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JP2000091192A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

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Publication number
JP2000091192A
JP2000091192A JP10255780A JP25578098A JP2000091192A JP 2000091192 A JP2000091192 A JP 2000091192A JP 10255780 A JP10255780 A JP 10255780A JP 25578098 A JP25578098 A JP 25578098A JP 2000091192 A JP2000091192 A JP 2000091192A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
gas
exposure apparatus
optical system
housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP10255780A
Other languages
English (en)
Inventor
Masao Takiguchi
雅夫 滝口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP10255780A priority Critical patent/JP2000091192A/ja
Priority to KR1019990036267A priority patent/KR20000022789A/ko
Priority to US09/389,083 priority patent/US6191843B1/en
Publication of JP2000091192A publication Critical patent/JP2000091192A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • H10P76/00
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
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    • G03F7/70858Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70883Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of optical system
    • G03F7/70891Temperature
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F9/00Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
    • G03F9/70Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
    • G03F9/7096Arrangement, mounting, housing, environment, cleaning or maintenance of apparatus

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  • Toxicology (AREA)
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  • Public Health (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明光学系の表面温度が高くなった場合でも
レチクルアライメント検出系の検出精度に悪影響を及ぼ
さない。 【解決手段】 マスクRに照明光を照射する照明光学系
20を有し、マスクRを介して照明光で基板Pを露光す
る。照明光学系20の少なくとも一部が支持されて配置
される筺体内に清浄化された気体を供給する気体供給装
置39と、筺体、またはその周辺の温度を調整する温度
調整装置47とを備えた。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、照明光学系から照
射される照明光でマスクを照明し、マスクに形成された
パターンを基板に露光する露光装置に関し、特に、照明
光学系の少なくとも一部を筺体内に配置する際に用いて
好適な露光装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】上記のような露光装置としては、例えば
図5に示すものがある。この図に示す露光装置1は、チ
ャンバ2の内部に露光装置本体3および温度調整装置4
を配置してなるものである。露光装置本体3は、照明光
学系5と、レチクル(マスク)Rを保持するレチクルス
テージ6と、投影光学系7と、基板Pを保持する基板ス
テージ8とを主体として構成され、チャンバ2内の温度
調整室11に収容されている。
【0003】照明光学系5は、図6に示すように、光源
9から発生する光束から必要な波長を選択し、且つ均一
な照明分布にした露光光によりレチクルステージ6上に
保持されたレチクルRを照明するものである。投影光学
系7は、露光光で照明されたレチクルRのパターンPA
の像を基板ステージ8上に保持された基板Pに投影する
ものである。
【0004】また、照明光学系5とレチクルステージ6
との間には、レチクルアライメント検出系10が配設さ
れている。レチクルアライメント検出系10は、基板ス
テージ8上に配置された基準マークFMを投影光学系7
を介して検出するとともに、レチクルR上に形成された
アライメント用のレチクルマーク(マーク)RMを検出
するものである。そして、これらの検出結果に基づいて
レチクルRと基板ステージ8の座標とのズレを算出する
ことにより、レチクルRと基板ステージ8との位置合わ
せが行われる。
【0005】温度調整装置4は、リターンダクト12か
ら取り込む温度調整室11内の空気および外気取り入れ
口13から取り込んだ空気を所定の温度に調整するとと
もに、温度調整された空気を隔壁14の吹き出し口(導
入口)15から温度調整室11へ送出するものである。
吹き出し口15には、空気中の塵埃を除去するためのフ
ィルタ(不図示)が配設されている。
【0006】そして、温度調整室11は、温度調整装置
4によって温度調整され、且つフィルタによって塵埃を
除去したクリーンな空気が放出されることにより、一定
の温度、清浄度を有する環境に維持されている。
【0007】ところで、近年、照明光学系5内の光学素
子、例えばガラス部品の表面に粒子が付着して、レチク
ルRのパターンPAを基板Pに投影する際の照度が急激
に低下するという現象が起こっている。この現象は、例
えば光源9としてArFエキシマレーザを使用した場
合、発光スペクトル線が酸素の吸収スペクトル領域と重
なり、酸素の吸収による光利用効率の低下や、温度調整
室11内の空気中に含まれる化学物質が照明光学系5内
の光源9から発生する紫外線(特にi線より短い波長の
光等)により光化学反応を起こすことで硫酸アンモニウ
ムを生成し、これがガラス部品に付着することに起因す
るものである。
【0008】この対策として、照明光学系5を容器内に
収容するとともに、光源9周辺を除く照明光学系5内を
密閉度を高くした上で、その中をN2ガス等の光の吸収
が少なく光化学反応に対して不活性な気体で充満させる
ことで光化学反応を起こしにくくする、いわゆるN2
ージという方式が採られている。そして、この方式を採
用することにより、照明光学系5内のガラス部品に付着
する硫酸アンモニウム等の不純物が減少し、不純物を除
去する作業間隔を大幅に長くすることができるようにな
った。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
たような従来の露光装置には、以下のような問題が存在
する。照明光学系5は、光源9を含む光の通路なので、
かなりの発熱がある。そのため、従来の照明光学系5で
は、照明光学系5部分全体からの空気への放熱や、図6
に示すように、吸気口16から取り入れた空気を排熱ダ
クト17から排出することで照明光学系5内全般の排熱
が行われ、照明光学系5を構成する光学素子の表面温度
が高くなりすぎることはなかった。
【0010】ところが、N2パージによって、光源9を
除く他の光学素子を、密閉度を高くした状態で分離した
ので、密閉された部分の排熱が阻害されN2パージ領域
に熱がこもってしまい、この部分の表面温度が高くなっ
てしまった。
【0011】照明光学系5の表面温度が高くなると、該
照明光学系5周辺の気温が上昇し、熱による空気ゆらぎ
が発生する。そのため、照明光学系5の真近にあるレチ
クルアライメント検出系10では、この空気ゆらぎによ
り、上記基準マークFMおよびレチクルマークRMを検
出する際の精度が悪化してしまうという問題が発生して
いた。
【0012】本発明は、以上のような点を考慮してなさ
れたもので、照明光学系の表面温度が高くなった場合で
もレチクルアライメント検出系の検出精度に悪影響を及
ぼさない露光装置を提供することを目的とする。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明は、以下の構成を採用している。本発明の露
光装置は、マスク(R)に照明光を照射する照明光学系
(20)を有し、マスク(R)を介して照明光で基板
(P)を露光する装置(18)において、照明光学系
(20)の少なくとも一部(23〜28)が支持されて
配置される筺体(21)内に清浄化された気体を供給す
る気体供給装置(39)と、筺体(21)、またはその
周辺の温度を調整する温度調整装置(47、49、5
4)とを備えたことを特徴とするものである。
【0014】従って、本発明の露光装置では、照明光学
系(20)のうち、光源(9)を除く少なくとも一部
(23〜28)を支持して配置した筐体(21)内に、
気体供給装置(39)が清浄化された気体、例えばN2
等の光化学反応に対して不活性な気体を供給することが
できる。そして、排熱が阻害されて筐体(21)の表面
温度が高くなったときには、温度調整装置(47、4
9、54)が筐体(21)、またはその周辺の温度を調
整することにより、照明光学系(20)の周辺の気温が
上昇してしまうことを防止できる。
【0015】
【発明の実施の形態】以下、本発明の露光装置の第1の
実施の形態を、図1および図2を参照して説明する。こ
こでは、露光装置を、例えば投影型の露光装置とする場
合の例を用いて説明する。これらの図において、従来例
として示した図5および図6と同一の構成要素には同一
符号を付し、その説明を簡略化する。
【0016】図1は、露光装置18の概略構成図であ
る。露光装置18は、チャンバ2の内部に露光装置本体
3、空調装置(温度制御装置)19を配置するととも
に、ステージ制御系36、アライメント制御系37、主
制御系38を備えてなるものである。露光装置本体3
は、照明光学系20と、レチクルRを保持するレチクル
ステージ6と、投影光学系7と、基板Pを保持する基板
ステージ8とを主体として構成され、これらはチャンバ
2内の温度調整室(所定空間)11に収納されている。
【0017】照明光学系20は、図2に示すように、光
源9から発生する照明光によりレチクルRに形成された
パターンPAを照明するものであって、筺体21と、該
筺体21内に配設される光源9、楕円鏡22、折り曲げ
ミラー23,24、インプットレンズ25、干渉フィル
ター26、フライアイインテグレータ27、リレーレン
ズ28、レチクルブラインド(不図示)および筺体21
の先端に配設されるコンデンサレンズ29とから概略構
成されている。
【0018】そして、これら光源9、折り曲げミラー2
3、インプットレンズ25、干渉フィルター26、フラ
イアイインテグレータ27、リレーレンズ28、レチク
ルブラインド、折り曲げミラー24およびコンデンサレ
ンズ29は、レチクルRへ照明するための光路に沿って
順次列設されている。
【0019】楕円鏡22は、光源9が射出した光束を集
光するものである。折り曲げミラー23,24は、入射
した光束をそれぞれ折り曲げるように反射するものであ
る。インプットレンズ25は、折り曲げミラー23で折
り曲げられた光束をほぼ平行な光束にするものである。
干渉フィルター26は、入射した光束のうち露光に必要
な波長(g線やi線)のみを通過させるものである。
【0020】フライアイインテグレータ27は、干渉フ
ィルター26を通過した光束の照度分布を均一にするも
のである。リレーレンズ28は、フライアイインテグレ
ータ27で照度分布が均一にされた光束をほぼ平行な光
束にするものである。レチクルブラインドは、レチクル
Rに対する照明領域を設定するものである。コンデンサ
レンズ29は、レチクルブラインドで設定された照明領
域の像をレチクルRに結像させるものである。
【0021】筺体21は、カバーガラスを含む隔壁30
によって、光源室31とN2パージ室32とに分離され
ている。カバーガラスは、合成石英からなり、照明光が
通過する領域を包含する大きさに定められている。光源
室31には、光源9および楕円鏡22が収容されてい
る。また、この光源室31には、吸気口16および排熱
ダクト17が設けられている。そして、吸気口16から
取り入れた空気を排熱ダクト17から排出することによ
り、光源9が発した熱を排熱する構成になっている。
【0022】N2パージ室32には、折り曲げミラー2
3,24、インプットレンズ25、干渉フィルター2
6、フライアイレンズ(オプチカル・インテグレータ)
27、リレーレンズ28、レチクルブラインドが収容さ
れている。また、このN2パージ室32には、N2ガス
(気体)を導入して該N2パージ室32内をN2ガスで充
満させるためのN2導入口33が形成されている。
【0023】このN2導入口33には、N2供給装置(気
体供給装置)39が接続されている。N2供給装置39
は、N2導入口33を介してN2パージ室32内にフィル
ター等により清浄化されたN2ガスを供給するものであ
る。また、このN2供給装置39には、N2温度調整部
(気体温度調整部)40が付設されている。N2温度調
整部40は、N2供給装置39によってN2パージ室32
内に供給されるN2ガスの温度を調整するものである。
【0024】レチクルステージ6は、載置されたレチク
ルRを保持するものであって、X−Y平面内で二次元的
に移動可能になっている。そして、このレチクルステー
ジ6には、ステージ制御系36が接続されている。
【0025】投影光学系7は、照明光で照明されたレチ
クルRのパターンPAの像を基板ステージ8上に保持さ
れた基板Pに投影するものであって、その鏡筒7aは露
光装置本体3内の第一架台9に固定されている。この第
一架台9の内側には、プレートアライメント検出系34
が取り付けられている。プレートアライメント検出系3
4は、基板P上に形成された基板マークPMおよび基板
ステージ8上に設けられた基準マークFMを検出するも
のである。
【0026】基板ステージ8は、基板Pを保持した状態
で、X−Y平面内で二次元的に移動するとともに、Z方
向にも移動可能になっている。そして、基板ステージ8
のX−Y平面の座標は、レーザ干渉式測長器35が基板
ステージ8上に設けられた移動鏡8aにレーザ発振器3
5aから発するレーザビームを照射することにより計測
されている。
【0027】また、基板ステージ8には、ステージ制御
系36が接続されている。ステージ制御系36には、レ
ーザ干渉式測長器35が接続されている。ステージ制御
系36は、レチクルステージ6をX−Y平面内で移動さ
せて所定位置に配置するとともに、レーザ干渉式測長器
35が計測した結果に基づいて、基板ステージ8をX−
Y平面内で移動させて所定位置に配置するものである。
また、ステージ制御系36は、基板ステージ8をZ方向
に移動させて、レチクルRのパターン像を投影光学系7
を介して基板P上に合焦させるように制御する構成にも
なっている。
【0028】さらに、基板ステージ8の上方、且つ投影
光学系7の側方には、フォーカス検出系AFが配置され
ている。フォーカス検出系AFは、レチクルRに形成さ
れたパターンPAを基板P上に投影した際の結像状態に
関する情報を検出するものである。そして、このフォー
カス検出系AFの検出結果は、主制御系38に出力され
る。
【0029】一方、レチクルステージ6の上方の、照明
光学系20との間には、レチクルアライメント検出系1
0が配設されている。レチクルアライメント検出系10
は、基板ステージ8上に配置された基準マークFMを投
影光学系7を介して検出するとともに、レチクルR上に
形成されたアライメント用のレチクルマークRMを検出
するものである。そして、レチクルアライメント検出系
10およびプレートアライメント検出系34には、アラ
イメント制御系37が接続されている。
【0030】アライメント制御系37は、レチクルアラ
イメント検出系10およびプレートアライメント検出系
34の検出結果に基づいて、投影光学系7と基板ステー
ジ8との間のアライメントを行うものである。主制御系
38は、フォーカス検出系AFの検出結果に基づき、ス
テージ制御系36およびアライメント制御系37を統括
して制御するものである。
【0031】空調装置19は、温度調整室11内の温度
を制御するものであって、流通路41に配置された温調
機42と送風機43とを主体として構成されている。流
通路41は、リターンダクト12、吹き出しダクト44
を備え、温度制御されたエア(気体)が吹き出しダクト
44から隔壁14の吹き出し口15を介して温度調整室
11内に導かれるとともに、温度調整室11内からリタ
ーンダクト12を経て再度吹き出しダクト44へ到って
循環するように形成されている。また、リターンダクト
12から取り込まれるエアは、外気取り入れ口13から
取り込まれるエアと混合される構成になっている。な
お、図示していないが、外気取り入れ口13の近傍に
は、HEPAフィルタとケミカルフィルタとが設けられ
ており、クリーンルーム内から流入するエア(空気)か
ら塵埃、有機物、アンモニウムイオン、硫酸イオンなど
を除去している。
【0032】温調機42は、リターンダクト12および
外気取り入れ口13を介して取り込んだエアの温度を制
御するものであって、ヒータ45およびクーラ46を備
えている。送風機43は、温調機42で温度制御された
エアに圧力を加えて吹き出しダクト44へ向けて送出す
るものである。
【0033】また、空調装置19には、温度調整装置4
7が付設されている。温度調整装置47は、温度調整さ
れたエアを送出することで筺体21周辺の温度を調整す
るものであって、導入ダクト(第1導入路)48、エア
の温度を制御する温調機および温度制御されたエアを送
出する送風機を備えるものであるが、本実施の形態では
空調装置19の温調機42、送風機43を兼用する構成
になっている。
【0034】導入ダクト48は、一方の開口端が吹き出
し口15に臨むように隔壁14に取り付けられている。
そして、導入ダクト48の他方の開口端は、筺体21の
周辺、特に照明光学系20とこれに隣接するレチクルア
ライメント検出系10との間にエアを導くように配置さ
れている。
【0035】上記の構成の露光装置の作用について以下
に説明する。まず、チャンバ2の温度調整室11内に
は、空調装置19の温調機42により温度制御されたエ
アが送風機43により吹き出しダクト44から吹き出し
口15を通って層流状態で送出される。このとき、エア
は、フィルタで塵埃、イオンなどが除去されるため、化
学的にも清浄化された状態で温度調整室11内に送出さ
れる。
【0036】そして、空調装置19は、温度調整室11
内のエアをリターンダクト12から取り込むとともに、
外気取り入れ口13からエアを取り込んで、再度、温調
機42および送風機43を通過させる。これにより、温
度調整室11内は、エアが流通路41で循環しながら温
度制御および塵埃除去を繰り返すことにより、一定の温
度、清浄度(クリーン度)に維持される。
【0037】一方、吹き出し口15から送出されたエア
の一部は、温度調整装置47の導入ダクト48によっ
て、照明光学系20とレチクルアライメント検出系10
との間に導かれ、筺体21およびその周辺の温度を調整
する。
【0038】そして、図2に示すように、筺体21の光
源室31においては、光源9から発生する熱が、吸気口
16から取り入れたエアを排熱ダクト17から排出する
ことで排熱される。また、N2パージ室32では、N2
給装置39から供給されたN 2ガスがN2温度調整部40
で温度調整された後に、N2導入口33から導入されて
充満されている。
【0039】そして、次に、主制御系38がステージ制
御系36およびアライメント制御系37に指令を出し
て、投影光学系7と基板ステージ8との間のアライメン
トを行う。
【0040】すなわち、アライメント制御系37の指令
に基づいて、レチクルアライメント検出系10が基板ス
テージ8上の基準マークFMと、レチクルR上のレチク
ルマークRMとを投影光学系7を介して検出する。この
とき、ステージ制御系36は、レーザ干渉式測長機35
が計測した結果に基づいて、レチクルアライメント検出
系10が基準マークFMおよびレチクルマークRMを検
出できる位置に基板ステージ8およびレチクルステージ
6をX−Y平面内で移動させる。レチクルアライメント
検出系10が基準マークFMおよびレチクルマークRM
を検出したときの基板ステージ8の座標位置は、レーザ
干渉式測長機35が計測する。
【0041】次に、プレートアライメント検出系34
が、基板ステージ8上の基準マークFMを検出する。こ
のときの、基板ステージ8の座標位置は、上記と同様
に、レーザ干渉式測長機35が計測する。そして、両計
測結果の座標のずれを算出した後に、算出結果に基づい
てレチクルステージ6を移動させることにより、基板ス
テージ8と投影光学系7を介したレチクルRとの位置合
わせが行われる。
【0042】続いて、露光工程において、光源9から射
出された光束は、楕円鏡22で集光された後に、隔壁
(カバーガラス)30を透過し折り曲げミラー23に入
射して折り曲げられる(反射する)。反射した光束は、
インプットレンズ25でほぼ平行にされた後に、干渉フ
ィルター26に入射して、露光に必要な波長のみが通過
する。
【0043】干渉フィルター26を通過した光束は、フ
ライアイインテグレータ27で照度分布を均一にされた
後に、リレーレンズ28で再度ほぼ平行にされる。そし
て、レチクルブラインドでレチクルRに対する照明領域
が設定された光束は、コンデンサレンズ29を通過して
照明光としてレチクルRを照明する。
【0044】照明光で照明されたレチクルRのパターン
PAの像は、基板P上に投影されて露光される。なお、
基板P上のパターンPAの結像状態は、フォーカス検出
系AFが検出している。そして、結像状態が所定通りで
ない場合は、主制御系38がステージ制御系36に指令
を出して、基板ステージ8をZ方向に移動させて、上記
パターンPAの像を基板P上に合焦させる。
【0045】本実施の形態の露光装置では、空調装置1
9によって温度調整室11内の温度を一定に維持できる
とともに、N2パージ室32の温度が高くなり筺体21
の表面温度が高くなっても、温度調整装置47の導入ダ
クト48が吹き出し口15から送出される清浄化され、
且つ温度制御されたエアの一部を照明光学系20とレチ
クルアライメント検出系10との間に導いて、この間を
所定温度に調整、維持することができる。そのため、本
実施の形態の露光装置では、照明光学系20周辺で温度
上昇による空気ゆらぎの発生を防止することができるの
で、レチクルアライメント検出系10の検出精度が悪化
することを防止できる。
【0046】また、本実施の形態の露光装置では、N2
供給装置39が供給するN2ガスをN 2温度調整部が温度
調整しているので、N2パージ室32内の温度上昇を抑
制することもでき、上記導入ダクト48を用いた温度調
整を一層効果的に行うことができる。さらに、本実施の
形態の露光装置では、温度調整装置47が空調装置19
の温調機42および送風機43を兼用しているので、別
途各機を装備する必要がなく、装置を小型にすることが
できる。
【0047】図3は、本発明の露光装置の第2の実施の
形態を示す図である。この図において、図1および図2
に示す第1の実施の形態の構成要素と同一の要素につい
ては同一符号を付し、その説明を省略する。第2の実施
の形態と上記の第1の実施の形態とが異なる点は、温度
調整装置の構成である。
【0048】すなわち、この図に示す温度調整装置49
は、導入ダクト(第2導入路)50とエアの温度を制御
する温調機42および温度制御されたエアに圧力を加え
て送出する送風機51を備えている。温度調整装置49
は、この送風機51を独立に有しているが、温調機42
を空調装置19と兼用する構成になっている。
【0049】導入ダクト50は、一方の開口端が隔壁5
2に取り付けられており、他方の開口端が筺体21の周
辺、特に照明光学系20とこれに隣接するレチクルアラ
イメント検出系10との間にエアを導くように配置され
ている。隔壁52は、隔壁14と独立するように該隔壁
14に隣接配置されている。また、隔壁52には、エア
が吹き出す吹き出し口53が形成されている。
【0050】吹き出し口53には、エア中の塵埃を除去
するためのフィルタや有機物、イオンなどを除去するフ
ィルタ(不図示)が配設されている。そして、送風機5
1は、空調装置19の送風機43が送出するエアの一部
を分岐したものを吹き出し口53に向けて送出する構成
になっている。他の構成は、上記第1の実施の形態と同
様である。
【0051】本実施の形態の露光装置では、上記第1の
実施の形態と同様の作用、効果が得られることに加え
て、導入ダクト50が隔壁14の吹き出し口15とは別
の入口である吹き出し口53から温度制御されたエアの
一部を筺体21の周辺に導くので、吹き出し口15から
層流状態で温度調整室11内へ送出されるエアの流れを
導入ダクト50が乱すことを防止できる。したがって、
エアの流れが乱れた際に、導入ダクト50周辺の圧力が
低下することによりエア中に含まれる微小な塵埃が、例
えば導入ダクト50の上部に溜まってしまうことを防止
でき、温度調整室11内のクリーン度を保持することが
できる。
【0052】また、本実施の形態の露光装置では、温度
調整装置49が送風機51を独立して有しているので、
導入ダクト50を通して導くエアの流量を独立して調整
することが可能になる。そのため、筺体21周辺に送出
するエアの流量を、筺体21の表面温度等、状況に応じ
て容易に調整することが可能になる。
【0053】図4は、本発明の露光装置の第3の実施の
形態を示す図である。この図において、図3に示す第2
の実施の形態の構成要素と同一の要素については同一符
号を付し、その説明を省略する。第3の実施の形態と上
記の第2の実施の形態とが異なる点は、温度調整装置の
構成である。
【0054】すなわち、この図に示す温度調整装置54
は、導入ダクト50と、エアの温度を制御する温調機5
5と、温度制御されたエアに圧力を加えて送出する送風
機51と、温度センサ(不図示)を備えている。したが
って、本実施の形態の露光装置では、温度調整装置54
と空調装置19とが、それぞれ独立して温調機および送
風機を並行状態で有する構成になっている。
【0055】温調機55は、取り込んだエアの温度を制
御するものであって、ヒータ56およびクーラ57を備
えている。この温調機55に取り込まれるエアは、リタ
ーンダクト12および外気取り入れ口13を介して導入
されたエアを一旦混合した後に、空調装置19用と温度
調整装置54用とに分岐されたものである。
【0056】導入ダクト50は、一方の開口端が隔壁5
8に取り付けられており、他方の開口端が筺体21の周
辺、特に照明光学系20とこれに隣接するレチクルアラ
イメント検出系10との間にエアを導くように配置され
ている。隔壁58は、隔壁14と独立するように該隔壁
14と離間して配置されている。
【0057】また、隔壁58には、エアが吹き出す吹き
出し口53および上記温度センサが配設されている。温
度センサは、送風機51によって送出されたエアの温度
を検出するものである。そして、この温度調整装置54
では、温度センサの検出結果に基づいて温調機55、す
なわちヒータ56およびクーラ57を駆動する構成にな
っている。
【0058】本実施の形態の露光装置では、上記第2の
実施の形態と同様の作用、効果が得られることに加え
て、温度調整装置54が温調機55を独立して有してい
るので、温度調整室11内の温度に係わらず、筺体21
周辺に送出するエアの温度を、該筺体21の表面温度等
の状況に応じて温度調整室11内とは異なる温度にも容
易に調整することができる。
【0059】さらに、本実施の形態の露光装置では、温
度センサが筺体21周辺に送出するエアの温度を検出
し、この検出した温度に基づいて温調機55がエアの温
度を調整するので、エアの温度をモニタしながら、予め
設定した温度に調整することも可能になる。
【0060】なお、上記実施の形態において、導入ダク
ト48,50が照明光学系20とこれに隣接するレチク
ルアライメント検出系10との間にエアを導く構成とし
たが、これに限られることなく、プレートアライメント
検出系34の周辺やレチクルR上のレチクルマークRM
を検出する他の光学系の周辺に温度調整されたエアを導
くような構成や、導入ダクトを複数設け、各導入ダクト
が上記複数の他の光学系周辺に温度調整されたエアをそ
れぞれ送出する構成であってもよい。
【0061】また、筐体21を覆うように流体の流路を
設ける、例えば筐体21を二重構造として、その間に流
体を供給するように構成し、筐体21を直接冷却(温
調)するようにしてもよい。このとき、冷媒は、気体で
も液体でもよく、液体としてはフロリナート(商品名)
などを用いることができる。
【0062】また、上記実施の形態において、筺体21
周辺の温度を調整する温度調整装置を、導入ダクトから
温度調整されたエアを送出する構成としたが、これに限
定されることなく、例えば、N2供給装置39およびN2
温度調整部40によって筺体21内に供給されるN2
スの温度を調整することで筺体21の表面温度を調整す
る構成としてもよい。この場合、この構成は、温度調整
室11内との温度差を大きくできないため、調整可能な
温度幅を小さく限定する必要があり、補助的に使うこと
が好ましい。
【0063】さらに、筺体21内に供給される気体をN
2ガスとしたが、例えば、ヘリウムなどを含む光化学反
応に対して不活性なガスや、有機物やイオンなどが除去
された化学的にクリーンなドライエア(例えば、湿度が
5%程度以下の乾燥空気)を用いてもよい。
【0064】また、上記第2の実施の形態において、温
度調整装置49が温調機を空調装置19と兼用する構成
としたが、これに限定されるものではなく、送風機を空
調装置19と兼用する構成であってもよい。
【0065】一方、筺体21内に照明光学系20を構成
する光学素子の一部を収納する構成としたが、これに限
定されることなく、照明光学系20を構成する全ての光
学素子を筺体21内に収納してもよい。また、これら照
明光学系20を構成する光学素子の一部をチャンバー2
の外に配置する構成でもよい。
【0066】なお、基板Pとしては、液晶表示素子用の
ガラス基板や半導体デバイス用の半導体ウエハ、薄膜磁
気ヘッド用のセラミックウエハ、あるいは露光装置で用
いられるマスクまたはレチクル基板(合成石英、シリコ
ンウエハ)等が適用される。露光装置としては、レチク
ルRと基板Pとを静止した状態でレチクルRのパターン
PAを露光し、基板Pを順次ステップ移動させるステッ
プ・アンド・リピート方式の投影露光装置(ステッパ
ー)でも、レチクルRと基板Pとを同期移動してレチク
ルRのパターンPAを露光するステップ・アンド・スキ
ャン方式の走査型露光装置(スキャニング・ステッパ
ー)にも適用することができる。
【0067】さらに、投影光学系7を用いない、ミラー
プロジェクション方式の等倍露光装置(アライナー)
や、プロキシミティ方式やコンタクト方式の露光装置な
どにも適用可能である。
【0068】露光装置の種類としては、半導体製造用の
露光装置、角型のガラス基板に液晶表示素子パターンを
露光する液晶用の露光装置や、薄膜磁気ヘッド、撮像素
子(CCD)あるいはレチクルなどを製造するための露
光装置などにも広く適用できる。
【0069】また、照明光学系20の光源9として、超
高圧水銀ランプから発生する輝線(g線(436n
m)、i線(365nm))、KrFエキシマレーザ
(248nm)、ArFエキシマレーザ(193n
m)、F2レーザ(157nm)などを用いることがで
きる。また、YAGレーザや半導体レーザ等の高周波な
どを用いてもよい。
【0070】投影光学系7の倍率は、縮小系のみならず
等倍および拡大系のいずれでもよい。また、投影光学系
7としては、エキシマレーザなどの遠紫外線を用いる場
合は硝材として石英や蛍石などの遠紫外線を透過する材
料を用い、F2レーザを用いる場合は反射屈折系または
屈折系の光学系にする。
【0071】基板ステージ8やレチクルステージ6にリ
ニアモータを用いる場合は、エアベアリングを用いたエ
ア浮上型およびローレンツ力またはリアクタンス力を用
いた磁気浮上型のどちらを用いてもよい。また、各ステ
ージ6、8は、ガイドに沿って移動するタイプでもよ
く、ガイドを設けないガイドレスタイプであってもよ
い。
【0072】基板ステージ8の移動により発生する反力
は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃がし
てもよい。レチクルステージ6の移動により発生する反
力は、フレーム部材を用いて機械的に床(大地)に逃が
してもよい。
【0073】複数の光学素子から構成される照明光学系
20および投影光学系7をそれぞれ露光装置本体3に組
み込んでその光学調整をするとともに、多数の機械部品
からなるレチクルステージ6や基板ステージ8を露光装
置本体3に取り付けて配線や配管を接続し、更に総合調
整(電気調整、動作確認等)をすることにより本実施の
形態の露光装置を製造することができる。なお、露光装
置の製造は、温度およびクリーン度等が管理されたクリ
ーンルームで行うことが望ましい。
【0074】液晶表示素子や半導体デバイス等のデバイ
スは、各デバイスの機能・性能設計を行うステップ、こ
の設計ステップに基づいたレチクルを製作するステッ
プ、ガラス基板、ウエハを製作するステップ、前述した
実施の形態の露光装置によりレチクルのパターンをガラ
ス基板、ウエハに露光するステップ、各デバイスを組み
立てるステップ、検査ステップ等を経て製造される。
【0075】
【発明の効果】以上説明したように、請求項1に係る露
光装置は、気体供給装置が照明光学系の少なくとも一部
を配置する筺体内に気体を供給し、温度調整装置が筺
体、またはその周辺の温度を調整する構成となってい
る。これにより、この露光装置では、照明光学系が配置
された筺体、またはその周辺の温度を調整、維持するこ
とができる。そのため、照明光学系の照度が低下するこ
とを防止した上で、照明光学系周辺で空気ゆらぎの発生
を防止できるという効果が得られる。
【0076】請求項2に係る露光装置は、温度調整装置
が筺体周辺に温度制御された気体を送出する構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、温度制御され
た気体を送出することで、照明光学系が配置された筺
体、またはその周辺の温度を調整、維持することができ
る。そのため、照明光学系周辺で空気ゆらぎの発生を防
止できるという効果が得られる。
【0077】請求項3に係る露光装置は、温度調整装置
が照明光学系とそれに隣接する装置との間に温度制御さ
れた気体を送出する構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、温度制御された気体を送出すること
で、照明光学系とそれに隣接する装置との間の温度を調
整、維持することができ、照明光学系周辺で空気ゆらぎ
の発生を防止できるという効果が得られる。
【0078】請求項4に係る露光装置は、マスク上のマ
ークを検出する光学系の少なくとも一部が、照明光学系
に隣接する構成となっている。これにより、この露光装
置では、マークを検出する光学系の周辺に空気ゆらぎが
発生することを防止できるので、空気ゆらぎにより検出
精度が悪化してしまうことを防止できるという優れた効
果が得られる。
【0079】請求項5に係る露光装置は、気体温度調整
部が筺体に供給する気体の温度を調整する構成となって
いる。これにより、この露光装置では、筺体の温度を気
体を介して調整できるので、温度調整装置による温度調
整が一層効果的に行えるという効果が得られるととも
に、筺体に供給する気体を用いて該筺体の表面温度およ
び筺体周辺の温度を調整することにより、空気ゆらぎの
発生を防止することもできるという効果が得られる。
【0080】請求項6に係る露光装置は、装置本体を収
納するチャンバーと、チャンバー内の所定空間の温度を
制御する温度制御装置とを更に備える構成となってい
る。これにより、この露光装置では、チャンバー内の所
定空間の温度が制御されている状態で、さらに温度調整
装置が筺体、またはその周辺の温度を調整、維持するた
め、照明光学系周辺で空気ゆらぎの発生を一層効率的に
防止できるという効果が得られる。
【0081】請求項7に係る露光装置は、温度調整装置
が温度制御装置によって温度制御された気体の一部を筺
体周辺に導く第1導入路を有する構成となっている。こ
れにより、この露光装置では、温度調整装置に温調機や
送風機を設ける必要がなくなり、装置の小型化やコスト
ダウンが実現するという優れた効果が得られる。
【0082】請求項8に係る露光装置は、温度調整装置
が、温度制御された気体の一部を筺体周辺に導く第2導
入路を有し、この第2導入路が、所定空間に温度制御さ
れた気体を導く導入口とは別の入口とされる構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、導入口から層
流状態で所定空間内へ導かれる気体の流れを第2導入路
が乱すことを防止でき、したがって、気体の流れが乱れ
ることで気体中に含まれる微小な塵埃が溜まってしまう
ことを防止でき、所定空間内のクリーン度を保持できる
という効果が得られる。
【0083】請求項9に係る露光装置は、温度制御装置
が送風機および温調機を有し、温度調整装置がこれら送
風機と温調機との少なくとも一方を兼用する構成となっ
ている。これにより、この露光装置では、温度調整装置
に温調機や送風機の少なくとも一方を設ける必要がなく
なり、装置の小型化やコストダウンが実現するという優
れた効果が得られる。
【0084】請求項10に係る露光装置は、送風機と温
調機とが、温度制御装置および温度調整装置にそれぞれ
独立して設けられる構成となっている。これにより、こ
の露光装置では、筺体周辺に送出する気体の流量や所定
空間内とは異なる温度を状況に応じて容易に調整するこ
とが可能になるという優れた効果が得られる。
【0085】請求項11に係る露光装置は、照明光を基
板上に投射する投影光学系が所定空間に配置される構成
となっている。これにより、この露光装置では、投影型
露光装置において照明光学系周辺で空気ゆらぎの発生を
効率的に防止できるという効果が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の第1の実施の形態を示す図であっ
て、温度調整装置、N 2供給装置および温度調整装置を
備えた露光装置の概略構成図である。
【図2】 本発明の露光装置を構成する照明光学系が筺
体内に配置された概略構成図である。
【図3】 本発明の第2の実施の形態を示す図であっ
て、送風機を独立して有する温度調整装置が配置された
露光装置の概略構成図である。
【図4】 本発明の第3の実施の形態を示す図であっ
て、温調機および送風機を独立して有する温度調整装置
が配置された露光装置の概略構成図である。
【図5】 従来技術による空調装置を備えた露光装置の
一例を示す概略構成図である。
【図6】 従来技術の露光装置を構成する照明光学系が
筺体内に配置された概略構成図である。
【符号の説明】
P 基板 R レチクル(マスク) RM レチクルマーク(マーク) 2 チャンバー 3 露光装置本体 7 投影光学系 11 温度調整室(所定空間) 15 吹き出し口(導入口) 18 露光装置 19 空調装置(温度制御装置) 21 筺体 39 N2供給装置(気体供給装置) 40 N2温度調整部(気体温度調整部) 42,55 温調機 43,51 送風機 47,49,54 温度調整装置 48 導入ダクト(第1導入路) 50 導入ダクト(第2導入路)

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マスクに照明光を照射する照明光学系を
    有し、前記マスクを介して前記照明光で基板を露光する
    装置において、 前記照明光学系の少なくとも一部が支持されて配置され
    る筺体内に清浄化された気体を供給する気体供給装置
    と、 前記筺体、またはその周辺の温度を調整する温度調整装
    置とを備えたことを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記温度調整装置は、前記筺体周辺に温
    度制御された気体を送出することを特徴とする請求項1
    に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記温度調整装置は、前記照明光学系と
    それに隣接する装置との間に前記温度制御された気体を
    送出することを特徴とする請求項2に記載の露光装置。
  4. 【請求項4】 前記照明光学系に隣接する装置は、前記
    マスク上のマークを検出する光学系の少なくとも一部を
    含むことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
  5. 【請求項5】 前記気体供給装置は、前記筺体に供給す
    る気体の温度を調整する気体温度調整部を有することを
    特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の露光装
    置。
  6. 【請求項6】 前記照明光学系の少なくとも一部を含む
    装置本体を収納するチャンバーと、 該チャンバー内の所定空間の温度を制御する温度制御装
    置とを更に備えることを特徴とする請求項1から5のい
    ずれか一項に記載の露光装置。
  7. 【請求項7】 前記温度制御装置は、前記所定空間内に
    温度制御された気体を送出し、前記温度調整装置は、前
    記温度制御された気体の一部を前記筺体周辺に導く第1
    導入路を有することを特徴とする請求項6に記載の露光
    装置。
  8. 【請求項8】 前記温度制御装置は、前記所定空間内に
    温度制御された気体を送出し、前記温度調整装置は、前
    記所定空間に前記温度制御された気体を導く導入口とは
    別の入口から前記温度制御された気体の一部を前記筺体
    周辺に導く第2導入路を有することを特徴とする請求項
    6に記載の露光装置。
  9. 【請求項9】 前記温度制御装置は、前記気体を送出す
    る送風機と、前記気体の温度を制御する温調機とを有
    し、 前記温度調整装置は、前記送風機と前記温調機との少な
    くとも一方を兼用することを特徴とする請求項7または
    8に記載の露光装置。
  10. 【請求項10】 前記温度制御装置と前記温度調整装置
    とは、それぞれ独立に前記気体を送出する送風機と、前
    記気体の温度を制御する温調機とを有することを特徴と
    する請求項8に記載の露光装置。
  11. 【請求項11】 前記照明光を前記基板上に投射する投
    影光学系を更に備え、前記所定空間には、前記投影光学
    系が配置されることを特徴とする請求項6に記載の露光
    装置。
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