JPH08264817A - 薄膜太陽電池の製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体膜の表面を汚染せず、あるいはガラス
基板の表面を荒らすことなく、高い発電効率が得られる
薄膜太陽電池の製造方法を提供する。 【構成】 成膜された発電層となる半導体膜１をガラス
基板９に被着する工程（ｅ）と、半導体膜１に形成され
た貫通穴４を覆うように半導体膜１の表面に被膜２０を
形成する工程（ｆ）と、貫通穴部分以外の被膜２０を除
去して半導体膜１の表面を電極形成のための表面処理を
行う工程とを有する。 【効果】 工程中に用いる処理液で接着剤やガラスが変
質，溶解しないよう、予め処理液に耐性のある被膜によ
り表面を保護しているので、半導体膜の表面を汚染せ
ず、あるいはガラス基板の表面を荒らすことなく、高効
率の太陽電池を作製できる薄膜太陽電池の製造方法が得
られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、薄膜太陽電池の製造
方法に関し、特に製造過程における半導体膜の電極形成
面およびガラス基板表面の汚染を抑制する方法に関する
ものである。

【０００２】

【従来の技術】図９，図１０は、従来の薄膜太陽電池の
製造方法を製造工程に従って説明するための模式図であ
る。１はｐ型の例えばシリコンからなる半導体膜、２は
例えばシリコン酸化膜からなる剥離層、３は表面が剥離
層２で覆われた例えばシリコンからなる基板であり、剥
離層２の表面に半導体膜１が形成される。

【０００３】４は半導体膜１に設けられた貫通穴であっ
て半導体膜１の表面より剥離層２にエッチング液を浸漬
させるために設けられている。５は半導体膜１を覆う例
えばPOCl3を用いたリン拡散により形成したｎ型の不純
物拡散層、６は不純物拡散層５を覆う例えばシリコン窒
化膜よりなる反射防止膜である。

【０００４】図１０において、７は例えば蒸着やスパッ
タにより不純物拡散層５上に形成した銀やアルミからな
る第１の電極、８は第１の電極と同様に銀やアルミから
なる第２の電極であって半導体１上に形成されている。
９はガラス基板、１０は例えば透明のシリコン樹脂から
なる接着剤であってガラス基板９の裏面と半導体膜１の
反射防止膜６の成膜した面とを接着する。

【０００５】次に、従来の薄膜太陽電池の製造方法を図
９の（ａ）〜（ｄ），図１０の（ｅ）〜（ｇ）に沿って
説明する。先ず、図９（ａ）に示すように、半導体膜１
を剥離層２で表面が覆われた基板３の上に形成する。次
に、図９（ｂ）に示すように、半導体膜１の表面側より
半導体膜１を貫く貫通穴４を形成し、図９（ｃ）に示す
ように基板３を剥離層２のみを除去しえるエッチング液
に浸漬し半導体膜１を基板３から分離する。ここで、エ
ッチング液は例えば弗化水素酸とする。

【０００６】次に、図９（ｄ）に示すように、半導体膜
１の表層に不純物拡散層５，反射防止膜６を順次成膜し
た後に、図１０（ｅ）に示すように、半導体膜１をガラ
ス基板９に接着剤１０により貼り付ける。そして、図１
０（ｆ）に示すように、反射防止膜６を写真製版及びＣ
Ｆ4を用いたドライエッチング等によりパターニングし
た後に反射防止膜６をマスクにして不純物拡散層５を半
導体膜１よりエッチング除去する。ここで、用いるエッ
チング液は例えば水酸化カリウム水溶液とする。

【０００７】不純物拡散層５をエッチング除去した後
に、図１０（ｇ）に示すように、貫通穴４の周囲の反射
防止膜６をドライエッチング等により除去して不純物拡
散層５に第１の電極７を、半導体膜１に第２の電極８を
形成する。ここで電極７及び８は、例えば金属被膜を蒸
着やスパッタにより不純物拡散層５や半導体膜１全面に
形成した後、金属被膜を写真製版などで所望の形状にパ
ターニングすることにより得ることができる。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜太陽電池の
製造方法は、以上のように成されているので、工程中に
貫通穴から露出する接着剤が例えば弗化水素酸及び水酸
化カリウム水溶液等のエッチング液に直接さらされるた
め、接着剤が変質，溶解し半導体膜表面が汚染されるこ
とがあり、結果的に不純物拡散層のパターニング不良や
電極のコンタクト不良が発生してて品質が低下するとい
った問題点があった。

【０００９】また、反射防止膜を半導体膜の周囲に成膜
するため電極形成時には不純物拡散層の除去に加えて反
射防止膜の除去が必要となり製造過程が複雑化するとい
う問題点があった。

【００１０】更に、製造過程においてガラス基板の表面
がエッチング液により白濁等の表面荒れを起こしたりガ
ラス基板が変形すことがあるため、入射光の乱反射の発
生により入射光量が減少して太陽電池の発電効率が低下
するという問題点があった。

【００１１】この発明は、以上のような問題点を解決す
るためになされたもので、製造過程において電極形成面
及びガラス基板の光入射面を汚染およびガラス基板が変
形することのない薄膜太陽電池の製造方法を提供するこ
とを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明にかかる
薄膜太陽電池の製造方法は、基板上の剥離層上に半導体
膜を形成する工程と、この半導体膜に設けられた貫通穴
を通し、前記剥離層を除去することで前記半導体膜を前
記基板より分離する工程と、この分離した半導体の表層
に不純物拡散層、反射防止膜を順に成膜する工程と、成
膜された半導体膜をガラス基板に被着する工程と、前記
貫通穴を覆うように半導体膜の表面に被膜を形成する工
程と、前記貫通穴部分以外の被膜を除去して前記半導体
膜の表面を電極形成のための表面処理を行う工程とを有
するものである。

【００１３】請求項２の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項１の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて貫通穴を覆う被膜にスパッタ，蒸着法等で形成し
た金属薄膜を用いたものである。

【００１４】請求項３の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項２の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて貫通穴を覆う金属薄膜に少なくとも銀，チタン，
アルミの何れかもしくは各々を組合せて用いたものであ
る。

【００１５】請求項４の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項２の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて貫通穴を覆う被膜に金属を主成分とした印刷ペー
ストを用いたものである。

【００１６】請求項５の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項４の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて貫通穴を覆う印刷ペーストに、少なくとも銀，ア
ルミの何れかもしくは各々を組合せて用いたものであ
る。

【００１７】請求項６の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項１の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて貫通穴を覆う被膜にコールタール系の印刷レジス
トを用いたものである。

【００１８】請求項７の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、請求項１の発明の薄膜太陽電池の製造方法に
おいて半導体膜のガラス基板への被着面に反射防止膜を
成膜するものである。

【００１９】請求項８の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、基板上の剥離層上に半導体膜を形成する工程
と、この半導体膜に設けられた貫通穴を通し、前記剥離
層を除去することで前記半導体膜を前記基板より分離す
る工程と、この分離した半導体膜の表層に不純物拡散層
を成膜する工程と、成膜された半導体膜を被膜を形成し
たガラス基板に被着する工程と、前記半導体膜の表面を
電極形成のための表面処理を行う工程と、前記反射防止
膜の表面に形成した被膜を除去する工程とを有するもの
である。

【００２０】請求項９の発明にかかる薄膜太陽電池の製
造方法は、基板上の剥離層上に半導体膜を形成する工程
と、この半導体膜に設けられた貫通穴を通し、前記剥離
層を除去することで前記半導体膜を前記基板より分離す
る工程と、この分離した半導体膜の表層に不純物拡散層
を成膜する工程と、成膜された半導体膜を光入射面が被
膜で覆われたガラス基板に被着する工程と、前記貫通穴
を覆うように半導体膜の表面に被膜を形成する工程と、
前記貫通穴部分以外の被膜を除去して前記半導体膜の表
面を電極形成のための表面処理を行う工程と、前記ガラ
ス基板の光入射面に覆われた被膜を除去する工程とを有
するものである。

【００２１】請求項１０の発明にかかる薄膜太陽電池の
製造方法は、請求項８または９の発明の薄膜太陽電池の
製造方法においてガラス基板を覆う被膜にスパッタ，蒸
着法等で形成した金属薄膜を用いるものである。

【００２２】請求項１１の発明にかかる薄膜太陽電池の
製造方法は、請求項１０の発明の薄膜太陽電池の製造方
法においてガラス基板を覆う１種類以上の金属薄膜に少
なくとも銀を用いるものである。

【００２３】請求項１２の発明にかかる薄膜太陽電池の
製造方法は、請求項８または９の発明の薄膜太陽電池の
製造方法においてガラス基板の表面に予め反射防止膜を
形成し、その上から被膜で覆うものである。

【００２４】請求項１３の発明にかかる薄膜太陽電池の
製造方法は、請求項１２の発明の薄膜太陽電池の製造方
法において反射防止膜の上から覆う被膜にスパッタ，蒸
着法等で形成した金属薄膜を用いるものである。

【００２５】請求項１４の発明にかかる薄膜太陽電池の
製造方法は、請求項１３の発明の薄膜太陽電池の製造方
法において反射防止膜の上から覆う１種類以上の金属薄
膜に少なくとも銀を用いるものである。

【００２６】

【作用】請求項１の発明における薄膜太陽電池の製造方
法は、貫通穴を被膜で覆った後に半導体膜の表面を電極
形成のために表面処理行うため、貫通穴を通して接着剤
が表面処理用の液剤に触れて変質したり溶け出すことが
ない。

【００２７】請求項２の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、貫通穴を覆う被膜を金属被膜とすることで被
膜を電極形成用の配線パターンに適用できる。

【００２８】請求項３の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、貫通穴を覆う金属被膜の材質を銀、チタン、
アルミのいずれか１つ、或いはこれら金属の組み合わせ
とすることで、金属被膜が表面処理用の液剤で腐食した
り電極形成用の他金属との接触性が損なわれない配線パ
ターンを半導体膜表面に形成できる。

【００２９】請求項４の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、貫通穴を覆う金属被膜に導電性の印刷ペース
トを用いることで被膜形成工程が簡略化される。

【００３０】請求項５の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、配線ペーストに、少なくとも銀、アルミの何
れかもしくは各々を組み合わせて用いることで、被膜形
成工程が簡略化されると共に、表面処理用の液剤で腐食
したり電極形成用の他金属との接触性が損なわれない配
線パターンを半導体膜表面に形成できる。

【００３１】請求項６の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、貫通穴を覆う被膜にコールタール系の印刷レ
ジストを用いることで被膜形成工程が簡略化と共に、貫
通穴をより密閉できるため接着剤の変質或いは溶解を抑
制できる。

【００３２】請求項７の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、半導体膜のガラス基板への被着面に反射防止
膜を形成することで、半導体膜の電極形成面における被
膜除去工程が減縮されと共に、半導体膜への成膜工程が
削減できる。

【００３３】請求項８の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、露出するガラス基板を予め被膜で覆うこと
で、ガラス基板を表面処理用の液剤に直接ふれさせない
ため入射光を減少させるガラス基板表面の変形を抑制す
る。

【００３４】請求項９の発明における薄膜太陽電池の製
造方法は、貫通穴を被膜で覆った後に半導体膜の表面を
電極形成のために表面処理行なうことで、貫通穴を通し
て接着剤が表面処理用の液剤に溶け出すことを抑制で
き、また露出するガラス基板を予め被膜で覆うことで、
ガラス基板を表面処理用の液剤に直接ふれさせないため
入射光を減少させるガラス基板表面の変形を抑制する。

【００３５】請求項１０の発明における薄膜太陽電池の
製造方法は、ガラス基板の光入射面を半導体膜の表面処
理用の液剤で剥離しない金属被膜で覆ったため、薄膜太
陽電池の製造工程でガラス基板の光入射面を半導体膜の
表面処理用の液剤で白濁等の表面荒れを起こすことが抑
制される。

【００３６】請求項１１の発明における薄膜太陽電池の
製造方法は、ガラス基板の光入射面に蒸着する金属被膜
に少なくともを銀を使用することで表面処理中にはガラ
ス基板の光入射面を汚染より保護し、表面処理終了後に
は硝酸を用いることで容易に金属被膜を除去することが
できる。

【００３７】請求項１２の発明における薄膜太陽電池の
製造方法は、ガラス基板の表面に予め反射防止膜を形成
した後に、その上を被膜で覆うことで半導体膜への成膜
工程がなくなり、熱ストレスによる悪影響を回避でき
る。

【００３８】請求項１３の発明における薄膜太陽電池の
製造方法は、ガラス基板の光入射面に形成した反射防止
膜を金属被膜で覆ったため、薄膜太陽電池の製造工程で
反射防止膜を半導体膜の表面処理用の液剤で白濁等の表
面荒れを起こし、入射光を乱反射させることが抑制され
る。

【００３９】請求項１４の発明における薄膜太陽電池の
製造方法は、反射防止膜に蒸着する金属被膜に少なくと
もを銀を使用することで表面処理中には反射防止膜を汚
染より保護し、表面処理終了後には硝酸を用いることで
容易に金属被膜を除去することができる。

【００４０】

【実施例】

実施例１．以下、この発明の一実施例による薄膜太陽電
池の製造方法について、図に従って説明する。図１〜図
３は、この発明の一実施例による薄膜太陽電池の製造方
法を、その工程に従って説明するための模式図である。
図に用いる略号１〜１０は、従来例の図９、図１０と同
一であり、図３の（ｉ）において２０は例えばチタン，
銀の順にスパッタまたは蒸着で形成した金属薄膜よりな
る被膜である。

【００４１】図１（ａ）に示すように、半導体膜１を剥
離層２で表面が覆われた基板３の上に形成する。次に、
図１（ｂ）に示すように、半導体膜１の表面側より半導
体膜１を貫く貫通穴４を形成した後に、図１（ｃ）に示
すように、剥離層２のみを除去しえるエッチング液に浸
漬し半導体膜１を基板３から分離する。ここで、エッチ
ング液は例えば弗化水素酸とする。次に、図１（ｄ）に
示すように、半導体膜１の表層に不純物拡散層５、反射
防止膜６を順次成膜する。

【００４２】成膜が完了したならば、図２（ｅ）に示す
ように、半導体膜１をガラス基板９に接着剤１０により
貼り付け、図２（ｆ）に示すように、反射防止膜６上に
被膜２０を成膜する。そして、被膜２０を例えば写真製
版などによりパターニングした上で貫通穴４から露出し
ている接着剤１０を含む周辺部上を除き、被膜２０を除
去する。

【００４３】次に写真製版によりパターニングした上か
ら、反射防止膜６に対しＣＦ4を用いたドライエッチン
グあるいは熱リン酸等のエッチングを用い、図２（ｇ）
に示すような形状を得る。この状態で、例えば水酸化カ
リウム水溶液で不純物拡散層５をエッチングした後、再
びＣＦ4を用いたドライエッチングで反射防止膜６を除
去し図１（ｈ）の形状を得る。

【００４４】不純物拡散層５および反射防止膜６のパタ
ーニングが終了したならば、図３（ｉ）に示すように、
第１の電極７，第２の電極８を順次形成する。ここで電
極７及び８は、例えば蒸着やスパッタにより全面に形成
した後、写真製版などで所望の形状にパターニングする
ことにより得ることができる。

【００４５】以上のように、貫通穴４から露出する接着
剤１０を予め被膜２０で覆うことで、接着剤１０が弗化
水素酸及び水酸化カリウム水溶液に直接触れる状態を無
くし、半導体膜表面やガラス基板表面の汚染源である接
着剤１０の変質，溶解を抑制することができる。

【００４６】実施例２．上記、実施例１では反射防止膜
６上にスパッタリング或いは蒸着で金属被膜を成膜した
が、金属被膜に代わって、例えば銀，またはアルミを主
成分とする印刷ペーストを用いてい被膜を形成しても良
い。この結果、被膜の製造工程が簡略化されると共に、
パターニングが容易となる。

【００４７】実施例３．上記、実施例１，２では金属性
の被膜を形成したが、被膜に例えばコールタール系の印
刷ペーストを用いても良い。この結果、被膜の製造工程
がより簡略化される。

【００４８】実施例４．上記、実施例１〜３では反射防
止膜を半導体膜の全周に形成したが、半導体膜のパター
ン形成面への反射防止膜形成を避けることで、除膜処理
過程が簡略化されうる。以下、この発明の一実施例によ
る薄膜太陽電池の製造方法について、図に従って説明す
る。 図４〜図５は、この発明の一実施例による薄膜太
陽電池の製造方法を、その工程に従って説明するための
模式図である。

【００４９】図４（ａ）に示すように、半導体膜１の表
面に不純物拡散層５を形成し、続けてガラス基板９に被
着される片面のみに反射防止膜６を成膜する。次に、図
４（ｂ）に示すように、半導体膜１の反射防止膜６側を
ガラス基板９に接着剤１０により貼り付ける。

【００５０】次に、図４（ｃ）に示すように、半導体膜
１上の不純物拡散層６上に被膜２０を成膜し、貫通穴４
から露出している接着剤１０を含め所望の電極パターン
が残るように被膜２０を除去する。ここで、被膜２０は
例えばチタン，銀の順にスパッタもしくは蒸着で形成し
た金属薄膜とする。被膜の形成後、図４（ｄ）に示すよ
うに、被膜２０をマスクにして不純物拡散層５をエッチ
ング除去する。ここで、用いるエッチング液は例えば水
酸化カリウム水溶液とする。

【００５１】次に、図５（ｅ）に示すように、第２の電
極８を形成する。ここで電極８は、例えば蒸着やスパッ
タにより全面に形成した後、写真製版などで所望の形状
にパターニングすることにより得ることができる。以上
のように、貫通穴４から露出する接着剤１０を予め被膜
２０で覆い、被膜２０をそのまま電極として用いること
で、実施例１と同様に接着剤１０が弗化水素酸及び水酸
化カリウム水溶液に直接触れる状態を無くし、半導体膜
表面やガラス基板表面の汚染源である接着剤１０の変
質，溶解を抑制することができる。

【００５２】実施例５．上記、実施例４では不純物拡散
層上にスパッタリング或いは蒸着で金属被膜を成膜した
が、金属被膜に代わって、例えば銀，またはアルミを主
成分とする印刷ペーストを用いてい被膜を形成しても良
い。この結果、被膜の製造工程が簡略化されると共に、
パターニングが容易となる。

【００５３】実施例６．上記、実施例１〜５では半導体
膜の電極形成面が接着剤で汚染されるのを抑制する方法
を説明したが、本実施例では半導体膜に被着されたガラ
ス基板の変形をを抑制する薄膜太陽電池の製造方法につ
いて、図に従って説明する。

【００５４】図６は、この発明の一実施例による薄膜太
陽電池の製造方法を示し、その工程に従って説明するた
めの模式図である。図において用いてる略号は、実施例
１の図１と同一のものであり、３０は例えばスパッタも
しくは蒸着で形成した銀薄膜からなる被膜である。

【００５５】図６（ａ）に示すように、予めガラス基板
９の片面に被膜３０を形成して図６（ｂ）に示すよう
に、半導体膜１をガラス基板９の被膜３０の無い側に接
着剤１０により貼り付ける。次に、図６（ｃ）に示すよ
うに、反射防止膜６を写真製版及びドライエッチング等
によりパターニングした後に反射防止膜６をマスクにし
て不純物拡散層５をエッチング除去する。ここで、用い
るエッチング液は水酸化カリウム水溶液とする。

【００５６】次に、図６（ｄ）に示すように、反射防止
膜６を除去後第１の電極７，第２の電極８を順次形成
し、ガラス基板９表面の被膜３０を除去する。ここで電
極７及び８は、例えば蒸着やスパッタにより全面に形成
した後、写真製版などで所望の形状にパターニングする
ことにより得ることができる。また、被膜３０の除去に
は例えば硝酸を用いる。

【００５７】以上のように、露出するガラス基板９を予
め被膜３０で覆うことで、ガラス基板９を弗化水素酸及
び水酸化カリウム水溶液に直接触れさせず、入射光を減
少させるガラス基板９表面の変形を抑制することができ
る。

【００５８】実施例７．上記、実施例６では半導体膜１
の全周に不純物拡散層５を介して反射防止膜６を形成
し、この半導体膜１をガラス基板９に被着する場合につ
いて説明したが、ガラス基板９の光入射面に反射防止膜
６を形成した後に、金属被３０を形成しても良い。以
下、この発明の一実施例による薄膜太陽電池の製造方法
について、図に従って説明する。

【００５９】図７〜図８は、この発明の一実施例による
薄膜太陽電池の製造方法を、その工程に従って説明する
ための模式図である。図において用いる略号は、実施例
６の図３と同一のものを示す。

【００６０】図７（ａ）に示すように、半導体膜１の表
面に不純物拡散層５を例えばPOCl3によるリン拡散によ
り形成する。次に、図７（ｂ）に示すように、予めガラ
ス基板９の片面に反射防止膜６及び被膜３０を順次形成
しておく。ここで、反射防止膜６は例えばフッ化マグネ
シウム膜とする。そして、図７（ｃ）に示すように、半
導体膜１をガラス基板９の被膜３０の無い側に接着剤１
０により貼り付ける。

【００６１】次に、図７（ｄ）に示すように、不純物拡
散層５をエッチング除去する。ここで、用いるエッチン
グ液は例えば水酸化カリウム水溶液とする。更に、図７
（ｅ）に示すように、第１の電極７，第２の電極８を順
次形成後、ガラス基板９表面の被膜３０を除去する。こ
こで電極７及び８は、例えば蒸着やスパッタにより全面
に形成した後、写真製版などで所望の形状にパターニン
グすることにより得ることができる。また、被膜３０の
除去には例えば硝酸を用いる。

【００６２】以上のように、露出するガラス基板９を予
め被膜３０で覆うことで、ガラス基板９を弗化水素酸及
び水酸化カリウム水溶液に直接触れさせず、入射光を減
少させるガラス基板９表面の変形を抑制することができ
る。また、ガラス基板９に予め反射防止膜６を形成して
おくことで、半導体膜１への成膜工程が無くなり、熱ス
トレスによる悪影響を回避できる。

【００６３】実施例８．上記、実施例１〜５に示した薄
膜太陽電池の製造方法は貫通穴４から露出する接着剤１
０を被膜で覆う製造方法であり、実施例６，７に示した
ガラス基板表面を被膜で覆って薄膜太陽電池を製造する
方法を説明したものである。従って、銀等の金属薄膜で
片面を覆ったガラス基板を用いて実施例１〜５のプロセ
スを実施することことで、半導体膜の電極形成面及びガ
ラス基板の光入射面の汚染およびガラス基板の変形を抑
制できる高品質で高効率の薄膜太陽電池の製造方法を提
供できることは無論である。

【００６４】

【発明の効果】請求項１の発明によれば、基板上の剥離
層上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜に設け
られた貫通穴を通し、前記剥離層を除去することで前記
半導体膜を前記基板より分離する工程と、この分離した
半導体の表層に不純物拡散層、反射防止膜を順に成膜す
る工程と、成膜された半導体膜をガラス基板に被着する
工程と、前記貫通穴を覆うように前記半導体膜の表面に
被膜を形成する工程と、前記貫通穴部分以外の被膜を除
去して前記半導体膜の表面を電極形成のための表面処理
を行う工程とを有したので、貫通穴を被膜で覆った後に
半導体膜の表面を電極形成のために表面処理行うため、
貫通穴を通して接着剤が表面処理用の液剤に溶け出すこ
とがない半導体膜の表面を汚染せず高品質の薄膜太陽電
池を製作できるという効果がある。

【００６５】請求項２の発明によれば、請求項１の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において貫通穴を覆う被膜に
スパッタ，蒸着法等で形成した金属薄膜を用いたもの
で、請求項１の効果に加えて、貫通穴を覆う被膜を金属
被膜とすることで被膜を電極形成用の配線パターンに適
用できるためパターニングの設計が容易になるという効
果がある。

【００６６】請求項３の発明によれば、請求項２の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において貫通穴を覆う金属薄
膜に少なくとも銀，チタン，アルミの何れかもしくは各
々を組合せて用いたので、請求項２の効果に加えて、貫
通穴を覆う金属被膜の材質を銀、チタン、アルミのいず
れか１つ、或いはこれら金属の組み合わせとすること
で、表面処理用の液剤で腐食したり電極形成用の他金属
との接触性が損なわれない配線パターンを半導体膜表面
に形成できる高品質の薄膜太陽電池を製作できるという
効果がある。

【００６７】請求項４の発明によれば、請求項２の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において貫通穴を覆う被膜に
金属を主成分とした印刷ペーストを用いたので、請求項
２の効果に加えて、貫通穴を覆う金属被膜に導電性の印
刷ペーストを用いることで被膜形成工程が簡略化される
という効果がある

【００６８】請求項５の発明によれば、請求項４の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において貫通穴を覆う印刷ペ
ーストに、少なくとも銀，アルミの何れかもしくは各々
を組合せて用いたので、請求項４の効果に加えて、 配
線ペーストに、少なくとも銀、アルミの何れかもしくは
各々を組み合わせて用いることで、表面処理用の液剤で
腐食したり電極形成用の他金属との接触性が損なわれな
い配線パターンを半導体膜表面に形成できるため高品質
の薄膜太陽電池を製作できるという効果がある。

【００６９】請求項６の発明によれば、請求項１の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において貫通穴を覆う被膜に
コールタール系の印刷レジストを用いたので、請求項１
の効果に加えて、被膜形成工程が簡略化と共に、貫通穴
をより密閉できるため接着剤の変質或いは溶解を充分に
抑制できるという効果がある。

【００７０】請求項７の発明によれば、請求項１の発明
の薄膜太陽電池の製造方法において半導体膜のガラス基
板への被着面に反射防止膜を成膜するようにしたので、
請求項１の効果に加えて、半導体膜のガラス基板の被着
面に反射防止膜を形成することで、半導体膜の電極形成
面における被膜除去工程が減縮されと共に、半導体膜へ
の成膜工程が削減できるという効果がある。

【００７１】請求項８の発明によれば、基板上の剥離層
上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜に設けら
れた貫通穴を通し、前記剥離層を除去することで前記半
導体膜を前記基板より分離する工程と、この分離した半
導体膜の表層に不純物拡散層を成膜する工程と、成膜さ
れた半導体膜を被膜を形成したガラス基板に被着する工
程と、前記半導体膜の表面を電極形成のための表面処理
を行う工程と、前記反射防止膜の表面に形成した被膜を
除去する工程とを有したので、露出するガラス基板を予
め被膜で覆うことで、ガラス基板を表面処理用の液剤に
直接ふれさせず、入射光を減少させるガラス基板表面の
変形を抑制することができるという効果がある。

【００７２】請求項９の発明によれば、基板上の剥離層
上に半導体膜を形成する工程と、この半導体膜に設けら
れた貫通穴を通し、前記剥離層を除去することで前記半
導体膜を前記基板より分離する工程と、この分離した半
導体膜の表層に不純物拡散層を成膜する工程と、成膜さ
れた半導体膜を光入射面が被膜で覆われたガラス基板に
被着する工程と、半導体膜の表面を前記貫通穴を覆うよ
うに被膜を形成する工程と、前記貫通穴部分以外の被膜
を除去して前記半導体膜の表面を電極形成のための表面
処理を行う工程と、前記ガラス基板の光入射面に覆われ
た被膜を除去する工程とを有したので、貫通穴を被膜で
覆った後に半導体膜の表面を電極形成のために表面処理
行うため、貫通穴を通して接着剤が表面処理用の液剤に
溶け出すことを抑制でき、また露出するガラス基板を予
め被膜で覆うことで、ガラス基板を表面処理用の液剤に
直接ふれさせず、入射光を減少させるガラス基板表面の
変形を抑制できるという効果がある。

【００７３】請求項１０の発明によれば、請求項８また
は９の発明の薄膜太陽電池の製造方法においてガラス基
板を覆う被膜にスパッタ，蒸着法等で形成した金属薄膜
を用いたので、請求項８または９の効果に加えて、ガラ
ス基板の光入射面を半導体膜の表面処理用の液剤で剥離
しない金属被膜で覆ったため、薄膜太陽電池の製造工程
でガラス基板の光入射面を半導体膜の表面処理用の液剤
で白濁等の表面荒れを起こすことが抑制できるという効
果がある。

【００７４】請求項１１の発明によれば、請求項１０の
発明の薄膜太陽電池の製造方法においてガラス基板を覆
う１種類以上の金属薄膜に少なくとも銀を用いので、請
求項１０の効果に加えて、ガラス基板の光入射面に蒸着
する金属被膜に少なくともを銀を使用することで表面処
理中にはガラス基板の光入射面を汚染より保護し、表面
処理終了後には硝酸を用いることで容易に金属被膜を除
去することができるという効果がある。

【００７５】請求項１２の発明によれば、請求項８また
は９の発明の薄膜太陽電池の製造方法においてガラス基
板の表面に予め反射防止膜を形成し、その上から被膜で
覆うようにしたので、請求項８または９の効果に加え
て、ガラス基板の表面に予め反射防止膜を形成した後
に、その上を被膜で覆うことで半導体膜への成膜工程が
なくなり、熱ストレスによる悪影響を回避できるという
効果がある。

【００７６】請求項１３の発明によれば、請求項１２の
発明の薄膜太陽電池の製造方法において反射防止膜の上
から覆う被膜にスパッタ，蒸着法等で形成した金属薄膜
を用いたので、請求項１２の効果に加えて、ガラス基板
の光入射面に形成した反射防止膜を金属被膜で覆ったた
め、薄膜太陽電池の製造工程で反射防止膜を半導体膜の
表面処理用の液剤で白濁等の表面荒れを起こし、入射光
を乱反射させることが抑制できるという効果がある。

【００７７】請求項１４の発明によれば、請求項１３の
発明の薄膜太陽電池の製造方法において反射防止膜の上
から覆う１種類以上の金属薄膜に少なくとも銀を用いた
ので、請求項１３の効果に加えて、反射防止膜に蒸着す
る金属被膜に少なくともを銀を使用することで表面処理
中には反射防止膜を汚染より保護し、表面処理終了後に
は硝酸を用いることで容易に金属被膜を除去することが
できるという効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施例１〜３による薄膜太陽電池
の製造方法を説明するための模式図である。

【図２】 この発明の実施例１〜３による薄膜太陽電池
の製造方法を説明するための模式図である。

【図３】 この発明の実施例１〜３による薄膜太陽電池
の製造方法を説明するための模式図である。

【図４】 この発明の実施例４，５による薄膜太陽電池
の製造方法を説明するための模式図である。

【図５】 この発明の実施例４，５による薄膜太陽電池
の製造方法を説明するための模式図である。

【図６】 この発明の実施例６による薄膜太陽電池の製
造方法を説明するための模式図である。

【図７】 この発明の実施例７による薄膜太陽電池の製
造方法を説明するための模式図である。

【図８】 この発明の実施例７による薄膜太陽電池の製
造方法を説明するための模式図である。

【図９】 従来の薄膜太陽電池の製造方法を説明するた
めの模式図である。

【図１０】 従来の薄膜太陽電池の製造方法を説明する
ための模式図である。

【符号の説明】

１ 半導体膜、２ 剥離層、３ 基板、４ 貫通穴、５
不純物拡散層、６ 反射防止膜、７ 第１の電極、８
第２の電極、９ ガラス基板、１０ 接着剤、２０
被膜、３０ 被膜。

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板上の剥離層に半導体膜を形成する工
   程と、 この半導体膜に設けられた貫通穴を通し、前記剥離層を
   除去することで前記半導体膜を前記基板より分離する工
   程と、 この分離した半導体膜の表層に不純物拡散層、反射防止
   膜を順に成膜する工程と、 成膜された半導体膜をガラス基板に被着する工程と、 前記貫通穴を覆うように前記半導体膜の表面に被膜を形
   成する工程と、 前記貫通穴部分以外の被膜を除去して前記半導体膜の表
   面を電極形成のための表面処理を行う工程とを有するこ
   とを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
2. 【請求項２】 半導体膜の表面を覆う被膜にスパッタ，
   蒸着法等で形成した金属薄膜を用いることを特徴とする
   特許請求の範囲１項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
3. 【請求項３】 金属薄膜に少なくとも銀，チタン，アル
   ミの何れかもしくは各々を組合せて用いることを特徴と
   する特許請求の範囲２項に記載の薄膜太陽電池の製造方
   法。
4. 【請求項４】 被膜に金属を主成分とした印刷ペースト
   を用いることを特徴とする特許請求の範囲２項に記載の
   薄膜太陽電池の製造方法。
5. 【請求項５】 印刷ペーストに、少なくとも銀，アルミ
   の何れかもしくは各々を組合せて用いることを特徴とす
   る特許請求の範囲４項に記載の薄膜太陽電池の製造方
   法。
6. 【請求項６】 被膜にコールタール系の印刷レジストを
   用いることを特徴とする特許請求の範囲１項に記載の薄
   膜太陽電池の製造方法。
7. 【請求項７】 半導体膜のガラス基板への被着面に反射
   防止膜を成膜することを特徴とする特許請求の範囲１項
   に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
8. 【請求項８】 基板上の剥離層上に半導体膜を形成する
   工程と、 この半導体膜に設けられた貫通穴を通し、前記剥離層を
   除去することで前記半導体膜を前記基板より分離する工
   程と、 この分離した半導体膜の表層に不純物拡散層を成膜する
   工程と、 成膜された半導体膜を、光入射面に被膜を形成したガラ
   ス基板に被着する工程と、 前記半導体膜の表面を電極形成のための表面処理を行う
   工程と、 前記光入射面に形成した被膜を除去する工程とを有する
   ことを特徴とする薄膜太陽電池の製造方法。
9. 【請求項９】 基板上の剥離層上に半導体膜を形成する
   工程と、 この半導体膜に設けられた貫通穴を通し、前記剥離層を
   除去することで前記半導体膜を前記基板より分離する工
   程と、 この分離した半導体膜の表層に不純物拡散層を成膜する
   工程と、 成膜された半導体膜を光入射面が被膜で覆われたガラス
   基板に被着する工程と、 半導体膜の表面を前記貫通穴を覆うように被膜を形成す
   る工程と、 前記貫通穴部分以外の被膜を除去して前記半導体膜の表
   面を電極形成のための表面処理を行う工程と、 前記ガラス基板の光入射面に覆われた被膜を除去する工
   程とを有することを特徴とする薄膜太陽電池の製造方
   法。
10. 【請求項１０】 ガラス基板を覆う被膜にスパッタ，蒸
    着法等で形成した金属薄膜を用いることを特徴とする特
    許請求の範囲８または９項に記載の薄膜太陽電池の製造
    方法。
11. 【請求項１１】 ガラス基板を覆う１種類以上の金属薄
    膜に少なくとも銀を用いることを特徴とする特許請求の
    範囲１０項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。
12. 【請求項１２】 ガラス基板の光入射面に予め反射防止
    膜を形成し、その膜上を被膜で覆うことを特徴とする特
    許請求の範囲８または９項に記載の薄膜太陽電池の製造
    方法。
13. 【請求項１３】 反射防止膜の上を覆う被膜にスパッ
    タ，蒸着法等で形成した金属薄膜を用いることを特徴と
    する特許請求の範囲１２項に記載の薄膜太陽電池の製造
    方法。
14. 【請求項１４】 反射防止膜の上を覆う１種類以上の金
    属薄膜に少なくとも銀を用いることを特徴とする特許請
    求の範囲１３項に記載の薄膜太陽電池の製造方法。