JPH098032A - 絶縁膜形成方法 - Google Patents
絶縁膜形成方法Info
- Publication number
- JPH098032A JPH098032A JP7176789A JP17678995A JPH098032A JP H098032 A JPH098032 A JP H098032A JP 7176789 A JP7176789 A JP 7176789A JP 17678995 A JP17678995 A JP 17678995A JP H098032 A JPH098032 A JP H098032A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating film
- forming
- substrate
- cvd method
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
- C23C16/40—Oxides
- C23C16/401—Oxides containing silicon
- C23C16/402—Silicon dioxide
-
- H10W20/071—
-
- H10P14/6334—
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 膜中水酸基の濃度が低くて膜質に優れ、しか
もギャップフィル特性が良好で平坦化し易い層間絶縁膜
を高い生産性で形成できる方法を提供する。 【構成】 本絶縁膜形成方法は、半導体基板上に絶縁膜
を形成するに当たり、プラズマＣＶＤ法により基板の絶
縁膜形成面３２、３４に水分子及び水のプラズマ乖離物
を付着させる工程と、次いで、原料ガスとして硅素含有
ガス及び無機酸を使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜
形成面上に絶縁膜３６を形成する工程とを有する。ま
た、常圧ＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により水分子を基板
の絶縁膜形成面に付着させても良い。これにより、絶縁
膜の流動性が高くなって、空隙が無く平坦で、しかも膜
中の水酸基濃度が低くて膜質の良好な絶縁膜を高い生産
性で形成することができる。
もギャップフィル特性が良好で平坦化し易い層間絶縁膜
を高い生産性で形成できる方法を提供する。 【構成】 本絶縁膜形成方法は、半導体基板上に絶縁膜
を形成するに当たり、プラズマＣＶＤ法により基板の絶
縁膜形成面３２、３４に水分子及び水のプラズマ乖離物
を付着させる工程と、次いで、原料ガスとして硅素含有
ガス及び無機酸を使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜
形成面上に絶縁膜３６を形成する工程とを有する。ま
た、常圧ＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により水分子を基板
の絶縁膜形成面に付着させても良い。これにより、絶縁
膜の流動性が高くなって、空隙が無く平坦で、しかも膜
中の水酸基濃度が低くて膜質の良好な絶縁膜を高い生産
性で形成することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体装置の絶縁膜、
特に配線層間の層間絶縁膜の形成方法に関し、更に詳細
には、メモリー素子等の高度に微細化、高集積化した半
導体集積回路の製造の際に、平坦で、しかも膜質の良好
な層間絶縁膜をＡl 配線層上に形成する方法に関するも
のである。
特に配線層間の層間絶縁膜の形成方法に関し、更に詳細
には、メモリー素子等の高度に微細化、高集積化した半
導体集積回路の製造の際に、平坦で、しかも膜質の良好
な層間絶縁膜をＡl 配線層上に形成する方法に関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの高集積化及び高密度化
に伴って、配線構造は、益々微細化及び多層化の方向に
進んでいる。しかし、配線構造の微細化及び多層化は、
一面では、半導体デバイスの信頼性を低下させる一因に
なっている。それは、配線の微細化と多層化によって、
層間絶縁膜の段差が大きく、かつ急峻になるため、その
上に形成されるＡl 配線の加工精度が低下し、その結
果、配線の信頼性が低下するからである。そこで、Ａl
配線層の段差被覆性を大幅に改善するようなＡl 層形成
技術を開発することが今のところ技術的に困難である以
上、配線の信頼性を高めるためには、層間絶縁膜の平坦
性を向上させることが必要である。また、層間絶縁膜の
平坦性の向上は、ホトリソグラフィ技術の短波長化に伴
う焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
に伴って、配線構造は、益々微細化及び多層化の方向に
進んでいる。しかし、配線構造の微細化及び多層化は、
一面では、半導体デバイスの信頼性を低下させる一因に
なっている。それは、配線の微細化と多層化によって、
層間絶縁膜の段差が大きく、かつ急峻になるため、その
上に形成されるＡl 配線の加工精度が低下し、その結
果、配線の信頼性が低下するからである。そこで、Ａl
配線層の段差被覆性を大幅に改善するようなＡl 層形成
技術を開発することが今のところ技術的に困難である以
上、配線の信頼性を高めるためには、層間絶縁膜の平坦
性を向上させることが必要である。また、層間絶縁膜の
平坦性の向上は、ホトリソグラフィ技術の短波長化に伴
う焦点深度の低下の点からも重要になりつつある。
【０００３】ところで、これまでに、表１に示した各種
の絶縁膜の形成技術及び平坦化技術が開発されている。
の絶縁膜の形成技術及び平坦化技術が開発されている。
【表１】 しかし、微細化、多層化した配線構造の層間絶縁膜にこ
れらの技術を適用したとき、次の問題がある。その一
は、層間絶縁膜の膜厚のパターン依存性が強いことであ
る。即ち、配線層上に層間絶縁膜を形成した場合に、水
平方向の配線間隔が広い領域の配線層上に形成された層
間絶縁膜の膜面の高さは低くなり、一方水平方向の配線
間隔が狭い領域の配線層上に形成された層間絶縁膜の膜
面の高さは高くなる。その結果、領域間で層間絶縁膜の
高低差が大きくなって、層間絶縁膜のグローバルな平坦
性が悪くなることである。従って、多層化した場合、そ
の上の配線層及び層間絶縁膜の平坦性が更に悪くなり、
上層の配線層及び層間絶縁膜になるつれて、益々平坦性
が悪くなることである。その二は、図３に示すように、
Ａl 配線層上に形成された層間絶縁膜の配線と配線との
間の部分に″す（空隙部）″（図３中、Ｇで表示）が形
成され、それによって配線間の絶縁性が低下することで
ある。
れらの技術を適用したとき、次の問題がある。その一
は、層間絶縁膜の膜厚のパターン依存性が強いことであ
る。即ち、配線層上に層間絶縁膜を形成した場合に、水
平方向の配線間隔が広い領域の配線層上に形成された層
間絶縁膜の膜面の高さは低くなり、一方水平方向の配線
間隔が狭い領域の配線層上に形成された層間絶縁膜の膜
面の高さは高くなる。その結果、領域間で層間絶縁膜の
高低差が大きくなって、層間絶縁膜のグローバルな平坦
性が悪くなることである。従って、多層化した場合、そ
の上の配線層及び層間絶縁膜の平坦性が更に悪くなり、
上層の配線層及び層間絶縁膜になるつれて、益々平坦性
が悪くなることである。その二は、図３に示すように、
Ａl 配線層上に形成された層間絶縁膜の配線と配線との
間の部分に″す（空隙部）″（図３中、Ｇで表示）が形
成され、それによって配線間の絶縁性が低下することで
ある。
【０００４】そこで、平坦な層間絶縁膜を形成する方法
の一つとして、最近、原料ガスとしてＴＥＯＳ等の有機
シランを使用し、ＣＶＤ法により酸化膜を成膜する方法
が注目されている。それは、この反応系で成膜された酸
化膜が流動性が高くセルフフローする性質を有するの
で、ギャップフィルが微細な巾になると共に酸化膜表面
が平坦になるため、図３に示すような空隙が存在しない
平坦な層間絶縁膜を形成することができるからである。
この有機シランのＣＶＤ法は、反応設計の違いにより、
常圧ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とに大別され、それぞ
れのＣＶＤ法において、膜質を更に向上させるために様
々な研究、開発が行われている。
の一つとして、最近、原料ガスとしてＴＥＯＳ等の有機
シランを使用し、ＣＶＤ法により酸化膜を成膜する方法
が注目されている。それは、この反応系で成膜された酸
化膜が流動性が高くセルフフローする性質を有するの
で、ギャップフィルが微細な巾になると共に酸化膜表面
が平坦になるため、図３に示すような空隙が存在しない
平坦な層間絶縁膜を形成することができるからである。
この有機シランのＣＶＤ法は、反応設計の違いにより、
常圧ＣＶＤ法とプラズマＣＶＤ法とに大別され、それぞ
れのＣＶＤ法において、膜質を更に向上させるために様
々な研究、開発が行われている。
【０００５】例えば、常圧ＣＶＤ法では、有機シランと
無機酸とをソースガスとして使用し、酸化膜を成膜しつ
つ酸化膜内で加水分解を進行させて膜中の水酸基を減少
させることにより、低水酸基含有量の層間平坦化膜を形
成する方法が提案されている（特開平３−１１６８５３
号公報参照）。しかし、この方法では、酸化膜のフロー
形状の下地依存性が強いため、プロセスの安定性及び再
現性に欠けると言うことが懸念されている。
無機酸とをソースガスとして使用し、酸化膜を成膜しつ
つ酸化膜内で加水分解を進行させて膜中の水酸基を減少
させることにより、低水酸基含有量の層間平坦化膜を形
成する方法が提案されている（特開平３−１１６８５３
号公報参照）。しかし、この方法では、酸化膜のフロー
形状の下地依存性が強いため、プロセスの安定性及び再
現性に欠けると言うことが懸念されている。
【０００６】また、プラズマＣＶＤ法では、水を添加し
た有機シランを原料ガスとして使用し、絶縁膜を形成す
る方法が、１９９１年第３８回応用物理学会関係連合講
演会（Ｐ６３２ ２９ｐ−ｖ−８，２９ｐ−ｖ−９）で
提案されている。この方法は、絶縁膜形成表面に付着し
た水によって表面のの濡れ性を高め、それによって絶縁
膜を流動し易くすることにより、高アスペクト比のＡl
配線層上であっても空隙の無い、平坦な層間絶縁膜が形
成されると言われている。また、この方法では、プラズ
マのイオンエネルギーによって下地が均質化されるた
め、上述の常圧ＣＶＤ法と異なり、フロー形状の下地依
存性が低い。但し、膜中の水酸基濃度が比較的高い。
た有機シランを原料ガスとして使用し、絶縁膜を形成す
る方法が、１９９１年第３８回応用物理学会関係連合講
演会（Ｐ６３２ ２９ｐ−ｖ−８，２９ｐ−ｖ−９）で
提案されている。この方法は、絶縁膜形成表面に付着し
た水によって表面のの濡れ性を高め、それによって絶縁
膜を流動し易くすることにより、高アスペクト比のＡl
配線層上であっても空隙の無い、平坦な層間絶縁膜が形
成されると言われている。また、この方法では、プラズ
マのイオンエネルギーによって下地が均質化されるた
め、上述の常圧ＣＶＤ法と異なり、フロー形状の下地依
存性が低い。但し、膜中の水酸基濃度が比較的高い。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の層間絶縁膜の形成方法ではギャプフィル特性に限界が
あって、配線幅０．５μm 以下のアスペクト比の大きい
次世代半導体デバイスの層間絶縁膜の平坦化は困難であ
る。ところで、ギャップフィル特性の良好な絶縁膜を形
成する方法として、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 系を原料ガスと
して使用し、常圧または減圧ＣＶＤ法により絶縁膜を形
成する方法が提案されている。この方法は、Ｈ2 Ｏ2 か
ら生成する水により絶縁膜形成表面の濡れ性を良くし
て、成膜された絶縁膜が流動し易いようにする一方、同
じくＨ2 Ｏ2 から生成するＯ3 やＯ2 でＴＥＯＳを酸化
して、Ｓi Ｏ2膜を成膜するものである。しかし、この
方法では、水が膜中の取り込まれて膜中水酸基の濃度が
大きくなるため、膜質が低下するという問題があった。
また、配線幅０．５μm 以下の配線層上に平坦な層間絶
縁膜を形成する別の方法として、エッチング反応と成膜
反応を競合させるBias・ＥＣＲ・ＣＶＤ法が提案されて
いるが、スループットが小さく、量産性に欠けると言う
問題があった。
の層間絶縁膜の形成方法ではギャプフィル特性に限界が
あって、配線幅０．５μm 以下のアスペクト比の大きい
次世代半導体デバイスの層間絶縁膜の平坦化は困難であ
る。ところで、ギャップフィル特性の良好な絶縁膜を形
成する方法として、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 系を原料ガスと
して使用し、常圧または減圧ＣＶＤ法により絶縁膜を形
成する方法が提案されている。この方法は、Ｈ2 Ｏ2 か
ら生成する水により絶縁膜形成表面の濡れ性を良くし
て、成膜された絶縁膜が流動し易いようにする一方、同
じくＨ2 Ｏ2 から生成するＯ3 やＯ2 でＴＥＯＳを酸化
して、Ｓi Ｏ2膜を成膜するものである。しかし、この
方法では、水が膜中の取り込まれて膜中水酸基の濃度が
大きくなるため、膜質が低下するという問題があった。
また、配線幅０．５μm 以下の配線層上に平坦な層間絶
縁膜を形成する別の方法として、エッチング反応と成膜
反応を競合させるBias・ＥＣＲ・ＣＶＤ法が提案されて
いるが、スループットが小さく、量産性に欠けると言う
問題があった。
【０００８】前記問題点に鑑みて、本発明の目的は、膜
中水酸基の濃度が低くて膜質に優れ、しかもギャップフ
ィル特性が良好で平坦化し易い層間絶縁膜を高い生産性
で形成できる方法を提供することである。
中水酸基の濃度が低くて膜質に優れ、しかもギャップフ
ィル特性が良好で平坦化し易い層間絶縁膜を高い生産性
で形成できる方法を提供することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記問題点を解決するに
あたり、本発明者は、上述したＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 系原
料ガスにより絶縁膜を成膜する方法において、層間絶縁
膜内の水酸基濃度が高くなる原因を調べ、その原因がＨ
2 Ｏ2 の常時供給にあることを見い出した。即ち、Ｈ2
Ｏ2 を常時供給していることは、常に水を原料ガスに添
加しているのと実質的に同じであって、水が絶縁膜内に
取り込まれるため、膜中の水酸基濃度が上昇するのであ
る。一方、常圧ＣＶＤ法によるＯ3 ／ＴＥＯＳ・ＣＶＤ
膜の成膜方法から明らかなように、絶縁膜の成膜前に絶
縁膜形成表面に有機溶剤を塗布すると、表面が親水性に
転化し、絶縁膜の流動性が増大することが知られてい
る。
あたり、本発明者は、上述したＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 系原
料ガスにより絶縁膜を成膜する方法において、層間絶縁
膜内の水酸基濃度が高くなる原因を調べ、その原因がＨ
2 Ｏ2 の常時供給にあることを見い出した。即ち、Ｈ2
Ｏ2 を常時供給していることは、常に水を原料ガスに添
加しているのと実質的に同じであって、水が絶縁膜内に
取り込まれるため、膜中の水酸基濃度が上昇するのであ
る。一方、常圧ＣＶＤ法によるＯ3 ／ＴＥＯＳ・ＣＶＤ
膜の成膜方法から明らかなように、絶縁膜の成膜前に絶
縁膜形成表面に有機溶剤を塗布すると、表面が親水性に
転化し、絶縁膜の流動性が増大することが知られてい
る。
【００１０】そこで、本発明者は、この原理をシラン含
有化合物と無機酸による絶縁膜形成に応用し、絶縁膜の
成膜工程前に水による表面処理を施して、表面を親水性
に転化し、下地表面の濡れ性を良くすることにより、絶
縁膜の流動性を高めることを考えた。しかも、水による
基板の下地処理を絶縁膜の成膜工程の前に行い、成膜工
程中はＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法とは異なって原料ガスに水
を添加しないことにより、膜中の水酸基濃度を増加させ
ないようにすることを着想した。即ち、有機シラン化合
物と無機酸から絶縁膜を形成する際に、まず水で基板表
面処理を行い、その後に絶縁膜を成膜することをによ
り、上記目的を達成しようと試み、実験を重ねて条件を
確認し、本発明を完成するに到った。
有化合物と無機酸による絶縁膜形成に応用し、絶縁膜の
成膜工程前に水による表面処理を施して、表面を親水性
に転化し、下地表面の濡れ性を良くすることにより、絶
縁膜の流動性を高めることを考えた。しかも、水による
基板の下地処理を絶縁膜の成膜工程の前に行い、成膜工
程中はＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法とは異なって原料ガスに水
を添加しないことにより、膜中の水酸基濃度を増加させ
ないようにすることを着想した。即ち、有機シラン化合
物と無機酸から絶縁膜を形成する際に、まず水で基板表
面処理を行い、その後に絶縁膜を成膜することをによ
り、上記目的を達成しようと試み、実験を重ねて条件を
確認し、本発明を完成するに到った。
【００１１】上記目的を達成するために、得た知見に基
づき、本発明に係る絶縁膜形成方法は、半導体基板上に
絶縁膜を形成するに当たり、プラズマＣＶＤ法により基
板の絶縁膜形成面に水分子及び水分子のプラズマ乖離物
を付着させる工程と、次いで、原料ガスとして硅素含有
ガス及び無機酸を使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜
形成面上に絶縁膜を成膜する工程とを有することを特徴
としている。
づき、本発明に係る絶縁膜形成方法は、半導体基板上に
絶縁膜を形成するに当たり、プラズマＣＶＤ法により基
板の絶縁膜形成面に水分子及び水分子のプラズマ乖離物
を付着させる工程と、次いで、原料ガスとして硅素含有
ガス及び無機酸を使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜
形成面上に絶縁膜を成膜する工程とを有することを特徴
としている。
【００１２】本発明方法でプラズマＣＶＤ法を使用する
のは、プラズマによって水のプラズマ乖離物を生成し、
それを基板表面に付着させることが、基板の表面濡れ性
を高める上で極めて有効で実際的であるからである。プ
ラズマＣＶＤ法による水分子及び水分子のプラズマ乖離
物の付着工程は、プラズマＣＶＤ装置を使用して、好適
には、圧力１．３３Paから５０Paの範囲、温度５０°C
から１００°C の範囲、Ｈ2 Ｏ流量２０sccmから１００
sccmの範囲、高周波出力密度０．０１から０．１Ｗ／cm
2 の範囲、及び処理時間３０秒から１分の範囲で行われ
る。また、絶縁膜の成膜工程は、常圧ＣＶＤ法、減圧Ｃ
ＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により通常の成膜条件の下
で実施される。従って、従来と同様の絶縁膜の成膜生産
性を維持することができるので、前述したBias・ＥＣＲ
・ＣＶＤ法のように生産性が問題になることは無い。
のは、プラズマによって水のプラズマ乖離物を生成し、
それを基板表面に付着させることが、基板の表面濡れ性
を高める上で極めて有効で実際的であるからである。プ
ラズマＣＶＤ法による水分子及び水分子のプラズマ乖離
物の付着工程は、プラズマＣＶＤ装置を使用して、好適
には、圧力１．３３Paから５０Paの範囲、温度５０°C
から１００°C の範囲、Ｈ2 Ｏ流量２０sccmから１００
sccmの範囲、高周波出力密度０．０１から０．１Ｗ／cm
2 の範囲、及び処理時間３０秒から１分の範囲で行われ
る。また、絶縁膜の成膜工程は、常圧ＣＶＤ法、減圧Ｃ
ＶＤ法又はプラズマＣＶＤ法により通常の成膜条件の下
で実施される。従って、従来と同様の絶縁膜の成膜生産
性を維持することができるので、前述したBias・ＥＣＲ
・ＣＶＤ法のように生産性が問題になることは無い。
【００１３】また、本発明方法は、半導体基板上に絶縁
膜を形成するに当たり、常圧ＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法
により基板の絶縁膜形成面に水分子を付着させる工程
と、次いで、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を
使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜
を成膜する工程とを有することを特徴としている。
膜を形成するに当たり、常圧ＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法
により基板の絶縁膜形成面に水分子を付着させる工程
と、次いで、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を
使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜
を成膜する工程とを有することを特徴としている。
【００１４】常圧ＣＶＤ法により水分子を付着させる場
合には、常圧ＣＶＤ装置を使用し、その好適な条件は、
圧力が常圧で、温度５０°C から１００°C の範囲、Ｈ
2 Ｏ流量１００sccmから５００sccmの範囲、及び処理時
間３０秒から１分の範囲である。また、減圧ＣＶＤ法に
より水分子を付着させる場合には、減圧ＣＶＤ装置を使
用し、その好適な条件は、圧力１３．３Paから８０Paの
範囲、温度５０°C から１００°C の範囲、Ｈ2 Ｏ流量
５０sccmから３００sccmの範囲、及び処理時間３０秒か
ら１分の範囲である。
合には、常圧ＣＶＤ装置を使用し、その好適な条件は、
圧力が常圧で、温度５０°C から１００°C の範囲、Ｈ
2 Ｏ流量１００sccmから５００sccmの範囲、及び処理時
間３０秒から１分の範囲である。また、減圧ＣＶＤ法に
より水分子を付着させる場合には、減圧ＣＶＤ装置を使
用し、その好適な条件は、圧力１３．３Paから８０Paの
範囲、温度５０°C から１００°C の範囲、Ｈ2 Ｏ流量
５０sccmから３００sccmの範囲、及び処理時間３０秒か
ら１分の範囲である。
【００１５】本発明で使用する硅素含有ガスは、特に限
定は無いが、例えばＴＥＯＳ、ＯＭＣＴＳ、ＴＰＯＳ及
びＴＭＣＴＳのいずれかを好適に使用できる。本発明で
使用する無機酸は、特に限定は無いが、オゾン、酸素、
窒化酸素のいずれかを好適に使用できる。
定は無いが、例えばＴＥＯＳ、ＯＭＣＴＳ、ＴＰＯＳ及
びＴＭＣＴＳのいずれかを好適に使用できる。本発明で
使用する無機酸は、特に限定は無いが、オゾン、酸素、
窒化酸素のいずれかを好適に使用できる。
【００１６】また、本発明方法の好適な別の実施態様
は、前記珪素含有ガス及び無機酸からなる原料ガスに塩
基性の反応触媒ガスとしてアンモニア及び低級アルキル
アミンのうちのいずれかを添加することを特徴としてい
る。ここで、低級アルキルアミンとは、メチルアミン、
エチルアミン、イソプロピルアミン等の炭素数の少ない
アルキル基を有するアルキルアミンを意味する。塩基性
の反応触媒ガスを添加することにより、有機珪素化合物
の脱水縮合反応が円滑に進行して、水酸基濃度の低い良
好な膜質を実現できるからである。
は、前記珪素含有ガス及び無機酸からなる原料ガスに塩
基性の反応触媒ガスとしてアンモニア及び低級アルキル
アミンのうちのいずれかを添加することを特徴としてい
る。ここで、低級アルキルアミンとは、メチルアミン、
エチルアミン、イソプロピルアミン等の炭素数の少ない
アルキル基を有するアルキルアミンを意味する。塩基性
の反応触媒ガスを添加することにより、有機珪素化合物
の脱水縮合反応が円滑に進行して、水酸基濃度の低い良
好な膜質を実現できるからである。
【００１７】更に、本発明方法の好適な別の実施態様
は、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を使用し、
ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜を形成す
る工程において、基板に超音波を印加することを特徴と
している。印加する超音波は、好適には、周波数が２０
ｋＨｚから８０ｋＨｚの範囲、出力が５０Ｗから３００
Ｗの範囲である。成膜中にＣＶＤ装置の一部、好適には
基板を戴置するサセプタに超音波を印加することによ
り、超音波エネルギーを基板に与え、成膜過程での反応
種の流動性を向上させて、空隙の無い平坦化形状の層絶
縁膜を形成することができる。また、この超音波の印加
は、膜中水酸基の低減にも寄与する。
は、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を使用し、
ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜を形成す
る工程において、基板に超音波を印加することを特徴と
している。印加する超音波は、好適には、周波数が２０
ｋＨｚから８０ｋＨｚの範囲、出力が５０Ｗから３００
Ｗの範囲である。成膜中にＣＶＤ装置の一部、好適には
基板を戴置するサセプタに超音波を印加することによ
り、超音波エネルギーを基板に与え、成膜過程での反応
種の流動性を向上させて、空隙の無い平坦化形状の層絶
縁膜を形成することができる。また、この超音波の印加
は、膜中水酸基の低減にも寄与する。
【００１８】
【実施例】以下、添付図面を参照し、実施例に基づいて
本発明をより詳細に説明する。本発明方法の実施装置の一例 図１は、本発明方法を実施するプラズマＣＶＤ装置の一
例の構成を示す模式的断面図である。本例のプラズマＣ
ＶＤ装置１０（以下、簡単に装置１０と略称する）は、
反応室１２と、高周波電源１４とを備えている。
本発明をより詳細に説明する。本発明方法の実施装置の一例 図１は、本発明方法を実施するプラズマＣＶＤ装置の一
例の構成を示す模式的断面図である。本例のプラズマＣ
ＶＤ装置１０（以下、簡単に装置１０と略称する）は、
反応室１２と、高周波電源１４とを備えている。
【００１９】ＴＥＯＳ等のシラン含有化合物、オゾン等
の無機酸及び水蒸気を矢印の方向から導入するために、
導入管１６が反応室１２の上部に接続されている。反応
室１２内の上部には、反応室１２に導入したガスを均一
に分散して、高い面内均一性を確保するために設けられ
た分散板１８と、ガスを下方に噴出するシャワーヘッド
２０とが、導入管１６の先端に設けられている。反応室
１２内の下部には、サセプタ２２が配置されていて、層
間絶縁膜を形成するウェハＷをその上面に戴置するよう
になっている。サセプタ２２内には、ウェハＷを所定の
反応温度に保つためのヒータ２４と、サセプタ２２上に
載置されたウェハＷに超音波を印加するための超音波印
加装置２６が組み込まれている。超音波印加装置２６に
は、反応室１２の外部に設けてある超音波発生装置（図
示せず）から超音波が伝達される。
の無機酸及び水蒸気を矢印の方向から導入するために、
導入管１６が反応室１２の上部に接続されている。反応
室１２内の上部には、反応室１２に導入したガスを均一
に分散して、高い面内均一性を確保するために設けられ
た分散板１８と、ガスを下方に噴出するシャワーヘッド
２０とが、導入管１６の先端に設けられている。反応室
１２内の下部には、サセプタ２２が配置されていて、層
間絶縁膜を形成するウェハＷをその上面に戴置するよう
になっている。サセプタ２２内には、ウェハＷを所定の
反応温度に保つためのヒータ２４と、サセプタ２２上に
載置されたウェハＷに超音波を印加するための超音波印
加装置２６が組み込まれている。超音波印加装置２６に
は、反応室１２の外部に設けてある超音波発生装置（図
示せず）から超音波が伝達される。
【００２０】反応室１２は、排気管２７を介して外部の
真空装置（図示せず）に接続され、所定の真空圧に維持
される。シャワーヘッド１４は、上部電極２８も兼ねて
いて、高周波電源１４より、１３．５６ＭＨZ の高周波
が印加され、サセプタ２２との間でグロー放電を行っ
て、反応室１２内の空間にプラズマを生成する。水蒸気
は、反応室１２の外部に設けられた水蒸気発生器（図示
せず）により純水を気化させて生成され、導入管１６を
経由してシラン含有化合物及び無機酸ガスと共に反応室
１２に導入される。ウェハ戴置の構成や装置１０の使用
方法は、特に限定されるものでは無く、本発明の要旨を
変更しない限り任意に改変できる。
真空装置（図示せず）に接続され、所定の真空圧に維持
される。シャワーヘッド１４は、上部電極２８も兼ねて
いて、高周波電源１４より、１３．５６ＭＨZ の高周波
が印加され、サセプタ２２との間でグロー放電を行っ
て、反応室１２内の空間にプラズマを生成する。水蒸気
は、反応室１２の外部に設けられた水蒸気発生器（図示
せず）により純水を気化させて生成され、導入管１６を
経由してシラン含有化合物及び無機酸ガスと共に反応室
１２に導入される。ウェハ戴置の構成や装置１０の使用
方法は、特に限定されるものでは無く、本発明の要旨を
変更しない限り任意に改変できる。
【００２１】実施例１ 本実施例は、Ａl 配線層上に平坦な層間絶縁膜を形成す
るために本発明方法を適用した例である。実施例１で
は、図２（ａ）に示すように、シリコン半導体基板３０
上にＳｉＯ2 絶縁膜３２が成膜され、その上に配線幅が
０．３５μm で配線と配線との間の間隔が０．４０μm
で層厚が０．４０μm のＡl 配線層３４が形成されてい
るウェハを試料として用意し、図１に示す装置１０を用
いて、図２（ｂ）に示すように層間絶縁膜３６を本発明
方法に従って成膜した。層間絶縁膜３６の形成に当たっ
ては、先ず、以下の条件で、装置１０の反応室１２に導
入管１６を介して水蒸気を導入しつつ高周波電圧を印加
してプラズマを生成し、ウェハの絶縁膜形成表面に水分
子及び水のプラズマ乖離物を付着させて、表面の濡れ性
を高める工程を実施した。
るために本発明方法を適用した例である。実施例１で
は、図２（ａ）に示すように、シリコン半導体基板３０
上にＳｉＯ2 絶縁膜３２が成膜され、その上に配線幅が
０．３５μm で配線と配線との間の間隔が０．４０μm
で層厚が０．４０μm のＡl 配線層３４が形成されてい
るウェハを試料として用意し、図１に示す装置１０を用
いて、図２（ｂ）に示すように層間絶縁膜３６を本発明
方法に従って成膜した。層間絶縁膜３６の形成に当たっ
ては、先ず、以下の条件で、装置１０の反応室１２に導
入管１６を介して水蒸気を導入しつつ高周波電圧を印加
してプラズマを生成し、ウェハの絶縁膜形成表面に水分
子及び水のプラズマ乖離物を付着させて、表面の濡れ性
を高める工程を実施した。
【００２２】処理時間 ：３０秒 ガス流量 ：Ｈ2 Ｏ＝５０sccm 圧力 ：４０ Pa 温度 ：５０℃ ＲＦパワー密度：０．０５Ｗ／cm2
【００２３】水蒸気の導入を停止した後、次に、シラン
含有ガスとしてＴＥＯＳを、無機酸としてオゾンを、そ
れぞれ反応室１２に導入して、プラズマＣＶＤ法による
酸化膜の成膜工程を次の条件で実施した。 膜厚 ：６００ｎｍ ガス流量 ：ＴＥＯＳ／Ｏ3 ＝１５０sccm／１００
sccm 圧力 ：４０ Pa 温度 ：１００℃ ＲＦパワー密度：０．０５Ｗ／cm2
含有ガスとしてＴＥＯＳを、無機酸としてオゾンを、そ
れぞれ反応室１２に導入して、プラズマＣＶＤ法による
酸化膜の成膜工程を次の条件で実施した。 膜厚 ：６００ｎｍ ガス流量 ：ＴＥＯＳ／Ｏ3 ＝１５０sccm／１００
sccm 圧力 ：４０ Pa 温度 ：１００℃ ＲＦパワー密度：０．０５Ｗ／cm2
【００２４】本実施例で得た酸化膜を評価するために、
そのギャプフィル性を断面ＳＥＭにより観察したとこ
ろ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法と同等程度に良好であった。
また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴＩＲ法により測定した
ところ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法による酸化膜より遙に低
く、−ＯＨのピークが観察できなかった。
そのギャプフィル性を断面ＳＥＭにより観察したとこ
ろ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法と同等程度に良好であった。
また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴＩＲ法により測定した
ところ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法による酸化膜より遙に低
く、−ＯＨのピークが観察できなかった。
【００２５】実施例２ 本実施例は、実施例１と同様にＡl 配線層上に平坦な層
間絶縁膜を形成するために本発明方法を適用した例であ
る。本実施例では、実施例１と同じウェハ試料に実施例
１と同様にして水蒸気による下地表面のプラズマ処理工
程を実施し、次いで、酸化膜成膜工程において、実施例
１とは異なり、ＴＥＯＳ及びオゾンに加えて塩基性触媒
ガスとしてアンモニアを添加し、次の条件で酸化膜成膜
工程を実施した。 膜厚 ：６００ｎｍ ガス流量 ：ＴＥＯＳ／Ｏ3 ／ＮＨ3＝１５０sccm
／１００sccm／１５sccm 圧力 ：４０ Pa 温度 ：１００℃ ＲＦパワー密度：０．０５Ｗ／cm2
間絶縁膜を形成するために本発明方法を適用した例であ
る。本実施例では、実施例１と同じウェハ試料に実施例
１と同様にして水蒸気による下地表面のプラズマ処理工
程を実施し、次いで、酸化膜成膜工程において、実施例
１とは異なり、ＴＥＯＳ及びオゾンに加えて塩基性触媒
ガスとしてアンモニアを添加し、次の条件で酸化膜成膜
工程を実施した。 膜厚 ：６００ｎｍ ガス流量 ：ＴＥＯＳ／Ｏ3 ／ＮＨ3＝１５０sccm
／１００sccm／１５sccm 圧力 ：４０ Pa 温度 ：１００℃ ＲＦパワー密度：０．０５Ｗ／cm2
【００２６】本実施例で得た酸化膜を評価するために、
ウェハ上に成膜した酸化膜のギャプフィル性を断面ＳＥ
Ｍにより観察したところ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法と同等
程度に良好であった。また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴ
ＩＲ法により測定したところ、実施例１の酸化膜より低
く、−ＯＨのピークが観察できなかった。
ウェハ上に成膜した酸化膜のギャプフィル性を断面ＳＥ
Ｍにより観察したところ、ＴＥＯＳ／Ｈ2 Ｏ2 法と同等
程度に良好であった。また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴ
ＩＲ法により測定したところ、実施例１の酸化膜より低
く、−ＯＨのピークが観察できなかった。
【００２７】実施例３ 本実施例は、実施例１と同様にＡl 配線層上に平坦な層
間絶縁膜を形成するために本発明方法を適用した例であ
る。本実施例では、実施例１と同じウェハ試料を使用
し、実施例１と同じ条件で、水蒸気による下地表面のプ
ラズマ処理工程及びＴＥＯＳ及びオゾンによる酸化膜成
膜工程を試料ウェハ上に実施し、加えて酸化膜成膜工程
中、装置１０の超音波印加装置２６により５０ｋＨｚの
超音波を出力１００Ｗでウェハに印加した。
間絶縁膜を形成するために本発明方法を適用した例であ
る。本実施例では、実施例１と同じウェハ試料を使用
し、実施例１と同じ条件で、水蒸気による下地表面のプ
ラズマ処理工程及びＴＥＯＳ及びオゾンによる酸化膜成
膜工程を試料ウェハ上に実施し、加えて酸化膜成膜工程
中、装置１０の超音波印加装置２６により５０ｋＨｚの
超音波を出力１００Ｗでウェハに印加した。
【００２８】本実施例で得た酸化膜を評価するために、
ウェハ上に成膜した酸化膜のギャプフィル性を断面ＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１の酸化膜より良好で
あって、アスペクト比の大きい配線間間隙が空隙なく埋
め込まれていた。従って、超音波を印加したことによ
り、酸化膜形成材料の流動性が高くなったと評価でき
る。また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴＩＲ法により測定
したところ、実施例１の酸化膜より良好で、−ＯＨのピ
ークが観察できなかった。
ウェハ上に成膜した酸化膜のギャプフィル性を断面ＳＥ
Ｍにより観察したところ、実施例１の酸化膜より良好で
あって、アスペクト比の大きい配線間間隙が空隙なく埋
め込まれていた。従って、超音波を印加したことによ
り、酸化膜形成材料の流動性が高くなったと評価でき
る。また、酸化膜の水酸基濃度をＦＴＩＲ法により測定
したところ、実施例１の酸化膜より良好で、−ＯＨのピ
ークが観察できなかった。
【００２９】以上の結果から、実施例１から３で得た酸
化膜は、良好な流動性を維持してカバレージに優れ、膜
中の水酸基濃度が低い良好な膜質であると評価できる。
よって、本発明方法によれば、ギャップフィル特性に優
れ、かつ膜質の良好な絶縁膜を配線幅０．３５μm の高
アスペクト比のＡl 配線層上に形成できることができ
る。
化膜は、良好な流動性を維持してカバレージに優れ、膜
中の水酸基濃度が低い良好な膜質であると評価できる。
よって、本発明方法によれば、ギャップフィル特性に優
れ、かつ膜質の良好な絶縁膜を配線幅０．３５μm の高
アスペクト比のＡl 配線層上に形成できることができ
る。
【００３０】以上の説明では、プラズマＣＶＤ法を例に
して本発明方法を説明したが、常圧ＣＶＤ法又は減圧Ｃ
ＶＤ法によっても本発明方法を実施できる。また、本実
施例１〜３は、本発明を具体的に説明するための例示で
あって、当然のことながら、本発明は、これら実施例に
限定されるものでは無く、本発明の要旨を逸脱しない範
囲内で使用装置の構造、処理条件、成膜条件等を適宜変
更することができる。
して本発明方法を説明したが、常圧ＣＶＤ法又は減圧Ｃ
ＶＤ法によっても本発明方法を実施できる。また、本実
施例１〜３は、本発明を具体的に説明するための例示で
あって、当然のことながら、本発明は、これら実施例に
限定されるものでは無く、本発明の要旨を逸脱しない範
囲内で使用装置の構造、処理条件、成膜条件等を適宜変
更することができる。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように、請求項１又は２に記
載の本発明の構成によれば、半導体基板上に絶縁膜を形
成するに当たり、絶縁膜の成膜工程前に、予め、プラズ
マＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により基
板の絶縁膜形成面に水分子及び／又は水のプラズマ乖離
物を付着させる工程を実施することにより、絶縁膜の流
動性を高めて、空隙が無く平坦で、しかも膜中の水酸基
濃度が低くて膜質の良好な絶縁膜を高い生産性で形成す
ることができる。これにより、配線幅が０．５μm 以下
の多層配線構造を形成する場合であっても、本発明方法
によれば、配線構造の信頼性を向上させることができ
る。よって、本発明方法を適用すれば、信頼性の高い配
線構造を備えた超ＬＳＩを高い生産性で歩留まり良く製
造することができる。また、請求項５又は６に記載の本
発明の構成によれば、塩基性の反応触媒ガスを原料ガス
に添加することにより、また超音波をウェハに印加する
ことにより、更に膜質が良好で平坦な絶縁膜を形成でき
る。
載の本発明の構成によれば、半導体基板上に絶縁膜を形
成するに当たり、絶縁膜の成膜工程前に、予め、プラズ
マＣＶＤ法、常圧ＣＶＤ法、又は減圧ＣＶＤ法により基
板の絶縁膜形成面に水分子及び／又は水のプラズマ乖離
物を付着させる工程を実施することにより、絶縁膜の流
動性を高めて、空隙が無く平坦で、しかも膜中の水酸基
濃度が低くて膜質の良好な絶縁膜を高い生産性で形成す
ることができる。これにより、配線幅が０．５μm 以下
の多層配線構造を形成する場合であっても、本発明方法
によれば、配線構造の信頼性を向上させることができ
る。よって、本発明方法を適用すれば、信頼性の高い配
線構造を備えた超ＬＳＩを高い生産性で歩留まり良く製
造することができる。また、請求項５又は６に記載の本
発明の構成によれば、塩基性の反応触媒ガスを原料ガス
に添加することにより、また超音波をウェハに印加する
ことにより、更に膜質が良好で平坦な絶縁膜を形成でき
る。
【図１】本発明方法を実施するためのプラズマＣＶＤ装
置の一例の構成を示す模式図である。
置の一例の構成を示す模式図である。
【図２】図２（ａ）及び（ｂ）は、本発明方法を実施す
る際の各工程毎の基板断面図である。
る際の各工程毎の基板断面図である。
【図３】従来の絶縁膜形成方法で絶縁膜内に生じる欠陥
を説明するための模式的基板断面図である。
を説明するための模式的基板断面図である。
１０ プラズマＣＶＤ装置 １２ 反応室 １４ 高周波電源 １６ 導入管 １８ 分散板 ２０ シャワーヘッド ２２ サセプタ ２４ ヒータ ２６ 超音波印加装置 ２７ 排気管 ２８ 上部電極 ３０ シリコン半導体基板 ３２ 層間絶縁膜 ３４ Ａl 配線層 ３６ 層間絶縁膜
Claims (6)
- 【請求項１】 半導体基板上に絶縁膜を形成するに当た
り、 プラズマＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面に水分子及
び水分子のプラズマ乖離物を付着させる工程と、 次いで、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を使用
し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜を成
膜する工程とを有することを特徴とする絶縁膜形成方
法。 - 【請求項２】 半導体基板上に絶縁膜を形成するに当た
り、 常圧ＣＶＤ法又は減圧ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成
面に水分子を付着させる工程と、 次いで、原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸を使用
し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁膜を成
膜する工程とを有することを特徴とする絶縁膜形成方
法。 - 【請求項３】 前記硅素含有ガスが、Tetra Ethoxy Ort
ho Silane （以下、ＴＥＯＳと略称する。）、Octa Met
hyl Cyclo Tetra Siloxane（以下、ＯＭＣＴＳと略称す
る。）、Tetra Propoxy Silane（ＴＰＯＳと略称す
る。）及びTetraMethyl Cyclo Tetra Siloxane （以
下、ＴＭＣＴＳと略称する）のうちのいずれかであるこ
とを特徴とする請求項１又は２に記載の絶縁膜形成方
法。 - 【請求項４】 前記無機酸が、オゾン、酸素及び窒化酸
素のうちのいずれかであることを特徴とする請求項１又
は２に記載の絶縁膜形成方法。 - 【請求項５】 前記珪素含有ガス及び無機酸からなる原
料ガスに塩基性の反応触媒ガスとしてアンモニア及び低
級アルキルアミンのうちのいずれかを添加することを特
徴とする請求項１又は２に記載の絶縁膜形成方法。 - 【請求項６】 原料ガスとして硅素含有ガス及び無機酸
を使用し、ＣＶＤ法により基板の絶縁膜形成面上に絶縁
膜を形成する工程において、 基板に超音波を印加することを特徴とする請求項１又は
２に記載の絶縁膜形成方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176789A JPH098032A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 絶縁膜形成方法 |
| US08/654,523 US5763018A (en) | 1995-06-20 | 1996-05-29 | Method for forming dielectric layer |
| KR1019960019581A KR970003644A (ko) | 1995-06-20 | 1996-06-03 | 절연막형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7176789A JPH098032A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 絶縁膜形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH098032A true JPH098032A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=16019882
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7176789A Pending JPH098032A (ja) | 1995-06-20 | 1995-06-20 | 絶縁膜形成方法 |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5763018A (ja) |
| JP (1) | JPH098032A (ja) |
| KR (1) | KR970003644A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845804A3 (en) * | 1996-11-29 | 1999-08-04 | Canon Sales Co., Inc. | Pre-treatment of substrate before deposition of an insulating film |
| KR20020015788A (ko) * | 2000-08-23 | 2002-03-02 | 이구택 | 초음파를 이용한 고품질 박막의 제조방법 |
| KR20020051456A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | 저온환경의 화학기상증착 방법 |
| JP2008214491A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理方法 |
| KR100875031B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2008-12-19 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 절연막 형성 방법 |
Families Citing this family (18)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR910003742B1 (ko) * | 1986-09-09 | 1991-06-10 | 세미콘덕터 에너지 라보라터리 캄파니 리미티드 | Cvd장치 |
| JPH08153784A (ja) * | 1994-11-28 | 1996-06-11 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP3080867B2 (ja) | 1995-09-25 | 2000-08-28 | 日本電気株式会社 | Ｓｏｉ基板の製造方法 |
| US20010012700A1 (en) * | 1998-12-15 | 2001-08-09 | Klaus F. Schuegraf | Semiconductor processing methods of chemical vapor depositing sio2 on a substrate |
| US6054206A (en) | 1998-06-22 | 2000-04-25 | Novellus Systems, Inc. | Chemical vapor deposition of low density silicon dioxide films |
| US6197703B1 (en) * | 1998-08-17 | 2001-03-06 | Advanced Micro Devices, Inc. | Apparatus and method for manufacturing semiconductors using low dielectric constant materials |
| US6174651B1 (en) | 1999-01-14 | 2001-01-16 | Steag Rtp Systems, Inc. | Method for depositing atomized materials onto a substrate utilizing light exposure for heating |
| US6159853A (en) * | 1999-08-04 | 2000-12-12 | Industrial Technology Research Institute | Method for using ultrasound for assisting forming conductive layers on semiconductor devices |
| US6569249B1 (en) | 2000-04-18 | 2003-05-27 | Clemson University | Process for forming layers on substrates |
| JP3532830B2 (ja) * | 2000-05-24 | 2004-05-31 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
| US6624091B2 (en) * | 2001-05-07 | 2003-09-23 | Applied Materials, Inc. | Methods of forming gap fill and layers formed thereby |
| JP3701626B2 (ja) * | 2001-12-06 | 2005-10-05 | キヤノン販売株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
| JP4413947B2 (ja) * | 2007-06-21 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置の製造方法 |
| DE102008050941A1 (de) * | 2008-10-10 | 2010-04-22 | Behr Gmbh & Co. Kg | CVD-Beschichtungsverfahren, Beschichtungsvorrichtung und Bauteil einer Fluidführung |
| JP5948040B2 (ja) | 2010-11-04 | 2016-07-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 結晶性半導体膜の作製方法及び半導体装置の作製方法 |
| US8815635B2 (en) | 2010-11-05 | 2014-08-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Manufacturing method of photoelectric conversion device |
| EP4055204A1 (de) | 2019-11-06 | 2022-09-14 | Wieland-Werke AG | Verfahren zur beschichtung eines bauteils |
| KR102772740B1 (ko) * | 2022-12-27 | 2025-02-26 | 한국생산기술연구원 | 전 고체 배터리용 고체전해질 이송장치 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0519079B1 (en) * | 1991-01-08 | 1999-03-03 | Fujitsu Limited | Process for forming silicon oxide film |
| US5525550A (en) * | 1991-05-21 | 1996-06-11 | Fujitsu Limited | Process for forming thin films by plasma CVD for use in the production of semiconductor devices |
| JPH086181B2 (ja) * | 1992-11-30 | 1996-01-24 | 日本電気株式会社 | 化学気相成長法および化学気相成長装置 |
| JPH0729902A (ja) * | 1993-07-15 | 1995-01-31 | Sony Corp | 絶縁膜の形成方法 |
-
1995
- 1995-06-20 JP JP7176789A patent/JPH098032A/ja active Pending
-
1996
- 1996-05-29 US US08/654,523 patent/US5763018A/en not_active Expired - Fee Related
- 1996-06-03 KR KR1019960019581A patent/KR970003644A/ko not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0845804A3 (en) * | 1996-11-29 | 1999-08-04 | Canon Sales Co., Inc. | Pre-treatment of substrate before deposition of an insulating film |
| US6133162A (en) * | 1996-11-29 | 2000-10-17 | Canon Sales Co., Inc. | Method of forming a film by using plasmanized process gas containing gaseous H2 O and an auxiliary gas in a semiconductor device |
| KR20020015788A (ko) * | 2000-08-23 | 2002-03-02 | 이구택 | 초음파를 이용한 고품질 박막의 제조방법 |
| KR20020051456A (ko) * | 2000-12-22 | 2002-06-29 | 황 철 주 | 저온환경의 화학기상증착 방법 |
| KR100875031B1 (ko) * | 2002-06-27 | 2008-12-19 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 반도체 소자의 절연막 형성 방법 |
| JP2008214491A (ja) * | 2007-03-05 | 2008-09-18 | Ulvac Japan Ltd | 表面処理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR970003644A (ko) | 1997-01-28 |
| US5763018A (en) | 1998-06-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH098032A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JP3739081B2 (ja) | 低誘電率の炭素含有酸化ケイ素の作製方法 | |
| JP2697315B2 (ja) | フッ素含有シリコン酸化膜の形成方法 | |
| JP3857730B2 (ja) | フッ素添加二酸化ケイ素膜の成膜法 | |
| KR20050034566A (ko) | 실리콘 탄화물막을 제조하는 방법 | |
| JP3545364B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| US20090148964A1 (en) | METHOD FOR FORMING DIELECTRIC SiOCH FILM HAVING CHEMICAL STABILITY | |
| JP2004247725A (ja) | シリコンカーバイド膜を形成する方法 | |
| JP2010028130A (ja) | 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法 | |
| US9257302B1 (en) | CVD flowable gap fill | |
| JPH1174257A (ja) | フッ素含有酸化ケイ素薄膜及びその製造方法 | |
| JPH11251308A (ja) | 低誘電率フッ素化アモルファス炭素誘電体およびその形成方法 | |
| JP4881153B2 (ja) | 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。 | |
| JP3532830B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
| JP4015510B2 (ja) | 半導体集積回路の多層配線用層間絶縁膜及びその製造方法 | |
| JPH10163192A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPH09260367A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP2702430B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3318818B2 (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
| JPH08167601A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| CN101728261A (zh) | 制造低k介电膜的方法及使用低k介电膜的气隙的形成 | |
| JPH08115911A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JP3440714B2 (ja) | シリコン化合物系絶縁膜の成膜方法 | |
| JP3371188B2 (ja) | 絶縁膜の成膜方法 | |
| JP2666681B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 |