JPH09331009A - リードフレームとリードフレーム部材、およびこれらを用いた樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ＩＣの組み立て条件によらず、リードフレー
ム表面の銅酸化膜生成に起因したデラミネーションの発
生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない銅合
金製のリードフレーム、およびリードフレーム部材を提
供しようとするものである。 【解決手段】 銅合金材からなり、半導体素子が搭載さ
れるダイパッドを備え、ワイヤボンディング用のないし
ダイボンディング用の部分貴金属めっきが施された樹脂
封止型の半導体装置用リードフレームであって、少なく
とも半導体素子を搭載する側でないダイパッド裏面の表
面に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．
０５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあ
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、封止用樹脂との接合強
度を向上させた、銅合金を素材としたリードフレーム、
及びリードフレームを用いたリードフレーム部材に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】従来より、半導体装置の組立部材として
用いられる（単層）リードフレームは、通常、コバー
ル、４２合金（４２％ニッケル−鉄合金）、銅系合金の
ような導電性に優れた金属から成り、プレス法もしくは
エッチング法により形成されていた。一般的なプラスチ
ックパッケージであるＱＦＰ（Ｑｕａｄ Ｆｌａｔ Ｐ
ａｃｋａｇｅ）用のリードフレームは、図９（ｂ）
（イ）に示すように、半導体素子を搭載するためのダイ
パッド８２１と、ダイパッド８２１の周囲に設けられた
半導体素子と結線するためのインナーリード８２２と、
該インナーリード８２２に連続して外部回路との結線を
行うためのアウターリード８２３、樹脂封止する際のダ
ムとなるダムバー８２４、リードフレーム８２０全体を
支持するフレーム（枠）部８２５等を備えている。そし
て、リードフレーム８２０は、図９（ａ）に示すよう
に、ダイパッド部８２１をインナーリード８２２形成面
よりもダウンセットした状態でダイパッド８２１に半導
体素子８１０を搭載し、半導体素子８１０の端子（パッ
ド）８１１とインナーリード８２２の先端部とを金など
のワイヤ８３０で結線を行った後に、樹脂８４０にて封
止して、ダムバー８２４部の切断工程、アウターリード
８２３部のフオーミング工程を経て半導体装置８００を
作製していた。尚、図９（ｂ）（ロ）は、図９（ｂ）
（イ）のＦ１−Ｆ２における断面図である。

【０００３】このようなリードフレームは、半導体素子
８１０の端子（パッド）８１１とインナーリード８２２
の先端部とを金などのワイヤ８３０でワイヤボンディン
グ（結線）、半導体素子の搭載の際に、強い結合力と導
電性を確保するために、貴金属めっきを、少なくともイ
ンナーリード８２２先端部、ダイパッド８２１の半導体
搭載側の面に施していた。貴金属めっきとしては、銀め
っき処理が一般には採られていた。

【０００４】従来のリードフレームにおいては、図８
（ａ）に示すように、ダイパッド１１１の半導体素子搭
載側とインナーリード１１２の先端部に、リードフレー
ム素材（銅合金）１２０上に、順に銅ストライクめっき
１３０、銀めっき１５０を形成しており、その銀めっき
工程は、図８（ｂ）に示すように、外形加工されたリー
ドフレーム素材１２０に対し、脱脂、酸洗い等の前処理
（図８（ｂ）（イ））を行ってから、一般に下地めっき
として０．１〜０．３μｍ厚程度の銅（Ｃｕ）ストライ
クめっきを施し（図８（ｂ）（ロ））、所望の領域に
１．５〜１０μｍ厚の銀めっきを施こした（図８（ｂ）
（ハ））後に、本来不要である部分に薄くついた銀（モ
レなど）を除去する電解剥離処理をしてから、ベンゾト
リアゾール系等の有機系薬品により被膜を作り、酸化、
水酸化による変色を防止する変色防止処理（図８（ｂ）
（ニ））を施すものであった。銀めっき方法としては、
マスキング治具を用いリードフレームの所定領域を覆い
露出部へ銀めっきを吹きかけて部分的に銀めっきを施す
方法や、リードフレームに電着レジストを塗膜した後、
電着レジストを製版して所定の部分のみ露出した状態で
めっき液に浸漬してめっきを施す方法等が用いられてい
る。このような処理が施された銅合金を素材としたリー
ドフレームにおいては、半導体装置の作製工程や半導体
装置の実装工程においても、下地めっきが通常剥離する
ことはなく、半導体装置に使用された場合にも、銅スト
ライク部の剥離はないとされていた。

【０００５】しかしながら、最近、このような処理が施
された銅合金を素材とするリードフレームを用いた場
合、リードフレームに起因したパッケージのデラミネー
ション（剥離）が半導体装置組み立て工程や実装工程で
生じていることが分かってきた。尚、パッケージのデラ
ミネーション（剥離）とは、ＩＣパッケージ内の各界
面、即ちＩＣチップ（半導体素子）と封止用樹脂との界
面、ダイボンディング剤とＩＣチップ（半導体素子）と
の界面等での剥離を言うが、リードフレームに起因する
デラミネーション（剥離）は封止用樹脂とダイパッド裏
面との界面での剥離等である。封止用樹脂とダイパッド
裏面との界面でのデラミネーション（剥離）の発生は、
銅合金を素材とするリードフレームの表面処理や組み立
て条件と密接な関係があることも次第に分かってきた。
銀めっきの下地めっきとして銅ストライクめっきが施こ
され、銀めっき後に電解剥離と変色防止が施された、銅
合金を素材とするリードフレームにおいては、ＩＣ（半
導体装置）組み立て工程中の加熱工程で、銅合金表面に
酸化膜が生じ、酸化膜と金属（銅合金）との間の密着強
度が不十分であることが、デラミネーション（剥離）発
生の原因と考えられている。

【０００６】このような状況のもと、封止用樹脂とダイ
パッド裏面との界面、さらには、封止用樹脂とリードフ
レーム全面との界面の発着強度を向上させ、デラミ発生
を防止するための方法として、特表平７−５０３１０３
号（特願平５−５１２６８８号）等が提案されている。
特表平７−５０３１０３号（特願平５−５１２６８８
号）では、クロムと亜鉛の混合体あるいはクロム、亜鉛
それぞれの単体からなる薄い被膜で全面を覆ったリード
フレームが開示されている。しかし、このリードフレー
ムは、銀めっき部分も他の金属被膜で覆われるため、金
ワイヤボンディング性が劣るという問題がある。

【０００７】また、ＩＣ組み立て工程の条件は、組立を
実施するＩＣメーカーにより異なり、銅合金製リードフ
レームの表面酸化状態、酸化膜形成過程もメーカー毎に
異なる為、リードフレームに起因するデラミネーション
の発生状況がＩＣ組み立てメーカーによって異なってい
た。例えば、ベンゾトリアゾール系の被膜により、銅の
酸化、水酸化による変色を防止する処理方法では、ＩＣ
組み立て温度が低いメーカに対しては、デラミネーショ
ン防止効果が得られるが、ＩＣ組み立て温度が高いメー
カではデラミネーション防止効果が得られない。このた
め、従来はデラミネーションに対する対策をＩＣ組み立
て条件に合わせて各メーカ毎に行っていたのが実状で、
ＩＣの組み立て条件によらず、リードフレームに起因す
るデラミネーションに対応できる手段が求められてい
た。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】このように、銅合金製
のリードフレームにおいては、リードフレーム表面の銅
酸化膜生成に起因した半導体装置（ＩＣ）におけるデラ
ミネーションを防止し、ＩＣの信頼性低下、ＩＣ組み立
て工程、実装工程における良品率の低下を防止すること
が望まれており、特に、ＩＣの組み立て条件によらず、
リードフレームに起因するデラミネーションの発生を防
止できるものが求められていた。本発明は、このような
状況のもと、ＩＣの組み立て条件によらず、リードフレ
ーム表面の銅酸化膜生成に起因したデラミネーションの
発生を防止でき、且つ、ボンディング性を損なわない、
銅合金製のリードフレーム、およびリードフレーム部材
を提供しようとするものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明のリードフレーム
は、銅合金材からなり、半導体素子が搭載されるダイパ
ッドを備え、ワイヤボンディング用ないしダイボンディ
ング用の部分貴金属めっきが施された樹脂封止型の半導
体装置用リードフレームであって、少なくとも半導体素
子を搭載する側でないダイパッド裏面の表面に、ＪＩＳ
規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０５〜０．１
μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあることを特徴と
するものである。そして、上記における、無電解銅めっ
きが次亜リン酸塩を還元剤とするものである。本発明の
リードフレーム部材は、ワイヤボンディング用の部分貴
金属めっきが施されたリードフレームと、半導体搭載部
となる放熱板とを備えた樹脂封止型の半導体装置用リー
ドフレーム部材であって、少なくとも半導体素子が搭載
される放熱板の半導体素子を搭載する側でない面の表面
に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０
５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあるこ
とを特徴とするものである。そして、上記における、無
電解銅めっきが次亜リン酸塩を還元剤とするものであ
る。

【００１０】本発明の樹脂封止型半導体装置は、銅合金
材からなり、半導体素子が搭載されるダイパッドを備
え、ワイヤボンディング用ないしダイボンディング用の
部分貴金属めっきが施されたリードフレームで、少なく
とも半導体素子を搭載する側でないダイパッド裏面の表
面に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．
０５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを施してある
リードフレームを用いたことを特徴とするものである。
また、本発明の樹脂封止型半導体装置は、ワイヤボンデ
ィング用の部分貴金属めっきが施されたリードフレーム
と、半導体搭載部となる放熱板とを備えたリードフレー
ム部材で、少なくとも半導体素子が搭載される放熱板の
半導体素子を搭載する側でない面の表面に、ＪＩＳ規格
Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０５〜０．１μｍ
の粗さに無電解銅めっきを施してあるリードフレーム部
材を用いたことを特徴とするものである。

【００１１】

【作用】本発明のリードフレームは、上記のような構成
にすることにより、ＩＣの組み立て条件によらず、リー
ドフレームに起因する半導体装置における封止樹脂のデ
ラミネーションの発生を防止でき、且つ、ワイヤボンデ
イング性を損なわない銅合金製のリードフレームの提供
を可能としている。詳しくは、本発明のリードフレーム
は、銅合金材からなり、半導体素子が搭載されるダイパ
ッドを備え、ワイヤボンディング用ないしダイボンディ
ング用の部分貴金属めっきが施された樹脂封止型の半導
体装置用リードフレームで、封止用樹脂と接する側のワ
イヤボンディングないしダイボンディングに必要な銀め
っき等の貴金属めっきが施された領域以外の全面ないし
所定の部分の表面に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の
粗さＲａが０．０５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっ
きを施してあることにより、半導体装置組立工程中に生
成される無電解銅めっきを施した部分の酸化膜が、母体
銅合金から剥離しにくくなり、これを達成している。特
に、少なくとも半導体素子を搭載するダイパッド裏面の
表面に上記無電解銅めっきを施してあることにより半導
体装置に用いられた際には、封止樹脂のデラミネーショ
ンの発生を有効に防止できるものとしている。

【００１２】本発明のリードフレーム部材は、上記のよ
うに構成することにより、特に、リードフレームとは別
体の放熱板に起因する半導体装置における封止樹脂のデ
ラミネーションの発生を防止でき、且つ、ワイヤボンデ
イング性を損なわない銅合金製のリードフレーム部材の
提供を可能としている。詳しくは、本発明のリードフレ
ーム部材は、ワイヤボンディング用の部分貴金属めっっ
きが施されたリードフレームと、半導体搭載部となる放
熱板とを備えた樹脂封止型の半導体装置用リードフレー
ム部材であって、リードフレームの封止用樹脂と接する
側のワイヤボンディングに必要な銀めっき等の貴金属め
っきが施された領域以外の全面ないし所定の部分の表
面、ないし、放熱板の全面ないし所定部分の表面に、Ｊ
ＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０５〜
０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあることに
より、半導体装置組立工程中に生成される無電解銅めっ
きを施した部分の酸化膜が、母体から剥離しにくくな
り、これを達成している。特に、少なくとも半導体素子
が搭載される放熱板の半導体素子を搭載する側でない面
の表面に、上記無電解銅めっきを施してあることにより
半導体装置に用いられた際には、封止樹脂のデラミネー
ションの発生を有効に防止できるものとしている。そし
て、上記無電解銅めっきが、次亜リン酸塩を還元剤とす
るものであることにより、無電解めっき工程を複雑にす
ることなく、別の粗面化処理を施す必要もなく、無電解
めっき部表面のＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲ
ａを、比較的簡単に、０．０５〜０．１μｍの範囲の粗
さとすることを可能としている。また、半田のめっき性
についても、本発明のリードフレームおよびリードフレ
ーム部材は、従来と変わることはなく良好である。

【００１３】本発明の樹脂封止型半導体装置は、本発明
のリードフレームないし本発明のリードフレーム部材を
用いることにより、封止樹脂のデラミネーションの発生
を防止でき、ワイヤボンディング状態の良好な樹脂封止
型半導体装置の提供を可能とするものである。

【００１４】尚、上記本発明のリードフレームにおいて
は、無電解銅めっきは、リードフレームの素材面の全面
に通常の電解銅めっきを施した後に、ワイヤボンディン
グやダイボンディング用の銀等の貴金属めっきを施した
後に施されるのが好ましい。また、上記本発明のリード
フレーム部材においては、放熱板への無電解めっきは、
リードフレームとは別に、放熱板単独で、全面に通常の
電解銅めっきを施した後に、必要な場合は、ダイボンデ
ィング用の銀等の貴金属めっきを施した後に施されるの
が好ましい。

【００１５】

【実施例】本発明のリードフレームの実施例を挙げ、図
にそって説明する。図１は実施例のリードフレームのを
示したものであり、図１（ｂ）はその平面図であり、図
１（ａ）はＡ１−Ａ２における断面の要部拡大図であ
る。図１中、１１０はリードフレーム、１１１はダイパ
ッド、１１２はインナーリード、１１３はアウターリー
ド、１１４はダムバー、１１５はフレーム、１１６は吊
りバー、１２０はリードフレーム素材（銅合金）、１３
０は（電解）銅めっき、１４０は無電解銅めっき、１５
０は（部分）銀めっきである。本実施例のリードフレー
ム１１０は、厚さ０．１５ｍｍの銅合金材（古河電気工
業株式会社製ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ材）からエッ
チング加工により図１（ｂ）のような形状に外形加工さ
れたリードフレーム素材１２０に対し、電解銅めっき１
３０（以下、電解銅めっきは単に銅めっきと言う）をリ
ードフレーム１１０の表面全面に施してから、この上に
所定の領域のみに部分銀めっき１５０を施し、更に所定
の部分に無電解銅めっき１４０を施したものであるが、
無電解銅めっき１４０を施す際の還元剤として次亜リン
酸塩を用いたことにより、無電解銅めっき１４０の表面
部の粗さをＪＩＳ規格 Ｂ０６０１のＲａを０．０７μ
ｍとし、半導体装置を作製する際、無電解銅めっき１４
０において封止用樹脂とのデラミネーション（剥離）が
おきずらいものとしている。Ｒａとしては０．０５〜
０．１０が好ましい。本実施例のリードフレームは、表
面部となる無電解銅めっき１４０の表面粗さＲａを所定
の範囲内に設定していることにより、母材金属（銅合
金）と酸化膜との密着性を向上させ、結果として、半導
体装置を作製する場合には封止樹脂とのデラミネーショ
ンの発生を抑えることができるものとしている。本実施
例では、ダイパッド１１１の裏面側以外にも、無電解銅
めっき１４０を設けているが、ダイパッド１１１の裏面
のみに設けても、その効果は大きいものである。

【００１６】また、本実施例においては、銅めっき１３
０を厚さ０．１μｍ、無電解銅めっき１４０の厚さを
０．５μｍ、銀めっき１５０を厚さ３μｍとしたが、銅
めっき１３０の厚さとしては、０．１〜０．３μｍ、銀
めっき１５０の厚さとしては１．５〜１０μｍ、無電解
銅めっき１４０の厚さとしては０．１μｍ以上、１．０
μｍ以下が好ましい。また、リードフレーム素材１２０
として古河電気工業株式会社製の銅合金ＥＦＴＥＣ６４
Ｔ−１／２Ｈ材を用いているが、本発明はこれに限定さ
れることはなく、他の銅合金でも良い。

【００１７】次に、本実施例のリードフレームのめっき
工程を図３に基づいて簡単に説明しておく。尚、図３図
は、図１（ａ）に相当する部分である。先ず、エッチン
グにて外形加工された銅合金からなるリードフレーム１
１０Ａの全面をアルカリ水溶液で電解脱脂し、純水で洗
浄した後、酸性液で表面に形成されている酸化膜を除去
する酸活性化処理を行い、リードフレーム素材１２０で
ある銅合金の表面を活性化して、再度純水で洗浄した。
（図３（ａ）） リードフレーム１１０Ａの表面全体に銅めっき施した。
（図３（ｂ）） 銅めっきは、液温５０°Ｃで２０秒程度、シアン化銅め
っきを行い、約０．１μｍの厚さに形成した。次いで、
銅めっき１３０が施されたリードフレーム１１０Ａ表面
の所定部分に、マスキング治具を用い、めっき液をリー
ドフレームに噴射する部分めっき方法により部分銀めっ
き１５０を３．０μｍの厚さで施した。（図３（ｃ）） この後、部分銀めっき１５０を施す際に、不要な銀めっ
き１５０Ａが形成されてしまうことがあるため、不要な
銀めっき１５０Ａを除去し、銀めっき１５０を均一とす
るため、電解剥離を行った。（図３（ｄ））

【００１８】次に、このようにして部分めっき１５０が
施されたリードフレーム１１０Ａに対し、所定の部分に
無電解銅めっきを還元剤として次亜リン酸塩を用いて、
厚さ０．５μｍの厚さに施し、表面部の粗さがＲａを
０．０７とした。（図３（ｅ）） この無電解銅めっき工程は、先ず、図３（ｄ）のよう
に、銅電解剥離処理が行われたリードフレーム１１０Ａ
を、無電解銅めっきの前処理として、５０°Ｃの酸性の
水溶液（荏原ユージライト社製 ＰＢ−２４１）で洗浄
し、２５°Ｃの濃硫酸で表面を活性化し、２５°ＣのＰ
ｄ含有処理液（荏原ユージライト社製 ＰＢ−３００）
に５分間程度浸漬し、銅合金材の表面部に無電解銅めっ
きの触媒となるＰｄ（パラジウム）を付与し、その後酸
性水溶液（荏原ユージライト社製ＰＢ−２４１）にて再
度表面を活性化し、７０°Ｃの無電解銅めっき浴で１０
分間処理し、無電解銅めっき１４０を０．５μｍの厚さ
で、銀めっき部以外の表面全体に設けた後、純水で１０
分間、超音波洗浄した。尚、無電解銅めっきは前述の通
り、還元剤として次亜リン酸塩を用いており、針状の粗
い結晶形態を形成し易く、またホルマリンを還元剤とす
るものに比較して、析出速度が早いものである。上記無
電解銅めっき浴は、めっき浴１ｌ当たり、硫酸銅１０
ｇ、硫酸ニッケル１ｇ、次亜リン酸ナトリウム２０ｇを
含有するもので、ｐＨは９である。

【００１９】次に、本発明のリードフレーム部材の実施
例を挙げ、図に基づいて説明する。図２は、本実施例の
リードフレーム部材を示したもので、図２（ｂ）はその
平面図で、図２（ａ）はＡ３−Ａ４に於ける断面の要部
拡大図である。図２中、２００はリードフレーム部材、
２１０はリードフレーム、２１２はインナーリード、２
１３はアウターリード、２１４はダムバー、２１５はフ
レーム、２１６は吊りバー、２２０はリードフレーム素
材（銅合金）、２３０は銅めっき、２４０は無電解銅め
っき、２５０は（部分）銀めっき、２６０は放熱板、２
７０は接着剤層である。本実施例のリードフレーム部材
２００は、リードフレーム２１０と放熱板２６０とを別
体とするもので、リードフレーム１１０にはダイパッド
を設けておらず、図２（ｂ）に示すように、放熱板２６
０を接着剤層２７０で固定したものであるが、放熱板の
全表面に、銅めっき２３０を介して無電解銅めっき２４
０を、その表面部の粗さをＪＩＳ規格 Ｂ０６０１のＲ
ａを０．０７μｍとし設けたものである。このため、半
導体装置を作製する際、無電解銅めっき２４０部におい
て封止用樹脂とのデラミネーション（剥離）がおきずら
いものとしている。尚、Ｒａとしては０．０５〜０．１
０が好ましい。本実施例は、リードフレーム材として、
厚さ０．１５ｍｍの銅合金材（古河電気工業株式会社製
ＥＦＴＥＣ６４Ｔ−１／２Ｈ材）からエッチング加工に
より図２（ｂ）のような形状に外形加工されたリードフ
レーム素材２２０と、銅合金からなる放熱板２６０とを
絶縁性の接着フィルムからなる接着材層２７０で貼り付
けたものである。絶縁性の接着フィルムは熱硬化型両面
接着フィルム（巴川製紙所製 ＵＸ１Ｗ）からなり、１
５０°Ｃのヒートブロックにてリードフレーム２１０に
放熱板２６０を熱圧着したものである。

【００２０】次に、本実施例のリードフレーム部材２０
０の組立方法図４に基づいて簡単に説明しておく。先
ず、銅めっき１３０、部分銀めっき２５０が順次施され
たリードフレーム２１０（図４（ａ）に対し、インナー
リード２１２のワイヤボンディング面でない側の面に絶
縁性のフィルムからなる接着材層２７０を貼り付ける。
（図４（ｂ）） この後、１５０°Ｃのヒートブロックにて、無電解銅め
っき２４０をその表面全体に設けた放熱板２６０を熱圧
着する。（図４（ｃ））

【００２１】尚、銅合金材からなる放熱板２６０に対す
る無電解銅めっき２４０は、図３に示す本発明のリード
フレームのめっき方法と同じように、銅めっき２３０を
放熱板の全表面に０．１μｍの厚さで設けた後に、同様
にして無電解銅めっき２４０を０．５μｍの厚さに設
け、その表面の粗さＲａを０．０７とした。

【００２２】次に、本発明の樹封止型半導体装置の実施
例を挙げて図に基づいて説明する。図５は本発明の樹封
止型半導体装置の実施例１を示した断面図で、図６は本
発明の樹封止型半導体装置の実施例２を示した断面図で
ある。図５に示す実施例１は、図１に示す実施例１のリ
ードフレームを用いたもので、図６に示す実施例２は、
図２に示す実施例２のリードフレーム部材を用いたもの
である。図５、図６中、３００、３００Ａは半導体装
置、３１０は半導体素子、３１１は電極パッド（端
子）、３２０は銀ペースト、３３０はワイヤ、３４０は
封止用樹脂である。

【００２３】図５、図６に示す半導体装置は、いずれも
通常の工程にて作製されるものであり、念のため、簡単
に図５に示す半導体装置３００の製造方法を図７に基づ
いて説明しておく。先ず、図１に示す、リードフレーム
１１０のダイパッド１１１をダウンセット加工し（図７
（ａ））、ダイパッド１１１上に銀ペースト３２０を介
して、半導体素子３１０を接合する。（図７（ｂ）） 次いで、銀ペースト３２０を加熱キュア後、半導体素子
３１０の電極パッド（端子）３１１とリードフレーム１
１０の部分銀めっき１５０が施されたインナーリード１
１２の先端とをワイヤ３３０でワイヤボンディングして
電気的に結線する。（図７（ｃ）） 次いで、封止用樹脂３４０にて樹脂封止した後、ダムバ
ー１１４（図１（ｂ））の除去やアウターリード１１３
（図１（ｂ））のフオーミング処理、半田めっきを経
て、半導体装置３００を得る。（図７（ｄ）） 図６に示す半導体装置３００Ａの場合もほぼ同様にして
作製される。

【００２４】次に、上記図５、図６に示す半導体装置３
００、３００Ａについて、温度８５°Ｃ、湿度８５％の
恒温槽で環境試験を実施した後、加熱炉によりリフロー
試験を行ってみた。結果は、４８時間の環境試験を実施
しても、図１に示すリードフレームを用いた図５に示す
半導体装置、図２に示すリードフレーム部材を用いた図
６に示す半導体装置３００Ａにパッケージクラックはみ
られなかった。

【００２５】

【発明の効果】本発明は、上記のように、ＩＣの組み立
て条件によらず、リードフレーム表面の銅酸化膜生成に
起因するデラミネーションの発生を防止でき、且つ、ボ
ンディング性を損なわない銅合金製の樹脂封止型半導体
装置用のリードフレーム、およびリードフレーム部材の
提供を可能としており、これにより、デラミネーション
の発生を防止できる樹脂封止型半導体装置の提供も可能
としている。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例のリードフレームの概略図

【図２】実施例のリードフレーム部材の概略図

【図３】実施例のリードフレームのめっき工程図

【図４】実施例のリードフレーム部材の組立を説明する
ための図形

【図５】実施例１の半導体装置の断面図

【図６】実施例２の半導体装置の断面図

【図７】半導体装置の製造工程図

【図８】従来のリードフレームの部分銀めっきとめっき
工程を説明するための図

【図９】半導体装置とリードフレームを説明するための
図

【符号の説明】

１１０、２１０ リードフレーム １１１、２１１ ダイパッド １１２、２１２ インナーリード １１３、２１３ アウターリード １１４、２１４ ダムバー １１５、２１５ フレーム １１６、２１６ 吊りバー １２０、２２０ リードフレーム素材（銅合
金） １３０、２３０ 銅めっき １４０、２４０ 無電解銅めっき １５０、２５０ （部分）銀めっき ２００ リードフレーム部材 ２６０ 放熱板 ２７０ 接着剤層 ３００、３００Ａ 半導体装置 ３１０ 半導体素子 ３１１ 電極パッド（端子） ３２０ 銀ペースト ３３０ ワイヤ ３４０ 封止用樹脂 ８００ 半導体装置 ８１０ 半導体素子 ８１１ 端子（パッド） ８２０ リードフレーム ８２１ ダイパッド ８２２ インナーリード ８２３ アウターリード ８２４ ダムバー ８２５ フレーム（枠）部 ８３０ ワイヤ ８４０ 樹脂

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 銅合金材からなり、半導体素子が搭載さ
   れるダイパッドを備え、ワイヤボンディング用ないしダ
   イボンディング用の部分貴金属めっきが施された樹脂封
   止型の半導体装置用リードフレームであって、少なくと
   も半導体素子を搭載する側でないダイパッド裏面の表面
   に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０
   ５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあるこ
   とを特徴とするリードフレーム。
2. 【請求項２】 請求項１における、無電解銅めっきが次
   亜リン酸塩を還元剤とするものであることを特徴とする
   リードフレーム。
3. 【請求項３】 ワイヤボンディング用の部分貴金属めっ
   きが施されたリードフレームと、半導体搭載部となる放
   熱板とを備えた樹脂封止型の半導体装置用リードフレー
   ム部材であって、少なくとも半導体素子が搭載される放
   熱板の半導体素子を搭載する側でない面の表面に、ＪＩ
   Ｓ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さＲａが０．０５〜０．
   １μｍの粗さに無電解銅めっきを施してあることを特徴
   とするリードフレーム部材。
4. 【請求項４】 請求項３における、無電解銅めっきが次
   亜リン酸塩を還元剤とするものであることを特徴とする
   リードフレーム部材。
5. 【請求項５】 銅合金材からなり、半導体素子が搭載さ
   れるダイパッドを備え、ワイヤボンディング用ないしダ
   イボンディング用の部分貴金属めっきが施されたリード
   フレームで、少なくとも半導体素子を搭載する側でない
   ダイパッド裏面の表面に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表
   面の粗さＲａが０．０５〜０．１μｍの粗さに無電解銅
   めっきを施してあるリードフレームを用いたことを特徴
   とする樹脂封止型半導体装置。
6. 【請求項６】 ワイヤボンディング用の部分貴金属めっ
   きが施されたリードフレームと、半導体搭載部となる放
   熱板とを備えたリードフレーム部材で、少なくとも半導
   体素子が搭載される放熱板の半導体素子を搭載する側で
   ない面の表面に、ＪＩＳ規格 Ｂ０６０１の表面の粗さ
   Ｒａが０．０５〜０．１μｍの粗さに無電解銅めっきを
   施してあるリードフレーム部材を用いたことを特徴とす
   る樹脂封止型半導体装置。