JPH11259909A - 光記録媒体用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製造方法、及び光記録媒体の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ランド及びグルーブの双方に情報を繰返し記録
することが可能であり、情報を記録する際に、既に記録
された情報の不所望な消去を生じにくく、記録・消去の
サイクルを繰返した場合に、ジッタ特性の低下を生じに
くい光記録媒体用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板
の製造方法、及び光記録媒体の製造方法を提供するこ
と。 【解決手段】本発明の光記録媒体用基板１は、透明材料
からなり、少なくとも一方の主面に渦巻線状或いは同心
円状に形成された第１の溝、及び前記第１の溝の底部に
前記第１の溝と実質的に平行に形成された第２の溝を具
備することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体用基
板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製造方法、及び光
記録媒体の製造方法に係り、特に、ランド及びグルーブ
の双方に対して情報の記録を繰り返し行うことが可能な
光記録媒体用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製
造方法、及び光記録媒体の製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、大容量メモリとして光ディスクが
注目を浴びている。光ディスクは、情報の再生のみが可
能で記録が不可能なＣＤ等の再生専用型、情報の記録が
１回だけ可能なＣＤ−Ｒ等の１回追記型、及び情報の記
録／消去を自由に行うことができコンピュータの外付け
メモリ等に用いられる書き替え可能型の３種類に大別さ
れる。その中でも書き替え可能型は、その広い用途のた
めに特に注目されている。

【０００３】書き替え可能型の光ディスクには、主に、
光磁気ディスクと相変化型光ディスクの２つがある。こ
のうち、相変化型光ディスクは、レーザービーム等の照
射により、非晶質と結晶質との間で可逆的に相変化する
記録膜を用いて、非晶質の記録マークと結晶質のバック
グラウンドとの間の反射率の差を利用して再生が行われ
るものである。この非晶質状態は記録膜を融点以上に加
熱し急冷することにより形成され、結晶質状態は記録膜
を結晶化温度以上で融点未満に加熱することにより形成
される。したがって、相変化型光ディスクは、記録膜に
照射するレーザービームの強弱を制御することにより、
情報の書き替えを自由に行うことができるという利点を
有している。

【０００４】上記光磁気ディスク及び相変化型光ディス
クには、さらなる大容量化が望まれており、記録密度を
より高密度化することが要求されている。現在、光ディ
スクを高密度記録化するために、レーザー波長の短波長
化や超解像技術等の研究が進められており、また、トラ
ックピッチやマークピッチを短くするマスタリング技術
が検討されている。さらに、従来は、ディスクの溝部分
（グルーブ）のみ又は土手部分（ランド）のみに記録し
ていたが、光学的に溝の深さを調節して隣接するトラッ
クからのクロストークの影響を防止することにより、グ
ルーブ及びランドの両方に記録することが可能となって
いる。

【０００５】しかしながら、ランド／グルーブ記録を行
う場合、トラックピッチが狭くなると、隣接するランド
部及びグルーブ部のいずれか一方のトラックで記録或い
は消去を行う際に、他方のトラックに記録されたマーク
まで消去されるおそれがある。これは、記録レーザーの
熱が周囲に伝導するためである。このような記録の不所
望な消去を防止するために、ビームスポットを小径化す
ることや記録膜の構成を最適化する試みがなされている
が、これら方法のみでは、記録密度をさらに高密度化し
た場合に上述した熱伝導を抑制することは困難である。

【０００６】また、光ディスクの記録密度を高密度化し
た場合、特に相変化型光ディスクにおいては、オーバー
ライトを繰返すことにより記録・再生のジッタ特性が低
下する傾向がある。これは、非晶質相と結晶質相との間
の反射率の差を利用する相変化型光ディスクにおいて
は、記録膜を非晶質相と結晶質相との間で変化させる際
に記録膜が溶融・固化されるため、記録・消去のサイク
ルを繰り返すことにより、記録膜の一部が物質流動を起
こすからである。そのため、記録膜の一部は当初の位置
から若干移動してしまい、記録膜中に密度のばらつきを
生じる。これが、ジッタ特性の低下を生ずる要因の１つ
として考えられている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】上述のように、ランド
及びグルーブの双方に記録を行う従来の光ディスクにお
いては、隣接するランド及びグルーブの一方のトラック
に記録を行う場合、他方のトラックに記録されたマーク
を消去するおそれがある。また、ランド及びグルーブの
双方に記録を行う従来の光ディスクにおいては、記録・
消去のサイクルを繰返した場合に、ジッタ特性の低下を
生ずる。

【０００８】本発明は、ランド及びグルーブの双方に情
報を繰返し記録することが可能であり、情報を記録する
際に、既に記録された情報の不所望な消去を生じにく
く、記録・消去のサイクルを繰返した場合に、ジッタ特
性の低下を生じにくい光記録媒体用基板、光記録媒体、
光記録媒体用基板の製造方法、及び光記録媒体の製造方
法を提供することを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、透明材料からなり、少なくとも一方の主
面に渦巻線状或いは同心円状に形成された第１の溝、及
び前記第１の溝の底部に前記第１の溝と実質的に平行に
形成された第２の溝を具備することを特徴とする光記録
媒体用基板を提供する。

【００１０】上記光記録媒体用基板において好ましい態
様を以下に示す。 （１）前記第２の溝は、前記第１の溝の底部の中央に形
成されたこと。 （２）前記渦巻線状或いは同心円状に形成された第１の
溝の、渦或いは円の中心から外周方向への周期Ｔが０．
９６μｍ以上であり、前記周期Ｔと、前記第１の溝の底
部の幅Ｗ₁ と前記第２の溝の上部の幅Ｗ₂ との差Ｗ₁ −
Ｗ₂ とは、下記不等式に示す関係を満たすこと。

【００１１】 ０．０４μｍ≦Ｗ₁ −Ｗ₂ ≦Ｔ−０．９２μｍ また、本発明は、透明材料からなり、少なくとも一方の
主面に渦巻線状或いは同心円状に形成された第１の溝
と、前記第１の溝の底部に前記第１の溝と実質的に平行
に形成された第２の溝とを有する基板、及び前記基板の
第１及び第２の溝が形成された面に形成され、所定の光
を照射することにより反射率或いは磁気的特性が可逆的
に変化する材料を含有する記録膜を具備することを特徴
とする光記録媒体を提供する。

【００１２】さらに、本発明は、渦巻線状或いは同心円
状に形成された第１の帯状突起部と、前記第１の帯状突
起部の頂部に前記第１の帯状突起部と実質的に平行に形
成された第２の帯状突起部とが形成された転写面上に、
光硬化性樹脂を介して透明基板を配置する工程、前記透
明基板を転写面上に配置しつつ光照射して、前記光硬化
性樹脂を硬化させる工程、及び前記透明基板を転写面か
ら剥離する工程を具備することを特徴とする光記録媒体
用基板の製造方法を提供する。

【００１３】また、本発明は、透明材料からなり、少な
くとも一方の主面に渦巻線状或いは同心円状に形成され
た第１の溝と、前記第１の溝の底部に前記第１の溝と実
質的に平行に形成された第２の溝とを有する基板を形成
する工程、及び前記基板の第１及び第２の溝が形成され
た面に、所定の光を照射することにより反射率或いは磁
気的特性が可逆的に変化する材料を含有する記録膜を形
成する工程を具備することを特徴とする光記録媒体の製
造方法を提供する。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明について、図面を参
照しながらより詳細に説明する。図１に、本発明の一実
施形態に係る光記録媒体用基板の断面図を示す。図１に
示す光記録媒体用基板１は、ポリカーボネートやガラス
等のように、一般的な光記録媒体用基板で使用される透
明材料で構成される。

【００１５】また、図１に示すように、光記録媒体用基
板１の一方の主面には、ランド２とグルーブ３とが形成
されており、ランド２とグルーブ３との間の面は、階段
状に形成されている。なお、ランド２とグルーブ３は、
それぞれ渦巻線状或いは同心円状に形成されており、図
１には、その渦または円の中心を通る断面が描かれてい
る。

【００１６】以上のような形状を有する光記録媒体用基
板１を用いることにより、例えば、図２に示す構造の光
記録媒体を得ることができる。図２に、本発明の一実施
形態に係る光記録媒体の断面図を示す。図２に示す光記
録媒体４において、上記基板１上に形成された記録膜５
は、基板１の表面の形状を反映した形状を有している。
すなわち、記録膜５のランド２とグルーブ３との間の面
は階段状に形成されている。

【００１７】このように、記録膜５のランド２とグルー
ブ３との間の面を階段状に形成した場合、従来の光記録
媒体に比べて、ランド２とグルーブ３との間に介在する
記録膜５の長さが増加する。ランド２とグルーブ３との
熱伝導の殆どは、通常、記録膜５を介して行われる。し
たがって、上記光記録媒体４によると、ランド２とグル
ーブ３との間での熱伝導が生じにくくなり、記録の不所
望な消去を防止することができる。

【００１８】また、所定のトラックに記録をする際に、
記録膜５の一部を溶融した場合においても、上記光記録
媒体４によると、ランド２とグルーブ３との間での熱伝
導が生じにくいため、溶融した記録膜の一部が当初の位
置から移動するのが防止される。さらに、例え、ランド
２で記録膜の一部が溶融し、当初の位置から移動したと
しても、ランド２とグルーブ３との間の面は階段状に形
成されているため、その移動量は非常に少ない。したが
って、上記光記録媒体４は、記録膜中に密度のばらつき
が生じにくく、そのため、ジッタ特性の低下を生じにく
い。

【００１９】以上、基板１と接するように記録膜５を形
成した場合について説明したが、記録膜５と基板１との
間には、記録膜５を保護する保護膜等が設けられてもよ
い。図３に、本発明の他の実施形態に係る光記録媒体の
断面図を示す。図３に示す光記録媒体１０は相変化型の
光記録媒体であって、図１に示す基板１上に、誘電体保
護膜１１、相変化記録膜１２、誘電体保護膜１３、及び
金属反射層１４が順次積層された構造を有している。ま
た、図３に示す光記録媒体１０において、誘電体保護膜
１１、相変化記録膜１２、及び誘電体保護膜１３は記録
層１５を形成している。なお、図３において、相変化型
の光記録媒体１０は、ランド或いはグルーブ領域につい
てのみ描かれている。

【００２０】また、図４に、本発明のさらに他の実施形
態に係る光記録媒体の断面図を示す。図４に示す光記録
媒体２０は光磁気記録媒体であって、相変化記録膜１２
の代わりにＴｂＦｅＣｏ等の材料からなる光磁気記録膜
２２が設けられたこと以外は、図３に示す相変化型の光
記録媒体１０と同様に構成される。

【００２１】図３及び図４に示す光記録媒体１０，２０
において、相変化記録膜１２と基板１との間、及び光磁
気記録膜２２と基板１との間には、それぞれ、誘電体保
護膜１１が設けられている。これら誘電体保護膜１１は
図１に示す基板１の形状を反映した形状に形成されるた
め、相変化記録膜１２及び光磁気記録膜２２も基板１の
形状を反映した形状に形成される。したがって、例え、
相変化記録膜１２或いは光磁気記録膜２２と基板１との
間に誘電体保護膜１１等を設けたとしても、上述した効
果を得ることができる。

【００２２】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
しながら説明する。図５（ａ）〜（ｆ）に示すようにし
て、光記録媒体用基板を製造するためのスタンパを作製
した。なお、図５（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、本発明
の実施例に係る光記録媒体用基板の製造に用いられるス
タンパの作製方法を概略的に示す断面図である。

【００２３】スタンパを作製するに当り、まず、図５
（ａ）に示すように、Ｓｉ基板３０の一方の主面全体を
酸化して、所定の厚さでＳｉＯ₂ 膜３１を形成した。な
お、このＳｉＯ₂ 膜３１の厚さが、光記録媒体用基板の
グルーブの深さを決定する。次に、スピンコート法によ
り、このＳｉＯ₂ 膜３１上にフォトレジスト膜３２を形
成した後、図５（ｂ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜３１上
に形成したフォトレジスト膜３２を所定のパターンで露
光し、フォトレジスト膜３２に潜像３３を形成した。な
お、フォトレジスト膜３２の露光は、図７に示す原盤記
録装置を用いて行った。

【００２４】図７に、本発明の実施例において用いられ
る原盤記録装置を概略的に示す。図７に示す原盤記録装
置５０によると、例えばＫｒレーザーのようなレーザー
光源５１から出射されたレーザービームは、レーザー光
軸制御系５２において、レーザーの温度変化等による光
軸変動を修正される。

【００２５】光軸変動を修正されたレーザービームは、
ミラー５３で反射された後、次に、Ｅ．Ｏ変調器５４
ａ，５４ｂからなるビーム変調系５４において光量を制
御される。なお、Ｅ・Ｏ変調器５４ａ，５４ｂは、フォ
ーマット回路５９に接続されており、このフォーマット
回路５９で制御することにより、入射したレーザービー
ムをフォーマット信号のような任意の信号を有するレー
ザービームに変調することが可能である。

【００２６】続いて、レーザービームは、ピンホールや
スリットからなるビーム整形系５５を通過してビーム径
や形状を調整される。以上でレーザービームの全ての調
整を終了する。調整を終えたレーザービーム４０は、ビ
ームモニタ系５６でビーム形状を確認され、さらにミラ
ー５７に案内されて対物レンズ５８により上記Ｓｉ基板
３０上のフォトレジスト３２に集束される。このとき、
例えば、Ｓｉ基板３０を回転移動させることにより、Ｓ
ｉ基板３０上のフォトレジスト膜３２には、渦巻線状或
いは同心円状の潜像が形成される。

【００２７】以上のようにして、Ｓｉ基板３０上のフォ
トレジスト膜３２を所定のパターンで露光した後、現像
することにより、図５（ｃ）に示す構造を得た。なお、
このフォトレジスト３２の開口幅は、光記録媒体用基板
のグルーブ底部の幅と一致するように制御した。

【００２８】次に、上記開口部を設けたフォトレジスト
膜３２をマスクとして用い、Ｓｉ基板３０上に形成され
たＳｉＯ₂ 膜３１に反応性スパッタエッチングを施し
た。なお、この反応性スパッタエッチングは、図８に示
すスパッタリング装置を用いて行った。

【００２９】図８に、本発明の実施例において用いられ
るスパッタリング装置を概略的に示す。図８に示すスパ
ッタリング装置６０で通常のスパッタリングを行うに当
り、まず、基板３０を支柱６５に固定する。次に、チャ
ンバー６１内を、排気装置６２により所定の圧力まで排
気した後、ガス供給源６３に収容されたＡｒガスをコッ
ク６４で流量を調節しつつチャンバー６１内に導入す
る。なお、チャンバー６１内は、排気装置６２の排気量
とＡｒ流量とにより所定の減圧状態に制御する。次に、
支柱６５を回転させつつ、スパッタ源６６，６７に電圧
を印加してグロー放電を生じさせる。これにより基板３
０上に所望の膜が形成される。

【００３０】本実施例においては、基板３０をそのフォ
トレジスト膜３２が形成された面が下方を向くように支
柱６５に固定し、逆バイアスを印加することにより、Ｓ
ｉ基板３０上に形成されたＳｉＯ₂ 膜３１に反応性スパ
ッタエッチングを施した。なお、Ｓｉのエッチングレー
トは、ＳｉＯ₂ のエッチングレートに比べて遥かに遅
い。したがって、Ｓｉ基板３０をエッチングすることな
く、ＳｉＯ₂ 膜３１の露出部のみを選択的にエッチング
することができる。

【００３１】上記エッチング処理を施した後、図５
（ｄ）に示すように、ＳｉＯ₂ 膜３１上のフォトレジス
ト膜３２を除去した。なお、上記エッチング処理はドラ
イプロセスであり、高い指向性を有している。したがっ
て、上記方法によると、ＳｉＯ₂膜３１のエッジを急峻
な形状に形成することができる。

【００３２】次に、図５（ｅ）に示すように、Ｓｉ基板
３０上及びＳｉＯ₂ 膜３１上に、フォトレジスト膜３４
を形成した。さらに、上述したのと同様の方法により、
図７に示す原盤記録装置５０を用いて、このフォトレジ
スト膜３４を露光した。なお、フォトレジスト膜３４の
露光は、レーザービームのスポット径をＳｉＯ₂ 膜３１
に形成した溝の幅よりも若干広くなるように調節し、レ
ーザービームの光軸がＳｉＯ₂ 膜３１に形成した溝の中
心を走査するようにトラッキング制御しつつ行った。こ
れにより、フォトレジスト膜３４に所定のパターンの潜
像３５が形成された。

【００３３】次に、フォトレジスト膜３４の現像処理を
施し、フォトレジスト膜３４の露光部を除去した。これ
により、ＳｉＯ₂ 膜３１に形成した開口部よりも広い幅
で、フォトレジスト膜３４に開口部を形成した。

【００３４】さらに、このフォトレジスト膜３４をマス
クとして用いて、ＳｉＯ₂ 膜３１に上記反応性スパッタ
エッチングを施した。このとき、ＳｉＯ₂ 膜３１の開口
部近傍は、フォトレジスト膜３４により被覆されていな
い、すなわち、露出している。そのため、ＳｉＯ₂ 膜３
１の開口部近傍の領域は、上部から底部へ向けて徐々に
エッチングされる。したがって、エッチングを完全に行
わず、途中で停止することにより、露出したＳｉＯ₂ 膜
３１の上部領域のみを選択的に除去することが可能であ
る。

【００３５】以上のようにして露出したＳｉＯ₂ 膜３１
の上部領域のみを選択的に除去した後、図５（ｆ）に示
すように、ＳｉＯ₂ 膜３１上に残留するフォトレジスト
膜３４を除去した。このようにして、Ｓｉ基板３０の表
面に階段状の帯状突起部を形成した。さらに、このＳｉ
基板３０のＳｉＯ₂ 膜３１が設けられた面にＮｉメッキ
を施すことにより、スタンパ７０を作製した。

【００３６】以上のようにして作製したスタンパ７０を
用いることにより、例えば、図６（ｇ）及び図６（ｈ）
に示すように射出成形等でポリカーボネートなどの成形
基板１を作製することができる。なお、図６（ｇ）及び
（ｈ）は、それぞれ、本発明の実施例に係る光記録媒体
用基板の製造方法を概略的に示す断面図である。

【００３７】上記スタンパ７０において、Ｎｉメッキは
必ずしも必要である訳ではなく、成型技術・成型マシン
の性能が向上すれば、上記階段状の帯状突起部を形成し
たＳｉ基板３０をスタンパとして用いることも可能であ
る。

【００３８】図９に、以上のようにして作製したスタン
パの断面形状を概略的に示す。なお、図９において、ス
タンパ７０の表面に形成されたＮｉメッキ層は省略され
ている。図９に示すスタンパ７０の表面に形成された帯
状突起部７３の形状及び寸法は、光記録媒体用基板の表
面に形成される溝の形状及び寸法と実質的に一致する。
したがって、スタンパ７０の表面形状を制御することに
より、光記録媒体用基板の表面形状を制御することがで
きる。

【００３９】第１の帯状突起部７１と、第１の帯状突起
部上に形成された第２の帯状突起部とからなる帯状突起
部７３は、以下に示す形状に形成することが好ましい。
すなわち、第１の帯状突起部７１の上部の幅Ｗ₁ と第２
の帯状突起部７２の底部の幅Ｗ₂ との差Ｗ₁ −Ｗ₂ と
が、下記不等式に示す関係を満たすように帯状突起部７
３を形成することが好ましい。なお、下記不等式におい
て、周期Ｔは０．９６μｍ以上である。

【００４０】 ０．０４μｍ≦Ｗ₁ −Ｗ₂ ≦Ｔ−０．９２μｍ 幅Ｗ₁ と幅Ｗ₂ との差Ｗ₁ −Ｗ₂ が大きくなるほど、ラ
ンドとグルーブとの間での熱伝導を低減することができ
る。通常、差Ｗ₁ −Ｗ₂ が０．０４μｍ以上であれば、
ランドとグルーブとの間での熱伝導を十分に低減するこ
とができる。

【００４１】しかしながら、周期Ｔを一定とした場合、
差Ｗ₁ −Ｗ₂ が大きくなるほどランド或いはグルーブの
記録が行われる領域の幅が狭くなるため、キャリアレベ
ルが低下し、ＣＮ値が劣化する。通常、ランド或いはグ
ルーブの記録が行われる領域の幅が０．４μｍ以上であ
る場合に、十分なキャリアレベルを得ることができる。
また、一般に、第１及び第２の帯状突起部７１の側面は
基板面に対して垂直には形成されず、基板面に平行な方
向に１周期当り０．１２μｍ程度の領域を占有する。

【００４２】したがって、周期Ｔが［０．４μｍ×２＋
０．１２μｍ＋（Ｗ₁ −Ｗ₂ ）］以上である場合、すな
わち、Ｗ₁ −Ｗ₂ ≦Ｔ−０．９２μｍなる関係を満たす
場合に、十分なキャリアレベルを得ることができる。

【００４３】本実施例においては、帯状突起部７３を以
下に示す寸法で形成した。すなわち、第１の帯状突起部
７１の上部の幅Ｗ₁ と第２の帯状突起部７２の底部の幅
Ｗ₂との差が０．０６μｍとなるように帯状突起部７３
を形成した。また、帯状突起部７３の周期Ｔは１．２μ
ｍとした。

【００４４】なお、第１の帯状突起部７１の底部の幅は
０．６９μｍ、上部の幅は０．６４μｍ、Ｓｉ基板３０
からの高さは８０ｎｍであり、第２の帯状突起部７２の
底部の幅は０．５８μｍ、上部の幅は０．５１μｍ、第
１の帯状突起部７１からの高さは７０ｎｍである。

【００４５】次に、このスタンパ７０の帯状突起部７３
が形成された面を、紫外線硬化樹脂を介してガラス基板
に圧着した。この状態を保ちつつ、ガラス基板側から紫
外線硬化樹脂に紫外線を照射して、スタンパ７０とガラ
ス基板との間の紫外線硬化樹脂を硬化させた。紫外線硬
化樹脂を硬化した後、スタンパ７０とガラス基板とを剥
離した。硬化した紫外線硬化樹脂は、スタンパ７０に残
留することなくガラス基板上に転写された。以上のよう
にして、２Ｐ法により光記録媒体用基板を作製した。

【００４６】本実施例においては、上述のように２Ｐ法
により光記録媒体用基板を作製したが、通常の射出成形
により光記録媒体用基板を作製してもよい。しかしなが
ら、光記録媒体用基板を２Ｐ法を用いて作製した場合、
射出成形により作製する場合に比べて、良好な転写性を
得ることができる。したがって、２Ｐ法を用いることに
より、本発明の効果がより顕著となる。

【００４７】次に、上記光記録媒体用基板を用いて、図
８に示すスパッタリング装置６０により、図３に示す相
変化型の光記録媒体１０を作製した。すなわち、上記光
記録媒体用基板１上に、ＳｉＯ₂ からなる誘電体保護膜
１１、ＧｅＳｂＴｅからなる相変化型記録膜１２、Ｓｉ
Ｏ₂ からなる誘電体保護膜１３、及び金属反射層１４を
順次積層した。このようにして作製した相変化型の光記
録媒体をディスクＡとする。

【００４８】また、帯状突起部の側面に段差が形成され
ていないこと以外は図９に示すスタンパ７０と同様のス
タンパを作製した。すなわち、図５（ａ）〜（ｄ）に関
して説明した方法により帯状突起部を形成し、さらにＮ
ｉメッキ処理を施すことによりスタンパを作製した。

【００４９】このスタンパを用い、上述したのと同様の
方法により相変化型の光記録媒体を作製した。このよう
にして作製した相変化型の光記録媒体をディスクＢとす
る。以上のようにして作製したディスクＡ，Ｂのオーバ
ーライト特性について、記録／再生が可能な試験用ＤＶ
Ｄ−ＲＡＭドライブ（波長：６５０ｎｍ、ＮＡ：０．
６）を用いて評価した。なお、この試験用ＤＶＤ−ＲＡ
Ｍドライブは、記録パルスのパターン変更が可能であ
る。図１０に、この試験結果を示す。

【００５０】図１０は、本発明の実施例に係る光記録媒
体のオーバーライト特性を示すグラフである。なお、図
１０において、横軸はオーバーライト回数（回）を示し
ており、縦軸はジッタ値（％）を示している。

【００５１】このグラフに示すように、オーバーライト
回数が１万回程度までは、ディスクＢの方がジッタ値が
低いが、オーバーライト回数が３万回を超えると、ディ
スクＢのジッタ値は急激に増加する。それに対し、ディ
スクＡのジッタ値の増加は、ディスクＢに比べて穏やか
である。すなわち、ディスクＡは、再生不可能となるオ
ーバーライト回数がディスクＢに比べてより多いのであ
る。

【００５２】また、ディスクＡ，Ｂについて、ランドに
所定の情報を記録した後、グルーブにオーバーライトを
繰り返し行った。その後、ランドに記録された情報を再
生したところ、ディスクＢにおいては、ランドに記録さ
れた情報の一部が消去されたのに対し、ディスクＡにお
いては、ランドに記録された情報が消去されることはな
かった。

【００５３】以上、相変化型の光記録媒体に関して説明
したが、光磁気記録媒体は記録膜に用いる材料が異なる
以外は相変化型の光記録媒体と同様に構成され、かつ記
録方法もほぼ同様である。したがって、光磁気記録媒体
においても、相変化型の光記録媒体に関して説明したの
と同様の効果を得ることができる。

【００５４】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によると、
光記録媒体用基板のランドとグルーブとの間の面が階段
状に形成されるため、その上に形成される記録膜も同様
の形状に形成される。そのため、本発明の光記録媒体
は、従来の光記録媒体に比べて、ランドとグルーブとの
間に介在する記録膜の長さが長く、ランドとグルーブと
の間での熱伝導が生じにくい。したがって、本発明によ
ると、ランド及びグルーブの双方に情報を繰返し記録す
ることが可能であり、かつ情報を記録する際に、既に記
録された情報の不所望な消去を生じにくくい光記録媒体
用基板、光記録媒体、光記録媒体用基板の製造方法、及
び光記録媒体の製造方法が提供される。

【００５５】また、本発明の光記録媒体においては、ラ
ンドとグルーブとの間での熱伝導が生じにくいため、記
録時に溶融した記録膜の一部が当初の位置から移動する
のが防止される。さらに、例え、ランドで記録膜の一部
が溶融し、当初の位置から移動したとしても、ランドと
グルーブとの間の面は階段状に形成されているため、そ
の移動量は非常に少ない。したがって、本発明による
と、記録・消去のサイクルを繰返した場合に、ジッタ特
性の低下を生じにくい光記録媒体用基板、光記録媒体、
光記録媒体用基板の製造方法、及び光記録媒体の製造方
法が提供される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る光記録媒体用基板を
示す断面図。

【図２】本発明の一実施形態に係る光記録媒体を示す断
面図。

【図３】本発明の他の実施形態に係る光記録媒体を示す
断面図。

【図４】本発明のさらに他の実施形態に係る光記録媒体
を示す断面図。

【図５】（ａ）〜（ｆ）は、それぞれ、本発明の実施例
に係る光記録媒体用基板の製造に用いられるスタンパの
作製方法を概略的に示す断面図。

【図６】（ｇ）及び（ｈ）は、それぞれ、本発明の実施
例に係る光記録媒体用基板の製造方法を概略的に示す断
面図。

【図７】本発明の実施例において用いられる原盤記録装
置を概略的に示す図。

【図８】本発明の実施例において用いられるスパッタリ
ング装置を概略的に示す図。

【図９】本発明の実施例に係る光記録媒体の製造に用い
られるスタンパの断面形状を概略的に示す図。

【図１０】本発明の実施例に係る光記録媒体のオーバー
ライト特性を示すグラフ。

【符号の説明】

１…基板 ２…ランド ３…グルーブ ４，１０，２０…光記録媒体 ５…記録膜 １１，１３…誘電体保護膜 １２…相変化記録膜 １４…金属反射層 １５…記録層 ２２…光磁気記録膜 ３０…Ｓｉ基板 ３１…ＳｉＯ₂ 膜 ３２，３４…フォトレジスト膜 ３３，３５…潜像 ４０…レーザービーム ５０…原盤記録装置 ５１…レーザー光源 ５２…レーザー光軸制御系 ５３，５７…ミラー ５４…ビーム変調系 ５４ａ，５４ｂ…Ｅ．Ｏ変調器 ５９…フォーマット回路 ５５…ビーム整形系 ５６…ビームモニタ系 ５８…対物レンズ ６０…スパッタリング装置 ６１…チャンバー ６５…支柱 ６２…排気装置 ６３…ガス供給源 ６４…コック ６６，６７…スパッタ源 ７０…スタンパ ７１〜７３…帯状突起部

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 透明材料からなり、 少なくとも一方の主面に渦巻線状或いは同心円状に形成
   された第１の溝、及び前記第１の溝の底部に前記第１の
   溝と実質的に平行に形成された第２の溝を具備すること
   を特徴とする光記録媒体用基板。
2. 【請求項２】 前記第２の溝は、前記第１の溝の底部の
   中央に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の光
   記録媒体用基板。
3. 【請求項３】 前記渦巻線状或いは同心円状に形成され
   た第１の溝の渦或いは円の中心から外周方向への周期Ｔ
   が０．９６μｍ以上であり、 前記周期Ｔと、前記第１の溝の底部の幅Ｗ₁ と前記第２
   の溝の上部の幅Ｗ₂ との差Ｗ₁ −Ｗ₂ とは、下記不等式
   に示す関係を満たすことを特徴とする請求項１または２
   に記載の光記録媒体用基板。 ０．０４μｍ≦Ｗ₁ −Ｗ₂ ≦Ｔ−０．９２μｍ
4. 【請求項４】 透明材料からなり、少なくとも一方の主
   面に渦巻線状或いは同心円状に形成された第１の溝と、
   前記第１の溝の底部に前記第１の溝と実質的に平行に形
   成された第２の溝とを有する基板、及び前記基板の第１
   及び第２の溝が形成された面に形成され、所定の光を照
   射することにより反射率或いは磁気的特性が可逆的に変
   化する材料を含有する記録膜を具備することを特徴とす
   る光記録媒体。
5. 【請求項５】 渦巻線状或いは同心円状に形成された第
   １の帯状突起部と、前記第１の帯状突起部の頂部に前記
   第１の帯状突起部と実質的に平行に形成された第２の帯
   状突起部とが形成された転写面上に、光硬化性樹脂を介
   して透明基板を配置する工程、 前記透明基板を転写面上に配置しつつ光照射して、前記
   光硬化性樹脂を硬化させる工程、及び前記透明基板を転
   写面から剥離する工程を具備することを特徴とする光記
   録媒体用基板の製造方法。
6. 【請求項６】 透明材料からなり、少なくとも一方の主
   面に渦巻線状或いは同心円状に形成された第１の溝と、
   前記第１の溝の底部に前記第１の溝と実質的に平行に形
   成された第２の溝とを有する基板を形成する工程、及び
   前記基板の第１及び第２の溝が形成された面に、所定の
   光を照射することにより反射率或いは磁気的特性が可逆
   的に変化する材料を含有する記録膜を形成する工程を具
   備することを特徴とする光記録媒体の製造方法。