JPH08203703A - サーミスタ素子 - Google Patents
サーミスタ素子Info
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- JPH08203703A JPH08203703A JP7010417A JP1041795A JPH08203703A JP H08203703 A JPH08203703 A JP H08203703A JP 7010417 A JP7010417 A JP 7010417A JP 1041795 A JP1041795 A JP 1041795A JP H08203703 A JPH08203703 A JP H08203703A
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Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C7/00—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material
- H01C7/02—Non-adjustable resistors formed as one or more layers or coatings; Non-adjustable resistors made from powdered conducting material or powdered semi-conducting material with or without insulating material having positive temperature coefficient
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01C—RESISTORS
- H01C1/00—Details
- H01C1/14—Terminals or tapping points or electrodes specially adapted for resistors; Arrangements of terminals or tapping points or electrodes on resistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Thermistors And Varistors (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 製造コストが安価で、かつ、Ａｇのマイグレ
ーションが発生しないサーミスタ素子を得る。 【構成】 円盤状サーミスタ素体１の表裏面のそれぞれ
の外周縁部には円環形状の第１電極２，３が設けられて
いる。第１電極２，３の材料としては、Ａｇを含まない
導電性材料が使用される。サーミスタ素体１の表裏面の
それぞれの中央部には第２電極４，５が設けられてい
る。第２電極４，５とサーミスタ素体１はオーム接触し
ている。第２電極４，５の材料としては、Ａｇを主成分
とする導電性材料が使用される。
ーションが発生しないサーミスタ素子を得る。 【構成】 円盤状サーミスタ素体１の表裏面のそれぞれ
の外周縁部には円環形状の第１電極２，３が設けられて
いる。第１電極２，３の材料としては、Ａｇを含まない
導電性材料が使用される。サーミスタ素体１の表裏面の
それぞれの中央部には第２電極４，５が設けられてい
る。第２電極４，５とサーミスタ素体１はオーム接触し
ている。第２電極４，５の材料としては、Ａｇを主成分
とする導電性材料が使用される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、サーミスタ素子、特
に、テレビ受信機の消磁回路等に用いられる正特性サー
ミスタ素子や温度補償回路等に用いられる負特性サーミ
スタ素子に関する。
に、テレビ受信機の消磁回路等に用いられる正特性サー
ミスタ素子や温度補償回路等に用いられる負特性サーミ
スタ素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、正特性サーミスタ素子や負特
性サーミスタ素子は、図７及び図８に示すように、サー
ミスタ素体３０の表裏面にＡｇを主成分とする導電性材
料からなる電極３１，３２を設けたものが知られてい
る。電極３１，３２とサーミスタ素体３０はオーム接触
している。
性サーミスタ素子は、図７及び図８に示すように、サー
ミスタ素体３０の表裏面にＡｇを主成分とする導電性材
料からなる電極３１，３２を設けたものが知られてい
る。電極３１，３２とサーミスタ素体３０はオーム接触
している。
【０００３】このような構造のサーミスタ素子におい
て、電極３１と３２の間に電位差が生じるとマイグレー
ションによって電極３１，３２の材料を構成している一
部のＡｇ原子がサーミスタ素体３０の表面上を移動して
耐絶縁性を低下させ、最悪の場合には電極３１と３２が
短絡するという問題があった。これは、図８に示すよう
に、電極３１，３２のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、サー
ミスタ素体３０の外周端面の左右のエッジ部をそれぞれ
Ｂ，Ｃとすると、サーミスタ素体３０が有する抵抗成分
によってサーミスタ素体３０の表面上のＡ−Ｂ間、Ｂ−
Ｃ間、Ｃ−Ｄ間にそれぞれ電位差が生じ、この電位差に
よって電極３１，３２を構成するＡｇ原子が移動させら
れるからである。
て、電極３１と３２の間に電位差が生じるとマイグレー
ションによって電極３１，３２の材料を構成している一
部のＡｇ原子がサーミスタ素体３０の表面上を移動して
耐絶縁性を低下させ、最悪の場合には電極３１と３２が
短絡するという問題があった。これは、図８に示すよう
に、電極３１，３２のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、サー
ミスタ素体３０の外周端面の左右のエッジ部をそれぞれ
Ｂ，Ｃとすると、サーミスタ素体３０が有する抵抗成分
によってサーミスタ素体３０の表面上のＡ−Ｂ間、Ｂ−
Ｃ間、Ｃ−Ｄ間にそれぞれ電位差が生じ、この電位差に
よって電極３１，３２を構成するＡｇ原子が移動させら
れるからである。
【０００４】そこで、この対策として、図９及び図１０
に示すように、電極３１，３２を残してサーミスタ素体
３０の表面を樹脂やガラス等からなる絶縁性膜３３にて
被覆したものが提案されている。
に示すように、電極３１，３２を残してサーミスタ素体
３０の表面を樹脂やガラス等からなる絶縁性膜３３にて
被覆したものが提案されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところが、図９及び図
１０に示したサーミスタ素子において、サーミスタ素体
３０の外周面に樹脂やガラスからなる絶縁性膜３３を被
覆する作業は煩雑であり、製造コストがアップするとい
う問題があった。そこで、本発明の目的は、製造コスト
が安価で、かつ、Ａｇのマイグレーションが発生しない
サーミスタ素子を提供することにある。
１０に示したサーミスタ素子において、サーミスタ素体
３０の外周面に樹脂やガラスからなる絶縁性膜３３を被
覆する作業は煩雑であり、製造コストがアップするとい
う問題があった。そこで、本発明の目的は、製造コスト
が安価で、かつ、Ａｇのマイグレーションが発生しない
サーミスタ素子を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】以上の目的を達成するた
め、本発明に係るサーミスタ素子は、（ａ）サーミスタ
素体と、（ｂ）前記サーミスタ素体の表裏面のそれぞれ
の外周縁部に設けた、Ａｇを含まない導電性材料からな
る第１電極と、（ｃ）前記サーミスタ素体の表裏面のそ
れぞれの少なくとも中央部に設けた、Ａｇを主成分とす
る導電性材料からなる第２電極と、を備えたことを特徴
とする。
め、本発明に係るサーミスタ素子は、（ａ）サーミスタ
素体と、（ｂ）前記サーミスタ素体の表裏面のそれぞれ
の外周縁部に設けた、Ａｇを含まない導電性材料からな
る第１電極と、（ｃ）前記サーミスタ素体の表裏面のそ
れぞれの少なくとも中央部に設けた、Ａｇを主成分とす
る導電性材料からなる第２電極と、を備えたことを特徴
とする。
【０００７】
【作用】以上の構成により、サーミスタ素体の外周面に
絶縁性膜を形成しなくてすむ。そして、サーミスタ素体
の表裏面にそれぞれ設けられた第２電極間に電位差が生
じても、Ａｇを含まない導電性材料からなる第１電極に
よって第２電極のＡｇのマイグレーションが阻止され
る。
絶縁性膜を形成しなくてすむ。そして、サーミスタ素体
の表裏面にそれぞれ設けられた第２電極間に電位差が生
じても、Ａｇを含まない導電性材料からなる第１電極に
よって第２電極のＡｇのマイグレーションが阻止され
る。
【０００８】
【実施例】以下、本発明に係るサーミスタ素子の実施例
について添付図面を参照して説明する。 ［第１実施例、図１及び図２］図１及び図２に示すよう
に、円盤状サーミスタ素体１の表裏面のそれぞれの外周
縁部には円環形状の第１電極２，３が設けられている。
第１電極２，３の材料としては、Ａｇを含まない導電性
材料、例えばＮｉを主成分とする金属ペーストを使用
し、これをスクリーン印刷等の手段にてサーミスタ素体
１の表裏面に塗布する。なお、第１電極２，３は必らず
しもサーミスタ素体１とオーム接触する必要はない。し
かし、第１電極２，３の材料として、サーミスタ素体１
とオーム接触する材料を使用した場合にはサーミスタ素
子の抵抗値のばらつきが小さくなって好ましい。
について添付図面を参照して説明する。 ［第１実施例、図１及び図２］図１及び図２に示すよう
に、円盤状サーミスタ素体１の表裏面のそれぞれの外周
縁部には円環形状の第１電極２，３が設けられている。
第１電極２，３の材料としては、Ａｇを含まない導電性
材料、例えばＮｉを主成分とする金属ペーストを使用
し、これをスクリーン印刷等の手段にてサーミスタ素体
１の表裏面に塗布する。なお、第１電極２，３は必らず
しもサーミスタ素体１とオーム接触する必要はない。し
かし、第１電極２，３の材料として、サーミスタ素体１
とオーム接触する材料を使用した場合にはサーミスタ素
子の抵抗値のばらつきが小さくなって好ましい。
【０００９】正特性サーミスタ素子の場合には、サーミ
スタ素体１の材料として、ＢａＴｉＯ3等のセラミック
ス材料が使用される。負特性サーミスタ素子の場合に
は、サーミスタ素体１の材料として、Ｍｎ2Ｏ3やＣｏ2
Ｏ3等のセラミックス材料が使用される。サーミスタ素
体１の表裏面のそれぞれの中央部には第２電極４，５が
設けられている。第２電極４，５とサーミスタ素体１は
オーム接触している。第２電極４，５の外周端はそれぞ
れ第１電極２，３の内周端に接触している。正特性サー
ミスタ素子の場合には、第２電極４，５の材料として、
Ａｇを主成分とする導電性材料、例えばＡｇ，Ａｇ−Ｚ
ｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｓｂ
等を使用し、これらのペーストをスクリーン印刷等の手
段にてサーミスタ素体１の表裏面に塗布する。負特性サ
ーミスタ素子の場合には、第２電極４，５の材料とし
て、Ａｇを主成分とする導電性材料、例えばＡｇ，Ａｇ
−Ｐｄ等を使用し、これらのペーストをスクリーン印刷
等の手段にてサーミスタ素体１の表裏面に塗布する。
スタ素体１の材料として、ＢａＴｉＯ3等のセラミック
ス材料が使用される。負特性サーミスタ素子の場合に
は、サーミスタ素体１の材料として、Ｍｎ2Ｏ3やＣｏ2
Ｏ3等のセラミックス材料が使用される。サーミスタ素
体１の表裏面のそれぞれの中央部には第２電極４，５が
設けられている。第２電極４，５とサーミスタ素体１は
オーム接触している。第２電極４，５の外周端はそれぞ
れ第１電極２，３の内周端に接触している。正特性サー
ミスタ素子の場合には、第２電極４，５の材料として、
Ａｇを主成分とする導電性材料、例えばＡｇ，Ａｇ−Ｚ
ｎ，Ａｇ−Ｉｎ，Ａｇ−Ｇａ，Ａｇ−Ｚｎ，Ａｇ−Ｓｂ
等を使用し、これらのペーストをスクリーン印刷等の手
段にてサーミスタ素体１の表裏面に塗布する。負特性サ
ーミスタ素子の場合には、第２電極４，５の材料とし
て、Ａｇを主成分とする導電性材料、例えばＡｇ，Ａｇ
−Ｐｄ等を使用し、これらのペーストをスクリーン印刷
等の手段にてサーミスタ素体１の表裏面に塗布する。
【００１０】以上のサーミスタ素体１は窒素雰囲気中に
て約９００℃の温度で３０分間焼付け処理が行なわれ
る。こうして得られるサーミスタ素子は、サーミスタ素
体１の外周面に絶縁性膜を被覆するという煩雑な作業を
省略できるので、安価に製造することができる。また、
第１電極２，３はＡｇを含まない導電性材料からなるの
で、第２電極４と５の間に電位差が生じても第２電極
４，５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生し
ない。これは、図２に示すように、第２電極４，５のそ
れぞれの外周端をＡ，Ｄ、サーミスタ素体１の外周端面
の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サーミス
タ素体１が有する抵抗成分による電位差はサーミスタ素
体１の表面上のＢ−Ｃ間にのみ発生し、Ａ−Ｂ間及びＣ
−Ｄ間は第１電極層２，３のために電位差が生じないか
らである。従って、第２電極４，５のＡｇは、第２電極
４，５を包囲している第１電極２，３によってその移動
が阻止され、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
て約９００℃の温度で３０分間焼付け処理が行なわれ
る。こうして得られるサーミスタ素子は、サーミスタ素
体１の外周面に絶縁性膜を被覆するという煩雑な作業を
省略できるので、安価に製造することができる。また、
第１電極２，３はＡｇを含まない導電性材料からなるの
で、第２電極４と５の間に電位差が生じても第２電極
４，５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生し
ない。これは、図２に示すように、第２電極４，５のそ
れぞれの外周端をＡ，Ｄ、サーミスタ素体１の外周端面
の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サーミス
タ素体１が有する抵抗成分による電位差はサーミスタ素
体１の表面上のＢ−Ｃ間にのみ発生し、Ａ−Ｂ間及びＣ
−Ｄ間は第１電極層２，３のために電位差が生じないか
らである。従って、第２電極４，５のＡｇは、第２電極
４，５を包囲している第１電極２，３によってその移動
が阻止され、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
【００１１】［第２実施例、図３及び図４］図３及び図
４に示すように、円盤状サーミスタ素体１１の表裏面の
それぞれの外周縁部には円環形状の第１電極１２，１３
が設けられている。さらに、サーミスタ素体１１の表裏
面のそれぞれの中央部には第２電極１４，１５が設けら
れている。第２電極１４，１５とサーミスタ素体１１は
オーム接触している。第２電極１４，１５の外周端部は
それぞれ第１電極１２，１３の内周端部に重なってい
る。
４に示すように、円盤状サーミスタ素体１１の表裏面の
それぞれの外周縁部には円環形状の第１電極１２，１３
が設けられている。さらに、サーミスタ素体１１の表裏
面のそれぞれの中央部には第２電極１４，１５が設けら
れている。第２電極１４，１５とサーミスタ素体１１は
オーム接触している。第２電極１４，１５の外周端部は
それぞれ第１電極１２，１３の内周端部に重なってい
る。
【００１２】以上の構成からなるサーミスタ素子は、前
記第１実施例のサーミスタ素子と同様の作用効果を奏す
る。
記第１実施例のサーミスタ素子と同様の作用効果を奏す
る。
【００１３】［第３実施例、図５及び図６］図５及び図
６に示すように、円盤状サーミスタ素体２１の表裏面の
それぞれの外周縁部には円環形状の第１電極２２，２３
が設けられている。サーミスタ素体２１の表裏面のそれ
ぞれの中央部には第２電極２４，２５が設けられてい
る。第２電極２４，２５とサーミスタ素体２１はオーム
接触している。第２電極２４，２５の外周端と第１電極
２２，２３の内周端の間にはギャップが形成されてい
る。
６に示すように、円盤状サーミスタ素体２１の表裏面の
それぞれの外周縁部には円環形状の第１電極２２，２３
が設けられている。サーミスタ素体２１の表裏面のそれ
ぞれの中央部には第２電極２４，２５が設けられてい
る。第２電極２４，２５とサーミスタ素体２１はオーム
接触している。第２電極２４，２５の外周端と第１電極
２２，２３の内周端の間にはギャップが形成されてい
る。
【００１４】以上の構成からなるサーミスタ素子は、第
２電極２４と２５の間に電位差が生じても第２電極２
４，２５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生
しない。これは、図６に示すように、第２電極の２４，
２５のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、第１電極２２，２３
のそれぞれの内周端をＥ，Ｆ、サーミスタ素体２１の外
周端面の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サ
ーミスタ素体２１が有する抵抗成分による電位差はサー
ミスタ素体１の表面上のＡ−Ｅ間とＢ−Ｃ間とＦ−Ｄ間
に発生し、Ｂ−Ｅ間及びＣ−Ｆ間は第１電極２２，２３
のために電位差が生じないからである。第２電極２４，
２５のＡｇは、Ａ−Ｅ間あるいはＦ−Ｄ間を移動して
も、第１電極２２，２３によってその移動が阻止される
ので、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
２電極２４と２５の間に電位差が生じても第２電極２
４，２５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生
しない。これは、図６に示すように、第２電極の２４，
２５のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、第１電極２２，２３
のそれぞれの内周端をＥ，Ｆ、サーミスタ素体２１の外
周端面の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サ
ーミスタ素体２１が有する抵抗成分による電位差はサー
ミスタ素体１の表面上のＡ−Ｅ間とＢ−Ｃ間とＦ−Ｄ間
に発生し、Ｂ−Ｅ間及びＣ−Ｆ間は第１電極２２，２３
のために電位差が生じないからである。第２電極２４，
２５のＡｇは、Ａ−Ｅ間あるいはＦ−Ｄ間を移動して
も、第１電極２２，２３によってその移動が阻止される
ので、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
【００１５】なお、本発明に係るサーミスタ素子は前記
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変形することができる。
実施例に限定するものではなく、その要旨の範囲内で種
々に変形することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明に
よれば、サーミスタ素体の表裏面にそれぞれ第１及び第
２電極を設ければよく、従来のサーミスタ素子のように
サーミスタ素体の外周面に絶縁性膜を被覆するという煩
雑な作業を省略することができるので、製造コストを下
げることができる。
よれば、サーミスタ素体の表裏面にそれぞれ第１及び第
２電極を設ければよく、従来のサーミスタ素子のように
サーミスタ素体の外周面に絶縁性膜を被覆するという煩
雑な作業を省略することができるので、製造コストを下
げることができる。
【００１７】また、Ａｇを含まない導電性材料からなる
第１電極がサーミスタ素体の表裏面のそれぞれの外周縁
部に設けられ、かつ、Ａｇを主成分とする導電性材料か
らなる第２電極がサーミスタ素体の表裏面のそれぞれの
少なくとも中央部に設けられているので、第２電極間に
電位差が生じても第１電極によって第２電極のＡｇのマ
イグレーションが阻止され、絶縁信頼性の高いサーミス
タ素子が得られる。
第１電極がサーミスタ素体の表裏面のそれぞれの外周縁
部に設けられ、かつ、Ａｇを主成分とする導電性材料か
らなる第２電極がサーミスタ素体の表裏面のそれぞれの
少なくとも中央部に設けられているので、第２電極間に
電位差が生じても第１電極によって第２電極のＡｇのマ
イグレーションが阻止され、絶縁信頼性の高いサーミス
タ素子が得られる。
【図１】本発明に係るサーミスタ素子の第１実施例を示
す斜視図。
す斜視図。
【図２】図１に示したサーミスタ素子の断面図。
【図３】本発明に係るサーミスタ素子の第２実施例を示
す斜視図。
す斜視図。
【図４】図３に示したサーミスタ素子の断面図。
【図５】本発明に係るサーミスタ素子の第３実施例を示
す斜視図。
す斜視図。
【図６】図５に示したサーミスタ素子の断面図。
【図７】従来例を示す斜視図。
【図８】図７に示した従来例の断面図。
【図９】別の従来例を示す斜視図。
【図１０】図９に示した従来例の断面図。
１…サーミスタ素体 ２，３…第１電極 ４，５…第２電極 １１…サーミスタ素体 １２，１３…第１電極 １４，１５…第２電極 ２１…サーミスタ素体 ２２，２３…第１電極 ２４，２５…第２電極
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年１月１２日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１４
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１４】以上の構成からなるサーミスタ素子は、第
２電極２４と２５の間に電位差が生じても第２電極２
４，２５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生
しない。これは、図６に示すように、第２電極の２４，
２５のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、第１電極２２，２３
のそれぞれの内周端をＥ，Ｆ、サーミスタ素体２１の外
周端面の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サ
ーミスタ素体２１が有する抵抗成分による電位差はサー
ミスタ素体２１の表面上のＡ−Ｅ間とＢ−Ｃ間とＦ−Ｄ
間に発生し、Ｂ−Ｅ間及びＣ−Ｆ間は第１電極２２，２
３のために電位差が生じないからである。第２電極２
４，２５のＡｇは、Ａ−Ｅ間あるいはＦ−Ｄ間を移動し
ても、第１電極２２，２３によってその移動が阻止され
るので、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
２電極２４と２５の間に電位差が生じても第２電極２
４，２５を構成しているＡｇのマイグレーションは発生
しない。これは、図６に示すように、第２電極の２４，
２５のそれぞれの外周端をＡ，Ｄ、第１電極２２，２３
のそれぞれの内周端をＥ，Ｆ、サーミスタ素体２１の外
周端面の左右のエッジ部をそれぞれＢ，Ｃとすると、サ
ーミスタ素体２１が有する抵抗成分による電位差はサー
ミスタ素体２１の表面上のＡ−Ｅ間とＢ−Ｃ間とＦ−Ｄ
間に発生し、Ｂ−Ｅ間及びＣ−Ｆ間は第１電極２２，２
３のために電位差が生じないからである。第２電極２
４，２５のＡｇは、Ａ−Ｅ間あるいはＦ−Ｄ間を移動し
ても、第１電極２２，２３によってその移動が阻止され
るので、絶縁信頼性の高いサーミスタ素子となる。
【手続補正２】
【補正対象書類名】図面
【補正対象項目名】図６
【補正方法】変更
【補正内容】
【図６】
Claims (1)
- 【請求項１】 サーミスタ素体と、 前記サーミスタ素体の表裏面のそれぞれの外周縁部に設
けた、Ａｇを含まない導電性材料からなる第１電極と、 前記サーミスタ素体の表裏面のそれぞれの少なくとも中
央部に設けた、Ａｇを主成分とする導電性材料からなる
第２電極と、 を備えたことを特徴とするサーミスタ素子。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7010417A JPH08203703A (ja) | 1995-01-26 | 1995-01-26 | サーミスタ素子 |
| US08/590,484 US6177857B1 (en) | 1995-01-26 | 1996-01-24 | Thermistor device |
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