JPH0979865A - 磁気検出センサ - Google Patents
磁気検出センサInfo
- Publication number
- JPH0979865A JPH0979865A JP7233009A JP23300995A JPH0979865A JP H0979865 A JPH0979865 A JP H0979865A JP 7233009 A JP7233009 A JP 7233009A JP 23300995 A JP23300995 A JP 23300995A JP H0979865 A JPH0979865 A JP H0979865A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- magnet
- permanent magnet
- lead frame
- detection sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 7
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 7
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 38
- 229910052761 rare earth metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 150000002910 rare earth metals Chemical group 0.000 claims description 5
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 abstract description 5
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 5
- 239000012778 molding material Substances 0.000 abstract description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 abstract description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract 3
- 238000012045 magnetic resonance elastography Methods 0.000 description 18
- 239000013598 vector Substances 0.000 description 12
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 4
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 101100514311 Caenorhabditis elegans mre-11 gene Proteins 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 229910001172 neodymium magnet Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 238000005549 size reduction Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Landscapes
- Transmission And Conversion Of Sensor Element Output (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】小型化を図りつつ、組み付けを容易に行う。
【解決手段】磁気検出装置は、歯車状の磁性体ロータ１
と磁気検出センサ２とから構成されている。磁気検出セ
ンサ２において、リードフレーム５にはＭＲＥを含むセ
ンサ素子（ＩＣチップ）３がマウントされており、セン
サ素子３及びリードフレーム５は、絶縁性の樹脂材とし
てのモールド材７にてモールドされている。モールドＩ
Ｃ４の図示上面には、平面四角形状の凹部８が形成され
ており、その凹部８には、磁性体ロータ１に向けてバイ
アス磁界を発生させるための永久磁石１０が接着剤９に
より固定されている。永久磁石１０としては、比較的小
型で且つ磁気特性に優れたネオジウム（Ｎｄ）の焼結磁
石が用いられている。凹部８は、磁性体ロータ１に対し
て永久磁石１０による最適な磁界が得られるような位置
に形成されている。
と磁気検出センサ２とから構成されている。磁気検出セ
ンサ２において、リードフレーム５にはＭＲＥを含むセ
ンサ素子（ＩＣチップ）３がマウントされており、セン
サ素子３及びリードフレーム５は、絶縁性の樹脂材とし
てのモールド材７にてモールドされている。モールドＩ
Ｃ４の図示上面には、平面四角形状の凹部８が形成され
ており、その凹部８には、磁性体ロータ１に向けてバイ
アス磁界を発生させるための永久磁石１０が接着剤９に
より固定されている。永久磁石１０としては、比較的小
型で且つ磁気特性に優れたネオジウム（Ｎｄ）の焼結磁
石が用いられている。凹部８は、磁性体ロータ１に対し
て永久磁石１０による最適な磁界が得られるような位置
に形成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、被検出対象の運
動を磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥという）による抵抗変
化により検出するようにした磁気検出センサに関するも
のである。
動を磁気抵抗素子（以下、ＭＲＥという）による抵抗変
化により検出するようにした磁気検出センサに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】図１１は従来例としての磁気検出装置を
示す斜視図である。図１１において、歯車状の磁性体ロ
ータ３１から一定間隔をおいた所定位置には磁気検出セ
ンサ３２が対向配置されている。磁気検出センサ３２
は、ＭＲＥ（ＩＣチップ）を内部にモールドしたモール
ドＩＣ（モールドパッケージ）３３を有し、そのモール
ドＩＣ３３は、円柱状のバイアス磁石３４に形成された
貫通孔３５内に配置されている。かかる場合、磁性体ロ
ータ３１の回転に伴いバイアス磁石３４による磁気ベク
トルの向きが変わり、それによりモールドＩＣ３３内の
ＭＲＥの抵抗値が変化する。そして、この抵抗値変化に
より磁性体ロータ３１の回転状態が検出される。
示す斜視図である。図１１において、歯車状の磁性体ロ
ータ３１から一定間隔をおいた所定位置には磁気検出セ
ンサ３２が対向配置されている。磁気検出センサ３２
は、ＭＲＥ（ＩＣチップ）を内部にモールドしたモール
ドＩＣ（モールドパッケージ）３３を有し、そのモール
ドＩＣ３３は、円柱状のバイアス磁石３４に形成された
貫通孔３５内に配置されている。かかる場合、磁性体ロ
ータ３１の回転に伴いバイアス磁石３４による磁気ベク
トルの向きが変わり、それによりモールドＩＣ３３内の
ＭＲＥの抵抗値が変化する。そして、この抵抗値変化に
より磁性体ロータ３１の回転状態が検出される。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記従来技
術の場合、以下に示す問題を生ずる。つまり、上記構成
では、モールドＩＣ３３の周囲を完全に囲むようにバイ
アス磁石３４が配設されるため、センサとして使用する
場合に大型化を招くという問題があった。また、モール
ドＩＣ３３とバイアス磁石３４とを正確に位置決めしな
いと最適な検出結果が得られず、その組み付け作業時の
煩雑化を招くことがあった。
術の場合、以下に示す問題を生ずる。つまり、上記構成
では、モールドＩＣ３３の周囲を完全に囲むようにバイ
アス磁石３４が配設されるため、センサとして使用する
場合に大型化を招くという問題があった。また、モール
ドＩＣ３３とバイアス磁石３４とを正確に位置決めしな
いと最適な検出結果が得られず、その組み付け作業時の
煩雑化を招くことがあった。
【０００４】この発明は、上記問題に着目してなされた
ものであって、その目的とするところは、小型化を図り
つつ、組み付けを容易に行うことができる磁気検出セン
サを提供することにある。
ものであって、その目的とするところは、小型化を図り
つつ、組み付けを容易に行うことができる磁気検出セン
サを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１に記載の発明は、被検出対象の運動を抵抗
変化により検出する磁気抵抗素子をリードフレーム上に
設け、該磁気抵抗素子を前記リードフレームと共に絶縁
性樹脂材からなるモールドパッケージで封入した磁気検
出センサにおいて、前記モールドパッケージの外表面の
所定面をバイアス磁石の固着面とすると共に、この面に
形成した位置決め部を用いてバイアス磁石を配置したこ
とを要旨としている。
に、請求項１に記載の発明は、被検出対象の運動を抵抗
変化により検出する磁気抵抗素子をリードフレーム上に
設け、該磁気抵抗素子を前記リードフレームと共に絶縁
性樹脂材からなるモールドパッケージで封入した磁気検
出センサにおいて、前記モールドパッケージの外表面の
所定面をバイアス磁石の固着面とすると共に、この面に
形成した位置決め部を用いてバイアス磁石を配置したこ
とを要旨としている。
【０００６】請求項２に記載の発明は、被検出対象の運
動を抵抗変化により検出する磁気抵抗素子をリードフレ
ーム上に設け、該磁気抵抗素子を前記リードフレームと
共に絶縁性樹脂材からなるモールドパッケージで封入し
た磁気検出センサにおいて、前記リードフレーム上にバ
イアス磁石を載置し、該バイアス磁石をモールドパッケ
ージ内に封入したことを要旨としている。
動を抵抗変化により検出する磁気抵抗素子をリードフレ
ーム上に設け、該磁気抵抗素子を前記リードフレームと
共に絶縁性樹脂材からなるモールドパッケージで封入し
た磁気検出センサにおいて、前記リードフレーム上にバ
イアス磁石を載置し、該バイアス磁石をモールドパッケ
ージ内に封入したことを要旨としている。
【０００７】請求項３に記載の発明では、請求項１又は
２に記載の発明において、前記バイアス磁石を希土類磁
石により構成している。 （作用）請求項１に記載の構成によれば、バイアス磁石
をモールドパッケージの外表面の所定面に固着したた
め、モールドパッケージの周囲を円柱状のバイアス磁石
で囲って構成した従来例と比較して、大幅な小型化が可
能となる。また、バイアス磁石は、位置決め部を用いて
所定位置に固着されるため、組み付け時における作業が
容易となる。さらに、同磁石の位置ズレが防止され、バ
イアス磁石により得られる磁界の最適化が可能となる。
２に記載の発明において、前記バイアス磁石を希土類磁
石により構成している。 （作用）請求項１に記載の構成によれば、バイアス磁石
をモールドパッケージの外表面の所定面に固着したた
め、モールドパッケージの周囲を円柱状のバイアス磁石
で囲って構成した従来例と比較して、大幅な小型化が可
能となる。また、バイアス磁石は、位置決め部を用いて
所定位置に固着されるため、組み付け時における作業が
容易となる。さらに、同磁石の位置ズレが防止され、バ
イアス磁石により得られる磁界の最適化が可能となる。
【０００８】請求項２に記載の構成によれば、バイアス
磁石はモールドパッケージ内に封入されることで、所定
位置に位置決めされる。かかる場合、上記請求項１と同
様に、センサの小型化、組み付けの容易化、バイアス磁
界の最適化が実現できる。
磁石はモールドパッケージ内に封入されることで、所定
位置に位置決めされる。かかる場合、上記請求項１と同
様に、センサの小型化、組み付けの容易化、バイアス磁
界の最適化が実現できる。
【０００９】請求項３に記載の構成によれば、例えばネ
オジウム（Ｎｄ）磁石等の希土類磁石を用いることで、
比較的小型であっても優れた磁気特性を発揮でき、セン
サのさらなる小型化に貢献できる。
オジウム（Ｎｄ）磁石等の希土類磁石を用いることで、
比較的小型であっても優れた磁気特性を発揮でき、セン
サのさらなる小型化に貢献できる。
【００１０】
（第１の実施形態）以下、この発明を具体化した第１の
実施形態を図面を用いて説明する。
実施形態を図面を用いて説明する。
【００１１】図１は、本実施形態における磁気検出装置
を示す断面図であり、図２は磁気検出装置の斜視図であ
る。図１，２において、磁気検出装置は、歯車状の磁性
体ロータ（被検出対象）１と磁気検出センサ２とから構
成されている。磁性体ロータ１は図示しない回転体に連
結され、磁気検出センサ２は磁性体ロータ１の図示右方
にて同ロータ１から一定間隔をおいて対向配置されてい
る。
を示す断面図であり、図２は磁気検出装置の斜視図であ
る。図１，２において、磁気検出装置は、歯車状の磁性
体ロータ（被検出対象）１と磁気検出センサ２とから構
成されている。磁性体ロータ１は図示しない回転体に連
結され、磁気検出センサ２は磁性体ロータ１の図示右方
にて同ロータ１から一定間隔をおいて対向配置されてい
る。
【００１２】磁気検出センサ２は、センサ素子（ＩＣチ
ップ）３を内部にモールドしたモールドＩＣ（モールド
パッケージ）４を備える。詳しくは、モールドＩＣ４内
において、銅製のリードフレーム５には、ＭＲＥを含む
センサ素子３がマウントされており、センサ素子３とリ
ードフレーム５とはボンディングワイヤ６にて接続され
ている。センサ素子３及びリードフレーム５は、絶縁性
の樹脂材（本実施形態では、エポキシ系樹脂）としての
モールド材７にてモールドされている。
ップ）３を内部にモールドしたモールドＩＣ（モールド
パッケージ）４を備える。詳しくは、モールドＩＣ４内
において、銅製のリードフレーム５には、ＭＲＥを含む
センサ素子３がマウントされており、センサ素子３とリ
ードフレーム５とはボンディングワイヤ６にて接続され
ている。センサ素子３及びリードフレーム５は、絶縁性
の樹脂材（本実施形態では、エポキシ系樹脂）としての
モールド材７にてモールドされている。
【００１３】モールドＩＣ４の図示上面には、位置決め
部としての平面四角形状の凹部８が形成されており、そ
の凹部８には、磁性体ロータ１に向けてバイアス磁界を
発生させるための永久磁石（バイアス磁石）１０が接着
剤９により固定されている。モールドＩＣ４の図示上面
はバイアス磁石の固着面に相当する。本実施形態では永
久磁石１０として、希土類磁石であるネオジウム（Ｎ
ｄ）の焼結磁石を用いており、同磁石は比較的小型で且
つ優れた磁気特性を有する。凹部８は、前記磁性体ロー
タ１に対して永久磁石１０による最適な磁界が得られる
ような位置に形成されている。
部としての平面四角形状の凹部８が形成されており、そ
の凹部８には、磁性体ロータ１に向けてバイアス磁界を
発生させるための永久磁石（バイアス磁石）１０が接着
剤９により固定されている。モールドＩＣ４の図示上面
はバイアス磁石の固着面に相当する。本実施形態では永
久磁石１０として、希土類磁石であるネオジウム（Ｎ
ｄ）の焼結磁石を用いており、同磁石は比較的小型で且
つ優れた磁気特性を有する。凹部８は、前記磁性体ロー
タ１に対して永久磁石１０による最適な磁界が得られる
ような位置に形成されている。
【００１４】また、図２において、「Ｗ１」，「Ｌ
１」，「Ｗ２」，「Ｌ２」，「Ｔ２」は、磁気検出セン
サ２の主要部（モールドＩＣ４，永久磁石１０）におけ
る寸法を示し、本実施形態では、Ｗ１＝１０ｍｍ，Ｌ１
＝１４ｍｍ，Ｗ２＝４．５ｍｍ，Ｌ２＝６．２ｍｍ，Ｔ
２＝２ｍｍとなっている。
１」，「Ｗ２」，「Ｌ２」，「Ｔ２」は、磁気検出セン
サ２の主要部（モールドＩＣ４，永久磁石１０）におけ
る寸法を示し、本実施形態では、Ｗ１＝１０ｍｍ，Ｌ１
＝１４ｍｍ，Ｗ２＝４．５ｍｍ，Ｌ２＝６．２ｍｍ，Ｔ
２＝２ｍｍとなっている。
【００１５】一方、図３に示すように、センサ素子３は
ＩＣチップ内に２つのＭＲＥ１１，１２を備えており、
このＭＲＥ１１，１２は、永久磁石１０の磁界方向と同
一平面内の磁界方向（図３でＷで示す）に対しそれぞれ
プラス・マイナス４５度の角度で一対配置されている。
ＩＣチップ内に２つのＭＲＥ１１，１２を備えており、
このＭＲＥ１１，１２は、永久磁石１０の磁界方向と同
一平面内の磁界方向（図３でＷで示す）に対しそれぞれ
プラス・マイナス４５度の角度で一対配置されている。
【００１６】ここで、磁気の検出原理を説明する。磁性
体ロータ１が回転すると、ロータ１〜ＭＲＥ１１，１２
〜永久磁石１０の磁気回路内にて、磁性体ロータ１の歯
（凸部）に引かれた磁気ベクトルが振れる。すると、図
４に示すように、この磁気ベクトルの方向変化を受けて
ＭＲＥ１１，１２の抵抗値が変化する。このとき、一対
のＭＲＥ１１，１２の抵抗変化はそれぞれ逆相に働く。
この抵抗変化を同一チップ内に形成された処理回路１３
（図３参照）が波形整形し、磁性体ロータ１の回転に応
じたパルス数（＝歯数）を出力する。
体ロータ１が回転すると、ロータ１〜ＭＲＥ１１，１２
〜永久磁石１０の磁気回路内にて、磁性体ロータ１の歯
（凸部）に引かれた磁気ベクトルが振れる。すると、図
４に示すように、この磁気ベクトルの方向変化を受けて
ＭＲＥ１１，１２の抵抗値が変化する。このとき、一対
のＭＲＥ１１，１２の抵抗変化はそれぞれ逆相に働く。
この抵抗変化を同一チップ内に形成された処理回路１３
（図３参照）が波形整形し、磁性体ロータ１の回転に応
じたパルス数（＝歯数）を出力する。
【００１７】また、ＭＲＥ１１，１２が上記の如く配置
される場合、図５，６，７に示すように、ＭＲＥ１１，
１２上にて受ける磁気ベクトルをＢｘとＢｙ方向成分に
分けて考察する。なお、Ｂｘは電流方向に平行な磁気ベ
クトルであり、Ｂｙは電流方向に垂直な磁気ベクトルで
ある。かかる場合、飽和領域における抵抗値をそれぞれ
Ｒｘ，Ｒｙとすれば、図８中のＭＲＥ１１，１２の抵抗
値Ｒ１，Ｒ２は、次のようになる。なお、磁気ベクトル
（Ｂベクトル）の振れ角をδとする。
される場合、図５，６，７に示すように、ＭＲＥ１１，
１２上にて受ける磁気ベクトルをＢｘとＢｙ方向成分に
分けて考察する。なお、Ｂｘは電流方向に平行な磁気ベ
クトルであり、Ｂｙは電流方向に垂直な磁気ベクトルで
ある。かかる場合、飽和領域における抵抗値をそれぞれ
Ｒｘ，Ｒｙとすれば、図８中のＭＲＥ１１，１２の抵抗
値Ｒ１，Ｒ２は、次のようになる。なお、磁気ベクトル
（Ｂベクトル）の振れ角をδとする。
【００１８】 Ｒ１＝Ｒｘ・ｃｏｓ2 ｛（π／４）−δ｝ ＋Ｒｙ・ｓｉｎ2 ｛（π／４）−δ｝ ＝（Ｒｘ＋Ｒｙ）／２＋（Ｒｘ−Ｒｙ）／２・ｓｉｎ２δ Ｒ２＝Ｒｘ・ｃｏｓ2 ｛（π／４）＋δ｝ ＋Ｒｙ・ｓｉｎ2 ｛（π／４）＋δ｝ ＝（Ｒｘ＋Ｒｙ）／２−（Ｒｘ−Ｒｙ）／２・ｓｉｎ２δ 故に、抵抗値Ｒ１，Ｒ２の差ΔＲは、 ΔＲ＝Ｒ１−Ｒ２＝（Ｒｘ−Ｒｙ）ｓｉｎ２δ となる。
【００１９】ここで、磁気回路を考える場合、磁気ベク
トル（Ｂベクトル）の振れ角δを、−４５°＜δ＜４５
°の範囲内にて最大振れ角δmax をとるように設計をす
れば、ＭＲＥ１１，１２の感度（抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
（Ｒ＝Ｒ１＝Ｒ２）が向上する。
トル（Ｂベクトル）の振れ角δを、−４５°＜δ＜４５
°の範囲内にて最大振れ角δmax をとるように設計をす
れば、ＭＲＥ１１，１２の感度（抵抗変化率ΔＲ／Ｒ
（Ｒ＝Ｒ１＝Ｒ２）が向上する。
【００２０】このように本実施形態では、磁性体ロータ
１に向けて永久磁石１０（バイアス磁石）を設けると共
に、バイアス磁界とでなす角度が略４５度となるように
ＭＲＥ１１，１２を配置した。そして、磁性体ロータ１
の運動に対応したバイアス磁界の状態変化をＭＲＥ１
１，１２の抵抗変化により検出するようにした。かかる
場合、ＭＲＥ１１，１２の感度低下を極力抑えた上で出
力波形の波形割れが防止される。
１に向けて永久磁石１０（バイアス磁石）を設けると共
に、バイアス磁界とでなす角度が略４５度となるように
ＭＲＥ１１，１２を配置した。そして、磁性体ロータ１
の運動に対応したバイアス磁界の状態変化をＭＲＥ１
１，１２の抵抗変化により検出するようにした。かかる
場合、ＭＲＥ１１，１２の感度低下を極力抑えた上で出
力波形の波形割れが防止される。
【００２１】そして、本実施形態によれば、以下に示す
特有の効果が得られる。つまり、本実施形態の磁気検出
センサ２では、永久磁石１０をモールドＩＣ４の一面に
載置した状態に構成したため、円環状の永久磁石を用い
た従来例（図１１参照）に比較して、センサの小型化を
実現することができる。このとき、従来例では一般に永
久磁石としてフェライト磁石が用いられるが、本実施形
態ではネオジウム（Ｎｄ）磁石を用いたため、比較的小
型の磁石でも従来例と同等のバイアス磁界（２００ガウ
ス以上）を得ることができる。
特有の効果が得られる。つまり、本実施形態の磁気検出
センサ２では、永久磁石１０をモールドＩＣ４の一面に
載置した状態に構成したため、円環状の永久磁石を用い
た従来例（図１１参照）に比較して、センサの小型化を
実現することができる。このとき、従来例では一般に永
久磁石としてフェライト磁石が用いられるが、本実施形
態ではネオジウム（Ｎｄ）磁石を用いたため、比較的小
型の磁石でも従来例と同等のバイアス磁界（２００ガウ
ス以上）を得ることができる。
【００２２】また、モールドＩＣ４に凹部８を形成し、
当該凹部８に永久磁石１０を固着したため、永久磁石１
０の位置決めを容易に行うことができる（組み付け作業
が容易になる）。さらに、永久磁石１０の位置ズレを解
消することができるため、同磁石１０による安定したバ
イアス磁界を維持することができ、磁気検出センサ２と
磁性体ロータ１との間のエアギャップを縮小化して高い
検出感度を得ることも可能になる。
当該凹部８に永久磁石１０を固着したため、永久磁石１
０の位置決めを容易に行うことができる（組み付け作業
が容易になる）。さらに、永久磁石１０の位置ズレを解
消することができるため、同磁石１０による安定したバ
イアス磁界を維持することができ、磁気検出センサ２と
磁性体ロータ１との間のエアギャップを縮小化して高い
検出感度を得ることも可能になる。
【００２３】（第２の実施形態）次に、第２の実施形態
の磁気検出センサ２１について図９を用いて説明する。
なお、図９（ａ）は磁気検出センサ２１の内部構造を側
面から見た図に相当し、図９（ｂ）は上面から見た図に
相当する。
の磁気検出センサ２１について図９を用いて説明する。
なお、図９（ａ）は磁気検出センサ２１の内部構造を側
面から見た図に相当し、図９（ｂ）は上面から見た図に
相当する。
【００２４】図９において、磁気検出センサ２１は、Ｍ
ＲＥを含むセンサ素子２２を内部にモールドしたモール
ドＩＣ２３を備える。つまり、モールドＩＣ２３内にお
いて、銅製のリードフレーム２４にはセンサ素子（ＭＲ
Ｅ）２２がマウントされており、センサ素子２２とリー
ドフレーム２４とはボンディングワイヤ２５にて接続さ
れている。
ＲＥを含むセンサ素子２２を内部にモールドしたモール
ドＩＣ２３を備える。つまり、モールドＩＣ２３内にお
いて、銅製のリードフレーム２４にはセンサ素子（ＭＲ
Ｅ）２２がマウントされており、センサ素子２２とリー
ドフレーム２４とはボンディングワイヤ２５にて接続さ
れている。
【００２５】また、リードフレーム２４において、ＭＲ
Ｅマウント面の裏面（図では上面）には、磁性体ロータ
（図示しない）に向けてバイアス磁界を発生させるため
の永久磁石２６が固着されている。この永久磁石２６と
しては、上記第１の実施形態と同様に、比較的小型で且
つ磁気特性に優れたネオジウム（Ｎｄ）の焼結磁石を用
いているのが好ましく、同磁石２６の固着位置は、磁性
体ロータに対して最適な磁界が発生できるよう設定され
ている。
Ｅマウント面の裏面（図では上面）には、磁性体ロータ
（図示しない）に向けてバイアス磁界を発生させるため
の永久磁石２６が固着されている。この永久磁石２６と
しては、上記第１の実施形態と同様に、比較的小型で且
つ磁気特性に優れたネオジウム（Ｎｄ）の焼結磁石を用
いているのが好ましく、同磁石２６の固着位置は、磁性
体ロータに対して最適な磁界が発生できるよう設定され
ている。
【００２６】また、リードフレーム２４上には、前記セ
ンサ素子２２や永久磁石２６他に例えばチップコンデン
サ２７がマウントされている。そして、センサ素子２
２、永久磁石２６、チップコンデンサ２７及びリードフ
レーム２４は、絶縁性の樹脂材（本実施形態では、エポ
キシ系樹脂）としてのモールド材２８にてモールドされ
ている。
ンサ素子２２や永久磁石２６他に例えばチップコンデン
サ２７がマウントされている。そして、センサ素子２
２、永久磁石２６、チップコンデンサ２７及びリードフ
レーム２４は、絶縁性の樹脂材（本実施形態では、エポ
キシ系樹脂）としてのモールド材２８にてモールドされ
ている。
【００２７】なお、センサ素子２２には、上記第１の実
施形態と同様に、永久磁石２６が発生する磁気ベクトル
に対して４５度傾けた一対のＭＲＥを有する磁気回路が
構成されている。
施形態と同様に、永久磁石２６が発生する磁気ベクトル
に対して４５度傾けた一対のＭＲＥを有する磁気回路が
構成されている。
【００２８】そして上記構成の磁気検出センサ２１によ
れば、上記第１に実施形態と同様に、センサの小型化を
実現することができる。また、永久磁石２６の組み付け
を容易に行うことができる。さらに、永久磁石２６の位
置ズレを解消することができるため、同磁石２６による
安定したバイアス磁界を維持することができ、磁気検出
センサ２１と磁性体ロータとの間のエアギャップを縮小
化して高い検出感度を得ることも可能になる。
れば、上記第１に実施形態と同様に、センサの小型化を
実現することができる。また、永久磁石２６の組み付け
を容易に行うことができる。さらに、永久磁石２６の位
置ズレを解消することができるため、同磁石２６による
安定したバイアス磁界を維持することができ、磁気検出
センサ２１と磁性体ロータとの間のエアギャップを縮小
化して高い検出感度を得ることも可能になる。
【００２９】なお本発明は、上記各実施形態の他に以下
の如く具体化することもできる。 （１）第１の実施形態（図１）の変形例として、磁気検
出センサ２を図１０のように構成してもよい。つまり、
図１０において、モールドＩＣ４の図示上面には、位置
決め部としての断面矩形状の突部２９が左右一対で設け
られており、その突部２９の間に永久磁石１０が固着さ
れている。図示はしないが、この突部２９は永久磁石１
０の周囲を囲むように、四方に設けてもよい。また、突
部２９の形状は断面三角状にする等、図示の形状に限定
されるものではない。
の如く具体化することもできる。 （１）第１の実施形態（図１）の変形例として、磁気検
出センサ２を図１０のように構成してもよい。つまり、
図１０において、モールドＩＣ４の図示上面には、位置
決め部としての断面矩形状の突部２９が左右一対で設け
られており、その突部２９の間に永久磁石１０が固着さ
れている。図示はしないが、この突部２９は永久磁石１
０の周囲を囲むように、四方に設けてもよい。また、突
部２９の形状は断面三角状にする等、図示の形状に限定
されるものではない。
【００３０】（２）上記第１の実施形態の他の形態とし
て、永久磁石１０の底面（固着面）に突起（又は凹部）
を形成し、モールドＩＣ４の固着面（図１の上面）には
前記永久磁石１０の突起（又は凹部）に係合する形状の
位置決め部を形成するようにしてもよい。
て、永久磁石１０の底面（固着面）に突起（又は凹部）
を形成し、モールドＩＣ４の固着面（図１の上面）には
前記永久磁石１０の突起（又は凹部）に係合する形状の
位置決め部を形成するようにしてもよい。
【００３１】（３）上記各実施形態では、小型で且つ磁
気特性に優れた永久磁石としてネオジウム磁石を用いた
が、同様の性能を有する希土類−コバルト磁石等、他の
希土類磁石を用いてもよい。
気特性に優れた永久磁石としてネオジウム磁石を用いた
が、同様の性能を有する希土類−コバルト磁石等、他の
希土類磁石を用いてもよい。
【００３２】（４）組み立て時のハンドリングを容易に
するため、磁石を着磁なしの状態でモ−ルドパッケージ
やリードフレームに組み付け、その後で磁化（着磁）す
るようにしてもよい。
するため、磁石を着磁なしの状態でモ−ルドパッケージ
やリードフレームに組み付け、その後で磁化（着磁）す
るようにしてもよい。
【００３３】
【発明の効果】請求項１〜３に記載の発明によれば、小
型化を図りつつ、組み付けを容易に行うことができると
いう優れた効果を発揮する。
型化を図りつつ、組み付けを容易に行うことができると
いう優れた効果を発揮する。
【図１】第１の実施形態における磁気検出装置の構成を
示す断面図。
示す断面図。
【図２】第１の実施形態における磁気検出装置を示す斜
視図。
視図。
【図３】センサ素子の正面図。
【図４】信号処理を示すタイムチャート。
【図５】ＭＲＥの方向性を示す斜視図。
【図６】ＭＲＥの方向性を示す側面図。
【図７】ＭＲＥの抵抗値を示すグラフ。
【図８】ＭＲＥに加わる磁気ベクトルの方向を示す斜視
図。
図。
【図９】第２の実施形態における磁気検出センサを示す
図。
図。
【図１０】他の実施形態の磁気検出センサを示す構成
図。
図。
【図１１】従来の技術における磁気検出装置の構成を示
す斜視図。
す斜視図。
１…被検出対象としての磁性体ロータ、２…磁気検出セ
ンサ、４…モールドパッケージとしてのモールドＩＣ、
５…リードフレーム、８…位置決め部としての凹部、１
０…バイアス磁石としての永久磁石、１１，１２…ＭＲ
Ｅ（磁気抵抗素子）、２１…磁気検出センサ、２２…Ｍ
ＲＥ（磁気抵抗素子）を含むセンサ素子、２３…モール
ドパッケージとしてのモールドＩＣ、２４…リードフレ
ーム、２６…バイアス磁石としての永久磁石、２９…位
置決め部としての突部。
ンサ、４…モールドパッケージとしてのモールドＩＣ、
５…リードフレーム、８…位置決め部としての凹部、１
０…バイアス磁石としての永久磁石、１１，１２…ＭＲ
Ｅ（磁気抵抗素子）、２１…磁気検出センサ、２２…Ｍ
ＲＥ（磁気抵抗素子）を含むセンサ素子、２３…モール
ドパッケージとしてのモールドＩＣ、２４…リードフレ
ーム、２６…バイアス磁石としての永久磁石、２９…位
置決め部としての突部。
フロントページの続き (72)発明者 加藤 良浩 愛知県刈谷市昭和町１丁目１番地 日本電 装株式会社内
Claims (3)
- 【請求項１】被検出対象の運動を抵抗変化により検出す
る磁気抵抗素子をリードフレーム上に設け、該磁気抵抗
素子を前記リードフレームと共に絶縁性樹脂材からなる
モールドパッケージで封入した磁気検出センサにおい
て、 前記モールドパッケージの外表面の所定面をバイアス磁
石の固着面とすると共に、この面に形成した位置決め部
を用いてバイアス磁石を配置したことを特徴とする磁気
検出センサ。 - 【請求項２】被検出対象の運動を抵抗変化により検出す
る磁気抵抗素子をリードフレームに設け、該磁気抵抗素
子を前記リードフレームと共に絶縁性樹脂材からなるモ
ールドパッケージで封入した磁気検出センサにおいて、 前記リードフレームにバイアス磁石を載置し、該バイア
ス磁石をモールドパッケージ内に封入したことを特徴と
する磁気検出センサ。 - 【請求項３】前記バイアス磁石は、希土類磁石である請
求項１又は２に記載の磁気検出センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23300995A JP3603406B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 磁気検出センサおよびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23300995A JP3603406B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 磁気検出センサおよびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0979865A true JPH0979865A (ja) | 1997-03-28 |
| JP3603406B2 JP3603406B2 (ja) | 2004-12-22 |
Family
ID=16948392
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23300995A Expired - Fee Related JP3603406B2 (ja) | 1995-09-11 | 1995-09-11 | 磁気検出センサおよびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3603406B2 (ja) |
Cited By (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2852098A1 (fr) * | 2003-03-03 | 2004-09-10 | Denso Corp | Capteur magentique et procede pour fabriquer ce dernier |
| JP2004301743A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 磁気検出装置及びその製造方法 |
| JP2007101230A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| WO2008008140A3 (en) * | 2006-07-14 | 2008-05-08 | Allegro Microsystems Inc | Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits |
| EP1958256A1 (en) * | 2005-12-05 | 2008-08-20 | Honeywell International Inc. | Chip on lead frame for small package speed sensor |
| JP2008232902A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Honda Motor Co Ltd | 回転センサ及びその製造方法 |
| US7676914B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-16 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods for sensor having capacitor on chip |
| US7687882B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-30 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor |
| JP2011196965A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Denso Corp | 磁気センサ |
| US20120319682A1 (en) * | 2007-12-04 | 2012-12-20 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| CN103090891A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 英飞凌科技股份有限公司 | 磁性传感器装置和用于制造磁性传感器装置的方法 |
| JP2014052267A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Seiko Npc Corp | 磁気センサモジュールの感度調整方法 |
| JP2015038507A (ja) * | 2008-12-05 | 2015-02-26 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 磁場センサおよび磁場センサを製造する方法 |
| US9121880B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device |
| KR20160004301A (ko) * | 2013-04-26 | 2016-01-12 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 스플릿 리드 프레임 및 자석을 포함하는 집적 회로 패키지 |
| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US9666788B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| JP2017096822A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
| US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| JP2017207402A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | 株式会社ジェイテクト | センサユニット及びセンサ装置 |
| US9927498B2 (en) * | 2014-06-06 | 2018-03-27 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device comprising a ring-shaped magnet and a sensor chip in a common package |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US10333055B2 (en) | 2012-01-16 | 2019-06-25 | Allegro Microsystems, Llc | Methods for magnetic sensor having non-conductive die paddle |
| US10411498B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-09-10 | Allegro Microsystems, Llc | Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance |
| JP2019191016A (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | マグネデザイン株式会社 | 超薄型高感度磁気センサ |
| US10978897B2 (en) | 2018-04-02 | 2021-04-13 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts |
| US10991644B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-04-27 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a low profile |
-
1995
- 1995-09-11 JP JP23300995A patent/JP3603406B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (50)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1311569C (zh) * | 2003-03-03 | 2007-04-18 | 株式会社电装 | 磁传感器及其制造方法 |
| US7250760B2 (en) | 2003-03-03 | 2007-07-31 | Denso Corporation | Magnetic sensor |
| DE102004010126B4 (de) * | 2003-03-03 | 2015-03-12 | Denso Corporation | Magnetfeldsensor und Verfahren zur Herstellung desselben |
| FR2852098A1 (fr) * | 2003-03-03 | 2004-09-10 | Denso Corp | Capteur magentique et procede pour fabriquer ce dernier |
| JP2004301743A (ja) * | 2003-03-31 | 2004-10-28 | Denso Corp | 磁気検出装置及びその製造方法 |
| US7459905B2 (en) | 2005-09-30 | 2008-12-02 | Denso Corporation | Rotation detector having sensor chip and biasing magnet |
| JP2007101230A (ja) * | 2005-09-30 | 2007-04-19 | Denso Corp | 回転検出装置 |
| EP1958256A1 (en) * | 2005-12-05 | 2008-08-20 | Honeywell International Inc. | Chip on lead frame for small package speed sensor |
| US7687882B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-30 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods and apparatus for integrated circuit having multiple dies with at least one on chip capacitor |
| US7676914B2 (en) | 2006-04-14 | 2010-03-16 | Allegro Microsystems, Inc. | Methods for sensor having capacitor on chip |
| JP2009544149A (ja) * | 2006-07-14 | 2009-12-10 | アレグロ・マイクロシステムズ・インコーポレーテッド | 集積回路用の構成部品の受動的取付けのための方法および装置 |
| CN105321921A (zh) * | 2006-07-14 | 2016-02-10 | 阿莱戈微系统有限责任公司 | 为用于集成电路的部件实现无源附着的方法和设备 |
| JP2018082203A (ja) * | 2006-07-14 | 2018-05-24 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | センサ |
| JP2014060404A (ja) * | 2006-07-14 | 2014-04-03 | Allegro Microsystems Llc | センサ |
| WO2008008140A3 (en) * | 2006-07-14 | 2008-05-08 | Allegro Microsystems Inc | Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits |
| JP2016225634A (ja) * | 2006-07-14 | 2016-12-28 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | センサ |
| US9228860B2 (en) | 2006-07-14 | 2016-01-05 | Allegro Microsystems, Llc | Sensor and method of providing a sensor |
| JP2008232902A (ja) * | 2007-03-22 | 2008-10-02 | Honda Motor Co Ltd | 回転センサ及びその製造方法 |
| US10355197B2 (en) | 2007-12-04 | 2019-07-16 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic materials having different magnetic remanences |
| US20120319682A1 (en) * | 2007-12-04 | 2012-12-20 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US9559293B2 (en) * | 2007-12-04 | 2017-01-31 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US20140084403A1 (en) * | 2007-12-04 | 2014-03-27 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| US9812636B2 (en) * | 2007-12-04 | 2017-11-07 | Infineon Technologies Ag | Integrated circuit including sensor having injection molded magnetic material |
| JP2015038507A (ja) * | 2008-12-05 | 2015-02-26 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 磁場センサおよび磁場センサを製造する方法 |
| JP2011196965A (ja) * | 2010-03-24 | 2011-10-06 | Denso Corp | 磁気センサ |
| CN103090891A (zh) * | 2011-11-04 | 2013-05-08 | 英飞凌科技股份有限公司 | 磁性传感器装置和用于制造磁性传感器装置的方法 |
| US9201123B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-12-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device and a method for fabricating the same |
| US9121880B2 (en) | 2011-11-04 | 2015-09-01 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device |
| US10333055B2 (en) | 2012-01-16 | 2019-06-25 | Allegro Microsystems, Llc | Methods for magnetic sensor having non-conductive die paddle |
| US10230006B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-12 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an electromagnetic suppressor |
| US11961920B2 (en) | 2012-03-20 | 2024-04-16 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package with magnet having a channel |
| US9494660B2 (en) | 2012-03-20 | 2016-11-15 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US9812588B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-11-07 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US11828819B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-11-28 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US9666788B2 (en) | 2012-03-20 | 2017-05-30 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame |
| US10916665B2 (en) | 2012-03-20 | 2021-02-09 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil |
| US11444209B2 (en) | 2012-03-20 | 2022-09-13 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with an integrated coil enclosed with a semiconductor die by a mold material |
| US10234513B2 (en) | 2012-03-20 | 2019-03-19 | Allegro Microsystems, Llc | Magnetic field sensor integrated circuit with integral ferromagnetic material |
| US11677032B2 (en) | 2012-03-20 | 2023-06-13 | Allegro Microsystems, Llc | Sensor integrated circuit with integrated coil and element in central region of mold material |
| JP2014052267A (ja) * | 2012-09-06 | 2014-03-20 | Seiko Npc Corp | 磁気センサモジュールの感度調整方法 |
| US9411025B2 (en) | 2013-04-26 | 2016-08-09 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a split lead frame and a magnet |
| KR20160004301A (ko) * | 2013-04-26 | 2016-01-12 | 알레그로 마이크로시스템스, 엘엘씨 | 스플릿 리드 프레임 및 자석을 포함하는 집적 회로 패키지 |
| JP2016522892A (ja) * | 2013-04-26 | 2016-08-04 | アレグロ・マイクロシステムズ・エルエルシー | 分割されたリードフレーム及び磁石を有する集積回路パッケージ |
| US9927498B2 (en) * | 2014-06-06 | 2018-03-27 | Infineon Technologies Ag | Magnetic sensor device comprising a ring-shaped magnet and a sensor chip in a common package |
| US10411498B2 (en) | 2015-10-21 | 2019-09-10 | Allegro Microsystems, Llc | Apparatus and methods for extending sensor integrated circuit operation through a power disturbance |
| JP2017096822A (ja) * | 2015-11-26 | 2017-06-01 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
| JP2017207402A (ja) * | 2016-05-19 | 2017-11-24 | 株式会社ジェイテクト | センサユニット及びセンサ装置 |
| US10978897B2 (en) | 2018-04-02 | 2021-04-13 | Allegro Microsystems, Llc | Systems and methods for suppressing undesirable voltage supply artifacts |
| JP2019191016A (ja) * | 2018-04-25 | 2019-10-31 | マグネデザイン株式会社 | 超薄型高感度磁気センサ |
| US10991644B2 (en) | 2019-08-22 | 2021-04-27 | Allegro Microsystems, Llc | Integrated circuit package having a low profile |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3603406B2 (ja) | 2004-12-22 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0979865A (ja) | 磁気検出センサ | |
| US6593734B1 (en) | Contactless position sensor with optimized magnetic volume and magneto sensitive probe | |
| CN112393748B (zh) | 具有磁场屏蔽结构的系统 | |
| JP2023119403A (ja) | 発電センサ | |
| CN100549621C (zh) | 倾斜传感器 | |
| JPH06249607A (ja) | 回転角度センサ | |
| US7012422B2 (en) | Non-contact type position sensor | |
| JP3170916B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP3460424B2 (ja) | 磁気センサ | |
| JP3427489B2 (ja) | 位置検出装置 | |
| JP3061225B2 (ja) | 磁電変換型回転角センサ | |
| JP3233129B2 (ja) | 磁気検出装置 | |
| JP4385915B2 (ja) | 回転検出装置 | |
| TWI909052B (zh) | 發電感測器 | |
| JPH0736291Y2 (ja) | 電磁型移動状態検出装置 | |
| JP4281537B2 (ja) | 回転検出センサ装置 | |
| JP2544565Y2 (ja) | 電磁型移動状態検出装置 | |
| JP2011022075A (ja) | 磁気センサの部品配置構造 | |
| JPH09287911A (ja) | 回転変位検出装置 | |
| JPH08338863A (ja) | 磁気検出装置 | |
| JPH04212016A (ja) | 回転数検出器 | |
| WO2024075465A1 (ja) | 発電素子、発電システムおよびエンコーダ | |
| TW202514070A (zh) | 旋轉檢測裝置 | |
| WO2025159127A1 (ja) | センサ装置 | |
| JPS5817213Y2 (ja) | 磁気円板 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040224 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040416 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040525 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040723 |
|
| A911 | Transfer of reconsideration by examiner before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20040802 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20040907 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20040920 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101008 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111008 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121008 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131008 Year of fee payment: 9 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |