JPH11192437A5 - - Google Patents
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- JPH11192437A5 JPH11192437A5 JP1998298372A JP29837298A JPH11192437A5 JP H11192437 A5 JPH11192437 A5 JP H11192437A5 JP 1998298372 A JP1998298372 A JP 1998298372A JP 29837298 A JP29837298 A JP 29837298A JP H11192437 A5 JPH11192437 A5 JP H11192437A5
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
・少なくとも１つのアルミナ・マトリックス１〜９９重量％、
・２．４３８ｎｍを越える結晶パラメータと、８未満のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３全体モル比と、２１未満でありかつＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３全体モル比を越える骨格のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比とを有する少なくとも１つのゼオライトＹ０．１〜８０重量％、
・第VIII族の少なくとも１つの金属０．１〜３０重量％および／または第VIB 族の少なくとも１つの金属１〜４０重量％、
・リン０．１〜２０重量％、および
・第VIIA族の少なくとも１つの元素０〜２０重量％
を含む触媒。
【請求項２】 第VIIA族の元素がフッ素である、請求項１記載の触媒。
【請求項３】 直径２５ｎｍを越える細孔が総細孔容積（ＶＰＴ）の１０％未満の容積を占め、
直径１６ｎｍを越える細孔がＶＰＴの１〜１４％であり、直径１０〜１６ｎｍの細孔がＶＰＴの少なくとも６０％であり、残部が直径１０ｎｍ未満の細孔に相当する、請求項１または２記載の触媒。
【請求項４】 ゼオライトＹとアルミナ湿潤ゲルとの混練、これに次ぐ押出しおよび２５０〜６００℃での焼成により得られる、請求項１〜３のいずれか１項記載の触媒。
【請求項５】 圧力少なくとも２ＭＰａ、温度少なくとも２３０℃、水素量仕込原料１リットル当り少なくとも１００Ｎリットル、毎時空間速度０．１〜１０ｈ−１での請求項１〜４のいずれか１項記載の触媒を用いる水素化クラッキング方法。
【請求項６】 圧力が２〜１２ＭＰａ、温度が３００〜４８０℃、転換率が５５％未満である、請求項５記載の方法。
【請求項７】 圧力が７．５〜１１ＭＰａである、請求項６記載の方法。
【請求項８】 圧力が８〜１１ＭＰａである、請求項６記載の方法。
【請求項９】 圧力が少なくとも８．５ＭＰａ、温度が３００〜４３０℃、転換率が少なくとも５５％である、請求項５記載の方法。
【請求項１０】 仕込原料が水素化クラッキングに先立って水素化処理される、請求項５〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】 水素化処理触媒が、少なくとも１つの第VIII族金属と、少なくとも１つの第VIB 族金属と、リンと、場合によってはホウ素とを含む、請求項９記載の方法。
【請求項１】
・少なくとも１つのアルミナ・マトリックス１〜９９重量％、
・２．４３８ｎｍを越える結晶パラメータと、８未満のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３全体モル比と、２１未満でありかつＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３全体モル比を越える骨格のＳｉＯ２／Ａｌ２Ｏ３モル比とを有する少なくとも１つのゼオライトＹ０．１〜８０重量％、
・第VIII族の少なくとも１つの金属０．１〜３０重量％および／または第VIB 族の少なくとも１つの金属１〜４０重量％、
・リン０．１〜２０重量％、および
・第VIIA族の少なくとも１つの元素０〜２０重量％
を含む触媒。
【請求項２】 第VIIA族の元素がフッ素である、請求項１記載の触媒。
【請求項３】 直径２５ｎｍを越える細孔が総細孔容積（ＶＰＴ）の１０％未満の容積を占め、
直径１６ｎｍを越える細孔がＶＰＴの１〜１４％であり、直径１０〜１６ｎｍの細孔がＶＰＴの少なくとも６０％であり、残部が直径１０ｎｍ未満の細孔に相当する、請求項１または２記載の触媒。
【請求項４】 ゼオライトＹとアルミナ湿潤ゲルとの混練、これに次ぐ押出しおよび２５０〜６００℃での焼成により得られる、請求項１〜３のいずれか１項記載の触媒。
【請求項５】 圧力少なくとも２ＭＰａ、温度少なくとも２３０℃、水素量仕込原料１リットル当り少なくとも１００Ｎリットル、毎時空間速度０．１〜１０ｈ−１での請求項１〜４のいずれか１項記載の触媒を用いる水素化クラッキング方法。
【請求項６】 圧力が２〜１２ＭＰａ、温度が３００〜４８０℃、転換率が５５％未満である、請求項５記載の方法。
【請求項７】 圧力が７．５〜１１ＭＰａである、請求項６記載の方法。
【請求項８】 圧力が８〜１１ＭＰａである、請求項６記載の方法。
【請求項９】 圧力が少なくとも８．５ＭＰａ、温度が３００〜４３０℃、転換率が少なくとも５５％である、請求項５記載の方法。
【請求項１０】 仕込原料が水素化クラッキングに先立って水素化処理される、請求項５〜８のいずれか１項記載の方法。
【請求項１１】 水素化処理触媒が、少なくとも１つの第VIII族金属と、少なくとも１つの第VIB 族金属と、リンと、場合によってはホウ素とを含む、請求項９記載の方法。
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化水素仕込原料の水素化クラッキング触媒に関し、前記触媒は、第VIB 族（元素周期表の新規記号表記による第６族：Handbook of Chemistry and Physics 、第76版、1995−1996年）の少なくとも１つの金属、好ましくはモリブデンおよびタングステンと、場合によっては前記周期律表の第VIII族（第８、９および１０族）の少なくとも１つの金属、好ましくはコバルト、ニッケルおよび鉄とを含む。これら金属は、非晶質または不完全結晶化細孔アルミナ・マトリックスと、２．４３８ｎｍを越える結晶パラメータの非脱アルミニウム・ゼオライトＹとを含む担体に組合わされる。触媒のアルミナ・マトリックスは、リンと、場合によっては第VIIA族（ハロゲンの第１７族）の少なくとも１つの元素、特にフッ素とを含む。
【発明の属する技術分野】
本発明は、炭化水素仕込原料の水素化クラッキング触媒に関し、前記触媒は、第VIB 族（元素周期表の新規記号表記による第６族：Handbook of Chemistry and Physics 、第76版、1995−1996年）の少なくとも１つの金属、好ましくはモリブデンおよびタングステンと、場合によっては前記周期律表の第VIII族（第８、９および１０族）の少なくとも１つの金属、好ましくはコバルト、ニッケルおよび鉄とを含む。これら金属は、非晶質または不完全結晶化細孔アルミナ・マトリックスと、２．４３８ｎｍを越える結晶パラメータの非脱アルミニウム・ゼオライトＹとを含む担体に組合わされる。触媒のアルミナ・マトリックスは、リンと、場合によっては第VIIA族（ハロゲンの第１７族）の少なくとも１つの元素、特にフッ素とを含む。
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