JPH0243725A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野］ 本発明は、例えば半導体基板の一面に電極金属を破着し
、その電極面を支持板へろう付けする半導体装置の製造
方法に関する。

〔従来の技術〕

半導体基板には、例えばダイオードあるいはサイリスタ
の１合のアノードまたはカソード電極、トランジスタの
場合のコレクタ１を鵠が基ヰ反の一面に金属の蒸着など
により全面に形成され、その金１面が電流取出しを兼ね
る金属支持仮にろう付けされる。半導体基板の一面を絶
縁して支持する場合も、その金属面が絶縁支持板のメタ
ライズ面にろう付けされる。このような電極金属のＦ４
ＴＩなどの工程前には、蒸着面を稀弗化水素酸あるいは
有機系溶剤等で洗浄を行う。

（発明が解決しようとする課題〕 しかし、このようにして被着された電極金属は、半導体
基板との密着が弱く、その後の工程で金属支持板等へ組
立をする場合に電極剥がれが生しやすいという問題があ
った。また、温度上昇による熱応力も剥離を引きおこす
ため、ろう付温度は３６０℃前後に制限されていた。こ
のような問題は基板上面に電極を被着し、接続導体とろ
う付けあるいは溶接する場合にも生じていた。

本発明の課題は、密着力の強い電極金属を被着し、組立
工程において基板面上の電極の剥がれが生じない半導体
装置の製造方法を提供することにある。

〔ｔ！１題を解決するための手段〕 上記の課題の解決の前に、本発明は、半導体基板への電
橋金属被着の前処理として被着面に気相エツチングを施
すものとする。

〔作用〕

プラズマエツチング、スパッタエツチングあるいはイオ
ンエツチングなどの気相エツチングを施すことにより半
導体基板面が活性化され、電極金属との密着度が向上す
る。

〔実施例〕

第１図＋ａｌ〜ｌｄｌは本発明の一実施例のダイオード
の裏面電極形成工程を示す。第１図（＆）において、Ｎ
形ソリコン基板１に酸化１ｌＩ３をマスクとしての不純
物拡散に２層２を形成し、２層２にはＡＩ蒸着層を破着
してアノード電極４とする。第１図１ｃＩにおいては、
湿式化学的エツチングで裏面酸化膜５１を除去する０次
いで第１図１ｃＩにおいでは、フレオンガスと酸素との
混合ガスを用いて基板裏面を０１μ腸以Ｅプラス′マエ
ノチングする。これにより活性化面５が生ずる０次に第
１図（ｄ＋に示すように、この面５の上にＴｉ膜６．Ｎ
ｉ膜？、Ａｕ膜８を順次真空蒸着してｌ［面電場、すな
わちカソード電極９を形成する。裏面電極の構成は、Ｃ
ｒ−Ｎ１−ｆｉｕ等でもよい。これにより裏面電極９と
シリコン基板ｌの密着力が向上した。例えばシリコン基
板のチップ化のために基板を接着シート上に貼り付け、
基板を切断して千ノブ化後、シートからチップを取り外
すとき、従来は奥面電橋剥離のおそれのあるため、粘着
シートには権力粘着力の弱いものを使用していた。しか
し本発明により裏面電極９の密着力が向上したため、粘
着力の強いシートが使用可能になり、作業時の取扱いが
容易になった。また耐熱特性も大幅に改善され、裏面電
極のろう付は時の温度上昇も４２０℃まで許容されるよ
うになった。

第１図に示した実施例では、予め酸化膜５１をつＬ　’
）トエソチングで除去したが、その工程を省き、第１図
１ｃＩのプラズマエツチング時に酸化膜５１の除去も行
ってもよい。また、プラズマエツチングの代わりに、ス
パッタエツチングあるいはイオンエツチングなどの他の
気相エツチング法を適用することもできる。そのほか、
電極金属をスパッタリングなどで被着するときにも有効
である。

〔発明の効果〕

本発明によれば、半導体基板への電極金属の破着の前処
理を気相エツチングにより行うことにより、ｉｉｔ極金
属の半導体基板との密着力が格段に向ＪＴ、　した。こ
れにより、従来の洗浄による前処理の場合のように後の
組立工程におけるｔ　ｆｆｉ　ＩＩ離の全件が情無とな
り、半導体装置製造コストの低減に掻めて大きな効果が
得られた。

【図面の簡単な説明】

第１図（５）〜（ｄ＋は本発明の一実施例の電極形成工
程を順次示す断面図である。 １−シリコン基板、４；アノード電極、５：プ面ズマエ
ツチング而、６：Ｔｉ膜、７：Ｎｉ１ｌ、８：Ａｕ膜、
９；裏面電極（カソード電橋）４７ノーＦ＠＠き 第１　図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １）半導体基板への電極金属被着の前処理として被着面
   に気相エッチングを施すことを特徴とする半導体装置の
   製造方法。