JPH09232057A - Ｉｃソケット - Google Patents
ＩｃソケットInfo
- Publication number
- JPH09232057A JPH09232057A JP8239653A JP23965396A JPH09232057A JP H09232057 A JPH09232057 A JP H09232057A JP 8239653 A JP8239653 A JP 8239653A JP 23965396 A JP23965396 A JP 23965396A JP H09232057 A JPH09232057 A JP H09232057A
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Links
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- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
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- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims abstract 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 abstract description 21
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- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
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- DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N beryllium copper Chemical compound [Be].[Cu] DMFGNRRURHSENX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
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Landscapes
- Connecting Device With Holders (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＩＣパッケージを装着して検査用回路基盤と
前記ＩＣパッケージとの電気的接続を行うＩＣソケット
において、前記ＩＣパッケージのリードに施されている
半田メッキと、前記ＩＣソケットのコンタクトピンの表
面に施されている金メッキが化学的反応を起こして、電
気抵抗の高い物質が前記コンタクトピンに付着すること
を防ぐ。 【構成】 前記コンタクトピンの接触部の表面を半田濡
れ性が悪く電気抵抗の低い物質でメッキし、更に前記コ
ンタクトピンの実装接続部の表面は金メッキをする。
前記ＩＣパッケージとの電気的接続を行うＩＣソケット
において、前記ＩＣパッケージのリードに施されている
半田メッキと、前記ＩＣソケットのコンタクトピンの表
面に施されている金メッキが化学的反応を起こして、電
気抵抗の高い物質が前記コンタクトピンに付着すること
を防ぐ。 【構成】 前記コンタクトピンの接触部の表面を半田濡
れ性が悪く電気抵抗の低い物質でメッキし、更に前記コ
ンタクトピンの実装接続部の表面は金メッキをする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＩＣパッケージを装着
して、前記ＩＣパッケージのリードとＩＣパッケージの
検査用回路との電気的接続をさせるためのＩＣソケット
に用いられるコンタクトピンに関する。
して、前記ＩＣパッケージのリードとＩＣパッケージの
検査用回路との電気的接続をさせるためのＩＣソケット
に用いられるコンタクトピンに関する。
【０００２】
【従来の技術】図４は、従来のフラット型ＩＣパッケー
ジ用のＩＣソケットにＩＣパッケージを装着した状態の
一例を示す断面図である。ソケット本体２に多数植設さ
れたコンタクトピンの実装接続部１ｂは、図示しないＩ
Ｃパッケージの検査用回路基盤に半田付けされており、
コンタクトピンの接触部１ａ上に、ＩＣパッケージのリ
ード３ａを載置することによって、ＩＣパッケージ３と
前記回路基盤との電気的接続がなされる。
ジ用のＩＣソケットにＩＣパッケージを装着した状態の
一例を示す断面図である。ソケット本体２に多数植設さ
れたコンタクトピンの実装接続部１ｂは、図示しないＩ
Ｃパッケージの検査用回路基盤に半田付けされており、
コンタクトピンの接触部１ａ上に、ＩＣパッケージのリ
ード３ａを載置することによって、ＩＣパッケージ３と
前記回路基盤との電気的接続がなされる。
【０００３】通常、ＩＣパッケージのリード３ａの表面
は半田メッキが施されている。また、コンタクトピン１
は通常、ベリリウム銅で作られており、その上にニッケ
ルメッキを施し、更にその上に金メッキが施されてい
る。
は半田メッキが施されている。また、コンタクトピン１
は通常、ベリリウム銅で作られており、その上にニッケ
ルメッキを施し、更にその上に金メッキが施されてい
る。
【０００４】金メッキは、防食性に優れ、電気抵抗も低
く、半田付けもしやすい。しかし、金は高温下では、半
田と化学反応をしやすく、半田と結合して電気抵抗の高
い物質に変化してしまう。そのため、ＩＣソケットを１
２０℃〜１５０℃の高温下において使用する、所謂、バ
ーイン試験等に長い間使用していると、リードの表面の
半田メッキとコンタクトピンの表面の金メッキが化学反
応を起こし、コンタクトピンの接触部に電気抵抗の高い
物質が付着して、ＩＣパッケージの正しい検査ができな
くなってしまう。
く、半田付けもしやすい。しかし、金は高温下では、半
田と化学反応をしやすく、半田と結合して電気抵抗の高
い物質に変化してしまう。そのため、ＩＣソケットを１
２０℃〜１５０℃の高温下において使用する、所謂、バ
ーイン試験等に長い間使用していると、リードの表面の
半田メッキとコンタクトピンの表面の金メッキが化学反
応を起こし、コンタクトピンの接触部に電気抵抗の高い
物質が付着して、ＩＣパッケージの正しい検査ができな
くなってしまう。
【０００５】そこで、コンタクトピンの接触部１ａに前
記の電気抵抗の高い物質がある程度付着してＩＣパッケ
ージの検査に支障が出たら、ブラシやサンドペーパーで
コンタクトピンの接触部１ａを擦って、前記の電気抵抗
の高い物質を除去していた。
記の電気抵抗の高い物質がある程度付着してＩＣパッケ
ージの検査に支障が出たら、ブラシやサンドペーパーで
コンタクトピンの接触部１ａを擦って、前記の電気抵抗
の高い物質を除去していた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】現在、ＩＣパッケージ
のリードは高密度に多数設けられているので、これに対
応して、ＩＣソケットのコンタクトピンも高密度に多数
ソケット本体に植設されている。そのため、コンタクト
ピンの接触部に付着した前記の電気抵抗の高い物質をい
ちいちブラシやサンドペーパーで擦って除去するのは、
大変な時間と労力を必要としていた。また、極端に薄い
コンタクトピンの場合、ブラシやサンドペーパーでコン
タクトピンを擦ると、コンタクトピンを変形させてしま
うこともあった。
のリードは高密度に多数設けられているので、これに対
応して、ＩＣソケットのコンタクトピンも高密度に多数
ソケット本体に植設されている。そのため、コンタクト
ピンの接触部に付着した前記の電気抵抗の高い物質をい
ちいちブラシやサンドペーパーで擦って除去するのは、
大変な時間と労力を必要としていた。また、極端に薄い
コンタクトピンの場合、ブラシやサンドペーパーでコン
タクトピンを擦ると、コンタクトピンを変形させてしま
うこともあった。
【０００７】更に、多量に電気抵抗の高い物質がコンタ
クトピンの接触部に付着してしまうと、ブラシやサンド
ペーパーで擦っても取れなくなり、ＩＣソケット自体を
破棄せざるを得なくなっていた。また、何度もコンタク
トピンの接触部をブラシやサンドペーパーで擦っている
と、コンタクトピンの接触部に施されていた金メッキと
ニッケルメッキも一緒に取れてしまい、コンタクトピン
として使用ができなくなり、やはり、ＩＣソケット自体
を破棄しなければならなかった。
クトピンの接触部に付着してしまうと、ブラシやサンド
ペーパーで擦っても取れなくなり、ＩＣソケット自体を
破棄せざるを得なくなっていた。また、何度もコンタク
トピンの接触部をブラシやサンドペーパーで擦っている
と、コンタクトピンの接触部に施されていた金メッキと
ニッケルメッキも一緒に取れてしまい、コンタクトピン
として使用ができなくなり、やはり、ＩＣソケット自体
を破棄しなければならなかった。
【０００８】本発明は、ＩＣパッケージのリードの表面
の半田メッキと、コンタクトピンの表面の金メッキが化
学反応を起こさないようにして、電気抵抗の高い物質が
コンタクトピンの接触部に付着しないようにすることを
目的とする。
の半田メッキと、コンタクトピンの表面の金メッキが化
学反応を起こさないようにして、電気抵抗の高い物質が
コンタクトピンの接触部に付着しないようにすることを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ＩＣソケット
のコンタクトピンの接触部を、電気抵抗が低く、しか
も、所謂、半田濡れ性の悪い物質でメッキし、コンタク
トピンの実装接続部は金メッキを施すことによって、上
記の課題を解決する。
のコンタクトピンの接触部を、電気抵抗が低く、しか
も、所謂、半田濡れ性の悪い物質でメッキし、コンタク
トピンの実装接続部は金メッキを施すことによって、上
記の課題を解決する。
【００１０】
【作用】半田濡れ性が悪いとは、化学的に半田との親和
性に乏しい為、半田との化学反応を開始しずらく、半田
との化合物を作りにくい性質のことである。上記のよう
な性質を有する物質をコンタクトピンの接触部にメッキ
することにより、コンタクトピンの接触部にＩＣパッケ
ージのリードを載置しても、リードの表面の半田メッキ
と、コンタクトピンの表面の金メッキは接触しないの
で、電気抵抗の高い物質ができることはない。
性に乏しい為、半田との化学反応を開始しずらく、半田
との化合物を作りにくい性質のことである。上記のよう
な性質を有する物質をコンタクトピンの接触部にメッキ
することにより、コンタクトピンの接触部にＩＣパッケ
ージのリードを載置しても、リードの表面の半田メッキ
と、コンタクトピンの表面の金メッキは接触しないの
で、電気抵抗の高い物質ができることはない。
【００１１】また、コンタクトピンの実装接続部は金メ
ッキを施されているので、コンタクトピンの実装接続部
をＩＣパッケージの検査用回路基盤に容易に半田付けで
き、しかも前記回路基盤との接触抵抗も低くできる。
ッキを施されているので、コンタクトピンの実装接続部
をＩＣパッケージの検査用回路基盤に容易に半田付けで
き、しかも前記回路基盤との接触抵抗も低くできる。
【００１２】
【実施例】図１は、フラット型ＩＣパッケージ用ＩＣソ
ケットに用いられるコンタクトピンの一例を示す正面図
である。図中、１はコンタクトピンで、斜線部１ａはＩ
Ｃパッケージのリードと接触する接触部、斜線部１ｂは
ＩＣパッケージの検査用回路基盤に半田付けされること
によって接続される実装接続部である。
ケットに用いられるコンタクトピンの一例を示す正面図
である。図中、１はコンタクトピンで、斜線部１ａはＩ
Ｃパッケージのリードと接触する接触部、斜線部１ｂは
ＩＣパッケージの検査用回路基盤に半田付けされること
によって接続される実装接続部である。
【００１３】ます、ベリリウム銅をプレス加工すること
によって、図１に示すコンタクトピン１の形状に加工す
る。次に、コンタクトピン１全体をニッケルメッキし、
さらにその上に金メッキを全体に施す。最後に、金メッ
キを施されたコンタクトピンの接触部１ａの上のみ、ま
たは、コンタクトピンの実装接続部１ｂを除く部分全体
に、半田濡れ性が悪く、しかも電気抵抗の低い物質、例
えば、Ａｇ−Ｃ，Ａｕ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ｂ，Ｐｄ−Ｐ等の
物質をメッキする。
によって、図１に示すコンタクトピン１の形状に加工す
る。次に、コンタクトピン１全体をニッケルメッキし、
さらにその上に金メッキを全体に施す。最後に、金メッ
キを施されたコンタクトピンの接触部１ａの上のみ、ま
たは、コンタクトピンの実装接続部１ｂを除く部分全体
に、半田濡れ性が悪く、しかも電気抵抗の低い物質、例
えば、Ａｇ−Ｃ，Ａｕ−Ｎｉ，Ｎｉ−Ｂ，Ｐｄ−Ｐ等の
物質をメッキする。
【００１４】あるいは、図１に示すコンタクトピン１の
形状に加工し、コンタクトピン１全体にニッケルメッキ
を施した後に、上記に記載した半田濡れ性が悪い物質
を、先にコンタクトピン１全体にメッキし、最後に、コ
ンタクトピンの実装接続部１ｂのみ、または、コンタク
トピンの接触部１ａを除く部分全体に金メッキを施して
もよい。
形状に加工し、コンタクトピン１全体にニッケルメッキ
を施した後に、上記に記載した半田濡れ性が悪い物質
を、先にコンタクトピン１全体にメッキし、最後に、コ
ンタクトピンの実装接続部１ｂのみ、または、コンタク
トピンの接触部１ａを除く部分全体に金メッキを施して
もよい。
【００１５】コンタクトピンの形状は、上記実施例に限
定するものではなく、図２や図３に示すものなど、色々
な種類の形状のコンタクトピンに本発明は適用できる。
また、コンタクトピンの接触部１ａにメッキする物質
も、上記に記載したもの以外の物質でも、半田濡れ性が
悪く、電気抵抗が低い物質ならば何でもよい。
定するものではなく、図２や図３に示すものなど、色々
な種類の形状のコンタクトピンに本発明は適用できる。
また、コンタクトピンの接触部１ａにメッキする物質
も、上記に記載したもの以外の物質でも、半田濡れ性が
悪く、電気抵抗が低い物質ならば何でもよい。
【００１６】
【発明の効果】コンタクトピンの接触部を、半田濡れ性
が悪く、電気抵抗が低い物質によってメッキしたことに
よって、ＩＣパッケージのリードに施されている半田メ
ッキと、コンタクトピンの接触部に施されたメッキが化
学反応することがなくなり、コンタクトピンの接触部に
合金等が付着することが防げるので、コンタクトピンの
寿命が延び、ＩＣソケットの高寿命化が可能になり、し
かも、ＩＣパッケージのリードとコンタクトピンの接触
部との間の電気抵抗も低く押さえられる。
が悪く、電気抵抗が低い物質によってメッキしたことに
よって、ＩＣパッケージのリードに施されている半田メ
ッキと、コンタクトピンの接触部に施されたメッキが化
学反応することがなくなり、コンタクトピンの接触部に
合金等が付着することが防げるので、コンタクトピンの
寿命が延び、ＩＣソケットの高寿命化が可能になり、し
かも、ＩＣパッケージのリードとコンタクトピンの接触
部との間の電気抵抗も低く押さえられる。
【００１７】また、コンタクトピンの実装接続部は、従
来と同じく金メッキを施してあるので、コンタクトピン
の実装接続部の検査用回路基盤との半田付けのしやす
さ、及び、コンタクトピンの実装接続部と検査用回路と
の接続部分での電気抵抗は、従来のままである。
来と同じく金メッキを施してあるので、コンタクトピン
の実装接続部の検査用回路基盤との半田付けのしやす
さ、及び、コンタクトピンの実装接続部と検査用回路と
の接続部分での電気抵抗は、従来のままである。
【図１】本発明に用いるコンタクトピンの一例を示す正
面図である。
面図である。
【図２】本発明に用いるコンタクトピンの他の例を示す
正面図である。
正面図である。
【図３】本発明に用いるコンタクトピンの第三の例を示
す正面図である。
す正面図である。
【図４】図１に示すコンタクトピンを植設したＩＣソケ
ットに、ＩＣパッケージを装着した状態を示す断面図で
ある。
ットに、ＩＣパッケージを装着した状態を示す断面図で
ある。
１ コンタクトピン １ａ コンタクトピンの接触部 １ｂ コンタクトピンの実装接続部
Claims (1)
- 【請求項１】 リードに半田メッキを施したＩＣパッケ
ージを装着して、前記リードと回路基盤との電気的接続
を行わせるための、本体に多数のコンタクトピンを植設
したＩＣソケットにおいて、少なくとも前記コンタクト
ピンのリードとの接触部の表面は、半田濡れ性が悪く、
かつ電気抵抗の低い物質でメッキが施されており、更
に、少なくとも前記コンタクトピンの実装時の半田付け
接続部の表面は、金メッキが施されていることを特徴と
するＩＣソケット。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239653A JPH09232057A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Ｉｃソケット |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8239653A JPH09232057A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Ｉｃソケット |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232057A true JPH09232057A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=17047911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8239653A Pending JPH09232057A (ja) | 1996-08-07 | 1996-08-07 | Ｉｃソケット |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232057A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002001232A1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact conducteur |
| US7329129B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-02-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Test apparatus and method |
| US7514946B2 (en) | 2005-03-18 | 2009-04-07 | Alps Electric Co., Ltd. | Semiconductor carrier tray, and burn-in board, burn-in test method, and semiconductor manufacturing method using the semiconductor carrier tray |
| JP2012230117A (ja) * | 2005-09-22 | 2012-11-22 | Enplas Corp | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| WO2014003003A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | 山一電機株式会社 | 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169878A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | ケル株式会社 | Ｉｃソケツト用コンタクト |
| JPH038279A (ja) * | 1989-06-02 | 1991-01-16 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電気・電子部品対向接触用接触子 |
| JPH03112077A (ja) * | 1989-09-27 | 1991-05-13 | Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk | 電気・電子部品対向接触用接触子 |
-
1996
- 1996-08-07 JP JP8239653A patent/JPH09232057A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58169878A (ja) * | 1982-03-31 | 1983-10-06 | ケル株式会社 | Ｉｃソケツト用コンタクト |
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Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002001232A1 (fr) * | 2000-06-28 | 2002-01-03 | Nhk Spring Co., Ltd. | Contact conducteur |
| JP4669651B2 (ja) * | 2000-06-28 | 2011-04-13 | 日本発條株式会社 | 導電性接触子 |
| US7329129B2 (en) | 2005-03-18 | 2008-02-12 | Alps Electric Co., Ltd. | Test apparatus and method |
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| JP5334416B2 (ja) * | 2005-09-22 | 2013-11-06 | 株式会社エンプラス | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
| USRE45924E1 (en) | 2005-09-22 | 2016-03-15 | Enplas Corporation | Electric contact and socket for electrical part |
| WO2014003003A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2014-01-03 | 山一電機株式会社 | 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット |
| JPWO2014003003A1 (ja) * | 2012-06-25 | 2016-06-02 | 山一電機株式会社 | 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット |
| JP2016166899A (ja) * | 2012-06-25 | 2016-09-15 | 山一電機株式会社 | 電気テスト用コンタクトおよびそれを用いた電気テスト用ソケット |
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