JPH11274201A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPH11274201A JPH11274201A JP10068961A JP6896198A JPH11274201A JP H11274201 A JPH11274201 A JP H11274201A JP 10068961 A JP10068961 A JP 10068961A JP 6896198 A JP6896198 A JP 6896198A JP H11274201 A JPH11274201 A JP H11274201A
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- H10W72/019—
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 下地金属層のサイドエッチングを防止する。
【解決手段】 半導体基板１上に酸化膜２、アルミ電極
パッド３、表面保護膜４を形成した後、アルミ電極パッ
ド３上にスルーホールを形成する。全面に下地金属層５
を形成した後、全面に感光性樹脂膜６を被着し、露光、
現像してバンプ電極形成用パターンを形成する。この感
光性樹脂膜における下地金属層５との界面において広が
り部を形成し、その後、露出している下地金属層５の表
面をエッチングする。下地金属層５を電極としてスルー
ホール内にメッキ層を形成する。感光性樹脂膜エッチン
グ溶剤によりパターンを除去し、バンプ電極をマスクと
して下地金属層をエッチング除去する。
パッド３、表面保護膜４を形成した後、アルミ電極パッ
ド３上にスルーホールを形成する。全面に下地金属層５
を形成した後、全面に感光性樹脂膜６を被着し、露光、
現像してバンプ電極形成用パターンを形成する。この感
光性樹脂膜における下地金属層５との界面において広が
り部を形成し、その後、露出している下地金属層５の表
面をエッチングする。下地金属層５を電極としてスルー
ホール内にメッキ層を形成する。感光性樹脂膜エッチン
グ溶剤によりパターンを除去し、バンプ電極をマスクと
して下地金属層をエッチング除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプ電極を有す
る半導体装置の製造方法に関するものである。
る半導体装置の製造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来半導体基板上に形成するバンプの製
造方法としては以下に説明するものが一般的に行われて
いる。まず、半導体基板上に電極パッドを形成し、この
基板全面に表面保護膜を形成する。次に、表面保護膜の
電極パッド上に対応する部分にスルーホールを開孔す
る。その後、半導体基板全面にスパッタ法などにより複
数の下地金属層を順じ形成する。この下地金属層として
はＣｒ−Ｃｕ，Ｃｒ−Ｃｕ−Ａｕ，Ｔｉ−Ａｕ，Ｔｉ−
Ｐｔ，Ｔｉ−Ｐｄ，Ｔｉ／Ｗ−Ａｕ，Ｔｉ／Ｗ−Ｐｄな
どが用いられる。
造方法としては以下に説明するものが一般的に行われて
いる。まず、半導体基板上に電極パッドを形成し、この
基板全面に表面保護膜を形成する。次に、表面保護膜の
電極パッド上に対応する部分にスルーホールを開孔す
る。その後、半導体基板全面にスパッタ法などにより複
数の下地金属層を順じ形成する。この下地金属層として
はＣｒ−Ｃｕ，Ｃｒ−Ｃｕ−Ａｕ，Ｔｉ−Ａｕ，Ｔｉ−
Ｐｔ，Ｔｉ−Ｐｄ，Ｔｉ／Ｗ−Ａｕ，Ｔｉ／Ｗ−Ｐｄな
どが用いられる。
【０００３】下地金属上に感光性の樹脂膜を全面に被着
した後、電極パッド上の一部にバンプ形成用のパターン
を開孔する。次に、下地金属層を一方の共通電極として
一定の電流を供給することにより金、銅、または半田等
を電気めっきにより電着させてバンプ電極を形成する。
した後、電極パッド上の一部にバンプ形成用のパターン
を開孔する。次に、下地金属層を一方の共通電極として
一定の電流を供給することにより金、銅、または半田等
を電気めっきにより電着させてバンプ電極を形成する。
【０００４】感光性樹脂膜を除去溶剤等で除去した後、
バンプ電極をマスクとしてこのバンプ電極で覆われた以
外の下地金属層をウエットエッチング除去することによ
り最終的な電極構造が得られる。
バンプ電極をマスクとしてこのバンプ電極で覆われた以
外の下地金属層をウエットエッチング除去することによ
り最終的な電極構造が得られる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
半導体装置の製造方法では、以下のような課題があっ
た。バンプ電極を形成した後に、このバンプ電極をエッ
チングマスクとして該バンプ電極で覆われた以外の下地
金属層をエッチング除去する必要がある。このエッチン
グの際に、バンプ電極の寸法より内側まで下地金属層が
エッチングされる（以下サイドエッチングと呼ぶ）現象
が起こる。そのため、バンプ電極と下地金属層との接触
面積が減少して、バンプ電極の剪断強度が低下するとい
う問題があった。
半導体装置の製造方法では、以下のような課題があっ
た。バンプ電極を形成した後に、このバンプ電極をエッ
チングマスクとして該バンプ電極で覆われた以外の下地
金属層をエッチング除去する必要がある。このエッチン
グの際に、バンプ電極の寸法より内側まで下地金属層が
エッチングされる（以下サイドエッチングと呼ぶ）現象
が起こる。そのため、バンプ電極と下地金属層との接触
面積が減少して、バンプ電極の剪断強度が低下するとい
う問題があった。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明は、前記課題を解
決するために、半導体装置の製造方法において、第１の
絶縁層を有する半導体基板の前記第１の絶縁層上に電極
パッドを形成する工程と、前記電極パッドを含む前記絶
縁層上に導電層を形成する工程と、前記パッドに対応す
る位置に開孔部を有するとともに、導電層との界面にお
いて広がり部を有する第２の絶縁層を前記導電層上に形
成する工程と、前記開孔部に露出している前記導電層の
表面をエッチングする工程と、前記導電層を電極として
前記開孔部内にメッキ層を形成する工程と、前記第２の
絶縁層を除去する工程と、前記メッキ層をマスクとして
前記導電層を除去する工程とを施す。以上のように本発
明を構成したので、下地金属のエッチングを開始する位
置はメッキ電極直下の下地金属よりも外側になり、メッ
キ電極直下の下地金属がエッチングされることがなくな
る。
決するために、半導体装置の製造方法において、第１の
絶縁層を有する半導体基板の前記第１の絶縁層上に電極
パッドを形成する工程と、前記電極パッドを含む前記絶
縁層上に導電層を形成する工程と、前記パッドに対応す
る位置に開孔部を有するとともに、導電層との界面にお
いて広がり部を有する第２の絶縁層を前記導電層上に形
成する工程と、前記開孔部に露出している前記導電層の
表面をエッチングする工程と、前記導電層を電極として
前記開孔部内にメッキ層を形成する工程と、前記第２の
絶縁層を除去する工程と、前記メッキ層をマスクとして
前記導電層を除去する工程とを施す。以上のように本発
明を構成したので、下地金属のエッチングを開始する位
置はメッキ電極直下の下地金属よりも外側になり、メッ
キ電極直下の下地金属がエッチングされることがなくな
る。
【０００７】
【発明の実施の形態】第１の実施形態 図１〜図４は、本発明の第1の実施形態の半導体装置の
製造方法を示す断面図である。
製造方法を示す断面図である。
【０００８】まず、図１（Ａ）に示すように、半導体基
板１上に図示しない回路素子および酸化膜２を形成す
る。その後、スパッタ法などによりアルミを全面に形成
し、フォトリソ・エッチングによりアルミをパターニン
グして、バンプ電極を形成すべき位置に、例えば５０μ
m×７０μm程度の大きさのアルミ電極パッド３を形成す
る。
板１上に図示しない回路素子および酸化膜２を形成す
る。その後、スパッタ法などによりアルミを全面に形成
し、フォトリソ・エッチングによりアルミをパターニン
グして、バンプ電極を形成すべき位置に、例えば５０μ
m×７０μm程度の大きさのアルミ電極パッド３を形成す
る。
【０００９】ＣＶＤ法によりＳｉＯ２等の絶縁膜を全面
に、例えば０．８〜１．４μm程度の膜厚で、表面保護
膜４を形成した後、フォトリソ・エッチングによりアル
ミ電極パッド３上の表面保護膜４を除去して、そのアル
ミ電極パッド３上にスルーホールを開孔する。
に、例えば０．８〜１．４μm程度の膜厚で、表面保護
膜４を形成した後、フォトリソ・エッチングによりアル
ミ電極パッド３上の表面保護膜４を除去して、そのアル
ミ電極パッド３上にスルーホールを開孔する。
【００１０】次に、図１（Ｂ）に示すように、半導体基
板１の表面全体にスパッタ法等により、複数の下地金属
を順次積層形成する。この下地金属層の構成としては、
例えばアルミと密着性のよいＴｉ５−ａ、Ａｕの拡散を
防止するためのＰｄ５−ｂにより形成する。
板１の表面全体にスパッタ法等により、複数の下地金属
を順次積層形成する。この下地金属層の構成としては、
例えばアルミと密着性のよいＴｉ５−ａ、Ａｕの拡散を
防止するためのＰｄ５−ｂにより形成する。
【００１１】次に、図２（Ａ）に示すように、下地金属
層Ｔｉ５−ａ、Ｐｄ５−ｂ上にポジ型の感光性樹脂膜６
を全面に２５〜３０μm程度の膜厚に被着した後、マス
クを用いて、アルミ電極パッド３上の一部の感光性樹脂
膜６を露光し、感光性樹脂膜エッチング溶剤に浸して、
露光した部位をエッチングし、アルミ電極パッド３より
も２０μm程度内側のこのアルミパッド１８の上方に、
３０×５０μm程度の開孔を有する感光性樹脂膜６から
なるバンプ電極形成用パターンを形成する。
層Ｔｉ５−ａ、Ｐｄ５−ｂ上にポジ型の感光性樹脂膜６
を全面に２５〜３０μm程度の膜厚に被着した後、マス
クを用いて、アルミ電極パッド３上の一部の感光性樹脂
膜６を露光し、感光性樹脂膜エッチング溶剤に浸して、
露光した部位をエッチングし、アルミ電極パッド３より
も２０μm程度内側のこのアルミパッド１８の上方に、
３０×５０μm程度の開孔を有する感光性樹脂膜６から
なるバンプ電極形成用パターンを形成する。
【００１２】次に、バンプ電極と下地金属層の密着面積
を大きくする為の処理工程として、感光性樹脂膜６に対
して溶解作用のある溶剤等をバンプ電極形成用パターン
の開孔部分に滴下し、感光性樹脂膜の開孔部を横方向に
２〜５μm大きくする。図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけ
る拡大図を示している。
を大きくする為の処理工程として、感光性樹脂膜６に対
して溶解作用のある溶剤等をバンプ電極形成用パターン
の開孔部分に滴下し、感光性樹脂膜の開孔部を横方向に
２〜５μm大きくする。図２（Ｂ）は図２（Ａ）におけ
る拡大図を示している。
【００１３】次に、下地金属層表面の酸化膜等の不純物
を除去する為の処理工程として、下地金属層のＰｄ５−
ｂに対して溶解作用のあるエッチング液（硝酸，塩酸，
硫酸及びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パター
ンの開孔部分に滴下し、図３（Ａ）に示すように、下地
金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエッチングす
る。この後下地金属層５−ａ、５−ｂを一方の共通電極
として電流を供給することによりＡｕメッキで図３
（Ｂ）の様にバンプ電極７を形成する。
を除去する為の処理工程として、下地金属層のＰｄ５−
ｂに対して溶解作用のあるエッチング液（硝酸，塩酸，
硫酸及びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パター
ンの開孔部分に滴下し、図３（Ａ）に示すように、下地
金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエッチングす
る。この後下地金属層５−ａ、５−ｂを一方の共通電極
として電流を供給することによりＡｕメッキで図３
（Ｂ）の様にバンプ電極７を形成する。
【００１４】次に図４の様に、感光性樹脂膜６を除去溶
剤等で除去し、更に下地金属層５−ａ、５−ｂをバンプ
電極７をマスクにエッチング除去することにより最終的
なバンプ電極構造が得られる。
剤等で除去し、更に下地金属層５−ａ、５−ｂをバンプ
電極７をマスクにエッチング除去することにより最終的
なバンプ電極構造が得られる。
【００１５】このように、第１の実施形態によればバン
プ電極形成の電気メッキ直前に感光性樹脂膜の開孔寸法
を大きくする工程と下地金属層表面を微量エッチングす
る工程を設けている。このため、バンプ電極と下地金属
の接着面積を大きくできるとともに下地金属層表面の不
純物等を除去することによりバンプ電極と下地金属層の
密着力が向上し、下地金属層のエッチング時にサイドエ
ッチング量を低減させること、更に発生しても、バンプ
電極と下地金属層との密着面積が従来に比べ大きくなる
こと、更に感光性樹脂膜の開孔寸法を大きくした後で、
下地金属層表面の不純物等を除去することにより下地金
属層の不純物等を除去した面積が大きくなることからバ
ンプ電極のせん断強度を向上させ、バンプ電極形成工程
の品質向上が期待できる。
プ電極形成の電気メッキ直前に感光性樹脂膜の開孔寸法
を大きくする工程と下地金属層表面を微量エッチングす
る工程を設けている。このため、バンプ電極と下地金属
の接着面積を大きくできるとともに下地金属層表面の不
純物等を除去することによりバンプ電極と下地金属層の
密着力が向上し、下地金属層のエッチング時にサイドエ
ッチング量を低減させること、更に発生しても、バンプ
電極と下地金属層との密着面積が従来に比べ大きくなる
こと、更に感光性樹脂膜の開孔寸法を大きくした後で、
下地金属層表面の不純物等を除去することにより下地金
属層の不純物等を除去した面積が大きくなることからバ
ンプ電極のせん断強度を向上させ、バンプ電極形成工程
の品質向上が期待できる。
【００１６】また、エッチング液（硝酸，塩酸，硫酸及
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５
００Åエッチングした後に、下地金属層を陽極とし、金
メッキ時使用する陽極を陰極として通常の電解とは逆の
電解を下地金属層に与えることにより、下地金属層の表
面を１００Å程度電解除去してから金メッキを形成して
もよい。このようにすると、下地金属層表面をエッチン
グした後に発生する微量の不純物なども除去することが
可能となり、金メッキと下地金属との密着力をより向上
することができる。
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５
００Åエッチングした後に、下地金属層を陽極とし、金
メッキ時使用する陽極を陰極として通常の電解とは逆の
電解を下地金属層に与えることにより、下地金属層の表
面を１００Å程度電解除去してから金メッキを形成して
もよい。このようにすると、下地金属層表面をエッチン
グした後に発生する微量の不純物なども除去することが
可能となり、金メッキと下地金属との密着力をより向上
することができる。
【００１７】また、エッチング液（硝酸，塩酸，硫酸及
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５
００Åエッチングした後に、シアンメッキ液中に６０秒
〜３００秒程度（これ以上でも良い）さらすことによ
り、下地金属層を１００Å程度電解除去してから金メッ
キを形成してもよい。このようにすると、下地金属層表
面が平坦化されながらエッチングされるため、バンプ電
極形状異常の発生率の低減が期待できる。
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５
００Åエッチングした後に、シアンメッキ液中に６０秒
〜３００秒程度（これ以上でも良い）さらすことによ
り、下地金属層を１００Å程度電解除去してから金メッ
キを形成してもよい。このようにすると、下地金属層表
面が平坦化されながらエッチングされるため、バンプ電
極形状異常の発生率の低減が期待できる。
【００１８】また、第１の実施形態では、図２（Ａ）に
示した感光性樹脂膜を形成し、感光性樹脂膜６に対して
溶解作用のある溶剤等をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、感光性樹脂膜の開孔部を横方向に２〜
５μm大きくした後に、バンプ電極と下地金属層の密着
面積を大きくし下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除
去する為の処理としては以下のような工程がある。
示した感光性樹脂膜を形成し、感光性樹脂膜６に対して
溶解作用のある溶剤等をバンプ電極形成用パターンの開
孔部分に滴下し、感光性樹脂膜の開孔部を横方向に２〜
５μm大きくした後に、バンプ電極と下地金属層の密着
面積を大きくし下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除
去する為の処理としては以下のような工程がある。
【００１９】例えば、金メッキ処理直前に下地金属層を
陽極とし、金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の
電解とは逆の電解を下地金属層に与えることにより、下
地金属層の表面を１００〜５００Å電解除去する。この
直後、同一メッキ槽内で下地金属層５を一方の共通電極
として電流を供給することにより、Ａｕメッキでバンプ
電極を形成する。このようにすれば、特別な（メッキ前
処理用の）設備を設けることなくバンプ電極形成工程の
品質向上が期待できる。
陽極とし、金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の
電解とは逆の電解を下地金属層に与えることにより、下
地金属層の表面を１００〜５００Å電解除去する。この
直後、同一メッキ槽内で下地金属層５を一方の共通電極
として電流を供給することにより、Ａｕメッキでバンプ
電極を形成する。このようにすれば、特別な（メッキ前
処理用の）設備を設けることなくバンプ電極形成工程の
品質向上が期待できる。
【００２０】また、その他の方法としては、金メッキ処
理直前にシアンメッキ液にて下地金属層を溶解させるた
め半導体基板表面をメッキ液中に６０秒〜３００秒程度
（これ以上でも良い）さらしてもよい。これにより、下
地金属層が１００〜５００Å程度溶解除去される。この
直後下地金属層を一方の共通電極として電流を供給する
ことにより、Ａｕメッキでバンプ電極を形成する。この
ようにすれば、特別な（メッキ前処理用の）設備を設け
ることなく、バンプ電極形成工程の品質向上が期待でき
るとともに、下地金属層表面を平坦化しながら微量エッ
チングするため、バンプ電極形状異常の発生率の低減も
可能となり、バンプ電極形成工程の品質向上が期待でき
るものである。
理直前にシアンメッキ液にて下地金属層を溶解させるた
め半導体基板表面をメッキ液中に６０秒〜３００秒程度
（これ以上でも良い）さらしてもよい。これにより、下
地金属層が１００〜５００Å程度溶解除去される。この
直後下地金属層を一方の共通電極として電流を供給する
ことにより、Ａｕメッキでバンプ電極を形成する。この
ようにすれば、特別な（メッキ前処理用の）設備を設け
ることなく、バンプ電極形成工程の品質向上が期待でき
るとともに、下地金属層表面を平坦化しながら微量エッ
チングするため、バンプ電極形状異常の発生率の低減も
可能となり、バンプ電極形成工程の品質向上が期待でき
るものである。
【００２１】第２の実施形態 図５〜図６は、本発明の第２の実施形態の半導体装置の
製造方法を示す断面図であり、第１の実施形態と同一の
構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。
製造方法を示す断面図であり、第１の実施形態と同一の
構成には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００２２】第２の実施形態では、半導体基板１上に図
示しない回路素子および酸化膜２を形成する。その後、
スパッタ法などによりアルミを全面に形成し、フォトリ
ソ・エッチングによりアルミをパターニングして、バン
プ電極を形成すべき位置に、例えば５０μm×７０μm程
度の大きさのアルミ電極パッド３を形成する。その後、
ＣＶＤ法によりＳｉＯ２等の絶縁膜を全面に、例えば
０．８〜１．４μm程度の膜厚で、表面保護膜４を形成
した後、フォトリソ・エッチングによりアルミ電極パッ
ド３上の表面保護膜４を除去して、そのアルミ電極パッ
ド３上にスルーホールを開孔する。
示しない回路素子および酸化膜２を形成する。その後、
スパッタ法などによりアルミを全面に形成し、フォトリ
ソ・エッチングによりアルミをパターニングして、バン
プ電極を形成すべき位置に、例えば５０μm×７０μm程
度の大きさのアルミ電極パッド３を形成する。その後、
ＣＶＤ法によりＳｉＯ２等の絶縁膜を全面に、例えば
０．８〜１．４μm程度の膜厚で、表面保護膜４を形成
した後、フォトリソ・エッチングによりアルミ電極パッ
ド３上の表面保護膜４を除去して、そのアルミ電極パッ
ド３上にスルーホールを開孔する。
【００２３】次に、半導体基板１の表面全体にスパッタ
法等により、複数の下地金属を順次積層形成する。この
下地金属層の構成としては、例えばアルミと密着性のよ
いＴｉ５−ａ、Ａｕの拡散を防止するためのＰｄ５−ｂ
により形成する。
法等により、複数の下地金属を順次積層形成する。この
下地金属層の構成としては、例えばアルミと密着性のよ
いＴｉ５−ａ、Ａｕの拡散を防止するためのＰｄ５−ｂ
により形成する。
【００２４】次に、下地金属層Ｔｉ５−ａ、Ｐｄ５−ｂ
上にポジ型の感光性樹脂膜６を全面に２５〜３０μm程
度の膜厚に被着した後、マスクを用いて、アルミ電極パ
ッド３上の一部の感光性樹脂膜６を露光し、感光性樹脂
膜エッチング溶剤に浸して、露光した部位をエッチング
し、アルミ電極パッド３よりも２０μm程度内側のこの
アルミパッド１８の上方に、３０×５０μm程度の開孔
を有する感光性樹脂膜６からなるバンプ電極形成用パタ
ーンを形成する。ここまでは、第１の実施形態と同様の
工程により形成する。
上にポジ型の感光性樹脂膜６を全面に２５〜３０μm程
度の膜厚に被着した後、マスクを用いて、アルミ電極パ
ッド３上の一部の感光性樹脂膜６を露光し、感光性樹脂
膜エッチング溶剤に浸して、露光した部位をエッチング
し、アルミ電極パッド３よりも２０μm程度内側のこの
アルミパッド１８の上方に、３０×５０μm程度の開孔
を有する感光性樹脂膜６からなるバンプ電極形成用パタ
ーンを形成する。ここまでは、第１の実施形態と同様の
工程により形成する。
【００２５】次にバンプ電極と下地金属層の密着面積を
大きくし更に下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除去
する為の処理工程として、下地金属層のＰｄ５−ｂに対
して溶解作用のあるエッチング液（硝酸，塩酸，硫酸及
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成部の開孔部分に
滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエ
ッチングする。
大きくし更に下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除去
する為の処理工程として、下地金属層のＰｄ５−ｂに対
して溶解作用のあるエッチング液（硝酸，塩酸，硫酸及
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成部の開孔部分に
滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエ
ッチングする。
【００２６】更にエッチング後の洗浄，乾燥等の処理の
際に付着する下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除去
する為の処理として、金メッキ処理直前に下地金属層５
を陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の
電解とは逆の電解を下地金属層５に与えることにより、
図５（Ａ）の様に下地金属層Ｐｄ５−ｂの表面を１００
Å程度電解除去する。
際に付着する下地金属層表面の酸化膜等の不純物を除去
する為の処理として、金メッキ処理直前に下地金属層５
を陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の
電解とは逆の電解を下地金属層５に与えることにより、
図５（Ａ）の様に下地金属層Ｐｄ５−ｂの表面を１００
Å程度電解除去する。
【００２７】この直後、下地金属層Ｐｄ５−ｂを電解除
去したメッキ槽内で、下地金属層５を一方の共通電極と
して電流を供給することにより、Ａｕメッキで図５
（Ｂ）の様にバンプ電極７を形成する。
去したメッキ槽内で、下地金属層５を一方の共通電極と
して電流を供給することにより、Ａｕメッキで図５
（Ｂ）の様にバンプ電極７を形成する。
【００２８】次に図６の様に、感光性樹脂膜６を除去溶
剤等で除去し、更に下地金属層５−ａ、５−ｂをエッチ
ング除去することにより最終的なバンプ電極構造が得ら
れる。
剤等で除去し、更に下地金属層５−ａ、５−ｂをエッチ
ング除去することにより最終的なバンプ電極構造が得ら
れる。
【００２９】以上の様に、第２の実施形態によれば下地
金属層表面を微量エッチングする工程とメッキ装置内部
で電解方向を逆転させることによって下地金属層表面の
酸化膜などを除去する工程を設けることにより、バンプ
電極と下地金属の接着面積を大きくするとともに、下地
金属層表面の不純物等を除去することによるバンプ電極
と下地金属層の密着力の向上が可能となる。
金属層表面を微量エッチングする工程とメッキ装置内部
で電解方向を逆転させることによって下地金属層表面の
酸化膜などを除去する工程を設けることにより、バンプ
電極と下地金属の接着面積を大きくするとともに、下地
金属層表面の不純物等を除去することによるバンプ電極
と下地金属層の密着力の向上が可能となる。
【００３０】従って、下地金属層のエッチング時にサイ
ドエッチング量を低減させること、更に発生しても、バ
ンプ電極と下地金属層との密着面積が従来に比べ大きく
なることと、下地金属層表面を微量エッチングする工程
の後に発生する微量の不純物等も除去する工程を設けた
ことにより下地金属層との界面に含有する不純物が減少
し密着力を向上することが可能となり、バンプ電極のせ
ん断強度を向上させ、バンプ電極形成工程の品質向上が
期待できるものである。
ドエッチング量を低減させること、更に発生しても、バ
ンプ電極と下地金属層との密着面積が従来に比べ大きく
なることと、下地金属層表面を微量エッチングする工程
の後に発生する微量の不純物等も除去する工程を設けた
ことにより下地金属層との界面に含有する不純物が減少
し密着力を向上することが可能となり、バンプ電極のせ
ん断強度を向上させ、バンプ電極形成工程の品質向上が
期待できるものである。
【００３１】また、金メッキ処理直前に下地金属層５を
陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の電
解とは逆の電解を下地金属層５に与えることにより下地
金属を電解除去した後、下地金属層表面を平坦化するた
めの処理として、シアンメッキ液に半導体基板表面を６
０〜３００秒程度（これ以上でもよい）さらすことによ
り、下地金属層Ｐｄ５−ｂを１００Å程度電解除去して
もよい。
陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として通常の電
解とは逆の電解を下地金属層５に与えることにより下地
金属を電解除去した後、下地金属層表面を平坦化するた
めの処理として、シアンメッキ液に半導体基板表面を６
０〜３００秒程度（これ以上でもよい）さらすことによ
り、下地金属層Ｐｄ５−ｂを１００Å程度電解除去して
もよい。
【００３２】また、エッチング液（硝酸，塩酸，硫酸及
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成部の開孔部分に
滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエ
ッチングする工程を省略し、金メッキ処理直前に下地金
属層５を陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として
通常の電解とは逆の電解を下地金属層５に与えることに
より下地金属を１００〜５００Å電解除去した後、下地
金属層表面を平坦化するための処理として、シアンメッ
キ液に半導体基板表面を６０〜３００秒程度（これ以上
でもよい）さらすことにより、下地金属層Ｐｄ５−ｂを
１００Å程度電解除去してもよい。
びこれらの混合液等）をバンプ電極形成部の開孔部分に
滴下し、下地金属層のＰｄ５−ｂを１００〜５００Åエ
ッチングする工程を省略し、金メッキ処理直前に下地金
属層５を陽極とし金メッキ時使用する陽極を陰極として
通常の電解とは逆の電解を下地金属層５に与えることに
より下地金属を１００〜５００Å電解除去した後、下地
金属層表面を平坦化するための処理として、シアンメッ
キ液に半導体基板表面を６０〜３００秒程度（これ以上
でもよい）さらすことにより、下地金属層Ｐｄ５−ｂを
１００Å程度電解除去してもよい。
【００３３】また、第２の実施形態では、金メッキ処理
直前に下地金属層５を陽極とし金メッキ時使用する陽極
を陰極として通常の電解とは逆の電解を下地金属層５に
与えることにより下地金属を電解除去したが、これに代
えて、金メッキ処理直前にシアンメッキ液に半導体基板
表面を６０〜３００秒程度（これ以上でもよい）さらす
ことにより、下地金属層Ｐｄ５−ｂを１００Å程度電解
除去してもよい。このようにすれば、メッキ装置の電解
方式の切替をすることなく下地金属層の表面を電解除去
することができる。また、下地金属層表面を平坦化しな
がら微量エッチングすることができ、バンプ電極形状異
常の発生率の低減も可能となる。
直前に下地金属層５を陽極とし金メッキ時使用する陽極
を陰極として通常の電解とは逆の電解を下地金属層５に
与えることにより下地金属を電解除去したが、これに代
えて、金メッキ処理直前にシアンメッキ液に半導体基板
表面を６０〜３００秒程度（これ以上でもよい）さらす
ことにより、下地金属層Ｐｄ５−ｂを１００Å程度電解
除去してもよい。このようにすれば、メッキ装置の電解
方式の切替をすることなく下地金属層の表面を電解除去
することができる。また、下地金属層表面を平坦化しな
がら微量エッチングすることができ、バンプ電極形状異
常の発生率の低減も可能となる。
【００３４】第３の実施形態 図７〜図８は、本発明の第３の実施形態の半導体装置の
製造方法を示す断面図であり、他の実施形態と同一の構
成には同一の符号を付し、その説明を省略する。
製造方法を示す断面図であり、他の実施形態と同一の構
成には同一の符号を付し、その説明を省略する。
【００３５】第３の実施形態では、下地金属層のＴｉ５
−ａ、Ｐｄ５−ｂ上に、感光性樹脂膜６を全面に被着し
た後、アルミ電極パッド３上の一部にバンプ電極形成部
の開孔を形成する。
−ａ、Ｐｄ５−ｂ上に、感光性樹脂膜６を全面に被着し
た後、アルミ電極パッド３上の一部にバンプ電極形成部
の開孔を形成する。
【００３６】この後、下地金属層５を一方の共通電極と
して電流を供給することにより、図７（Ａ）の様に、Ａ
ｕメッキでバンプ電極７を形成し、感光性樹脂膜６を除
去溶剤等で除去する。そして、ＨＮＯ3（硝酸）とＨ2Ｓ
Ｏ4（硫酸）とＣＨ3ＣＯＯＨ（酢酸）の混合液にて 下
地金属層のうちＰｄ５−ｂのみを選択的にバンプ電極自
身をエッチングすることなくエッチング除去する。さら
にＨ2Ｏ2（過酸化水素水）又はフッ化水素酸等でバンプ
電極７の接着部以外のＴｉ５−ａのみを選択的にエッチ
ング除去することにより図７（Ｂ）の様に、最終的なバ
ンプ電極構造が得られる。
して電流を供給することにより、図７（Ａ）の様に、Ａ
ｕメッキでバンプ電極７を形成し、感光性樹脂膜６を除
去溶剤等で除去する。そして、ＨＮＯ3（硝酸）とＨ2Ｓ
Ｏ4（硫酸）とＣＨ3ＣＯＯＨ（酢酸）の混合液にて 下
地金属層のうちＰｄ５−ｂのみを選択的にバンプ電極自
身をエッチングすることなくエッチング除去する。さら
にＨ2Ｏ2（過酸化水素水）又はフッ化水素酸等でバンプ
電極７の接着部以外のＴｉ５−ａのみを選択的にエッチ
ング除去することにより図７（Ｂ）の様に、最終的なバ
ンプ電極構造が得られる。
【００３７】このため、従来の、バンプ電極をマスクと
して、下地金属層とバンプ電極自身の両方を同時にエッ
チングしていた為エッチング処理時間の経過と共にマス
クとなっているバンプ電極自身がエッチングされ下地金
属層と密着している面積が減少し、（マスク自体の寸法
が減少する為）エッチング後の下地金属層の面積も減少
することによる不具合を解消できる。また、バンプ電極
を下地金属層エッチング時に常に一定の面積を確保して
いるマスクとして使用することが可能となり、バンプ電
極と下地金属層の密着面積を確保することが可能とな
る。更に、ＣＨ3ＣＯＯＨの効果によってバンプ電極下
へのサイドエッチングの発生も抑制出来、バンプ電極と
下地金属層の密着面積を常に一定にすることが可能とな
る。
して、下地金属層とバンプ電極自身の両方を同時にエッ
チングしていた為エッチング処理時間の経過と共にマス
クとなっているバンプ電極自身がエッチングされ下地金
属層と密着している面積が減少し、（マスク自体の寸法
が減少する為）エッチング後の下地金属層の面積も減少
することによる不具合を解消できる。また、バンプ電極
を下地金属層エッチング時に常に一定の面積を確保して
いるマスクとして使用することが可能となり、バンプ電
極と下地金属層の密着面積を確保することが可能とな
る。更に、ＣＨ3ＣＯＯＨの効果によってバンプ電極下
へのサイドエッチングの発生も抑制出来、バンプ電極と
下地金属層の密着面積を常に一定にすることが可能とな
る。
【００３８】また、Ｐｄを選択的にエッチングしようと
する液に関して、エッチング液中のＨＮＯ3とＨ2ＳＯ4
とＣＨ3ＣＯＯＨそれぞれの濃度と、Ｐｄエッチング速
度について図８に示す。この場合、エッチング液の濃
度，液量等の作業条件は、バンプ電極形成工程でのＰｄ
エッチング時と同じ条件でエッチングを行い、各濃度毎
にエッチングされるＰｄの量を測定することによって求
める。図８では、一例として上記エッチング液に関して
得られたエッチング液中のＨＮＯ3−９％，Ｈ2ＳＯ4−
８５％（水−６％）の混合液とＣＨ3ＣＯＯＨの濃度比
と、Ｐｄエッチング速度の相関関係をグラフに示す。こ
こで、それぞれの比率は重量比（ｗｔ％）を示してい
る。
する液に関して、エッチング液中のＨＮＯ3とＨ2ＳＯ4
とＣＨ3ＣＯＯＨそれぞれの濃度と、Ｐｄエッチング速
度について図８に示す。この場合、エッチング液の濃
度，液量等の作業条件は、バンプ電極形成工程でのＰｄ
エッチング時と同じ条件でエッチングを行い、各濃度毎
にエッチングされるＰｄの量を測定することによって求
める。図８では、一例として上記エッチング液に関して
得られたエッチング液中のＨＮＯ3−９％，Ｈ2ＳＯ4−
８５％（水−６％）の混合液とＣＨ3ＣＯＯＨの濃度比
と、Ｐｄエッチング速度の相関関係をグラフに示す。こ
こで、それぞれの比率は重量比（ｗｔ％）を示してい
る。
【００３９】この図８からエッチング処理時間を短くす
るためには、ＨＮＯ3−９％，Ｈ2ＳＯ4−８５％（水−
６％）の混合液に対してＣＨ3ＣＯＯＨを３５％〜５０
％の重量比で混合することが望ましい。また、その混合
比を４０％前後に設定した場合は、そのエッチング速度
が著しく向上し、Ｐｄエッチングの作業性が大きく向上
することが分かる。（水−６％）の組成の場合Ｐｄに対
するエッチング速度が最も速い事が分かる。
るためには、ＨＮＯ3−９％，Ｈ2ＳＯ4−８５％（水−
６％）の混合液に対してＣＨ3ＣＯＯＨを３５％〜５０
％の重量比で混合することが望ましい。また、その混合
比を４０％前後に設定した場合は、そのエッチング速度
が著しく向上し、Ｐｄエッチングの作業性が大きく向上
することが分かる。（水−６％）の組成の場合Ｐｄに対
するエッチング速度が最も速い事が分かる。
【００４０】また、エッチング液の濃度に変化が生じた
場合でも、その液中のＨＮＯ3，Ｈ2ＳＯ4，ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈの濃度を分析することにより、Ｐｄエッチングの最適
なエッチング時間を容易に設定することができエッチン
グ液を長期間に渡って使用出来ることによる部材費の低
減も期待できる。
場合でも、その液中のＨＮＯ3，Ｈ2ＳＯ4，ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈの濃度を分析することにより、Ｐｄエッチングの最適
なエッチング時間を容易に設定することができエッチン
グ液を長期間に渡って使用出来ることによる部材費の低
減も期待できる。
【００４１】また、第３の実施形態に記載した発明は、
第１の実施形態や第２の実施形態において記載した発明
に適宜用いることが可能である。すなわち、第１および
第２の実施形態において記載した発明によって、バンプ
形成までを行い、このバンプをマスクとして下地金属層
をエッチングする際に第３の実施形態におけるエッチン
グ液を用いることができる。
第１の実施形態や第２の実施形態において記載した発明
に適宜用いることが可能である。すなわち、第１および
第２の実施形態において記載した発明によって、バンプ
形成までを行い、このバンプをマスクとして下地金属層
をエッチングする際に第３の実施形態におけるエッチン
グ液を用いることができる。
【００４２】
【発明の効果】本発明の第１および第２の実施形態に係
る半導体装置によれば、バンプ電極と下地金属層との接
着面積を大きくできる、あるいは、それらの密着力を向
上させることができるため、バンプ電極をマスクに下地
金属層をエッチングする際にサイドエッチングを防止で
き、また、下地金属層の表面を平坦化しているので、バ
ンプ電極形状異常の発生率の低減が可能となる。さら
に、第３の実施形態によれば、下地金属層をエッチング
除去する際にＣＨ３ＣＯＯＨを３５％〜５０％の重量比
で含むエッチング液にて除去するため、バンプ電極自身
をエッチングすることなく下地金属層をサイドエッチン
グの発生を抑制しつつエッチング除去することができ
る。
る半導体装置によれば、バンプ電極と下地金属層との接
着面積を大きくできる、あるいは、それらの密着力を向
上させることができるため、バンプ電極をマスクに下地
金属層をエッチングする際にサイドエッチングを防止で
き、また、下地金属層の表面を平坦化しているので、バ
ンプ電極形状異常の発生率の低減が可能となる。さら
に、第３の実施形態によれば、下地金属層をエッチング
除去する際にＣＨ３ＣＯＯＨを３５％〜５０％の重量比
で含むエッチング液にて除去するため、バンプ電極自身
をエッチングすることなく下地金属層をサイドエッチン
グの発生を抑制しつつエッチング除去することができ
る。
【図１】本発明の第１の実施形態を示す工程図である。
【図２】本発明の第１の実施形態を示す工程図である。
【図３】本発明の第１の実施形態を示す工程図である。
【図４】本発明の第１の実施形態を示す工程図である。
【図５】本発明の第２の実施形態を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施形態を示す工程図である。
【図７】本発明の第３の実施形態を示す工程図である。
【図８】本発明の第３の実施形態を示す工程図である。
１ 半導体基板 ２ 酸化膜 ３ アルミ電極パッド ４ 表面保護膜 ５−ａ 下地金属層 ５−ｂ 下地金属層 ６ 感光性樹脂膜 ７ バンプ電極
Claims (16)
- 【請求項１】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記パッドに対応する位置に開孔部を有するとともに、
導電層との界面において広がり部を有する第２の絶縁層
を前記導電層上に形成する工程と、 前記開孔部に露出している前記導電層の表面をエッチン
グする工程と、 前記導電層を電極として前記開孔部内にメッキ層を形成
する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ層をマスクとして前記導電層を除去する工程
と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項２】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記パッドに対応する位置に開孔部を有するとともに、
前記導電層との界面において広がり部を有する第２の絶
縁層を前記導電層上に形成する工程と、 前記導電層を第１の電極として前記開孔部に露出する前
記導電層の表面を電解除去する工程と、 前記導電層を前記第１の電極とは反対の電極である第２
の電極として前記開孔部内にメッキ層を形成する工程
と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ電極をマスクとして前記導電層を除去する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項３】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記パッドに対応する位置に開孔部を有するとともに、
導電層との界面において広がり部を有する第２の絶縁層
を前記導電層上に形成する工程と、 その後、前記半導体基板を所定時間シアン浴のメッキ液
に浸した後、前記導電層を一方の電極として前記開孔部
内にメッキ層を形成する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ電極をマスクとして前記導電層を除去する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項４】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 前記開孔部に露出している前記導電層の表面をエッチン
グする工程と、 前記導電層を第１の電極として前記開孔部に露出する前
記導電層の表面を電解除去する工程と、 前記導電層を前記第１の電極とは反対の電極である第２
の電極として前記開孔部内にメッキ層を形成する工程
と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ層をマスクとして前記導電層を除去する工程
と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項５】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 前記開孔部に露出している前記導電層の表面をエッチン
グする工程と、 その後、前記半導体基板を所定時間シアン浴のメッキ液
に浸した後、前記導電層を一方の電極として前記開孔部
内にメッキ層を形成する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ電極をマスクとして前記導電層を除去する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項６】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 その後、前記半導体基板を所定時間シアン浴のメッキ液
に浸した後、前記導電層を第１の電極として前記開孔部
に露出する前記導電層の表面を電解除去する工程と、 前記導電層を前記第１の電極とは反対の電極である第２
の電極として前記開孔部内にメッキ層を形成する工程
と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ電極をマスクとして前記導電層を除去する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項７】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前記
第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 その後、前記半導体基板を所定時間シアン浴のメッキ液
に浸した後、前記導電層を一方の電極として前記開孔部
内にメッキ層を形成する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 前記メッキ電極をマスクとして前記導電層を除去する工
程と、 を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 前記メッキ層の形成は、前記導電層を第
１の電極として前記開孔部に露出する前記導電層の表面
を電解除去する工程と、 前記導電層を前記第１の電極とは反対の電極である第２
の電極として前記開孔部内にメッキ層を形成する工程と
からなることを特徴とする請求項１項記載の半導体装置
の製造方法。 - 【請求項９】 前記開孔部に露出する前記導電層の表面
をエッチングまたは電解除去した後で、かつ、前記メッ
キ層を形成する前に、シアン浴のメッキ液中に所定時間
浸すことを特徴とする請求項２または３項記載の半導体
装置の製造方法。 - 【請求項１０】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前
記第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 前記開孔部に露出する前記導電層上にメッキ層を形成す
る工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を用いて前記メッキ層を
マスクとして前記導電層を除去する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１１】 前記混合液において、酢酸は、前記混
合液中に３５〜５０％の重量比で混合されていることを
特徴とする請求項９項記載の半導体装置の製造方法。 - 【請求項１２】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前
記第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記パッドに対応する位置に開孔部を有するとともに、
導電層との界面において広がり部を有する第２の絶縁層
を前記導電層上に形成する工程と、 前記導電層を電極として前記開孔部内にメッキ層を形成
する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を用いて前記メッキ層を
マスクとして前記導電層を除去する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１３】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前
記第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 前記開孔部に露出している前記導電層の表面をエッチン
グする工程と、 前記導電層を電極として前記開孔部内にメッキ層を形成
する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を用いて前記メッキ層を
マスクとして前記導電層を除去する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１４】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前
記第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 前記導電層を第１の電極として前記開孔部に露出する前
記導電層の表面を電解除去する工程と、 前記導電層を前記第１の電極とは反対の電極である第２
の電極として前記開孔部内にメッキ層を形成する工程
と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を用いて前記メッキ層を
マスクとして前記導電層を除去する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１５】 第１の絶縁層を有する半導体基板の前
記第１の絶縁層上に電極パッドを形成する工程と、 前記電極パッドを含む前記絶縁層上に導電層を形成する
工程と、 前記導電層上に開孔部を有する第２の絶縁層を形成する
工程と、 その後、前記半導体基板を所定時間シアン浴のメッキ液
に浸した後、前記導電層を一方の電極として前記開孔部
内にメッキ層を形成する工程と、 前記第２の絶縁層を除去する工程と、 硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を用いて前記メッキ層を
マスクとして前記導電層を除去する工程とを有すること
を特徴とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項１６】 前記メッキ層をマスクとして前記導電
層を除去するに際し、硝酸、硫酸、酢酸を含む混合液を
用いて前記導電層を除去することを特徴とする請求項１
乃至９項に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06896198A JP4045007B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06896198A JP4045007B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11274201A true JPH11274201A (ja) | 1999-10-08 |
| JP4045007B2 JP4045007B2 (ja) | 2008-02-13 |
Family
ID=13388794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06896198A Expired - Fee Related JP4045007B2 (ja) | 1998-03-18 | 1998-03-18 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4045007B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100519893B1 (ko) * | 2001-11-15 | 2005-10-13 | 인피니온 테크놀로지스 아게 | 기판상의 상호접속부 제조 방법 |
| JP2008130799A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Sharp Corp | 半導体発光素子および半導体発光素子の製造方法 |
| JP2014157906A (ja) * | 2013-02-15 | 2014-08-28 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
| CN115274473A (zh) * | 2022-07-15 | 2022-11-01 | 广东越海集成技术有限公司 | 一种晶圆级锡银合金生长的前处理方法 |
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1998
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