JPH1126647A - Optical semiconductor device - Google Patents
Optical semiconductor deviceInfo
- Publication number
- JPH1126647A JPH1126647A JP18089697A JP18089697A JPH1126647A JP H1126647 A JPH1126647 A JP H1126647A JP 18089697 A JP18089697 A JP 18089697A JP 18089697 A JP18089697 A JP 18089697A JP H1126647 A JPH1126647 A JP H1126647A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- wiring
- mold
- semiconductor device
- optical semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- H10W72/0198—
-
- H10W72/536—
-
- H10W72/5363—
-
- H10W72/5522—
-
- H10W72/884—
-
- H10W74/00—
Landscapes
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Injection Moulding Of Plastics Or The Like (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランスファモールド用金型の型締めによる
メッキ配線へのダメージを防止できる光半導体装置を提
供する。
【解決手段】 基板１上の透光性モールド体４に覆われ
る位置に、一対のスルーホール６ａ，６ｂを形成する。
メッキ配線２ａ，２ｂを基板１の表面からスルーホール
６ａ，６ｂを介して基板１の裏面に達するように形成す
る。基板１の凹部１ａのメッキ配線２ａ上に、光学素子
３をダイボンディングして搭載し、金線５にてワイヤボ
ンディングしてメッキ配線２ｂに接続する。光学素子３
の周囲に透光性樹脂を用いて、トランスファモールド成
形にて透光性モールド体４を形成する。
(57) [Problem] To provide an optical semiconductor device capable of preventing damage to plating wiring due to mold clamping of a transfer mold. A pair of through holes (6a, 6b) are formed on a substrate (1) at positions covered by a translucent mold (4).
The plated wirings 2a and 2b are formed so as to reach the back surface of the substrate 1 from the front surface of the substrate 1 through the through holes 6a and 6b. The optical element 3 is mounted by die bonding on the plating wiring 2a in the concave portion 1a of the substrate 1, and is connected to the plating wiring 2b by wire bonding with the gold wire 5. Optical element 3
A light-transmitting molded body 4 is formed by transfer molding using a light-transmitting resin.
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、面実装型の光半導
体装置に関する。The present invention relates to a surface-mount type optical semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来より、上記の面実装型の光半導体装
置としては、例えば、図１４に示すように、基板３１上
に一対のメッキ配線３２ａ，３２ｂが形成され、各メッ
キ配線３２ａ，３２ｂは基板３１の表面から側面を経て
裏面に達している。基板３１の凹部３３に形成された一
方のメッキ配線３２ａ上には発光素子または受光素子
（以下、総称するときは単に「光学素子３４」とい
う。）が搭載され、この光学素子３４は、他方のメッキ
配線３２ｂに接続されている。そして、光学素子３４の
周囲には、透光性樹脂によりモールドされた透光性モー
ルド体３５が形成され、この上部には、光学素子３４の
集光性を高めるためのレンズ３５ａが形成されている。2. Description of the Related Art Conventionally, as a surface mounting type optical semiconductor device, for example, as shown in FIG. 14, a pair of plating wirings 32a and 32b are formed on a substrate 31, and each plating wiring 32a and 32b is formed. Extends from the front surface of the substrate 31 to the rear surface via the side surface. A light emitting element or a light receiving element (hereinafter, simply referred to as "optical element 34") is mounted on one plating wiring 32a formed in the concave portion 33 of the substrate 31, and this optical element 34 is the other. It is connected to the plating wiring 32b. A light-transmitting molded body 35 molded with a light-transmitting resin is formed around the optical element 34, and a lens 35 a for improving the light-collecting property of the optical element 34 is formed on the light-transmitting molded body 35. I have.
【０００３】上記光半導体装置の製造方法を図１５，１
６を参照して簡単に説明すると、まず、多連構成になっ
ている基板３１上に、この光半導体装置を単品化すると
きの側面となる孔３６を複数形成する。次いで、金メッ
キ等が施されたメッキ配線３２ａ，３２ｂを、基板３１
の表面から孔３６を介して基板３１の裏面に達するよう
に形成する。基板３１の凹部３３に形成されたメッキ配
線３２ａに、光学素子３４を導電性樹脂にてダイボンデ
ィングして搭載し、金線３７にてワイヤボンディングし
て、メッキ配線３２ｂと接続する。そして、図１６に示
すように、エポキシ樹脂等の透光性樹脂でトランスファ
モールド成形にて透光性モールド体３５を形成する。基
板３１は、同図に示すように、前後左右に多連となって
いるので、分割ラインＬに沿ってダイシングし、図１４
に示すような単独の光半導体装置とする。A method of manufacturing the above optical semiconductor device is shown in FIGS.
Briefly referring to FIG. 6, first, a plurality of holes 36 serving as side surfaces when the optical semiconductor device is formed as a single product are formed on the substrate 31 having a multiple configuration. Next, the plated wirings 32a and 32b, which have been subjected to gold plating or the like, are
Is formed so as to reach the back surface of the substrate 31 from the front surface of the substrate 31 through the hole 36. The optical element 34 is mounted on the plating wiring 32a formed in the concave portion 33 of the substrate 31 by die bonding with a conductive resin, and is wire-bonded with a gold wire 37 to be connected to the plating wiring 32b. Then, as shown in FIG. 16, a light-transmitting molded body 35 is formed by transfer molding using a light-transmitting resin such as an epoxy resin. As shown in the figure, since the substrate 31 is formed in multiple rows in front, rear, left, and right directions, dicing is performed along the division line L.
A single optical semiconductor device as shown in FIG.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】図１７は、トランスフ
ァモールド成形時の基板およびモールド用金型を示す図
である。通常、トランスファモールド成形する際、基板
３１は金型３８の下型３８ｂの上にセットされ、上方か
ら金型３８の上型３８ａによって押さえ込まれる。そし
て、金型３８のキャビティ３９内に、透光性樹脂を注入
して透光性モールド体３５が形成される。FIG. 17 is a diagram showing a substrate and a molding die during transfer molding. Usually, at the time of transfer molding, the substrate 31 is set on the lower mold 38b of the mold 38 and is pressed from above by the upper mold 38a of the mold 38. Then, a translucent resin is injected into the cavity 39 of the mold 38 to form the translucent mold 35.
【０００５】この型締めの際に、図１７(b) に示すよう
に、金型３８の上型３８ａのキャビティ３９のエッジが
メッキ配線３２ａ，３２ｂに当接し、型締め時の圧力お
よび金型３８の温度等によって、基板３１の表面または
メッキ配線３２ａ，３２ｂに段差を生じさせる場合があ
る（図１７(b) のＣ部参照）。これにより、メッキ配線
３２ａ，３２ｂは大きなダメージを受ける。At the time of this mold clamping, as shown in FIG. 17B, the edge of the cavity 39 of the upper mold 38a of the mold 38 comes into contact with the plating wirings 32a and 32b, and the pressure at the time of mold clamping and the mold Depending on the temperature or the like of 38, a step may be formed on the surface of the substrate 31 or the plated wirings 32a and 32b (see the portion C in FIG. 17B). As a result, the plated wirings 32a and 32b are greatly damaged.
【０００６】そこで、このようなメッキ配線３２ａ，３
２ｂのダメージを軽減するために、型締め時の圧力を低
くすることが考えられる。ところが、型締め時の圧力を
低くすると、透光性樹脂をキャビティ３９内に注入する
際に、透光性樹脂が基板３１と金型３８との隙間から漏
れる場合がある。そして、漏れた透光性樹脂がメッキ配
線３２ａ，３２ｂを覆ってしまい、メッキ配線３２ａ，
３２ｂは電極としての役目を果さなくなることがある。
そのため、大幅な歩留の低下を生じる。Therefore, such plated wirings 32a, 3a
In order to reduce the damage of 2b, it is conceivable to lower the pressure at the time of mold clamping. However, when the pressure at the time of mold clamping is reduced, the translucent resin may leak from the gap between the substrate 31 and the mold 38 when the translucent resin is injected into the cavity 39. Then, the leaked translucent resin covers the plating wirings 32a and 32b, and the plating wirings 32a and 32b
32b may not serve as an electrode in some cases.
For this reason, the yield is significantly reduced.
【０００７】また、この面実装型の光半導体装置をＯＡ
機器等の実装基板に半田付けする際には、メッキ配線３
２ａ，３２ｂに熱ストレスが加わる。これは、基板、メ
ッキ配線および透光性モールド体の各膨張係数が異なる
ために生じるものである。この熱ストレスによって、メ
ッキ配線３２ａ，３２ｂのダメージを受けた部分にさら
にダメージが加わり、接触不良や断線を引き起こす場合
がある。In addition, this surface-mount type optical semiconductor device is OA
When soldering to a mounting board such as equipment, use plating wiring 3
Thermal stress is applied to 2a and 32b. This is because the expansion coefficients of the substrate, the plated wiring, and the translucent mold are different. Due to this thermal stress, the damaged portions of the plated wirings 32a and 32b are further damaged, which may cause poor contact or disconnection.
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑み、モールド用
金型の型締めによるメッキ配線へのダメージを防止でき
る光半導体装置およびその製造方法の提供を目的とす
る。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above problems, an object of the present invention is to provide an optical semiconductor device capable of preventing damage to plated wiring due to clamping of a mold and a method of manufacturing the same.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明による課題解決手
段は、基板と、基板上に形成された配線と、配線上に搭
載された光学素子と、光学素子および配線の一部をモー
ルドしてなる透光性モールド体とを備えた光半導体装置
において、配線は、透光性モールド体の基板上の周縁部
分を回避して形成されたものである。Means for solving the problems according to the present invention is to form a substrate, wiring formed on the substrate, an optical element mounted on the wiring, and a part of the optical element and the wiring by molding. In the optical semiconductor device including the light-transmitting molded body, the wiring is formed so as to avoid the peripheral portion of the light-transmitting molded body on the substrate.
【００１０】あるいは、配線は、透光性モールド体に覆
われた内部配線と、透光性モールド体の外部に露出した
端子用外部配線と、透光性モールド体の基板上の周縁部
分を回避するように形成され内部配線および端子用外部
配線をつなぐ中間配線とからなり、中間配線は立体配線
とされたものである。[0010] Alternatively, the wiring avoids the internal wiring covered with the translucent mold, the external wiring for the terminal exposed outside the translucent mold, and the peripheral portion of the translucent mold on the substrate. And an intermediate wiring connecting the internal wiring and the external wiring for the terminal. The intermediate wiring is a three-dimensional wiring.
【００１１】具体的には、基板上の透光性モールド体に
覆われた位置に、基板の表面から裏面に達するスルーホ
ールが設けられ、スルーホール内に配線が形成されたも
のである。この場合、スルーホールの数は、配線の数以
上であればよい。また、基板の透光性モールド体の周縁
部分に対向する領域に、凹部が形成され、凹部に配線が
形成されていてもよい。More specifically, a through hole extending from the front surface to the back surface of the substrate is provided at a position on the substrate which is covered with the translucent mold body, and wiring is formed in the through hole. In this case, the number of through holes may be equal to or more than the number of wirings. Further, a concave portion may be formed in a region of the substrate facing the peripheral portion of the light-transmitting mold body, and a wiring may be formed in the concave portion.
【００１２】これらの構成によれば、モールド用金型の
キャビティのエッジは、基板上の配線に接しなくなる。
そのため、トランスファモールド成形時に金型で基板を
型締めしても、配線にダメージを与えることがない。According to these configurations, the edge of the cavity of the mold does not come into contact with the wiring on the substrate.
Therefore, even if the substrate is clamped with a mold during transfer molding, the wiring is not damaged.
【００１３】また、本発明の光結合装置の製造方法は、
基板にスルーホールを形成し、基板の表面から裏面に達
するようにスルーホール内および基板上に、モールド用
金型のキャビティのエッジを回避するように配線を形成
し、光学素子を配線上に搭載し、金型で基板を挟んで型
締めし、金型のキャビティ内に透光性モールド材を注入
して光学素子をモールドする方法である。Further, the method for manufacturing an optical coupling device according to the present invention comprises:
Form a through hole in the substrate, form wiring in the through hole so as to reach from the top surface to the back surface of the substrate and on the substrate so as to avoid the edge of the cavity of the mold, and mount the optical element on the wiring Then, the substrate is clamped with a mold, and a light-transmissive molding material is injected into the cavity of the mold to mold the optical element.
【００１４】また、光学素子をモールドする方法として
は、基板の裏面に形成された透光性モールド材注入用の
ランナーから基板の表面に達する貫通孔を介して、金型
のキャビティ内に透光性モールド材を注入して光学素子
をモールドするようにしてもよい。As a method of molding an optical element, a light-transmitting light is introduced into a mold cavity through a through-hole extending from a light-transmitting mold material injection runner formed on the back surface of the substrate to the surface of the substrate. The optical element may be molded by injecting a conductive mold material.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings.
【００１６】図１は、本発明の一実施形態に係る光半導
体装置を示す図、図２，３は、この光半導体装置の製造
過程における光半導体装置を示す図である。同図を参照
して、この面実装型の光半導体装置は、立体基板１と、
その基板１上に形成されたメッキ配線２ａ，２ｂ（以
下、総称するときは「メッキ配線２」という。）と、メ
ッキ配線２ａ上に搭載された光学素子３と、光学素子３
およびメッキ配線２の一部をモールドしてなる透光性モ
ールド樹脂体４とを有している。FIG. 1 is a diagram showing an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the optical semiconductor device in the process of manufacturing the optical semiconductor device. Referring to FIG. 1, this surface-mount type optical semiconductor device includes a three-dimensional substrate 1,
Plating wirings 2a and 2b (hereinafter collectively referred to as “plating wiring 2”) formed on the substrate 1, an optical element 3 mounted on the plating wiring 2a, and an optical element 3
And a translucent molded resin body 4 obtained by molding a part of the plated wiring 2.
【００１７】基板１は、例えば、液晶ポリマー等の樹脂
材料を射出成形することによって、あるいはガラスエポ
キシを掘削加工することによって形成されている。基板
１の表面側には、光学素子３搭載用の凹部１ａが設けら
れている。The substrate 1 is formed, for example, by injection molding a resin material such as a liquid crystal polymer or by excavating glass epoxy. On the front side of the substrate 1, a concave portion 1a for mounting the optical element 3 is provided.
【００１８】光学素子３の周囲は、トランスファモール
ド成形により透光性樹脂でモールドされた透光性モール
ド体４により覆われている。透光性モールド体４の上部
は、光学素子３の集光性を高めるためのレンズ４ａとさ
れている。The periphery of the optical element 3 is covered with a translucent molded body 4 molded with a translucent resin by transfer molding. The upper part of the translucent mold body 4 is a lens 4 a for improving the light collecting property of the optical element 3.
【００１９】そして、基板１上の透光性モールド体４に
覆われた位置に、基板１の表面から裏面に達する２つの
スルーホール６ａ，６ｂ（以下、総称するときは「スル
ーホール６」という。）が設けられている。Two through-holes 6a and 6b (hereinafter, collectively referred to as "through-holes 6") extending from the front surface to the rear surface of the substrate 1 are provided on the substrate 1 at positions covered by the translucent mold body 4. .) Is provided.
【００２０】メッキ配線２は、電解メッキまたは無電解
メッキにより一対形成されている。一方のメッキ配線２
ａは、凹部１ａの内面から表面のスルーホール６ａに達
する内部配線と、スルーホール６ａ内を表面から裏面に
達する中間配線と、裏面から孔７を介して透光性モール
ド樹脂体４の外部に位置する表面に至る外部配線とから
なる。内部配線は、透光性モールド樹脂体４に覆われ、
外部配線は、透光性モールド樹脂体４の外部に露出する
ことにより、メッキ配線２ａは、透光性モールド樹脂体
４の周縁部分を回避して形成される。他方のメッキ配線
２ｂも同様である。なお、凹部１ａ内面をメッキするこ
とにより反射面となり、集光性がよくなる。The plated wirings 2 are formed as a pair by electrolytic plating or electroless plating. One plating wiring 2
a is an internal wiring extending from the inner surface of the recess 1a to the through hole 6a on the front surface, an intermediate wiring extending from the front surface to the rear surface in the through hole 6a, And external wiring to the surface on which it is located. The internal wiring is covered with the translucent mold resin body 4,
The external wiring is exposed outside the translucent mold resin body 4, so that the plated wiring 2 a is formed avoiding the peripheral portion of the translucent mold resin body 4. The same applies to the other plating wiring 2b. The inner surface of the concave portion 1a becomes a reflective surface by plating, so that the light collecting property is improved.
【００２１】このように、メッキ配線２が２つのスルー
ホール６を介して基板１の表面から裏面に導かれること
により、メッキ配線２は、透光性モールド体４の基板１
上の周縁部分に接しなくなる（図１のＡ部参照）。すな
わち、トランスファモールド成形される際に、モールド
用金型のキャビティのエッジがメッキ配線２に当接しな
くなる。これにより、メッキ配線２は金型からダメージ
を受けることがなくなり、メッキ配線２の接触不良や断
線等の不具合を生じさせることがなくなる。As described above, the plating wiring 2 is guided from the front surface to the rear surface of the substrate 1 through the two through holes 6, so that the plating wiring 2 is formed on the substrate 1 of the translucent mold 4.
It does not come into contact with the upper peripheral portion (see the portion A in FIG. 1). That is, the edge of the cavity of the molding die does not contact the plated wiring 2 during transfer molding. As a result, the plated wiring 2 is not damaged by the metal mold, and the plated wiring 2 is not damaged by contact failure or disconnection.
【００２２】また、金型のエッジがメッキ配線２に接し
ないことから、金型の型締めの圧力を十分かけることが
できる。そのため、基板１と金型との隙間からの透光性
樹脂の漏れを防止することができるので、漏れた樹脂に
よるメッキ配線２上での樹脂バリの発生を抑えることが
でき、この光半導体装置を面実装する際の半田付け不良
をなくすことができる。したがって、トランスファモー
ルド成形の際には金型の型締め圧力に左右されないの
で、広い条件下のもとでモールドでき、ひいては光半導
体装置の生産における歩留を高めることができる。Further, since the edge of the mold does not come into contact with the plating wiring 2, a sufficient pressure for clamping the mold can be applied. Therefore, leakage of the translucent resin from the gap between the substrate 1 and the mold can be prevented, so that the occurrence of resin burrs on the plating wiring 2 due to the leaked resin can be suppressed. The soldering failure at the time of surface mounting can be eliminated. Therefore, the transfer molding is not affected by the clamping pressure of the mold, so that the molding can be performed under a wide range of conditions, and the yield in the production of the optical semiconductor device can be increased.
【００２３】次に、この光半導体装置の製造方法を図２
〜５を参照して説明する。なお、図２，３は、前後左右
に多連構成となっている光半導体装置を示す。まず、基
板１上に、この光半導体装置を単品化したときの側面と
なる孔７を複数形成する。また、基板１上の透光性モー
ルド体４に覆われる位置に、一対のスルーホール６ａ，
６ｂを複数形成する。次いで、メッキ配線２を基板１の
表面からスルーホール６を介して基板１の裏面に達する
ように形成する。基板１表面の凹部１ａに、光学素子３
を導電性樹脂にてダイボンディングして搭載し、金線５
にてワイヤボンディングすることによりメッキ配線２ｂ
と接続する。そして、図３に示すように、光学素子３の
周囲に熱硬化性エポキシ樹脂等の透光性樹脂を用いて、
トランスファモールド成形にて透光性モールド体４を形
成する。Next, a method of manufacturing this optical semiconductor device will be described with reference to FIG.
This will be described with reference to FIGS. FIGS. 2 and 3 show an optical semiconductor device having a multiple configuration in front, rear, left and right. First, a plurality of holes 7 serving as side surfaces of the optical semiconductor device as a single product are formed on the substrate 1. A pair of through holes 6a,
6b are formed. Next, the plated wiring 2 is formed so as to reach the back surface of the substrate 1 from the front surface of the substrate 1 via the through hole 6. The optical element 3 is provided in the concave portion 1a on the surface of the substrate 1.
Is mounted by die bonding with conductive resin, and gold wire 5
Wiring 2b by wire bonding
Connect with Then, as shown in FIG. 3, by using a translucent resin such as a thermosetting epoxy resin around the optical element 3,
The translucent mold body 4 is formed by transfer molding.
【００２４】図４は、トランスファモールド成形時の基
板１およびモールド用金型９を示す図である。図４(a)
に示すように、金型９の下型９ｂの上にセットされた基
板１は、上方から金型９の上型９ａに押さえ込まれ型締
めされる。このとき、基板１の金型９との当接部分は、
金型９のキャビティ１０のエッジによって、型締めの圧
力および金型９の温度による熱のために多少段差を生じ
る（図４(b) のＣ部参照）。しかし、メッキ配線２は、
基板１上の金型９のキャビティ１０のエッジに当接しな
いように形成されているので、メッキ配線２にダメージ
が加わることはない。FIG. 4 is a diagram showing the substrate 1 and the mold 9 during transfer molding. Fig. 4 (a)
As shown in (1), the substrate 1 set on the lower mold 9b of the mold 9 is pressed from above into the upper mold 9a of the mold 9 and clamped. At this time, the contact portion of the substrate 1 with the mold 9 is
Due to the edge of the cavity 10 of the mold 9, a slight level difference occurs due to the heat generated by the pressure of the mold clamping and the temperature of the mold 9 (see the portion C in FIG. 4B). However, the plating wiring 2
Since it is formed so as not to contact the edge of the cavity 10 of the mold 9 on the substrate 1, the plating wiring 2 is not damaged.
【００２５】透光性樹脂の注入方法としては、例えば、
図５に示すように、基板１上の各メッキ配線２の間の位
置に形成されたランナー１１と、ランナー１１から分岐
したゲート１２により透光性樹脂が注入される。基板１
は、図３に示すように前後左右に多連となっているの
で、その後、分割ラインＬに沿ってダイシングし、図１
に示すような単品の光半導体装置となる。As a method for injecting a light-transmitting resin, for example,
As shown in FIG. 5, a translucent resin is injected by a runner 11 formed at a position between the plated wires 2 on the substrate 1 and a gate 12 branched from the runner 11. Substrate 1
Is cascaded in front, rear, left and right as shown in FIG.
A single optical semiconductor device as shown in FIG.
【００２６】ところで、上記光半導体装置におけるスル
ーホール６の数は、メッキ配線２の数と同じ数である
が、メッキ配線２の数に応じてスルーホール６の数を増
減させてもよい。例えば、１つの光学素子３にドライブ
回路（トランジスタ等）やアンプ回路／演算回路が付加
されて１パッケージ化される場合には、それらのメッキ
配線（電極）の数に応じてスルーホールの数を増やすよ
うにすればよい。The number of the through holes 6 in the optical semiconductor device is the same as the number of the plated wires 2. However, the number of the through holes 6 may be increased or decreased according to the number of the plated wires 2. For example, when a drive circuit (a transistor or the like) or an amplifier circuit / arithmetic circuit is added to one optical element 3 to form one package, the number of through holes is reduced according to the number of the plated wirings (electrodes). You should increase it.
【００２７】図６は、１つの光学素子３に対して３つの
メッキ配線２ａ，２ｂ，２ｃが備わった場合の光半導体
装置の平面図である。同図によれば、例えば、ＯＰＩＣ
（Optoelectronic Integrated Circuit）を有する光学
素子３の電極がＧＮＤ，ＶCC，ＶOUTの３電極となった
場合、３つのスルーホール６ａ，６ｂ，６ｃが形成され
ることになる。FIG. 6 is a plan view of an optical semiconductor device in a case where one optical element 3 is provided with three plating wirings 2a, 2b, 2c. According to FIG.
When the electrodes of the optical element 3 having (Optoelectronic Integrated Circuit) are three electrodes of GND, Vcc , and VOUT , three through holes 6a, 6b, and 6c are formed.
【００２８】また、図７に示すように、光学素子３を搭
載したメッキ配線２ａが対角方向に延びている場合は、
メッキ配線２ａの両端部でスルーホール６ａ，６ｂを形
成するようにすればよい。この場合、スルーホール６
ａ，６ｂの数はメッキ配線２ａの数より多くなる。ま
た、１つのスルーホール内に複数のメッキ配線を形成す
るようにしてもよい。As shown in FIG. 7, when the plated wiring 2a on which the optical element 3 is mounted extends diagonally,
The through holes 6a and 6b may be formed at both ends of the plated wiring 2a. In this case, the through hole 6
The numbers of a and 6b are larger than the number of plated wirings 2a. Further, a plurality of plated wirings may be formed in one through hole.
【００２９】図８は、本発明に係る光半導体装置の変形
例を示す図である。この光半導体装置の特徴は、金型９
のキャビティ１０のエッジに対向する基板１の領域に凹
部１３を設けた点にある。これにより、メッキ配線２
は、金型９のキャビティ１０のエッジに接しなくなる。
そのため、それによるダメージが無くなるので、メッキ
配線２の接触不良や断線等を防止することができる。な
お、メッキ配線２は、凹部１３に沿って形成すればよい
ので、図１に示すようなスルーホール６を形成する必要
がなくなり、製造コストの低減化が図れる。FIG. 8 is a view showing a modification of the optical semiconductor device according to the present invention. The feature of this optical semiconductor device is that the mold 9
Is provided in the region of the substrate 1 facing the edge of the cavity 10 of FIG. Thereby, the plating wiring 2
Is not in contact with the edge of the cavity 10 of the mold 9.
Therefore, damage due to this is eliminated, and poor contact and disconnection of the plated wiring 2 can be prevented. Since the plated wiring 2 may be formed along the concave portion 13, it is not necessary to form the through hole 6 as shown in FIG. 1, and the manufacturing cost can be reduced.
【００３０】図９〜１１は、本発明に係る光半導体装置
の他の製造方法を示す図である。この製造方法による光
半導体装置は、図９に示すように、基板１の裏面に透光
性樹脂注入用のランナー２１が形成され、このランナー
２１から基板１表面へ貫通するように貫通孔２２が形成
されている。このランナー２１および貫通孔２２を通し
て、トランスファモールド成形時に金型９のキャビティ
１０に透光性樹脂が注入される。9 to 11 are views showing another method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention. In the optical semiconductor device according to this manufacturing method, as shown in FIG. Is formed. A translucent resin is injected into the cavity 10 of the mold 9 during the transfer molding through the runner 21 and the through hole 22.
【００３１】従来では、金型の下型に透光性樹脂材注入
用のランナーが設けられ、このランナーを介して透光性
樹脂を注入していたが、基板１側にランナー２１を形成
することにより、金型の下型の基板１との当接面を完全
にフラットにすることができる。そのため、トランスフ
ァモールド成型時に基板１を挟み込む際に、メッキ配線
２に損傷を及ぼすことがない。Conventionally, a runner for injecting a translucent resin material is provided in the lower die of the mold, and the translucent resin is injected through the runner. However, a runner 21 is formed on the substrate 1 side. Thereby, the contact surface of the mold with the lower mold substrate 1 can be made completely flat. Therefore, when the substrate 1 is sandwiched during the transfer molding, the plating wiring 2 is not damaged.
【００３２】図１０，１１を参照して、この光半導体装
置の製造方法を具体的に説明すると、まず、ランナー２
１が形成されている基板１上に、この光半導体装置を単
品化したときの側面となる孔７を複数形成する。また、
基板１上の透光性モールド体４に覆われる位置に、一対
のスルーホール６を複数形成する。次いで、ランナー２
１の頂部から基板１の表面に達する貫通孔２２を形成す
る。Referring to FIGS. 10 and 11, the method of manufacturing the optical semiconductor device will be specifically described.
On the substrate 1 on which the optical semiconductor device 1 is formed, a plurality of holes 7 serving as side surfaces when the optical semiconductor device is formed as a single product are formed. Also,
A plurality of pairs of through holes 6 are formed on the substrate 1 at positions covered by the translucent mold body 4. Next, runner 2
A through hole 22 reaching the surface of the substrate 1 from the top of the substrate 1 is formed.
【００３３】次に、メッキ配線２ａ，２ｂをそれらが複
数のスルーホール６ａ，６ｂを介して、基板１の裏面に
達するように形成する。なお、貫通孔２２は、メッキ配
線２ａ，２ｂが施された後で形成してもよい。次いで、
基板１の表面の凹部１ａに、光学素子３を導電性樹脂に
てダイボンディングして搭載し、金線５にてワイヤボン
ディングしメッキ配線２ｂに接続する。その後、金型９
のキャビティ１０に透光性樹脂を注入し透光性モールド
体４を形成する。この透光性樹脂の注入は、ランナー２
１から貫通孔２２を介して行われる。そして、図１１に
示すように、分割ラインＬに沿ってダイシングし、図９
に示すような単品の光半導体装置とする。Next, plated wirings 2a and 2b are formed so as to reach the back surface of substrate 1 through a plurality of through holes 6a and 6b. The through holes 22 may be formed after the plating wirings 2a and 2b have been formed. Then
The optical element 3 is mounted on the concave portion 1a on the surface of the substrate 1 by die bonding with a conductive resin, and is wire-bonded with the gold wire 5 and connected to the plating wiring 2b. Then, mold 9
A translucent resin is injected into the cavity 10 to form the translucent mold 4. The injection of the translucent resin is performed by the runner 2
1 through a through hole 22. Then, as shown in FIG. 11, dicing is performed along the division line L, and FIG.
A single optical semiconductor device as shown in FIG.
【００３４】また、透光性樹脂を注入する方法として
は、図１２に示すように、金型９の下型９ｂに透光性樹
脂注入用の金型側ランナー２３をそのエッジがメッキ配
線２と接しないように形成し、基板１に裏面から表面に
達する貫通孔２４を設けるようにしてもよい。そして、
透光性樹脂を金型側ランナー２３から貫通孔２４を介し
て金型９のキャビティ１０内に注入する。As a method of injecting the translucent resin, as shown in FIG. 12, a mold-side runner 23 for injecting the translucent resin is placed on the lower mold 9b of the mold 9, and the edge of the runner 23 is plated wiring 2 as shown in FIG. May be formed so as not to be in contact with the substrate 1, and the substrate 1 may be provided with a through hole 24 extending from the back surface to the front surface. And
The translucent resin is injected into the cavity 10 of the mold 9 from the mold side runner 23 through the through hole 24.
【００３５】さらには、図１３に示すように、金型９の
下型９ｂに透光性樹脂注入用の金型側ランナー２５を設
け、そのエッジがスルーホール６の開口位置と一致する
ように金型側ランナー２５の形状を規定してもよい。こ
のようにすれば、透光性樹脂を金型側ランナー２５から
スルーホール６を介してキャビティ１０内に注入するこ
とができるので、図１２に示す貫通孔２４を形成する必
要がなくなり、製造コストを低減することができる。Further, as shown in FIG. 13, a lower mold 9b of the mold 9 is provided with a mold-side runner 25 for injecting a light-transmitting resin, and the edge thereof is aligned with the opening position of the through hole 6. The shape of the mold side runner 25 may be defined. In this way, the translucent resin can be injected into the cavity 10 from the mold-side runner 25 through the through-hole 6, so that it is not necessary to form the through-hole 24 shown in FIG. Can be reduced.
【００３６】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
るものではなく、本発明の範囲内で上記実施形態に多く
の修正および変更を加え得ることができる。The present invention is not limited to the above embodiment, and many modifications and changes can be made to the above embodiment within the scope of the present invention.
【００３７】[0037]
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、基板
上に形成される配線を透光性モールド体の基板上の周縁
部分を回避して形成することにより、モールド用金型に
よる配線のダメージをなくすことができるので、メッキ
配線の接触不良や断線を防止でき、高信頼性を有する光
半導体装置を提供することができる。As described above, according to the present invention, the wiring formed on the substrate is formed avoiding the peripheral portion on the substrate of the light-transmitting molded body, so that the wiring by the molding die is achieved. Therefore, it is possible to prevent contact failure and disconnection of the plated wiring, and to provide an optical semiconductor device having high reliability.
【００３８】また、金型のエッジが配線に接しないこと
から、金型の型締めの圧力を十分かけることができるの
で、基板と金型との隙間からの透光性樹脂の漏れを防止
することができ、この光半導体装置を面実装する際の半
田付け不良をなくすことができる。したがって、モール
ド成形の際には金型の型締め圧力に左右されないので、
広い条件下のもとでモールドでき、ひいては光半導体装
置の生産における歩留をよくすることができる。Further, since the edge of the mold does not come into contact with the wiring, it is possible to apply a sufficient pressure for clamping the mold, thereby preventing leakage of the translucent resin from the gap between the substrate and the mold. Thus, it is possible to eliminate soldering defects when the optical semiconductor device is surface-mounted. Therefore, at the time of molding, it is not affected by the mold clamping pressure of the mold,
Molding can be performed under a wide range of conditions, and the yield in the production of optical semiconductor devices can be improved.
【図１】本発明の一実施形態に係る光半導体装置を示
し、(a) は底面図、(b) は平面図、(c) は側面図、(d)
は断面図FIG. 1 shows an optical semiconductor device according to an embodiment of the present invention, wherein (a) is a bottom view, (b) is a plan view, (c) is a side view, and (d)
Is a sectional view
【図２】同じくメッキ配線を施したときの光半導体装置
を示し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図FIGS. 2A and 2B show an optical semiconductor device when plated wiring is similarly provided, wherein FIG. 2A is a plan view and FIG. 2B is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図３】同じくモールドしたときの光半導体装置を示
し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図FIGS. 3A and 3B show the optical semiconductor device when molded similarly, wherein FIG. 3A is a plan view and FIG. 3B is a cross-sectional view taken along line BB of FIG.
【図４】同じくトランスファモールド成形の際の基板と
金型とを示す図FIG. 4 is a view showing a substrate and a mold during transfer molding.
【図５】多連構成の光半導体装置の平面図FIG. 5 is a plan view of an optical semiconductor device having a multiple configuration.
【図６】３つのメッキ配線を有する光半導体装置を示
し、(a) は平面図、(b) は底面図6A and 6B show an optical semiconductor device having three plated wirings, wherein FIG. 6A is a plan view and FIG. 6B is a bottom view.
【図７】対角に形成されたメッキ配線を有するモールド
前の光半導体装置の斜視図FIG. 7 is a perspective view of an optical semiconductor device before molding having plated wiring formed diagonally.
【図８】光半導体装置の変形例を示す図FIG. 8 is a diagram showing a modification of the optical semiconductor device.
【図９】他の製造方法による光半導体装置を示し、(a)
は底面図、(b) は平面図、(c)は側面図、(d) は断面図FIG. 9 shows an optical semiconductor device according to another manufacturing method, and (a)
Is a bottom view, (b) is a plan view, (c) is a side view, and (d) is a cross-sectional view.
【図１０】同じく製造過程における光半導体装置を示
し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図10A and 10B show an optical semiconductor device in the same manufacturing process, wherein FIG. 10A is a plan view and FIG. 10B is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG.
【図１１】同じく製造過程における光半導体装置を示
し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図11 (a) is a plan view, and FIG. 11 (b) is a sectional view taken along the line BB of FIG. 11 (a).
【図１２】透光性樹脂の注入方法を示す図FIG. 12 is a diagram showing a method of injecting a translucent resin.
【図１３】透光性樹脂の注入方法を示す図FIG. 13 is a diagram showing a method of injecting a translucent resin.
【図１４】従来の光半導体装置を示し、(a) は底面図、
(b) は平面図、(c) は側面図、(d) は断面図14A and 14B show a conventional optical semiconductor device, wherein FIG.
(b) is a plan view, (c) is a side view, and (d) is a cross-sectional view.
【図１５】同じくメッキ配線を施したときの光半導体装
置を示し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図15A and 15B show an optical semiconductor device when plated wiring is similarly provided, wherein FIG. 15A is a plan view and FIG. 15B is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図１６】同じくモールドしたときの光半導体装置を示
し、(a) は平面図、(b) は(a) のＢ−Ｂ断面図16 (a) is a plan view, and FIG. 16 (b) is a cross-sectional view taken along the line BB of FIG. 16 (a).
【図１７】同じくトランスファモールド成形の際の基板
と金型とを示す図FIG. 17 is a view showing a substrate and a mold during transfer molding.
１ 基板 ２ メッキ配線 ３ 光学素子 ４ 透光性モールド体 ６ スルーホール ９ 金型 １０ キャビティ １３ 凹部 ２１ ランナー ２２ 貫通孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Plating wiring 3 Optical element 4 Translucent molded body 6 Through hole 9 Die 10 Cavity 13 Depression 21 Runner 22 Through hole
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/31 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｆ 33/00 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code FI H01L 23/31 H01L 23/30 F 33/00
Claims (7)
該配線上に搭載された光学素子と、該光学素子および配
線の一部をモールドしてなる透光性モールド体とを備え
た光半導体装置において、前記配線は、前記透光性モー
ルド体の基板上の周縁部分を回避して形成されたことを
特徴とする光半導体装置。A substrate, wiring formed on the substrate,
In an optical semiconductor device comprising an optical element mounted on the wiring and a light-transmitting molded body obtained by molding a part of the optical element and the wiring, the wiring is a substrate of the light-transmitting molded body. An optical semiconductor device formed avoiding an upper peripheral portion.
該配線上に搭載された光学素子と、該光学素子および配
線の一部をモールドしてなる透光性モールド体とを備え
た光半導体装置において、前記配線は、前記透光性モー
ルド体に覆われた内部配線と、前記透光性モールド体の
外部に露出した端子用外部配線と、前記透光性モールド
体の基板上の周縁部分を回避するように形成され前記内
部配線および端子用外部配線をつなぐ中間配線とからな
り、該中間配線は立体配線とされたことを特徴とする光
半導体装置。2. A substrate, and wiring formed on the substrate,
In an optical semiconductor device comprising an optical element mounted on the wiring and a light-transmitting molded body obtained by molding a part of the optical element and the wiring, the wiring is covered by the light-transmitting molded body. Internal wiring, a terminal external wiring exposed outside the light-transmitting molded body, and the internal wiring and the terminal external wiring formed so as to avoid a peripheral portion of the light-transmitting molded body on the substrate. An optical semiconductor device, comprising an intermediate wiring connecting the two, and the intermediate wiring being a three-dimensional wiring.
た位置に、前記基板の表面から裏面に達するスルーホー
ルが設けられ、該スルーホール内に前記配線が形成され
たことを特徴とする請求項１または２記載の光半導体装
置。3. A through hole extending from a front surface of the substrate to a back surface of the substrate at a position covered by the translucent mold body, wherein the wiring is formed in the through hole. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein:
以上であることを特徴とする請求項３記載の光半導体装
置。4. The optical semiconductor device according to claim 3, wherein the number of the through holes is equal to or larger than the number of the wirings.
に対向する領域に、凹部が形成され、該凹部に前記配線
が形成されたことを特徴とする請求項１または２記載の
光半導体装置。5. The optical semiconductor according to claim 1, wherein a concave portion is formed in a region of the substrate facing a peripheral portion of the light-transmitting molded body, and the wiring is formed in the concave portion. apparatus.
面から裏面に達するように前記スルーホール内および基
板上に、モールド用金型のキャビティのエッジを回避す
るように配線を形成し、光学素子を配線上に搭載し、前
記金型で前記基板を挟んで型締めし、前記金型のキャビ
ティ内に透光性モールド材を注入して前記光学素子をモ
ールドすることを特徴とする光半導体装置の製造方法。6. A through hole is formed in the substrate, and wiring is formed in the through hole and on the substrate so as to reach from the front surface to the back surface of the substrate so as to avoid an edge of a cavity of a molding die. An optical semiconductor, comprising mounting an element on a wiring, clamping the substrate with the mold, clamping the substrate, injecting a translucent molding material into a cavity of the mold to mold the optical element. Device manufacturing method.
面から裏面に達するように前記スルーホール内および基
板上に、モールド用金型のキャビティのエッジを回避す
るように配線を形成し、光学素子を配線上に搭載し、前
記金型で前記基板を挟んで型締めし、前記基板の裏面に
形成された透光性モールド材注入用のランナーから前記
基板の表面に達する貫通孔を介して前記金型のキャビテ
ィ内に透光性モールド材を注入して前記光学素子をモー
ルドすることを特徴とする光半導体装置の製造方法。7. A through-hole is formed in the substrate, and wiring is formed in the through-hole and on the substrate so as to reach from the front surface to the back surface of the substrate so as to avoid the edge of the cavity of the molding die. The element is mounted on the wiring, the substrate is clamped by the mold and the mold is clamped, and a through hole reaching the surface of the substrate from a runner for light-transmissive molding material injection formed on the back surface of the substrate. A method for manufacturing an optical semiconductor device, comprising: injecting a translucent molding material into a cavity of the mold to mold the optical element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18089697A JP3432113B2 (en) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Optical semiconductor device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18089697A JP3432113B2 (en) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Optical semiconductor device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1126647A true JPH1126647A (en) | 1999-01-29 |
| JP3432113B2 JP3432113B2 (en) | 2003-08-04 |
Family
ID=16091223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18089697A Expired - Fee Related JP3432113B2 (en) | 1997-07-07 | 1997-07-07 | Optical semiconductor device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3432113B2 (en) |
Cited By (29)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064226A (en) * | 2000-06-28 | 2002-02-28 | Agilent Technol Inc | Light source |
| JP2002222997A (en) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2002222998A (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | Optical semiconductor device |
| JP2002252376A (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2003083708A (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Nec Corp | Fingerprint sensor, fingerprint sensor mounting structure, and fingerprint detector provided with the fingerprint sensor |
| JP2004014857A (en) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | Chip type optical semiconductor device |
| WO2004042833A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| WO2004082034A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Semiconductor device |
| JP2006108216A (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Hitachi Aic Inc | LED device |
| JP2007142479A (en) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device |
| JP2007242792A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Light emitting diode |
| JP2008041923A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emitting device |
| JP2008047851A (en) * | 2006-07-18 | 2008-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | Linear light-emitting device and planar light-emitting device using the same |
| WO2008054670A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for leds and related assemblies |
| JP2008159659A (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | Light-emitting device and display unit |
| JP2009088520A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Method for manufacturing light emitting device package |
| WO2009097942A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Hymite A/S | Optoelectronic device submount |
| JP2010504626A (en) * | 2006-09-20 | 2010-02-12 | 株式会社ニコン | Manufacturing method of optical element and resin-sealed light emitting element, and product obtained thereby |
| JP2010182770A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Apic Yamada Corp | Led package, method of manufacturing the same and mold |
| JP2010258483A (en) * | 2010-08-19 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| KR101034114B1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device and manufacturing method |
| JP2011129876A (en) * | 2009-11-17 | 2011-06-30 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device, and method for manufacturing the same |
| JP2012235147A (en) * | 2006-06-09 | 2012-11-29 | Lg Electronics Inc | Light emitter package module |
| CN104134635A (en) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 阿尔卑斯电气株式会社 | Resin sealing element and manufacturing method of the same |
| WO2018216674A1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 市光工業株式会社 | Light emitting device and lighting fixture for vehicles |
| JP2020092149A (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2020092150A (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP7058813B1 (en) * | 2021-08-25 | 2022-04-22 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| JP2023518712A (en) * | 2020-03-17 | 2023-05-08 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Lighting module and lighting device provided with the same |
-
1997
- 1997-07-07 JP JP18089697A patent/JP3432113B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002064226A (en) * | 2000-06-28 | 2002-02-28 | Agilent Technol Inc | Light source |
| JP2002222997A (en) * | 2001-01-25 | 2002-08-09 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2002222998A (en) * | 2001-01-29 | 2002-08-09 | Nichia Chem Ind Ltd | Optical semiconductor device |
| JP2002252376A (en) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Seiwa Electric Mfg Co Ltd | Surface mount type light emitting diode and method of manufacturing the same |
| JP2003083708A (en) * | 2001-09-10 | 2003-03-19 | Nec Corp | Fingerprint sensor, fingerprint sensor mounting structure, and fingerprint detector provided with the fingerprint sensor |
| JP2004014857A (en) * | 2002-06-07 | 2004-01-15 | Stanley Electric Co Ltd | Chip type optical semiconductor device |
| CN100356591C (en) * | 2002-11-05 | 2007-12-19 | 松下电器产业株式会社 | A light-emitting diode |
| WO2004042833A1 (en) * | 2002-11-05 | 2004-05-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| US7347603B2 (en) | 2002-11-05 | 2008-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Light-emitting diode |
| US7420223B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| JPWO2004082034A1 (en) * | 2003-03-14 | 2006-06-15 | 住友電気工業株式会社 | Semiconductor device |
| JP2007142479A (en) * | 2003-03-14 | 2007-06-07 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Semiconductor device |
| WO2004082034A1 (en) * | 2003-03-14 | 2004-09-23 | Sumitomo Electric Industries Ltd. | Semiconductor device |
| KR101007164B1 (en) * | 2003-03-14 | 2011-01-12 | 스미토모 덴키 고교 가부시키가이샤 | Semiconductor devices |
| US7335925B2 (en) | 2003-03-14 | 2008-02-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| US7504671B2 (en) | 2003-03-14 | 2009-03-17 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor device |
| CN100420048C (en) * | 2003-03-14 | 2008-09-17 | 住友电气工业株式会社 | Semiconductor device |
| JP2006108216A (en) * | 2004-10-01 | 2006-04-20 | Hitachi Aic Inc | LED device |
| JP2007242792A (en) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Avago Technologies Ecbu Ip (Singapore) Pte Ltd | Light emitting diode |
| JP2012235147A (en) * | 2006-06-09 | 2012-11-29 | Lg Electronics Inc | Light emitter package module |
| JP2008047851A (en) * | 2006-07-18 | 2008-02-28 | Nichia Chem Ind Ltd | Linear light-emitting device and planar light-emitting device using the same |
| JP2008041923A (en) * | 2006-08-07 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Light emitting device |
| JP2010504626A (en) * | 2006-09-20 | 2010-02-12 | 株式会社ニコン | Manufacturing method of optical element and resin-sealed light emitting element, and product obtained thereby |
| WO2008054670A1 (en) * | 2006-10-31 | 2008-05-08 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for leds and related assemblies |
| US7808013B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-10-05 | Cree, Inc. | Integrated heat spreaders for light emitting devices (LEDs) and related assemblies |
| JP2008159659A (en) * | 2006-12-21 | 2008-07-10 | Showa Denko Kk | Light-emitting device and display unit |
| JP2009088520A (en) * | 2007-09-27 | 2009-04-23 | Samsung Electro Mech Co Ltd | Method for manufacturing light emitting device package |
| US8202746B2 (en) | 2007-09-27 | 2012-06-19 | Samsung Led Co., Ltd. | Method of manufacturing LED package for formation of molding member |
| TWI500181B (en) * | 2008-02-05 | 2015-09-11 | 台灣積體電路製造股份有限公司 | Base of optoelectronic device |
| US7732829B2 (en) | 2008-02-05 | 2010-06-08 | Hymite A/S | Optoelectronic device submount |
| CN102160197A (en) * | 2008-02-05 | 2011-08-17 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | Photoelectric component packaging base |
| WO2009097942A1 (en) * | 2008-02-05 | 2009-08-13 | Hymite A/S | Optoelectronic device submount |
| JP2010182770A (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-19 | Apic Yamada Corp | Led package, method of manufacturing the same and mold |
| JP2011129876A (en) * | 2009-11-17 | 2011-06-30 | Stanley Electric Co Ltd | Light emitting device, and method for manufacturing the same |
| KR101034114B1 (en) * | 2009-12-01 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | Light emitting device and manufacturing method |
| JP2010258483A (en) * | 2010-08-19 | 2010-11-11 | Renesas Electronics Corp | Resin-sealed semiconductor device |
| CN104134635A (en) * | 2013-05-02 | 2014-11-05 | 阿尔卑斯电气株式会社 | Resin sealing element and manufacturing method of the same |
| WO2018216674A1 (en) * | 2017-05-23 | 2018-11-29 | 市光工業株式会社 | Light emitting device and lighting fixture for vehicles |
| JP2018198247A (en) * | 2017-05-23 | 2018-12-13 | 市光工業株式会社 | Light emitting device and vehicular lamp |
| JP2020092149A (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light-emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2020092150A (en) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | スタンレー電気株式会社 | Semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same |
| JP2023518712A (en) * | 2020-03-17 | 2023-05-08 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | Lighting module and lighting device provided with the same |
| JP7058813B1 (en) * | 2021-08-25 | 2022-04-22 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
| WO2023026381A1 (en) * | 2021-08-25 | 2023-03-02 | 三菱電機株式会社 | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3432113B2 (en) | 2003-08-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3432113B2 (en) | Optical semiconductor device | |
| JP3165078B2 (en) | Method for manufacturing surface mount components | |
| JP3177570B2 (en) | Electronic component package | |
| CN100433339C (en) | Solid-state imaging device and manufacturing method thereof | |
| US8445998B1 (en) | Leadframe structures for semiconductor packages | |
| JP3535328B2 (en) | Lead frame and semiconductor device using the same | |
| US6107676A (en) | Leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device by use of it | |
| US20030040143A1 (en) | Method of fabricating a substrate-based semiconductor package without mold flash | |
| KR100346671B1 (en) | Plastic molded type semiconductor device and method of manufacturing the same | |
| JPH1174420A (en) | Surface mount type chip component and method of manufacturing the same | |
| EP1533839A2 (en) | Semiconductor device with a gel-filled case | |
| US5382546A (en) | Semiconductor device and method of fabricating same, as well as lead frame used therein and method of fabricating same | |
| KR100366111B1 (en) | Structure of Resin Sealed Semiconductor Device | |
| JP2829567B2 (en) | Chip mounted LED | |
| JP2001035961A (en) | Semiconductor device and manufacturing method thereof | |
| JP3181935B2 (en) | IC card | |
| KR100258852B1 (en) | Manufacturing method of semiconductor package | |
| KR0138302Y1 (en) | Semiconductor device for wire bonding | |
| JP3093944B2 (en) | Manufacturing method of IC memory card | |
| JPH05121778A (en) | Optical coupling device | |
| KR19980058576A (en) | Area Array Bumped Semiconductor Package Molding Mold | |
| KR100525091B1 (en) | semiconductor package | |
| JPH08153946A (en) | Resin-sealed circuit board and manufacturing method thereof | |
| JPH05283734A (en) | Photocoupling device | |
| JPH02246143A (en) | Lead frame |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080523 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090523 Year of fee payment: 6 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |