JPH0312646A

JPH0312646A - 新規色素記録材料

Info

Publication number: JPH0312646A
Application number: JP1146794A
Authority: JP
Inventors: Shuichiro Ogawa; 周一郎小川; Yoshio Hayashi; 林　善夫
Original assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Current assignee: Asahi Chemical Industry Co Ltd
Priority date: 1989-06-12
Filing date: 1989-06-12
Publication date: 1991-01-21

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】（産業上の利用分野）本発明は、主にレーザー光による書き込み、読み出しに
通した新規デジタル記録材料を提供するものである。

（従来の技術）近年、レーザー関連技術が目ざましく進歩し、また、情
報のデジタル化が進み、それに必要な様々な新しい光学
記録材料が提案されてきている。

代表的なデジタル記録材料としては、光ディスクを挙げ
ることが出来る０色素を用いた光ディスクは安価に製造
することができるという利点があるために注目され、開
発されている。

また、これとは別に簡便に取り扱えるものとして高密度
でいつも持ち運びできる光カード材料が提案されている
。この−例として、特開昭５９５０２１３９号公報、特
開昭５８−１８８３４６号公報などに記載されているド
レクスラー社で開発された光カードが著名である。

また、光ディスクと同様な材料を用いて各社で光カード
材料が開発されている。一方、光ディスクよりさらにコ
ンパクトにかつ大容量の情報を記録し得る材料として光
テープが提案されている。

このように幾つかのシステムや材料が提案されてはいる
が、書き込み感度、記録材料の保存安定性、記録密度、
エラー率など記録材料として必要な緒特性はまだまだ不
十分である。

そこで、本発明者らは、高温高温下で保存安定性に優れ
、かつ折り曲げ等の使用条件でも光学記録材料として充
分使用することができる材料を先に提案している。

（発明が解決しようとする課題）本発明は、より感度がよく、読み取り特性の良い、即ち
Ｃ／Ｎ比とエラー率の向上がなされた材料を提供するも
のである。

また、本発明は、安定性が良い光学記録材料を提供する
ものである。

本発明の材料は、塗布型であり、連続的に製造可能であ
るので安価な光学記録材料を提供することが出来る。

（課題を解決するための手段）加熱することにより銀化合物が還元反応を起こすことを
利用し、反射性の金属銀含有層を形成せしめた光学記録
材料と光吸収剤（色素）を用いた光学記録材料とを組合
せて、記録時は反射性の金属銀含有層中の銀に光を吸収
して熱を発生させる機構をもたせ、また、色素には読み
取り時に弱い光を吸収させて、読み取り特性を改善させ
る機構をもたせるように、機能を分離し高機能化を図っ
た。

これにより思いもかけず、多くの機能の改善がなされた
のは驚くべきことであった。すなわち、感度の向上がな
され、色素を選択することにより記録の際のガンマ特性
も改善され、読み取りの際のコントラスト比が大きくな
って、読み取り特性も向上した。また、材料の安定性も
大きく改善できたのは驚くべきことであった。

このような本発明の光学記録材料は、以下のように規定
することができる。

銀もしくは銀より貴な金属現像核の存在下で銀化合物が
反応することにより形成される金属銀含有層の直下に、
半導体レーザー波長域において実質的に吸光度を有する
光吸収剤を含む層が存在する光学記録材料である。

この場合に、この光学記録材料における反射性の金属銀
含有層と銀供給層との各々の層は明確に境界があっても
、また、無くても、光学記録材料として重要なことでは
ない、但し、光学記録材料として記録密度を向上させる
ために、金属銀は少なくとも２〜３μｍよりは温かに小
さな分散物として均一に分散して存在するか、この２〜
３μｍのオーダーでは均一な連続膜として取り扱える金
属ｔａｌｌであることが好ましい。

この光学記録材料の金属銀含有層と銀供給層を併せた記
録層自体の厚さは、反射率の差が得られる限り、薄けれ
ば薄いほど記録密度を向上させ、安価にできるという点
で好ましいが、通常は１〜２５μｍ程度に設定される。

光吸収剤は銀供給層に含まれおり、金属銀含有層の直下
に存在する。また、金属銀含有層が、明確に境界線がな
い場合には、金属銀含有層に光吸収剤が含まれていても
一向に構わない。

銀化合物としては、有機銀塩およびカルボン酸銀含有高
分子である６例を挙げるならば、大きく３種類に分ける
ことができる。

■長鎖脂肪酸の銀塩、■有機溶媒可溶性銀化合物、■カ
ルボン酸銀含有高分子である。

長鎖脂肪酸の銀塩としては、ステアリン酸の銀塩、ベヘ
ン酸の銀塩などが特に有用である。しかし、他の非感光
性の銀塩、例えば、サッカリン酸銀、ベンゾトリアゾー
ル恨等も使用することができる。

有機溶媒可溶性銀化合物としては、脂肪族カルボン酸銀
塩類や銀金属キレート化合物の中で有機溶媒可溶なもの
が選択される。例えば、好ましい脂肪族カルボン酸銀と
しては、フッ素を含有した脂肪族カルボンｅａ銀が用い
られる。

また、錫金属キレート化合物としては、例えば、フッ素
を含有したβ−ジケトン頻に代表される、フッ素を含有
したキレート化剤が一般に用いられる。

特に好ましい化合物としては、トリフロロ酢酸２艮、シ
ルバーヘブタフロロフ゛チレート、シルバーパーフロロ
オクタノエート、シルバートリフロロメタネサルホネー
ト、シルバーフロイルトリフロロアセトネート、シルバ
ーヘキサフロロアセチルアセトネート、シルバーへブタ
フロロブタノイルビバノイルメタネート、シルバーピバ
ロイルトリフロロアセトネート、シルパートリフロロア
セチルアセトネート、シルバーフロイルトリフロロアセ
トネートを挙げることができる。

有機溶媒可溶性銀化合物は、−数的に用いられているア
ルコール類、ケトン類、エーテル類、ニトリル類、ハロ
ゲン系、脂肪族、芳香族などの有機溶剤１ｄに対して、
１ｍｇ以上溶解するものが好ましい。

カルボン酸銀含有高分子としては、カルボン酸を高分子
側鎖に有する天然あるいは合成高分子化合物から合成す
ることができる。その中でも、特に有用なカルボン酸銀
含有高分子としては、アルギン酸銀塩、ペクチン酸銀塩
などの天然物由来の銀塩化合物及びポリアクリル酸銀、
ポリメタクリル酸銀などの合成高分子由来の銀化合物な
どから選択することができる。

合成高分子については、アクリル酸、メタクリル酸メチ
ル、アクリロニトリル、塩化ビニル、酢酸ビニル等の各
種の七ツマ−との共重合体を銀含有高分子のベースとし
て使用することができるため、特に有用である。

■長鎖脂肪酸の銀塩、■有機溶媒可溶性銀化合物を用い
て反射性の金属銀含有層を形成するためには適当な還元
剤が必須である。カルボン酸銀含有高分子を用いる場合
は、還元剤を導入しても、しなくても良いが、必要なら
ば還元剤をいろいろな方法でカルボン酸塩含有高分子中
に含有させてもよい。

銀化合物に対する還元剤としては、銀化合物を還元でき
るものであれば、どのようなものであっても良い。好ま
しい還元剤として例を挙げるならば、水酸基の結合する
炭素に隣接する炭素に立体的にかさ高い基が結合し、水
酸基を立体的に阻害している阻害フェノール類であり、
例えば、２６−ジーｔ−ブチル−４−メチルフェノール
、２゜２゛−メチレンビス−（４−メチル−６−ｔ−ブ
チルフェノール）、２．２°−メチレンビス−（４−エ
チル−６−ｔ−ブチルフェノール）、２゜４．４−）リ
メチルベンチルビスー（２−ヒドロキシ−３，５−ジメ
チルフェニール）メタン、２゜５−ジーし一ブチルー４
−メトキシフェノール、２−ｔ−ブチル−６−（３−ｔ
−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルベンジル）−４
−メチルフェニルアクリレート、４．４“−ブチリデン
−ビス＝（３−メチル−６−ｔ−ブチルフェノール、ト
リエチレングリコール−ビス−（３−（３−ｔ−ブチル
−５−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネー
ト］、１．６−ヘキサンシオールービスー（３−（３，
５−ジーＬ−ブチルー４ヒドロキシフェニル）プロピオ
ネート〕、２４−ビス−（ｎ−オクチルチオ）−６−（
４−ヒドロキシ−３，５−ジーし一ブチルアニリノ）−
１，３，５−）リアジン、ベンクエリスリチルテトラキ
ス−（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオネートＬ２゜２−チオ−ジエチレン
ビス（３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシ
フェニル）プロピオネート〕、オクタデシル−３−（３
，５−ジーも一ブチルー４−ヒドロキシフェニル）プロ
ピオネート、２．２−チオビス（４−メチル−６〜ｔ−
ブチルフ二ノール）、Ｎ−Ｎ’　−ヘキサメチレンビス
（３，５−ジーし一ブチルー４−ヒドロキシーヒドロシ
ンナマミド）、３．５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキ
シ−ベンジルホスホネート−ジエチルエステル、１，３
．５−）リメチル−２゜４．６−トリス（３，５−ジー
し−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）ベンゼン、ビス
（３，５ジーも一ブチルー４−ヒドロキシベンジルホス
ホン酸エチル）カルシウム、トリス−（３，５−ジー１
−ブチル−４−ヒドロキシベンジル）−イソシアヌレー
ト、Ｎ、Ｎ’−ビス（３−（３，５−’、；−Ｌ−７’
チルー４−ヒドロキシフェニル）プロピオニル）ヒドラ
ジン等を挙げることができる。

また、ハイドロキノン、２．５−ジメチルヒドロキノン
、クロロヒドロキノン、ｐ−アミノフェノール、メチル
ハイドロナフタレン、フェニドン、没食子酸メチル等の
銀塩用還元剤や、ｐ−フェニルデノール、ビスフェノー
ルＡ、２．４−ジヒドロキシ安１さ、香酸、ｐ−メトキ
シフェノールも使用することができる。還元剤の量とし
ては、還元剤の種類などにより変動するが、−船釣には
、銀化合物１モルに対し約０．０１モモル的１０モル、
好ましくは約０．１モル−約３モルである。

本発明で用いられる光吸収剤は、半導体レーザー波長域
において吸光度を有する光吸収剤である。この条件は、
材料に導入された場合の条件であって、光吸収剤それ自
身の吸収波長域を゛規定するものではない。ここでいう
半導体レーザーの波長領域は、６５０ｎｍ〜９００ｎｍ
である。また、実質的に光吸収度を有するということは
、ピットを形成したときに、光吸収剤添加系と光吸収剤
無添加系との反射率の差が５％以上あることで定義する
。５％以下であると、読み取り特性の改善がほとんど現
れないとともに、光安定性の向上はない。

この光吸収剤としては、様々な色素を挙げるとかでき、
シアニン系色素、メロシアニン系色素、スチリル系色素
、スチリルキノリン系色素、フタロシアニン系色素、ナ
フタロシアニン系色素、スアリリウム系色素、オキソノ
ール系色素、キサンチン系色素、トリフェニルメタン系
色素、クロコニウム系色素、アズレニウム系色素、ナフ
トキノン系色素、アントラキノン系色素、チオールニッ
ケル錯塩系色素、ヘミシアニン系色素、ログシアニン系
色素等の中から挙げることができる。

好ましくは、半導体レーザー波長域の光に対して耐候性
のよい光吸収剤が良く、フタロシアニン系色素、ナフタ
ロシアニン系色素チオールニッケル錯塩系色素、アズレ
ニウム系色素を挙げることができる。

次に、−具体例を挙げるが、これらに限定されるもので
はない。アルミフタロシアニン、銅フタロシアニン、鉄
フタロシアニン、コバルトフタロシアニン、ニッケルフ
タロシアニン、チタンフタロシアニン、フッ化アルミフ
タロシアニン、マグネシウムフタロシアニン、コバルト
ナフタロシアニン、ニッケルナフタロシアニン、チタン
ナフタロシアニン、マグネシウムナフタロシアニン、フ
ン化アルミナフタロシアニン、亜鉛フタロシアニン、エ
チレン１，２−ジチオール系ニッケル錯体などを挙げる
ことができる。

銀化合物と還元剤と光吸収剤は、カルボン酸銀含有高分
子を用いる場合を除いて、通常高分子化合物と共に溶媒
に溶解あるいは分散せしめ、均一な塗布液として用意さ
れる。

溶媒としては、メタノール、エタノール、イソプロピル
アルコール等のアルコール系？８　媒；　２−ブタノン
、アセトン等のケトン系溶媒；酢酸エチル等のエステル
系溶媒；トルエン、キシレン、シクロヘキサン等の芳香
族又は脂環族炭化水素系溶媒；クロロホルム、ジクロロ
エタンなどのハロゲン系有機溶媒等の有機溶媒を挙げる
ことができる。

ここで、バインダーとしての高分子化合物の選択は、安
定性の良い塗布溶液を作成する上で重要であるのみなら
ず、塗布乾燥、加熱現像後に得られる光学記録材料の保
存安定性に大きく影響を与えるために極めて重要である
。

特に高湿度の保存条件でより好ましい安定性を与えるた
めには、ゼラチン、ポリビニルアルコール等の親水性バ
インダーは避けるべきである。

本発明において好ましいバインダーとしては、ポリメチ
ルメタクリレート、ポリビニルホルマール、ポリビニル
ブチラール、塩化ビニル−酢酸ビニル共重合体、セルロ
ースアセテート、ポリスチレン等の疎水性の広範な有機
高分子化合物の中から適宜選択することができる。この
疎水性パインダーは、有機溶媒可溶性銀化合物に対して
重量比で約１０対１〜約１対１０である。

カルボン酸銀含有高分子を用いる場合は、カルボン酸銀
含有高分子を溶媒に均一に溶解もしくは分散せしめ、適
当な支持体に塗布・乾燥して準備してもよいし、また、
ナトリウム、カリウム、アンモニウム、リチウム等の金
属塩を含有したカルボン酸塩含有高分子を均一に溶解せ
しめ、適当な支持体上に均一に塗布・乾燥後、硝酸銀水
溶液などの適当な可溶性の根源を塗布層に供給すること
により、カルボン酸銀含有高分子を形成させ、準備して
もよい。この場合に光吸収剤の導入方法は、カルボン酸
根含有高分子と共に溶媒に溶解あるいは分散させて導入
しても良いし、カルボン酸塩含有高分子と共に導入して
も良い。また、可溶性の光吸収剤であれば、硝酸銀水溶
液などの適当な可溶性の銀源と共に導入し、カルボン酸
塩高分子の塗布層に浸み込ませることで導入することも
できる。

本発明の反射性金属光沢層は、次のようにして製造され
る。即ち、予め塗布された銀化合物、光吸収剤や還元剤
などを含む層（光学記録材料組成物層）の上ζｉ金属現
像核を形成させ、さらに適当な加熱条件、例えば少なく
とも７０’Ｃ以上の温度で数秒〜数分間加熱すると表面
層に反射性の金属銀含有層が出来る。加熱温度は支持体
の耐熱性や製造上取扱い易さを考慮すると、２００℃以
下が好ましい。この反射性の金属銀含有層を形成するた
めには、触媒的に作用する金属現像核が必須である。

金属現像核としては、銀または恨より貴な金属種である
。銀より貴な金属種としては、パラジウム、白金、金、
ロジウム、ルテニウム、タリウム、水銀などを挙げるこ
とが出来る。これらの金属核は単独の金属種であっても
良いし、複合系や硫化銀や酸化銀などの化合物などであ
ってもよい。

光学記録材料組成物表面上の金属現像核の形成法として
は、適当なバインダーを含有した溶媒中にこの金属現像
核を分散せしめ、光学記録材料組成物表面上に塗布する
方法、あるいは蒸着などの気相条件で表面に金属触媒核
を形成せしめる方法をとることもできる。また、強い還
元剤を用いて表面をかぶらせたり、水素ガスなどの還元
性ガスに表面を短時間曝したりして表面にその金属種自
身からなる金属現像核を形成させても良い。

例えば、代表例としてその製造方法を挙げるならば、塩
化第一錫の水溶液と塩化パラジウムの水溶液に順次浸漬
し、パラジウムの金属核を表面層に付与させる無電解メ
ツキで金属核を付与する方法、白金、金、銀、パラジウ
ムなどの金属を表面に真空蒸着する方法を挙げることが
できる。

また、表面層に硫化ソーダのごとき硫化銀核を形成する
化合物を配してもよい。また、水素ガス等の還元性ガス
に表面を短時間曝したりして表面に銀金属現像核を設け
てもよい。銀化合物やバインダー等の種類によって適切
な形成方法を選ぶ必要がある。

このような表面層を有する光学記録材料組成物層を適当
な加熱条件、例えば、少なくとも７０℃以上の温度で数
秒〜数分間加熱すると、表面に反射性の金属銀含有層を
形成することができる。

適当な加熱条件としては、好ましくは９０〜２００℃で
２〜１００秒程度である。この加熱条件は、本発明の構
成を満たすべく最適の条件にコントロールしなければな
らない。特に、現像が過多になると、反射性の金属銀含
有層が不均一になり易いために、注意しなければならな
い。

本発明の光学記録材料には種々の添加成分を含有せしめ
、目的とする材料の性能を高めることが出来る０例えば
、金属銀含有層の銀粒子の大きさをコントロールする化
合物を導入することが出来る０例としては、乾式銀塩感
材でいうフタラジノンのごとき調色剤を挙げることが出
来る。また、必要に応じて、被り防止剤、増感剤等を添
加することが出来る。

さらに、本発明では、感光性のハロゲン化銀を光学記録
材料組成物中に含有せしめることが可能であり、このよ
うな複合化によって、製造時に予めマスクを通してパタ
ーン露光をすることによってプレフォーマット処理を容
易に行えることも判明した。

このような組成の変更は、カルボン酸銀含有高分子の一
部にハロゲンイオン源を作用させ、有機溶媒可溶性根化
合物の一部を予め感光性ハロゲン化銀に変えておく方法
や、別途作成しておいたハロゲン化銀微結晶を光学記録
材料組成物中に分散せしめる方法がある。

本発明の光学記録材料は、記録層を保護する目的で透明
な保護層が設けられる。この保護層は、ポリカーボネー
ト、ポリスチレン、ポリメチルメタクリレート、ポリ塩
化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリエチレンテレフタ
レートなどの透明性のよい有機高分子化合物から選択さ
れる。

また、光学記録材料層の裏面には、光学記録層が塗布さ
れるベースフィルムのみからなっていても、またさらに
裏面に曲げ等に対する補強層が存在していてもよい。ま
た、透明な保護層の表面は傷などがつきにくいように表
面処理をするものが普通である。

本発明の形状はカード状が一般的であるが、円盤状であ
ってもテープ状であっても一部に差し支えない。

本発明の光学記録材料は、適当なパワーを有する種々の
レーザー光源で記録することが出来るが、その代表的な
ものはＨｅ−Ｎｅレーザー、半導体レーザーである。例
えば、１０ｍＷ程度の半導体レーザーを用いて、２〜３
μｍのビーム径で数１０ｃｍ／ｓｅｃ程度のスピードで
書き込むことが出来る。

本発明の光学記録材料は、いわゆる追記型の記録材料と
して用いることができ、ユーザーが必要に応じて書き込
むことが出来、−度書き込んだものは消すことが出来な
いので、証拠などが必要な用途にも用いることが出来る
。また、予め情報を書き込んでおいて読み取り専用のＲ
ＯＭカードとしても使用可能である。

以下に、本発明をより詳細に説明するためにその実施例
を記載するが、これは本発明を限定するものではない。

実施例１〜６下記の成分からなる懸濁液を作成した。

ベヘン酸根　　　　　　　　　　　２０ｇポリビニール
ブチラール　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　１８ｇ８ｇフタラジン　　　　　　　　　　４ｇ
２．２−メチレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフ
ェノール）　　　　　　９ｇ２−ブタノン　　　　　　
　　　　　２００ｇトルエン　　　　　　　　　　　　
　６０ｇ光吸収剤（表１参照）　　　　　　　　２ｍｇ
臭化ナトリウム　　　　　　　　　　　　１ｇジクロル
メタン　　　　　　　　　　　５ｇメタノール　　　　
　　　　　　　　　Ｉｇこの懸濁液は、約１２時間ボー
ルミルによって均一化された後、平均孔径１．５μｍの
フィルターを通して未分散物を除去した。

この懸濁液は、小型アプリケーターによって乾燥後、６
μｍになるようにスリットを選択し、１１００ＩＩのポ
リエステルテレフタレート（ＰＥＴ）に均一に塗布し、
温度２２℃、湿度５０％ＲＨの条件で乾燥した０次にこ
のサンプルを下記の水溶液に順次各々１０秒間浸漬した
後、水洗、風乾した。

（水溶液ｌ）塩化第１錫　　　　　　　　　　　　　７ｇ蒸留水　　
　　　　　　　　　　　２００ｍ濃塩酸　　　　　　　
　　　　　　　４ｄ（水溶液２）塩化パラジウム　　　　　　　　　０．１ｇ蒸留水　　
　　　　　　　　　　　２００ｄ濃塩酸　　　　　　　
　　　　　　　　５　ｍｌ得られたこれらのサンプルに
フォマティングのための露光を行った後、１３０℃で１
０秒間加熱したところ、未露光部の表面層に銀が析出し
て、反射性の金属銀含有層を形成した。露光部は低反射
部を形成した。

次に、これらのサンプルに８３０ｎｍの発光波長を有す
る半導体レーザー光（ビーム径３μｍ、発光パワー１０
ｍＷ）を用いて、書き込みテストを行った。走査スピー
ドを４０ｃｍ／秒としてパルス発振させたところ、ピッ
トが形成された。

夫々の実施例に対しての再生信号のＣ／Ｎ比を測定し、
また、市販のエラーディテクターによってビットエラー
率を測定した。再生パワーは０．　５ｍＷで行った。そ
の結果を表２に示す。

また、上記の記録条件のうちレーザー発光パワーのみを
変化させて記録したときのピット形成に必要な最低パワ
ーを同様に表２に示す。

また、４０℃、９０％の恒温恒温下でハロゲンランプ２
０．００’０１ｕχ照射の条件で促進テストを行った。

その促進テス）１００時間の結果を同様に表２に示す。

比較例１実施例１〜６と全く同様に実験を行った。但し、光吸収
剤を添加していない、その結果を表２に示す。

比較例２〜４下記の成分からなる溶液を作成した。

光吸収剤（色素）　　　　　　　　　　　　１ｇポリビ
ニールブチラール　　　　　　　　　　　　　　　　　
　　　０．　　００５ｇジクロロエタン　　　　　　　
　　　　２０ｇエタノール　　　　　　　　　　　　　
２０ｇこの溶液を均一化した後、平均孔径１．５μｍの
フィルターを通した。その後、アクリル樹脂製の円盤形
基盤の上にスピンコードした。その後の記録及び評価方
法は実施例１〜６と同様である。

用いた光吸収剤を表１に併せて示す。

表１実施例７〜１２下記の成分からなる溶液を作成した。

トリフロロ酢酸銀　　　　　　　　　２０ｇ２．２−メ
チレンビス（４−エチル−６−ｔ−ブチルフェノール）
　　　　　　　　　　　　　　　　　　９ｇ２−ブタノ
ン　　　　　　　　　　　２００ｇメタノール　　　　
　　　　　　　　　１ｇトルエン　　　　　　　　　　
　　　６０ｇクロロホルム　　　　　　　　　　　　１
０ｇポリカーボネート　　　　　　　　　　２０ｇ光吸
収剤（表３参照）　　　　　　　　２ｍｇこの溶液は、
約６時間ボールミルによって均一化された後、平均孔径
１．５μｍのフィルターを通した。

この溶液は、スピンコータにより乾燥後、６μｍになる
ような条件でポリカーボネート基盤に塗布した。その後
、温度２２℃，？Ｗ度５０％ＲＨの条件で乾燥した。こ
のポリカーボネート基盤は、予め次に示す日本セーリン
グ社製の無電解メツキ用の触媒核形成法を用いて、表面
に金属現像核、すなわちパラジウム核を形成したものを
用いた。

その方法を次に示す。ポリカーボネート基盤は、次の水
溶液に順次各々ｌＯ秒間浸漬した後、水洗、風乾した。

（水溶液１）アクチベータネオガント８３４　　　４０ｄ（日本セー
リング社の商品名）蒸留水　　　　　　　　　　　　　９５６ｍ１水酸化ナ
トリウム　　　　　　　　　　　３ｇ（水溶液２）リデューサ−ネオガントＷＡ　　　　　　５ｒｔｄｌ（
日本セーリング社の商品名）ホウ酸　　　　　　　　　　　　　　５ｇ蒸留水　　　
　　　　　　　　　　９５０ｄ得られた夫々のサンプル
を１５０　’Ｃで６０秒間加熱した。

これらのサンプルは表面層（塗布層と基盤の界面）に銀
が析出して光沢層を有した。次に、サンプルに８３０ｎ
ｍの発光波長を有する半導体レーザー光（ビーム径４μ
ｍ１発光パワー１２ｍＷ）を用いて、書き込みテストを
行った。走査スピードを６０Ｃ１１／秒とし、パルス発
振させたところ、ピットが形成された。

夫々の実施例に対して実施例１〜６と同様に、Ｃ／Ｎと
エラー率を測定した。その結果を表４に示す。

また、上記の記録条件のうち、レーザー発光パワーのみ
を変化させて記録したときのピット形成に必要な最低パ
ワーを、同様に表４に示す。

また、４０℃１９０％の恒温恒Ｖ！下で、ハロゲンラン
プで２０，０００１ｕｘ照射の条件で促進テストを行っ
た。その結果を同様に表４に示す。

比較例５実施例７〜１２と全く同様に実験を行った。但し、光吸
収剤を添加していない、その結果を表４に示す。

表３実施例１３〜１８下記の成分からなる溶液を作成した。

ＣコｈｃＯＯＡｇ　　　　　　　　　　　　　　２０　
ｇポリビニールブチラール　　　　　　　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　１８ｇ２−ｔ−ブチル−６−
（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキン−５−メチルベンン
ル）−４−メチルフェニル７クリレート　　　　　　　
　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　　８　ｇイ
ソプロピルアルコール　　　　　１８５ｇシクロヘキサ
ン　　　　　　　　　　５５ｇクロロホルム　　　　　
　　　　　　２０ｇ臭化ナトリウム　　　　　　　　　
　０．３ｇヨウ化コバルト　　　　　　　　　０．３ｇ
光吸収剤（表３参照）　　　　　　　　　３ｍｇこの溶
液は、約８時間ボールミルによって均一化された後、平
均孔径１．　５μｍのフィルターを通した。

その後、実施例１〜６と同様な条件で塗布、乾燥した。

但し、乾燥後の膜厚は１１μｍになるように塗布し、赤
色安全光の下で乾燥した。この窓材を実施例７〜１２と
同様な方法で、材料の表面にパラジウムを吸着させた。

その後、フォーマティング作成のための露光を行い、１
５０℃で１０秒間ブロックヒーターで加熱すると、未露
光部表面に銀が析出し、金属光沢層が形成され、フォー
マティングを形成した。

次に、８３０　ｎｍの発光波長を有する半導体レーザー
光（ビーム径３μｍ、発光パワー１１ｍＷ）を用いて、
書き込みテストを行った。

走査スピードを５０ｃｍ／秒とし、パルス発信させたと
ころ、ピットが形成された。夫々の実施例に対して、実
施例１〜６と同様にＣ／Ｎ比とエラー率を測定した。そ
の結果を表５に示す。

また、上記の記録条件のうち、レーザー発光パワーのみ
を変化させて記録したときのビット形成に必要な最低パ
ワーを同様に表５に示す。

また、４０゛Ｃ１９０％の恒温恒温下でハロゲンランプ
で２０，０Ｏ０１ｕＸ照射の条件で促進テストを行った
。その結果を同様に表６に示す。

比較例６実施例１３〜１日と全く同様に実験を行った。

但し、光吸収剤を添加していない。その結果を表５に示
す。

実施例１９〜２４下記の成分からなる溶液を作成した。

アルギン酸ナトリウム　　　　　　　　２０ｇ蒸留水　
　　　　　　　　　　　　８００ｇイソプロピルアルコ
ール　　　　　　６０ｇ光吸収剤（表１参照）　　　　
　　　　２ｍｇこの溶液は、約５時間ボールミルによっ
て均一化された後、平均孔径１．５μｍのフィルターを
通した。

この溶液は、小型アプリケ−クーによって乾燥後、６μ
ｍになるようにスリットを選択し、１００μｍの厚みの
ポリエステルフィルム上に均一に塗布し、温度２２℃１
湿度５０％ＲＨの条件で乾燥した。

その後、０．ＩＮの硝酸銀水溶液にこのサンプルを浸漬
し、アルギン酸銀を形成させた。

次に、サンプルに日本セーリング社製の無電解メツキ用
の触媒核形成法を用いて、表面に金属現像核、すなわち
パラジウム槙を形成した６次の水溶液に順次各々１０秒
間浸漬した後、水洗、風乾した。

（水溶液１）アクチベータネオガント８３４　　　　４０　ａｌｌ（
日本セーリング社　商品名）蒸留水　　　　　　　　　　　　　　９５６ｄ水酸化ナ
トリウム　　　　　　　　　　　　３ｇ（水１容ン夜２
　）リデューサ−ネオガントＷＡ　　　　　　　５ｄ（日本
セーリング社　商品名）ホウ酸　　　　　　　　　　　　　　　５ｇ蒸留水　　
　　　　　　　　　　　　９５０ｄ得られた夫々のサン
プルを１５０℃で１００秒間加熱した。

サンプルは表面層に銀が析出して金属銀含有層（光沢層
）を有した０次に、サンプルに８３０ｎｍの発光波長を
有する半導体レーザー光（ビーム径３μｍ、発光パワー
１０ｍＷ）を用いて、書き込みテストを行った。走査ス
ピードを４０ｃ■／秒としパルス発信させたところ、ピ
ットが形成され夫々の実施例に対してＣ／Ｎ比とエラー
率を測定した。その結果を表６に示す。

また、上記の記録条件のうちレーザー発光パワーのみを
変化させて、記録したときのピット形成に必要な最低パ
ワーを同様に表６に示す。

また、４０℃１９０％の恒温恒温下でハロゲンランプで
２０．０Ｏ０１ｕＸ照射の条件で促進テストを行った。

その結果を同様に表６に示す。

比較例７実施例１９〜２４と全く同様に実験を行った。

但し、光吸収剤を添加していない。その結果を表６に示
す。

実施例１２４により本発明が有効であることが判る。

（発明の効果）本発明によりレーザー記録の出来るフレキシブルで、記
録再生特性の良い、デジタル記録材料を提供することが
出来る。

Claims

【特許請求の範囲】１）銀もしくは銀より貴な金属現像核の存在下で銀化合
物が反応することにより形成される金属銀含有層の直下
に、半導体レーザー波長域において実質的に吸光度を有
する光吸収剤を含む層が存在する光学記録材料。（２）請求項（１）記載の光学記録材料において、感光
性ハロゲン化銀微結晶を含有せしめたパターン露光によ
るプレフォーマット可能な光学記録材料。（３）該銀化合物と銀もしくは銀より貴な金属を含む金
属現像核とを、少なくとも７０℃以上の温度に加熱する
ことにより、請求項（１）及び（２）のいずれかに記載
の光学記録材料を製造する製造方法。（４）請求項（１）および（２）のいずれかに記載の光
学記録材料にパルス発振させたレーザー光を照射するこ
とによって反射率変化を生じさせ、情報を記録する記録
方法。