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JPH11163583A - 電子部品パッケージ及びその製造方法 - Google Patents

電子部品パッケージ及びその製造方法

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JPH11163583A
JPH11163583A JP9323016A JP32301697A JPH11163583A JP H11163583 A JPH11163583 A JP H11163583A JP 9323016 A JP9323016 A JP 9323016A JP 32301697 A JP32301697 A JP 32301697A JP H11163583 A JPH11163583 A JP H11163583A
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electronic component
plating layer
nickel plating
substrate
electrode pattern
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Kazumasa Fukazawa
和真 深澤
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Citizen Electronics Co Ltd
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Shielding Devices Or Components To Electric Or Magnetic Fields (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 プレス成形したシールドカバーを用いること
なく、シールド工程を出来るだけ簡易にして工数の掛か
らないようにしたELドライバ用の電子部品パッケージ
を提供すること。 【解決手段】 基板12の上面にグランドラインと導通
する接地用電極パターン16bを形成する。基板12に
ELドライバ用のコイル14、IC13及びコンデンサ
15を実装し、これら電子部品をエポキシ樹脂で封止す
る。封止体18の表面にニッケルメッキ層20をコーテ
ィングし、ニッケルメッキ層20と接地用電極パターン
16bとを導通させる。封止体18の表面にニッケルメ
ッキ層20をコーティングすることによって、電子部品
を電界ノイズ及び磁界ノイズからシールドすることがで
きる。従って、シールドカバーをプレス成形する必要が
なく、作業工数を掛けることなく簡単に電子部品パッケ
ージをシールドできる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、コイルやICなど
の電子部品を基板上に実装し、これをエポキシ樹脂によ
って封止した電子部品パッケージ及びその製造方法に関
する。
【0002】
【従来の技術】一般に、基板上にコイルやICなどの電
子部品を実装してパッケージ化した場合、コイルやIC
が外部からの磁場や電波に対して影響を受けるため、パ
ッケージ全体をシールドする必要がある。従来、電子部
品パッケージ全体をシールドしたものとしては、例えば
図9に示したものが知られている。この電子部品パッケ
ージ1は、側面にグランド接続用端子2が形成された基
板3の上にコイル及びICを含む電子部品(図示せず)
を実装し、この電子部品をエポキシ樹脂等の封止体4で
封止した後、封止体4の上から箱型のシールドカバー5
をすっぽり被せることによって全体をシールドしたもの
である。シールドカバー5を被せた時に、シールドカバ
ー5の一隅に設けたグランド用突起部6が基板3のグラ
ンド接続用端子2と接触する。そして、このグランド接
続用端子2は、電子部品パッケージ1をマザーボードに
表面実装したとき、マザーボードのグランドラインと導
通する。従って、グランド用突起部6がグランド接続用
端子2を介してマザーボードのグランドラインと導通
し、結果的にシールドカバー5が接地されて電子部品は
電界ノイズからシールドされることになる。また、シー
ルドカバー5は、ニッケル合金等の磁性材を箱型にプレ
ス成形したものであるので、電子部品を外部の磁界ノイ
ズからもシールドすることができる。
【0003】また、図10に示した電子部品パッケージ
1は、箱型のシールドカバー5の下面にスプリング8を
装着した例である。シールドカバー5を封止体4に被せ
た時に、スプリング8を封止体4に設けた穴部7に挿入
することで、スプリング8が基板3上面に形成した接地
用電極パターン(図示せず)と接触し、シールドカバー
5が接地されるものである。従って、この場合にもシー
ルドカバー5によって、電子部品を磁界ノイズ及び電界
ノイズからシールドすることができる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の電子部品パッケージ1にあっては、いずれの例でも
電子部品等の実装工程とは別工程でシールドカバー5を
プレス成形しなければならない他、封止体に被せる際の
位置合わせなどコスト面、作業面で問題があった。
【0005】そこで、本発明は、上記従来のシールドカ
バーを用いることなく、シールド工程を出来るだけ簡易
にして工数の掛からないようにした電子部品パッケージ
及びその製造方法を提供することを目的とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】すなわち、上記課題を解
決するために本発明の請求項1に係る電子部品パッケー
ジは、基板にコイル及びICを含む電子部品を実装し、
該電子部品をエポキシ樹脂で封止すると共に、該封止体
の表面にニッケルメッキ層を形成し、該ニッケルメッキ
層を接地したことを特徴とする。
【0007】また、本発明の請求項2に係るELドライ
バ用の電子部品パッケージは、基板にコイル、IC及び
コンデンサを実装し、これら電子部品をエポキシ樹脂で
封止すると共に、該封止体の表面にニッケルメッキ層を
形成し、該ニッケルメッキ層を接地したことを特徴とす
る。
【0008】また、本発明の請求項3に係る電子部品パ
ッケージは、前記基板の上面にグランドラインと導通す
る接地用の電極パターンを形成しておき、この接地用電
極パターンと前記ニッケルメッキ層とを導通させたこと
を特徴とする。
【0009】また、本発明の請求項4に係る電子部品パ
ッケージの製造方法は、グランドラインと導通する接地
用の電極パターンが上面に形成された基板にコイル及び
ICを含む電子部品を実装する実装工程と、前記電子部
品をエポキシ樹脂によって封止する樹脂封止工程と、前
記エポキシ樹脂の表面、及び前記接地用電極パターンの
表面にニッケルメッキ層を形成すると同時にそれぞれを
導通させるメッキコーティング工程とを備えたことを特
徴とする。
【0010】更に、本発明の請求項5に係る電子部品パ
ッケージの製造方法は、グランドラインと導通する接地
用の電極パターンが各単一基板毎の上面に形成された集
合基板にコイル及びICを含む電子部品を各単一基板毎
に実装する実装工程と、前記電子部品を含む集合基板の
上面全面にエポキシ樹脂を充填して封止する樹脂封止工
程と、前記エポキシ樹脂の上から前記接地用電極パター
ン及び基板の一部までをダイシングするハーフダイシン
グ工程と、前記エポキシ樹脂の全表面及びハーフダイシ
ングしたエポキシ樹脂の溝周面、さらに溝周面に露出し
た接地用電極パターンの端部にニッケルメッキ層を形成
すると同時に、該端部とニッケルメッキ層とを導通させ
るメッキコーティング工程と、前記ニッケルメッキ層の
形成によって電子部品がシールドされた前記集合基板を
各単一基板毎にフルダイシングして一つ一つに分割する
分割工程とを備えたことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下、添付図面に基づいて本発明
に係る電子部品パッケージ及びその製造方法について詳
細に説明する。図1及び図2は、本発明に係る電子部品
パッケージ11をELドライバモジュールとして構成し
た時の一実施例を示したものである。この実施例におい
て、電子部品パッケージ11は、矩形状の基板12の上
面にELドライバ用のIC13、コイル14及びコンデ
ンサ15を実装したものである。これらの電子部品は、
図2に示したように、電極パターン16a上にダイボン
ドやワイヤボンドなどの手段により接続されたり、リフ
ローで半田付けされる。基板12は、ガラスエポキシ樹
脂等の絶縁材からなり、その側面の四隅には基板12の
下面に連なるスルーホール電極17a,17b,17
c,17dが形成されると共に、その内の一つのスルー
ホール電極17aがグランド接続用端子として構成され
ている。このグランド接続用端子17aは、電子部品用
パッケージ11がマザーボード(図示せず)に実装され
た時に、マザーボードのグランドラインと導通するもの
である。また、上記基板12の上面には、前述の電極パ
ターン16aの他に、グランド接続用端子17aと導通
する接地用電極パターン16bが形成されている。
【0012】上述のようにして、IC13、コイル14
及びコンデンサ15が実装された基板12の上面は、エ
ポキシ樹脂からなる封止体18によって封止される。こ
の封止体18は、基板12の平面形状と略同一形状であ
り、両者が一体となって樹脂封止パッケージを構成す
る。封止体18に用いられるエポキシ樹脂は、耐湿性、
耐候性、絶縁性及び耐熱性等に優れると共に、前述のガ
ラスエポキシ板とは異なる成分構成からなり、封止体1
8の表面にメッキが実用的強度で形成されるのを可能と
している。なお、この実施例では、図1及び図2に示し
たように、接地用電極パターン16bの一端部19を、
封止体18から外部に露出させてある。
【0013】前記封止体18の全表面にはニッケルメッ
キ層20が形成されている。このニッケルメッキ層20
は、無電解メッキ法によってエポキシ樹脂の上に付着形
成される。また、ニッケルメッキ層20は、封止体18
の周面にも形成されることから、封止体18から露出し
ている接地用電極パターン16bの一端部19にも付着
形成されることになる。その結果、ニッケルメッキ層2
0は、接地用電極パターン16b及びグランド接続用端
子17aと導通し、マザーボードのグランドラインに接
地されることになるため、外部の電界ノイズから電子部
品をシールドすることができる。さらに、ニッケルメッ
キ層20の厚さを自由に設定することができ、例えば、
従来のシールドカバーと同程度の厚さで形成した場合に
シールド効果を得ることができ、外部からの磁界ノイズ
はニッケルメッキ層20によって吸収され、コイル14
を磁界ノイズからシールドすることができる。
【0014】このように、エポキシ樹脂からなる封止体
18の表面にニッケルメッキ層20をコーティングする
だけで、電子部品を電界ノイズ及び磁界ノイズからシー
ルドすることができるため、従来のようにシールドカバ
ーをプレス成形する必要がなく、作業工数を掛けること
なく簡単に電子部品パッケージをシールドすることがで
きる。また、ニッケルメッキ層20のメッキ厚も簡単に
変更できるため、必要とするシールド特性に応じてメッ
キ厚を変更することが可能である。
【0015】図3乃至図8は、上記構成からなる電子部
品パッケージの一製造方法を示したものである。この製
造工程では、先ず図3に示すように、各単一基板12毎
にダイシングライン21が想定される集合基板22にグ
ランド接続用端子17aとなるスルーホール電極を設け
ると共に、集合基板22の上面にはグランド接続用端子
17aをつなぐ接地用電極パターン16bを連続的に形
成する。この時、グランド接続用端子17a以外のスル
ーホール電極及び電子部品用の電極パターン(図示せ
ず)も同時に形成する。
【0016】次の工程では、図4に示すように、基板1
2毎にIC13、コイル14及びコンデンサ15を所定
位置に載置し、ダイボンド及びワイヤボンド、リフロな
どの手段で基板12上に実装する。次いで、図5に示す
ように、集合基板22の上面全体にエポキシ樹脂を充填
し、基板12の上に均一な厚さの封止体18を形成して
電子部品を樹脂封止する。なお、集合基板22の外周に
型枠を設けたり、スルーホールに樹脂が流れ込まないよ
うに、マスク材として薄いテープを貼るなどの方法を用
いて樹脂封止するが、これらの加工方法は製造の実情に
合わせて実施すればよい。
【0017】次の工程では、図6及び図7に示すよう
に、ダイシングライン21に沿って封止体18の上から
格子状に切込み23を入れ、集合基板22の略下半部を
残した状態でハーフダイシングを行なう。このハーフダ
イシングによって封止体18は各単一基板12毎に溝周
面が露出すると共に、集合基板22の略上半部にも切込
み23が入るために、接地用電極パターン16bの一端
部19も封止体18から露出することになる。そして、
図8に示した次の工程で、封止体18の外表面に無電解
メッキ法によってニッケルメッキ層20を形成する。こ
の時、ハーフダイシングした封止体18の切込み23に
もメッキが回り込んで、各単一基板12毎に封止体18
の周囲にニッケルメッキ層20が形成されるために、ニ
ッケルメッキ層20が接地用電極パターン16bの露出
している一端部19にも付着し、スルーホールからなる
グランド接続用端子17aまでが導通し接地される。従
って、ニッケルメッキ層20がシールド作用を発揮し、
電子部品を電界ノイズや磁界ノイズからシールドするこ
とができる。
【0018】このように、集合基板22の全面にエポキ
シ樹脂を充填し、ハーフダイシングすることにより封止
体18の各単一基板12毎の溝周面を露出させ、一度に
多数同時にニッケルメッキ層20を形成することができ
る。そして、最後に集合基板22に想定されたダイシン
グライン21に沿って再びダイシングし、各単一基板1
2毎に完全に切り離して一つ一つの電子部品パッケージ
11に分割する。分割された電子部品パッケージ11
は、完成品として図示外のマザーボード上に実装され
る。
【0019】上述のように、ハーフダイシング工程を用
いたことで接地用電極パターン16bの端部を露出させ
ることができ、この露出部分にメッキを行なうことで接
地用電極パターン16bを導通させることができる。ま
た、電子部品パッケージ11は、封止体18の外表面及
び接地用電極パターン16bの一端部19にニッケルメ
ッキ層20を被覆形成することでシールドされるため、
一貫した生産ラインで簡単にシールド付き電子部品パッ
ケージ11の製造が可能になる。
【0020】なお、上記実施例では基板12上にIC1
3、コイル14及びコンデンサ15を実装したELドラ
イバについて説明したが、本発明はこれに限定されるこ
となく、種々の電子部品パッケージに適用できるもので
ある。また、基板12の上面に形成した接地用電極パタ
ーン16bの形状および一端部19の露出個所などは上
記実施例に限定されないことは勿論である。
【0021】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る電子
部品パッケージによれば、電子部品の封止体としてエポ
キシ樹脂を用い、無電解メッキによってその表面にシー
ルド効果が備わったニッケルメッキ層を簡単に形成する
ことができるため、従来のような工数の掛かるプレス加
工による金属カバーの成形に比べて製造コストを大幅に
下げることができた。
【0022】また、グランドラインと導通する接地用の
電極パターンを基板の上面に形成し、この接地用の電極
パターンの一端にニッケルメッキ層を形成して導通させ
たので、ニッケルメッキ層の接地を容易且つ確実に行な
うことができた。
【0023】また、本発明に係る電子部品パッケージの
製造方法によれば、エポキシ樹脂からなる封止体の表面
にニッケルメッキ層を形成することでシールドできるた
めに、従来のような工数の掛かる金属カバーのプレス加
工が不要となり、一貫した生産ラインで電子部品パッケ
ージを製造することができる。
【0024】さらに、本発明に係る電子部品パッケージ
の製造方法によれば、エポキシ樹脂からなる封止体の表
面にニッケルメッキ層を形成することでシールドできる
ために、集合基板を用いた製造が可能となり、一度に多
数の電子部品パッケージを製造することで、コストの大
幅低下を達成することができた。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明に係る電子部品パッケージの一実施例を
示す斜視図である。
【図2】上記図1のA−A線断面図である。
【図3】上記実施例に係る電子部品パッケージの接地用
電極パターンの形成工程図である。
【図4】上記実施例に係る電子部品パッケージの電子部
品の実装工程図である。
【図5】上記実施例に係る電子部品パッケージの樹脂封
止工程図である。
【図6】上記実施例に係る電子部品パッケージのハーフ
ダイシング工程図である。
【図7】上記図6のB−B線断面図である。
【図8】上記実施例に係る電子部品パッケージのメッキ
コーティング工程図である。
【図9】従来の電子部品パッケージの一例を示す斜視図
である。
【図10】従来の電子部品パッケージの他の例を示す斜
視図である。
【符号の説明】
11 電子部品パッケージ 12 基板 13 IC 14 コイル 16b 接地用電極パターン 18 封止体 20 ニッケルメッキ層 21 ダイシングライン 22 集合基板

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板にコイル及びICを含む電子部品を
    実装し、該電子部品をエポキシ樹脂で封止すると共に、
    該封止体の表面にニッケルメッキ層を形成し、該ニッケ
    ルメッキ層を接地したことを特徴とする電子部品パッケ
    ージ。
  2. 【請求項2】 基板にコイル、IC及びコンデンサを実
    装し、これら電子部品をエポキシ樹脂で封止すると共
    に、該封止体の表面にニッケルメッキ層を形成し、該ニ
    ッケルメッキ層を接地したことを特徴とするELドライ
    バ用の電子部品パッケージ。
  3. 【請求項3】 前記基板の上面にグランドラインと導通
    する接地用の電極パターンを形成しておき、この接地用
    電極パターンと前記ニッケルメッキ層とを導通させたこ
    とを特徴とする請求項1又は2記載の電子部品パッケー
    ジ。
  4. 【請求項4】 グランドラインと導通する接地用の電極
    パターンが上面に形成された基板にコイル及びICを含
    む電子部品を実装する実装工程と、 前記電子部品をエポキシ樹脂によって封止する樹脂封止
    工程と、 前記エポキシ樹脂の表面、及び前記接地用電極パターン
    の表面にニッケルメッキ層を形成すると同時にそれぞれ
    を導通させるメッキコーティング工程とを備えたことを
    特徴とする電子部品パッケージの製造方法。
  5. 【請求項5】 グランドラインと導通する接地用の電極
    パターンが各単一基板毎の上面に形成された集合基板に
    コイル及びICを含む電子部品を各単一基板毎に実装す
    る実装工程と、 前記電子部品を含む集合基板の上面全面にエポキシ樹脂
    を充填して封止する樹脂封止工程と、 前記エポキシ樹脂の上から前記接地用電極パターン及び
    基板の一部までをダイシングするハーフダイシング工程
    と、 前記エポキシ樹脂の全表面及びハーフダイシングしたエ
    ポキシ樹脂の溝周面、さらに溝周面に露出した接地用電
    極パターンの端部にニッケルメッキ層を形成すると同時
    に、該端部とニッケルメッキ層とを導通させるメッキコ
    ーティング工程と、 前記ニッケルメッキ層の形成によって電子部品がシール
    ドされた前記集合基板を各単一基板毎にフルダイシング
    して一つ一つに分割する分割工程とを備えたことを特徴
    とする電子部品パッケージの製造方法。
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Cited By (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002246703A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Rohm Co Ltd 個片基板の製造方法および個片基板並びに集合基板
WO2002096176A3 (de) * 2001-05-21 2003-02-20 Siemens Ag Verfahren zur abschirmung einer auf einer leiterplatte realisierten elektrischen schaltung und eine entsprechende kombination einer leiterplatte mit einer abschirmung
WO2004010499A1 (ja) 2002-07-19 2004-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. モジュール部品
WO2004021435A1 (ja) * 2002-08-29 2004-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. モジュール部品
WO2004026010A1 (ja) * 2002-09-12 2004-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 回路部品内蔵モジュール
JP2004193187A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品の製造方法
WO2004060034A1 (ja) * 2002-12-24 2004-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品内蔵モジュール
EP1160859A3 (en) * 2000-05-30 2005-03-30 Alps Electric Co., Ltd. Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization and easy to manufacture
JP2006173493A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2006332255A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニット、及びその製造方法
US7187060B2 (en) 2003-03-13 2007-03-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with shield
WO2007060784A1 (ja) * 2005-11-28 2007-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 回路モジュールの製造方法および回路モジュール
US7288728B2 (en) 2005-01-24 2007-10-30 Citizen Electronics Co., Ltd. Electronic package and packaging method
WO2008062982A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Lg Innotek Co., Ltd Electromagnetic shielding device, radio frequency module having the same, and method of manufacturing the radio frequency module
KR100844791B1 (ko) 2006-11-29 2008-07-07 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐장치 및 이를 갖는 고주파 모듈과 고주파 모듈제조방법
KR100844790B1 (ko) * 2006-11-29 2008-07-07 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐장치 및 이를 갖는 고주파 모듈과 고주파 모듈제조방법
JP2009016371A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Casio Comput Co Ltd シールド機能付きモジュールの製造方法
WO2010047007A1 (ja) * 2008-10-23 2010-04-29 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
DE112009000666T5 (de) 2008-03-24 2011-07-28 Murata Mfg. Co., Ltd., Kyoto Verfahren zum Herstellen eines Elektronikkomponentenmoduls
US8053872B1 (en) 2007-06-25 2011-11-08 Rf Micro Devices, Inc. Integrated shield for a no-lead semiconductor device package
US8061012B2 (en) 2007-06-27 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing a module
US8062930B1 (en) 2005-08-08 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Sub-module conformal electromagnetic interference shield
CN102550140A (zh) * 2009-10-01 2012-07-04 松下电器产业株式会社 组件及其制造方法
WO2012165111A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 株式会社村田製作所 多層基板の製造方法および多層基板
JP2014056880A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Nec Corp モジュール部品及びその製造方法
US8835226B2 (en) 2011-02-25 2014-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Connection using conductive vias
US8959762B2 (en) 2005-08-08 2015-02-24 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing an electronic module
US9137934B2 (en) 2010-08-18 2015-09-15 Rf Micro Devices, Inc. Compartmentalized shielding of selected components
EP2940730A1 (en) 2014-04-11 2015-11-04 Shimane Masuda Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing electronic component
US9627230B2 (en) 2011-02-28 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Methods of forming a microshield on standard QFN package
US9807890B2 (en) 2013-05-31 2017-10-31 Qorvo Us, Inc. Electronic modules having grounded electromagnetic shields
US11058038B2 (en) 2018-06-28 2021-07-06 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields for sub-modules
US11114363B2 (en) 2018-12-20 2021-09-07 Qorvo Us, Inc. Electronic package arrangements and related methods
US11127689B2 (en) 2018-06-01 2021-09-21 Qorvo Us, Inc. Segmented shielding using wirebonds
US11515282B2 (en) 2019-05-21 2022-11-29 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7463573B2 (en) 2005-06-24 2008-12-09 Nanochip, Inc. Patterned media for a high density data storage device

Cited By (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1160859A3 (en) * 2000-05-30 2005-03-30 Alps Electric Co., Ltd. Surface-mounting type electronic circuit unit suitable for miniaturization and easy to manufacture
JP2002246703A (ja) * 2001-02-13 2002-08-30 Rohm Co Ltd 個片基板の製造方法および個片基板並びに集合基板
WO2002096176A3 (de) * 2001-05-21 2003-02-20 Siemens Ag Verfahren zur abschirmung einer auf einer leiterplatte realisierten elektrischen schaltung und eine entsprechende kombination einer leiterplatte mit einer abschirmung
EP1416532A4 (en) * 2002-07-19 2005-08-17 Matsushita Electric Industrial Co Ltd MODULE COMPONENT
WO2004010499A1 (ja) 2002-07-19 2004-01-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. モジュール部品
JP2010067989A (ja) * 2002-07-19 2010-03-25 Panasonic Corp モジュール部品
CN1323435C (zh) * 2002-07-19 2007-06-27 松下电器产业株式会社 模块部件
JP2010080968A (ja) * 2002-07-19 2010-04-08 Panasonic Corp モジュール部品の製造方法
US7161252B2 (en) 2002-07-19 2007-01-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module component
JP2004095607A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品
EP1450400A4 (en) * 2002-08-29 2005-08-17 Matsushita Electric Industrial Co Ltd MODULE PART
US7180012B2 (en) 2002-08-29 2007-02-20 Mitsushita Electric Industrial Co., Ltd. Module part
CN1302542C (zh) * 2002-08-29 2007-02-28 松下电器产业株式会社 模块部件
WO2004021435A1 (ja) * 2002-08-29 2004-03-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. モジュール部品
US7382628B2 (en) 2002-09-12 2008-06-03 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Circuit-component-containing module
WO2004026010A1 (ja) * 2002-09-12 2004-03-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 回路部品内蔵モジュール
CN100447990C (zh) * 2002-09-12 2008-12-31 松下电器产业株式会社 电路部件内置模块
JP2004193187A (ja) * 2002-12-09 2004-07-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd モジュール部品の製造方法
US6998532B2 (en) 2002-12-24 2006-02-14 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electronic component-built-in module
WO2004060034A1 (ja) * 2002-12-24 2004-07-15 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. 電子部品内蔵モジュール
US7187060B2 (en) 2003-03-13 2007-03-06 Sanyo Electric Co., Ltd. Semiconductor device with shield
JP2006173493A (ja) * 2004-12-17 2006-06-29 Shinko Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US7288728B2 (en) 2005-01-24 2007-10-30 Citizen Electronics Co., Ltd. Electronic package and packaging method
JP2006332255A (ja) * 2005-05-25 2006-12-07 Alps Electric Co Ltd 電子回路ユニット、及びその製造方法
US8959762B2 (en) 2005-08-08 2015-02-24 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing an electronic module
US8062930B1 (en) 2005-08-08 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Sub-module conformal electromagnetic interference shield
US9661739B2 (en) 2005-08-08 2017-05-23 Qorvo Us, Inc. Electronic modules having grounded electromagnetic shields
US7488903B2 (en) 2005-11-28 2009-02-10 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing circuit modules and circuit module
WO2007060784A1 (ja) * 2005-11-28 2007-05-31 Murata Manufacturing Co., Ltd. 回路モジュールの製造方法および回路モジュール
WO2008062982A1 (en) * 2006-11-21 2008-05-29 Lg Innotek Co., Ltd Electromagnetic shielding device, radio frequency module having the same, and method of manufacturing the radio frequency module
KR100844790B1 (ko) * 2006-11-29 2008-07-07 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐장치 및 이를 갖는 고주파 모듈과 고주파 모듈제조방법
KR100844791B1 (ko) 2006-11-29 2008-07-07 엘지이노텍 주식회사 전자파 차폐장치 및 이를 갖는 고주파 모듈과 고주파 모듈제조방법
US8053872B1 (en) 2007-06-25 2011-11-08 Rf Micro Devices, Inc. Integrated shield for a no-lead semiconductor device package
US8349659B1 (en) 2007-06-25 2013-01-08 Rf Micro Devices, Inc. Integrated shield for a no-lead semiconductor device package
US8061012B2 (en) 2007-06-27 2011-11-22 Rf Micro Devices, Inc. Method of manufacturing a module
US8434220B2 (en) 2007-06-27 2013-05-07 Rf Micro Devices, Inc. Heat sink formed with conformal shield
US8186048B2 (en) 2007-06-27 2012-05-29 Rf Micro Devices, Inc. Conformal shielding process using process gases
US8409658B2 (en) 2007-06-27 2013-04-02 Rf Micro Devices, Inc. Conformal shielding process using flush structures
US8220145B2 (en) 2007-06-27 2012-07-17 Rf Micro Devices, Inc. Isolated conformal shielding
US8296938B2 (en) 2007-06-27 2012-10-30 Rf Micro Devices, Inc. Method for forming an electronic module having backside seal
US8296941B2 (en) 2007-06-27 2012-10-30 Rf Micro Devices, Inc. Conformal shielding employing segment buildup
US8359739B2 (en) 2007-06-27 2013-01-29 Rf Micro Devices, Inc. Process for manufacturing a module
JP2009016371A (ja) * 2007-06-29 2009-01-22 Casio Comput Co Ltd シールド機能付きモジュールの製造方法
DE112009000666T5 (de) 2008-03-24 2011-07-28 Murata Mfg. Co., Ltd., Kyoto Verfahren zum Herstellen eines Elektronikkomponentenmoduls
US8016184B2 (en) 2008-03-24 2011-09-13 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for manufacturing electronic component module
JPWO2010047007A1 (ja) * 2008-10-23 2012-03-15 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
WO2010047007A1 (ja) * 2008-10-23 2010-04-29 株式会社村田製作所 電子部品モジュールの製造方法
CN102550140B (zh) * 2009-10-01 2015-05-27 松下电器产业株式会社 组件及其制造方法
CN102550140A (zh) * 2009-10-01 2012-07-04 松下电器产业株式会社 组件及其制造方法
EP2451259A4 (en) * 2009-10-01 2013-07-03 Panasonic Corp MODULE AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR
US8946563B2 (en) 2009-10-01 2015-02-03 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Module with exposed parts of copper foil and process for production thereof
US9137934B2 (en) 2010-08-18 2015-09-15 Rf Micro Devices, Inc. Compartmentalized shielding of selected components
US9942994B2 (en) 2011-02-25 2018-04-10 Qorvo Us, Inc. Connection using conductive vias
US8835226B2 (en) 2011-02-25 2014-09-16 Rf Micro Devices, Inc. Connection using conductive vias
US9420704B2 (en) 2011-02-25 2016-08-16 Qorvo Us, Inc. Connection using conductive vias
US9627230B2 (en) 2011-02-28 2017-04-18 Qorvo Us, Inc. Methods of forming a microshield on standard QFN package
WO2012165111A1 (ja) * 2011-05-31 2012-12-06 株式会社村田製作所 多層基板の製造方法および多層基板
JP2014056880A (ja) * 2012-09-11 2014-03-27 Nec Corp モジュール部品及びその製造方法
US9807890B2 (en) 2013-05-31 2017-10-31 Qorvo Us, Inc. Electronic modules having grounded electromagnetic shields
EP2940730A1 (en) 2014-04-11 2015-11-04 Shimane Masuda Electronics Co., Ltd. Method of manufacturing electronic component
US11127689B2 (en) 2018-06-01 2021-09-21 Qorvo Us, Inc. Segmented shielding using wirebonds
US11058038B2 (en) 2018-06-28 2021-07-06 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields for sub-modules
US11219144B2 (en) 2018-06-28 2022-01-04 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields for sub-modules
US11114363B2 (en) 2018-12-20 2021-09-07 Qorvo Us, Inc. Electronic package arrangements and related methods
US11515282B2 (en) 2019-05-21 2022-11-29 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules
US12431457B2 (en) 2019-05-21 2025-09-30 Qorvo Us, Inc. Electromagnetic shields with bonding wires for sub-modules

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