく、
繰り返しオーバーライト特性が良い光記録媒体に適した
材料であることがわかった。更に、記録媒体に不可欠な
記録保存性を調べた。保存環境は８０℃、８５％ＲＨで
５００時間実行後、ジッターの増加率を調べた。図４は
実施例３における３Ｔ連続パターンのジッターのアーカ
イバル保存結果である。保存状態は良好であるもののジ
ッターが増加していた。そこで、保存性を更に向上させ
るため、耐食性、耐熱性の高いＣｒあるいはＺｒを数％
添加させる。これは予め所定の組成比のＡｇＩｎＳｂＴ
ｅターゲットにＣｒあるいはＺｒを混合させたターゲッ
トを用いて記録層中に添加する。

【００２６】

【表２】

【００２７】実施例３２〜４５ 表３に示すように、ＣｒあるいはＺｒを０．５〜３ａｔ
％添加させた。８０℃、８５％ＲＨで５００時間の保存
試験を行った結果、保存性は向上した。添加量は２〜
２．５ａｔ％で特に良かった。図５に実施例３２と３９
の保存性を示す。

【００２８】

【表３】

【００２９】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、基板上に第１
の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をそ
の順に積層してなる光記録媒体の記録層において、記録
層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、
ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ
（原子％）が １≦α＜１０ １＜β≦２０ ３５≦γ≦７０ ２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることから、特にＩｎが数ａｔ％にしても線速依存
性がなく繰り返しオーバーライト特性が優れ、しかも保
存性の良いものとなり、更にＤＶＤ−ＲＡＭに十分適応
できるものとなる。

【００３０】請求項２の光記録媒体は、記録層の構成元
素として更にＣｒ又はＺｒを添加し、ＡｇαＩｎβＳｂ
γＴｅδＣｒ（又はＺｒ）εの組成比ε（原子％）が０
＜ε＜５で、α＋β＋γ＋δ＋ε＝１００であることか
ら、更に保存性が向上するという効果が加わる。

【００３１】請求項３の光記録媒体は、第１の誘電体層
の膜厚が５０ｎｍ〜２５０ｎｍ、記録層の膜厚が１０ｎ
ｍ〜５０ｎｍ、第２の誘電体層の膜厚が１０ｎｍ〜１０
０ｎｍ、反射放熱層の膜厚が３０ｎｍ〜２５０ｎｍであ
ることから、線速依存性がなく繰り返しオーバーライト
特性が優れ、しかも保存性の良いものとなり、更にＤＶ
Ｄ−ＲＡＭに十分適応できるものとなる。

【００３２】請求項４の光記録媒体は、回転線速度１．
２ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃで記録及び再生されるも
のであることから、線速依存性がなくＤＶＤ−ＲＯＭ互
換性と高速性が要求されるＤＶＤ−ＲＡＭに十分適用で
きるものとなる。

【００３３】請求項５の光記録媒体は、請求項４記載の
線速度で記録する記録方式がＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉ
ｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式であることから、
低パワーで記録でき、低ジッターで繰り返しオーバーラ
イト特性の優れたものとなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図で
ある。

【図２】実施例３における繰り返しオーバーライト特性
を示すグラフである。

【図３】実施例２１及び２９における繰り返しオーバー
ライト特性を示すグラフである。

【図４】実施例３における３Ｔ連続パターンのジッター
のアーカイバル保存試験結果を示すグラフである。

【図５】実施例３２及び３９における３Ｔ連続パターン
のジッターのアーカイバル保存試験結果を示すグラフで
ある。

【符号の説明】

１ 基板 ２ 第１の誘電体層（第１の保護層） ３ 記録層 ４ 第２の誘電体層（第２の保護層） ５ 反射放熱層 ６ ＵＶ硬化樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 影山 喜之 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 芝口 孝 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内 (72)発明者 安倍 通治 東京都大田区中馬込１丁目３番６号 株式 会社リコー内

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
   の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
   媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
   Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
   の各組成比α、β、γ、δ（原子％）が １≦α＜１０ １＜β≦２０ ３５≦γ≦７０ ２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００ であることを特徴とする光記録媒体。
2. 【請求項２】 請求項１記載の光記録媒体の記録層にお
   いて、記録層の構成元素として更にＣｒ又はＺｒを添加
   し、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδＣｒ（又はＺｒ）εの組
   成比ε（原子％）が０＜ε＜５で、α＋β＋γ＋δ＋ε
   ＝１００であることを特徴とする光記録媒体。
3. 【請求項３】 請求項１又は２記載の光記録媒体におい
   て、第１の誘電体層の膜厚が５０ｎｍ〜２５０ｎｍ、記
   録層の膜厚が１０ｎｍ〜５０ｎｍ、第２の誘電体層の膜
   厚が１０ｎｍ〜１００ｎｍ、反射放熱層の膜厚が３０ｎ
   ｍ〜２５０ｎｍであることを特徴とする光記録媒体。
4. 【請求項４】 請求項３記載の光記録媒体の記録層が、
   回転線速度１．２ｍ／ｓｅｃ〜１０ｍ／ｓｅｃで記録及
   び再生されるものであることを特徴とする光記録媒体。
5. 【請求項５】 請求項４記載の線速度で記録する記録方
   式がＰＷＭ（Ｐｕｌｓｅ Ｗｉｄｔｈ Ｍｏｄｕｌａｔ
   ｉｏｎ）方式であることを特徴とする光記録媒体。