JPH0818304A - 二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器 - Google Patents
二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器Info
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- JPH0818304A JPH0818304A JP16733694A JP16733694A JPH0818304A JP H0818304 A JPH0818304 A JP H0818304A JP 16733694 A JP16733694 A JP 16733694A JP 16733694 A JP16733694 A JP 16733694A JP H0818304 A JPH0818304 A JP H0818304A
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Landscapes
- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】温度特性が良好安定で、耐震性に優れた帯域通
過ろ波器を実現する。 【構成】直径が比較的大なる部分より成る共振素子本体
２Ｒと、直径が比較的小なる部分２Ｓより成る支持部
と、フランジ部２Ｆとを、同一固体誘電体材で一体にま
とめて、二重モ−ド誘電体共振素子２を形成してある。
二重モ−ド誘電体共振素子２のフランジ部２Ｆを、外部
導体の端壁１４及び隔壁に取り付けてある。外部導体の
円筒状側壁１１に、Ｈモ−ド及びＶモ−ドの各共振周波
数微調整素子５，６、モ−ド間結合調整素子７、入出力
結合素子３を取り付けてある。
過ろ波器を実現する。 【構成】直径が比較的大なる部分より成る共振素子本体
２Ｒと、直径が比較的小なる部分２Ｓより成る支持部
と、フランジ部２Ｆとを、同一固体誘電体材で一体にま
とめて、二重モ−ド誘電体共振素子２を形成してある。
二重モ−ド誘電体共振素子２のフランジ部２Ｆを、外部
導体の端壁１４及び隔壁に取り付けてある。外部導体の
円筒状側壁１１に、Ｈモ−ド及びＶモ−ドの各共振周波
数微調整素子５，６、モ−ド間結合調整素子７、入出力
結合素子３を取り付けてある。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、極超短波帯（ＵＨＦ）
ないしセンチ波帯（ＳＨＦ）における無線通信装置又は
放送装置等の各種通信機器の構成素子として好適な、二
重モ−ド誘電体共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器
に関するものである。
ないしセンチ波帯（ＳＨＦ）における無線通信装置又は
放送装置等の各種通信機器の構成素子として好適な、二
重モ−ド誘電体共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器
に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２３（ａ）は、従来の二重モ−ド誘電
体共振器より成る帯域通過ろ波器を示す断面図［図２３
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図］、図２３（ｂ）は、図２３
（ａ）のＡ−Ａ端面図、図２３（ｃ）は、図２３（ａ）
のＢ−Ｂ端面図で、11及び12は外部導体の円筒状側壁、
13及び14は外部導体の端壁、121 及び122 は二重モ−ド
誘電体共振素子、131 ないし134 は船形の支持体で、例
えばポリテトラフルオロエチレン（所謂テフロン）又は
ポリスチレン等の誘電率の低い固体誘電体より成る。外
部導体の円筒状側壁11と支持体131 及び132 との間、外
部導体の円筒状側壁12と支持体133 及び134 との間は、
適当な接着剤で接着固定してある。51、52及び53、54は
Ｈモ−ドの共振周波数微調整素子、61、62及び63、64は
Ｖモ−ドの共振周波数微調整素子、71、72及び73、74は
モ−ド間結合調整素子で、素子51及び52の共通軸芯と素
子61及び62の共通軸芯が互いに直交し、素子53及び54の
共通軸芯と素子63及び64の共通軸芯が互いに直交し、素
子71及び72の共通軸芯と素子73及び74の共通軸芯が互い
に直交すると共に、素子51及び52の共通軸芯と素子71及
び72の共通軸芯が45°の角度差で交差するように取り付
けてある。8Vは入力（又は出力）結合ル−プ、4Vは入力
（又は出力）端子、82V は出力（又は入力）結合ル−
プ、42V は出力（又は入力）端子、15は隔壁、９は段間
結合孔隙である。図２４は、従来の分波器を示す図で、
F1及びF2はそれぞれ従来の帯域通過ろ波器で、各通過中
心周波数を互いに適宜異ならせてある。L1及びL2は、帯
域通過ろ波器F1及びF2の各入出力端子をＴ型コネクタTC
に接続する接続線、CAは共通の空中線等に接続されるケ
−ブルである。
体共振器より成る帯域通過ろ波器を示す断面図［図２３
（ｂ）のＣ−Ｃ断面図］、図２３（ｂ）は、図２３
（ａ）のＡ−Ａ端面図、図２３（ｃ）は、図２３（ａ）
のＢ−Ｂ端面図で、11及び12は外部導体の円筒状側壁、
13及び14は外部導体の端壁、121 及び122 は二重モ−ド
誘電体共振素子、131 ないし134 は船形の支持体で、例
えばポリテトラフルオロエチレン（所謂テフロン）又は
ポリスチレン等の誘電率の低い固体誘電体より成る。外
部導体の円筒状側壁11と支持体131 及び132 との間、外
部導体の円筒状側壁12と支持体133 及び134 との間は、
適当な接着剤で接着固定してある。51、52及び53、54は
Ｈモ−ドの共振周波数微調整素子、61、62及び63、64は
Ｖモ−ドの共振周波数微調整素子、71、72及び73、74は
モ−ド間結合調整素子で、素子51及び52の共通軸芯と素
子61及び62の共通軸芯が互いに直交し、素子53及び54の
共通軸芯と素子63及び64の共通軸芯が互いに直交し、素
子71及び72の共通軸芯と素子73及び74の共通軸芯が互い
に直交すると共に、素子51及び52の共通軸芯と素子71及
び72の共通軸芯が45°の角度差で交差するように取り付
けてある。8Vは入力（又は出力）結合ル−プ、4Vは入力
（又は出力）端子、82V は出力（又は入力）結合ル−
プ、42V は出力（又は入力）端子、15は隔壁、９は段間
結合孔隙である。図２４は、従来の分波器を示す図で、
F1及びF2はそれぞれ従来の帯域通過ろ波器で、各通過中
心周波数を互いに適宜異ならせてある。L1及びL2は、帯
域通過ろ波器F1及びF2の各入出力端子をＴ型コネクタTC
に接続する接続線、CAは共通の空中線等に接続されるケ
−ブルである。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図２３に示した従来の
二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器におい
ては、誘電率の低い固体誘電体より成る支持体131 ない
し134 によって、二重モ−ド誘電体共振素子121 及び12
2 を所要箇所に支持するように構成してあるが、一般
に、低誘電率の固体誘電体は温度変化に対する線膨張係
数が大で、又、誘電率の温度特性に劣るため、このよう
な固体誘電体によって共振素子を支持するように構成し
た従来の共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器は、温
度特性を良好安定にすることが極めて困難である。又、
上記従来の共振器を用いて分波器を構成するときは、温
度特性を良好安定にすることが極めて困難なばかりでな
く、図２４に示した帯域通過ろ波器F1の入出力結合ル−
プの接地端から入出力結合ル−プ及び接続線L1を経由し
てＴ型コネクタTCの分岐点に到る長さを電気長で、帯域
通過ろ波器F2の通過中心周波数に対応する波長の1/4 又
はその奇数倍に形成すると共に、帯域通過ろ波器F2の入
出力結合ル−プの接地端から入出力結合ル−プ及び接続
線L2を経由してＴ型コネクタTCの分岐点に到る長さを電
気長で、帯域通過ろ波器F1の通過中心周波数に対応する
波長の1/4 又はその奇数倍に形成する必要がある。即
ち、従来の分波器においては、互いに長さの異なる外付
けの接続線L1及びL2を必要とするから全体が複雑大型と
なるのを避けることができない。
二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器におい
ては、誘電率の低い固体誘電体より成る支持体131 ない
し134 によって、二重モ−ド誘電体共振素子121 及び12
2 を所要箇所に支持するように構成してあるが、一般
に、低誘電率の固体誘電体は温度変化に対する線膨張係
数が大で、又、誘電率の温度特性に劣るため、このよう
な固体誘電体によって共振素子を支持するように構成し
た従来の共振器を用いて構成した帯域通過ろ波器は、温
度特性を良好安定にすることが極めて困難である。又、
上記従来の共振器を用いて分波器を構成するときは、温
度特性を良好安定にすることが極めて困難なばかりでな
く、図２４に示した帯域通過ろ波器F1の入出力結合ル−
プの接地端から入出力結合ル−プ及び接続線L1を経由し
てＴ型コネクタTCの分岐点に到る長さを電気長で、帯域
通過ろ波器F2の通過中心周波数に対応する波長の1/4 又
はその奇数倍に形成すると共に、帯域通過ろ波器F2の入
出力結合ル−プの接地端から入出力結合ル−プ及び接続
線L2を経由してＴ型コネクタTCの分岐点に到る長さを電
気長で、帯域通過ろ波器F1の通過中心周波数に対応する
波長の1/4 又はその奇数倍に形成する必要がある。即
ち、従来の分波器においては、互いに長さの異なる外付
けの接続線L1及びL2を必要とするから全体が複雑大型と
なるのを避けることができない。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、直径の比較的
大なる部分より成る共振素子本体と、直径の比較的小な
る部分より成る支持部と、この支持部を介して共振素子
本体と反対側に設けられ、有底円筒状外部導体の端壁又
は外部導体の軸方向の中間部に設けられる隔壁に取り付
けられるフランジ部とを、同一固体誘電体材で一体に形
成して成る二重モ−ド誘電体共振素子を備えた二重モ−
ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器を実現すること
により、従来の帯域通過ろ波器における上記欠点を除こ
うとするものである。
大なる部分より成る共振素子本体と、直径の比較的小な
る部分より成る支持部と、この支持部を介して共振素子
本体と反対側に設けられ、有底円筒状外部導体の端壁又
は外部導体の軸方向の中間部に設けられる隔壁に取り付
けられるフランジ部とを、同一固体誘電体材で一体に形
成して成る二重モ−ド誘電体共振素子を備えた二重モ−
ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器を実現すること
により、従来の帯域通過ろ波器における上記欠点を除こ
うとするものである。
【０００５】
【実施例】図１（ａ）は、本発明の一実施例を示す断面
図［図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ端面図で、11は外部導体の円筒状側壁、
13及び14は外部導体の端壁、２は二重モ−ド誘電体共振
素子で、図１（ｃ）に示すように、円柱状の共振素子本
体2R、本体2Rより直径の小なる支持部2S及びフランジ部
2Fより成ると共に、これらは同一の固体誘電体材で一体
に形成され、本体2Rの直径Ｄと軸長Ｈの積Ｄ×Ｈは、本
体2R、支持部2S及びフランジ部2Fを一体に形成する固体
誘電体の材質、比誘電率、使用モ−ド及び共振周波数等
に応じて定められる。即ち、上記本体2Rの直径Ｄと軸長
Ｈの積Ｄ×Ｈを適当に選ぶことによって、図２に電磁界
分布を示すようなEH11テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子、又
は図３に電磁界分布を示すようなHE11テ゛ルタ モ−ド誘電
体共振素子を形成することができる。図２及び図３にお
いて、矢印を付した実線は電界分布を示し、矢印を付し
た破線は磁界分布を示す。図２（ａ）及び図３（ａ）
は、共振素子本体2R部分のみを側面から見た図、図２
（ｂ）及び図３（ｂ）は、共振素子本体2R部分を正面か
ら見た図、即ち、図１（Ｃ）の左側から見た図である。
図１（ｃ）に示した支持部2Sの直径ｄを λ/(２ε1/2)
＞ｄ となるように定めると、支持部2Sは遮断領域とな
り、支持部2Sが共振作用に影響を与えるおそれはほとん
どない。支持部2Sの直径ｄは、上記条件の他、共振素子
本体2Rを支持するのに十分な機械的強度を持たせること
も考慮に入れて定める。フランジ部2Fの周辺部には、止
め螺子の挿通孔を適宜数穿ち、図１（ａ）に示すよう
に、外部導体の端壁14（又は13）に止め螺子によってフ
ランジ部2Fを固定し、共振素子２を所要位置に支持させ
る。次に、3Hは入力（又は出力）結合容量素子、3Vは出
力（又は入力）結合容量素子で、それぞれ例えばプロ−
ブより成る。4Hは入力（又は出力）端子、4Vは出力（又
は入力）端子で、それぞれ例えば同軸接栓より成る。52
はＨモ−ドの共振周波数微調整素子、62はＶモ−ドの共
振周波数微調整素子、71及び72はモ−ド間結合調整素子
である。素子3H及び素子52の共通軸芯と素子3V及び素子
62の共通軸芯とが互いに直交すると共に、素子71及び72
の共通軸芯と素子3H及び素子52の共通軸芯とが45°の角
度差で交差するように設けてある。素子52、62、71及び
72等は、外部導体内への挿入長（以下、管内挿入長と称
する）を自在かつ微細に調整でき、所要の管内挿入長に
おいて固定可能な、例えば外部導体の円筒状側壁に螺合
させた金属螺子及びロックナットより成る。この点は、
以下、詳述する各実施例における共振周波数微細調整素
子及びモ−ド間結合調整素子についても同様である。
図［図１（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図１（ｂ）は、図１
（ａ）のＡ−Ａ端面図で、11は外部導体の円筒状側壁、
13及び14は外部導体の端壁、２は二重モ−ド誘電体共振
素子で、図１（ｃ）に示すように、円柱状の共振素子本
体2R、本体2Rより直径の小なる支持部2S及びフランジ部
2Fより成ると共に、これらは同一の固体誘電体材で一体
に形成され、本体2Rの直径Ｄと軸長Ｈの積Ｄ×Ｈは、本
体2R、支持部2S及びフランジ部2Fを一体に形成する固体
誘電体の材質、比誘電率、使用モ−ド及び共振周波数等
に応じて定められる。即ち、上記本体2Rの直径Ｄと軸長
Ｈの積Ｄ×Ｈを適当に選ぶことによって、図２に電磁界
分布を示すようなEH11テ゛ルタ モ−ド誘電体共振素子、又
は図３に電磁界分布を示すようなHE11テ゛ルタ モ−ド誘電
体共振素子を形成することができる。図２及び図３にお
いて、矢印を付した実線は電界分布を示し、矢印を付し
た破線は磁界分布を示す。図２（ａ）及び図３（ａ）
は、共振素子本体2R部分のみを側面から見た図、図２
（ｂ）及び図３（ｂ）は、共振素子本体2R部分を正面か
ら見た図、即ち、図１（Ｃ）の左側から見た図である。
図１（ｃ）に示した支持部2Sの直径ｄを λ/(２ε1/2)
＞ｄ となるように定めると、支持部2Sは遮断領域とな
り、支持部2Sが共振作用に影響を与えるおそれはほとん
どない。支持部2Sの直径ｄは、上記条件の他、共振素子
本体2Rを支持するのに十分な機械的強度を持たせること
も考慮に入れて定める。フランジ部2Fの周辺部には、止
め螺子の挿通孔を適宜数穿ち、図１（ａ）に示すよう
に、外部導体の端壁14（又は13）に止め螺子によってフ
ランジ部2Fを固定し、共振素子２を所要位置に支持させ
る。次に、3Hは入力（又は出力）結合容量素子、3Vは出
力（又は入力）結合容量素子で、それぞれ例えばプロ−
ブより成る。4Hは入力（又は出力）端子、4Vは出力（又
は入力）端子で、それぞれ例えば同軸接栓より成る。52
はＨモ−ドの共振周波数微調整素子、62はＶモ−ドの共
振周波数微調整素子、71及び72はモ−ド間結合調整素子
である。素子3H及び素子52の共通軸芯と素子3V及び素子
62の共通軸芯とが互いに直交すると共に、素子71及び72
の共通軸芯と素子3H及び素子52の共通軸芯とが45°の角
度差で交差するように設けてある。素子52、62、71及び
72等は、外部導体内への挿入長（以下、管内挿入長と称
する）を自在かつ微細に調整でき、所要の管内挿入長に
おいて固定可能な、例えば外部導体の円筒状側壁に螺合
させた金属螺子及びロックナットより成る。この点は、
以下、詳述する各実施例における共振周波数微細調整素
子及びモ−ド間結合調整素子についても同様である。
【０００６】図１（ｃ）について説明したような二重モ
−ド誘電体共振素子を備えた共振器より成る本発明帯域
通過ろ波器においては、例えば端子4H及び容量素子3Hを
介して入力を加えると、図４（ａ）に示す電磁界（Ｈモ
−ド）が発生し、モ−ド間結合調整素子71及びび72の管
内挿入長を適当に調整すると、図４（ｂ）に示す電磁界
を生じ、この電磁界によって図４（ｃ）に示す電磁界
（Ｖモ−ド）が励振される。したがって、Ｈモ−ドの共
振周波数微調整素子52及びＶモ−ドの共振周波数微調整
素子62の各管内挿入長を適当に調整することによって、
二重モ−ドの共振が行われる。図４（ｃ）に示した電磁
界は、容量素子3Vと結合して端子4Vから出力される。図
４における矢印を付した実線は電界を、矢印を付した破
線は磁界を、それぞれ示す。図５は、上記帯域通過ろ波
器の等価回路図で、C1及びC2は共振素子２の大きさ、比
誘電率、外部導体と共に形成する共振器全体の大きさ、
共振周波数微調整素子52及び62の大きさ等によって定ま
る等価容量、L1及びL2は共振素子２の大きさ、比誘電
率、共振器全体の大きさ等によって定まる等価インダク
タンス、C12 はモ−ド間結合調整素子71及び72によって
形成される段間結合容量、CT1 は容量素子3Hによって形
成される入力（又は出力）結合容量、C2T は容量素子3V
によって形成される出力（又は入力）結合容量である。
−ド誘電体共振素子を備えた共振器より成る本発明帯域
通過ろ波器においては、例えば端子4H及び容量素子3Hを
介して入力を加えると、図４（ａ）に示す電磁界（Ｈモ
−ド）が発生し、モ−ド間結合調整素子71及びび72の管
内挿入長を適当に調整すると、図４（ｂ）に示す電磁界
を生じ、この電磁界によって図４（ｃ）に示す電磁界
（Ｖモ−ド）が励振される。したがって、Ｈモ−ドの共
振周波数微調整素子52及びＶモ−ドの共振周波数微調整
素子62の各管内挿入長を適当に調整することによって、
二重モ−ドの共振が行われる。図４（ｃ）に示した電磁
界は、容量素子3Vと結合して端子4Vから出力される。図
４における矢印を付した実線は電界を、矢印を付した破
線は磁界を、それぞれ示す。図５は、上記帯域通過ろ波
器の等価回路図で、C1及びC2は共振素子２の大きさ、比
誘電率、外部導体と共に形成する共振器全体の大きさ、
共振周波数微調整素子52及び62の大きさ等によって定ま
る等価容量、L1及びL2は共振素子２の大きさ、比誘電
率、共振器全体の大きさ等によって定まる等価インダク
タンス、C12 はモ−ド間結合調整素子71及び72によって
形成される段間結合容量、CT1 は容量素子3Hによって形
成される入力（又は出力）結合容量、C2T は容量素子3V
によって形成される出力（又は入力）結合容量である。
【０００７】図６（ａ）は、本発明の他の実施例を示す
断面図［図６（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図６（ｂ）は、
図６（ａ）のＡ−Ａ端面図で、本実施例は、入力（又は
出力）結合素子を、外部導体の端壁13に設けた結合ル−
プ8Hで形成すると共に、図１における容量素子3HをＨモ
−ドの共振周波数微調整素子51で置き換えたもので、他
の符号及び構成は図１と同じである。尚、図６以下の各
図における外部導体のフランジ部の機械的結合用止め螺
子は、これを図示するのを省いてある。本実施例におい
ては、例えば結合ル−プ8Hに入力電流が流れると、結合
ル−プ8Hの周りに生じた電磁界が、共振素子２と磁気結
合して図４（ａ）に示す電磁界（Ｈモ−ド）を生じ、以
下、前実施例と同様にして図４（ｂ）に示す電磁界が発
生し、この電磁界によって図４（ｃ）に示す電磁界（Ｖ
モ−ド）が励振され、二重モ−ドの共振が行われ、図４
（ｃ）に示した電磁界が容量素子3Vに結合し、端子4Vか
ら出力される。図７は、図６に示した本発明帯域通過ろ
波器の等価回路図で、MT1 は入力（又は出力）磁気結合
係数で、他の符号は、図５と同じである。
断面図［図６（ｂ）のＢ−Ｂ断面図］、図６（ｂ）は、
図６（ａ）のＡ−Ａ端面図で、本実施例は、入力（又は
出力）結合素子を、外部導体の端壁13に設けた結合ル−
プ8Hで形成すると共に、図１における容量素子3HをＨモ
−ドの共振周波数微調整素子51で置き換えたもので、他
の符号及び構成は図１と同じである。尚、図６以下の各
図における外部導体のフランジ部の機械的結合用止め螺
子は、これを図示するのを省いてある。本実施例におい
ては、例えば結合ル−プ8Hに入力電流が流れると、結合
ル−プ8Hの周りに生じた電磁界が、共振素子２と磁気結
合して図４（ａ）に示す電磁界（Ｈモ−ド）を生じ、以
下、前実施例と同様にして図４（ｂ）に示す電磁界が発
生し、この電磁界によって図４（ｃ）に示す電磁界（Ｖ
モ−ド）が励振され、二重モ−ドの共振が行われ、図４
（ｃ）に示した電磁界が容量素子3Vに結合し、端子4Vか
ら出力される。図７は、図６に示した本発明帯域通過ろ
波器の等価回路図で、MT1 は入力（又は出力）磁気結合
係数で、他の符号は、図５と同じである。
【０００８】図８（ａ）もまた本発明の他の実施例を示
す断面図［図８（ｂ）のＤ−Ｄ断面図］、図８（ｂ）
は、図８（ａ）のＡ−Ａ端面図、図８（ｃ）は、図８
（ａ）のＢ−Ｂ端面図で、21及び22はそれぞれ図１
（ｃ）に示した共振素子と同様の二重モ−ド誘電体共振
素子で、共振素子21のフランジ部は、外部導体の円筒状
側壁11と12の間に介在させた導体板より成る隔壁15に取
り付け、共振素子22のフランジ部は、外部導体の端壁14
に取り付けると共に、隔壁15のほぼ中央に図９［図８
（ａ）のＣ−Ｃ端面図］に示すような十字型の結合孔隙
９を穿ってある。53及び54はＨモ−ドの共振周波数微調
整素子、64はＶモ−ドの共振周波数微調整素子、73及び
74はモ−ド間結合調整素子、32V は出力（又は入力）結
合容量素子で、例えばプロ−ブより成る。42V は出力
（又は入力）端子で、例えば同軸接栓より成る。素子53
及び54の共通軸芯と容量素子32V 及び素子64の共通軸芯
とが互いに直交し、素子73及び74の共通軸芯と素子53及
び54の共通軸芯とが45°の角度差で交差すると共に、素
子73及び74の共通軸芯が素子71及び72の共通軸芯と直交
し、素子53及び54の共通軸芯と素子51及び52の共通軸芯
とが平行となるように形成してある。他の符号及び構成
は、図１及び図６と同様である。
す断面図［図８（ｂ）のＤ−Ｄ断面図］、図８（ｂ）
は、図８（ａ）のＡ−Ａ端面図、図８（ｃ）は、図８
（ａ）のＢ−Ｂ端面図で、21及び22はそれぞれ図１
（ｃ）に示した共振素子と同様の二重モ−ド誘電体共振
素子で、共振素子21のフランジ部は、外部導体の円筒状
側壁11と12の間に介在させた導体板より成る隔壁15に取
り付け、共振素子22のフランジ部は、外部導体の端壁14
に取り付けると共に、隔壁15のほぼ中央に図９［図８
（ａ）のＣ−Ｃ端面図］に示すような十字型の結合孔隙
９を穿ってある。53及び54はＨモ−ドの共振周波数微調
整素子、64はＶモ−ドの共振周波数微調整素子、73及び
74はモ−ド間結合調整素子、32V は出力（又は入力）結
合容量素子で、例えばプロ−ブより成る。42V は出力
（又は入力）端子で、例えば同軸接栓より成る。素子53
及び54の共通軸芯と容量素子32V 及び素子64の共通軸芯
とが互いに直交し、素子73及び74の共通軸芯と素子53及
び54の共通軸芯とが45°の角度差で交差すると共に、素
子73及び74の共通軸芯が素子71及び72の共通軸芯と直交
し、素子53及び54の共通軸芯と素子51及び52の共通軸芯
とが平行となるように形成してある。他の符号及び構成
は、図１及び図６と同様である。
【０００９】例えば端子4V及び容量素子3Vを介して入力
を加えると、図１０（ａ）に示す電磁界（Ｖモ−ド）が
生じ、モ−ド間結合調整素子71及び72の管内挿入長の調
整によって図１０（ｂ）に示す電磁界が発生し、この電
磁界によって図１０（ｃ）に示す電磁界（Ｈモ−ド）が
励振され、共振周波数微調整素子51、52及び62の各管内
挿入長の調整によって二重モ−ドの共振が行われる。図
１０（ｃ）に示した電磁界は、隔壁15に穿った結合孔隙
９を励振し、共振素子22を備えた共振器内に図１０
（ｄ）に示す電磁界を発生させる。モ−ド間結合調整素
子73及び74の管内挿入長の調整によって図１０（ｅ）に
示す電磁界が発生し、この電磁界によって図１０（ｆ）
に示す電磁界が励振され、共振周波数微調整素子53、54
及び64の各管内挿入長の調整によって二重モ−ドの共振
が行われる。図１０（ｆ）に示した電磁界は、容量結合
素子32V に結合し、端子42V から出力される。図１０に
おける矢印を付した実線は電界を、矢印を付した破線は
磁界を、それぞれ示す。図１０（ａ）に示した電磁界と
図１０（ｆ）に示した電磁界は、隔壁15に穿った結合孔
隙９における水平方向の短い孔隙を介して互いに逆相で
副結合し、有極形の帯域通過ろ波器を形成する。結合孔
隙９における垂直方向の長い孔隙の長さと幅に応じて通
過域の電気的特性が定まり、水平方向の短い孔隙の長さ
と幅に応じて有極形帯域通過ろ波器における減衰極の周
波数位置が定まる。結合孔隙９の輪郭形状を、例えば垂
直方向のみの矩形又は垂直方向の細長い楕円形に形成す
ることによって、図１０（ａ）に示した電磁界と図１０
（ｆ）に示した電磁界とを結合させることなく、無極形
の帯域通過ろ波器を形成することができ、結合孔隙９を
十字型に形成した場合においても、垂直方向の孔隙の長
さと水平方向の孔隙の長さの比を適当に定めることによ
って、無極形の帯域通過ろ波器を形成することができ
る。
を加えると、図１０（ａ）に示す電磁界（Ｖモ−ド）が
生じ、モ−ド間結合調整素子71及び72の管内挿入長の調
整によって図１０（ｂ）に示す電磁界が発生し、この電
磁界によって図１０（ｃ）に示す電磁界（Ｈモ−ド）が
励振され、共振周波数微調整素子51、52及び62の各管内
挿入長の調整によって二重モ−ドの共振が行われる。図
１０（ｃ）に示した電磁界は、隔壁15に穿った結合孔隙
９を励振し、共振素子22を備えた共振器内に図１０
（ｄ）に示す電磁界を発生させる。モ−ド間結合調整素
子73及び74の管内挿入長の調整によって図１０（ｅ）に
示す電磁界が発生し、この電磁界によって図１０（ｆ）
に示す電磁界が励振され、共振周波数微調整素子53、54
及び64の各管内挿入長の調整によって二重モ−ドの共振
が行われる。図１０（ｆ）に示した電磁界は、容量結合
素子32V に結合し、端子42V から出力される。図１０に
おける矢印を付した実線は電界を、矢印を付した破線は
磁界を、それぞれ示す。図１０（ａ）に示した電磁界と
図１０（ｆ）に示した電磁界は、隔壁15に穿った結合孔
隙９における水平方向の短い孔隙を介して互いに逆相で
副結合し、有極形の帯域通過ろ波器を形成する。結合孔
隙９における垂直方向の長い孔隙の長さと幅に応じて通
過域の電気的特性が定まり、水平方向の短い孔隙の長さ
と幅に応じて有極形帯域通過ろ波器における減衰極の周
波数位置が定まる。結合孔隙９の輪郭形状を、例えば垂
直方向のみの矩形又は垂直方向の細長い楕円形に形成す
ることによって、図１０（ａ）に示した電磁界と図１０
（ｆ）に示した電磁界とを結合させることなく、無極形
の帯域通過ろ波器を形成することができ、結合孔隙９を
十字型に形成した場合においても、垂直方向の孔隙の長
さと水平方向の孔隙の長さの比を適当に定めることによ
って、無極形の帯域通過ろ波器を形成することができ
る。
【００１０】図１１は、図８に示した本発明帯域通過ろ
波器を有極形に形成した場合における等価回路図で、C1
及びC2は図８において共振素子21を内装した側の共振器
における共振素子21の大きさ、比誘電率、共振素子21を
内装した側の共振器全体の大きさ、共振周波数微調整素
子51、52及び62の大きさ等によって定まる等価容量、C3
及びC4は図８において共振素子22を内装した側の共振器
における共振素子22の大きさ、比誘電率、共振素子22を
内装した側の共振器全体の大きさ、共振周波数微調整素
子53、54及び64の大きさ等によって定まる等価容量、L1
及びL2は共振素子21の大きさ、比誘電率、共振素子21を
内装した側の共振器全体の大きさ等によって定まる等価
インダクタンス、L3及びL4は共振素子22の大きさ、比誘
電率、共振素子22を内装した側の共振器全体の大きさ等
によって定まる等価インダクタンス、C23 は隔壁15に穿
った結合孔隙９における垂直方向の長い孔隙によって形
成される段間結合容量、C34 はモ−ド間結合調整素子73
及び74によって形成される段間結合容量、C4T は容量素
子32V によって形成される出力（又は入力）結合容量、
C14 及びC41 は、隔壁15に穿った結合孔隙９における水
平方向の短い孔隙によって形成される副結合容量で、他
の符号は図５と同様である。
波器を有極形に形成した場合における等価回路図で、C1
及びC2は図８において共振素子21を内装した側の共振器
における共振素子21の大きさ、比誘電率、共振素子21を
内装した側の共振器全体の大きさ、共振周波数微調整素
子51、52及び62の大きさ等によって定まる等価容量、C3
及びC4は図８において共振素子22を内装した側の共振器
における共振素子22の大きさ、比誘電率、共振素子22を
内装した側の共振器全体の大きさ、共振周波数微調整素
子53、54及び64の大きさ等によって定まる等価容量、L1
及びL2は共振素子21の大きさ、比誘電率、共振素子21を
内装した側の共振器全体の大きさ等によって定まる等価
インダクタンス、L3及びL4は共振素子22の大きさ、比誘
電率、共振素子22を内装した側の共振器全体の大きさ等
によって定まる等価インダクタンス、C23 は隔壁15に穿
った結合孔隙９における垂直方向の長い孔隙によって形
成される段間結合容量、C34 はモ−ド間結合調整素子73
及び74によって形成される段間結合容量、C4T は容量素
子32V によって形成される出力（又は入力）結合容量、
C14 及びC41 は、隔壁15に穿った結合孔隙９における水
平方向の短い孔隙によって形成される副結合容量で、他
の符号は図５と同様である。
【００１１】尚、共振素子21を形成する固体誘電体材の
比誘電率が比較的高い場合には、共振素子21のフランジ
部を、隔壁15に直接取り付けると、隔壁15に穿った結合
孔隙９の一面は比較的比誘電率の高い固体誘電体材に接
し、結合孔隙９の他面は空気に接することとなり、結合
孔隙９の両面における比誘電率の差が大となって結合孔
隙９の近傍における電磁界に乱れを生じ、段間結合に悪
影響を及ぼすおそれが生ずる場合があるが、このような
場合には、図１２［図８（ａ）と同様の断面図］に示す
ように、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間にスペ−
サ10を介在させ、このスペ−サを、共振素子21の比誘電
率に比して低い比誘電率を有する誘電体板で形成するこ
とにより、隔壁15に穿った結合孔隙９の両側における比
誘電率の差を小にして電磁界の乱れを抑えることができ
る。又、スペ−サ10の厚さを適当に選定することによっ
て、不要モ−ドの発生するのを抑えることができる。10
1 は共振素子22のフランジ部と端壁14の間に介在させた
スペ−サで、その厚さを適当に定めることによって、不
要モ−ドの発生を抑えることができる。スペ−サ101 は
その厚さを利用するのみであるから、材質としては、固
体誘電体又は金属体の何れでも差し支えない。図１３に
おいて、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間に介在さ
せたスペ−サ102 は、内径が隔壁15に設けた結合孔隙９
の輪郭寸法より適宜大なると共に、固体誘電体又は金属
体より成るリング状のスペ−サで、このスペ−サを設け
ることによって、隔壁15に穿った結合孔隙９の両側には
共に空気が存在することとなり、電磁界の乱れを防ぐこ
とができると共に、その厚さを適当に定めることによっ
て不要モ−ドの発生を抑えることができる。共振素子22
のフランジ部と端壁14の間に介在させたスペ−サ102
は、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間に介在させた
スペ−サ102 と同様のスペ−サで、その厚さを適当に定
めることによって不要モ−ドの発生を抑えることができ
る。図１４において共振素子21のフランジ部と隔壁15の
間における止め螺子の周り及び共振素子22のフランジ部
と端壁14の間における止め螺子の周りにそれぞれ介在さ
せたスペ−サ103 は、それぞれ金属体又は固体誘電体よ
り成る座で形成したもので、それぞれ図１３におけるス
ペ−サと同様の作用効果を呈する。図１２ないし図１４
の説明において言及することのなかった他の符号及び構
成は、図８と同様である。
比誘電率が比較的高い場合には、共振素子21のフランジ
部を、隔壁15に直接取り付けると、隔壁15に穿った結合
孔隙９の一面は比較的比誘電率の高い固体誘電体材に接
し、結合孔隙９の他面は空気に接することとなり、結合
孔隙９の両面における比誘電率の差が大となって結合孔
隙９の近傍における電磁界に乱れを生じ、段間結合に悪
影響を及ぼすおそれが生ずる場合があるが、このような
場合には、図１２［図８（ａ）と同様の断面図］に示す
ように、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間にスペ−
サ10を介在させ、このスペ−サを、共振素子21の比誘電
率に比して低い比誘電率を有する誘電体板で形成するこ
とにより、隔壁15に穿った結合孔隙９の両側における比
誘電率の差を小にして電磁界の乱れを抑えることができ
る。又、スペ−サ10の厚さを適当に選定することによっ
て、不要モ−ドの発生するのを抑えることができる。10
1 は共振素子22のフランジ部と端壁14の間に介在させた
スペ−サで、その厚さを適当に定めることによって、不
要モ−ドの発生を抑えることができる。スペ−サ101 は
その厚さを利用するのみであるから、材質としては、固
体誘電体又は金属体の何れでも差し支えない。図１３に
おいて、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間に介在さ
せたスペ−サ102 は、内径が隔壁15に設けた結合孔隙９
の輪郭寸法より適宜大なると共に、固体誘電体又は金属
体より成るリング状のスペ−サで、このスペ−サを設け
ることによって、隔壁15に穿った結合孔隙９の両側には
共に空気が存在することとなり、電磁界の乱れを防ぐこ
とができると共に、その厚さを適当に定めることによっ
て不要モ−ドの発生を抑えることができる。共振素子22
のフランジ部と端壁14の間に介在させたスペ−サ102
は、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間に介在させた
スペ−サ102 と同様のスペ−サで、その厚さを適当に定
めることによって不要モ−ドの発生を抑えることができ
る。図１４において共振素子21のフランジ部と隔壁15の
間における止め螺子の周り及び共振素子22のフランジ部
と端壁14の間における止め螺子の周りにそれぞれ介在さ
せたスペ−サ103 は、それぞれ金属体又は固体誘電体よ
り成る座で形成したもので、それぞれ図１３におけるス
ペ−サと同様の作用効果を呈する。図１２ないし図１４
の説明において言及することのなかった他の符号及び構
成は、図８と同様である。
【００１２】図１５（ａ）もまた本発明の他の実施例を
示す断面図［図１５（ｂ）のＣ−Ｃ断面図］、図１５
（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ端面図、図１５（ｃ）
は、図１５（ａ）のＢ−Ｂ端面図で、本実施例において
は、二重モ−ド誘電体共振素子21及び22の各フランジ部
を共に隔壁15に取り付けてある。8Vは入力（又は出力）
結合ル−プ、82V は出力（又は入力）結合ル−プ、61及
び63はＶモ−ドの共振周波数微調整素子で、他の符号及
び構成は、図８と同様である。 本実施例における結合
ル−プ8Vと共振素子21との結合関係、段間結合関係及び
共振素子22と結合ル−プ82V との結合関係を電磁界分布
で示すと、図１０と全く同様である。本実施例において
も、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間、共振素子22
のフランジ部と隔壁15の間に、図１２ないし図１４にお
ける共振素子21のフランジ部と隔壁15との間に介装した
スペ−サ10、102 又は103 と同様のスペ−サを設けるこ
とによって、隔壁15に設けた結合孔隙９の近傍における
電磁界の乱れ及び不要モ−ドの発生を抑えることががで
きる。図１６は、図１５に示した帯域通過ろ波器を有極
形に構成した場合の等価回路図で、M4T は出力（又は入
力）磁気結合係数で、他の符号は、図７及び図１１と同
様である。
示す断面図［図１５（ｂ）のＣ−Ｃ断面図］、図１５
（ｂ）は、図１５（ａ）のＡ−Ａ端面図、図１５（ｃ）
は、図１５（ａ）のＢ−Ｂ端面図で、本実施例において
は、二重モ−ド誘電体共振素子21及び22の各フランジ部
を共に隔壁15に取り付けてある。8Vは入力（又は出力）
結合ル−プ、82V は出力（又は入力）結合ル−プ、61及
び63はＶモ−ドの共振周波数微調整素子で、他の符号及
び構成は、図８と同様である。 本実施例における結合
ル−プ8Vと共振素子21との結合関係、段間結合関係及び
共振素子22と結合ル−プ82V との結合関係を電磁界分布
で示すと、図１０と全く同様である。本実施例において
も、共振素子21のフランジ部と隔壁15の間、共振素子22
のフランジ部と隔壁15の間に、図１２ないし図１４にお
ける共振素子21のフランジ部と隔壁15との間に介装した
スペ−サ10、102 又は103 と同様のスペ−サを設けるこ
とによって、隔壁15に設けた結合孔隙９の近傍における
電磁界の乱れ及び不要モ−ドの発生を抑えることががで
きる。図１６は、図１５に示した帯域通過ろ波器を有極
形に構成した場合の等価回路図で、M4T は出力（又は入
力）磁気結合係数で、他の符号は、図７及び図１１と同
様である。
【００１３】本発明帯域通過ろ波器を有極形に形成し、
その通過域がチェビシェフ特性となるように構成した場
合における伝送特性は、次式で求めることができる。
その通過域がチェビシェフ特性となるように構成した場
合における伝送特性は、次式で求めることができる。
【数１】 fp：許容電圧定在波比を与えるバンドエッジの周波数 上式においてReは実数部をとるの意、Imは虚数部をとる
の意である。図１７は、上記本発明有極形帯域通過ろ波
器の伝送特性を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰量
である。
の意である。図１７は、上記本発明有極形帯域通過ろ波
器の伝送特性を示す図で、横軸は周波数、縦軸は減衰量
である。
【００１４】本発明帯域通過ろ波器をを無極形に形成
し、その通過域がチェビシェフ特性となるように構成し
た場合における伝送特性は、次式で求めることができ
る。
し、その通過域がチェビシェフ特性となるように構成し
た場合における伝送特性は、次式で求めることができ
る。
【数２】 ATT ：伝送損失 Ｔn(ｘ) ：チェビシェフの多項式で、 ｘ＜１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝ cos（ｎ cos-1ｘ） ｘ＞１ の場合、 Ｔn(ｘ) ＝cosh（ｎ cosh-1 ｘ） ｘ：基準化周波数で、
【数３】 f0 ：帯域通過ろ波器の通過域における中心周波数 f：任意の伝送周波数 BWr：帯域通過ろ波器の許容通過周波数帯域幅 Ｓ：通過帯域内における許容電圧定在波比（VSWR) 図１８は、上記本発明無極形帯域通過ろ波器の伝送特性
を示す図で、横軸及び縦軸は図１７と同様である。図８
及び図１５には、帯域通過ろ波器の次数ｎが４の場合に
ついて説明したが、次数ｎはこれを適宜増加して本発明
を実施することができ、２個又はその整数倍の個数の共
振回路を隔てた共振回路相互間を副結合することによっ
て、有極形帯域通過ろ波器を構成することができる。
を示す図で、横軸及び縦軸は図１７と同様である。図８
及び図１５には、帯域通過ろ波器の次数ｎが４の場合に
ついて説明したが、次数ｎはこれを適宜増加して本発明
を実施することができ、２個又はその整数倍の個数の共
振回路を隔てた共振回路相互間を副結合することによっ
て、有極形帯域通過ろ波器を構成することができる。
【００１５】図８及び図１５に示した実施例において
は、各共振回路の負荷Ｑが比較的高い場合、即ち、帯域
通過ろ波器の段間結合が比較的疎なる場合には、図１０
について説明したとおりの電磁界結合及び二重モ−ド共
振が行われ、図１７及び図１８に示したように、中心周
波数に対して低い周波数領域と高い周波数領域における
各特性曲線が対称となるが、本発明者が試作品について
実験を重ねた結果、次のような事実を明らかにすること
ができた。即ち、図８及び図１５に示した実施例におい
て、各共振回路の負荷Ｑが比較的低い場合、即ち、帯域
通過ろ波器の段間結合が比較的密なる場合には、図１９
（横軸及び縦軸は図１７と同じ）に示すように、低い周
波数領域と高い周波数領域における各特性曲線が中心周
波数に対して非対称となり、各共振回路の負荷Ｑが低く
なるにしたがって特性曲線の非対称の程度が著しくなる
傾向が認められた。そこで本発明者は種々改善策を講じ
た結果、外部導体の円筒状側壁11及び12を共通の円筒軸
の周りに相対的に回転させたところ、ある回転角におい
て特性曲線の非対称性が補正されて理想的な特性が得ら
れることを確かめることができた。本発明においては、
円筒状側壁11及び12の相対的回転によって特性曲線の非
対称性を補正することができたという事実に基づいて、
図２０に示すように、外部導体の円筒状側壁11及び12の
各端部に突出させたフランジ部に設けた止め螺子の挿通
孔、即ち、円筒状側壁11と12の間に介在させる隔壁15の
周辺部との結合用止め螺子の挿通孔11の輪郭形状を、円
周方向に延びる彎曲楕円形に形成し、円筒状側壁11のフ
ランジ部、隔壁15の周辺部及び円筒状側壁12のフランジ
部を結合する止め螺子を緩めることによって、円筒状側
壁11及び12を共通の円筒軸の周りに相対的に回転させ得
るように形成してある。尚、図１５に示すように、外部
導体の端壁13及び14に入出力結合ル−プ8V及び82V を取
り付けるような場合には、入出力結合ル−プ8V（又は8
2V ）に流れる電流によって誘起される電磁界における
電界方向と隔壁15に設けた結合孔隙９に結合する電界方
向を所要角度差に一致させ、隔壁15に穿った結合孔隙９
によって励振される電界方向と入出力結合ル−プ82V
（又は8V）に結合する電界方向を所要角度差に一致させ
るために、端壁13と円筒状側壁11とが相対的に回転可能
で、端壁14と円筒状側壁12もまた相対的に回転可能に形
成することが望ましく、このために、円筒状側壁11及び
12のフランジ部のうち、端壁13及び14と結合されるフラ
ンジ部に穿ってある止め螺子の挿通孔の輪郭形状も図２
０に示すような円周方向に延びる彎曲楕円形に形成す
る。
は、各共振回路の負荷Ｑが比較的高い場合、即ち、帯域
通過ろ波器の段間結合が比較的疎なる場合には、図１０
について説明したとおりの電磁界結合及び二重モ−ド共
振が行われ、図１７及び図１８に示したように、中心周
波数に対して低い周波数領域と高い周波数領域における
各特性曲線が対称となるが、本発明者が試作品について
実験を重ねた結果、次のような事実を明らかにすること
ができた。即ち、図８及び図１５に示した実施例におい
て、各共振回路の負荷Ｑが比較的低い場合、即ち、帯域
通過ろ波器の段間結合が比較的密なる場合には、図１９
（横軸及び縦軸は図１７と同じ）に示すように、低い周
波数領域と高い周波数領域における各特性曲線が中心周
波数に対して非対称となり、各共振回路の負荷Ｑが低く
なるにしたがって特性曲線の非対称の程度が著しくなる
傾向が認められた。そこで本発明者は種々改善策を講じ
た結果、外部導体の円筒状側壁11及び12を共通の円筒軸
の周りに相対的に回転させたところ、ある回転角におい
て特性曲線の非対称性が補正されて理想的な特性が得ら
れることを確かめることができた。本発明においては、
円筒状側壁11及び12の相対的回転によって特性曲線の非
対称性を補正することができたという事実に基づいて、
図２０に示すように、外部導体の円筒状側壁11及び12の
各端部に突出させたフランジ部に設けた止め螺子の挿通
孔、即ち、円筒状側壁11と12の間に介在させる隔壁15の
周辺部との結合用止め螺子の挿通孔11の輪郭形状を、円
周方向に延びる彎曲楕円形に形成し、円筒状側壁11のフ
ランジ部、隔壁15の周辺部及び円筒状側壁12のフランジ
部を結合する止め螺子を緩めることによって、円筒状側
壁11及び12を共通の円筒軸の周りに相対的に回転させ得
るように形成してある。尚、図１５に示すように、外部
導体の端壁13及び14に入出力結合ル−プ8V及び82V を取
り付けるような場合には、入出力結合ル−プ8V（又は8
2V ）に流れる電流によって誘起される電磁界における
電界方向と隔壁15に設けた結合孔隙９に結合する電界方
向を所要角度差に一致させ、隔壁15に穿った結合孔隙９
によって励振される電界方向と入出力結合ル−プ82V
（又は8V）に結合する電界方向を所要角度差に一致させ
るために、端壁13と円筒状側壁11とが相対的に回転可能
で、端壁14と円筒状側壁12もまた相対的に回転可能に形
成することが望ましく、このために、円筒状側壁11及び
12のフランジ部のうち、端壁13及び14と結合されるフラ
ンジ部に穿ってある止め螺子の挿通孔の輪郭形状も図２
０に示すような円周方向に延びる彎曲楕円形に形成す
る。
【００１６】図２１は、本発明帯域通過ろ波器を用いて
構成した分波器の一例を示す断面図［図１５（ａ）と同
様の断面図］で、BPF1及びBPF2は図１５に示した本発明
帯域通過ろ波器と同様の帯域通過ろ波器で、それぞれの
通過中心周波数を互いに異ならせてある。16は帯域通過
ろ波器BPF1及びBPF2の各外部導体の間に介在する隔壁、
82V1は帯域通過ろ波器BPF1側の入力（又は出力）結合ル
−プ、82V2は帯域通過ろ波器BPF2側の入力（又は出力）
結合ル−プ、TCは共通の入力（又は出力）端子で、例え
ば同軸接栓より成る。T1は帯域通過ろ波器BPF1の出力
（又は入力）端子、T2は帯域通過ろ波器BPF2の出力（又
は入力）端子である。帯域通過ろ波器BPF1側の入力（又
は出力）結合ル−プ82V1の長さ、即ち、ル−プの接地端
から同軸接栓TCの内部導体の延長部分への接続点までの
長さを、帯域通過ろ波器BPF2の通過中心周波数に対応す
る波長の1/4 に形成し、帯域通過ろ波器BPF2側の入力
（又は出力）結合ル−プ82V2の長さ、即ち、ル−プの接
地端から同軸接栓TCの内部導体の延長部分への接続点ま
での長さを、帯域通過ろ波器BPF1の通過中心周波数に対
応する波長の1/4 に形成して、帯域通過ろ波器BPF2の通
過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF1の入力インピ
−ダンスが極めて高く、帯域通過ろ波器BPF1の通過中心
周波数に対して帯域通過ろ波器BPF2の入力インピ−ダン
スが極めて高くなるように形成してある。図２２は、共
通の入力（又は出力）結合を容量で行うように形成した
分波器を示す断面図で、3TC は結合容量形成電極で、帯
域通過ろ波器BPF1及びBPF2の各初段（又は終段）の共振
器を形成する共振素子との間に入力（又は出力）結合容
量を形成する。尚、結合容量形成電極3TC と帯域通過ろ
波器BPF1側の共振素子との間に形成される容量と、結合
容量形成電極3TC と帯域通過ろ波器BPF2側の共振素子と
の間に形成される容量とを適当に異ならせることによっ
て、帯域通過ろ波器BPF1及びBPF2相互間の干渉を防ぐこ
とができるが、必要に応じて結合容量形成電極3TC のう
ち、帯域通過ろ波器BPF1側に位置する部分と隔壁16との
間にインダクタンス素子（図示していない）を接続し、
結合容量形成電極3TC のうち、帯域通過ろ波器BPF2側に
位置する部分と隔壁16との間にインダクタンス素子（図
示していない）を接続すると共に、各インダクタンス素
子のインダクタンスを適当に選定して、帯域通過ろ波器
BPF2の通過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF1の入
力インピ−ダンスが極めて高く、帯域通過ろ波器BPF1の
通過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF2の入力イン
ピ−ダンスが極めて高くなるように形成してもよい。図
２１及び図２２には、図１５に示した帯域通過ろ波器を
用いた場合を例示してあるが、図８に示した帯域通過ろ
波器を用いてもよく、何れの場合にも各帯域通過ろ波器
を構成する共振素子の数を適宜増減して分波器を構成す
ることができる。
構成した分波器の一例を示す断面図［図１５（ａ）と同
様の断面図］で、BPF1及びBPF2は図１５に示した本発明
帯域通過ろ波器と同様の帯域通過ろ波器で、それぞれの
通過中心周波数を互いに異ならせてある。16は帯域通過
ろ波器BPF1及びBPF2の各外部導体の間に介在する隔壁、
82V1は帯域通過ろ波器BPF1側の入力（又は出力）結合ル
−プ、82V2は帯域通過ろ波器BPF2側の入力（又は出力）
結合ル−プ、TCは共通の入力（又は出力）端子で、例え
ば同軸接栓より成る。T1は帯域通過ろ波器BPF1の出力
（又は入力）端子、T2は帯域通過ろ波器BPF2の出力（又
は入力）端子である。帯域通過ろ波器BPF1側の入力（又
は出力）結合ル−プ82V1の長さ、即ち、ル−プの接地端
から同軸接栓TCの内部導体の延長部分への接続点までの
長さを、帯域通過ろ波器BPF2の通過中心周波数に対応す
る波長の1/4 に形成し、帯域通過ろ波器BPF2側の入力
（又は出力）結合ル−プ82V2の長さ、即ち、ル−プの接
地端から同軸接栓TCの内部導体の延長部分への接続点ま
での長さを、帯域通過ろ波器BPF1の通過中心周波数に対
応する波長の1/4 に形成して、帯域通過ろ波器BPF2の通
過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF1の入力インピ
−ダンスが極めて高く、帯域通過ろ波器BPF1の通過中心
周波数に対して帯域通過ろ波器BPF2の入力インピ−ダン
スが極めて高くなるように形成してある。図２２は、共
通の入力（又は出力）結合を容量で行うように形成した
分波器を示す断面図で、3TC は結合容量形成電極で、帯
域通過ろ波器BPF1及びBPF2の各初段（又は終段）の共振
器を形成する共振素子との間に入力（又は出力）結合容
量を形成する。尚、結合容量形成電極3TC と帯域通過ろ
波器BPF1側の共振素子との間に形成される容量と、結合
容量形成電極3TC と帯域通過ろ波器BPF2側の共振素子と
の間に形成される容量とを適当に異ならせることによっ
て、帯域通過ろ波器BPF1及びBPF2相互間の干渉を防ぐこ
とができるが、必要に応じて結合容量形成電極3TC のう
ち、帯域通過ろ波器BPF1側に位置する部分と隔壁16との
間にインダクタンス素子（図示していない）を接続し、
結合容量形成電極3TC のうち、帯域通過ろ波器BPF2側に
位置する部分と隔壁16との間にインダクタンス素子（図
示していない）を接続すると共に、各インダクタンス素
子のインダクタンスを適当に選定して、帯域通過ろ波器
BPF2の通過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF1の入
力インピ−ダンスが極めて高く、帯域通過ろ波器BPF1の
通過中心周波数に対して帯域通過ろ波器BPF2の入力イン
ピ−ダンスが極めて高くなるように形成してもよい。図
２１及び図２２には、図１５に示した帯域通過ろ波器を
用いた場合を例示してあるが、図８に示した帯域通過ろ
波器を用いてもよく、何れの場合にも各帯域通過ろ波器
を構成する共振素子の数を適宜増減して分波器を構成す
ることができる。
【００１７】
【発明の効果】本発明においては、二重モ−ド誘電体共
振素子として、直径の比較的大なる部分より成る共振素
子本体、直径の比較的小なる支持部、フランジ部を同一
固体誘電体材で一体に形成して成る二重モ−ド誘電体共
振素子を備えているので、従来のように、共振素子の支
持体を特別に必要とせず、共振素子自体によって、外部
導体の端壁又は隔壁への取り付けが可能であるから、従
来の支持体が原因となって発生する温度特性の劣化のお
それなく、温度特性が極めて良好で、耐震性に優れた帯
域通過ろ波器を実現することができる。図２４に示した
従来の分波器においては、２個の帯域通過ろ波器をＴ型
コネクタTCへ接続するための外付け接続線L1及びL2を必
要とするため、全体の構成が比較的複雑大型となるに対
して、本発明帯域通過ろ波器より成る分波器において
は、２個の帯域通過ろ波器を、実質的に共通の外部導体
に内装すると共に、図２４に示した従来の分波器におけ
るＴ型コネクタTCに対応する共通の接続端子TCを、実質
的に共通の外部導体の円筒状側壁に取り付けることによ
り、図２４に示した従来の分波器における外付け接続線
L1及びL2を省いて全体の構成を比較的簡潔小型に形成す
ることができ、又、本発明帯域通過ろ波器と同様温度特
性が良好で、耐震性に優れた分波器を実現することがで
きる。
振素子として、直径の比較的大なる部分より成る共振素
子本体、直径の比較的小なる支持部、フランジ部を同一
固体誘電体材で一体に形成して成る二重モ−ド誘電体共
振素子を備えているので、従来のように、共振素子の支
持体を特別に必要とせず、共振素子自体によって、外部
導体の端壁又は隔壁への取り付けが可能であるから、従
来の支持体が原因となって発生する温度特性の劣化のお
それなく、温度特性が極めて良好で、耐震性に優れた帯
域通過ろ波器を実現することができる。図２４に示した
従来の分波器においては、２個の帯域通過ろ波器をＴ型
コネクタTCへ接続するための外付け接続線L1及びL2を必
要とするため、全体の構成が比較的複雑大型となるに対
して、本発明帯域通過ろ波器より成る分波器において
は、２個の帯域通過ろ波器を、実質的に共通の外部導体
に内装すると共に、図２４に示した従来の分波器におけ
るＴ型コネクタTCに対応する共通の接続端子TCを、実質
的に共通の外部導体の円筒状側壁に取り付けることによ
り、図２４に示した従来の分波器における外付け接続線
L1及びL2を省いて全体の構成を比較的簡潔小型に形成す
ることができ、又、本発明帯域通過ろ波器と同様温度特
性が良好で、耐震性に優れた分波器を実現することがで
きる。
【図１】本発明の一実施例を示す図である。
【図２】本発明において用いる共振素子の電磁界分布を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明において用いる共振素子の電磁界分布を
示す図である。
示す図である。
【図４】本発明帯域通過ろ波器の作動説明のための電磁
界分布図である。
界分布図である。
【図５】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。
【図６】本発明の他の実施例を示す図である。
【図７】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。
【図８】本発明の他の実施例を示す図である。
【図９】本発明帯域通過ろ波器における段間結合孔隙を
示す図である。
示す図である。
【図１０】本発明帯域通過ろ波器の作動説明のための電
磁界分布図である。
磁界分布図である。
【図１１】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。
【図１２】本発明の他の実施例を示す図である。
【図１３】本発明の他の実施例を示す図である。
【図１４】本発明の他の実施例を示す図である。
【図１５】本発明の他の実施例を示す図である。
【図１６】本発明帯域通過ろ波器の等価回路図である。
【図１７】本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を示す曲線
図である。
図である。
【図１８】本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を示す曲線
図である。
図である。
【図１９】本発明帯域通過ろ波器の伝送特性を説明する
曲線図である。
曲線図である。
【図２０】本発明の他の実施例の要部を示す図である。
【図２１】本発明帯域通過ろ波器を用いた分波器を示す
図である。
図である。
【図２２】本発明帯域通過ろ波器を用いた分波器を示す
図である。
図である。
【図２３】従来の帯域通過ろ波器を示す図である。
【図２４】従来の分波器を示す図である。
11、12 外部導体の円筒状側壁 13、14 外部導体の端壁 15、16 外部導体の隔壁 ２、21、22 共振素子 2R 共振素子本体 2S 共振素子の支持部 2F 共振素子のフランジ部 3H、3V、32V 入出力結合容量素子 4H、4V、42V 入出力端子 51〜54 Ｈモ−ドの共振周波数微調整素子 61〜66 Ｖモ−ドの共振周波数微調整素子 71〜74 モ−ド間結合調整素子 8H、8V、82V 入出力結合ル−プ ９ 段間結合孔隙 10、101@103 スペ−サ 11 止め螺子の挿通孔 BPF1、BPF2 本発明帯域通過ろ波器 82V1、82V2 入出力結合ル−プ TC、T1、T2 入出力端子 3TC 入出力結合容量形成電極 121 、122 共振素子 131 〜134 支持体 F1、F2 帯域通過ろ波器 L1、L2 接続線 TC Ｔ型コネクタ CA ケ−ブル
Claims (5)
- 【請求項１】直径の比較的大なる部分より成る共振素子
本体と、直径の比較的小なる部分より成る支持部と、こ
の支持部を介して前記共振素子本体と反対側に設けら
れ、有底円筒状外部導体の端壁又は前記外部導体の軸方
向の中間部に設けられる隔壁に取り付けられるフランジ
部とを、同一固体誘電体材で一体に形成して成る二重モ
−ド誘電体共振素子を備えたことを特徴とする二重モ−
ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器。 - 【請求項２】二重モ−ド誘電体共振素子のフランジ部
と、段間結合孔隙が穿たれ、有底円筒状外部導体の軸方
向の中間部に設けられる隔壁との間に、二重モ−ド誘電
体共振素子を形成する固体誘電体材の比誘電率に比して
低い比誘電率を有する固体誘電体板より成るスペ−サを
介装した請求項１に記載の二重モ−ド誘電体共振器より
成る帯域通過ろ波器。 - 【請求項３】二重モ−ド誘電体共振素子のフランジ部
と、段間結合孔隙が穿たれ、有底円筒状外部導体の軸方
向の中間部に設けられる隔壁とを機械的に結合する止め
螺子毎に設けられると共に、二重モ−ド誘電体共振素子
のフランジ部と段間結合孔隙を穿った隔壁との間に介装
される座金を設けた請求項１に記載の二重モ−ド誘電体
共振器より成る帯域通過ろ波器。 - 【請求項４】段間結合孔隙が穿たれ、有底円筒状外部導
体の円筒状側壁の軸方向の中間部に介在する隔壁と、有
底円筒状外部導体の円筒状側壁の端部に設けたフランジ
部とを止め螺子によって結合するために、有底円筒状外
部導体の円筒状側壁の端部に設けたフランジ部に穿たれ
た止め螺子の挿通孔を、円周方向に延びる彎曲楕円形に
形成した請求項１に記載の二重モ−ド誘電体共振器より
成る帯域通過ろ波器。 - 【請求項５】有底円筒状外部導体の端壁と有底円筒状外
部導体の円筒状側壁の端部に設けたフランジ部とを止め
螺子によって結合するために、有底円筒状外部導体の円
筒状側壁の端部に設けたフランジ部に穿たれた止め螺子
の挿通孔を、円周方向に延びる彎曲楕円形に形成した請
求項１に記載の二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通
過ろ波器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16733694A JPH0818304A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16733694A JPH0818304A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0818304A true JPH0818304A (ja) | 1996-01-19 |
Family
ID=15847852
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16733694A Pending JPH0818304A (ja) | 1994-06-27 | 1994-06-27 | 二重モ−ド誘電体共振器より成る帯域通過ろ波器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0818304A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009095011A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体共振器フィルタ |
| JP2009194571A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多重モード誘電体共振器およびその調整方法 |
| US8410873B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-04-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric resonator having a dielectric resonant element with two oppositely located notches for EH mode coupling |
| JP2016005260A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 日本電業工作株式会社 | 共振器及びフィルタ |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480958A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Toppan Printing Co Ltd | Formation of cut mask |
| JPH01165204A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
-
1994
- 1994-06-27 JP JP16733694A patent/JPH0818304A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6480958A (en) * | 1987-09-22 | 1989-03-27 | Toppan Printing Co Ltd | Formation of cut mask |
| JPH01165204A (ja) * | 1987-12-21 | 1989-06-29 | Nippon Dengiyou Kosaku Kk | 誘電体共振器 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009095011A (ja) * | 2007-09-19 | 2009-04-30 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 誘電体共振器フィルタ |
| US8410873B2 (en) | 2007-09-19 | 2013-04-02 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Dielectric resonator having a dielectric resonant element with two oppositely located notches for EH mode coupling |
| JP2009194571A (ja) * | 2008-02-13 | 2009-08-27 | Ngk Spark Plug Co Ltd | 多重モード誘電体共振器およびその調整方法 |
| JP2016005260A (ja) * | 2014-06-19 | 2016-01-12 | 日本電業工作株式会社 | 共振器及びフィルタ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19960806 |