JPH113805A - 正特性サーミスタ - Google Patents
正特性サーミスタInfo
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- JPH113805A JPH113805A JP15501397A JP15501397A JPH113805A JP H113805 A JPH113805 A JP H113805A JP 15501397 A JP15501397 A JP 15501397A JP 15501397 A JP15501397 A JP 15501397A JP H113805 A JPH113805 A JP H113805A
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- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】フラッシュ耐圧が大きい正特性サーミスタを提
供することにある。 【解決手段】正特性サーミスタは、正の抵抗温度特性を
有するセラミック体の厚みがその主面の周縁部の一部が
中央部に比べて厚いサーミスタ素体の両主面に電極が形
成されている。
供することにある。 【解決手段】正特性サーミスタは、正の抵抗温度特性を
有するセラミック体の厚みがその主面の周縁部の一部が
中央部に比べて厚いサーミスタ素体の両主面に電極が形
成されている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、正特性サーミスタ
に関し、特に、過電流保護回路、消磁回路、モータ起動
回路等の回路に用いられ、フラッシュ耐圧の大きな正特
性サーミスタに関するものである。
に関し、特に、過電流保護回路、消磁回路、モータ起動
回路等の回路に用いられ、フラッシュ耐圧の大きな正特
性サーミスタに関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の正特性サーミスタ３１は、図９に
示されるように、板状のサーミスタ素体３２の両主面に
オーミック性の電極３３、３４が形成されたものであ
る。
示されるように、板状のサーミスタ素体３２の両主面に
オーミック性の電極３３、３４が形成されたものであ
る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
正特性サーミスタ３１に電圧を印加すると、印加直後は
正特性サーミスタ３１が低抵抗であるため、突入電流が
多く流れて、ジュール熱によって正特性サーミスタ３１
が高温になり主面と略平行な面で割れる層状割れという
現象が発生する（正特性サーミスタに突入電流を流した
とき、正特性サーミスタが層状割れに至る直前の電圧を
フラッシュ耐圧と呼ぶ）。特に、正特性サーミスタ３１
を小型化すると、フラッシュ耐圧が小さくなるという問
題点を有していた。
正特性サーミスタ３１に電圧を印加すると、印加直後は
正特性サーミスタ３１が低抵抗であるため、突入電流が
多く流れて、ジュール熱によって正特性サーミスタ３１
が高温になり主面と略平行な面で割れる層状割れという
現象が発生する（正特性サーミスタに突入電流を流した
とき、正特性サーミスタが層状割れに至る直前の電圧を
フラッシュ耐圧と呼ぶ）。特に、正特性サーミスタ３１
を小型化すると、フラッシュ耐圧が小さくなるという問
題点を有していた。
【０００４】本発明の目的は、上述の問題点を解消すべ
くなされたもので、フラッシュ耐圧が大きい正特性サー
ミスタを提供することにある。
くなされたもので、フラッシュ耐圧が大きい正特性サー
ミスタを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の正特性サーミスタ素体においては、正の抵
抗温度特性を有するセラミック体の厚みがその主面の周
縁部の一部が中央部に比べて厚いサーミスタ素体の両主
面に電極が形成されている。あるいは、本発明による正
特性サーミスタ素体は、前記正特性サーミスタ素体の両
主面の周縁部の一部が中央部に比べて凸状である。
に、本発明の正特性サーミスタ素体においては、正の抵
抗温度特性を有するセラミック体の厚みがその主面の周
縁部の一部が中央部に比べて厚いサーミスタ素体の両主
面に電極が形成されている。あるいは、本発明による正
特性サーミスタ素体は、前記正特性サーミスタ素体の両
主面の周縁部の一部が中央部に比べて凸状である。
【０００６】さらに、前記正特性サーミスタ素体の周縁
の角部が丸みを帯びていることが好ましい。さらに、前
記正特性サーミスタ素体の周縁部の凸部にこのセラミッ
ク体の厚み方向に主面側から溝が形成されていることが
好ましい。また、前記電極は下層電極と上層電極からな
り、下層電極が前記正特性サーミスタ素体の両主面全面
に形成されていること。さらに、前記上層電極はその周
縁部で下層電極が露出するように前記下層電極より小さ
な平面積からなることが好ましい。また、前記上層電極
は前記正特性サーミスタ素体の凸状の周縁部を除く中央
部に対応する両主面に形成されている。
の角部が丸みを帯びていることが好ましい。さらに、前
記正特性サーミスタ素体の周縁部の凸部にこのセラミッ
ク体の厚み方向に主面側から溝が形成されていることが
好ましい。また、前記電極は下層電極と上層電極からな
り、下層電極が前記正特性サーミスタ素体の両主面全面
に形成されていること。さらに、前記上層電極はその周
縁部で下層電極が露出するように前記下層電極より小さ
な平面積からなることが好ましい。また、前記上層電極
は前記正特性サーミスタ素体の凸状の周縁部を除く中央
部に対応する両主面に形成されている。
【０００７】これにより、正特性サーミスタのフラッシ
ュ耐圧及びＰmax を向上させることができるものであ
る。
ュ耐圧及びＰmax を向上させることができるものであ
る。
【０００８】
【発明の実施の形態】本発明による第１の実施の形態の
正特性サーミスタについて、図１、図２に基づいて説明
する。正特性サーミスタ１は、正特性サーミスタ素体２
の両主面に、オーミック性の例えばＮｉ、Ｉｎ−Ｇａ、
Ａｌ、またはＡｇを主成分とする電極３、４が形成され
たものである。
正特性サーミスタについて、図１、図２に基づいて説明
する。正特性サーミスタ１は、正特性サーミスタ素体２
の両主面に、オーミック性の例えばＮｉ、Ｉｎ−Ｇａ、
Ａｌ、またはＡｇを主成分とする電極３、４が形成され
たものである。
【０００９】正特性サーミスタ素体２は、チタン酸バリ
ウムを主成分とする正特性サーミスタ用セラミック原料
を、成形、焼結した正の抵抗温度特性有する略円板状の
セラミック体からなり、セラミック体の厚みが、その両
主面の異なる周縁部の一部に、中央部に比べて厚い凸状
部５、６、７、８が形成されたものである。
ウムを主成分とする正特性サーミスタ用セラミック原料
を、成形、焼結した正の抵抗温度特性有する略円板状の
セラミック体からなり、セラミック体の厚みが、その両
主面の異なる周縁部の一部に、中央部に比べて厚い凸状
部５、６、７、８が形成されたものである。
【００１０】本発明による第２の実施の形態の正特性サ
ーミスタについて、図３に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
ーミスタについて、図３に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
【００１１】正特性サーミスタ１ａは、正特性サーミス
タ素体２ａの両主面にオーミック性の電極３ａ、４ａが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ａは、
略矩形状のセラミック体からなり、セラミック体の厚み
が、その両主面の対向する周縁部の一部に、中央部に比
べて厚い凸状部５ａ、６ａ、７ａ、８ａが形成されたも
のである。
タ素体２ａの両主面にオーミック性の電極３ａ、４ａが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ａは、
略矩形状のセラミック体からなり、セラミック体の厚み
が、その両主面の対向する周縁部の一部に、中央部に比
べて厚い凸状部５ａ、６ａ、７ａ、８ａが形成されたも
のである。
【００１２】なお、第１および第２の実施の形態の正特
性サーミスタ素体２、２ａの凸状部５〜８、５ａ〜８ａ
は、両主面において互いに対向しない位置、および互い
に対向する位置のものを示したが、これに限定されるも
のではなく、両主面の任意な位置に設けられてもよい。
また、凸状部の数についても上述した実施の形態に限定
されるものではない。
性サーミスタ素体２、２ａの凸状部５〜８、５ａ〜８ａ
は、両主面において互いに対向しない位置、および互い
に対向する位置のものを示したが、これに限定されるも
のではなく、両主面の任意な位置に設けられてもよい。
また、凸状部の数についても上述した実施の形態に限定
されるものではない。
【００１３】本発明による第３の他の実施の形態の正特
性サーミスタについて、図４に基づいて説明する。但
し、前述の実施の形態と同様部分については、同様の符
号を付し、詳細な説明を省略する。
性サーミスタについて、図４に基づいて説明する。但
し、前述の実施の形態と同様部分については、同様の符
号を付し、詳細な説明を省略する。
【００１４】正特性サーミスタ１ｂは、正特性サーミス
タ素体２ｂの両主面にオーミック性の電極３ｂ、４ｂが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｂは、
略円形状のセラミック体からなり、セラミック体の厚み
が、その両主面の対向する周縁部に、切り欠き９、１０
を除いて中央部に比べて厚い凸状部５ｂ、７ｂが形成さ
れたものである。
タ素体２ｂの両主面にオーミック性の電極３ｂ、４ｂが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｂは、
略円形状のセラミック体からなり、セラミック体の厚み
が、その両主面の対向する周縁部に、切り欠き９、１０
を除いて中央部に比べて厚い凸状部５ｂ、７ｂが形成さ
れたものである。
【００１５】切り欠き９、１０は、正特性サーミスタ素
体２ｂの両主面に図示しないリード線を接続する場合
に、リード線を嵌入させることによって、正特性サーミ
スタ素体２ｂの表面に接続しやすくするためのものであ
る。
体２ｂの両主面に図示しないリード線を接続する場合
に、リード線を嵌入させることによって、正特性サーミ
スタ素体２ｂの表面に接続しやすくするためのものであ
る。
【００１６】本発明による第４の実施の形態の正特性サ
ーミスタについて、図５に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
ーミスタについて、図５に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
【００１７】正特性サーミスタ１ｃは、正特性サーミス
タ素体２ｃの両主面にオーミック性の電極３ｃ、４ｃが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｃは、
図３に示した正特性サーミスタ素体２ａの両主面の角部
に丸み１１、１２が形成されたものである。つまり、略
矩形状のセラミック体の両主面の対向する周縁部の一部
に、凸状部５ｃ、６ｃ、７ｃ、８ｃが形成されており、
この凸状部５ｃ〜８ｃの角部およびこの凸状部５ｃ〜８
ｃより厚みが薄い両主面の角部に丸み１１、１２が形成
されている。
タ素体２ｃの両主面にオーミック性の電極３ｃ、４ｃが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｃは、
図３に示した正特性サーミスタ素体２ａの両主面の角部
に丸み１１、１２が形成されたものである。つまり、略
矩形状のセラミック体の両主面の対向する周縁部の一部
に、凸状部５ｃ、６ｃ、７ｃ、８ｃが形成されており、
この凸状部５ｃ〜８ｃの角部およびこの凸状部５ｃ〜８
ｃより厚みが薄い両主面の角部に丸み１１、１２が形成
されている。
【００１８】電極３ｃ、４ｃは、正特性サーミスタ素体
２ｃの両主面全面に形成されたＮｉからなる下層電極１
３、１４と、さらにこの下層電極１３、１４の周縁から
ギャップＧを設けて周縁部の下層電極１３、１４が露出
するように形成されたＡｇからなる上層電極１４、１５
の２層から構成されたものである。
２ｃの両主面全面に形成されたＮｉからなる下層電極１
３、１４と、さらにこの下層電極１３、１４の周縁から
ギャップＧを設けて周縁部の下層電極１３、１４が露出
するように形成されたＡｇからなる上層電極１４、１５
の２層から構成されたものである。
【００１９】なお、図５に示した上層電極１５、１６
は、凸状部５ｃ〜８ｃを除く中央部に対応する両主面に
形成されたものであるが、この他に図示しないが、ギャ
ップＧがこれより小さく、上層電極１５、１６が凸状部
５ｃ〜８ｃを越えてセラミック素体２ｃの周縁側に近づ
いて形成されてもよい。
は、凸状部５ｃ〜８ｃを除く中央部に対応する両主面に
形成されたものであるが、この他に図示しないが、ギャ
ップＧがこれより小さく、上層電極１５、１６が凸状部
５ｃ〜８ｃを越えてセラミック素体２ｃの周縁側に近づ
いて形成されてもよい。
【００２０】本発明による第５の実施の形態の正特性サ
ーミスタについて、図６に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
ーミスタについて、図６に基づいて説明する。但し、前
述の実施の形態と同様部分については、同様の符号を付
し、詳細な説明を省略する。
【００２１】正特性サーミスタ１ｄは、正特性サーミス
タ素体２ｄの両主面にオーミック性の電極３ｄ、４ｄが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｄは、
図３に示した正特性サーミスタ素体２ａの周縁部に溝１
７、１８，１９，２０が形成されたものでる。つまり、
正特性サーミスタ素体２ｄは、略矩形状のセラミック体
からなり、セラミック体の厚みが、その両主面の対向す
る周縁部の一部に、中央部に比べて厚い凸状部５ｄ〜８
ｄが形成されており、この凸状部５ｄ〜８ｄの厚み方向
に溝１７〜２０が形成されている。
タ素体２ｄの両主面にオーミック性の電極３ｄ、４ｄが
形成されたものである。正特性サーミスタ素体２ｄは、
図３に示した正特性サーミスタ素体２ａの周縁部に溝１
７、１８，１９，２０が形成されたものでる。つまり、
正特性サーミスタ素体２ｄは、略矩形状のセラミック体
からなり、セラミック体の厚みが、その両主面の対向す
る周縁部の一部に、中央部に比べて厚い凸状部５ｄ〜８
ｄが形成されており、この凸状部５ｄ〜８ｄの厚み方向
に溝１７〜２０が形成されている。
【００２２】なお、図３に示した第２の実施の形態の正
特性サーミスタ２ａに基づいて、正特性サーミスタ素体
２ａの周縁部に溝１７〜２０を形成した例を示したが、
これに限定されるものではなく、他の実施の形態の正特
性サーミスタ素体の周縁部に溝を形成したものであって
もよい。
特性サーミスタ２ａに基づいて、正特性サーミスタ素体
２ａの周縁部に溝１７〜２０を形成した例を示したが、
これに限定されるものではなく、他の実施の形態の正特
性サーミスタ素体の周縁部に溝を形成したものであって
もよい。
【００２３】
【実施例１】本発明による正特性サーミスタの実施例１
として、図１に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
両主面間の厚さＴが３．０ｍｍ、凸状部５〜８を含む高
さＨが４．０ｍｍ、凸状部５〜８の幅ｈが１．０ｍｍ、
凸状部５〜８の弧長の中心角αが９０°の略円板状の正
特性サーミスタ素体２を準備し、両主面にＩｎ−Ｇａか
らなる電極３、４を形成して、正特性サーミスタ１を得
た。この正特性サーミスタ１のフラッシュ耐圧を測定し
た結果を表１に記す。なお、実施例１の正特性サーミス
タ１のキュリー温度は１２０℃、常温における抵抗値は
２３Ωであった。
として、図１に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
両主面間の厚さＴが３．０ｍｍ、凸状部５〜８を含む高
さＨが４．０ｍｍ、凸状部５〜８の幅ｈが１．０ｍｍ、
凸状部５〜８の弧長の中心角αが９０°の略円板状の正
特性サーミスタ素体２を準備し、両主面にＩｎ−Ｇａか
らなる電極３、４を形成して、正特性サーミスタ１を得
た。この正特性サーミスタ１のフラッシュ耐圧を測定し
た結果を表１に記す。なお、実施例１の正特性サーミス
タ１のキュリー温度は１２０℃、常温における抵抗値は
２３Ωであった。
【００２４】
【実施例２】本発明による正特性サーミスタの実施例２
として、図４に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
両主面間の厚さＴが３．０ｍｍ、凸状部５ｂ、７ｂを含
む高さＨが４．０ｍｍ、凸状部５ｂ、７ｂの幅ｈが１．
０ｍｍ、切り欠き９、１０の幅ｈ１が１．０ｍｍの略円
板状の正特性サーミスタ素体２ｂを準備し、両主面に実
施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３ｂ、４ｂを形
成して、正特性サーミスタ１ｂを得た。この正特性サー
ミスタ１ｂのフラッシュ耐圧を測定した結果を表１に記
す。なお、実施例２の正特性サーミスタ１ｂは、実施例
１と同様にキュリー温度が１２０℃、常温における抵抗
値が２３Ωであった。
として、図４に示されるように、外径がφ８．２ｍｍ、
両主面間の厚さＴが３．０ｍｍ、凸状部５ｂ、７ｂを含
む高さＨが４．０ｍｍ、凸状部５ｂ、７ｂの幅ｈが１．
０ｍｍ、切り欠き９、１０の幅ｈ１が１．０ｍｍの略円
板状の正特性サーミスタ素体２ｂを準備し、両主面に実
施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３ｂ、４ｂを形
成して、正特性サーミスタ１ｂを得た。この正特性サー
ミスタ１ｂのフラッシュ耐圧を測定した結果を表１に記
す。なお、実施例２の正特性サーミスタ１ｂは、実施例
１と同様にキュリー温度が１２０℃、常温における抵抗
値が２３Ωであった。
【００２５】
【従来例１】比較のために、従来例１として、図９に示
されるような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さＴが
３ｍｍの円板状の正特性サーミスタ素体３２を準備し、
両主面に実施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３
３、３４を形成して、正特性サーミスタ３１を得た。こ
の正特性サーミスタ３１のフラッシュ耐圧を測定した結
果を表１に記す。
されるような、外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さＴが
３ｍｍの円板状の正特性サーミスタ素体３２を準備し、
両主面に実施例１と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３
３、３４を形成して、正特性サーミスタ３１を得た。こ
の正特性サーミスタ３１のフラッシュ耐圧を測定した結
果を表１に記す。
【００２６】なお、従来例１の正特性サーミスタ３１
は、実施例１、２の正特性サーミスタ１、１ｂと同様に
キュリー温度が１２０℃、常温における抵抗値が２３Ω
であった。
は、実施例１、２の正特性サーミスタ１、１ｂと同様に
キュリー温度が１２０℃、常温における抵抗値が２３Ω
であった。
【００２７】
【表１】
【００２８】表１を見れば明らかなように、実施例１お
よび実施例２のフラッシュ耐圧は最小値および平均とも
に従来例１のフラッシュ耐圧より大幅に向上した。な
お、フラッシュ耐圧試験において、実施例２の正特性サ
ーミスタ１ｂは、１８個中８個、８１０Ｖで破壊しなか
ったため、８１０Ｖとして平均値を求めた。
よび実施例２のフラッシュ耐圧は最小値および平均とも
に従来例１のフラッシュ耐圧より大幅に向上した。な
お、フラッシュ耐圧試験において、実施例２の正特性サ
ーミスタ１ｂは、１８個中８個、８１０Ｖで破壊しなか
ったため、８１０Ｖとして平均値を求めた。
【００２９】
【実施例３】実施例３は、実施例１と異なる主原料を用
いて前述の実施例１と同一形状の正特性サーミスタ素体
２を準備し、両主面に実施例１と同一のＩｎ−Ｇａから
なる電極３、４を形成して、正特性サーミスタ１を得
た。実施例３の正特性サーミスタ１のキュリー温度は７
０℃、常温における抵抗値は９Ωであった。
いて前述の実施例１と同一形状の正特性サーミスタ素体
２を準備し、両主面に実施例１と同一のＩｎ−Ｇａから
なる電極３、４を形成して、正特性サーミスタ１を得
た。実施例３の正特性サーミスタ１のキュリー温度は７
０℃、常温における抵抗値は９Ωであった。
【００３０】実施例３の正特性サーミスタ１についてフ
ラッシュ耐圧及びＰmax を測定した結果を表２に記す。
更に、正特性サーミスタ１の体積を計算によって求めた
結果を表２に記す。
ラッシュ耐圧及びＰmax を測定した結果を表２に記す。
更に、正特性サーミスタ１の体積を計算によって求めた
結果を表２に記す。
【００３１】
【実施例４】実施例４は、実施例３と同一の主原料を用
いて前述の実施例２と同一形状の正特性サーミスタ素体
２ｂを準備し、両主面に実施例３と同様のＩｎ−Ｇａか
らなる電極３ｂ、４ｂを形成して、正特性サーミスタ１
ｂを得た。実施例４の正特性サーミスタ１ｂは、実施例
３と同じキュリー温度が７０℃、常温における抵抗値が
９Ωであった。
いて前述の実施例２と同一形状の正特性サーミスタ素体
２ｂを準備し、両主面に実施例３と同様のＩｎ−Ｇａか
らなる電極３ｂ、４ｂを形成して、正特性サーミスタ１
ｂを得た。実施例４の正特性サーミスタ１ｂは、実施例
３と同じキュリー温度が７０℃、常温における抵抗値が
９Ωであった。
【００３２】実施例４の正特性サーミスタ１ｂについて
も、実施例３と同様に、フラッシュ耐圧及びＰmax を測
定した結果、および、正特性サーミスタ１ｂの体積を表
２に記す。
も、実施例３と同様に、フラッシュ耐圧及びＰmax を測
定した結果、および、正特性サーミスタ１ｂの体積を表
２に記す。
【００３３】
【従来例２】比較のために、従来例２として、実施例
３、４と同一の主原料を用いて図９に示されるような、
外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さＴが３ｍｍの円板状
の正特性サーミスタ素体３２を準備し、両主面に実施例
３、４と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３３、３４を形
成して、正特性サーミスタ３１を得た。この従来例２の
正特性サーミスタ３１を実施例３、４と同一の測定を
し、結果を表２に記す。なお、従来例２の正特性サーミ
スタ３１のキュリー温度および常温における抵抗値は、
実施例３、４と同一であった。なお、上述した実施例１
〜４および従来例１、２の測定試料数はそれぞれ１８個
であった。
３、４と同一の主原料を用いて図９に示されるような、
外径がφ８．２ｍｍ、両主面の厚さＴが３ｍｍの円板状
の正特性サーミスタ素体３２を準備し、両主面に実施例
３、４と同様にＩｎ−Ｇａからなる電極３３、３４を形
成して、正特性サーミスタ３１を得た。この従来例２の
正特性サーミスタ３１を実施例３、４と同一の測定を
し、結果を表２に記す。なお、従来例２の正特性サーミ
スタ３１のキュリー温度および常温における抵抗値は、
実施例３、４と同一であった。なお、上述した実施例１
〜４および従来例１、２の測定試料数はそれぞれ１８個
であった。
【００３４】ここでＰmax について説明すると、正特性
サーミスタを用いた消磁用回路に電流を流すと、正特性
サーミスタの働きによって消磁コイルに図７に示すよう
な交番減衰電流が流れる。この交番減衰電流の隣り合う
ピーク値の差を包絡線変化量Ｐと呼び、包絡線変化量Ｐ
の最大値をＰmax と呼ぶ。
サーミスタを用いた消磁用回路に電流を流すと、正特性
サーミスタの働きによって消磁コイルに図７に示すよう
な交番減衰電流が流れる。この交番減衰電流の隣り合う
ピーク値の差を包絡線変化量Ｐと呼び、包絡線変化量Ｐ
の最大値をＰmax と呼ぶ。
【００３５】Ｐmax の測定条件は、図８に示すように、
消磁コイルの代替として２０Ωの抵抗７３を用い、この
抵抗７３と正特性サーミスタ７４との直列回路にＡＣ２
００Ｖ、６０Ｈｚの電圧７５を印加した。
消磁コイルの代替として２０Ωの抵抗７３を用い、この
抵抗７３と正特性サーミスタ７４との直列回路にＡＣ２
００Ｖ、６０Ｈｚの電圧７５を印加した。
【００３６】
【表２】
【００３７】表２において、従来例２と比較すれば理解
できるように、正特性サーミスタ素体２、２ｂの主面の
周縁部の一部に凸状部５〜８を設けた実施例３、および
凸状部５ｂ、７ｂを設けた実施例４は、従来例２と比較
してフラッシュ耐圧が大幅に向上すると共に、Ｐmax が
小さくなる。これにより、同じ大きさのフラッシュ耐圧
に耐えるためには、正特性サーミスタ素体の体積を従来
例２より小さくすることが可能となる。なお、フラッシ
ュ耐圧試験において、実施例４の正特性サーミスタ１ｂ
は、１８個中８個、８１０Ｖで破壊しなかったため、８
１０Ｖとして平均値を求めた。
できるように、正特性サーミスタ素体２、２ｂの主面の
周縁部の一部に凸状部５〜８を設けた実施例３、および
凸状部５ｂ、７ｂを設けた実施例４は、従来例２と比較
してフラッシュ耐圧が大幅に向上すると共に、Ｐmax が
小さくなる。これにより、同じ大きさのフラッシュ耐圧
に耐えるためには、正特性サーミスタ素体の体積を従来
例２より小さくすることが可能となる。なお、フラッシ
ュ耐圧試験において、実施例４の正特性サーミスタ１ｂ
は、１８個中８個、８１０Ｖで破壊しなかったため、８
１０Ｖとして平均値を求めた。
【００３８】なお、本発明に係る正特性サーミスタは前
記第１〜第５の実施の形態に限定するものでなく、その
要旨の範囲内で種々に変形することができる。例えば、
正特性サーミスタの形状は、外形が略円板状のもの、お
よび略矩形状の平板状のものを示して説明したが、その
他の任意の形状の略平板状のものでもよいことはいうま
でもない。また、正特性サーミスタ素体の周縁部の一部
に形成する凸状部は、一方の主面に形成されていてもよ
く、又凸状部の位置や大きさも任意に選ぶことができ
る。さらにまた、正特性サーミスタ素体に形成される溝
は、一方の主面に形成されているものでもよく、また、
凸状部又は凸状部が形成されていない切り欠きの主面に
形成されていてもよい。
記第１〜第５の実施の形態に限定するものでなく、その
要旨の範囲内で種々に変形することができる。例えば、
正特性サーミスタの形状は、外形が略円板状のもの、お
よび略矩形状の平板状のものを示して説明したが、その
他の任意の形状の略平板状のものでもよいことはいうま
でもない。また、正特性サーミスタ素体の周縁部の一部
に形成する凸状部は、一方の主面に形成されていてもよ
く、又凸状部の位置や大きさも任意に選ぶことができ
る。さらにまた、正特性サーミスタ素体に形成される溝
は、一方の主面に形成されているものでもよく、また、
凸状部又は凸状部が形成されていない切り欠きの主面に
形成されていてもよい。
【００３９】また、下層電極１３、１４の材質について
は、上述したＩｎ−Ｇａ、Ｎｉ等に限定されるものでな
く、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｒ合金又はオーミックＡｇ等オーミ
ック性を有するものであればよい。また、電極の形成方
法についても、スパッタ、印刷、焼き付け、溶射、めっ
き等いずれの方法であってもよい。
は、上述したＩｎ−Ｇａ、Ｎｉ等に限定されるものでな
く、Ａｌ、Ｃｒ、Ｃｒ合金又はオーミックＡｇ等オーミ
ック性を有するものであればよい。また、電極の形成方
法についても、スパッタ、印刷、焼き付け、溶射、めっ
き等いずれの方法であってもよい。
【００４０】さらに、正特性サーミスタ素体の両主面に
形成される電極は、前述した１層からなるもの、および
２層からなるもの以外に、例えば、下層電極にＣｒ、上
層電極として第２層目にモネル、第３層目にＡｇを主成
分とする３層からなる電極から構成されるもの、および
それ以上の複数層からなる電極から構成されてもよい。
形成される電極は、前述した１層からなるもの、および
２層からなるもの以外に、例えば、下層電極にＣｒ、上
層電極として第２層目にモネル、第３層目にＡｇを主成
分とする３層からなる電極から構成されるもの、および
それ以上の複数層からなる電極から構成されてもよい。
【００４１】
【発明の効果】以上述べたように、本発明による正特性
サーミスタは、電極が形成される正特性サーミスタ素体
の主面の周縁部の一部に凸状部を設けてあるために、フ
ラッシュ耐圧が著しく向上する。さらに、比抵抗を下げ
ることなく電極間距離を大きくすることができるため、
電極間によるスパークの発生が減少する。
サーミスタは、電極が形成される正特性サーミスタ素体
の主面の周縁部の一部に凸状部を設けてあるために、フ
ラッシュ耐圧が著しく向上する。さらに、比抵抗を下げ
ることなく電極間距離を大きくすることができるため、
電極間によるスパークの発生が減少する。
【００４２】また、本発明による正特性サーミスタは、
電極が形成される正特性サーミスタ素体の主面の周縁部
近傍に溝を設けてあるために、フラッシュ耐圧が向上す
る。また、本発明による正特性サーミスタは、Ｐmax を
小さくすることなく、小型、軽量にすることができる。
さらに、本発明による正特性サーミスタは、下層電極と
上層電極との間にギャップを設けてあるために、銀マイ
グレーションが防止される。
電極が形成される正特性サーミスタ素体の主面の周縁部
近傍に溝を設けてあるために、フラッシュ耐圧が向上す
る。また、本発明による正特性サーミスタは、Ｐmax を
小さくすることなく、小型、軽量にすることができる。
さらに、本発明による正特性サーミスタは、下層電極と
上層電極との間にギャップを設けてあるために、銀マイ
グレーションが防止される。
【図１】本発明に係る第１の実施の形態の正特性サーミ
スタ素体１の斜視図である。
スタ素体１の斜視図である。
【図２】図１の正特性サーミスタ１の縦断面図である。
【図３】本発明に係る第２の実施の形態の正特性サーミ
スタ１ａの斜視図である。
スタ１ａの斜視図である。
【図４】本発明に係る第３の実施の形態の正特性サーミ
スタ１ｂの斜視図である。
スタ１ｂの斜視図である。
【図５】本発明に係る第４の実施の形態の正特性サーミ
スタ１ｃの縦断面図である。
スタ１ｃの縦断面図である。
【図６】本発明に係る第５の実施の形態の正特性サーミ
スタ１ｄの縦断面図である。
スタ１ｄの縦断面図である。
【図７】消磁回路の消磁コイルに流れる交番減衰電流を
示す図である。
示す図である。
【図８】Ｐmax を測定する回路図である。
【図９】従来の正特性サーミスタの斜視図である。
１ 正特性サーミスタ ２ 正特性サーミスタ素体 ３、４ 電極 ５、６、７、８ 凸状部 １１、１２ 丸み １３、１４ 下層電極 １５、１６ 上層電極 １７、１８，１９，２０ 溝 Ｇ ギャップ
Claims (8)
- 【請求項１】 正の抵抗温度特性を有するセラミック体
の厚みがその主面の周縁部の一部が中央部に比べて厚い
サーミスタ素体の両主面に電極が形成されていることを
特徴とする正特性サーミスタ。 - 【請求項２】 前記正特性サーミスタ素体の両主面の周
縁部の一部が中央部に比べて凸状であることを特徴とす
る請求項１に記載の正特性サーミスタ。 - 【請求項３】 前記正特性サーミスタ素体の周縁の角部
が丸みを帯びていることを特徴とする請求項１又は２に
記載の正特性サーミスタ。 - 【請求項４】 前記正特性サーミスタ素体の周縁部の凸
部にこのセラミック体の厚み方向に主面側から溝が形成
されていることを特徴とする請求項１、２又は３に記載
の正特性サーミスタ。 - 【請求項５】 前記電極は下層電極と上層電極からな
り、下層電極が前記正特性サーミスタ素体の両主面全面
に形成されていることを特徴とする請求項１に記載の正
特性サーミスタ。 - 【請求項６】 前記上層電極はその周縁部で下層電極が
露出するように前記下層電極より小さな平面積からなる
ことを特徴とする請求項６に記載の正特性サーミスタ。 - 【請求項７】 前記上層電極は前記正特性サーミスタ素
体の凸状の周縁部を除く中央部に対応する両主面に形成
されていることを特徴とする請求項５又は６に記載の正
特性サーミスタ。 - 【請求項８】 前記下層電極はニッケルを主成分とする
金属からなり、前記上層電極は銀を主成分とする金属か
らなることを特徴とする請求項５、６又は７に記載の正
特性サーミスタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15501397A JP3837838B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 正特性サーミスタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15501397A JP3837838B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 正特性サーミスタ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH113805A true JPH113805A (ja) | 1999-01-06 |
| JP3837838B2 JP3837838B2 (ja) | 2006-10-25 |
Family
ID=15596780
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15501397A Expired - Fee Related JP3837838B2 (ja) | 1997-06-12 | 1997-06-12 | 正特性サーミスタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3837838B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697918B1 (ko) | 2005-01-12 | 2007-03-20 | 엘에스전선 주식회사 | 섬락 방지 구조를 갖는 ｐｔｃ 한류기 |
-
1997
- 1997-06-12 JP JP15501397A patent/JP3837838B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100697918B1 (ko) | 2005-01-12 | 2007-03-20 | 엘에스전선 주식회사 | 섬락 방지 구조를 갖는 ｐｔｃ 한류기 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3837838B2 (ja) | 2006-10-25 |
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