[go: up one dir, main page]

JP2010028130A - 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法 - Google Patents

低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2010028130A
JP2010028130A JP2009245328A JP2009245328A JP2010028130A JP 2010028130 A JP2010028130 A JP 2010028130A JP 2009245328 A JP2009245328 A JP 2009245328A JP 2009245328 A JP2009245328 A JP 2009245328A JP 2010028130 A JP2010028130 A JP 2010028130A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
oxygen
methyl
film
containing silane
providing gas
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2009245328A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4881422B2 (ja
Inventor
Mark Jon Loboda
ジョン ロボダ マーク
Jeffrey Alan Seifferly
アラン セイファーリイ ジェフリー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dow Silicones Corp
Original Assignee
Dow Corning Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dow Corning Corp filed Critical Dow Corning Corp
Publication of JP2010028130A publication Critical patent/JP2010028130A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4881422B2 publication Critical patent/JP4881422B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/24—Deposition of silicon only
    • H10P14/6922—
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • H10P14/6336—
    • H10P14/6682—
    • H10P14/6686—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Formation Of Insulating Films (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Electrodes Of Semiconductors (AREA)
  • Inorganic Insulating Materials (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)

Abstract

【課題】化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与える。
【解決手段】メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で引き起こし、反応中存在する酸素の量を調節して、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。
【選択図】なし

Description

本発明は、基体上に低い誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムを製造する方法に関する。
珪素含有材料から、半導体装置上にＳｉＯ２、ＳｉＮＣ又はＳｉＣ薄膜を形成するために化学蒸着（ＣＶＤ）を用いることは当分野でよく知られている。化学蒸着法は、典型的にはガス状珪素含有材料と反応性ガスとを、半導体基体の入った反応室へ導入することを含む。熱又はプラズマのようなエネルギー源により、珪素含有材料と反応性ガスとの反応を引き起こし、それにより半導体装置上にＳｉＯ２、ＳｉＮＣ又はＳｉＣの薄膜を蒸着する結果を与える。プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）は、低温（＜５００℃）で行われるのが典型的であり、そのためＰＥＣＶＤは半導体装置上に誘電体及び不動態のフィルムを形成するのに適した手段になっている。珪素含有材料には、シラン（ＳｉＨ４）、オルト珪酸テトラエチル（ＴＥＯＳ）、シラシクロブタン及びトリメチルシランのようなアルキルシランが含まれる。
化学蒸着により二酸化珪素（ＳｉＯ２）、無定形ＳｉＮＣ、及び炭化珪素（ＳｉＣ）を形成するためにメチル含有シランを用いることは当分野で知られている。例えば、米国特許第５，４６５，６８０号明細書には、結晶質ＳｉＣフィルムを形成する方法が記載されている。この方法は、基体を６００℃〜１０００℃に加熱し、然る後、標準的化学蒸着法で基体をトリメチルシランに曝すことからなる。ＥＰ出願０７７４５３３には、有機珪素材料と酸素源からなる反応性ガス混合物のＣＶＤによりＳｉＯ２被覆を形成する方法が記載されている。ＥＰ出願０７７１８８６には、有機珪素材料と窒素源からなる反応性ガス混合物のＣＶＤによりＳｉＮＣ被覆を形成する方法が記載されている。
半導体装置の構造が次第に小さくなるに従って、誘電率のみならずフィルムの一体性が重要になってきている。既知のＣＶＤ法により生成するフィルムは、大きな誘電率（即ち、３．８以上）を有する。従って、低い誘電率のフィルムを与える結果になる方法及び材料に対する必要性が存在する。低ｋフローフィル（Low-k Flowfill）（登録商標名）として知られている新しい蒸着法は、３．０未満の誘電率を有するフィルムを生ずる。この方法は、メチルをドープした酸化珪素フィルムを生成させるのにメチルシランと過酸化水素との化学蒸着反応を用いている〔Ｓ．マククラッチー（McClatchie）、Ｋ．ベークマン（Beekmann）、Ａ．キールマッツ（Kiermasz）による「ＣＶＤ法を用いて蒸着した低誘電率酸化物フィルム」（Low Dielectric Constant Oxide Films Deposited Using CVD Techniques）、１９８８年ＤＵＭＩＣ会議予稿集、２／９８，ｐ．３１１−３１８参照〕。しかし、この方法は非標準的ＣＶＤ装置を必要とし、安定性の低い酸素源（過酸化水素）を用い、副生成物として半導体装置には望ましくないことがある水を生じている。
本発明の目的は、化学蒸着により水素化オキシ炭化珪素の低誘電率薄膜を製造する方法を与えることにある。
本発明は、基体、好ましくは半導体装置上に低い誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素（Ｈ：ＳｉＯＣ）の薄膜を製造する方法に関する。
本発明は、メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性混合物をプラズマ促進又はオゾン促進化学蒸着することからなる。反応／蒸着工程中に利用される酸素の量を調節することにより、水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを形成する。これらのフィルムは、典型的には、３．６以下の誘電率を有し、中間層誘電体として特に適している。
本発明は、基体、好ましくは半導体基体上に水素化オキシ炭化珪素フィルムを形成する方法に関する。このフィルム形成方法は、アルキルシランと酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、反応中に存在する酸素の量を調節して、化学蒸着反応させることからなる。「半導体基体」とは、焦点面アレー、光電子装置、光電池、光学的装置、トランジスタ型装置、３−Ｄ装置、絶縁体上珪素装置、及び超格子装置を含めた半導体部品の製造で使用することを目的とした珪素を基にした装置及び砒化ガリウムを基にした装置を含めることを意味する。半導体基体には、一つ以上の配線層を有する好ましくはウエーハ段階の集積回路又は金属配線を適用する前の集積回路が含まれる。
ここで製造される水素化オキシ炭化珪素フィルムは、一般式ＳｉｗＯｘＣｙＨｚ（式中、ｗは１０〜３３、好ましくは１８〜２０原子％の値を有し、ｘは１〜６６、好ましくは１８〜２１原子％の値を有し、ｙは１〜６６、好ましくは３１〜３８原子％の値を有し、ｚは０．１〜６０、好ましくは２５〜３２原子％の値を有し、ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００原子％である）により表される。
水素化オキシ炭化珪素フィルムは、メチル含有シランと酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物から形成する。ここで有用なメチル含有シランには、メチルシラン（ＣＨ３ＳｉＨ３）、ジメチルシラン（（ＣＨ３）２ＳｉＨ２）、トリメチルシラン（（ＣＨ３）３ＳｉＨ）、テトラメチルシラン（（ＣＨ３）４Ｓｉ）が含まれ、好ましくはトリメチルシランである。
蒸着室には制御された量の酸素が存在する。酸素は、用いられる酸素付与ガスの種類、或は使用される酸素付与ガスの量により調節する。もし蒸着室内に余りにも多くの酸素が存在すると、ＳｉＯ２に近い化学量論的組成を有する酸化珪素フィルムが生成し、誘電率は希望のものより高くなる。酸素付与ガスの例は、空気、オゾン、酸素、亜酸化窒素及び酸化窒素であり、好ましくは亜酸化窒素である。酸素付与ガスの量は、典型的には、メチル含有シラン１体積部当たり５体積部未満の酸素付与ガスであり、好ましくはメチル含有シラン１体積部当たり０．１〜４．５体積部の酸素付与ガスである。当業者は、酸素付与ガスの種類及び蒸着条件に基づき、酸素付与ガスの量を容易に決定することができるであろう。
反応性ガス混合物中には他の材料が存在していてもよい。例えば、ヘリウム又はアルゴンのようなキャリヤーガス、ホスフィン又はジボランのようなドーパント、フッ素のようなハロゲン、又はフィルムに付加的な望ましい性質を与える他の材料が存在していてもよい。
反応性ガス混合物は、基体、好ましくは半導体基体の入った蒸着室中に導入し、そこでメチル含有シランと酸素付与ガスとの反応が引き起こされて基体上にフィルムを蒸着する結果になり、そのフィルムは水素、珪素、炭素及び酸素を含み、基体上で３．６以下の誘電率を有する。基体温度を５００℃未満にした化学蒸着（ＣＶＤ）法を用いることができる。５００℃より高い温度は、典型的には、半導体基体、特にアルミニウム配線を有する半導体基体には適さない。プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）が、使用できる温度が低いこと及び工業的に広い用途を有するために好ましい。オゾン促進ＣＶＤを用いることもできる。
ＰＥＣＶＤでは、ガス混合物は、プラズマ領域内にそれを通すことにより反応する。そのような方法で用いられるプラズマは、電気放電、無線周波（radio frequency）又はマイクロ波範囲の電磁場、レーザー又は粒子ビームのような種々の源から誘導されたエネルギーを有する。プラズマ蒸着法で一般に好ましいのは、無線周波（１０ｋＨｚ〜１０２ＭＨｚ）又はマイクロ波（１．０〜１０ＧＨｚ）エネルギーを中間的電力密度（０．１〜５ワット／ｃｍ２）で使用することである。しかし、特定の周波数、電力及び圧力は、一般に装置に適合させる。フィルムは２０〜１０００Ｗの電力、１〜１０，０００ミリトール（０．０１３３〜１１３２．２Ｐａ）の圧力、及び２５〜５００℃の温度でＰＥＣＶＤを用いて形成するのが好ましい。ＣＶＤ成長中、変動する表面トポグラフィーを平坦化するのに役立つ方法として、屡々高密度プラズマと呼ばれている閉込め（confined）低圧（１〜５ミリトール）マイクロ波周波数プラズマを、ＲＦ周波数励起と組合せることができる。この方法は、中間層誘電体の形成に有用である。
ここでは種々の厚さのフィルムを生成させることができる。本発明の方法により０．０１〜１０μｍの厚さを有するフィルムを製造することができる。好ましくはそれらフィルムは０．５〜３．０μｍの厚さを有する。
本発明の方法の一つの利点は、酸素付与ガスとして亜酸化窒素を用いた場合、反応性ガス混合物中の亜酸化窒素の量がかなり変動した場合（１．２：１〜４．５：１体積部のＮ２Ｏ対メチル含有シラン）でも、フィルムの組成及び性質が本質的に同じままになっていることである。
本発明の方法の別の利点は、ＣＶＤ工程中、適当な時間に酸素付与ガスを増大又は排除することにより、例えば、ＳｉＯ２／Ｈ：ＳｉＯＣ／ＳｉＯ２又はＳｉＣ：Ｈ／Ｈ：ＳｉＯＣ／ＳｉＣ：Ｈの多層構造体を生ずるように、順次成長工程を接続させることができることである。反応性ガス流を停止し、酸素付与ガスの量を調節し、然る後、反応性ガス流を再び流して次の層を形成することにより別個の層を生成させることが好ましい。
製造されたフィルムは、誘電率が低いため、ゲート誘電体、プレメタル（premetal）及びインターメタル（intermetal）誘電体、及び不動態被覆のような半導体集積回路を製造する時の中間層誘電体として特に適している。製造されたフィルムは、３．６以下、好ましくは３．２以下、一層好ましくは３．０以下の誘電率を有する。
当業者がここに教示する発明を理解し認識できるように、次の実施例を与える。
実施例１〜９及び比較例１〜２では、誘電体特性を、金属・絶縁体・半導体を用いて測定し（実施例４〜９）、また金属・絶縁体・金属キャパシタを用いて測定した（実施例１〜３、比較例１〜２）。測定は金属ゲート蒸着（頂部電極）直後に行い、３５０〜４００℃の温度範囲でＮ２中で一回以上のアニール工程後に再び行なった。キャパシタの幾何学的形態及びフィルムの厚さから相対的誘電率Ｋを計算した。流量はｓｃｃｍ（標準ｃｍ３／分）単位で表中に示してある。
実施例１〜９
トリメチルシラン（３ＭＳ）及び亜酸化窒素を含む反応性ガス混合物（ガス流量については表１及び２参照）を、基体として０．５μｍのＡｌで被覆した熱酸化（０．１μｍＳｉＯ２）珪素ウエーハ又は裸の珪素ウエーハを用いた容量結合平行板（capacitively coupled parallel plate）ＰＥＣＶＤ装置中へ導入した。ＰＥＣＶＤ装置は、３５０Ｗの電力、２７００ミリトール（３５９．６９Ｐａ）の圧力、及び２５０℃の温度で操作した。キャリヤーガスとしてヘリウムを用いた。実施例１〜９の誘電率、成長速度、及びフィルム応力（圧縮応力）の結果は、表１及び２に示してある。実施例４〜９で製造されたフィルムの組成及び密度を表３に示す。表２から分かるように、亜酸化窒素の量が著しく変化しても、得られるフィルムは本質的に同じ組成及び性質を持っていた。
Figure 2010028130
Figure 2010028130
Figure 2010028130
比較例１〜２
実施例１〜８の場合と同じ手順を用いて、トリメチルシラン及び酸素からなる反応性ガス混合物を、プラズマ促進化学蒸着で用いた。結果を表４に示す。得られたフィルムは、反応性ガス混合物中に用いた多量の酸素のため、本質的にＳｉＯ２フィルムであった。
Figure 2010028130
比較例３
この例は、ＥＰ出願０７７４５３３の実施例３である。６ｓｃｃｍのトリメチルシラン（ＴＭＳ）及び５２３ｓｃｃｍの亜酸化窒素を含む反応性ガス混合物を、基体として珪素ウエーハを用いた容量結合平行板ＰＥＣＶＤ装置中へ導入した。ＰＥＣＶＤ装置は、５０Ｗの電力、１０００ミリトールの圧力、及び３００℃の温度で操作した。ヘリウム（５００ｓｃｃｍ）をキャリヤーガスとして用いた。用いた亜酸化窒素（Ｎ２Ｏ）の量が多いため、得られたフィルムはＳｉＯ２フィルムであった。

Claims (5)

  1. メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で、前記反応性ガス混合物をプラズマに曝すことにより引き起こし、
    しかも、前記メチル含有シランは、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン及びテトラメチルシランから選択され、しかも、前記酸素付与ガスは、空気、オゾン、亜酸化窒素及び酸化窒素から成る群から選択され、
    反応中存在する酸素付与ガスの量が、メチル含有シラン１体積部当たり５体積部未満であり、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、
    ことからなる水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法。
  2. 反応性ガス混合物が、更にキャリヤーガスを含む、請求項１に記載の方法。
  3. 水素化オキシ炭化珪素フィルムが、０．０１〜１０μｍの厚さを有する、請求項１又は２に記載の方法。
  4. メチル含有シランと酸素付与ガスとの反応中、酸素付与ガスの量を増大又は減少して、ＳｉＯ２、Ｈ：ＳｉＯＣ、及びＳｉＣ：Ｈからなる群から選択された連続的層を含むフィルムを形成する、請求項１〜３のいずれか１項に記載の方法。
  5. メチル含有シラン及び酸素付与ガスを含む反応性ガス混合物を、基体の入った化学蒸着室へ導入し、前記メチル含有シランと前記酸素付与ガスとの間の反応を２５℃〜５００℃の温度で、前記反応性ガス混合物をプラズマに曝すことにより引き起こし、
    しかも、前記メチル含有シランは、メチルシラン、ジメチルシラン、トリメチルシラン及びテトラメチルシランから選択され、しかも、前記酸素付与ガスは、空気、オゾン、酸素、亜酸化窒素及び酸化窒素から成る群から選択され、
    反応中存在する酸素付与ガスの量が、メチル含有シラン１体積部当たり５体積部未満であり、３．６以下の誘電率を有する水素、珪素、炭素及び酸素を含むフィルムを基体上に形成する、
    ことからなる水素化オキシ炭化珪素中間層誘電体フィルムの製造方法。
JP2009245328A 1998-05-29 2009-10-26 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法 Expired - Lifetime JP4881422B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US09/086,811 US6159871A (en) 1998-05-29 1998-05-29 Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
US086811 1998-05-29

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11150323A Division JP2000049157A (ja) 1998-05-29 1999-05-28 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2010028130A true JP2010028130A (ja) 2010-02-04
JP4881422B2 JP4881422B2 (ja) 2012-02-22

Family

ID=22201077

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11150323A Withdrawn JP2000049157A (ja) 1998-05-29 1999-05-28 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法
JP2009245328A Expired - Lifetime JP4881422B2 (ja) 1998-05-29 2009-10-26 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11150323A Withdrawn JP2000049157A (ja) 1998-05-29 1999-05-28 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6159871A (ja)
EP (1) EP0960958A3 (ja)
JP (2) JP2000049157A (ja)
KR (1) KR100453612B1 (ja)
SG (1) SG72955A1 (ja)
TW (1) TW491910B (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013545889A (ja) * 2010-10-05 2013-12-26 シルコテック・コーポレーション 耐摩耗性コーティング、物品および方法

Families Citing this family (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6531193B2 (en) 1997-07-07 2003-03-11 The Penn State Research Foundation Low temperature, high quality silicon dioxide thin films deposited using tetramethylsilane (TMS) for stress control and coverage applications
US6054379A (en) * 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
US6593247B1 (en) 1998-02-11 2003-07-15 Applied Materials, Inc. Method of depositing low k films using an oxidizing plasma
US6340435B1 (en) 1998-02-11 2002-01-22 Applied Materials, Inc. Integrated low K dielectrics and etch stops
US6627532B1 (en) * 1998-02-11 2003-09-30 Applied Materials, Inc. Method of decreasing the K value in SiOC layer deposited by chemical vapor deposition
US6413583B1 (en) 1998-02-11 2002-07-02 Applied Materials, Inc. Formation of a liquid-like silica layer by reaction of an organosilicon compound and a hydroxyl forming compound
US6303523B2 (en) 1998-02-11 2001-10-16 Applied Materials, Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6287990B1 (en) 1998-02-11 2001-09-11 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6660656B2 (en) 1998-02-11 2003-12-09 Applied Materials Inc. Plasma processes for depositing low dielectric constant films
US6274292B1 (en) 1998-02-25 2001-08-14 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
US7804115B2 (en) 1998-02-25 2010-09-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor constructions having antireflective portions
US6667553B2 (en) 1998-05-29 2003-12-23 Dow Corning Corporation H:SiOC coated substrates
US6147009A (en) * 1998-06-29 2000-11-14 International Business Machines Corporation Hydrogenated oxidized silicon carbon material
US6515355B1 (en) * 1998-09-02 2003-02-04 Micron Technology, Inc. Passivation layer for packaged integrated circuits
US6281100B1 (en) 1998-09-03 2001-08-28 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
US6268282B1 (en) 1998-09-03 2001-07-31 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of forming and utilizing antireflective material layers, and methods of forming transistor gate stacks
US6800571B2 (en) 1998-09-29 2004-10-05 Applied Materials Inc. CVD plasma assisted low dielectric constant films
US6974766B1 (en) 1998-10-01 2005-12-13 Applied Materials, Inc. In situ deposition of a low κ dielectric layer, barrier layer, etch stop, and anti-reflective coating for damascene application
US6635583B2 (en) 1998-10-01 2003-10-21 Applied Materials, Inc. Silicon carbide deposition for use as a low-dielectric constant anti-reflective coating
US6828683B2 (en) 1998-12-23 2004-12-07 Micron Technology, Inc. Semiconductor devices, and semiconductor processing methods
US7235499B1 (en) 1999-01-20 2007-06-26 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods
KR100292409B1 (ko) * 1999-05-24 2001-06-01 윤종용 실리콘-메틸 결합을 함유하는 절연층을 포함하는 다층 구조의 절연막 및 그 형성방법
US6312793B1 (en) * 1999-05-26 2001-11-06 International Business Machines Corporation Multiphase low dielectric constant material
US6821571B2 (en) 1999-06-18 2004-11-23 Applied Materials Inc. Plasma treatment to enhance adhesion and to minimize oxidation of carbon-containing layers
US6436824B1 (en) * 1999-07-02 2002-08-20 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd. Low dielectric constant materials for copper damascene
EP1077479A1 (en) * 1999-08-17 2001-02-21 Applied Materials, Inc. Post-deposition treatment to enchance properties of Si-O-C low K film
US6602806B1 (en) 1999-08-17 2003-08-05 Applied Materials, Inc. Thermal CVD process for depositing a low dielectric constant carbon-doped silicon oxide film
US7067414B1 (en) 1999-09-01 2006-06-27 Micron Technology, Inc. Low k interlevel dielectric layer fabrication methods
US6593653B2 (en) * 1999-09-30 2003-07-15 Novellus Systems, Inc. Low leakage current silicon carbonitride prepared using methane, ammonia and silane for copper diffusion barrier, etchstop and passivation applications
US6541369B2 (en) * 1999-12-07 2003-04-01 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for reducing fixed charges in a semiconductor device
FR2802336B1 (fr) * 1999-12-13 2002-03-01 St Microelectronics Sa Structure d'interconnexions de type damascene et son procede de realisation
US6440860B1 (en) 2000-01-18 2002-08-27 Micron Technology, Inc. Semiconductor processing methods of transferring patterns from patterned photoresists to materials, and structures comprising silicon nitride
EP1123991A3 (en) 2000-02-08 2002-11-13 Asm Japan K.K. Low dielectric constant materials and processes
EP1128421A3 (en) * 2000-02-28 2002-03-06 Canon Sales Co., Inc. Method of fabricating an interlayer insulating film comprising Si, O, C and H for semiconductor devices
JP3419745B2 (ja) 2000-02-28 2003-06-23 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
EP1172847A3 (en) * 2000-07-10 2004-07-28 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw A method to produce a porous oxygen-silicon layer
AU2002222968A1 (en) 2000-07-13 2002-01-30 The Regents Of The Universty Of California Silica zeolite low-k dielectric thin films
US6372661B1 (en) * 2000-07-14 2002-04-16 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Method to improve the crack resistance of CVD low-k dielectric constant material
US6794311B2 (en) 2000-07-14 2004-09-21 Applied Materials Inc. Method and apparatus for treating low k dielectric layers to reduce diffusion
US6764958B1 (en) 2000-07-28 2004-07-20 Applied Materials Inc. Method of depositing dielectric films
US6465366B1 (en) 2000-09-12 2002-10-15 Applied Materials, Inc. Dual frequency plasma enhanced chemical vapor deposition of silicon carbide layers
US6521302B1 (en) 2000-09-26 2003-02-18 Applied Materials, Inc. Method of reducing plasma-induced damage
WO2002029892A2 (en) * 2000-10-03 2002-04-11 Broadcom Corporation High-density metal capacitor using dual-damascene copper interconnect
US6258735B1 (en) 2000-10-05 2001-07-10 Applied Materials, Inc. Method for using bypass lines to stabilize gas flow and maintain plasma inside a deposition chamber
US6531398B1 (en) 2000-10-30 2003-03-11 Applied Materials, Inc. Method of depositing organosillicate layers
US6610362B1 (en) * 2000-11-20 2003-08-26 Intel Corporation Method of forming a carbon doped oxide layer on a substrate
US6905981B1 (en) 2000-11-24 2005-06-14 Asm Japan K.K. Low-k dielectric materials and processes
US6936533B2 (en) * 2000-12-08 2005-08-30 Samsung Electronics, Co., Ltd. Method of fabricating semiconductor devices having low dielectric interlayer insulation layer
TWI272694B (en) * 2001-01-03 2007-02-01 Dow Corning Metal ion diffusion barrier layers
SG98468A1 (en) * 2001-01-17 2003-09-19 Air Prod & Chem Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
US6583048B2 (en) 2001-01-17 2003-06-24 Air Products And Chemicals, Inc. Organosilicon precursors for interlayer dielectric films with low dielectric constants
US6514850B2 (en) 2001-01-31 2003-02-04 Applied Materials, Inc. Interface with dielectric layer and method of making
EP1233449A3 (en) * 2001-02-15 2006-03-01 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum A method of fabricating a semiconductor device
US6537733B2 (en) * 2001-02-23 2003-03-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant silicon carbide layers
US7095460B2 (en) * 2001-02-26 2006-08-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array substrate using low dielectric insulating layer and method of fabricating the same
KR20030093270A (ko) * 2001-03-23 2003-12-06 다우 코닝 코포레이션 수소화 규소 옥시카바이드 필름의 제조 방법
US6709721B2 (en) 2001-03-28 2004-03-23 Applied Materials Inc. Purge heater design and process development for the improvement of low k film properties
US6472333B2 (en) 2001-03-28 2002-10-29 Applied Materials, Inc. Silicon carbide cap layers for low dielectric constant silicon oxide layers
US6896968B2 (en) * 2001-04-06 2005-05-24 Honeywell International Inc. Coatings and method for protecting carbon-containing components from oxidation
US6376392B1 (en) * 2001-05-18 2002-04-23 Industrial Technology Research Institute PECVD process for ULSI ARL
US6716770B2 (en) 2001-05-23 2004-04-06 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
US7074489B2 (en) * 2001-05-23 2006-07-11 Air Products And Chemicals, Inc. Low dielectric constant material and method of processing by CVD
US6486082B1 (en) 2001-06-18 2002-11-26 Applied Materials, Inc. CVD plasma assisted lower dielectric constant sicoh film
KR20030002993A (ko) * 2001-06-29 2003-01-09 학교법인 포항공과대학교 저유전체 박막의 제조방법
DE10131156A1 (de) * 2001-06-29 2003-01-16 Fraunhofer Ges Forschung Arikel mit plasmapolymerer Beschichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
US7043133B2 (en) * 2001-07-12 2006-05-09 Little Optics, Inc. Silicon-oxycarbide high index contrast, low-loss optical waveguides and integrated thermo-optic devices
US7183201B2 (en) * 2001-07-23 2007-02-27 Applied Materials, Inc. Selective etching of organosilicate films over silicon oxide stop etch layers
US6632735B2 (en) 2001-08-07 2003-10-14 Applied Materials, Inc. Method of depositing low dielectric constant carbon doped silicon oxide
US6531412B2 (en) 2001-08-10 2003-03-11 International Business Machines Corporation Method for low temperature chemical vapor deposition of low-k films using selected cyclosiloxane and ozone gases for semiconductor applications
JP3745257B2 (ja) 2001-08-17 2006-02-15 キヤノン販売株式会社 半導体装置及びその製造方法
KR100432704B1 (ko) * 2001-09-01 2004-05-24 주성엔지니어링(주) 수소화된 ＳｉＯＣ 박막 제조방법
US6759327B2 (en) 2001-10-09 2004-07-06 Applied Materials Inc. Method of depositing low k barrier layers
US6656837B2 (en) * 2001-10-11 2003-12-02 Applied Materials, Inc. Method of eliminating photoresist poisoning in damascene applications
US20030087043A1 (en) * 2001-11-08 2003-05-08 International Business Machines Corporation Low k dielectric film deposition process
US7001823B1 (en) * 2001-11-14 2006-02-21 Lsi Logic Corporation Method of manufacturing a shallow trench isolation structure with low trench parasitic capacitance
JP4152619B2 (ja) * 2001-11-14 2008-09-17 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置およびその製造方法
US6838393B2 (en) * 2001-12-14 2005-01-04 Applied Materials, Inc. Method for producing semiconductor including forming a layer containing at least silicon carbide and forming a second layer containing at least silicon oxygen carbide
US6890850B2 (en) 2001-12-14 2005-05-10 Applied Materials, Inc. Method of depositing dielectric materials in damascene applications
US7091137B2 (en) 2001-12-14 2006-08-15 Applied Materials Bi-layer approach for a hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US6699784B2 (en) 2001-12-14 2004-03-02 Applied Materials Inc. Method for depositing a low k dielectric film (K>3.5) for hard mask application
US6759344B2 (en) * 2002-01-29 2004-07-06 Asm Japan K.K. Method for forming low dielectric constant interlayer insulation film
US6849562B2 (en) * 2002-03-04 2005-02-01 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric barrier film for copper damascene application
US6936309B2 (en) 2002-04-02 2005-08-30 Applied Materials, Inc. Hardness improvement of silicon carboxy films
US20030194495A1 (en) * 2002-04-11 2003-10-16 Applied Materials, Inc. Crosslink cyclo-siloxane compound with linear bridging group to form ultra low k dielectric
US20030211244A1 (en) * 2002-04-11 2003-11-13 Applied Materials, Inc. Reacting an organosilicon compound with an oxidizing gas to form an ultra low k dielectric
US6815373B2 (en) * 2002-04-16 2004-11-09 Applied Materials Inc. Use of cyclic siloxanes for hardness improvement of low k dielectric films
US6858548B2 (en) * 2002-04-18 2005-02-22 Applied Materials, Inc. Application of carbon doped silicon oxide film to flat panel industry
US7211607B2 (en) * 2002-04-24 2007-05-01 The Regents Of The University Of California Method for producing high surface area chromia materials for catalysis
US7008484B2 (en) * 2002-05-06 2006-03-07 Applied Materials Inc. Method and apparatus for deposition of low dielectric constant materials
US7060330B2 (en) 2002-05-08 2006-06-13 Applied Materials, Inc. Method for forming ultra low k films using electron beam
US6936551B2 (en) * 2002-05-08 2005-08-30 Applied Materials Inc. Methods and apparatus for E-beam treatment used to fabricate integrated circuit devices
US7056560B2 (en) * 2002-05-08 2006-06-06 Applies Materials Inc. Ultra low dielectric materials based on hybrid system of linear silicon precursor and organic porogen by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD)
KR100466818B1 (ko) * 2002-05-17 2005-01-24 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 절연막 형성 방법
US7105460B2 (en) 2002-07-11 2006-09-12 Applied Materials Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
US6927178B2 (en) 2002-07-11 2005-08-09 Applied Materials, Inc. Nitrogen-free dielectric anti-reflective coating and hardmask
JP2005536042A (ja) * 2002-08-08 2005-11-24 トリコン テクノロジーズ リミティド シャワーヘッドの改良
DE10240176A1 (de) * 2002-08-30 2004-04-29 Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale Ein dielektrischer Schichtstapel mit kleiner Dielektrizitätskonstante einschliesslich einer Ätzindikatorschicht zur Anwendung in der dualen Damaszenertechnik
US7001833B2 (en) * 2002-09-27 2006-02-21 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming openings in low-k dielectric layers
US7749563B2 (en) 2002-10-07 2010-07-06 Applied Materials, Inc. Two-layer film for next generation damascene barrier application with good oxidation resistance
US7485570B2 (en) 2002-10-30 2009-02-03 Fujitsu Limited Silicon oxycarbide, growth method of silicon oxycarbide layer, semiconductor device and manufacture method for semiconductor device
JP4338495B2 (ja) 2002-10-30 2009-10-07 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 シリコンオキシカーバイド、半導体装置、および半導体装置の製造方法
US7404990B2 (en) 2002-11-14 2008-07-29 Air Products And Chemicals, Inc. Non-thermal process for forming porous low dielectric constant films
US6872588B2 (en) * 2002-11-22 2005-03-29 Palo Alto Research Center Inc. Method of fabrication of electronic devices using microfluidic channels
US6939800B1 (en) * 2002-12-16 2005-09-06 Lsi Logic Corporation Dielectric barrier films for use as copper barrier layers in semiconductor trench and via structures
US6855645B2 (en) * 2002-12-30 2005-02-15 Novellus Systems, Inc. Silicon carbide having low dielectric constant
US7270713B2 (en) * 2003-01-07 2007-09-18 Applied Materials, Inc. Tunable gas distribution plate assembly
US6790788B2 (en) 2003-01-13 2004-09-14 Applied Materials Inc. Method of improving stability in low k barrier layers
JP3898133B2 (ja) * 2003-01-14 2007-03-28 Ｎｅｃエレクトロニクス株式会社 ＳｉＣＨＮ膜の成膜方法。
JP2004253791A (ja) 2003-01-29 2004-09-09 Nec Electronics Corp 絶縁膜およびそれを用いた半導体装置
US6897163B2 (en) * 2003-01-31 2005-05-24 Applied Materials, Inc. Method for depositing a low dielectric constant film
KR101129101B1 (ko) * 2003-02-18 2012-03-23 코니카 미놀타 홀딩스 가부시키가이샤 유기 박막 트랜지스터 소자 및 그의 제조 방법
US20040166692A1 (en) * 2003-02-26 2004-08-26 Loboda Mark Jon Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films
US20040168505A1 (en) * 2003-02-27 2004-09-02 Dudley Newton Howard Air conditioning system UV leak detection kit
US7011890B2 (en) * 2003-03-03 2006-03-14 Applied Materials Inc. Modulated/composited CVD low-k films with improved mechanical and electrical properties for nanoelectronic devices
TWI240959B (en) 2003-03-04 2005-10-01 Air Prod & Chem Mechanical enhancement of dense and porous organosilicate materials by UV exposure
US6913992B2 (en) 2003-03-07 2005-07-05 Applied Materials, Inc. Method of modifying interlayer adhesion
US7208389B1 (en) * 2003-03-31 2007-04-24 Novellus Systems, Inc. Method of porogen removal from porous low-k films using UV radiation
TW200505966A (en) 2003-04-02 2005-02-16 Dow Global Technologies Inc Organosilicate resin formulation for use in microelectronic devices
US6942753B2 (en) 2003-04-16 2005-09-13 Applied Materials, Inc. Gas distribution plate assembly for large area plasma enhanced chemical vapor deposition
US8137764B2 (en) * 2003-05-29 2012-03-20 Air Products And Chemicals, Inc. Mechanical enhancer additives for low dielectric films
US7151315B2 (en) * 2003-06-11 2006-12-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method of a non-metal barrier copper damascene integration
US6911403B2 (en) 2003-08-20 2005-06-28 Applied Materials, Inc. Methods of reducing plasma-induced damage for advanced plasma CVD dielectrics
US6967405B1 (en) 2003-09-24 2005-11-22 Yongsik Yu Film for copper diffusion barrier
US7420275B1 (en) 2003-09-24 2008-09-02 Novellus Systems, Inc. Boron-doped SIC copper diffusion barrier films
US7030041B2 (en) 2004-03-15 2006-04-18 Applied Materials Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics
US20050214457A1 (en) * 2004-03-29 2005-09-29 Applied Materials, Inc. Deposition of low dielectric constant films by N2O addition
US7115508B2 (en) * 2004-04-02 2006-10-03 Applied-Materials, Inc. Oxide-like seasoning for dielectric low k films
US7229911B2 (en) 2004-04-19 2007-06-12 Applied Materials, Inc. Adhesion improvement for low k dielectrics to conductive materials
US7112541B2 (en) * 2004-05-06 2006-09-26 Applied Materials, Inc. In-situ oxide capping after CVD low k deposition
US7282438B1 (en) 2004-06-15 2007-10-16 Novellus Systems, Inc. Low-k SiC copper diffusion barrier films
US7229041B2 (en) * 2004-06-30 2007-06-12 Ohio Central Steel Company Lifting lid crusher
US7288205B2 (en) 2004-07-09 2007-10-30 Applied Materials, Inc. Hermetic low dielectric constant layer for barrier applications
US20060021703A1 (en) * 2004-07-29 2006-02-02 Applied Materials, Inc. Dual gas faceplate for a showerhead in a semiconductor wafer processing system
KR101154215B1 (ko) * 2004-08-18 2012-06-18 다우 코닝 코포레이션 ＳｉＯＣ：Ｈ 피복된 기판 및 이의 제조방법
CN100558940C (zh) 2004-08-18 2009-11-11 陶氏康宁公司 涂布的基片及其制备方法
US7166531B1 (en) 2005-01-31 2007-01-23 Novellus Systems, Inc. VLSI fabrication processes for introducing pores into dielectric materials
US7867779B2 (en) 2005-02-03 2011-01-11 Air Products And Chemicals, Inc. System and method comprising same for measurement and/or analysis of particles in gas stream
US20060183055A1 (en) * 2005-02-15 2006-08-17 O'neill Mark L Method for defining a feature on a substrate
US8916768B2 (en) * 2005-04-14 2014-12-23 Rec Solar Pte. Ltd. Surface passivation of silicon based wafers
US7189658B2 (en) * 2005-05-04 2007-03-13 Applied Materials, Inc. Strengthening the interface between dielectric layers and barrier layers with an oxide layer of varying composition profile
US7273823B2 (en) * 2005-06-03 2007-09-25 Applied Materials, Inc. Situ oxide cap layer development
JP2009507837A (ja) 2005-09-12 2009-02-26 フジフィルム・エレクトロニック・マテリアルズ・ユーエスエイ・インコーポレイテッド 環状アルケン誘導体の分解を防止する添加剤
EP1931613B1 (en) * 2005-09-12 2015-11-11 FujiFilm Electronic Materials USA, Inc. Additives to prevent degradation of cyclic alkene derivatives
JP4521349B2 (ja) * 2005-10-13 2010-08-11 富士通セミコンダクター株式会社 半導体集積回路装置
US20070134435A1 (en) * 2005-12-13 2007-06-14 Ahn Sang H Method to improve the ashing/wet etch damage resistance and integration stability of low dielectric constant films
US7601651B2 (en) * 2006-03-31 2009-10-13 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US7780865B2 (en) * 2006-03-31 2010-08-24 Applied Materials, Inc. Method to improve the step coverage and pattern loading for dielectric films
US20070287301A1 (en) * 2006-03-31 2007-12-13 Huiwen Xu Method to minimize wet etch undercuts and provide pore sealing of extreme low k (k<2.5) dielectrics
US8399349B2 (en) * 2006-04-18 2013-03-19 Air Products And Chemicals, Inc. Materials and methods of forming controlled void
US20070264843A1 (en) * 2006-05-09 2007-11-15 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Formation and applications of nitrogen-free silicon carbide in semiconductor manufacturing
US7476971B2 (en) * 2006-05-11 2009-01-13 Toshiba America Electronic Components, Inc. Via line barrier and etch stop structure
US20070286995A1 (en) * 2006-06-09 2007-12-13 Exatec, Llc Polycarbonate glazing system having solar reflecting properties
DE102006028809B4 (de) * 2006-06-21 2015-10-22 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Wafer-Träger-Anordnung, Schichtverbund zur Verwendung bei der Herstellung einer solchen Wafer-Träger-Anordnung sowie entsprechende Verfahren und Verwendungen
US20070299239A1 (en) * 2006-06-27 2007-12-27 Air Products And Chemicals, Inc. Curing Dielectric Films Under A Reducing Atmosphere
US7297376B1 (en) 2006-07-07 2007-11-20 Applied Materials, Inc. Method to reduce gas-phase reactions in a PECVD process with silicon and organic precursors to deposit defect-free initial layers
DE102006058771B4 (de) 2006-12-12 2018-03-01 Schott Ag Behälter mit verbesserter Restentleerbarkeit und Verfahren zu dessen Herstellung
US7500397B2 (en) 2007-02-15 2009-03-10 Air Products And Chemicals, Inc. Activated chemical process for enhancing material properties of dielectric films
US7915166B1 (en) 2007-02-22 2011-03-29 Novellus Systems, Inc. Diffusion barrier and etch stop films
DE102007010071A1 (de) 2007-02-28 2008-09-04 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Schichtverbund umfassend eine Lack- und eine Trennschicht sowie Lack-Träger-Anordnung zur Übertragung von Lack
US8173537B1 (en) 2007-03-29 2012-05-08 Novellus Systems, Inc. Methods for reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction
DE102007040655B4 (de) 2007-08-27 2011-07-14 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V., 80686 Funktionsschichtübertragungsanordnung, Verfahren zu deren Herstellung, Übertragungsverfahren für eine Funktionsschicht und Verwendung einer plasmapolymeren Schicht oder einer Funktionsschichtübertragungsanordnung zum Übertragen einer Funktionsschicht auf ein Substrat
KR100884632B1 (ko) 2007-09-14 2009-02-23 (주)피앤테크 에스아이오씨 박막 제조용 프리커서와 박막 형성방법
US20090096106A1 (en) * 2007-10-12 2009-04-16 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings
US8987039B2 (en) 2007-10-12 2015-03-24 Air Products And Chemicals, Inc. Antireflective coatings for photovoltaic applications
KR100920033B1 (ko) 2007-12-10 2009-10-07 (주)피앤테크 에스아이오씨 박막 제조용 프리커서를 이용한 박막 형성방법
FR2926397B1 (fr) * 2008-01-16 2010-02-12 Commissariat Energie Atomique Procede de fabrication de films dielectriques permeables
US8764993B2 (en) * 2008-04-03 2014-07-01 General Electric Company SiOC membranes and methods of making the same
US8124522B1 (en) 2008-04-11 2012-02-28 Novellus Systems, Inc. Reducing UV and dielectric diffusion barrier interaction through the modulation of optical properties
US8173213B2 (en) 2008-05-28 2012-05-08 Air Products And Chemicals, Inc. Process stability of NBDE using substituted phenol stabilizers
CN102089405B (zh) 2008-07-08 2013-10-16 富士胶片电子材料美国有限公司 防止环烯烃衍生物降解的添加剂
EP2308093B1 (en) * 2008-08-04 2020-04-15 The Trustees of Princeton University Hybrid dielectric material for thin film transistors
US8283260B2 (en) * 2008-08-18 2012-10-09 Air Products And Chemicals, Inc. Process for restoring dielectric properties
US8298965B2 (en) * 2008-09-03 2012-10-30 American Air Liquide, Inc. Volatile precursors for deposition of C-linked SiCOH dielectrics
US8637396B2 (en) * 2008-12-01 2014-01-28 Air Products And Chemicals, Inc. Dielectric barrier deposition using oxygen containing precursor
US20100151206A1 (en) 2008-12-11 2010-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Method for Removal of Carbon From An Organosilicate Material
US9340880B2 (en) 2009-10-27 2016-05-17 Silcotek Corp. Semiconductor fabrication process
CN102741452A (zh) 2009-10-27 2012-10-17 西尔科特克公司 化学气相沉积涂层、制品和方法
US8247332B2 (en) 2009-12-04 2012-08-21 Novellus Systems, Inc. Hardmask materials
TWI550121B (zh) 2010-02-17 2016-09-21 液態空氣喬治斯克勞帝方法研究開發股份有限公司 ＳｉＣＯＨ低Ｋ膜之氣相沈積法
US20150101662A1 (en) * 2010-04-23 2015-04-16 Solexel, Inc. Surface passivation of high-efficiency crystalline silicon solar cells
JPWO2012105672A1 (ja) * 2011-01-31 2014-07-03 東レ・ダウコーニング株式会社 ケイ素含有炭素系複合材料
US8461683B2 (en) * 2011-04-01 2013-06-11 Intel Corporation Self-forming, self-aligned barriers for back-end interconnects and methods of making same
US10832904B2 (en) 2012-06-12 2020-11-10 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of oxygen doped silicon carbide films
US9234276B2 (en) 2013-05-31 2016-01-12 Novellus Systems, Inc. Method to obtain SiC class of films of desired composition and film properties
US10325773B2 (en) 2012-06-12 2019-06-18 Novellus Systems, Inc. Conformal deposition of silicon carbide films
US10211310B2 (en) 2012-06-12 2019-02-19 Novellus Systems, Inc. Remote plasma based deposition of SiOC class of films
US9337068B2 (en) 2012-12-18 2016-05-10 Lam Research Corporation Oxygen-containing ceramic hard masks and associated wet-cleans
WO2014186470A1 (en) 2013-05-14 2014-11-20 Silcotek Corp. Vapor phase treatment of amorphous carbon films with (perfluoro 1,1,2,2 tetrahydroalkyl)trialkoxysilane
US10297442B2 (en) 2013-05-31 2019-05-21 Lam Research Corporation Remote plasma based deposition of graded or multi-layered silicon carbide film
US20150030885A1 (en) * 2013-07-29 2015-01-29 Silcotek Corp. Coated article and chemical vapor deposition process
US9371579B2 (en) 2013-10-24 2016-06-21 Lam Research Corporation Ground state hydrogen radical sources for chemical vapor deposition of silicon-carbon-containing films
US11292924B2 (en) 2014-04-08 2022-04-05 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coated article and process
US9915001B2 (en) 2014-09-03 2018-03-13 Silcotek Corp. Chemical vapor deposition process and coated article
WO2016069807A1 (en) 2014-10-29 2016-05-06 Ppg Industries Ohio, Inc. Protective coating system for plastic substrate
US10316408B2 (en) 2014-12-12 2019-06-11 Silcotek Corp. Delivery device, manufacturing system and process of manufacturing
US20160314964A1 (en) 2015-04-21 2016-10-27 Lam Research Corporation Gap fill using carbon-based films
WO2017040623A1 (en) 2015-09-01 2017-03-09 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition coating
US9786491B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US9786492B2 (en) 2015-11-12 2017-10-10 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US10323321B1 (en) 2016-01-08 2019-06-18 Silcotek Corp. Thermal chemical vapor deposition process and coated article
KR102541448B1 (ko) * 2016-03-08 2023-06-09 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102378021B1 (ko) 2016-05-06 2022-03-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 박막의 형성
US10002787B2 (en) 2016-11-23 2018-06-19 Lam Research Corporation Staircase encapsulation in 3D NAND fabrication
US10487403B2 (en) 2016-12-13 2019-11-26 Silcotek Corp Fluoro-containing thermal chemical vapor deposition process and article
US9837270B1 (en) 2016-12-16 2017-12-05 Lam Research Corporation Densification of silicon carbide film using remote plasma treatment
US10847529B2 (en) 2017-04-13 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured by the same
US10504901B2 (en) 2017-04-26 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method and device manufactured using the same
JP7249952B2 (ja) 2017-05-05 2023-03-31 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 酸素含有薄膜の制御された形成のためのプラズマ増強堆積プロセス
US11161324B2 (en) 2017-09-13 2021-11-02 Silcotek Corp. Corrosion-resistant coated article and thermal chemical vapor deposition coating process
TWI761636B (zh) 2017-12-04 2022-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 電漿增強型原子層沉積製程及沉積碳氧化矽薄膜的方法
WO2019178186A1 (en) * 2018-03-14 2019-09-19 Helicon Chemical Company Dielectric composite containing dispersed primary nanoparticles of aluminum or aluminum oxide
WO2020252306A1 (en) 2019-06-14 2020-12-17 Silcotek Corp. Nano-wire growth
TWI894160B (zh) * 2019-08-16 2025-08-21 美商慧盛材料美國責任有限公司 一種用於製造介電膜之化學氣相沉積方法
US12142479B2 (en) 2020-01-17 2024-11-12 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiOCN thin films
US12341005B2 (en) 2020-01-17 2025-06-24 Asm Ip Holding B.V. Formation of SiCN thin films
US12473635B2 (en) 2020-06-03 2025-11-18 Silcotek Corp. Dielectric article

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298932A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Agency Of Ind Science & Technol 酸化シリコン膜の製造方法
JPH0511479A (ja) * 1990-10-24 1993-01-22 Canon Inc 電子写真用光受容部材
JPH09172012A (ja) * 1995-10-30 1997-06-30 Dow Corning Corp ケイ素−酸素含有コーティングの成長法
JPH09172010A (ja) * 1996-12-24 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 層間絶縁膜
JPH09237785A (ja) * 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1064899A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Nec Corp プラズマｃｖｄ絶縁膜およびその形成方法
JP2001504989A (ja) * 1996-08-24 2001-04-10 トリコン エクウィプメンツ リミテッド 平坦化された誘電層を半導体基板上に堆積させるための方法及び装置
JP2002503879A (ja) * 1998-02-11 2002-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率膜を堆積するためのプラズマ処理方法

Family Cites Families (94)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA1134214A (en) * 1978-03-08 1982-10-26 Roy G. Gordon Deposition method
JPS5998726A (ja) 1982-11-26 1984-06-07 Seiko Epson Corp 酸化膜形成法
JPS59222659A (ja) * 1983-05-31 1984-12-14 Fuji Heavy Ind Ltd 無段変速機の油圧制御装置
US4557946A (en) 1983-06-03 1985-12-10 Edward Sacher Moisture impermeability or organosilicone films
JPS60111480A (ja) 1983-11-22 1985-06-17 Toshiba Corp 薄膜発光素子
US4717585A (en) 1985-02-09 1988-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Process for forming deposited film
US4845054A (en) 1985-06-14 1989-07-04 Focus Semiconductor Systems, Inc. Low temperature chemical vapor deposition of silicon dioxide films
US4812325A (en) 1985-10-23 1989-03-14 Canon Kabushiki Kaisha Method for forming a deposited film
US4789648A (en) 1985-10-28 1988-12-06 International Business Machines Corporation Method for producing coplanar multi-level metal/insulator films on a substrate and for forming patterned conductive lines simultaneously with stud vias
US5000113A (en) 1986-12-19 1991-03-19 Applied Materials, Inc. Thermal CVD/PECVD reactor and use for thermal chemical vapor deposition of silicon dioxide and in-situ multi-step planarized process
GB8630918D0 (en) 1986-12-24 1987-02-04 Pilkington Brothers Plc Coatings on glass
KR910006164B1 (ko) * 1987-03-18 1991-08-16 가부시키가이샤 도시바 박막형성방법과 그 장치
US5028566A (en) 1987-04-10 1991-07-02 Air Products And Chemicals, Inc. Method of forming silicon dioxide glass films
FR2614317B1 (fr) * 1987-04-22 1989-07-13 Air Liquide Procede de protection de substrat polymerique par depot par plasma de composes du type oxynitrure de silicium et dispositif pour sa mise en oeuvre.
JPH077759B2 (ja) 1987-08-20 1995-01-30 株式会社半導体エネルギ−研究所 絶縁膜形成方法
US4798629A (en) 1987-10-22 1989-01-17 Motorola Inc. Spin-on glass for use in semiconductor processing
US4900591A (en) 1988-01-20 1990-02-13 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method for the deposition of high quality silicon dioxide at low temperature
US4842888A (en) * 1988-04-07 1989-06-27 Dow Corning Corporation Ceramic coatings from the pyrolysis in ammonia of mixtures of silicate esters and other metal oxide precursors
US4894352A (en) 1988-10-26 1990-01-16 Texas Instruments Inc. Deposition of silicon-containing films using organosilicon compounds and nitrogen trifluoride
US4981724A (en) * 1988-10-27 1991-01-01 Hochberg Arthur K Deposition of silicon oxide films using alkylsilane liquid sources
US4973511A (en) 1988-12-01 1990-11-27 Monsanto Company Composite solar/safety film and laminated window assembly made therefrom
FR2651782B1 (fr) 1989-09-14 1993-03-19 Air Liquide Procede pour la realisation d'un depot d'un revetement protecteur inorganique et amorphe sur un substrat polymerique organique.
JPH0740569B2 (ja) 1990-02-27 1995-05-01 エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション Ｅｃｒプラズマ堆積方法
US5120680A (en) 1990-07-19 1992-06-09 At&T Bell Laboratories Method for depositing dielectric layers
CA2048168A1 (en) * 1990-08-03 1992-02-04 John T. Felts Silicon oxide based thin film vapour barriers
NL9001770A (nl) 1990-08-06 1992-03-02 Philips Nv Werkwijze voor het aanbrengen van een siliciumdioxide-laag op een substraat door middel van chemische reactie uit de dampfase bij verlaagde druk (lpcvd).
US5040046A (en) 1990-10-09 1991-08-13 Micron Technology, Inc. Process for forming highly conformal dielectric coatings in the manufacture of integrated circuits and product produced thereby
US5284730A (en) * 1990-10-24 1994-02-08 Canon Kabushiki Kaisha Electrophotographic light-receiving member
EP0519079B1 (en) 1991-01-08 1999-03-03 Fujitsu Limited Process for forming silicon oxide film
US5525550A (en) * 1991-05-21 1996-06-11 Fujitsu Limited Process for forming thin films by plasma CVD for use in the production of semiconductor devices
US5246887A (en) 1991-07-10 1993-09-21 At&T Bell Laboratories Dielectric deposition
US5204141A (en) * 1991-09-18 1993-04-20 Air Products And Chemicals, Inc. Deposition of silicon dioxide films at temperatures as low as 100 degree c. by lpcvd using organodisilane sources
US5224441A (en) 1991-09-27 1993-07-06 The Boc Group, Inc. Apparatus for rapid plasma treatments and method
US5208069A (en) * 1991-10-28 1993-05-04 Istituto Guido Donegani S.P.A. Method for passivating the inner surface by deposition of a ceramic coating of an apparatus subject to coking, apparatus prepared thereby, and method of utilizing apparatus prepared thereby
US5182000A (en) * 1991-11-12 1993-01-26 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method of coating metal using low temperature plasma and electrodeposition
JPH05267480A (ja) 1992-03-21 1993-10-15 Ricoh Co Ltd 半導体装置とその製造方法
JP2934353B2 (ja) 1992-06-24 1999-08-16 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US5739579A (en) 1992-06-29 1998-04-14 Intel Corporation Method for forming interconnections for semiconductor fabrication and semiconductor device having such interconnections
AU4506993A (en) * 1992-07-04 1994-01-31 Christopher David Dobson A method of treating a semiconductor wafer
JP2665299B2 (ja) 1992-07-06 1997-10-22 三菱電機株式会社 エレベーターの乗場表示装置
US5825078A (en) * 1992-09-23 1998-10-20 Dow Corning Corporation Hermetic protection for integrated circuits
JP2884968B2 (ja) 1992-11-17 1999-04-19 東亞合成株式会社 シリコン酸化膜の製造方法
US5753564A (en) 1992-11-24 1998-05-19 Sumitomo Metal Industries, Ltd. Method for forming a thin film of a silicon oxide on a silicon substrate, by BCR plasma
JP2684942B2 (ja) 1992-11-30 1997-12-03 日本電気株式会社 化学気相成長法と化学気相成長装置および多層配線の製造方法
US5465680A (en) * 1993-07-01 1995-11-14 Dow Corning Corporation Method of forming crystalline silicon carbide coatings
US5433786A (en) 1993-08-27 1995-07-18 The Dow Chemical Company Apparatus for plasma enhanced chemical vapor deposition comprising shower head electrode with magnet disposed therein
US5364666A (en) * 1993-09-23 1994-11-15 Becton, Dickinson And Company Process for barrier coating of plastic objects
JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1999-06-02 キヤノン販売 株式会社 成膜方法
DE4404690A1 (de) * 1994-02-15 1995-08-17 Leybold Ag Verfahren zur Erzeugung von Sperrschichten für Gase und Dämpfe auf Kunststoff-Substraten
US5888593A (en) 1994-03-03 1999-03-30 Monsanto Company Ion beam process for deposition of highly wear-resistant optical coatings
US5508368A (en) 1994-03-03 1996-04-16 Diamonex, Incorporated Ion beam process for deposition of highly abrasion-resistant coatings
US5618619A (en) 1994-03-03 1997-04-08 Monsanto Company Highly abrasion-resistant, flexible coatings for soft substrates
US5858880A (en) 1994-05-14 1999-01-12 Trikon Equipment Limited Method of treating a semi-conductor wafer
JPH0855913A (ja) 1994-06-07 1996-02-27 Texas Instr Inc <Ti> サブミクロン相互接続の選択的空隙充填方法
US5563105A (en) 1994-09-30 1996-10-08 International Business Machines Corporation PECVD method of depositing fluorine doped oxide using a fluorine precursor containing a glass-forming element
JP3495116B2 (ja) 1994-10-31 2004-02-09 東レ・ダウコーニング・シリコーン株式会社 撥水性薄膜およびその製造方法
JPH08181210A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
JPH08181276A (ja) 1994-12-26 1996-07-12 Toshiba Corp 半導体装置の製造方法
TW285753B (ja) 1995-01-04 1996-09-11 Air Prod & Chem
JP3176017B2 (ja) 1995-02-15 2001-06-11 株式会社東芝 半導体装置の製造方法
US5534462A (en) 1995-02-24 1996-07-09 Motorola, Inc. Method for forming a plug and semiconductor device having the same
JPH08236518A (ja) 1995-02-28 1996-09-13 Hitachi Ltd シリコン酸化膜の形成方法
JP3388651B2 (ja) * 1995-04-07 2003-03-24 株式会社アルバック 絶縁膜の形成方法
JPH08288286A (ja) 1995-04-19 1996-11-01 Sharp Corp シリコン酸化膜の成膜方法
US5637351A (en) 1995-05-11 1997-06-10 Air Products And Chemicals, Inc. Chemical vapor deposition (CVD) of silicon dioxide films using oxygen-silicon source reactants and a free radical promoter
FR2734402B1 (fr) 1995-05-15 1997-07-18 Brouquet Pierre Procede pour l'isolement electrique en micro-electronique, applicable aux cavites etroites, par depot d'oxyde a l'etat visqueux et dispositif correspondant
US5530581A (en) * 1995-05-31 1996-06-25 Eic Laboratories, Inc. Protective overlayer material and electro-optical coating using same
JP3463416B2 (ja) 1995-06-23 2003-11-05 ソニー株式会社 絶縁膜の製造方法および半導体装置
JP3061255B2 (ja) * 1995-08-18 2000-07-10 キヤノン販売株式会社 成膜方法
JPH09116011A (ja) 1995-10-23 1997-05-02 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
TW362118B (en) * 1995-10-30 1999-06-21 Dow Corning Method for depositing amorphous SiNC coatings
US5599740A (en) * 1995-11-16 1997-02-04 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Deposit-etch-deposit ozone/teos insulator layer method
US5798319A (en) 1996-01-16 1998-08-25 Exxon Chemical Patents Inc. High stability and low metals esters based on 3,5,5-trimethyl-1-hexanol
JPH09251997A (ja) * 1996-03-18 1997-09-22 Toshiba Corp シリコン酸化膜の形成方法
JPH09260369A (ja) * 1996-03-25 1997-10-03 Toshiba Corp 絶縁膜の形成方法
US5693563A (en) 1996-07-15 1997-12-02 Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Etch stop for copper damascene process
US5807785A (en) 1996-08-02 1998-09-15 Applied Materials, Inc. Low dielectric constant silicon dioxide sandwich layer
US5827785A (en) 1996-10-24 1998-10-27 Applied Materials, Inc. Method for improving film stability of fluorosilicate glass films
US5834162A (en) 1996-10-28 1998-11-10 Regents Of The University Of California Process for 3D chip stacking
JPH10242143A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置、半導体装置の製造方法及び半導体装置の絶縁膜形成方法
US5821168A (en) 1997-07-16 1998-10-13 Motorola, Inc. Process for forming a semiconductor device
US5891799A (en) 1997-08-18 1999-04-06 Industrial Technology Research Institute Method for making stacked and borderless via structures for multilevel metal interconnections on semiconductor substrates
US6030904A (en) * 1997-08-21 2000-02-29 International Business Machines Corporation Stabilization of low-k carbon-based dielectrics
US6103590A (en) * 1997-12-12 2000-08-15 Texas Instruments Incorporated SiC patterning of porous silicon
EP0926715B1 (en) * 1997-12-23 2009-06-10 Texas Instruments Incorporated Chemical mechanical polishing for isolation dielectric planarization
GB9801359D0 (en) * 1998-01-23 1998-03-18 Poulton Limited Methods and apparatus for treating a substrate
TW437017B (en) * 1998-02-05 2001-05-28 Asm Japan Kk Silicone polymer insulation film on semiconductor substrate and method for formation thereof
DE19904311A1 (de) * 1998-02-06 1999-08-12 Nat Semiconductor Corp Verfahren zum Aufbringen eines kohlenstoffdotierten Dünnfilms aus Siliciumoxid auf ein Substrat
US6054379A (en) 1998-02-11 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Method of depositing a low k dielectric with organo silane
JPH11251293A (ja) * 1998-03-03 1999-09-17 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置の製造方法
US6068884A (en) * 1998-04-28 2000-05-30 Silcon Valley Group Thermal Systems, Llc Method of making low κ dielectric inorganic/organic hybrid films
JP2000188332A (ja) * 1998-12-22 2000-07-04 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法
US6114259A (en) * 1999-07-27 2000-09-05 Lsi Logic Corporation Process for treating exposed surfaces of a low dielectric constant carbon doped silicon oxide dielectric material to protect the material from damage
US6147012A (en) * 1999-11-12 2000-11-14 Lsi Logic Corporation Process for forming low k silicon oxide dielectric material while suppressing pressure spiking and inhibiting increase in dielectric constant

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0298932A (ja) * 1988-10-05 1990-04-11 Agency Of Ind Science & Technol 酸化シリコン膜の製造方法
JPH0511479A (ja) * 1990-10-24 1993-01-22 Canon Inc 電子写真用光受容部材
JPH09172012A (ja) * 1995-10-30 1997-06-30 Dow Corning Corp ケイ素−酸素含有コーティングの成長法
JPH09237785A (ja) * 1995-12-28 1997-09-09 Toshiba Corp 半導体装置およびその製造方法
JPH1064899A (ja) * 1996-08-16 1998-03-06 Nec Corp プラズマｃｖｄ絶縁膜およびその形成方法
JP2001504989A (ja) * 1996-08-24 2001-04-10 トリコン エクウィプメンツ リミテッド 平坦化された誘電層を半導体基板上に堆積させるための方法及び装置
JPH09172010A (ja) * 1996-12-24 1997-06-30 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 層間絶縁膜
JP2002503879A (ja) * 1998-02-11 2002-02-05 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 低誘電率膜を堆積するためのプラズマ処理方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013545889A (ja) * 2010-10-05 2013-12-26 シルコテック・コーポレーション 耐摩耗性コーティング、物品および方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2000049157A (ja) 2000-02-18
KR19990088593A (ko) 1999-12-27
KR100453612B1 (ko) 2004-10-20
US6159871A (en) 2000-12-12
JP4881422B2 (ja) 2012-02-22
EP0960958A2 (en) 1999-12-01
EP0960958A3 (en) 2000-03-22
US6593655B1 (en) 2003-07-15
TW491910B (en) 2002-06-21
SG72955A1 (en) 2000-05-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4881422B2 (ja) 低誘電率を有する水素化オキシ炭化珪素フィルムの製造方法
US6593248B2 (en) Method for producing hydrogenated silicon oxycarbide films having low dielectric constant
JP3930840B2 (ja) 低κ誘電性無機／有機ハイブリッドフィルム
US6667553B2 (en) H:SiOC coated substrates
US6770573B2 (en) Method for fabricating an ultralow dielectric constant material
US6825130B2 (en) CVD of porous dielectric materials
JP4881153B2 (ja) 水素化シリコンオキシカーバイド膜の生成方法。
US20020045359A1 (en) Fluorine-containing materials and processes
JP5614589B2 (ja) 絶縁膜材料を用いた成膜方法および絶縁膜
US20030234450A1 (en) Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device
US6790789B2 (en) Ultralow dielectric constant material as an intralevel or interlevel dielectric in a semiconductor device and electronic device made
KR20050034566A (ko) 실리콘 탄화물막을 제조하는 방법
JP2004320005A (ja) 有機シリカ多孔性膜製造のための化学気相成長方法
JP2004312041A (ja) 低誘電率材料およびｃｖｄによる処理方法
US20070054505A1 (en) PECVD processes for silicon dioxide films
KR100926722B1 (ko) 반도체 기판상의 실록산 중합체막 및 그 제조방법
EP0187826B1 (en) Fabrication of devices with a silicon oxide region

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091026

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20111111

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111118

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111202

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141209

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term