JPH08211832A - 複合素子型表示装置 - Google Patents
複合素子型表示装置Info
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- JPH08211832A JPH08211832A JP4126895A JP4126895A JPH08211832A JP H08211832 A JPH08211832 A JP H08211832A JP 4126895 A JP4126895 A JP 4126895A JP 4126895 A JP4126895 A JP 4126895A JP H08211832 A JPH08211832 A JP H08211832A
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Abstract
EL素子を発光させることにより、消費電力の低減を図
った複合素子型表示装置を提供する。 【構成】 液晶10と、この液晶の一面側に配置された
陽極としての複数の透明電極と、前記液晶の他面側に前
記透明電極と直交するように対向配置された陰極として
の複数の透明電極とを有する液晶表示素子1、及び、有
機EL発光層20と、この有機EL発光層の一面側に配
置された陽極としての複数の透明電極と、前記有機EL
発光層の他面側に前記透明電極と直交するように対向配
置された陰極としての複数の反射板兼用の電極とを有す
る有機EL表示素子部2とを備え、液晶表示素子1に有
機EL表示素子部2を積層し、かつこれらを一の駆動部
3で駆動して、液晶表示素子部1及び有機EL表示素子
部2に同一画像を表示させる。
Description
L素子(有機エレクトロルミネッセンス素子)との複合
素子を表示させる複合素子型表示装置に関する。
過型の液晶表示素子がある。反射型液晶表示素子は、小
型電卓,腕時計,携帯電話等の表示装置として用いられ
ているが、夜間や暗所で用いると、表示文字等が見難い
という欠点があった。これに対して、透過型液晶表示素
子は、背面にバックライトを備えた表示装置に用いられ
ているが、その電力消費量が大きいため、携帯用の機器
に用いることができなかった。
189627号公報及び同5−34692号公報におい
て、次のような技術が提案されている。特開平3−18
9627号公報記載の技術は、ゲストホスト型液晶表示
素子のバックライトとして、有機EL素子を用いてい
る。すなわち、有機蛍光体を発光層としたEL表示素子
をバックライトとして用いた技術が開示されている。ま
た、特開平5−34692号公報記載の技術は、バック
ライトが導光部,反射拡散部及び光源部よりなり、光源
部として有機EL素子を用いている。
た従来の技術では、次のような問題がある。ゲストホス
ト型液晶表示素子のバックライトとして、有機EL素子
を用いる特開平3−189627号公報記載の技術で
は、有機EL素子が低電圧で高い発光効率を有するとい
えども、バックライトとして用いる限り、消費電力がか
なり大きくなってしまう。また、光源部として有機EL
素子を適用する特開平5−34692号公報記載の技術
においても、有機EL素子をバックライトとして用いる
場合に、全面発光させ、液晶表示素子を照す必要がある
ので、やはり電力を大きく消費してしまう。
もので、液晶表示素子の表示パターンに対応した有機E
L素子を発光させることにより、消費電力の低減を図っ
た複合素子型表示装置の提供を目的とする。
め、本発明は、従来用いられたバックライトの代わりに
表示パターンが可能な有機EL素子を適用したものであ
る。したがって、請求項1の発明に係る複合素子型表示
装置は、液晶表示素子部と、前記液晶表示素子部に積層
された有機EL表示素子部と、前記液晶表示素子部及び
有機EL表示素子部を駆動して、前記液晶表示素子部及
び有機EL表示素子部に同一画像を表示させる一駆動部
とを備える構成としてある。
前記有機EL素子表示素子部における電極の配置パター
ンをほぼ同一とし、かつ、前記駆動部として一つの駆動
部を用いた構成としてある。
が、少なくとも、液晶と、この液晶の一面側に配置され
た陽極としての複数の透明電極と、前記液晶の他面側に
前記透明電極と直交するように対向配置された陰極とし
ての複数の透明電極とを有し、前記有機EL表示素子部
が、少なくとも、有機EL発光層と、この有機EL発光
層の一面側に配置された陽極としての複数の透明電極
と、前記有機EL発光層の他面側に前記透明電極と直交
するように対向配置された陰極としての複数の反射板兼
用の電極とを有し、前記一の駆動部は、前記液晶表示素
子部の陽極としての複数の透明電極に電圧を順次印加す
る走査回路と、この走査回路と対応して動作し、電圧を
前記有機EL表示素子部の陽極としての複数の透明電極
に印加する第一制御回路と、前記液晶表示素子部の陰極
としての透明電極に電圧を印加する第二制御回路と、前
記有機EL表示素子部の陰極としての電極に電圧を印加
する第三制御回路と、表示メモリと、この表示メモリに
したがって前記複数の陰極としての透明電極及び電極の
中から任意の透明電極及び電極を選択するよう前記第二
及び第三の制御回路を駆動する選択回路とを有する構成
としてある。
を、液晶表示素子部又は有機EL表示素子部のいずれか
一方の駆動に切り換えるための切換部を設けた構成とし
てある。
を液晶表示素子部又は有機EL表示素子部のいずれか一
方の駆動もしくは液晶表示素子部及び有機EL表示素子
部の同時駆動に切り換えるための切換部を設けた構成と
してある。
晶表示素子部に積層された有機EL表示素子部とが駆動
され、これら液晶表示素子部及び有機EL表示素子部に
同一画像が表示される。
って液晶表示素子部及び有機EL表示素子部に同一画像
が表示される。
晶表示素子部の陽極としての複数の透明電極に電圧を順
次印加すると、第一の制御回路が、この走査回路と対応
して動作し、電圧を有機EL表示素子部の陽極としての
複数の透明電極に印加する。これと並行して、表示メモ
リと、この表示メモリにしたがって選択回路が、液晶表
示素子部の陰極としての透明電極及び有機EL表示素子
部の電極の中から任意の透明電極及び電極を選択するよ
う第二及び第三の制御回路を駆動し、第二及び第三の制
御回路によって、これらの電極に電圧が印加される。
て、一の駆動部の駆動を液晶表示素子部又は有機EL表
示素子部のいずれか一方の駆動に切り換えることができ
る。
て、一の駆動部の駆動を液晶表示素子部又は有機EL表
示素子部のいずれか一方の駆動もしくは液晶表示素子と
有機EL表示素子部の同時駆動に切り換えることができ
る。
て説明する。 (第一実施例)図1は、本発明の第一実施例に係る複合
素子型表示装置を示すブロック図である。図1に示すよ
うに、本実施例の複合素子型表示装置は、液晶表示素子
部1と、有機EL表示素子部2と、これら液晶表示素子
部1及び有機EL表示素子部2を駆動するための駆動部
3とを備えている。
概略斜視図である。図3は、液晶表示素子部と有機EL
表示素子部との積層複合状態を詳細に示す断面図であ
る。図2に示すように、液晶表示素子部1は、概略、液
晶10の上面に透明電極X1,X2,〜,XNをストライ
プ状に配し、下面に透明電極X1,X2,〜,XNと直交
するように透明電極Y1,Y2,〜,YNを配した構造に
なっており、その交差部Xi・Yj(i,j=1〜N)で、
画素が形成されている(図1の白丸)。また、有機EL
表示素子部2も、有機EL発光層20の上面に透明電極
x1 ,x2,〜,xNをストライプ状に配し、下面に透明
電極x1 ,x2 ,〜,xN と直交するように電極y1,
y2,〜,yNを配した構造になっており、その交差部x
i・yj(i,j=1〜N)で、画素が形成されている(図
1の白丸)。
EL表示素子部2とは、対応する画素Xi・Yjと画素x
i・yjとが一致するように、積層されている。すなわ
ち、液晶表示素子部1と有機EL表示素子部2の画素は
N×Nのマトリックス状に形成され、各画素同士が対向
するように、積層されている。
EL表示素子部2の反射板を含む反射型液晶素子であ
り、最上位から下位に向かって順に、偏光板17aと基
板11、アルカリ・イオン防止膜12と、陽極としての
透明電極X1 ,X2 ,〜,XN と、配向膜13と、封止
剤16で封止された液晶10と、配向膜14と、陰極と
しての透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN と、基板15と、
偏光板17bとを積層した構造になっている。
性基材で形成されており、その間隔は、例えば各種のシ
リカ球で形成されたスペーサー18によって一定に保た
れている。透明電極X1,X2,〜,XN及び透明電極Y
1,Y2,〜,YNは、公知の酸化物透明性電極であり、
インジュウム−チン−オキサイド(ITO),アンチモ
ン添加酸化錫(SnO2:Sb),Al添加酸化亜鉛等
で形成されている。液晶10は、公知の様々な低分子液
晶又は高分子液晶をポリマーに分散して形成したもので
ある。配向膜13,14は、液晶10を均一に配向させ
るための膜体である。これらの配向膜13,14は塗布
によって形成される各種のポリマー膜であり、例えば、
ポリイミド,液晶性ポリマー等が用いられている。偏光
板17a及び17bは、透過する光のうち、所定の偏光
方向の光だけを通過させるものである。ここで、偏光板
17aは基板11の真上に、偏光板17bは基板15の
真下に位置させる。これら偏光板17a及び17bは、
例えば、PVA(ポリビニルアルコール)とよう素とを
複合することにより形成されている。
の画素と一致させ、かつその発光面を液晶表示素子部1
側に向けた状態で、液晶表示素子部1の下側に形成され
ている。具体的には、図3に示すように、偏光板17の
下面から下方に向かって順に、基板11,15と同素材
の基板21と、陽極としての透明電極x1 ,x2 ,〜,
xN と、正孔注入層22と、有機EL発光層20と、反
射板を兼ねた陰極としての電極y1 ,y2 ,〜,yN と
を積層した構造になっている。なお、透明電極x1 ,x
2 ,〜,xN は、液晶表示素子部1の透明電極X1 ,X
2 ,〜,XN と同様の素材で形成されているが、電極y
1 ,y2 ,〜,yN は、反射板を兼ねているので、透明
ではない。
ニング方法と、液晶表示素子部1への積層方法について
説明する。有機EL表示素子部2では、透明電極x1 ,
x2 ,〜,xN と電極y1 ,y2,〜,yN のパターン
ニングが行われる。透明電極x1 ,x2 ,〜,xN は、
公知のパターンニング方法によって、基板21上にパタ
ーン形成され、電極y1 ,y2 ,〜,yN は、有機EL
発光層20にマスクを行い、このマスクの開口部に、陰
極材料を蒸着することによって、パターン形成される。
また、別の方法として、有機EL発光層20の全面に陰
極材料を蒸着した後、レーザーアブレーションによっ
て、陰極材料のエッチングを行うことにより、電極y1
,y2 ,〜,yN をパターン形成することもできる。
次の二通りの方法がある。第一の方法は、図2に示した
ように、液晶表示素子部1と有機EL表示素子部2とを
別々に作製しておき、液晶表示素子部1の透明電極Y1
,Y2 ,〜,YNと有機EL表示素子部2の透明電極x
1 ,x2 ,〜,xN とを近接させ、画素同士が一致する
ように位置合せした後、液晶表示素子部1の偏光板17
と基板21とを接着する方法であり、本実施例に適用さ
れている。第二の方法は、既に作製した液晶表示素子部
1の偏光板17に、透明電極x1,x2 ,〜,xN のパ
ターンニングを前もって施しておき、この透明電極x1
,x2 ,〜,xN の表面に、順に、正孔注入層22,
有機EL発光層20,電極y1 ,y2 ,〜,yN を積層
する方法である。ただし、積層の際には、透明電極x1
,x2 ,〜,xN と電極y1 ,y2 ,〜,yN とで定
まる表示パターンが、液晶表示素子部1の表示パターン
と同一になるようにパターンニングする。
と、ホールド回路である表示メモリ31及び選択回路3
2とを備え、液晶表示素子部1と有機EL表示素子部2
とが、これらの走査回路30,表示メモリ31及び選択
回路32を共有した構成になっている。走査回路30
は、液晶表示素子部1の透明電極X1 ,X2 ,〜,XN
に対応した数の出力線30−1,30−2,〜,30−
Nを有している。この出力線30−1,30−2,〜,
30−Nが透明電極X1 ,X2 ,〜,XN に接続され、
時分割された電圧VL の電圧信号が走査回路30から透
明電極X1 ,X2 ,〜,XN に印加されるようになって
いる。
0−Nは、途中で分岐され、第一制御回路としてのN個
の制御回路(TG)33−1,33−2,〜,33−N
にも接続されている。TG33−1,33−2,〜,3
3−Nは、有機EL表示素子部2の透明電極x1,x2,
〜,xNに接続されており、電圧VLの信号入力時にON
状態になって、電源34−1,34−2,〜,34−N
からの電圧VELを透明電極x1,x2,〜,xNに印加す
るようになっている。電圧VELの大きさは3V〜30V
の範囲の中から選択されており、有機EL表示素子部2
が適切な表示輝度を得るようになっている。
晶表示素子部1の透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN と有機
EL表示素子部2の電極y1 ,y2 ,〜,yN のうちの
いずれかの電極を選択して、それらの電極に電圧を印加
する回路である。具体的には、選択回路32は、第二制
御回路としてのN個のTG35−1,35−2,〜,3
5−Nと第三制御回路としてのTG37−1,37−
2,〜,37−Nとに接続されている。このうち、TG
35−1,35−2,〜,35−Nは、液晶表示素子部
1の透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN に接続されており、
選択回路32の制御により、電源36−1,36−2,
〜,36−Nからの電圧VL´を透明電極Y1 ,Y2 ,
〜,YN に印加するようになっている。なお、この電圧
VL´と前記電圧VL とは、公知の電圧平均化駆動法
(例えば「電子ディスプレイデバイス 59頁 昭和5
9年オーム社発行」記載の駆動法)によって定められる
電圧値であり、適用される液晶表示素子部1の型によっ
て適宜決定される。
は、有機EL表示素子部2の電極y1,y2 ,〜,yN
に接続されており、選択回路32の制御によって、選択
された電極y1 ,y2 ,〜,yN を無電位又はフロート
(開回路)にするようになっている。なお、TG33−
1,33−2,〜,33−N、TG35−1,35−
2,〜,35−N、及びTG37−1,37−2,〜,
37−Nは、集積回路によるトランジスタアレイで構成
されている。
表示素子部1における画像表示動作を述べる。図1にお
いて、駆動部3を作動させると、時分割された電圧VL
の電圧信号が走査回路30から出力線30−iに出力さ
れ、電圧VLが液晶表示素子部1の透明電極Xiに印加さ
れる。この動作と並行して、表示メモリ31に従って選
択回路32で選択された透明電極Yjに、TG35−
1,35−2,〜,35−Nから電圧VL´の一群の電
圧信号が送られ、電圧 VL´が液晶表示素子部1の透明
電極Yj(j=1〜N)に印加される。これにより、透明
電極Xiすなわち液晶表示素子部1のi行が表示される。
このような走査が、透明電極X1,X2,〜,XNに対し
て順に行われ、液晶表示素子部1の全画面に所定の画像
が表示される。
表示動作を述べる。走査回路30からの電圧VLは、液
晶表示素子部1の透明電極Xiに出力されると共に、分
岐され、TG33−iにも出力される。TG33−iがO
N状態になり、電源34−iからの電圧VELが、液晶表
示素子部1の透明電極Xiに対応した有機EL表示素子
部2の透明電極xiに印加されることとなる。この動作
と並行して、表示メモリ31に従って選択回路32で選
択された電極yj(j=1〜N)が、TG37−1,37
−2,〜,37−Nによって、無電位又はフロート(開
回路)にされ、透明電極xiすなわち有機EL表示素子
部2のi行が表示される。このような走査が、透明電極
x1 ,x2 ,〜,xN に対して順に行われ、液晶表示素
子部1の画像と同一の画像が有機EL表示素子部2に表
示される。
装置によれば、駆動部3を作動させると、液晶表示素子
部1と有機EL表示素子部2とに同一の画像が表示され
る。したがって、視認性が高くしかも印加電圧が極めて
少なくて済む有機EL表示素子部2の発光によって、暗
所でも表示画像を視認することができる。すなわち、液
晶表示素子部1と有機EL表示素子部2とに同一の画像
を表示させることで、暗所での視認が可能となり、しか
も、有機EL表示素子部2が部分発光であるので、従来
のバックライト方式の装置に比べて、消費電力をかなり
低減化することができる。
部)を設け、この切換回路を切り換えて、走査回路30
と選択回路32とによる前記電圧を液晶表示素子部1又
は有機EL表示素子部2のいずれかに印加するようにす
ることが好ましい。すなわち、明所においては、液晶表
示素子部1のみに電圧を印加し、液晶表示素子部1のみ
を駆動させて、通常の液晶素子として用いる。そして、
暗所においては、有機EL表示素子部2のみに電圧を印
加し、有機EL表示素子部2のみを発光させる。これに
より、消費電力をより一層低減化することができる。
30−1,30−2,〜,30−Nの分岐点に、液晶表
示素子部1と走査回路30との接続状態をTG33−
1,33−2,〜,33−Nと走査回路30との接続状
態に切り換える第一のスイッチを設けると共に、選択回
路32の出力の分岐点に、TG35−1,35−2,
〜,35−Nと選択回路32との接続状態をTG37−
1,37−2,〜,37−Nと選択回路32との接続状
態に切り換える第二のスイッチを設け、これら第一及び
第二のスイッチを同期させて同方向に切り換えることが
できる構造になっている。なお、切換部としては、液晶
表示素子部又び有機EL表示素子部のいずれか一方の駆
動を選択するとともに、液晶表示素子部及び有機EL表
示素子部の双方を同時に駆動できるようにした、すなわ
ち三種類の切り換えが可能なものとすることもできる。
このようにすると、より一層応用範囲が広がる。そし
て、この場合、上記の切り換えスイッチをトランジスタ
ー等で構成するとともに、このトランジスターにフォト
ダイオードなどの受光器から信号を送って制御し、光で
スイッチ切り換えを行うことも可能である。
複合素子型表示装置について説明する。図4は、本発明
の第二実施例に適用される液晶表示素子部と有機EL表
示素子部との積層複合状態を示す断面図である。なお、
図1ないし図3に示した部材と同一部材については、同
一符号を付して説明する。本実施例の複合素子型表示装
置は、液晶表示素子部と有機EL表示素子部との構造が
前記第一実施例と異なる。
り、5が有機EL表示素子部である。液晶表示素子部4
は、相対向するガラス製の基板11,15の間隙を囲む
ようにシール材40が付着され、この基板11,15と
シール材40の内空間に、上から順に、透明電極X1 ,
X2 ,〜,XN 、配向膜13、液晶10、配向膜14、
透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN を積層した構造になって
いる。そして、透明電極X1 ,X2 ,〜,XN に、図1
に示す走査回路30の出力線30−1,30−2,〜,
30−Nが接続され、透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YNに
TG35−1,35−2,〜,35−Nが接続されてい
る。
の基板21の下側に、順に、透明電極x1 ,x2 ,〜,
xN 、第一層の正孔注入層22−1、第二層の正孔注入
層22−2、第一層の有機EL発光層20−1、第二層
の電子注入層20−2、電極y1,y2,〜,yNを積層
した構造になっている。そして、透明電極x1 ,x2 ,
〜,xN に、図1に示す、TG33−1,33−2,
〜,33−Nが接続され、電極y1 ,y2 ,〜,yN に
TG37−1,37−2,〜,37−Nが接続されてい
る。
機EL表示素子部5は、次のようにして作製する。液晶
表示素子部4の作製においては、まず、75mm×75
mm方形の基板11(15)の表面に、ストライプ幅
1.3mmでストライプギャップ0.1mmの透明電極
X1,X2,〜,XN(Y1,Y2,〜,YN)を48本配置
し、その上からポリイミド製の配向膜13(14)をラ
ビング処理にて均一に膜形成する。そして、図5に示す
ように、透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN が付いた基板1
5の周辺に、シール材40を塗布し、その上から、透明
電極X1 ,X2 ,〜,XNを下向きにした基板11を貼
り合わせる。このとき、透明電極X1 ,X2 ,〜,XN
のストライプ方向と透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN のス
トライプ方向とが直交しかつ配向膜13の配向方向と配
向膜14の配向方向とが直交するように、基板11を基
板15の上に貼り合わせる。この状態で、メルク社製の
液晶材料Z2459である液晶10を、シール材40の
液晶注入口45から内空間に真空注入法で注入する。な
お、基板11,15の外側には、互に偏光面が直交する
偏光板が配置されている。
の透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN にTG35−1,35
−2,〜,35−Nの出力端を接続し、透明電極X1 ,
X2,〜,XN に走査回路30の出力線30−1,30
−2,〜,30−Nを接続して、透明電極X1 ,X2 ,
〜,XN と透明電極Y1 ,Y2 ,〜,YN との間に、3
Vの電圧を印加したところ、電圧印加時には、光透過が
遮断され、電圧非印加時には、光透過が確認された。
ては、まず、前記基板11,15と同構造であって透明
電極x1 ,x2 ,〜,xN が付いた基板21を用意し、
基板21をイソプロピルアルコール中にて5分間、さら
に純水中にて5分間超音波洗浄を行い、次いで、UVオ
ゾン洗浄を(株)サムコインターナショウナル研究所製
の装置にて10分間行った。そして、この基板21を、
市販の蒸着装置(日本真空技術(株)製)の基板ホルダ
ーに上向きに固定し、モリブデン製抵抗加熱ボートに
4,4´,4´−トリス−〔N−フエニル−N−(m−
トリル)−4アミノ〕トリフエニルアミン(MTDAT
A)を300mg入れ、さらに、モリブデン製の抵抗加
熱ボートにN,N´−ビス(1−ナフチル)−N,N´
−ジフエニル〔1,1´−ビフエニル〕−4,4´−ジ
アミン(NPD)を200mg入れた。また、違うモリ
ブデン製ボートに4,4´−ビス(2,2´−ジフエニ
ルビニル)ビフエニル(DPVBi)を200mg入
れ、さらに、異るモリブデン製ボートにトリス(8−キ
ノリノール)アルミニウム(Alq)を200mg入
れ、真空槽を1×10-4Paまで減圧した。
を加熱し、MTDATAを蒸着速度0.3〜0.5nm
/sで透明支持基板上に蒸着して、膜厚150nmの層
を作り、第一層の正孔注入層22−1とした。その後、
NPD入りの前記ボートを加熱し、NPDを蒸着速度
0.1〜0.3nm/sでこの上に蒸着して、膜厚を2
0nmの第二層の正孔注入層22−2を製膜させた。こ
のときの基板21の温度は室温であった。これを真空槽
より取り出すことなく、正孔注入層22−2の上に、も
う一つのボートよりDPVBi及びAlqを電子注入層
の有機EL発光層20−1,電子注入層20−2として
40nmづつ積層蒸着した。蒸着条件としては、蒸着速
度が0.1〜0.3nm/s、基板温度が室温であっ
た。これを真空槽より取り出し、前記電子注入層20−
2の上に、透明電極x1 ,x2 ,〜,xN に直交するよ
うなストライプ状の電極y1 ,y2 ,〜,yN を形成す
るようにパターニングマスクを設置し、再び基板ホルダ
ーに固定した。なお、パターニングマスクは、電極y1
,y2 ,〜,yN のストライプ幅が1.3mmでスト
ライプギャップが0.1mmになるように作製してあ
る。
グネシウムリボンを1g入れ、また、違うタングステン
製のバスケットに銀ワイヤーを500mg入れ蒸着し
た。その後、真空槽を1×10-4Paまで減圧してか
ら、銀を0.1nm/sの蒸着速度で同時に抵抗加熱法
により、もう一方のモリブデンボートからマグネシウム
を1.4nm/sの蒸着速度で蒸着し始めた。前記条件
でマグネシウムと銀の混合金属電極を電子注入層20−
2の上に150nmの厚さで積層蒸着し、電極y1 ,y
2 ,〜,yN とした。このようにして、陽極の透明電極
x1 ,x2 ,〜,xN と陰極の電極y1 ,y2 ,〜,y
N との交差部にマトリックス状に画素を形成した。
液晶表示素子部4及び有機EL表示素子部5を、図4に
示すように貼り合わせた。すなわち、液晶表示素子部4
の基板15と有機EL表示素子部5の基板21とを重
ね、位置合せをして、接着剤45で接着した後、駆動部
3を接続した。具体的には、液晶表示素子部4の透明電
極Y1,Y2,〜,YNにTG35−1,35−2,〜,
35−Nの出力端を接続し、透明電極X1 ,X2 ,〜,
XN に走査回路30の出力線30−1,30−2,〜,
30−Nを接続した。そして、有機EL表示素子部5の
透明電極x1 ,x2 ,〜,xN にTG33−1,33−
2,〜,33−Nを接続し、電極y1 ,y2 ,〜,yN
にTG37−1,37−2,〜,37−Nを接続した。
1 ,Y2 ,〜,YN 及び透明電極X1 ,X2 ,〜,XN
のみを、駆動部3に接続して、作動させたところ、液晶
表示素子部4による画像表示が確認された。また、有機
EL表示素子部5の透明電極x1 ,x2 ,〜,xN 及び
電極y1 ,y2 ,〜,yN のみを、駆動部3に接続した
ところ、液晶表示素子部4による画像表示と同一画像の
表示が確認された。すなわち、前記第一実施例と同様
に、駆動部3への液晶表示素子部4及び有機EL表示素
子部5の接続を切り換えることによって、暗所での表示
視認が可能となり、また、明所では、電極y1 ,y2 ,
〜,yN が反射板の役割をするので、反射型液晶素子と
して使用できることが判明した。その他の構成,作用効
果は前記第一実施例と同様であるので、その記載は省略
する。
のではなく、発明の要旨の範囲内において、種々の変
形,変更が可能である。例えば、前記実施例では、図2
に示したように、液晶表示素子部1と有機EL表示素子
部2の画素をN×Nのマトリックス型に形成したが、こ
れに限らず、セグメント型又は一次アレイ型に形成して
も良い。また、液晶表示素子部1の画素Xi・Yjの大き
さを有機EL表示素子部2の画素xi・yjと異なるよう
にしたり、液晶表示素子部1の画素Xi・Yjの一部を欠
落させても良い。
においては、液晶表示素子部1を反射型液晶素子とした
が、これに限るものではなく、ねじれネマチック型(T
N型)液晶素子,超ねじれネマチック型(STN型)液
晶素子,ゲストホスト型液晶素子,強誘電液晶型液晶素
子,コレステリック型液晶素子,動的散乱型液晶素子等
の各種の素子を用いることができることは勿論である。
また、第一実施例の液晶表示素子部1において、配向膜
13,14と偏光板17とを用いたが、前記各種の素子
の型によって、省略されることがある。さらに、前記実
施例においては、有機EL表示素子部を、「陽極/正孔
注入層/有機EL発光層/電子注入層/陰極」の層構成
にしたが、他の層構成として、「陽極/正孔注入層/発
光層/陰極」、「陽極/発光層/電子注入層/陰極」、
「陽極/有機半導体層/発光層/陰極」、「陽極/有機
半導体層/電子障壁層/発光層/陰極」、「陽極/正孔
注入層/発光層/付着改善層/陰極」が公知であり、こ
れらの層構成を採用することもできる。
に、TG35−1,35−2,〜,35−Nによって、
選択された電極y1 ,y2 ,〜,yN を無電位又はフロ
ートにするようにしたが、TG37−1,37−2,
〜,37−Nによって、N個の電源から電圧VEL´を電
極y1,y2,〜,yNに印加するようにしても良い。
ミネッセンス表示装置によれば、一駆動部により、液晶
表示素子部と液晶表示素子部に積層された有機EL表示
素子部とが駆動され、これら液晶表示素子部及び有機E
L表示素子部に同一画像が表示されるので、視認性が高
くしかも印加電圧が極めて少なくて済む有機EL表示素
子部の発光によって、暗所でも表示画像を視認すること
ができる。すなわち、液晶表示素子部と有機EL表示素
子部とに同一の画像を表示させることで、暗所での視認
が可能となり、しかも、有機EL表示素子部が部分発光
であるので、従来のバックライト方式の装置に比べて、
消費電力をかなり低減化することができるという効果が
ある。また、液晶表示素子部と有機EL表示素子部とを
積層して薄型化を図り、しかも一駆動部で駆動するよう
にしているので、消費電力の低減化のみならず、装置の
小型化と軽量化と低コスト化とを図ることができ、この
結果、携帯機器の表示装置として最適な装置を提供する
ことができる。
を液晶表示素子部又は有機EL表示素子部のいずれかの
駆動に切り換えようにすれば、明所においては、液晶表
示素子部のみを駆動させて、通常の液晶素子として用い
ることができ、そして、暗所においては、有機EL表示
素子部のみを発光させることができるので、消費電力を
より一層低減化することができるという効果がある。
を示すブロック図である。
概略斜視図である。
との積層複合状態を示す断面図である。
部と有機EL表示素子部との積層複合状態を示す断面図
である。
態を示す平面図である。
部の透明電極 x1,x2,〜,xN 有機EL表示素子部の透明電極 y1,y2,〜,yN 有機EL表示素子部の電極
Claims (5)
- 【請求項1】 液晶表示素子部と、 前記液晶表示素子部に積層された有機EL表示素子部
と、 前記液晶表示素子部及び有機EL表示素子部を駆動し
て、前記液晶表示素子部及び有機EL表示素子部に同一
画像を表示させる駆動部と、 を備えることを特徴とした複合素子型表示装置。 - 【請求項2】 前記液晶表示素子部と前記有機EL素子
表示素子部における電極の配置パターンをほぼ同一と
し、かつ、前記駆動部として一の駆動部を用いた請求項
1記載の複合素子型表示装置。 - 【請求項3】 前記液晶表示素子部は、少なくとも、液
晶と、この液晶の一面側に配置された陽極としての複数
の透明電極と、前記液晶の他面側に前記透明電極と直交
するように対向配置された陰極としての複数の透明電極
とを有し、 前記有機EL表示素子部は、少なくとも、有機EL発光
層と、この有機EL発光層の一面側に配置された陽極と
しての複数の透明電極と、前記有機EL発光層の他面側
に前記透明電極と直交するように対向配置された陰極と
しての複数の反射板兼用の電極とを有し、 前記一の駆動部は、 前記液晶表示素子部の陽極としての複数の透明電極に電
圧を順次印加する走査回路と、 この走査回路と対応して動作し、電圧を前記有機EL表
示素子部の陽極としての複数の透明電極に印加する第一
制御回路と、 前記液晶表示素子部の陰極としての透明電極に電圧を印
加する第二制御回路と、 前記有機EL表示素子部の陰極としての電極に電圧を印
加する第三制御回路と、表示メモリと、 この表示メモリにしたがって前記複数の陰極としての透
明電極及び電極の中から任意の透明電極及び電極を選択
するよう前記第二及び第三の制御回路を駆動する選択回
路とを有する、 請求項3記載の複合素子型表示装置。 - 【請求項4】 前記一の駆動部の駆動を、液晶表示素子
部又は有機EL表示素子部のいずれか一方の駆動に切り
換えるための切換部を設けた請求項2又は3記載の複合
素子型表示装置。 - 【請求項5】 前記一の駆動部の駆動を液晶表示素子部
又は有機EL表示素子部のいずれか一方の駆動もしくは
液晶表示素子部及び有機EL表示素子部の同時駆動に切
り換えるための切換部を設けた請求項2又は3記載の複
合素子型表示装置。
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