JPH1170737A

JPH1170737A - 光記録媒体

Info

Publication number: JPH1170737A
Application number: JP9247690A
Authority: JP
Inventors: Hajime Yuzurihara; 肇譲原; Koji Deguchi; 浩司出口; Michiaki Shinozuka; 道明篠塚; Takashi Shibakuchi; 孝芝口; Masato Harigai; 眞人針谷; Mikio Kinoshita; 幹夫木下; Yoshiyuki Kageyama; 喜之影山
Original assignee: Ricoh Co Ltd
Current assignee: Ricoh Co Ltd
Priority date: 1997-08-28
Filing date: 1997-08-28
Publication date: 1999-03-16

Abstract

(57)【要約】【課題】高速で、繰り返しオーバーライト回数が高
く、保存寿命が高く、線速依存性のない媒体を可能にす
るための記録層材料及びその組成を提供すること。【解決手段】基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
の各組成比α、β、γ、δ（原子％）が、１≦α＜１
０、１＜β≦２０、３５≦γ≦７０、２０≦δ≦３５
で、α＋β＋γ＋δ＝１００であり、しかも６５＜３β
＋γ＜１１５且つ４０＜α＋２δ＜７５なる関係がある
ものとする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体、特に光
ビームを照射することにより記録層材料に相変化を生じ
させ、情報の記録・再生を行い、且つ、書き換えが可能
である相変化型情報記録媒体に関し、光メモリー関連機
器、特に書き換え可能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアに応用
可能なものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体レーザビーム照射により情報の記
録・再生及び消去が可能な光記録媒体には、熱を利用し
て磁化の反転を行ない記録消去する光磁気記録方式と、
結晶と非晶質の可逆的相変化を利用し記録消去する相変
化光記録方式がある。後者は単一ビームによるオーバー
ライトが可能であること、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒメデ
ィアとの互換性の点で有利であることから、書き換え可
能なメディアとして今日、ＣＤ−ＲＷメディアとして標
準規格が確立され、世に出ようとしている。そして、相
変化光記録媒体の大容量化の研究が行われ、ＤＶＤ−Ｒ
ＯＭメディアの発売とともに書き換え可能なＤＶＤメデ
ィアとしてＤＶＤ−ＲＡＭと称されるメディアの開発が
行われている。

【０００３】相変化記録媒体の記録層に用いられる材料
には、カルコゲン系のＧｅ−Ｓｂ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ、Ｇｅ−Ｓｅ−Ｔｅ、Ｇｅ−Ｔｅ−Ｂｉ、Ｓｂ−Ｓ
ｅ−Ｔｅ、Ｉｎ−Ｔｅ−Ａｕがこれまでに調べられてい
るが、Ｇｅ−Ｓｂ−Ｔｅが実用レベルに達している。し
かし、この材料にしても記録感度、消去感度の向上とオ
ーバライト時の消し残りによる消去比の低下等、特性の
向上は望まれる。そこで、オーバライト時の消去比を一
段と向上させることができた材料として、Ａｇ−Ｉｎ−
Ｓｂ−Ｔｅ系がある（特開平４−７８０３１号公報、特
願平８−１０３８３２号）。この系において消去比が向
上したのは、消去時に微結晶ＡｇＳｂＴｅ₂とアモルフ
ァスＩｎ−Ｓｂの２相状態になっていることによる。

【０００４】また、記録媒体に要求される繰り返し回数
の向上は、上記記録材料だけでは達成できず、この上下
の保護層、更に放熱層を積層することで向上が図られて
いる。これまで、保護層材料としてＺｎＳ・ＳｉＯ
₂（特公平７−１１４０３１号公報）をはじめ、金属酸
化物、金属硫化物、金属窒化物の単体若しくは混合物が
考えられている。更に、反射放熱層の放熱を良くするこ
とで、オーバーライト繰り返し回数が飛躍的に向上する
が、メディア特性を総合的に見た場合、繰り返し回数の
み向上しても他の特性が劣るといった問題がある。今
日、相変化型光記録媒体は、ＤＶＤ−ＲＯＭに相当する
大容量のＤＶＤ−ＲＡＭの開発が期待、要求され、コン
ピュータのデータ用メモリーから一般家庭で使用するビ
デオディスクに使用用途が拡大しており、大容量で高速
記録再生、更なる繰り返し回数の向上、長期保存性と高
い仕様が求められている。これらをすべて満足する媒体
の開発が今後の課題となる。また、ＤＶＤ−ＲＡＭとＤ
ＶＤ−ＲＯＭとの互換性も大きな課題となってくる。

【０００５】相変化型記録媒体は、前述のように、既に
商品化されてパーソナルコンピュータの外部メモリーに
使われている。そして今日、ＤＶＤ−ＲＯＭメディア、
プレーヤーが世に出始め、更に今後大容量で書き換え可
能なＤＶＤ−ＲＡＭメディアの商品化が期待されてい
る。ＤＶＤ−ＲＡＭメディアは、ＲＯＭとの互換性を始
め、大容量（４．７ＧＢ）、高速（高線速）記録再生、
繰り返しオーバーライト回数が高いこと等の高い仕様を
要求されている。高線速（現ＣＤの４倍から５倍あるい
はそれ以上）で大容量な仕様が媒体に要求されてくる
と、記録周波数が高くなり、記録消去パワーも高くなる
傾向にある。記録層材料の特性においては、結晶化速度
の向上、融点の低下、熱吸収率の向上等により、低記録
・消去パワーを図ることや、記録マーク長が短くなるこ
とによりマークエッジをシャープにするため、記録スト
ラテジー、層構成により更に冷却、徐冷の制御の正確さ
が要求されてくる。

【０００６】一方、繰り返しオーバーライト回数が更に
高いことも要求されている。これまで相変化記録媒体の
繰り返し特性の劣化は、高速で多数回の溶融、冷却を繰
り返すために体積変化に伴う物質流動、更には短時間に
おける急激で大きな温度差による変化を繰り返すため
に、記録層だけでなくその上下に存在する保護層、更に
は反射放熱層までに影響が及び、膜全体が局所的な膜厚
変動を生じたり、局所的にボイドが生じることで回数が
制限される。従って、この場合は記録層のみならず、保
護層材料及び反射放熱層の熱物性を改良する必要があ
る。そのために熱伝導率を高くし、熱膨張係数を低減さ
せ熱応力を抑制するか、あるいは熱応力緩和させる材
料、構成を考える必要がある。更に、保存性も高くする
必要がある。保存特性の向上として窒素添加した例（特
開平４−７８０３１号公報）がある。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】従って、本発明は上記
のような状況に鑑みてなされたものであって、高速で、
繰り返しオーバーライト回数が高く、保存寿命が高く且
つ線速依存性のない媒体を可能にするための記録層材
料、組成を提供することを、その目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために、鋭意検討を重ねた結果、基板上に第
１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層を
その順に積層してなる光記録媒体において、線速１．４
ｍ／ｓｅｃ〜１１．２ｍ／ｓｅｃの幅広い線速で、しか
も繰り返しオーバーライト回数が１万回以上を可能にす
る相変化型光記録媒体の記録層材料組成比及び各元素と
の関係を見出し、本発明に到達した。

【０００９】即ち、本発明によれば、第一に、基板上に
第１の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層
をその順に積層してなる光記録媒体の記録層において、
記録層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであっ
て、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、
δ（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００であり、しかも６５＜３β＋γ＜１１５４０＜α＋２δ＜７５なる関係があることを特徴とする光記録媒体が提供され
る。第二に、上記第一に記載した光記録媒体の記録層に
おいて、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５なる関係が
あることを特徴とする光記録媒体が提供される。第三
に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体の記録層
が、回転線速度１．４ｍ／ｓｅｃ〜１１．２ｍ／ｓｅｃ
で記録及び再生されるものであることを特徴とする光記
録媒体が提供される。第四に、上記第三に記載した線速
度で記録する記録方式がＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈ
Ｍｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式であることを特徴とする
光記録媒体が提供される。第五に、上記第一又は第二に
記載した光記録媒体において、記録層中に主要な元素で
あるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅのうちの少なくとも一つ
の構成元素の窒化物及び／又は酸化物あるいは窒素単体
を含むことを特徴とする光記録媒体が提供される。第六
に、上記第一又は第二に記載した光記録媒体の記録層に
おいて、結晶化温度が１５０℃以上２５０℃以下である
ことを特徴とする光記録媒体が提供される。

【００１０】

【発明の実施の形態】以下、本発明を更に詳細に説明す
る。本発明の光記録媒体は、基板上に第１の誘電体層、
記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をその順に積層し
てなる光記録媒体の記録層において、記録層の構成元素
が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβ
ＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００であり、しかも６５＜３β＋γ＜１１５４０＜α＋２δ＜７５なる関係があることを特徴とする。

【００１１】即ち、本発明者らの一部が先に出願したＡ
ｇ、Ｉｎ、Ｔｅ、Ｓｂを含む記録材料を用いた光記録媒
体（特願平８−１０３８３２号）においては、記録層中
のＩｎの組成比が７≦β≦２０であったが、本発明者ら
はそれより少ない組成比においても繰り返しオーバーラ
イト特性及び保存性の優れた記録材料であることを見出
し、更に各元素の組成範囲、物性について最適化したも
のである。

【００１２】Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅを含む４元系の
相変化型記録材料を主成分として含有する材料は、記録
（アモルファス）感度、消去（結晶化）感度、及び消去
比が極めて良好なため、記録層の材料として適してい
る。特にこの材料の特徴は、未記録状態である結晶化状
態において、ＡｇＳｂＴｅ₂結晶相とＩｎＳｂアモルフ
ァス相の混相状態になっていることで消去比が高く、高
感度な光記録媒体を得ることが可能になっている。この
ように相変化記録媒体を今後書き換え型ＤＶＤ（ＤＶＤ
−ＲＡＭ）に展開していくために、更に各構成元素の組
成比の範囲を検討した結果、繰り返しオーバーライト回
数が高く、広い線速度での記録再生ができ、しかも信頼
性の高い媒体を提供するが可能になった。

【００１３】本発明の光記録媒体は、基本的に図１に示
されるように、基板１上に第１の誘電体層２、記録層
３、第２の誘電体層４及び反射放熱層５をその順に積層
した構成からなり、更に保護のため反射放熱層５の上に
ＵＶ硬化樹脂６を積層することが好ましい。

【００１４】本発明において、第１及び第２の誘電体層
（保護層）２及び４としては、ＳｉＯｘ、ＺｎＯ、Ｓｎ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＴｉＯ₂、Ｉｎ₂Ｏ₃、ＭｇＯ、Ｚｒ
Ｏ₂、Ｔａ₂Ｏ₅等の金属酸化物、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＡｌＮ、Ｔ
ｉＮ、ＢＮ、ＺｒＮ等の窒化物、ＺｎＳ、ＴａＳ₄、等
の硫化物、ＳｉＣ、ＴａＣ、Ｂ₄Ｃ、ＷＣ、ＴｉＣ、Ｚ
ｒＣ等の炭化物が挙げられる。これらの材料は、単体で
保護層として用いることができるし、また混合物として
用いることもできる。例えば混合物としては、ＺｎＳと
ＳｉＯｘ，Ｔａ₂Ｏ₅とＳｉＯｘが挙げられる。これら材
料物性は、熱伝導率、比熱、熱膨張係数、屈折率及び基
板材料あるいは記録層材料との密着性等があり、融点が
高く、熱伝導率が高く、熱膨張係数が小さく、密着性が
良いといったことが要求される。特に第２の誘電体層
は、繰り返しオーバーライト特性を左右する。

【００１５】誘電体からなる保護層は更に膜厚が重要で
あるが、第１の誘電体層２の膜厚は５０〜２５０ｎｍの
範囲として、７５ｎｍ〜２００ｎｍが好ましい。５０ｎ
ｍより薄くなると、耐環境性保護機能の低下、耐熱性低
下、畜熱効果の低下となり好ましくない。一方、２５０
ｎｍより厚くなると、スパッタ方法等による膜作製過程
において、膜温度の上昇により膜剥離やクラックが発生
したり、記録時の感度の低下をもたらすので好ましくな
い。第２の誘導体層４の膜厚は１０ｎｍ〜１００ｎｍの
範囲とし、１５ｎｍ〜５０ｎｍが好ましい。第２の誘電
体層の場合、１０ｎｍより薄いと、基本的に耐熱性が低
下し好ましくない。１００ｎｍを越えると、記録感度の
低下、温度上昇による膜剥離、変形、放熱性の低下によ
り繰り返しオーバーライト特性が悪くなる。

【００１６】反射放熱層５としては、Ａｌ、Ａｕ、Ｃ
ｕ、Ａｇ、Ｃｒ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｐｄ、Ｚｒ、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔａ、Ｗ、Ｔｉ、
Ｐｂ等の金属を中心とした材料の単体、あるいは合金、
混合物を用いることができる。必要に応じて、異なる金
属、合金又は混合物を複数積層しても良い。この層は、
熱を効率的に逃がすことが重要であり、膜厚は３０ｎｍ
〜２５０ｎｍとする。好ましくは５０ｎｍ〜１５０ｎｍ
が良い。膜厚が厚すぎると、放熱効率が良すぎて感度が
悪くなり、薄すぎると、感度は良いが繰り返しオーバー
ライト特性が悪くなる。特性としては、熱伝導率が高
く、高融点で保護層材料との密着性が良いこと等が要求
される。

【００１７】上記で述べた材料、構成による光記録媒体
は、波長が６８０ｎｍ、６３５ｎｍの半導体レーザー
で、ＮＡ０．６又は０．６３か、あるいは６５０ｎｍの
半導体レーザーでＮＡ０．６のピックアップを用い記録
再生する。記録方法はＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄ
ｕｌａｔｉｏｎで変調コードがＥＦＭあるいはＥＦＭ＋
［８／１６ＲＬＬ（２，１０）］方式で記録する。パル
スは、先頭パルスとその後のマルチパルス部に分かれ
る。マルチパルス部は、加熱、冷却を繰り返し行い、各
パワーの関係は、加熱（記録）パワー＞消去パワー＞冷
却パワーとなっていて、冷却パワーは読み出しパワー程
度まで下げる。

【００１８】さて、本発明において記録層を構成する元
素がＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであり、各組成比α、β、
γ、δ（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００なる関係以外に、Ａｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅの組成比α、
β、γ、δの間に６５＜３β＋γ＜１１５且つ４０＜α＋２δ＜７５で更に、３≦α＋β＜１５且つ γ＞５５の関係を満たす組成範囲にあるとき、低線速から高線速
で記録再生可能であり、繰り返しオーバーライト回数が
向上し、初期化（結晶化）が高速、低パワーで可能とな
り、しかも保存特性を劣化させることがないことが見出
された。特に、α、βにおいては α＋β≦１０，γ＞５８が好ましい。

【００１９】更に、これらの範囲において、結晶化温度
が１５０℃以上２５０℃以下になる組成があり、初期化
プロセスにおいて低パワーで、高速結晶化が可能になる
ことがわかった。結晶化温度は１５０℃以上２００℃以
下が好ましく、１５０℃より低くなると保存性が悪くな
り、２５０℃を越えると初期化がしにくくなってくる。

【００２０】次に、窒素添加効果について述べる。Ａ
ｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅ以外に窒素（Ｎ）を微量含有す
ると繰り返しオーバーライト回数、変調度、保存特性が
向上する効果がある。しかし、微量であることが好まし
く、入れすぎると繰り返しオーバーライト回数が減少
し、また結晶化温度の上昇により初期化がしにくくな
る。従って、微量が好ましい。但し、記録層組成による
記録再生特性は、これら組成はもちろんのこと、保護
層、反射放熱層の特性、膜厚の最適化、記録条件により
更に向上が可能となる。

【００２１】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明する。

【００２２】実施例１〜１５基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ１．４８μｍ、溝幅
０．６８μｍ、溝深さ６０ｎｍのポリカーボネート基板
を用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜し
た。第１の誘電体層（第１の保護層）として、ＺｎＳ・
ＳｉＯ₂ターゲットを用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけ
た。次に、所定の組成比のＡｇＩｎＳｂＴｅターゲット
をアルゴンガス圧３×１０^-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３０
０ｍＷでスパッタし膜厚１８ｎｍつけ記録層とした。更
に、その上に第２の誘電体層（第２の保護層）として第
１の誘電体層と同様ＺｎＳ・ＳｉＯ₂を厚さ２０ｎｍつ
けた。更に、その上にＡｌＴｉ合金膜を反射放熱層とし
て厚さ１２０ｎｍつけた。その上に紫外線硬化型樹脂膜
を保護膜としてつけ、媒体とした。成膜後の記録層は非
晶質であり、結晶化させるための初期化を施した。

【００２３】記録は、波長λ＝６３５ｎｍ、ＮＡ０．６
で行い、記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥ
ＦＭ＋［８／１６（２，１０）ＲＬＬ］変調方式で行っ
た。記録パワー／消去パワーの比を約２〜２．２にし、
ボトムパワーを再生パワーと同じかそれより低くし記録
した。記録パワーを最大１５ｍＷまでかけた。再生はλ
＝６５０ｎｍ，ＮＡ０．６で行った。線密度は０．４μ
ｍ／ｂｉｔとし、グルーブに記録した。各記録層組成に
対し記録再生を行い、ＤＡＴＡｔｏＣＬＫジッター
を測定し、ジッターσ／Ｔｗ（Ｙｗ：ウィンドウ幅）が
８％以下を満たす線速のうち、最大の線速を表１に示
す。表１から、Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ系記録層材料は
広い線速において記録再生可能であることがわかる。な
お、線速は他の保護層、反射層、記録層の膜厚により変
わる。

【００２４】

【表１】

【００２５】実施例１６〜２５及び比較例１〜８基板厚０．６ｍｍ、トラックピッチ０．７４μｍ、溝幅
０．５μｍ、溝深さ６５ｎｍのポリカーボネート基板を
用い、高温で脱水処理した後スパッタにより成膜した。
第１の誘導体層として、ＺｎＳ・ＳｉＯ₂ターゲットを
用い膜厚１７０ｎｍの厚さにつけた。次に、所定の組成
比のＡｇＩｎＳｂＴｅターゲットをアルゴンガス圧３×
１０^-3ｔｏｒｒ、ＲＦパワー３００ｍＷでスパッタし膜
厚１８ｎｍつけ記録層とした。更に、その上に第２の誘
導体層として第１の誘電体層と同様ＺｎＳ・ＳｉＯ₂を
厚さ２０ｎｍつけた。更に、その上にＡｌＴｉ合金膜を
反射放熱層として厚さ１２０ｎｍつけた。その上に紫外
線硬化型樹脂膜を保護膜としてつけ媒体とした。

【００２６】記録再生条件は、波長６３５ｎｍ、ＮＡ
０．６で記録し、６５０ｎｍ、ＮＡ０．６で再生する。
記録方式はパルス変調法を用い、変調方式はＥＦＭ＋
［８／１６（２，１０）ＲＬＬ］変調方式で行った。記
録パワー／消去パワーの比を約２〜２．２にし、再生パ
ワーを１ｍＷ、ボトムパワーを再生パワーと同じかそれ
より低くし、グルーブに記録した。線密度０．３５μｍ
／ｂｉｔとし、オーバーライトも同様の条件で行った。
ジッターはＤＡＴＡｔｏＣＬＫによるジッターを測
定した。線速はＣＬＶで記録再生とも３．５ｍ／ｓｅｃ
（ＤＶＤ−ＲＯＭ相当）、６ｍ／ｓｅｃで行った。ジッ
ターσ／Ｔｗ（Ｔｗ：ウィンドウ幅）が１４％未満とな
るオーバーライト（Ｏ／Ｗ）回数を表２に示す。更に、
図２に実施例１８（３．５ｍ／ｓｅｃ）及び実施例２３
（６ｍ／ｓｅｃ）における繰り返しオーバーライト特性
を示す。また、線速３．５ｍ／ｓｅｃから６ｍ／ｓｅｃ
で同様の測定による比較例を行った。その結果も表２に
併せ示す。実施例においては、記録密度が高くなっても
繰り返しオーバーライト回数が一万回を越え、優れた特
性が得られた。

【００２７】

【表２】

【００２８】実施例２６〜２９実施例１〜２５における光記録媒体と同様の作製方法
で、ただ記録層を作製する際に、Ａｒガスと窒素ガスの
混合ガスを導入し、窒素ガス量０．５ｓｃｃｍ〜１．５
ｓｃｃｍで作製した。表３に実施例２４に窒素を入れた
場合を実施例２６〜２９として示す（但し、実施例２６
は窒素不添加の場合を示す）。窒素含有量に対する変調
度、繰り返しオーバーライト回数の各増加率を示す。記
録層中に流量に比例して、窒素が膜を構成する各元素の
どれかと結合し窒化物が形成されるか、又は窒素が単体
で含まれている。この窒素量の範囲において、変調度、
繰り返しオーバーライト回数を増加させることができ
る。測定条件は実施例２４と同様である。ジッター最小
となるところの記録パワー、消去パワーで記録させた。
更に、高温・高湿度の環境下において、窒素含有量の増
加とともに保存性を向上させる効果もある。

【００２９】

【表３】

【００３０】実施例３０〜３４本発明の記録層組成において、記録層単体の膜について
結晶化温度をＤＳＣ法により分析した。表４は昇温速度
が１０℃／ｍｉｎの場合の結晶化温度である。但し、窒
素は含まれていない。この結果から結晶化温度が１５０
℃から２００℃付近と低く、これにより初期化（結晶
化）がトラック上で均一に行なえること、しかも初期化
を行う際のレーザーパワが低くできることがわかる。ま
た、実施例３０において活性化エネルギーを求めたとこ
ろ、約１．７ｅＶと高く、保存特性も比較的良いことが
わかる。

【００３１】

【表４】

【００３２】

【発明の効果】請求項１の光記録媒体は、基板上に第１
の誘電体層、記録層、第２の誘電体層、反射放熱層をそ
の順に積層してなる光記録媒体の記録層において、記録
層の構成元素が主にＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、
ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδの各組成比α、β、γ、δ
（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００であり、しかも６５＜３β＋γ＜１１５４０＜α＋２δ＜７５なる組成条件にしたことから、低線速から高線速で記録
再生特性の優れた媒体を設計することが可能となり、高
密度・大容量が要求されているＤＶＤ−ＲＡＭに十分適
応できるものとなる。

【００３３】請求項２の光記録媒体は、請求項１の記録
層組成の条件に、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５と
いう条件を付加したことから、高密度記録、繰り返しオ
ーバーライト特性の向上が図られ、更に保存性が向上す
るという効果が加わる。

【００３４】請求項３の光記録媒体は、回転線速度１．
４ｍ／ｓｅｃ〜１１．２ｍ／ｓｅｃで記録及び再生され
るものであることから、高密度・大容量が要求されるＤ
ＶＤ−ＲＡＭに十分適用できるものとなる。

【００３５】請求項４の光記録媒体は、請求項３記載の
線速度で記録する記録方式がＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉ
ｄｔｈＭｏｄｕｌａｔｉｏｎ）方式であることから、
高密度記録及び繰り返しオーバーライト特性の優れたも
のとなる。

【００３６】請求項５の光記録媒体は、記録層中に主要
な元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及びＴｅのうちの少なく
とも一つの構成元素の窒化物及び／又は酸化物あるいは
窒素単体を含むものとしたことから、変調度及び繰り返
しオーバーライト特性が向上し、更に保存特性の優れた
ものになるという効果が加わる。

【００３７】請求項６の光記録媒体は、記録層の結晶化
温度が１５０℃以上２５０℃以下であることから、初期
化プロセスにおいて結晶化がより低いパワーで均一に行
え、記録再生特性、繰り返しオーバーライト特性のばら
つきが少なく、保存性の良好なものになるという効果が
加わる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光記録媒体の一例を示す模式断面図で
ある。

【図２】実施例１８及び２３における繰り返しオーバー
ライト特性を示すグラフである。

【符号の説明】

１基板２第１の誘電体層（第１の保護層）３記録層４第２の誘電体層（第２の保護層）５反射放熱層６ＵＶ硬化樹脂

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者芝口孝東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者針谷眞人東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者木下幹夫東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内 (72)発明者影山喜之東京都大田区中馬込１丁目３番６号株式会社リコー内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板上に第１の誘電体層、記録層、第２
の誘電体層、反射放熱層をその順に積層してなる光記録
媒体の記録層において、記録層の構成元素が主にＡｇ、
Ｉｎ、Ｓｂ、Ｔｅであって、ＡｇαＩｎβＳｂγＴｅδ
の各組成比α、β、γ、δ（原子％）が１≦α＜１０１＜β≦２０３５≦γ≦７０２０≦δ≦３５ α＋β＋γ＋δ＝１００であり、しかも６５＜３β＋γ＜１１５４０＜α＋２δ＜７５なる関係があることを特徴とする光記録媒体。
【請求項２】請求項１記載の光記録媒体の記録層にお
いて、更に３≦α＋β＜１５且つγ＞５５なる関係があ
ることを特徴とする光記録媒体。
【請求項３】請求項１又は２記載の光記録媒体の記録
層が、回転線速度１．４ｍ／ｓｅｃ〜１１．２ｍ／ｓｅ
ｃで記録及び再生されるものであることを特徴とする光
記録媒体。
【請求項４】請求項３記載の線速度で記録する記録方
式がＰＷＭ（ＰｕｌｓｅＷｉｄｔｈＭｏｄｕｌａｔ
ｉｏｎ）方式であることを特徴とする光記録媒体。
【請求項５】請求項１又は２記載の光記録媒体におい
て、記録層中に主要な元素であるＡｇ、Ｉｎ、Ｓｂ及び
Ｔｅのうちの少なくとも一つの構成元素の窒化物及び／
又は酸化物あるいは窒素単体を含むことを特徴とする光
記録媒体。
【請求項６】請求項１又は２記載の光記録媒体の記録
層において、結晶化温度が１５０℃以上２５０℃以下で
あることを特徴とする光記録媒体。