JPH08176300A - Polyimide film and its use - Google Patents
Polyimide film and its useInfo
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- JPH08176300A JPH08176300A JP19955395A JP19955395A JPH08176300A JP H08176300 A JPH08176300 A JP H08176300A JP 19955395 A JP19955395 A JP 19955395A JP 19955395 A JP19955395 A JP 19955395A JP H08176300 A JPH08176300 A JP H08176300A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】高耐熱性、低吸湿性、良はんだ耐熱性、低誘電
特性等の各種物性に優れた2層フレキシブルプリント基
板およびそれを与える特定のポリイミドフィルムを提供
すること。
【解決手段】一般式(1)
【化1】
(式中、Xは炭素数1〜20の炭化水素基または硫黄原
子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水素
基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表し、
aは0〜4の整数で置換基の数を表す。)で表されるジ
アミノ化合物、またはこれと他の特定のジアミノ化合物
との混合物と、テトラカルボン酸二無水物を反応させて
得られるポリイミドを成膜してなるポリイミドフィル
ム、それを用いた接着剤層のないフレキシブルプリント
基板、および電子部品または電線等の保護被覆材。(57) [PROBLEMS] To provide a two-layer flexible printed board excellent in various physical properties such as high heat resistance, low moisture absorption, good solder heat resistance, and low dielectric property, and a specific polyimide film giving the same. SOLUTION: General formula (1) (In the formula, X represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or a sulfur atom. R represents a halogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen-containing hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms,
a is an integer of 0 to 4 and represents the number of substituents. ) Diamino compound represented by, or a mixture of this and another specific diamino compound, and a polyimide film formed by forming a polyimide film obtained by reacting tetracarboxylic dianhydride, an adhesive using the same Layerless flexible printed circuit board and protective coating material for electronic parts or electric wires.
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明はポリイミドフィルム
およびその用途に関するものであり、さらに詳しくは、
高耐熱性、高接着性、良絶縁性、低吸湿性、低誘電特性
等の諸物性および加工性に優れたポリイミドフィルムお
よびそれを用いたフレキシブルプリント基板および電子
部品または電線等の保護被覆材を提供するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to a polyimide film and its use, and more specifically,
A polyimide film with excellent physical properties and processability such as high heat resistance, high adhesion, good insulation, low hygroscopicity, and low dielectric properties, and a protective coating material for flexible printed circuit boards and electronic components or electric wires using the same. It is provided.
【0002】[0002]
【従来の技術】ポリイミドはその高耐熱性に加え、機械
的強度や電気絶縁性に優れた特性を活かして、電気、電
子分野において多用されている。ポリイミドの主な用途
にはフレキシブルプリント基板やTAB用テープ、半導
体素子や各種配線板の表面保護や層間絶縁膜、あるいは
電線やケーブル等の被覆膜が挙げられる。2. Description of the Related Art Polyimide is widely used in the fields of electricity and electronics because of its high heat resistance and its excellent mechanical strength and electrical insulation. The main uses of polyimide include flexible printed circuit boards, TAB tapes, surface protection of semiconductor elements and various wiring boards, interlayer insulating films, and coating films for electric wires and cables.
【0003】フレキシブルプリント基板は近年の電子機
器の小型・軽量化の動きに伴って用途がますます拡大し
ている。従来のフレキシブルプリント基板は回路となる
金属箔とポリイミドフィルムおよび両者間の接着剤の3
層より構成されているのだが、接着剤層の耐熱性が低い
ため、全体としての耐熱性が低く抑さえられてしまう欠
点を有していた。このため最近では接着剤層を持たない
2層フレキシブルプリント基板の製造のため、ポリイミ
ド前駆体であるポリアミド酸のワニスを金属箔上にキャ
スト後、乾燥・イミド化する方法が採られているが、ポ
リアミド酸は加水分解され易く長期保存安定性に欠ける
うえ、イミド化時300℃以上の高温で処理することが
必要であり熱劣化を招くなど生産性と信頼性において問
題点があった。また2層フレキシブルプリント基板の製
造にはポリイミドフィルム上に導体層を蒸着やスパッタ
リングによって形成する方法も採られているが、フィル
ムと導体層間の密着力が弱く、また導体層の厚さや密度
が不均一になる問題点がある。The flexible printed circuit board is used more and more with the recent trend toward smaller and lighter electronic devices. The conventional flexible printed circuit board consists of a metal foil, a polyimide film, and an adhesive between the two, which becomes the circuit.
Although it is composed of layers, it has a drawback that the heat resistance of the adhesive layer as a whole is low and the heat resistance as a whole is suppressed. For this reason, recently, in order to manufacture a two-layer flexible printed circuit board having no adhesive layer, a method has been adopted in which a polyimide precursor varnish of polyamic acid is cast on a metal foil, and then dried and imidized. Polyamic acid is easily hydrolyzed and lacks long-term storage stability, and it is necessary to be treated at a high temperature of 300 ° C. or higher at the time of imidization, which causes thermal deterioration, resulting in problems in productivity and reliability. In addition, a method of forming a conductor layer on a polyimide film by vapor deposition or sputtering is also used in the production of a two-layer flexible printed circuit board, but the adhesion between the film and the conductor layer is weak, and the thickness and density of the conductor layer are not uniform. There is a problem that it becomes uniform.
【0004】また、同様にポリイミドフィルムと金属箔
とを積層して使用する用途にTAB用テープがあるが、
TAB用途でも上記と同様な問題点を抱えている。Similarly, there is a TAB tape for use in which a polyimide film and a metal foil are laminated and used.
The TAB application has the same problems as above.
【0005】一方、半導体素子や各種配線板の表面保護
や層間絶縁膜、あるいは電線やケーブル等の被覆膜に使
用される場合、一般にポリイミドが溶媒に不溶のため前
駆体のポリアミド酸溶液を基材上にキャスト後、加熱に
よってイミド化させる方法がとられている。しかしこの
方法はポリアミド酸による基材の腐食の他、イミド化に
高温長時間かかるため基材への熱劣化の影響や、イミド
化時には縮合水が生成して収縮やボイド発生が起こり、
かつポリアミド酸は加水分解され易く徐々に接着力が低
下するという保存安定性の問題等を抱えており信頼性に
欠ける。また生成したポリイミドは吸湿性が高い点も劣
化要因となっている。On the other hand, when it is used for surface protection of semiconductor elements and various wiring boards, interlayer insulation film, or coating film of electric wires, cables, etc., polyimide is generally insoluble in a solvent, and therefore a polyamic acid solution as a precursor is used as a base. A method of imidizing by heating after casting on a material is used. However, in this method, in addition to corrosion of the base material by polyamic acid, the effect of heat deterioration on the base material because it takes a long time at high temperature for imidization, condensation water is generated during imidization and shrinkage or void generation occurs,
Moreover, the polyamic acid has a problem of storage stability such that it is easily hydrolyzed and its adhesive strength is gradually decreased, and thus it is unreliable. Further, the fact that the generated polyimide has a high hygroscopicity is also a factor of deterioration.
【0006】従来のポリイミドの不溶不融の性質による
難加工性を改良するため、シロキサンユニット等を導入
することによるポリイミドの変性も行われているが、引
き替えに耐熱性が犠牲になるという欠点を有している。In order to improve the difficult workability due to the insoluble and infusible property of conventional polyimides, modification of the polyimides by introducing siloxane units and the like has been carried out, but the drawback is that the heat resistance is sacrificed in exchange. Have
【0007】[0007]
【発明が解決しようとする課題】このような問題点を解
決するため、変性を行わずともイミド化後も溶媒可溶性
を保持しかつ熱可塑性を示す、特定の構造を有するポリ
イミドを使用し、ポリイミドのワニスを金属箔や基材上
にキャスト後溶媒を乾燥させる方法や、ポリイミドフィ
ルムを金属箔や基材と熱圧着させる方法などを用いて、
金属箔や基材上にポリイミドフィルム層を形成し、また
このポリイミドのもつ高耐熱性や高接着性、良絶縁性、
低吸湿性、低誘電特性等の優れた諸物性を活かして、加
工性と信頼性の向上した2層フレキシブルプリント基板
や保護被覆材を提供することに本発明の目的がある。In order to solve such problems, a polyimide having a specific structure is used, which retains solvent solubility even after imidization and exhibits thermoplasticity without modification. Using a method of drying the solvent after casting the varnish on the metal foil or the base material, a method of thermocompression bonding the polyimide film with the metal foil or the base material,
A polyimide film layer is formed on a metal foil or base material, and the high heat resistance, high adhesiveness, good insulation properties of this polyimide,
It is an object of the present invention to provide a two-layer flexible printed circuit board and a protective coating material having improved processability and reliability by utilizing various physical properties such as low hygroscopicity and low dielectric property.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは上記目的を
果たすため鋭意検討した結果、特定な構造を有するポリ
イミドが高耐熱性、高接着性、良絶縁性、低吸湿性、低
誘電特性等の諸物性および加工性に優れる良好なフィル
ムを与え、2層フレキシブルプリント基板や保護被覆材
用途に適することを見いだし、本発明を完成した。すな
わち本発明は、一般式(1)Means for Solving the Problems As a result of intensive studies conducted by the present inventors to achieve the above object, the polyimide having a specific structure has high heat resistance, high adhesiveness, good insulating property, low hygroscopicity, and low dielectric property. The present invention has been completed by finding that it provides a good film excellent in various physical properties such as the above and workability and is suitable for use in a two-layer flexible printed circuit board and a protective coating material. That is, the present invention has the general formula (1)
【0009】[0009]
【化7】 (式中、Xは炭素数1〜20の炭化水素基または硫黄原
子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水素
基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表し、
aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、複数のR
およびaはそれぞれ独立に異なった置換基および値をと
りうる。)で表されるジアミノ化合物と、一般式(2)[Chemical 7] (In the formula, X represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or a sulfur atom. R represents a halogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen-containing hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms,
a is an integer of 0 to 4 and represents the number of substituents. However, multiple R
And a may independently have different substituents and values. ) And a diamino compound represented by the general formula (2)
【0010】[0010]
【化8】 (式中、Yはメチレン基、酸素原子、硫黄原子、または
スルホニル基を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6
の炭化水素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素
基を表し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但
し、複数のRおよびaはそれぞれ独立に異なった置換基
および値をとりうる。またnは0〜2の整数を表す。)
で表されるジアミノ化合物とのモル比が10:0〜1:
9であるジアミノ化合物またはジアミノ化合物の混合
物、および一般式(3)Embedded image (In the formula, Y represents a methylene group, an oxygen atom, a sulfur atom, or a sulfonyl group. R is a halogen atom, and has 1 to 6 carbon atoms.
Or a halogen-containing hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and a is an integer of 0 to 4 and represents the number of substituents. However, plural R and a may independently have different substituents and values. Moreover, n represents the integer of 0-2. )
The molar ratio with the diamino compound represented by
A diamino compound or a mixture of diamino compounds which is 9, and a general formula (3)
【0011】[0011]
【化9】 (式中、Zは炭素数2以上の4価の有機基を表す。)で
表されるテトラカルボン酸二無水物を反応させて得られ
るポリイミドを成膜してなるポリイミドフィルムおよび
それを用いた接着剤層のないフレキシブルプリント基板
および電子部品または電線等の保護被覆材に関するもの
である。[Chemical 9] (In the formula, Z represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms.) A polyimide film obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride and a polyimide film formed by using the same were used. The present invention relates to a flexible printed circuit board having no adhesive layer and a protective covering material for electronic parts, electric wires, and the like.
【0012】[0012]
【発明の実施の形態】一般式(1)において、Rとして
使用されるハロゲン原子としては、フッ素、塩素、臭
素、およびヨウ素が挙げられ、炭素数1〜6の炭化水素
基および炭素数1〜6の含ハロゲン化炭化水素基として
は、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘ
キシルの直鎖または分鎖状のアルキル基、シクロヘキシ
ル基、フェニル基等の炭化水素基およびこれらの炭化水
素基の水素原子の一つ以上をハロゲン原子で置換した基
が挙げられる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the general formula (1), examples of the halogen atom used as R include fluorine, chlorine, bromine and iodine, and a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms and 1 to 6 carbon atoms. Examples of the halogen-containing hydrocarbon group 6 include hydrocarbon groups such as methyl, ethyl, propyl, butyl, pentyl, and hexyl linear or branched alkyl groups, cyclohexyl groups, phenyl groups, and the like. Examples thereof include groups in which one or more hydrogen atoms are replaced with halogen atoms.
【0013】一般式(1)において、Xとして使用され
る炭素数1〜20の炭化水素基としては、炭素数1〜6
のアルキレン基、炭素数2〜14のアルキリデン基、炭
素数7〜20のフェニルアルキリデン基または脂環構造
を含む炭素数5〜20の炭化水素基が挙げられる。炭素
数1〜6のアルキレン基の代表例としては、メチレン
基、エチレン基等、炭素数2〜14のアルキリデン基の
代表例としては、エチリデン基、プロピリデン基、ブチ
リデン基、ペンチリデン基、ヘキシリデン基、ヘプチリ
デン基等の直鎖または分鎖状のアルキリデン基、炭素数
7〜20のフェニルアルキリデン基の代表例としては、
フェニルメチリデン基、フェニルエチリデン基、フェニ
ルプロピリデン基等の直鎖または分鎖状のフェニルアル
キリデン基を挙げることができる。また、脂環構造を含
む炭素数5〜20の炭化水素基の代表例としては、式
(b)、(c)、(d)、(i)、(j)、または
(k)In the general formula (1), the hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms used as X has 1 to 6 carbon atoms.
And an alkylene group having 2 to 14 carbon atoms, a phenylalkylidene group having 7 to 20 carbon atoms, or a hydrocarbon group having 5 to 20 carbon atoms and containing an alicyclic structure. Representative examples of the alkylene group having 1 to 6 carbon atoms include a methylene group and an ethylene group, and representative examples of the alkylidene group having 2 to 14 carbon atoms include an ethylidene group, a propylidene group, a butylidene group, a pentylidene group and a hexylidene group. Typical examples of a linear or branched alkylidene group such as a heptylidene group and a phenylalkylidene group having 7 to 20 carbon atoms include
Examples thereof include linear or branched phenylalkylidene groups such as phenylmethylidene group, phenylethylidene group, and phenylpropylidene group. Moreover, as a typical example of a C5-C20 hydrocarbon group containing an alicyclic structure, a formula (b), (c), (d), (i), (j), or (k) is shown.
【0014】[0014]
【化10】 等で表される基およびこれらの脂環中の水素原子の1つ
以上をメチル基、エチル基等のアルキル基で置換した基
が挙げられる。この中でも式(b)、(c)および
(d)で表される基が好ましい。更に一般式(1)で表
されるジアミノ化合物のうち、式(a)[Chemical 10] And groups in which one or more hydrogen atoms in these alicyclic groups are substituted with an alkyl group such as a methyl group or an ethyl group. Among these, the groups represented by the formulas (b), (c) and (d) are preferable. Furthermore, among the diamino compounds represented by the general formula (1), those represented by the formula (a)
【0015】[0015]
【化11】 (式中、Xはブチリデン基または硫黄原子を表す。)で
表されるものも好ましい化合物の一群である。[Chemical 11] (In the formula, X represents a butylidene group or a sulfur atom) is also a preferred group of compounds.
【0016】一般式(1)で表されるジアミノ化合物類
の代表例を示すと次の通りである。ビス〔4−(4−ア
ミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニ
ル〕スルフィド、ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)
−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕スルフィド、
1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−t
−ブチル−6−メチルフェニル〕ブタン、1,1−ビス
〔3−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6
−メチルフェニル〕ブタン、1,1−ビス〔4−(4−
アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェ
ニル〕ペンタン、1,1−ビス〔3−(4−アミノフェ
ノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ペン
タン、1,1−ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−
3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ヘキサン、1,
1−ビス〔3−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブ
チル−6−メチルフェニル〕ヘキサン、1,1−ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6
−メチルフェニル〕ヘプタン、1,1−ビス〔3−(4
−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフ
ェニル〕ヘプタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕メンタン、ビス〔2−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕メンタン、1−〔2−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル〕−8−〔4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔4−(3−アミノ
フェノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔2−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メンタン、1−〔2−(3
−アミノフェノキシ)フェニル〕−8−〔4−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕メンタン、ビス〔4−(4
−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕メンタ
ン、ビス〔4−(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジ
メチルフェニル〕メンタン、ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕メンタ
ン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチルフェノキシ)
−3−メチルフェニル〕メンタン、ビス〔4−(4−ア
ミノ−5−メチルフェノキシ)−3,5−ジメチルフェ
ニル〕メンタン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチル
フェノキシ)−3−ブチル−6−メチルフェニル〕メン
タン、ビス〔2−(4−アミノフェノキシ)−3−メチ
ルフェニル〕メンタン、1−〔2−(4−アミノフェノ
キシ)−3−メチルフェニル〕−8−〔4−(4−アミ
ノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕メンタン、ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔2−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ[5,2,1,
02,6]デカン、〔2−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕−〔4−(4−アミノフェノキシ)フェニル〕
トリシクロ[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔4
−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔2−(3−ア
ミノフェノキシ)フェニル〕トリシクロ[5,2,1,
02,6]デカン、〔2−(3−アミノフェノキシ)フ
ェニル〕−〔4−(3−アミノフェノキシ)フェニル〕
トリシクロ[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔4
−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェニル〕ト
リシクロ[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニ
ル〕トリシクロ[5,2,1,02,6]デカン、ビス
〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−ブチル−6−メ
チルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6]デ
カン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチルフェノキ
シ)−3−メチルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,
02,6]デカン、ビス〔4−(4−アミノ−5−メチ
ルフェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル〕トリシク
ロ[5,2,1,02,6]デカン、ビス〔4−(4−
アミノ−5−メチルフェノキシ)−3−ブチル−6−メ
チルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6]デ
カン、ビス〔2−(4−アミノフェノキシ)−3−メチ
ルフェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6]デカ
ン、〔2−(4−アミノフェノキシ)−3−メチルフェ
ニル〕−〔4−(4−アミノフェノキシ)−3−メチル
フェニル〕トリシクロ[5,2,1,02,6]デカン
等が例示される。これらの中でも、1,1−ビス〔4−
(4−アミノフェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチ
ルフェニル〕ブタン、ビス〔4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル〕メンタンおよびビス〔4−(4−アミノ
フェノキシ)−3,5−ジメチルフェニル〕トリシクロ
[5,2,1,02,6]デカンが好ましい。Typical examples of the diamino compounds represented by the general formula (1) are as follows. Bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] sulfide, bis [3- (4-aminophenoxy)
-3-t-butyl-6-methylphenyl] sulfide,
1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t
-Butyl-6-methylphenyl] butane, 1,1-bis [3- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6
-Methylphenyl] butane, 1,1-bis [4- (4-
Aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] pentane, 1,1-bis [3- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] pentane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy)-
3-t-butyl-6-methylphenyl] hexane, 1,
1-bis [3- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] hexane, 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6
-Methylphenyl] heptane, 1,1-bis [3- (4
-Aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] heptane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] menthane, bis [2- (4-aminophenoxy) phenyl] mentane, 1- [2 -(4-Aminophenoxy) phenyl] -8- [4- (4-aminophenoxy) phenyl] menthane, bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] mentane, bis [2- (3-aminophenoxy) phenyl ] Mentan, 1- [2- (3
-Aminophenoxy) phenyl] -8- [4- (3-aminophenoxy) phenyl] menthane, bis [4- (4
-Aminophenoxy) -3-methylphenyl] menthane, bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] mentane, bis [4- (4-aminophenoxy) -3-butyl-6-methyl Phenyl] menthane, bis [4- (4-amino-5-methylphenoxy)
-3-Methylphenyl] menthane, bis [4- (4-amino-5-methylphenoxy) -3,5-dimethylphenyl] mentane, bis [4- (4-amino-5-methylphenoxy) -3-butyl -6-Methylphenyl] menthane, bis [2- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] mentane, 1- [2- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] -8- [4- ( 4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] menthane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [2- (4-aminophenoxy) phenyl ] Tricyclo [5,2,1,
02,6] decane, [2- (4-aminophenoxy) phenyl]-[4- (4-aminophenoxy) phenyl]
Tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [4
-(3-Aminophenoxy) phenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [2- (3-aminophenoxy) phenyl] tricyclo [5,2,1,
02,6] decane, [2- (3-aminophenoxy) phenyl]-[4- (3-aminophenoxy) phenyl]
Tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [4
-(4-Aminophenoxy) -3-methylphenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [4-
(4-Aminophenoxy) -3,5-dimethylphenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [4- (4-aminophenoxy) -3-butyl-6-methylphenyl] tricyclo [ 5,2,1,02,6] decane, bis [4- (4-amino-5-methylphenoxy) -3-methylphenyl] tricyclo [5,2,1,
02,6] decane, bis [4- (4-amino-5-methylphenoxy) -3,5-dimethylphenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [4- (4-
Amino-5-methylphenoxy) -3-butyl-6-methylphenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane, bis [2- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] tricyclo [5 , 2,1,02,6] decane, [2- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl]-[4- (4-aminophenoxy) -3-methylphenyl] tricyclo [5,2,1,] 02,6] Decane and the like are exemplified. Among these, 1,1-bis [4-
(4-Aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] butane, bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] menthane and bis [4- (4-aminophenoxy) -3,5-dimethyl Phenyl] tricyclo [5,2,1,02,6] decane is preferred.
【0017】一般式(2)で表されるジアミノ化合物の
うち、式(e)、(f)、(g)または(h)Among the diamino compounds represented by the general formula (2), the formula (e), (f), (g) or (h)
【0018】[0018]
【化12】 (式中、Rおよびaは一般式(2)におけるそれと同じ
意味を示す。)で表されるものは好ましい化合物の一群
である。一般式(2)で表されるジアミノ化合物の代表
例としては、以下のものが挙げられる。m―フェニレン
ジアミン、p―フェニレンジアミン、2,4―ジアミノ
トルエン、2,6―ジアミノトルエン、3,3’―ジア
ミノジフェニルエーテル、3,4’―ジアミノジフェニ
ルエーテル、4,4’―ジアミノジフェニルエーテル、
3,3’―ジアミノジフェニルメタン、3,4’―ジア
ミノジフェニルメタン、4,4’―ジアミノジフェニル
メタン、3,3’,5,5’―テトラブロモ―4,4’
―ジアミノジフェニルメタン、3,3’―ジアミノジフ
ェニルスルフィド、3,4’―ジアミノジフェニルスル
フィド、4,4’―ジアミノジフェニルスルフィド、
3,3’―ジアミノジフェニルスルホン、3,4’―ジ
アミノジフェニルスルホン、4,4’―ジアミノジフェ
ニルスルホン、1,3―ビス(4―アミノフェノキシ)
ベンゼン、1,4―ビス(4―アミノフェノキシ)ベン
ゼン等が例示される。これらジアミノ化合物は、単独あ
るいは2種以上混合して使用される。[Chemical 12] (In the formula, R and a have the same meanings as those in formula (2).) A group of preferable compounds. Typical examples of the diamino compound represented by the general formula (2) include the following. m-phenylenediamine, p-phenylenediamine, 2,4-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, 3,3'-diaminodiphenyl ether, 3,4'-diaminodiphenyl ether, 4,4'-diaminodiphenyl ether,
3,3'-diaminodiphenylmethane, 3,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 3,3 ', 5,5'-tetrabromo-4,4'
-Diaminodiphenylmethane, 3,3'-diaminodiphenyl sulfide, 3,4'-diaminodiphenyl sulfide, 4,4'-diaminodiphenyl sulfide,
3,3'-diaminodiphenyl sulfone, 3,4'-diaminodiphenyl sulfone, 4,4'-diaminodiphenyl sulfone, 1,3-bis (4-aminophenoxy)
Examples thereof include benzene and 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene. These diamino compounds may be used alone or in admixture of two or more.
【0019】一般式(1)で表されるジアミノ化合物と
一般式(2)で表されるジアミノ化合物の仕込割合を変
えることによって、得られるポリイミドの物性を変える
ことができる。良好な溶解性や成形性および低誘電性を
得るためには、ジアミノ化合物全量の内一般式(1)で
表されるジアミノ化合物が30%以上占めることが望ま
しい。The physical properties of the obtained polyimide can be changed by changing the charging ratio of the diamino compound represented by the general formula (1) and the diamino compound represented by the general formula (2). In order to obtain good solubility, moldability and low dielectric property, it is desirable that the diamino compound represented by the general formula (1) accounts for 30% or more of the total amount of the diamino compound.
【0020】一般式(3)で表されるテトラカルボン酸
二無水物は上記のジアミノ化合物と縮合反応しうるもの
であれば如何なるものも適用可能であるが、代表例とし
ては、以下のものが挙げられる。 エチレンテトラカル
ボン酸二無水物、シクロペンタンカルボン酸二無水物、
ピロメリット酸二無水物、3,3’,4,4’−ベンゾ
フェノンテトラカルボン酸二無水物、2,2’,3,
3’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、3,
3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水
物、2,2’,3,3’−ビフェニルテトラカルボン酸
二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニルスルホンテ
トラカルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェ
ニルヘキサフルオロイソプロピリデンテトラカルボン酸
二無水物、4,4’−オキシジフタル酸二無水物、2,
3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二無水物、
1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン酸二無水
物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸二無
水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカルボン酸
二無水物、1,2,7,8−フェナントラセンテトラカ
ルボン酸二無水物、4−(1,2−ジカルボキシルエチ
ル)−4−メチル−1,2,3,4−テトラヒドロ−
1,2−ナフタレンジカルボン酸二無水物、2,2−ビ
ス〔4−(3,4−ジカルボキシフェノキシ)フェニ
ル〕プロパン二無水物、5−(1,2−ジカルボキシル
エチル)−3−メチル−1,2,5,6−テトラハイド
ロフタル酸二無水物、6−メチル−トリシクロ[6,
2,2,02,7]−ドデカ−6,11−ジエン−3,
4,9,10−テトラカルボン酸二無水物等が例示され
る。これらテトラカルボン酸二無水物は、単独あるいは
2種以上混合して使用される。Any tetracarboxylic acid dianhydride represented by the general formula (3) can be used as long as it can undergo a condensation reaction with the above diamino compound. Typical examples are as follows. Can be mentioned. Ethylene tetracarboxylic dianhydride, cyclopentane carboxylic dianhydride,
Pyromellitic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3
3'-benzophenone tetracarboxylic dianhydride, 3,
3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 2,2', 3,3'-biphenyltetracarboxylic dianhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfone tetracarboxylic dianhydride Anhydride, 3,3 ', 4,4'-diphenylhexafluoroisopropylidene tetracarboxylic acid dianhydride, 4,4'-oxydiphthalic acid dianhydride, 2,
3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride,
1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1, 2,7,8-phenanthracene tetracarboxylic acid dianhydride, 4- (1,2-dicarboxylethyl) -4-methyl-1,2,3,4-tetrahydro-
1,2-Naphthalenedicarboxylic acid dianhydride, 2,2-bis [4- (3,4-dicarboxyphenoxy) phenyl] propane dianhydride, 5- (1,2-dicarboxyethyl) -3-methyl -1,2,5,6-tetrahydrophthalic dianhydride, 6-methyl-tricyclo [6,6
2,2,02,7] -dodeca-6,11-diene-3,
Examples include 4,9,10-tetracarboxylic dianhydride and the like. These tetracarboxylic dianhydrides may be used alone or in admixture of two or more.
【0021】本発明のフィルムの原料であるポリイミド
の製造方法としては、ポリイミドを製造可能な方法なら
いかなる方法でも適用可能であるが、中でも、ジアミノ
化合物とテトラカルボン酸二無水物を適当な溶媒中反応
させてポリイミド前駆体であるポリアミド酸溶液を得た
後、溶液中、もしくは適当な基板上に溶液をキャストし
た後、熱的あるいは化学的に閉環させる方法が好まし
い。ジアミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物のモル
比は1/0.5から1/2の範囲から選ばれ、高分子量
体を得たい場合には1/1に近いモル比で反応が行われ
る。また分子量を制御するために、芳香族モノアミンや
芳香族ジカルボン酸無水物を添加して、末端を非反応性
にする方法も用いることができる。また得られるポリイ
ミドの耐燃性や接着性付与等の物性改良のため、反応型
あるいは非反応型の適当な添加剤を加えることもでき
る。As the method for producing the polyimide which is the raw material of the film of the present invention, any method can be applied as long as it is a method capable of producing a polyimide. Among them, a diamino compound and a tetracarboxylic dianhydride in a suitable solvent are used. A method is preferred in which a polyamic acid solution which is a polyimide precursor is reacted to obtain a solution, and then the solution is cast in a solution or on an appropriate substrate and then thermally or chemically closed. The molar ratio of the diamino compound and the tetracarboxylic acid dianhydride is selected from the range of 1 / 0.5 to 1/2, and when it is desired to obtain a high molecular weight compound, the reaction is performed at a molar ratio close to 1/1. Further, in order to control the molecular weight, a method of adding an aromatic monoamine or an aromatic dicarboxylic acid anhydride to make the terminal non-reactive can also be used. Further, in order to improve the physical properties of the obtained polyimide such as imparting flame resistance and adhesiveness, an appropriate reactive or non-reactive additive may be added.
【0022】ポリアミド酸およびポリイミドの合成に使
用される溶媒は、上記のジアミノ化合物およびテトラカ
ルボン酸二無水物を溶解させることのできるものであれ
ば如何なるものも適用可能であるが、代表例としては、
以下のものが挙げられる。N−メチル−2−ピロリドン
(以下、NMPと略す)、N,N−ジメチルアセトアミ
ド、N,N−ジエチルアセトアミド、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N−メチル−ε
−カプロラクタム、γ−ブチロラクトン、1,3−ジメ
チル−2−イミダゾリジノン、テトラメチル尿素、ヘキ
サメチルホスホルアミド、m−クレゾール、p−クレゾ
ール、o−クレゾール、キシレノール、ピリジン、1,
2−ジメトキシエタン、テトラヒドロフラン、1,4−
ジオキサン、ジグライム等が例示される。これらの溶媒
は、単独あるいは2種以上混合して使用しても良い。濃
度は、ジアミノ化合物とテトラカルボン酸二無水物の重
量の和で1〜50重量%、好ましくは5〜20重量%程
度となるように調製する。また、イミド化時の共沸脱水
溶媒として、シクロヘキサン、ベンゼン、トルエン、キ
シレン、メシチレン、クロロベンゼン、N−シクロヘキ
シル−2−ピロリドン等を添加することも可能である。As the solvent used for the synthesis of the polyamic acid and the polyimide, any solvent can be applied as long as it can dissolve the above-mentioned diamino compound and tetracarboxylic dianhydride, but as a typical example. ,
The following are listed. N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP), N, N-dimethylacetamide, N, N-diethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, N-methyl-ε
-Caprolactam, γ-butyrolactone, 1,3-dimethyl-2-imidazolidinone, tetramethylurea, hexamethylphosphoramide, m-cresol, p-cresol, o-cresol, xylenol, pyridine, 1,
2-dimethoxyethane, tetrahydrofuran, 1,4-
Examples include dioxane and diglyme. You may use these solvent individually or in mixture of 2 or more types. The concentration is adjusted to be 1 to 50% by weight, preferably 5 to 20% by weight, as the sum of the weights of the diamino compound and the tetracarboxylic dianhydride. It is also possible to add cyclohexane, benzene, toluene, xylene, mesitylene, chlorobenzene, N-cyclohexyl-2-pyrrolidone or the like as an azeotropic dehydration solvent at the time of imidization.
【0023】ポリイミドの製造に先だって原料や反応溶
媒中の水分を公知の方法で十分に除去しておき、反応中
は乾燥窒素気流下で行うことが好ましい。ポリアミド酸
合成の反応温度は通常250℃以下、好ましくは60℃
以下である。反応圧力は特に限定されず、常圧で十分実
施できる。反応時間は用いるジアミンおよび酸二無水物
の種類、溶媒、反応温度により異なるが、通常10分〜
24時間である。得られたポリアミド酸をさらに100
〜400℃に加熱してイミド化するか、または触媒の存
在下無水酢酸等の脱水剤を用いて化学的に閉環すること
により、ポリイミドが得られる。Prior to the production of the polyimide, it is preferable to sufficiently remove the water content in the raw materials and the reaction solvent by a known method, and to carry out the reaction under a dry nitrogen stream. The reaction temperature for polyamic acid synthesis is usually 250 ° C or lower, preferably 60 ° C.
It is the following. The reaction pressure is not particularly limited and can be carried out at normal pressure. The reaction time varies depending on the type of diamine and dianhydride used, the solvent and the reaction temperature, but is usually 10 minutes to
24 hours. The obtained polyamic acid is further added to 100
A polyimide can be obtained by heating at ˜400 ° C. for imidization, or by chemically cyclizing with a dehydrating agent such as acetic anhydride in the presence of a catalyst.
【0024】得られたポリイミドは、反応溶液をそのま
ま、または反応溶液を貧溶媒に注いで生成したポリイミ
ドを沈澱させて粉末とした後適当な溶媒に再溶解させ
て、必要があれば反応型あるいは非反応型の適当な添加
剤を加えて、フィルム作成に供する。2層フレキシブル
プリント基板や保護被覆層の作成は、上記溶液を基材、
例えば金属箔、半導体素子、各種配線板、電線やケーブ
ルの芯材等の上にコーター、ドクターブレード、スピン
コート、印刷等の公知の塗布手段を用いて均一な厚さに
塗布した後、溶媒を加熱乾燥させることにより行われ
る。The obtained polyimide is prepared by pouring the reaction solution as it is or by pouring the reaction solution into a poor solvent to precipitate the resulting polyimide, and then re-dissolving it in a suitable solvent, and if necessary, a reaction type or An appropriate non-reactive additive is added and the film is prepared. A two-layer flexible printed circuit board or a protective coating layer is prepared by using the above solution as a base material,
For example, a metal foil, a semiconductor element, various wiring boards, a core material of electric wires or cables, etc. are coated with a uniform thickness using a known coating means such as a coater, a doctor blade, spin coating, and printing, and then a solvent is applied. It is carried out by heating and drying.
【0025】また、2層フレキシブルプリント基板や保
護被覆層の作成は、上記溶液を適当な目的以外の基板上
にキャスト、溶媒乾燥してフィルムを作成後、これを剥
がしたものを目的の基材に加熱圧着することにより行う
こともできる。ポリイミドフィルムと被接着物との熱圧
着は、160℃〜400℃、5〜100kg/cm2、
5〜30分の条件で行われる。熱圧着温度は、低すぎる
と十分な接着強度が得られず、また高すぎると熱劣化の
恐れがあるため、250〜350℃が適当である。The two-layer flexible printed circuit board and the protective coating layer are prepared by casting the above solution on a substrate other than the appropriate purpose, solvent-drying it to form a film, and then peeling it off to obtain the desired substrate. It can also be performed by heating and pressure bonding. Thermocompression bonding between the polyimide film and the adherend is performed at 160 ° C. to 400 ° C., 5 to 100 kg / cm 2,
It is performed under the condition of 5 to 30 minutes. If the thermocompression bonding temperature is too low, sufficient adhesive strength cannot be obtained, and if it is too high, there is a risk of thermal deterioration, so 250 to 350 ° C. is suitable.
【0026】2層フレキシブルプリント基板作成に用い
る金属箔の材料としては、銅、アルミニウム、ニッケル
等が挙げられる。得られた2層フレキシブルプリント基
板に配線板として必要な加工を行った後、その上にポリ
イミドフィルム層を形成させることにより、カバーレイ
付き2層フレキシブルプリント基板を得ることができ
る。さらに、両面および多層フレキシブルプリント基板
またはTAB用テープとして応用することができる。本
発明のポリイミドフィルムまたはその溶液をフレキシブ
ルプリント基板のカバーレイフィルム用として使用する
ことも可能である。Examples of the material of the metal foil used for producing the two-layer flexible printed circuit board include copper, aluminum and nickel. The obtained two-layer flexible printed board is processed as a wiring board and then a polyimide film layer is formed thereon to obtain a two-layer flexible printed board with a coverlay. Further, it can be applied as a double-sided and multilayer flexible printed circuit board or a tape for TAB. It is also possible to use the polyimide film of the present invention or a solution thereof for a coverlay film of a flexible printed circuit board.
【0027】本発明の保護被覆材の用途は、例として、
半導体素子や各種配線板の表面保護や層間絶縁用、ある
いは電線やケーブル等の被覆膜が挙げられるが、特に限
定されるものではない。Uses of the protective coating of the present invention include, by way of example:
Examples thereof include, but are not particularly limited to, surface protection and interlayer insulation of semiconductor elements and various wiring boards, and coating films for electric wires and cables.
【0028】[0028]
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的に説明するが、本発明はこれらの実施例に制限される
ものではない。尚、本実施例および比較例にて用いた測
定方法および装置は次の通りである。固有粘度ηinh :
0.5g/dlのNMP溶液を調整し、ウベローデ粘度
計を使用して30℃の恒温槽中で落下時間を測定し、次
式により算出した。 ηinh =〔ln(t/t0)〕/0.5 〔dl/g〕 ただし、t :粘度計で測定される溶液の落下時間
(秒) t0:同様に測定される溶媒の落下時間(秒) 赤外吸収スペクトル:日本分光工業社製 IR−700
装置を使用して、粉末はKBr法、フィルムはそのまま
で測定した。 溶解性:各溶媒に対し10%の樹脂の溶解性を室温時お
よび加熱時(150℃)について測定した。 熱分析:セイコー電子工業社製 SSC−5200Hシ
ステムを用いた。 熱天秤;TG/DTA220装置を用い、10℃/mi
n.、30〜600℃、N2雰囲気下熱分解温度(T
d)を測定した。 示差走査熱量計;DSC220C装置を用い、10℃/
min.、30〜400℃、N2雰囲気下ガラス転移温
度(Tg)を測定した。 吸湿率:東洋製作所社製 恒温恒湿器AGX―225装
置を用い、85℃×85%×72時間の条件で測定し
た。 誘電率、誘電正接:横河ヒューレットパッカード社製
LCRメーター4275A装置を用い、金電極をサンプ
ル両面に蒸着し、1MHzにて測定した。 絶縁破壊の強さ:絶縁油中に試料を浸漬して電極間に挿
入し、電圧を徐々に印加、絶縁破壊が起きた時の電圧を
塗膜の厚さで割った数値を求めた。 ピール強度:引張速度50mm/min.で180°引
き剥がし強さを測定した。 はんだ耐熱性:所定温度のはんだ浴中に浸漬後、膨れの
有無を観察した。EXAMPLES The present invention will be described in detail below with reference to examples and comparative examples, but the present invention is not limited to these examples. The measuring methods and devices used in the examples and comparative examples are as follows. Intrinsic viscosity η inh :
An NMP solution of 0.5 g / dl was prepared, the drop time was measured in a thermostat at 30 ° C. using an Ubbelohde viscometer, and calculated by the following formula. η inh = [ln (t / t 0 )] / 0.5 [dl / g] where t: solution drop time (seconds) measured with a viscometer t 0 : solvent drop time similarly measured (Sec) Infrared absorption spectrum: IR-700 manufactured by JASCO Corporation
Using the apparatus, the powder was measured by the KBr method, and the film was measured as it was. Solubility: The solubility of 10% resin in each solvent was measured at room temperature and at heating (150 ° C). Thermal analysis: SSC-5200H system manufactured by Seiko Instruments Inc. was used. Thermobalance; using TG / DTA220 device, 10 ° C / mi
n. , 30-600 ° C, thermal decomposition temperature (T
d) was measured. Differential scanning calorimeter; using DSC220C device, 10 ° C /
min. , 30 to 400 ° C., and the glass transition temperature (Tg) was measured under N 2 atmosphere. Moisture absorption rate: Measured under the conditions of 85 ° C. × 85% × 72 hours using a constant temperature and humidity chamber AGX-225 manufactured by Toyo Seisakusho. Permittivity, loss tangent: Yokogawa Hewlett-Packard
Using an LCR meter 4275A device, gold electrodes were vapor-deposited on both sides of the sample and measured at 1 MHz. Dielectric breakdown strength: A sample was immersed in insulating oil and inserted between electrodes, a voltage was gradually applied, and the voltage at the time of dielectric breakdown was divided by the thickness of the coating film to obtain a numerical value. Peel strength: Tensile speed 50 mm / min. 180 ° peeling strength was measured. Solder heat resistance: After immersion in a solder bath at a predetermined temperature, the presence or absence of swelling was observed.
【0029】合成例1 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた500ml
4つ口フラスコに、1,1−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブ
タン33.8g(0.06mol)およびNMP26
5.8gを仕込み溶解させたところへ、ピロメリット酸
二無水物13.1g(0.06mol)を仕込み、窒素
気流下室温で一晩撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得
られたポリアミド酸の固有粘度は1.04dl/gであ
った。次にポリアミド酸溶液を190℃まで昇温し、窒
素気流下5時間撹拌した(生成した水は窒素と共に系外
へ除かれる)。反応溶液を激しく撹拌しているメタノー
ル中に注ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、これを減圧下
150℃で一晩乾燥させて、ポリイミド粉末を得た。得
られたポリイミドの固有粘度は0.56dl/gであっ
た。Synthesis Example 1 500 ml equipped with a nitrogen gas inlet tube, a thermometer, and a stirrer
In a four-necked flask, 33.8 g (0.06 mol) of 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] butane and NMP26 were added.
To the place where 5.8 g was charged and dissolved, 13.1 g (0.06 mol) of pyromellitic dianhydride was charged and stirred overnight at room temperature under a nitrogen stream to obtain a polyamic acid solution. The intrinsic viscosity of the obtained polyamic acid was 1.04 dl / g. Next, the polyamic acid solution was heated to 190 ° C. and stirred under a nitrogen stream for 5 hours (generated water is removed from the system together with nitrogen). The reaction solution was poured into methanol under vigorous stirring to precipitate a resin, which was collected by filtration and dried under reduced pressure at 150 ° C. overnight to obtain a polyimide powder. The intrinsic viscosity of the obtained polyimide was 0.56 dl / g.
【0030】合成例2 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた500ml
4つ口フラスコに、1,1−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブ
タン33.8g(0.06mol)およびNMP29
1.3gを仕込み溶解させたところへ、3,3’,4,
4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物17.6g
(0.06mol)を仕込み、窒素気流下室温で一晩撹
拌してポリアミド酸溶液を得た。得られたポリアミド酸
の固有粘度は0.86dl/gであった。次にポリアミ
ド酸溶液を190℃まで昇温し、窒素気流下5時間撹拌
した(生成した水は窒素と共に系外へ除かれる)。反応
溶液を激しく撹拌しているメタノール中に注ぎ入れ樹脂
を析出させて濾取し、これを減圧下150℃で一晩乾燥
させて、ポリイミド粉末を得た。得られたポリイミドの
固有粘度は0.71dl/gであった。Synthesis Example 2 500 ml equipped with a nitrogen gas inlet tube, a thermometer, and a stirrer
In a four-necked flask, 33.8 g (0.06 mol) of 1,1-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] butane and NMP29 were used.
To the place where 1.3 g was charged and dissolved, 3, 3 ', 4,
17.6 g of 4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride
(0.06 mol) was charged and stirred overnight at room temperature under a nitrogen stream to obtain a polyamic acid solution. The intrinsic viscosity of the obtained polyamic acid was 0.86 dl / g. Next, the polyamic acid solution was heated to 190 ° C. and stirred under a nitrogen stream for 5 hours (generated water is removed from the system together with nitrogen). The reaction solution was poured into methanol under vigorous stirring to precipitate a resin, which was collected by filtration and dried under reduced pressure at 150 ° C. overnight to obtain a polyimide powder. The intrinsic viscosity of the obtained polyimide was 0.71 dl / g.
【0031】合成例3 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた300ml
4つ口フラスコに、1,1−ビス〔4−(4−アミノフ
ェノキシ)−3−t−ブチル−6−メチルフェニル〕ブ
タン11.3g(0.02mol)およびNMP10
4.6gを仕込み溶解させたところへ、3,3’,4,
4’−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
7.16g(0.02mol)を仕込み、窒素気流下室
温で一晩撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られたポ
リアミド酸の固有粘度は0.92dl/gであった。次
にポリアミド酸溶液を190℃まで昇温し、窒素気流下
5時間撹拌した(生成した水は窒素と共に系外へ除かれ
る)。反応溶液を激しく撹拌しているメタノール中に注
ぎ入れ樹脂を析出させて濾取し、これを減圧下150℃
で一晩乾燥させて、ポリイミド粉末を得た。得られたポ
リイミドの固有粘度は0.77dl/gであった。Synthesis Example 3 300 ml equipped with a nitrogen gas introduction tube, a thermometer, and a stirrer
In a 4-necked flask, 11.3-bis [4- (4-aminophenoxy) -3-t-butyl-6-methylphenyl] butane 11.3 g (0.02 mol) and NMP10.
To the place where 4.6 g was charged and dissolved, 3, 3 ', 4,
7.16 g (0.02 mol) of 4'-diphenylsulfone tetracarboxylic acid dianhydride was charged and stirred overnight at room temperature under a nitrogen stream to obtain a polyamic acid solution. The intrinsic viscosity of the obtained polyamic acid was 0.92 dl / g. Next, the polyamic acid solution was heated to 190 ° C. and stirred under a nitrogen stream for 5 hours (generated water is removed from the system together with nitrogen). The reaction solution was poured into methanol which was vigorously stirred to precipitate the resin, which was collected by filtration, and this was collected under reduced pressure at 150 ° C.
And dried overnight to obtain a polyimide powder. The intrinsic viscosity of the obtained polyimide was 0.77 dl / g.
【0032】比較例1 窒素ガス導入管、温度計、撹拌装置を備えた300ml
4つ口フラスコに、4、4’−ジアミノジフェニルエー
テル10.0g(0.05mol)とNMP118.4
gを仕込み溶解させたところへ、ピロメリット酸二無水
物10.9g(0.05mol)を仕込み、窒素気流下
室温で一晩撹拌してポリアミド酸溶液を得た。得られた
ポリアミド酸の固有粘度は0.81dl/gであった。
次にポリアミド酸溶液をガラス板上にキャストして減圧
下100℃で一晩乾燥させた後、減圧下200℃で1時
間、さらに通風条件下300℃で1時間加熱して、ガラ
ス板より剥離して30μm厚のポリイミドフィルムを得
た。得られたフィルムの外観はボイドや白濁等が観測さ
れず良好であった。Comparative Example 1 300 ml equipped with a nitrogen gas introducing pipe, a thermometer and a stirring device
In a four-necked flask, 10.0 g (0.05 mol) of 4,4′-diaminodiphenyl ether and NMP118.4.
10.9 g (0.05 mol) of pyromellitic dianhydride was charged to the place where g was charged and dissolved, and the mixture was stirred overnight at room temperature under a nitrogen stream to obtain a polyamic acid solution. The intrinsic viscosity of the obtained polyamic acid was 0.81 dl / g.
Then, the polyamic acid solution was cast on a glass plate and dried under reduced pressure at 100 ° C. overnight, and then heated under reduced pressure at 200 ° C. for 1 hour and further at 300 ° C. for 1 hour under ventilation to peel from the glass plate. Thus, a polyimide film having a thickness of 30 μm was obtained. The appearance of the obtained film was good with no observed voids or cloudiness.
【0033】上記の合成例1〜3および比較例1にて得
られたポリイミドの赤外吸収スペクトルの測定結果を図
1〜4に示す。それぞれ、5員環イミド基の特性吸収帯
である1720cm-1および1780cm-1付近の吸収
が認められた。The measurement results of infrared absorption spectra of the polyimides obtained in Synthesis Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 are shown in FIGS. Each of absorption around 1720 cm -1 and 1780 cm -1 which is the characteristic absorption band of 5-membered ring imide group was observed.
【0034】表1に合成例1〜3および比較例1にて得
られたポリイミドの各種溶媒に対する溶解性の測定結果
を示す。Table 1 shows the results of measuring the solubility of the polyimides obtained in Synthesis Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 in various solvents.
【0035】[0035]
【表1】 [Table 1]
【0036】実施例1〜3 合成例1〜3にて得られたポリイミド粉末について、そ
れぞれ20%濃度のNMPの溶液を調整し、ガラス板上
にキャストして減圧下200℃で3時間乾燥後剥離し、
それぞれ40μm厚のポリイミドフィルムを得た。得ら
れたフィルムの外観はどれもボイドや白濁等が観測され
ず良好であった。Examples 1 to 3 With respect to each of the polyimide powders obtained in Synthesis Examples 1 to 3, a solution of NMP having a concentration of 20% was prepared, cast on a glass plate, and dried under reduced pressure at 200 ° C. for 3 hours. Peel off,
Polyimide films each having a thickness of 40 μm were obtained. The appearance of each of the obtained films was good with no voids or cloudiness observed.
【0037】実施例1〜3および比較例1で得られたフ
ィルムを用いて熱的特性、吸水率、および電気的特性を
測定した結果を表2に示す。Table 2 shows the results of measuring the thermal characteristics, the water absorption rate and the electrical characteristics using the films obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1.
【0038】[0038]
【表2】 [Table 2]
【0039】実施例4〜6および比較例2 実施例1〜3および比較例1にて得られたポリイミドフ
ィルムをそれぞれ銅箔上にのせ、電熱プレスを用いて表
3に示す条件で熱圧着した。前3者についてはそれぞれ
2層フレキシブルプリント基板を得たが、後者は接着す
ることができず、2層フレキシブルプリント基板は得ら
れなかった。このときのピール強度の測定結果を表3に
示す。Examples 4 to 6 and Comparative Example 2 Each of the polyimide films obtained in Examples 1 to 3 and Comparative Example 1 was placed on a copper foil and thermocompression bonded under the conditions shown in Table 3 using an electrothermal press. . A two-layer flexible printed circuit board was obtained for each of the former three cases, but the latter could not be adhered and a two-layer flexible printed circuit board could not be obtained. Table 3 shows the peel strength measurement results at this time.
【0040】[0040]
【表3】 [Table 3]
【0041】比較例3 比較例1にて得られたポリイミドフィルムと銅箔を、接
着剤としてパイララックス(米国デュポン社商品名)を
用いて、180℃×30kg/cm2×40分の条件で
接着し、3層フレキシブルプリント基板を得た。Comparative Example 3 The polyimide film and the copper foil obtained in Comparative Example 1 were bonded under the conditions of 180 ° C. × 30 kg / cm 2 × 40 minutes using Pyralux (trade name of DuPont, USA) as an adhesive. Then, a three-layer flexible printed board was obtained.
【0042】上記の実施例4〜6および比較例3にて得
られたフレキシブルプリント基板の常態、および85℃
×85%×2時間の条件で吸湿後のはんだ耐熱性を調べ
た結果を表4に示す。The normal state of the flexible printed circuit boards obtained in Examples 4 to 6 and Comparative Example 3 above, and 85 ° C.
Table 4 shows the results of examining the solder heat resistance after moisture absorption under the conditions of x85% x 2 hours.
【0043】[0043]
【表4】 [Table 4]
【0044】実施例7〜9および比較例4 合成例1〜3にて得られたポリイミド粉末について、そ
れぞれ15%濃度のNMPの溶液を調整し、それぞれ3
5μmの銅箔上にキャストして減圧下200℃で3時間
乾燥して、30μm厚のポリイミド塗膜を得た。また比
較例1の合成途中で得られたポリアミド酸溶液を35μ
mの銅箔上にキャストして、減圧下100℃で一晩乾燥
させた後、減圧下200℃で1時間、さらに通風条件下
300℃で1時間加熱して、30μm厚のポリイミド塗
膜を得た。得られた塗膜の外観はどれもボイドや白濁等
が観測されず良好であった。Examples 7 to 9 and Comparative Example 4 With respect to the polyimide powders obtained in Synthesis Examples 1 to 3, solutions of NMP having a concentration of 15% were prepared, and each of them was adjusted to 3
It was cast on a copper foil of 5 μm and dried under reduced pressure at 200 ° C. for 3 hours to obtain a polyimide coating film with a thickness of 30 μm. In addition, the polyamic acid solution obtained during the synthesis of Comparative Example 1
m on a copper foil and dried under reduced pressure at 100 ° C. overnight, and then heated under reduced pressure at 200 ° C. for 1 hour and further at 300 ° C. for 1 hour under ventilation conditions to form a 30 μm thick polyimide coating film. Obtained. The appearance of each of the obtained coating films was good with no voids or cloudiness observed.
【0045】実施例7〜9および比較例4にて得られた
塗膜の絶縁破壊の強さ、ピール強度、およびはんだ耐熱
性の測定結果を表5に示す。Table 5 shows the results of measuring the dielectric breakdown strength, peel strength, and solder heat resistance of the coating films obtained in Examples 7 to 9 and Comparative Example 4.
【0046】[0046]
【表5】 [Table 5]
【0047】[0047]
【発明の効果】以上のように、本発明におけるポリイミ
ドフィルムおよびそれを用いたフレキシブルプリント基
板および保護被覆材は、高耐熱性、高接着性、良絶縁
性、低吸湿性、低誘電特性等の各種物性および加工性に
優れたものであり、工業的に有用である。INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, the polyimide film of the present invention and the flexible printed circuit board and protective coating material using the same have high heat resistance, high adhesiveness, good insulating property, low hygroscopicity, low dielectric property, etc. It has various physical properties and processability and is industrially useful.
【図1】本発明の合成例1のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。FIG. 1 shows an infrared absorption spectrum of a polyimide of Synthesis Example 1 of the present invention.
【図2】本発明の合成例2のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。FIG. 2 shows an infrared absorption spectrum of the polyimide of Synthesis Example 2 of the present invention.
【図3】本発明の合成例3のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。FIG. 3 shows an infrared absorption spectrum of the polyimide of Synthesis Example 3 of the present invention.
【図4】本発明の比較例1のポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを示すものである。FIG. 4 shows an infrared absorption spectrum of the polyimide of Comparative Example 1 of the present invention.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H05K 3/28 F // B29K 79:00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Office reference number FI technical display location H05K 3/28 F // B29K 79:00
Claims (7)
子を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6の炭化水素
基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素基を表し、
aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但し、複数のR
およびaはそれぞれ独立に異なった置換基および値をと
りうる。)で表されるジアミノ化合物と、一般式(2) 【化2】 (式中、Yはメチレン基、酸素原子、硫黄原子、または
スルホニル基を表す。Rはハロゲン原子、炭素数1〜6
の炭化水素基または炭素数1〜6の含ハロゲン炭化水素
基を表し、aは0〜4の整数で置換基の数を表す。但
し、複数のRおよびaはそれぞれ独立に異なった置換基
および値をとりうる。またnは0〜2の整数を表す。)
で表されるジアミノ化合物とのモル比が10:0〜1:
9であるジアミノ化合物またはジアミノ化合物の混合
物、および一般式(3) 【化3】 (式中、Zは炭素数2以上の4価の有機基を表す。)で
表されるテトラカルボン酸二無水物を反応させて得られ
るポリイミドを成膜してなるポリイミドフィルム。1. A general formula (1): (In the formula, X represents a hydrocarbon group having 1 to 20 carbon atoms or a sulfur atom. R represents a halogen atom, a hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms or a halogen-containing hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms,
a is an integer of 0 to 4 and represents the number of substituents. However, multiple R
And a may independently have different substituents and values. ) And a diamino compound represented by the general formula (2): (In the formula, Y represents a methylene group, an oxygen atom, a sulfur atom, or a sulfonyl group. R is a halogen atom, and has 1 to 6 carbon atoms.
Or a halogen-containing hydrocarbon group having 1 to 6 carbon atoms, and a is an integer of 0 to 4 and represents the number of substituents. However, plural R and a may independently have different substituents and values. Moreover, n represents the integer of 0-2. )
The molar ratio with the diamino compound represented by
A diamino compound or mixture of diamino compounds which is 9, and a compound of the general formula (3): (In the formula, Z represents a tetravalent organic group having 2 or more carbon atoms.) A polyimide film obtained by forming a polyimide film obtained by reacting a tetracarboxylic dianhydride.
表されるものである請求項1記載のポリイミドフィル
ム。2. A diamino compound represented by the general formula (1) is represented by the formula (a): (In the formula, X represents a butylidene group or a sulfur atom.) The polyimide film according to claim 1.
(c)または(d) 【化5】 で表されるものである請求項1記載のポリイミドフィル
ム。3. In the general formula (1), X is the formula (b),
(C) or (d) The polyimide film according to claim 1, which is represented by:
式(e)、(f)、(g)または(h) 【化6】 (式中、Rおよびaは一般式(2)におけるそれと同じ
意味を示す。)で表されるものである請求項1記載のポ
リイミドフィルム。4. A diamino compound represented by the general formula (2) is represented by the formula (e), (f), (g) or (h): The polyimide film according to claim 1, wherein R and a have the same meanings as those in formula (2).
位置に対するアミノ基のそれがパラ位である請求項1記
載のポリイミドフィルム。5. The polyimide film according to claim 1, wherein the position of the amino group with respect to the substitution position of the ether oxygen atom in the general formula (1) is the para position.
たポリイミドフィルムを用いた接着剤層のないフレキシ
ブルプリント基板。6. A flexible printed circuit board using the polyimide film according to claim 1, which is free of an adhesive layer.
たポリイミドフィルムを用いた保護被覆材。7. A protective coating material using the polyimide film according to claim 1, 2, 3, 4 or 5.
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19955395A JPH08176300A (en) | 1994-10-28 | 1995-08-04 | Polyimide film and its use |
| US08/547,535 US5734008A (en) | 1994-10-28 | 1995-10-23 | Polyimide film |
| EP19950116816 EP0710690A3 (en) | 1994-10-28 | 1995-10-25 | Polyimide film |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28902194 | 1994-10-28 | ||
| JP6-289021 | 1994-10-28 | ||
| JP19955395A JPH08176300A (en) | 1994-10-28 | 1995-08-04 | Polyimide film and its use |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08176300A true JPH08176300A (en) | 1996-07-09 |
Family
ID=26511600
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19955395A Pending JPH08176300A (en) | 1994-10-28 | 1995-08-04 | Polyimide film and its use |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08176300A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023159219A (en) * | 2017-12-27 | 2023-10-31 | 大日本印刷株式会社 | Wiring board and its manufacturing method |
-
1995
- 1995-08-04 JP JP19955395A patent/JPH08176300A/en active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2023159219A (en) * | 2017-12-27 | 2023-10-31 | 大日本印刷株式会社 | Wiring board and its manufacturing method |
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