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JPH1056209A - 光電変換器およびその製造方法 - Google Patents

光電変換器およびその製造方法

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Publication number
JPH1056209A
JPH1056209A JP14601597A JP14601597A JPH1056209A JP H1056209 A JPH1056209 A JP H1056209A JP 14601597 A JP14601597 A JP 14601597A JP 14601597 A JP14601597 A JP 14601597A JP H1056209 A JPH1056209 A JP H1056209A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photoelectric converter
block
connection
holding
mounting surface
Prior art date
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Pending
Application number
JP14601597A
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English (en)
Inventor
Wolfgang Dipl Ing Gramann
グラマン ウオルフガング
Georg Dipl Phys Bogner
ボーグナー ゲオルク
Ralf Dietrich
デイートリツヒ ラルフ
Martin Weigert
ワイゲルト マルチン
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Siemens Corp
Original Assignee
Siemens Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Corp filed Critical Siemens Corp
Publication of JPH1056209A publication Critical patent/JPH1056209A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10H20/8506—Containers
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Landscapes

  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 保持ユニット２の上に固定されており、放射
線を送出しおよび／または受け入れる少なくとも１つの
ブロック１を有する光電変換器であって、デバイスを従
来方法により組立可能であり、特に表面実装に適してい
る、すなわちプリント板の上にＳＭＤ技術で取付けられ
る光電変換器を提供する。 【解決手段】 保持ユニット２が取付面３を有し、その
上にブロック１が固定されており、取付面３に電気接続
面１６、１７を有する複数個の接続部分４、５が付設さ
れており、これらの接続部分がそれぞれ電気接続手段１
２、１３、２６によりブロック１の電気接触部２２、２
３と導電接続され、また接続部分４、５が、取付面３に
関してすべての接続手段１２、１３、２６を含むブロッ
ク１の最大高さが取付面３と接続面１６、１７により定
められる接触平面１４との間の間隔よりも小さいように
構成かつ配置される。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、保持ユニットの上
に固定され、放射線を送出しおよび／または受け入れる
少なくとも１つのブロックを有する光電変換器に関す
る。本発明は特に、放射線を送出しおよび／または受け
入れるブロックが相応に構成された半導体チップまたは
ポリマー‐ルミネセンスダイオードまたはレーザーダイ
オードであるこのような光電変換器に関する。
【０００２】
【従来の技術】この種の光電変換器はたとえばヨーロッ
パ特許第412184号明細書から公知であり、また図１２に
示されている。この公知の光電変換器は検出器構成要素
３９（たとえばホトダイオード）、共通の保持体３３、
絶縁ブロック３４、取付部分３５、レンズ保持体３６お
よび検出器構成要素３９により受け入れられた放射線の
焦点合わせのためのレンズ３７を含んでいる放射線検出
器装置である。検出器構成要素３９はその下面で絶縁ブ
ロック３４の上に固定されており、絶縁ブロック３４は
共通の保持体３３の上に固定されている。取付部分３５
は絶縁ブロック３４とならんで共通の保持体３３の上に
配置されている。取付部分３５の上に取付層３８を用い
てレンズ３７を有するレンズ保持体３６が、レンズ３７
が検出器構成要素３９の放射線出口面４０の上に位置す
るように固定されている。
【０００３】このような光電変換器の組立には非常に費
用がかかる。それには多数の工程を必要とし、またレン
ズ３７の調節が非常に困難である。さらに、一般的に、
レンズ３７と検出器構成要素３９との間の空隙に基づい
て変換器内に大きい反射損失または結像誤差が生ずる。
【０００４】さらにドイツ特許出願公開第4323681 号明
細書から、光透過性の保持体の一方の側の上に受光また
は送光要素が、また保持体の他方の側の上に偏向鏡装置
および保持体の長手方向軸線に対して平衡に延びている
光ファイバが配置されている光電変換器が公知である。
たとえば送光要素から送り出された光は共通の保持体を
貫き、偏向鏡装置において９０°だけ光ファイバの方向
に偏向され、またこの光ファイバに入結合される。受光
要素の場合には、光ファイバを通って到来する光信号は
偏向鏡装置において９０°だけ受光要素の方向に偏向さ
れ、続いて共通の保持体を貫き、また受光要素に入結合
される。
【０００５】この既に公知の装置の製造も高い組立およ
び調節費用を必要とする。プリント板の上に半導体デバ
イスを組立てるための従来からの方法はこの装置では使
用できない。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従って本発明の課題
は、冒頭に記載した種類の光電変換器であって、従来か
ら公知の方法によりデバイスの組立が可能であり、特に
表面実装に適している、すなわちプリント板の上にＳＭ
Ｄ技術（表面実装デバイス）で取付けられ得る光電変換
器を提供することにある。
【０００７】同時にこの光電変換器は簡単な仕方で量産
可能であり、また他の光学的装置にくらべて大きな費用
なしに正確に調節可能であり、また光出射結合の際の高
い効率を有していなければならない。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題は請求項１の特
徴を有する光電変換器により解決される。
【０００９】本発明の有利な実施態様は従属請求項２な
いし１０に記載されている。本発明による光電変換器を
製造するための有利な方法は請求項１１ないし１２に記
載されている。
【００１０】本発明によれば、冒頭に記載した種類の光
電変換器において取付面を有する保持ユニットを有し、
この取付面の上に、放射線を送出しおよび／または受け
入れるブロックが固定されている。取付面には電気接続
面を有する複数個の接続部分が付設されており、これら
の接続部はたとえばプリント板の上のデバイスの表面実
装のために設けられまたそれぞれ電気接続手段によりブ
ロックの電気接触部と導電接続されている。接続部分
は、取付面に関してすべての接続手段を含むブロックの
最大高さが取付面と接続面により定められる接触平面と
の間の間隔よりも小さいように構成かつ配置されてい
る。
【００１１】本発明による光電変換器は冒頭に記載した
公知の光電変換器にくらべて、その接続面によりプリン
ト板の導体路の上に載せられ、また接続面が導電性の結
合手段により導体路と接続されることによって、簡単な
仕方でプリント板（たとえば基板、セラミックス基板ま
たはハイブリッド基板）の上に取付けられるという利点
を有する。変換器はこうして、ブロックが保持体部分と
プリント板との間に配置されるように、たとえばプリン
ト板の上に取付可能である。
【００１２】本発明による光電変換器の好ましい実施態
様では、放射線を送出しおよび／または受け入れるブロ
ックが、その放射線出口面が取付面のほうに向けられて
いるように保持ユニットの上に取付けられている。保持
ユニットはその際に少なくともブロックにより送出され
および／または受け入れられる放射線の一部に対して透
過性の材料から成っている。
【００１３】このことは、ブロックにより送出されおよ
び／または受け入れられる放射線が大きい反射損失また
は結像誤差による損失なしに光ファイバに、または他の
光学的装置またはブロックに入結合され得るという特別
な利点を有する。
【００１４】本発明による光電変換器の別の好ましい実
施態様では、保持ユニットが凹みを有する保持板を有
し、凹みの底面の上に取付面が設けられ、また凹みの側
壁の少なくとも部分範囲が接続部分として利用される。
【００１５】この実施態様の利点は特に、簡単な仕方で
多数の本発明による光電変換器がディスク結合で同時に
製造され得ることにある。保持板上の接続部分の別々の
正確な位置決めおよび取付は必要でない。
【００１６】本発明の有利な実施態様では、保持板が絶
縁材料から成っており、または保持板が場合によっては
凹みの中ならびに接続部分の上に少なくとも部分的に絶
縁層を設けられている。凹みの中ならびに接続部分の上
に、放射線を送出しおよび／または受け入れるブロック
の電気接触部と接続可能な導電性の複数個の接続帯が設
けられており、これらの接続帯が、接続部分の上にデバ
イスの表面実装のために適した複数個の接続面が構成さ
れるように、構造化されている。このことは特に、導電
性の複数個の接続帯が簡単な仕方で半導体技術の従来通
常の方法（マスク技術＋金属層の蒸着またはスパッタリ
ングなど）により製造できるという利点を有する。
【００１７】本発明による光電変換器の特に好ましい実
施態様では、保持ユニットは放射線の焦点合わせのため
の手段を有し、それによって有利なことに送出されまた
は受け入れられた放射線を大きな損失なしに境界面にお
ける全反射により変換器から出結合され、また変換器に
入結合することができる。
【００１８】本発明の他の有利な改良ならびにその実施
態様では、保持板は電気絶縁性の材料から成っており、
または少なくとも部分的に絶縁性の層を設けられてお
り、また保持板または絶縁性の層の上に少なくとも２つ
の構造化されたメタライジング層が施されており、その
上に導電性の接続部分が配置されている。
【００１９】このことは、導電性の接続部分の寸法およ
び位置が簡単な仕方で、取付面の上にあって放射線を送
出しおよび／または受け入れるブロックの、場合によっ
ては接続導体および／またはブロックに対する覆い手段
を含む寸法に適合させることができるという特別な利点
を有する。
【００２０】本発明による光電変換器の別の好ましい実
施態様では、ブロックと向き合っている側の保持板の上
に別の板が設けられている。
【００２１】それにより相い異なる屈折率を有する材料
から保持ユニットを製造し、また光電変換器の組立高さ
および光学的結像を最適化することが可能である。さら
に有利なことに、上記の別の板は放射線の焦点合わせの
ための手段を有し得る。
【００２２】本発明による光電変換器の特に好ましい実
施態様では、少なくとも放射線を送出しおよび／または
受け入れるブロックが合成樹脂製の覆いまたは他の種類
の覆いを設けられている。それにより簡単な仕方でブロ
ックが湿気および機械的損傷に対して保護される。
【００２３】
【実施例】本発明の実施例を以下図面について説明す
る。図面中で異なる実施例で同種の構成要素には同一の
符号が付されている。
【００２４】図１および図２による光電変換器では保持
ユニット２は台形状の凹み８を備えた保持板７を有す
る。凹み８の底面９および側面１０、１１の上および接
続部分４、５の上面２４、２５の上に互いに隔てられた
２つの導電性の接続帯１２、１３がたとえばメタライジ
ング層の形態で施されている。接続部分４、５の上にそ
れにより光電変換器の２つの接続面１６、１７が構成さ
れている。
【００２５】凹み８の取付面３には放射線を送出しおよ
び／または受け入れるブロック１が、その下面接触部２
２が少なくとも部分的に導電性の接続帯１２の上に載
り、またこれとたとえばＡｕＳｎろうまたは他の適当な
導電性の結合手段により接続されるように取付けられて
いる。ブロック１の上面接触部２３は接続導体２６（た
とえばボンドワイヤ）により導電性の接続帯１３と接続
されている。
【００２６】ブロック１はたとえば発光ダイオード、ホ
トダイオード（ＰＩＮホトダイオード）または垂直キャ
ビティ表面放射線レーザー（ＶＣＳＥＬ）である。
【００２７】保持板７は電気絶縁性であり、またたとえ
ばブロック１により送出されまたは受け入れられる放射
線に対して透過性のガラス、合成樹脂、サファイア、ダ
イアモンドまたは半導体材料から成っている。λ＞４０
０ｎｍの波長に対してはたとえばＳｉＣが、λ＞５５０
ｎｍの波長に対してはＧａＰが、λ＞９００ｎｍの波長
に対してはＧａＡｓが、またλ＞１１００ｎｍの波長に
対してはシリコンが使用される。凹み８はたとえばエッ
チング、鋸引きまたはフライス加工により形成されてい
る。同じく、たとえば金属から成る導電性の保持板７を
使用することもできるが、この保持板は凹みの中または
接続部分４、５の上に少なくとも部分的に絶絶層１５
（たとえば酸化物層または合成樹脂層など）を設けられ
ている。
【００２８】導電性の接続帯１２、１３はたとえばアル
ミニウム、アルミニウムベース合金またはＡｕ多層系か
ら成っている。半導体材料から成る保持板７を使用する
場合には凹み８の中ならびに接続部分４、５の上面２
４、２５の上に適当なドーピングにより接続帯が形成さ
れることも考えられる。このようなドーピングを行うに
は、当業者に現在知られている半導体技術の方法、たと
えばイオン注入法が使用される。
【００２９】ブロック１の放射線出口および／または入
口面６と保持板７との間にブロック１または保持板７か
らの光出結合を改善するため光学的結合媒体２９、たと
えば鋳造樹脂が設けられている。光出結合の改善は、全
反射が生ずる角度の増大に基づいている。結合媒体２９
の重要な特性は半導体チップ１により送出および／また
は受け入れられる放射線の吸収がわずかなことだけであ
る。
【００３０】説明を完全なものにするためここで言及し
ておくと、放射線を送出するブロック１の放射線出口お
よび／または入口面６は、ブロック１で発生された放射
線の最大部分がそこから出る面である。それと同様に、
放射線を受け入れるブロック１の放射線入口面は、受け
入れられた放射線がそこからブロック１に入る面であ
る。
【００３１】接続面１６、１７は一点鎖線１４により示
されている接触平面を定め、この接触平面から底面９ま
での間隔は、接続導体２６およびたとえば水晶小球また
は薄片により満たされた樹脂またはアクリレートから成
る選択的に設けられているチップ覆い２７を含むブロッ
ク１の最大高さよりも大きい。チップ覆い２７は特に、
ブロック１を湿気および機械的損傷から保護する役割を
する。
【００３２】保持板７は凹み８と向かい合う側に、ブロ
ック１により送出および／または受け入れられる放射線
の焦点合わせのための手段２１、たとえば球面レンズ、
非球面レンズまたは回折光学系を有する。手段２１はた
とえばエッチングまたは研磨により保持板７に形成さ
れ、または別個に製造されてたとえばろう付け、接着ま
たは陽極ボンディングにより保持板７の上に施されても
よい。
【００３３】図３および図４に示されている光電変換器
では保持板７は平らな上面２８を有し、その上に導電性
の接続帯１２、１３が施されている。保持板７は電気絶
縁性の材料（たとえば図１および図２の上記の実施例の
場合のような材料）から製造され、または導電性であっ
てよく、この場合には次いで少なくとも部分的に電気絶
絶層１５（たとえば酸化物層または合成樹脂層など）を
設けられる。
【００３４】図１および図２による実施例の場合のよう
に、ここでもブロック１は、それがその下面接触部２２
の少なくとも一部により導電性の接続帯１２の上に載
り、またこれと導電的に接続されるように保持板７の取
付面３の上に固定されている。導電性の接続帯１２、１
３の上にたとえばろう付けまたは接着により導電性の接
続部分４´、５´が固定されており、こうして接続部分
４´、５´の上面２４、２５が光電変換器の電気接続面
１６´、１７´を構成している。
【００３５】接続部分４´、５´はたとえば高導電性の
シリコン、金属または高導電性の他の材料から成ってい
る。接続部分４´、５´と導電性の接続帯１２、１３と
の間の結合剤としてはたとえば金属ろうまたは導電性合
成樹脂が使用される。同じく接続部分４´、５´は共融
ボンドにより接続帯１２、１３の上に固定できる。
【００３６】保持板７および導電性の接続帯１２、１３
の材料としてはたとえば上記の図１、図２の実施例と同
じ材料が適している。
【００３７】保持板７はここでもブロック１と向かい合
うその面の上にブロックにより送出および／または受け
入れられる放射線の焦点合わせのための手段２１を有す
る。その代表例として図３中には回折光学系が記入され
ている。
【００３８】さらに、この実施例でも、ブロック１はチ
ップ覆い２７により湿気および機械的損傷に対して保護
されている（先に図１で示したチップ覆い２７と同じ材
料を使用する）。
【００３９】図５の実施例は、取付面３と向かい合う保
持板７の面の上に別の板１８が配置されることにより、
図３および図４の実施例と相違している。この別の板１
８はたとえば保持板７と異なる材料から成っている。こ
れらの材料の適当な選定により、たとえば保持板７に対
してはガラス、別の板１８に対してはシリコンの使用に
より、変換器の高周波特性が改善され、また光電変換器
のキャパシタンスを下げることができる。加えて、別の
板１８および保持板７の相い異なる屈折率により光電変
換器の組立高さおよび光学的結像を最適化することがで
きる。
【００４０】図５に示すように、ここでは保持板７では
なく別の板１８が放射線の焦点合わせのための手段２
１、この場合には球面または非球面レンズ２８を有す
る。
【００４１】図６および図７による実施例は、保持板７
内の凹み８がたとえばエッチングにより形成されている
上から下へ狭くなる穴の形態を有することにより、図１
および図２に示されている実施例と相違している。接続
部分４、５としてここでは穴の側壁の部分片が使用され
ている。このことは、接続面１６、１７が任意の配置で
穴の側壁の上面の上に配置されるので、たとえば光電変
換器に付設されているプリント板の上の導体帯の形態が
あまり制約されないという利点を有する。
【００４２】図３による実施例の場合のように、ここで
も、接続帯１２、１３の上に接続面１６´、１７´を有
する導電性の接続部分４´、５´（たとえばいわゆるシ
リコン‐ジャンパーチップ）を固定することができ、そ
の際に接続面１６´、１７´はたとえば金属層の形態で
実現することができる。
【００４３】穴と向かい合う側の保持板７の上にこの実
施例では放射線の焦点合わせのための手段２１として別
個に製造された球面または非球面レンズがたとえば接着
により施されている。球面または非球面レンズの代わり
に別個に作られた回折光学系が施され、または保持板７
内に形成されてもよい。最後に述べたことはもちろん球
面または非球面レンズに対しても当てはまる。
【００４４】図８による実施例では保持板７は図１の保
持板とほぼ同一に構成されている（図１の説明を参
照）。同じく保持板７は図６および図７の実施例と類似
に構成されてもよい。しかし、保持板７に対して追加的
に保持ユニット２はここでは、図５による実施例の場合
のように、別の板１８を有し、そのなかに放射線の焦点
合わせのための手段２１が形成され、または施されてい
てもよい。この実施態様により図５の実施例と同一の特
性および追加的な利点が生ずる。
【００４５】図９を用いて以下に図８による多数の光電
変換器を同時に製造するための工程を説明する。 ・最初に、保持板７に対する材料（ここではたとえばガ
ラス）から成る保持ディスク３０に、たとえばエッチン
グまたはフライス加工により多数の凹み８が作られる。 ・続いて、保持ディスク３０の表面の部分範囲の上に、
たとえばマスク技術および蒸着またはスパッタリングに
より多数の接続帯１２、１３が施される。 ・すぐ次の工程として、凹み８内に多数のブロック１が
取付けられ、またそれらの接触部２２、２３が接続帯１
２、１３にたとえば導電性のろうにより、または接続導
体（ボンドワイヤ）２６により導電的に接続される。 ・必要な場合には、次いで、ブロック１の放射線出口面
と保持ディスク３０との間の中間空所がそれぞれ結合媒
体２９（たとえば樹脂）により満たされる。これはたと
えば、結合媒体が直接に中間空所内に注入されるミクロ
ドーピングシステムにより行われる。 ・続いて、予定されている場合には、ブロック１が接続
導体２６を含めてそれぞれチップ覆い２７を設けられる
ように、凹み８が鋳造樹脂またはアクリレートにより満
たされる。 ・ブロック１を有する保持ディスク３０の形成とは別個
に、図８のディスク１８の材料、たとえばシリコンから
成るディスク３１が放射線の焦点合わせのための多数の
手段２１を設けられる（既に説明した製造方法によ
る）。 ・ディスク３１が次いで保持ディスク３０とたとえばろ
う付け、接着または陽極ボンディングにより結合され
る。しかし、同じくディスク３１は、ブロック１を保持
ディスク３０の上に取付ける前に既にこれと結合されて
もよい。ディスク結合体は続いてたとえば鋸引きにより
個別化される。 ・ディスク結合体の個別化前に光電変換器は電気的かつ
光学的に試験される。
【００４６】図６および図７による多数の光電変換器を
製造するための以下に図１０および図１１により説明す
る方法では、上記の方法と類似して、保持ディスク３０
が最初に多数の凹み８を設けられ、保持ディスク３０の
上面の上に多数の接続帯１２、１３が施され、また凹み
内に多数のブロック１が取付けられる。ブロック１と接
続帯との電気的接触に関して、また結合媒体およびチッ
プ覆いに関しては図９を参照して説明したことと同じこ
とが当てはまる。
【００４７】前記の方法との相違点は、第一にここでは
放射線の焦点合わせのための手段２１が保持ディスク内
に形成されまたはその上に施されること、第二に接続帯
の上に対として互いに結合されまた接続面１６´、１７
´（たとえば金属層）を有する導電性の接続部分４´、
５´（接続部分対３２）が施されることにある。続い
て、保持ディスク３０が接続部分対３２と一緒に場合に
よっては変換器の電気的および／または光学的試験後に
個々の光電変換器として個別化される。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明による光電変換器の第１の実施例の概要
断面図。
【図２】図１の光電変換器の概要平面図。
【図３】本発明による光電変換器の第２の実施例の概要
断面図。
【図４】図３の光電変換器の概要平面図。
【図５】本発明による光電変換器の第３の実施例の概要
断面図。
【図６】本発明による光電変換器の第４の実施例の概要
断面図。
【図７】図６の光電変換器の概要平面図。
【図８】本発明による光電変換器の第５の実施例の概要
断面図。
【図９】図８による多数の本発明による光電変換器を製
造するための工程を説明するための概要図。
【図１０】図６および図７による多数の本発明による光
電変換器を製造するための工程を説明するための概要
図。
【図１１】図６および図７による多数の本発明による光
電変換器を製造するための工程を説明するための概要
図。
【図１２】従来の光電変換器の概要断面図。
【符号の説明】
１ ブロック ２ 保持ユニット ３ 取付面 ４、５、４´、５´ 接続部分 ６ 放射線出口および／または入口面 ７ 保持板 ８ 凹み １２、１３ 接続帯 １５ 電気絶縁層 １６、１７、１６´、１７´ 電気接続面 １８ 別の板 ２２、２３ 電気接触部 ２６ 接続導体 ２７ 覆い ３０ 保持ディスク
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ラルフ デイートリツヒ ドイツ連邦共和国 81539 ミユンヘン ベルクシユトラーセ ９ (72)発明者 マルチン ワイゲルト ドイツ連邦共和国 93152 ハルト アム ハルト ６

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 保持ユニット（２）の上に固定され放射
    線を送出しおよび／または受け入れる少なくとも１つの
    ブロック（１）を有する光電変換器において、保持ユニ
    ット（２）が取付面（３）を有し、その上にブロック
    （１）が固定されており、取付面（３）に電気接続面
    （１６、１７、１６´、１７´）を有する複数個の接続
    部分（４、５または４´、５´）が付設されており、こ
    れらの接続部分がそれぞれ電気接続手段（１２、１３、
    ２６）によりブロック（１）の電気接触部（２２、２
    ３）と導電接続されており、また接続部分（４、５、４
    ´、５´）が、取付面（３）に関してすべての接続手段
    （１２、１３、２６）を含むブロック（１）の最大高さ
    が取付面（３）と接続面（１６、１７）により定められ
    る接触平面（１４）との間の間隔よりも小さいように構
    成かつ配置されていることを特徴とする光電変換器。
  2. 【請求項２】 放射線を送出しおよび／または受け入れ
    るブロック（１）が半導体チップまたはポリマー‐ルミ
    ネセンスダイオードまたはレーザーダイオードであるこ
    とを特徴とする請求項１記載の光電変換器。
  3. 【請求項３】 ブロック（１）が保持ユニット（２）の
    ほうに向けられている放射線出口および／または入口面
    （６）を有し、また保持ユニット（２）がブロック
    （１）により送出しおよび／または受け入れられる放射
    線の少なくとも一部に対して透過性の材料から成ってい
    ることを特徴とする請求項１または２記載の光電変換
    器。
  4. 【請求項４】 保持ユニット（２）が凹み（８）を備え
    た保持板（７）を有し、凹み（８）の底面の上に取付面
    （３）が設けられており、また凹み（８）の側壁の少な
    くとも一部の範囲が接続部分（４、５）として利用され
    ていることを特徴とする請求項１ないし３の１つに記載
    の光電変換器。
  5. 【請求項５】 保持板（７）が絶縁性材料から成ってお
    り、または場合によっては凹み（８）の中ならびに接続
    部分（４、５）の上に少なくとも部分的に絶縁層（１
    ５）を設けられており、また凹み（８）の中ならびに接
    続部分（４、５）の上にブロック（１）の電気接触部
    （２２、２３）と接続可能な導電性の複数個の接続帯
    （１２、１３）が設けられており、これらの接続帯が、
    接続部分（４、５）の上に複数個の接続面（１６、１
    ７）が形成されるように構造化されていることを特徴と
    する請求項４記載の光電変換器。
  6. 【請求項６】 保持ユニット（２）が放射線の焦点合わ
    せのための手段を有することを特徴とする請求項３ない
    し５の１つに記載の光電変換器。
  7. 【請求項７】 保持板（７）が絶縁性材料から成ってお
    り、または保持板が少なくとも部分的に絶縁層（１５）
    を設けられており、また保持板（７）の上に少なくとも
    ２つの構造化されたメタライジング層が施されており、
    その上に導電性の接続部分（４´、５´）が配置されて
    いることを特徴とする請求項１ないし３および６の１つ
    に記載の光電変換器。
  8. 【請求項８】 ブロック（１）と向き合っている側の保
    持板（７）の上に、保持板（７）とは異なる屈折率を有
    する別の板（１８）が設けられていることを特徴とする
    請求項１ないし７の１つに記載の光電変換器。
  9. 【請求項９】 前記別の板（１８）が放射線の焦点合わ
    せのための手段（２１）を有することを特徴とする請求
    項８記載の光電変換器。
  10. 【請求項１０】 ブロック（１）が覆い（２７）を設け
    られていることを特徴とする請求項１ないし９の１つに
    記載の光電変換器。
  11. 【請求項１１】 請求項７による多数の光電変換器を製
    造するための方法において、 ａ）多数の取付面（３）を定める保持ディスク（３０）
    の上に多数の導電性の接続帯（１２、１３）を形成する
    工程と、 ｂ）ブロック（１）の電気接触部が接続帯（１２、１
    ３）と導電的に接続されるように、取付面（３）の上に
    多数のブロック（１）を取付ける工程と、 ｃ）接続部分（４´、５´）がそれぞれ少なくとも部分
    的に接続帯（１２、１３）の上に位置するように、保持
    ディスク（７）の上に多数の接続部分（４´、５´）を
    施す工程とを含んでいることを特徴とする光電変換器の
    製造方法。
  12. 【請求項１２】 請求項７による多数の光電変換器を製
    造するための方法において、 ａ）保持板（７）用の材料から成る保持ディスク（３
    ０）の中に取付面（３）を有する多数の凹み（８）を形
    成する工程と、 ｂ）保持ディスク（３０）の上に接続面（１６、１７）
    を有する多数の接続帯（１２、１３）を形成する工程
    と、 ｃ）凹み（８）の中の取付面（３）の上に多数のブロッ
    ク（１）を固定し、またブロック（１）の電気接触ブロ
    ック（２２、２３）を接続帯（１２、１３）と電気的に
    接続する工程と、 ｄ）保持ディスク（３０）を個々の光電変換器に鋸引き
    する工程とを含んでいることを特徴とする光電変換器の
    製造方法。
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