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JPH11224839A - 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法 - Google Patents

露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法

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JPH11224839A
JPH11224839A JP10023278A JP2327898A JPH11224839A JP H11224839 A JPH11224839 A JP H11224839A JP 10023278 A JP10023278 A JP 10023278A JP 2327898 A JP2327898 A JP 2327898A JP H11224839 A JPH11224839 A JP H11224839A
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JP
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exposure
exposure apparatus
oxygen
optical element
wavelength
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JP10023278A
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Tomoharu Hase
友晴 長谷
Yukio Yamane
幸男 山根
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH11224839A publication Critical patent/JPH11224839A/ja
Priority to US09/876,103 priority patent/US7061576B2/en
Publication of JPH11224839A5 publication Critical patent/JPH11224839A5/ja
Priority to US11/185,780 priority patent/US7119878B2/en
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 有機分子による光学素子の汚染問題を簡単か
つ効果的に解決した露光装置を提供すること。 【解決手段】 エキシマレーザ等の紫外線あるいはＸ線
の露光ビームを基板に照射して露光を行なう露光装置の
光学素子をクリーニングする方法であって、該光学素子
が置かれた空間に微量の酸素を含む不活性ガスを供給し
て、該露光ビームを照射することで該空間内にてオゾン
生成させ、該発生したオゾンと該露光ビームの照射によ
る光化学反応によって該光学部材に付着した有機化合物
を除去する。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はエキシマレーザ等の
紫外線あるいはＸ線などの短波長電磁波を露光ビームと
して用いる露光装置に関する。さらには該露光装置を用
いたデバイス製造方法や該露光装置の光学素子クリーニ
ング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体集積回路の製造を目的とするよう
な投影露光装置では従来、各種の波長帯域の光を露光ビ
ームとして基板上に照射している。露光ビームにはｅ線
（波長λ＝５４６n m）、ｇ線（λ＝４３６n m）、ｈ線
（λ＝４０５n m）、ｉ線（λ＝３６５n m）、ＫｒＦエ
キシマレーザ（λ＝２４８n m）、ＡｒＦエキシマレー
ザ（１９３n m）、あるいはＸ線などが用いられてい
る。
【０００３】光源から放射された露光ビームは、レチク
ルを照明する照明光学系及びレチクルに形成された微細
パターンを感光基板上に結像させる投影光学系（投影レ
ンズ）により前記微細パターンを感光基板上に露光転写
している。上記のような従来の露光装置において、パタ
ーン線幅の微細化に伴い、スループット及び解像度の向
上が要求されるようになり、これに伴って露光ビームと
してはますますハイパワーなものが要求されると同時
に、露光ビームの波長帯域の短波長化が進んでいる。
【０００４】しかし、ｉ線（波長λ＝３６５n m）ある
いはさらに短波長の露光ビームを用いた場合は、短波長
化により露光ビームが空気中の不純物を酸素と光化学反
応させることが知られており、かかる反応による生成物
（曇り物質）が光学系の光学素子（レンズやミラー）に
付着し、不透明な「曇り」が生じるという不都合があっ
た。
【０００５】この曇り物質としては、例えば亜硫酸SO2
が光のエネルギを吸収し励起状態となると、空気中の酸
素と反応（酸化）することによって生じる硫酸アンモニ
ウム（NH4）2SO4が代表的に挙げられる。この硫酸アン
モニウムは白色を帯びており、レンズやミラー等の光学
部材の表面に付着すると前記「曇り」状態となる。そし
て、露光ビームは硫酸アンモニウムで散乱や吸収される
結果、前記光学系の透過率が減少するため、感光基板に
到達するまでの光量（透過率）低下が大きくなってスル
ープットの低下を招くおそれがある。
【０００６】特に、ＡｒＦエキシマレーザ（１９３n
m）やＸ線のようにより短い波長領域では、露光ビーム
がより強い光化学反応を生起させるため上述の問題は顕
著となる。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】これに対して、特開平
６−２１６０００号公報に開示される装置では、密閉構
造の筐体にレンズ等のガラス部材の配置された鏡筒を配
置して、筐体の内部に不活性ガスを充填することで上記
問題の解決にあたっている。
【０００８】ところが、不活性ガスを用いた上記例で
も、照明光学系の筐体や鏡筒の内部の光学素子は有機分
子によって汚染されていることが判明した。これらの分
子は、照明光学系を構成する各部品を構成する部品の製
作・加工工程で使用された薬品等が部品上に残留してい
たもの、あるいは筐体や鏡筒に使用されている接着剤の
一部が蒸発して発生したものと考えられる。
【０００９】さらに、製造上の状況においても、周囲の
空気が例えば基板とフオトレジストとの間の接着剤層か
ら発生する有機分子によって汚染されており、これらの
分子が筐体や鏡筒内に侵入する恐れがある。たとえ有機
分子が僅かな濃度であっても、粒子が紫外線ビームの影
響のために分解して光学素子上に沈殿し、これらの表面
に炭素膜または炭素を含んだ膜を形成することになる。
【００１０】これを解決するため、特開平７−２０９５
６９号公報に開示される装置では、投影光学系に不活性
ガスを供給する際に、この不活性ガスに微量のオゾンを
混入させ、オゾンを含む不活性ガスを光学系に供給して
いる。オゾンを含むガス中において光学素子に露光ビー
ムが照射されるので、いわゆるオゾン洗浄効果により光
学素子表面の有機粒子の分解および分解生成物の堆積物
の生成が防止されるようになっている。
【００１１】しかしながら該装置では、水銀ランプを具
えるオゾン生成器を不活性ガス供給ラインの途中に設け
て、該オゾン生成器で予めオゾンを発生させてから、オ
ゾンをレンズホルダ内に供給している。そのため露光光
源と共にオゾン発生用光源の２つが必要で装置が複雑化
するという問題点ばかりでなく、以下のような危険性も
有している。すなわち、オゾンは物体を劣化させる性質
を持っているため、オゾン発生器自体がオゾンの影響で
劣化し易いという問題点を有し、劣化したオゾン発生器
から有害なオゾンが外部に漏れ出す危険性をはらんでい
る。
【００１２】本発明は上記従来例の装置が有する課題を
解決すべくなされたもので、有機分子による光学素子の
汚染問題の解決、それもより簡単かつ効果的に解決した
露光装置を提供することを目的とする。さらには該露光
装置を用いたデバイス製造方法や該露光装置の光学素子
クリーニング方法を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する本発
明の露光装置の好ましい形態は、紫外線又はＸ線の露光
ビームを生成する光源と、該露光ビームを基板に照射し
て露光を行なうための閉空間を有する光学系を備えた露
光装置において、該光学系の閉空間に不活性ガスを供給
する手段と、酸素もしくはクリーンエアを供給する手段
を設け、該閉空間に不活性ガスと酸素を供給し得るよう
にしたことを設けたことをことを特徴とするものであ
る。
【００１４】また本発明のデバイス製造方法は、上記露
光装置を用意する工程と、該露光装置を用いて露光する
工程を有することを特徴とするものである。
【００１５】また本発明のさらに別の形態は、紫外線又
はＸ線の露光ビームを基板に照射して露光を行なう露光
装置の光学素子をクリーニングする方法であって、該光
学素子が置かれた空間に微量の酸素を含む不活性ガスを
供給して、該露光ビームを照射することで該空間内にて
オゾン生成させ、該生成したオゾンと該露光ビームの照
射による光化学反応によって該光学部材に付着した有機
化合物を除去することを特徴とするものである。
【００１６】
【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施例を図面に
基づいて説明する。本例の露光装置は一般にステッパあ
るいはスキャナと呼ばれる縮小投影型の半導体露光装置
である。
【００１７】露光装置本体Ａ１は大まかに、光源１（Ａ
ｒＦエキシマレーザ光源）と、光源１から発せられた照
明光であるレーザ光Ｌ１を所定の形状の光東に成形する
照明光学系である光源レンズ系２と、該光源レンズ系２
によって所定の形状に成形されたレーザ光Ｌ１をレチク
ル３を経て基板であるウエハ４に結像させる投影光学系
である投影レンズ系５を備える。光源１はそのレーザ出
力を制御するレーザ制御装置６を有し、レーザ制御装置
６は制御手段であるコントローラ７によって制御され
る。後述するように、レーザ制御装置６は発振レーザー
波長帯域を変化させることができるようになっている。
【００１８】なお、本例では光源として紫外線を発生す
るＡｒＦエキシマレーザ光源を用いたが、ＫｒＦエキシ
マレーザ光源、あるいはさらに波長の短いＸ線（軟Ｘ線
や真空紫外線を総称してＸ線と呼ぶ）を発生するレーザ
プラズマ放射源やシンクロトロン放射源などのＸ線源で
あっても良い。
【００１９】光源レンズ系２は、レーザ光Ｌ１を所定の
形状の光束に成形するための複数のレンズ２ａ〜２ｄを
内部に配置した鏡筒２ｈ、２ｉを有し、これら鏡筒は容
器２ｇに収容され、その両脇にはレーザ光を折り曲げて
引き回すためのミラー４ａ、４ｂが収容されている。照
明光学系の容器２ｇは、光源Ｌに対向する入射口に脱着
可能な窓２ｅが、レチクル３に対向する出入口に窓２ｆ
が設けられている。
【００２０】また、投影光学系５はレチクル上のパター
ンをウエハ上に縮小投影するための複数のレンズ５ａ、
５ｂがレンズ鏡筒に内蔵され、レンズ鏡筒のレチクルと
対向する面及びウエハと対向する面にそれぞれ窓５ｃ、
５ｄが設けられている。
【００２１】ここで照明光学系２の容器２ｇの内部空間
２ｊ、鏡筒２ｈ、２ｉの内部空間、及び投影レンズ５の
レンズ鏡筒内のレンズにより区切られた空間、のそれぞ
れには、不活性ガスである窒素ガス（ヘリウムやネオン
であっても良い）が供給される。このために不活性ガス
供給装置８ａが設けられている。不活性ガス供給装置８
ａは不活性ガス給気ライン８ｂとこの途中に設けられた
開閉弁である電磁弁８ｃを介して上記各空間に接続され
ている。また、不活性ガス供給ライン８ｂの途中には、
酸素供給ライン１０ｂが分岐接続され、途中に設けられ
た開閉弁である電磁弁１０ｃを介して酸素供給装置１０
ａが接続される。これにより供給する不活性ガスに微量
の酸素を混入することが可能となっている。なお、純粋
な酸素の代わりに酸素を含むクリーンエアを混入させる
ようにしてもよい。
【００２２】さらに、不活性ガスが供給される上記の各
空間からガスを排出するために、ガス排気装置９ａが設
けられ、各空間からガス排気ライン９ｂ及びライン途中
に設けられた開閉弁である電磁弁９ｃを介してガス排気
装置９ａに接続されている。
【００２３】なお、ガス排気手段によって回収されたガ
ス中には微量の残留オゾンが含まれるが、これを酸素に
再変換する変換器をガス排気装置９ａに設けて、再変換
された酸素をフィルタを介して不純物を除去した後、酸
素供給装置１０ａに還流させて再利用するようにしても
良い。
【００２４】これらの不活性ガス供給手段ならびにガス
排気手段のライン途中に設けられた電磁弁８ｃ、９ｃ
は、コントローラ７に予め設定されたプログラムによっ
て制御され、各空間は通常の装置使用時（露光時）や待
機時に不活性ガスが充填された状態を維持するようにな
っている。
【００２５】具体的には、予め設定されたタイミングに
より、装置の待機時に酸素供給ライン上の電磁弁１０ｃ
が開いて窒素ガスに微量の酸素を混入させ、これが照明
光学系の筐体および鏡筒内、さらには投影光学系の鏡筒
内に供給される。酸素の供給量は所定濃度以下（１m3あ
たり数グラム以下）になるように電磁弁の開閉がコント
ロールされる。この混合ガスが供給された後、電磁弁８
ｃ、９ｃが閉じられる。この窒素ガスに微量の酸素が混
入されたガスが充填された状態でレーザ光の照射を行
う。これにより、各空間に充填された不活性ガス中の酸
素は光化学反応によりオゾンに変換され各空間内ではじ
めてオゾンが発生する。この状態でさらにレーザ光照射
を続けることにより、光学系を構成する光学素子（レン
ズ、ミラー、窓など）上に付着した有機化合物を酸化さ
せる。これにより光学素子上の有機分子はオゾン洗浄に
よって除去されクリーニングされる。
【００２６】この後、不活性ガス供給ライン上、及びガ
ス排気ライン上の電磁弁を開き、完全に窒素ガスに置換
されるまで連続もしくは断続的に不活性ガスの供給と排
気を続ける。これら一連の操作はコントローラに予め設
定されたプログラムに基づいて行われる。なお、光学素
子のクリーニングは露光装置が稼動していない待機時に
行なえばスループットに影響を与えることが無いので好
ましい。また実際の装置稼動時にクリーニングを行なう
ようにしてもよい。
【００２７】ところで、光照射によって酸素からオゾン
を生成させる効率は照射光の波長に大きく左右される。
そこで、露光ビーム波長を基板に露光を行なう時と光学
素子をクリーニングする時とで変化させ、より効率的に
オゾンを発生させるようにすることが好ましい。すなわ
ち、クリーニング時には波長帯域を連続的に振るように
する、あるいはより短波長側に切り替えて、オゾンの生
成効率ひいてはクリーニング能力を高めるようにするこ
とが好ましい。波長を変化させるには、光源の駆動を制
御するあるいは光路中に波長変換手段（高調波発生素子
など）を挿入するなどの手法で達成できる。
【００２８】図２は照明光学系の鏡筒２ｈにおける、不
活性ガス供給ラインの吹き出し口近傍の拡大図である。
特に有機分子の付着が多いと予想される光学素子１３
ａ，１３ｂについては、不活性ガスが光学素子に直接吹
き付けられる構成としている。これによりオゾン洗浄の
効果をより一層高めている。
【００２９】なお、不活性ガス供給ラインに特開平６−
２１６０００号公報等に示されるような流量の切換え手
段を設け、不純物の除去作業時には大流量の窒素を供給
するようにしても良い。
【００３０】なお、露光装置の光学素子としては上述の
レンズ、ミラー、窓のほかに、水銀ランプやシンクロト
ロン放射源などの光源から出る広範囲の波長帯域の中か
ら所望の波長だけを透過するフィルタが用いられること
もあるが、これについても上記同様に本発明の効果が期
待できる。
【００３１】次に上記説明した露光装置を利用したデバ
イス製造方法の例を説明する。図９は微小デバイス（Ｉ
ＣやＬＳＩ等の半導体チップ、液晶パネル、ＣＣＤ、薄
膜磁気ヘッド、マイクロマシン等）の製造のフローを示
す。ステップ１（回路設計）ではデバイスのパターン設
計を行なう。ステップ２（マスク製作）では設計したパ
ターンを形成したマスクを製作する。一方、ステップ３
（ウエハ製造）ではシリコンやガラス等の材料を用いて
ウエハを製造する。ステップ４（ウエハプロセス）は前
工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、
リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成
する。次のステップ５（組み立て）は後工程と呼ばれ、
ステップ４によって作製されたウエハを用いて半導体チ
ップ化する工程であり、アッセンブリ工程（ダイシン
グ、ボンディング）、パッケージング工程（チップ封
入）等の工程を含む。ステップ６（検査）ではステップ
５で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐久
性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て半導体
デバイスが完成し、これが出荷（ステップ７）される。
【００３２】図１０は上記ウエハプロセスの詳細なフロ
ーを示す。ステップ１１（酸化）ではウエハの表面を酸
化させる。ステップ１２（ＣＶＤ）ではウエハ表面に絶
縁膜を形成する。ステップ１３（電極形成）ではウエハ
上に電極を蒸着によって形成する。ステップ１４（イオ
ン打込み）ではウエハにイオンを打ち込む。ステップ１
５（レジスト処理）ではウエハにレジストを塗布する。
ステップ１６（露光）では上記説明した露光装置によっ
てマスクの回路パターンをウエハの複数のショット領域
に並べて焼付露光する。ステップ１７（現像）では露光
したウエハを現像する。ステップ１８（エッチング）で
は現像したレジスト像以外の部分を削り取る。ステップ
１９（レジスト剥離）ではエッチングが済んで不要とな
ったレジストを取り除く。これらのステップを繰り返し
行なうことによって、ウエハ上に多重に回路パターンが
形成される。本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった高精度デバイスを高い生産性で製造する
ことができる。
【００３３】
【発明の効果】本発明の露光装置によれば、光学素子の
表面に有機分子が付着し照度が低下するという間題を解
決することができ、この際、露光に使用される露光ビー
ム自体をオゾン生成にも兼用して用いているので、大き
な付加機構を設けること無く実現できる。その上、オゾ
ン生成は光学素子が置かれる閉じた空間内のみでなされ
るため、有害なオゾンが外に漏れ出す危険性もない。
【００３４】この露光装置は常に高いスループットが得
られるので、デバイス製造においては高い生産性が達成
できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例の全体構成を説明する説明図である。
【図２】鏡筒内部の例を説明した図である。
【図３】デバイス製造方法のフローを示す図である。
【図４】ウエハプロセスの詳細なフローを示す図であ
る。
【符号の説明】
Ａ１ 露光装置 １ エキシマレーザ ２ 照明光学系 ２ａ〜２ｄ レンズ ２ｅ，２ｆ 窓 ２ｇ 容器 ２ｈ、２ｉ 鏡筒 ２ｊ 容器内空間 ３ レチクル ４ ウエハ ５ 投影光学系（投影レンズ鏡筒） ５ａ、５ｂ レンズ ５ｃ、５ｄ 窓 ６ レーザ制御装置 ７ コントローラ ８ａ 不活性ガス供給装置 ８ｂ 不活性ガス供給ライン ８ｃ 電磁弁 ９ａ ガス排気装置 ９ｂ ガス排気ライン ９ｃ 電磁弁 １０ａ 酸素供給装置 １０ｂ 酸素供給ライン １０ｃ 電磁弁 １１ 鏡筒 １２ 不活性ガス供給ライン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｆ ５３１Ａ

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 露光ビームを生成する光源と、該露光ビ
    ームを基板に照射して露光を行なうための閉空間を有す
    る光学系を備えた露光装置において、該光学系の閉空間
    に不活性ガスを供給する手段と、酸素もしくはクリーン
    エアを供給する手段を設け、該閉空間に不活性ガスと酸
    素を供給し得るようにしたことを設けたことをことを特
    徴とする露光装置。
  2. 【請求項２】 前記光学系は照明光学系もしくは投影光
    学系であることを特徴とする請求項１記載の露光装置。
  3. 【請求項３】 前記光源は紫外線もしくはＸ線を発生す
    る光源であることを特徴とする請求項１記載の露光装
    置。
  4. 【請求項４】 前記光源はＡｒＦエキシマレーザ光源で
    あることを特徴とする請求項３記載の露光装置。
  5. 【請求項５】 前記不活性ガスは窒素、ヘリウム、又は
    ネオンであることを特徴とする請求項１記載の露光装
    置。
  6. 【請求項６】 不活性ガスに酸素もしくはクリーンエア
    を混入させる手段を設けたことを特徴とする請求項１記
    載の露光装置。
  7. 【請求項７】 前記閉空間に不活性ガスを供給するため
    の供給ラインを有し、該供給ラインを分岐したラインか
    ら酸素又はクリーンエアを導入して混入させることを特
    徴とする請求項６記載の露光装置。
  8. 【請求項８】 前記閉空間内のガスを排気する手段を有
    することを特徴とする請求項１記載の露光装置。
  9. 【請求項９】 前記排気したガス中の残留オゾンを酸素
    に変換して再利用する手段を設けたことを特徴とする請
    求項８記載の露光装置。
  10. 【請求項１０】 前記露光ビーム波長を変化させる手段
    を設けたことを特徴とする請求項１乃至９のいずれか記
    載の露光装置。
  11. 【請求項１１】 前記酸素を供給したときには露光ビー
    ムをより酸素吸収率の高い波長帯域に変化させることを
    特徴とする請求項１０記載の露光装置。
  12. 【請求項１２】 前記酸素を供給したときには露光ビー
    ム波長をより短波長側に切り替えることを特徴とする請
    求項１０記載の露光装置。
  13. 【請求項１３】 請求項１乃至１２のいずれか記載の露
    光装置を用意する工程と、該露光装置を用いて露光する
    工程を有することを特徴とするデバイス製造方法。
  14. 【請求項１４】 露光前に基板にレジスト塗布する工程
    と、露光後に現像する工程をさらに有することを特徴と
    する請求項１３記載のデバイス製造方法。
  15. 【請求項１５】 紫外線又はＸ線の露光ビームを基板に
    照射して露光を行なう露光装置の光学素子をクリーニン
    グする方法であって、該光学素子が置かれた空間に微量
    の酸素を含む不活性ガスを供給して、該露光ビームを照
    射することで該空間内にてオゾン生成させ、該生成した
    オゾンと該露光ビームの照射による光化学反応によって
    該光学部材に付着した有機化合物を除去することを特徴
    とする露光装置の光学素子クリーニング方法。
  16. 【請求項１６】 基板に露光を行なう時と光学素子をク
    リーニングする時とで露光ビーム波長を変化させること
    を特徴とする請求項１５記載の方法。
  17. 【請求項１７】 露光ビームを発生する光源の駆動を制
    御する、あるいは波長変換手段を光路中に挿入すること
    で、露光ビーム波長を変化させることを特徴とする請求
    項１６記載の方法。
  18. 【請求項１８】 除去された有機化合物を前記空間から
    排出することを特徴とする請求項１５記載の方法。
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Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284214A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2001345262A (ja) * 2000-03-30 2001-12-14 Canon Inc 露光装置、ガス置換方法、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
WO2002065183A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-22 Nikon Corporation Lens-barrel, exposure device, and method of manufacturing device
JP2002261001A (ja) * 2000-12-09 2002-09-13 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Ｅｕｖリソグラフィ装置の除染をする方法および装置
EP1230989A3 (en) * 2001-02-13 2004-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Optical element for use in exposure apparatus and method for rinsing said optical element
JP2004537157A (ja) * 2000-12-21 2004-12-09 イーユーヴィー リミテッド リアビリティ コーポレーション 放射線誘起表面汚染の軽減
US6980278B2 (en) 2003-05-26 2005-12-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Self-cleaning method for semiconductor exposure apparatus
US6984472B2 (en) 2000-06-27 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and apparatus
JP2006093724A (ja) * 2004-09-15 2006-04-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、ガス供給システム、パージ方法、並びにデバイス製造方法およびそれにより製造されたデバイス
KR100572250B1 (ko) * 2002-08-30 2006-04-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스
US7061573B2 (en) 2000-04-14 2006-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Contamination prevention in optical system
KR100706076B1 (ko) * 2001-11-19 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 그 디바이스,오염된 물체를 세정하는 세정 유닛 및 방법
KR100767829B1 (ko) * 2001-11-19 2007-10-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조방법
KR100772125B1 (ko) 2002-06-26 2007-10-31 이유브이 리미티드 라이어빌러티 코포레이션 방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정
JP2011134760A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2012243852A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Renesas Electronics Corp 露光装置、露光方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査方法及びクリーニング方法
WO2018100638A1 (ja) 2016-11-29 2018-06-07 ギガフォトン株式会社 レーザ加工システム及びレーザ加工方法
US11194255B2 (en) 2017-10-04 2021-12-07 Gigaphoton Inc. Laser processing method and laser processing system

Families Citing this family (50)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19734715A1 (de) * 1997-08-11 1999-02-25 Lambda Physik Gmbh Vorrichtung zum Spülen des Strahlenganges eines UV-Laserstrahles
JPH11224839A (ja) 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
WO2000048237A1 (en) * 1999-02-12 2000-08-17 Nikon Corporation Exposure method and apparatus
US6529533B1 (en) 1999-11-22 2003-03-04 Lambda Physik Ag Beam parameter monitoring unit for a molecular fluorine (F2) laser
US6496246B1 (en) * 2000-03-15 2002-12-17 Nikon Corporation Optical assembly for an exposure apparatus
US6571057B2 (en) * 2000-03-27 2003-05-27 Nikon Corporation Optical instrument, gas replacement method and cleaning method of optical instrument, exposure apparatus, exposure method and manufacturing method for devices
JP3976981B2 (ja) * 2000-03-30 2007-09-19 キヤノン株式会社 露光装置、ガス置換方法、デバイス製造方法
JP2001345263A (ja) * 2000-03-31 2001-12-14 Nikon Corp 露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20030051421A (ko) * 2000-03-31 2003-06-25 가부시키가이샤 니콘 광학 부재의 유지 방법 및 장치, 광학 장치, 노광 장치 및디바이스 제조 방법
JP4574057B2 (ja) * 2000-05-08 2010-11-04 キヤノン株式会社 表示装置
JP2002083766A (ja) * 2000-06-19 2002-03-22 Nikon Corp 投影光学系、該光学系の製造方法、及び前記光学系を備えた投影露光装置
JP2002260999A (ja) 2000-12-08 2002-09-13 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss 対物レンズの少なくとも１つの内部空間を気体洗浄するシステム
DE10131918A1 (de) * 2001-07-02 2003-01-16 Zeiss Carl Sensor zur Strahlungsenergiebestimmung und Verwendung hierfür
DE10136387A1 (de) * 2001-07-26 2003-02-13 Zeiss Carl Objektiv, insbesondere Objektiv für die Halbleiter-Lithographie
JP2005505945A (ja) * 2001-10-12 2005-02-24 コーニンクレッカ　フィリップス　エレクトロニクス　エヌ　ヴィ リソグラフィック装置及びデバイス製造方法
TW587278B (en) * 2002-02-01 2004-05-11 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE10211611A1 (de) * 2002-03-12 2003-09-25 Zeiss Carl Smt Ag Verfahren und Vorrichtung zur Dekontamination optischer Oberflächen
DE10219514A1 (de) * 2002-04-30 2003-11-13 Zeiss Carl Smt Ag Beleuchtungssystem, insbesondere für die EUV-Lithographie
US7050149B2 (en) * 2002-06-11 2006-05-23 Nikon Corporation Exposure apparatus and exposure method
DE10240002A1 (de) * 2002-08-27 2004-03-11 Carl Zeiss Semiconductor Manufacturing Technologies Ag Optisches Teilsystem insbesondere für eine Projektionsbelichtungsanlage mit mindestens einem in mindestens zwei Stellungen verbringbaren optischen Element
EP1403715A3 (en) * 2002-09-30 2006-01-18 ASML Netherlands B.V. Lithographic apparatus and device manufacturing method
SG128447A1 (en) * 2002-09-30 2007-01-30 Asml Netherlands Bv Lithographic apparatus and device manufacturing method
DE60323927D1 (de) * 2002-12-13 2008-11-20 Asml Netherlands Bv Lithographischer Apparat und Verfahren zur Herstellung einer Vorrichtung
US7154582B2 (en) * 2003-02-14 2006-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Exposure apparatus and method
DE10321239A1 (de) * 2003-05-12 2004-12-30 Siemens Ag Röntgenbildverstärkeranordnung
JP4510433B2 (ja) * 2003-12-03 2010-07-21 キヤノン株式会社 露光装置及び洗浄方法
US7265917B2 (en) 2003-12-23 2007-09-04 Carl Zeiss Smt Ag Replacement apparatus for an optical element
US7184123B2 (en) * 2004-03-24 2007-02-27 Asml Netherlands B.V. Lithographic optical system
US7877942B2 (en) * 2004-05-12 2011-02-01 Ivan Tochev Device for controlling the atmosphere in a space
DE502005011214D1 (de) * 2005-02-25 2011-05-19 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh Verfahren zum Spülen von Leitungen und/oder Hohlräumen einer Laserbearbeitungsmaschine
US20060196525A1 (en) * 2005-03-03 2006-09-07 Vrtis Raymond N Method for removing a residue from a chamber
EP1906251A1 (en) * 2006-09-26 2008-04-02 Carl Zeiss SMT AG Projection exposure method and projection exposure system
DE102006049924A1 (de) * 2006-10-19 2008-04-30 Carl Zeiss Smt Ag System zur Reinigung einer Oberfläche eines Bauteils
DE102006054726B4 (de) * 2006-11-21 2014-09-11 Asml Netherlands B.V. Verfahren zum Entfernen von Kontaminationen auf optischen Oberflächen und optische Anordnung
JP2008147314A (ja) * 2006-12-07 2008-06-26 Canon Inc 洗浄装置及び方法、洗浄装置を有する露光装置
US8817226B2 (en) * 2007-02-15 2014-08-26 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning using ozone in immersion lithography
US8654305B2 (en) * 2007-02-15 2014-02-18 Asml Holding N.V. Systems and methods for insitu lens cleaning in immersion lithography
DE102008041628A1 (de) * 2007-09-14 2009-03-19 Carl Zeiss Smt Ag Verfahren zur Reinigung von Vakuumkammern und Vakuumkammer
DE102008000967B4 (de) * 2008-04-03 2015-04-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Mikrolithographie
US11590606B2 (en) * 2008-08-20 2023-02-28 Foro Energy, Inc. High power laser tunneling mining and construction equipment and methods of use
US20120074110A1 (en) * 2008-08-20 2012-03-29 Zediker Mark S Fluid laser jets, cutting heads, tools and methods of use
DE102009029282A1 (de) * 2009-09-08 2011-03-24 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung, insbesondere in einer Projektionsbelichtungsanlage für die EUV-Lithographie
DE102011079451A1 (de) 2011-07-20 2012-08-09 Carl Zeiss Smt Gmbh Optische Anordnung und Verfahren zur Verringerung von oxidischen Verunreinigungen
US9573111B1 (en) 2012-07-09 2017-02-21 Kla-Tencor Corporation High purity ozone generator for optics cleaning and recovery
KR102343226B1 (ko) * 2014-09-04 2021-12-23 삼성전자주식회사 스팟 히터 및 이를 이용한 웨이퍼 클리닝 장치
DE102016100402B4 (de) 2016-01-12 2017-08-31 Jenoptik Optical Systems Gmbh Objektiv mit Spülung
US10307803B2 (en) * 2016-07-20 2019-06-04 The United States Of America As Represented By Secretary Of The Navy Transmission window cleanliness for directed energy devices
DE102016121920B3 (de) * 2016-11-15 2017-08-31 Jenoptik Optical Systems Gmbh Objektiv mit regulierbarer Spülung
JP6984206B2 (ja) * 2017-07-19 2021-12-17 ウシオ電機株式会社 光照射装置
CN112526827B (zh) * 2019-09-19 2025-12-30 株式会社斯库林集团 曝光装置

Family Cites Families (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US559584A (en) * 1896-05-05 Mings c
US482247A (en) * 1892-09-06 Elevator
US3818496A (en) 1971-06-11 1974-06-18 Micro Computer Inc Illumination control system
DD160756A3 (de) 1981-04-24 1984-02-29 Gudrun Dietz Anordnung zur verbesserung fotochemischer umsetzungsprozesse in fotoresistschichten
US4690528A (en) 1983-10-05 1987-09-01 Nippon Kogaku K. K. Projection exposure apparatus
JPS61160934A (ja) 1985-01-10 1986-07-21 Canon Inc 投影光学装置
US4825247A (en) 1987-02-16 1989-04-25 Canon Kabushiki Kaisha Projection exposure apparatus
JPH01228687A (ja) * 1988-03-09 1989-09-12 Toshiba Corp レーザ溶接法
JP2736182B2 (ja) * 1991-02-28 1998-04-02 ファナック株式会社 レーザ装置及びレーザ溶接方法
JPH05243120A (ja) * 1992-02-28 1993-09-21 Nikon Corp レーザ光学装置
JPH0636993A (ja) 1992-05-21 1994-02-10 Canon Inc 露光装置及び半導体素子の製造方法
US5430303A (en) 1992-07-01 1995-07-04 Nikon Corporation Exposure apparatus
JP3194021B2 (ja) * 1992-07-03 2001-07-30 経済産業省産業技術総合研究所長 レ−ザアニ−リング装置
JP3000502B2 (ja) 1992-12-29 2000-01-17 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP3084332B2 (ja) 1993-01-19 2000-09-04 キヤノン株式会社 露光装置
US5699183A (en) 1993-02-10 1997-12-16 Nikon Corporation Silica glass member for UV-lithography, method for silica glass production, and method for silica glass member production
US5559584A (en) * 1993-03-08 1996-09-24 Nikon Corporation Exposure apparatus
US5696623A (en) 1993-08-05 1997-12-09 Fujitsu Limited UV exposure with elongated service lifetime
JP3500619B2 (ja) 1993-10-28 2004-02-23 株式会社ニコン 投影露光装置
BE1007907A3 (nl) * 1993-12-24 1995-11-14 Asm Lithography Bv Lenzenstelsel met in gasgevulde houder aangebrachte lenselementen en fotolithografisch apparaat voorzien van een dergelijk stelsel.
JP3254072B2 (ja) * 1994-02-15 2002-02-04 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
DE712346T1 (de) * 1994-06-06 1996-11-07 Amada Co Verfahren und vorrichtung zur zufuhr von stickstoff zu einer laserstrahlmaschine
US6341006B1 (en) * 1995-04-07 2002-01-22 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
JP3402850B2 (ja) 1995-05-09 2003-05-06 キヤノン株式会社 投影露光装置及びそれを用いたデバイスの製造方法
US5883704A (en) 1995-08-07 1999-03-16 Nikon Corporation Projection exposure apparatus wherein focusing of the apparatus is changed by controlling the temperature of a lens element of the projection optical system
JPH0970682A (ja) * 1995-09-06 1997-03-18 Kobe Steel Ltd レーザ溶接装置
JPH09102454A (ja) 1995-10-03 1997-04-15 Nikon Corp 投影露光装置
JP3629790B2 (ja) 1995-12-05 2005-03-16 株式会社ニコン 露光装置
US6545746B1 (en) * 1996-03-04 2003-04-08 Nikon Corporation Projection exposure apparatus
KR970067591A (ko) * 1996-03-04 1997-10-13 오노 시게오 투영노광장치
JP3571471B2 (ja) * 1996-09-03 2004-09-29 東京エレクトロン株式会社 処理方法，塗布現像処理システム及び処理システム
US5771260A (en) * 1996-10-04 1998-06-23 Excimer Laser Systems, Inc. Enclosure system for laser optical systems and devices
JPH10270333A (ja) 1997-03-27 1998-10-09 Nikon Corp 露光装置
IL133422A0 (en) * 1997-06-10 2001-04-30 Nikon Corp Optical device, method of cleaning the same, projection aligner, and method of producing the same
JP4026943B2 (ja) * 1997-09-04 2007-12-26 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法
JPH11224839A (ja) * 1998-02-04 1999-08-17 Canon Inc 露光装置とデバイス製造方法、ならびに該露光装置の光学素子クリーニング方法
EP1075017A4 (en) * 1998-03-31 2005-04-20 Nikon Corp OPTICAL DEVICE AND EXPOSURE SYSTEM EQUIPPED WITH THE OPTICAL DEVICE
JP2000091192A (ja) 1998-09-09 2000-03-31 Nikon Corp 露光装置
US6031598A (en) 1998-09-25 2000-02-29 Euv Llc Extreme ultraviolet lithography machine
JP3832984B2 (ja) 1998-10-27 2006-10-11 キヤノン株式会社 露光装置およびデバイス製造方法

Cited By (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001284214A (ja) * 2000-03-30 2001-10-12 Canon Inc 露光装置、デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
JP2001345262A (ja) * 2000-03-30 2001-12-14 Canon Inc 露光装置、ガス置換方法、半導体デバイス製造方法、半導体製造工場および露光装置の保守方法
US7061573B2 (en) 2000-04-14 2006-06-13 Canon Kabushiki Kaisha Contamination prevention in optical system
US6984472B2 (en) 2000-06-27 2006-01-10 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Exposure method and apparatus
JP2002261001A (ja) * 2000-12-09 2002-09-13 Carl-Zeiss-Stiftung Trading As Carl Zeiss Ｅｕｖリソグラフィ装置の除染をする方法および装置
JP2004537157A (ja) * 2000-12-21 2004-12-09 イーユーヴィー リミテッド リアビリティ コーポレーション 放射線誘起表面汚染の軽減
JP4790970B2 (ja) * 2000-12-21 2011-10-12 イーユーヴィー リミテッド リアビリティ コーポレーション 放射線誘起表面汚染の軽減
EP1230989A3 (en) * 2001-02-13 2004-03-10 Canon Kabushiki Kaisha Optical element for use in exposure apparatus and method for rinsing said optical element
WO2002065183A1 (en) * 2001-02-14 2002-08-22 Nikon Corporation Lens-barrel, exposure device, and method of manufacturing device
KR100767829B1 (ko) * 2001-11-19 2007-10-17 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 디바이스 제조방법
KR100706076B1 (ko) * 2001-11-19 2007-04-11 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 투영장치, 디바이스 제조방법, 그 디바이스,오염된 물체를 세정하는 세정 유닛 및 방법
KR100772125B1 (ko) 2002-06-26 2007-10-31 이유브이 리미티드 라이어빌러티 코포레이션 방사 주입된 표면 오염을 감소시키는 공정
KR100572250B1 (ko) * 2002-08-30 2006-04-19 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. 리소그래피 장치, 디바이스 제조방법 및 그에 의해 제작된디바이스
US6980278B2 (en) 2003-05-26 2005-12-27 Oki Electric Industry Co., Ltd. Self-cleaning method for semiconductor exposure apparatus
JP2006093724A (ja) * 2004-09-15 2006-04-06 Asml Netherlands Bv リソグラフィ装置、ガス供給システム、パージ方法、並びにデバイス製造方法およびそれにより製造されたデバイス
JP2011134760A (ja) * 2009-12-22 2011-07-07 V Technology Co Ltd 露光装置
JP2012243852A (ja) * 2011-05-17 2012-12-10 Renesas Electronics Corp 露光装置、露光方法、半導体装置の製造方法、検査装置、検査方法及びクリーニング方法
WO2018100638A1 (ja) 2016-11-29 2018-06-07 ギガフォトン株式会社 レーザ加工システム及びレーザ加工方法
US11465233B2 (en) 2016-11-29 2022-10-11 Gigaphoton Inc. Laser processing system and laser processing method
US11194255B2 (en) 2017-10-04 2021-12-07 Gigaphoton Inc. Laser processing method and laser processing system
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