JPH0794421A - アモルファスシリコン薄膜の製造方法 - Google Patents
アモルファスシリコン薄膜の製造方法Info
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- JPH0794421A JPH0794421A JP5234705A JP23470593A JPH0794421A JP H0794421 A JPH0794421 A JP H0794421A JP 5234705 A JP5234705 A JP 5234705A JP 23470593 A JP23470593 A JP 23470593A JP H0794421 A JPH0794421 A JP H0794421A
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- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/24—Deposition of silicon only
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシ
リコン薄膜を均一な膜厚で形成する方法を提供すること
を目的としている。 【構成】 絶縁材製基板上にプラズマＣＶＤ法によりア
モルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラ
ズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の
放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流
バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限する。
リコン薄膜を均一な膜厚で形成する方法を提供すること
を目的としている。 【構成】 絶縁材製基板上にプラズマＣＶＤ法によりア
モルファスシリコン薄膜を形成する方法において、プラ
ズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫々の
放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる直流
バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ガラス基板その他の
絶縁材製基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する
方法に関する。
絶縁材製基板上にアモルファスシリコン薄膜を形成する
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、成膜チャンバー（真空チャンバ
ー）内で、シランガス（ＳｉＨ4 ）及び水素ガス
（Ｈ2 ）の原料ガスを導入すると共に、対向電極間に高
周波電力を印加して、放電によるプラズマを形成し、プ
ラズマで原料ガスを励起、分解することにより、対向電
極の一方の電極に支持した基板の表面にアモルファスシ
リコン薄膜を形成するようにした、プラズマＣＶＤ法に
よる成膜方法が知られている。この成膜方法は、液晶デ
ィスプレー用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの半導
体デバイスの製造に応用されている。薄膜トランジスタ
を形成する場合、一般にガラス基板が用いられている
が、ディスプレーの大型化に伴い、ガラス基板の大型化
が進み、成膜する膜の膜厚均一性が重要となってきてい
る。従ってアモルファスシリコン薄膜の成膜においても
膜厚の均一性は重要な要素として認識されている。
ー）内で、シランガス（ＳｉＨ4 ）及び水素ガス
（Ｈ2 ）の原料ガスを導入すると共に、対向電極間に高
周波電力を印加して、放電によるプラズマを形成し、プ
ラズマで原料ガスを励起、分解することにより、対向電
極の一方の電極に支持した基板の表面にアモルファスシ
リコン薄膜を形成するようにした、プラズマＣＶＤ法に
よる成膜方法が知られている。この成膜方法は、液晶デ
ィスプレー用の薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）などの半導
体デバイスの製造に応用されている。薄膜トランジスタ
を形成する場合、一般にガラス基板が用いられている
が、ディスプレーの大型化に伴い、ガラス基板の大型化
が進み、成膜する膜の膜厚均一性が重要となってきてい
る。従ってアモルファスシリコン薄膜の成膜においても
膜厚の均一性は重要な要素として認識されている。
【０００３】一般にプラズマＣＶＤ法によりアモルファ
スシリコン薄膜を形成する場合、基板面上のプラズマ密
度の分布が膜厚分布に対応する。従って、良好な膜厚均
一性を得るためには対向電極間に均一な密度分布を持つ
プラズマを形成する必要がある。
スシリコン薄膜を形成する場合、基板面上のプラズマ密
度の分布が膜厚分布に対応する。従って、良好な膜厚均
一性を得るためには対向電極間に均一な密度分布を持つ
プラズマを形成する必要がある。
【０００４】前記の対向電極間における放電は、連続放
電と間欠放電とがある。
電と間欠放電とがある。
【０００５】連続放電は、一般的に行われているプラズ
マＣＶＤ法で採用され、高品質なアモルファスシリコン
薄膜が、低い基板温度（〜２５０℃）で成膜できる特質
があるものである。
マＣＶＤ法で採用され、高品質なアモルファスシリコン
薄膜が、低い基板温度（〜２５０℃）で成膜できる特質
があるものである。
【０００６】間欠放電は、基本的な成膜条件（圧力、基
板温度、原料ガスの種類及びそれらの流量）は、前記の
連続放電の場合と同じであるが、対向電極に印加する高
周波電力を、パルス波形により振幅変調した高周波電力
とした方法で、１９８５年にオベルツェット（ Overze
t）らにより提案されたものであり（L. J. Overzet eta
l. Appl. Phys. Lett. ４８ (１１) 、６９５ (１９
８６) ）、最近では九州大学の渡辺らによってより詳細
に研究されてきている（Y. Watanabe et al.Appl. Phy
s. Lett. ５３ (１４) 、１２３６ (１９８８) 、白
谷他、電気学会プラズマ研究会資料ＥＰ−８９−６２
(１９８９) 、Y. Watanabe et al. Appl. Phys. Lett.
５７ (１６) 、１６１６ (１９９０) 等）。渡辺ら
は、間欠放電を用いることによって、高品質な膜に必要
なラジカルの生成を妨げず、パーティクルの原因となる
ラジカル生成を選択的に抑制でき、連続放電の場合と比
較して、成膜速度の向上、及び気相中で発生するパーテ
ィクルの粒径及び数の低減が可能であるとしている。
板温度、原料ガスの種類及びそれらの流量）は、前記の
連続放電の場合と同じであるが、対向電極に印加する高
周波電力を、パルス波形により振幅変調した高周波電力
とした方法で、１９８５年にオベルツェット（ Overze
t）らにより提案されたものであり（L. J. Overzet eta
l. Appl. Phys. Lett. ４８ (１１) 、６９５ (１９
８６) ）、最近では九州大学の渡辺らによってより詳細
に研究されてきている（Y. Watanabe et al.Appl. Phy
s. Lett. ５３ (１４) 、１２３６ (１９８８) 、白
谷他、電気学会プラズマ研究会資料ＥＰ−８９−６２
(１９８９) 、Y. Watanabe et al. Appl. Phys. Lett.
５７ (１６) 、１６１６ (１９９０) 等）。渡辺ら
は、間欠放電を用いることによって、高品質な膜に必要
なラジカルの生成を妨げず、パーティクルの原因となる
ラジカル生成を選択的に抑制でき、連続放電の場合と比
較して、成膜速度の向上、及び気相中で発生するパーテ
ィクルの粒径及び数の低減が可能であるとしている。
【０００７】この他、成膜に間欠放電を適用した例とし
ては、１９８６年ユトレヒト大学のデニッセ（ Deniss
e）らによって報告されているＳｉＯx Ｎy 薄膜があげ
られる（C. M. M. Denisse et al. J. Appl. Phys.
６０ (７) 、２５３６ (１９８６) ）。
ては、１９８６年ユトレヒト大学のデニッセ（ Deniss
e）らによって報告されているＳｉＯx Ｎy 薄膜があげ
られる（C. M. M. Denisse et al. J. Appl. Phys.
６０ (７) 、２５３６ (１９８６) ）。
【０００８】原料ガスとしてＳｉＨ4 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3
を使用し、通常のプラズマＣＶＤ（連続放電）でＳｉＯ
x Ｎy を成膜する場合、混合ガスの組成比が真空容器内
で変化し、基板内の膜厚均一性が悪化する。気相中での
ガス組成比変化は、膜形成及びプラズマ中でのガスの消
費に起因している。この問題を解決するために、デニッ
セらは間欠放電を用いた。即ち、周波数約４Ｈｚ（１周
期約２５０ms）、パルス幅約１００msのパルスで４００
ＫＨｚの高周波電力を変調して印加し、間欠的なプラズ
マ生成を行い（放電時間約１００ms、放電停止時間約１
５０ms）、放電停止時間中に放電開始前と同じガス組成
に戻すことによって、気相中でのガス組成の変化を抑
え、その結果として膜厚均一性を向上させている。
を使用し、通常のプラズマＣＶＤ（連続放電）でＳｉＯ
x Ｎy を成膜する場合、混合ガスの組成比が真空容器内
で変化し、基板内の膜厚均一性が悪化する。気相中での
ガス組成比変化は、膜形成及びプラズマ中でのガスの消
費に起因している。この問題を解決するために、デニッ
セらは間欠放電を用いた。即ち、周波数約４Ｈｚ（１周
期約２５０ms）、パルス幅約１００msのパルスで４００
ＫＨｚの高周波電力を変調して印加し、間欠的なプラズ
マ生成を行い（放電時間約１００ms、放電停止時間約１
５０ms）、放電停止時間中に放電開始前と同じガス組成
に戻すことによって、気相中でのガス組成の変化を抑
え、その結果として膜厚均一性を向上させている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】前記の如くのプラズマ
ＣＶＤ法で大型のガラス基板（例えば２０cm×２０cm）
にアモルファスシリコン薄膜を形成した場合、基板上の
膜厚の均一性が悪い問題点があった。図３はその一例
で、接地電極を兼ねる金属製の基板ホルダーに近い、基
板の縁部で膜厚が厚く、基板の中央部では薄い膜厚分布
となっていた。
ＣＶＤ法で大型のガラス基板（例えば２０cm×２０cm）
にアモルファスシリコン薄膜を形成した場合、基板上の
膜厚の均一性が悪い問題点があった。図３はその一例
で、接地電極を兼ねる金属製の基板ホルダーに近い、基
板の縁部で膜厚が厚く、基板の中央部では薄い膜厚分布
となっていた。
【００１０】
【課題を解決する為の手段】この発明は、比較的大形の
絶縁材製基板にアモルファスシリコン薄膜を均一な膜厚
で形成する方法を提供することを目的としている。
絶縁材製基板にアモルファスシリコン薄膜を均一な膜厚
で形成する方法を提供することを目的としている。
【００１１】斯る目的を達成するこの発明は、絶縁材製
基板上にプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周
波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間
を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和
する時間より短い時間に制限することを特徴とするアモ
ルファスシリコン薄膜の製造方法である。
基板上にプラズマＣＶＤ法によりアモルファスシリコン
薄膜を形成する方法において、プラズマ生成の為の高周
波放電を間欠的に行い、かつ夫々の放電期間の放電時間
を、高周波印加電極側に生ずる直流バイアス電圧が飽和
する時間より短い時間に制限することを特徴とするアモ
ルファスシリコン薄膜の製造方法である。
【００１２】前記の間欠的に行う高周波放電の、夫々の
放電停止期間は、高周波印加電極側に生じた直流バイア
ス電圧が消滅する時間より長い時間とするようにしても
良い。
放電停止期間は、高周波印加電極側に生じた直流バイア
ス電圧が消滅する時間より長い時間とするようにしても
良い。
【００１３】高周波間欠放電は、変調周波数が１００Ｈ
ｚ〜１００ＫＨｚ、デューティー比が１％以上１００％
未満の範囲で、成膜条件に応じて選定することができる
ものであるが、一般的な成膜条件においては、変調周波
数１ＫＨｚ、デューティー比２０％が望ましい。
ｚ〜１００ＫＨｚ、デューティー比が１％以上１００％
未満の範囲で、成膜条件に応じて選定することができる
ものであるが、一般的な成膜条件においては、変調周波
数１ＫＨｚ、デューティー比２０％が望ましい。
【００１４】
【作用】プラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン薄膜
を形成した場合、基板面上のプラズマ密度分布が、形成
された膜厚分布に対応する。従って、前記の膜厚均一性
の悪化の原因は、対向電極間に形成されるプラズマの密
度が、金属製の基板ホルダーの近辺（即ち大形基板の縁
部近辺）で濃く、ガラス基板その他の絶縁材製基板の中
央部付近では薄くなる為である。
を形成した場合、基板面上のプラズマ密度分布が、形成
された膜厚分布に対応する。従って、前記の膜厚均一性
の悪化の原因は、対向電極間に形成されるプラズマの密
度が、金属製の基板ホルダーの近辺（即ち大形基板の縁
部近辺）で濃く、ガラス基板その他の絶縁材製基板の中
央部付近では薄くなる為である。
【００１５】このようなプラズマ密度の不均一性の原因
としては、ガラス基板その他の絶縁材製基板の面積が大
きくなることによって、プラズマを介した高周波電流の
流入部分が金属製の基板ホルダーとなり、その結果、プ
ラズマ維持機構が二次電子放出過程を主とするものにな
る為であると推測できる。このような不均一なプラズマ
密度分布は、放電開始後、高周波印加電極に直流バイア
ス電圧Ｖｄｃが生じて飽和した後で形成されている。
としては、ガラス基板その他の絶縁材製基板の面積が大
きくなることによって、プラズマを介した高周波電流の
流入部分が金属製の基板ホルダーとなり、その結果、プ
ラズマ維持機構が二次電子放出過程を主とするものにな
る為であると推測できる。このような不均一なプラズマ
密度分布は、放電開始後、高周波印加電極に直流バイア
ス電圧Ｖｄｃが生じて飽和した後で形成されている。
【００１６】この発明は前記のようなプラズマ密度と直
流バイアス電圧との関係に着目したものであって、直流
バイアス電圧が飽和して、プラズマ密度が不均一となる
前に高周波放電を中断し、これを繰り返すようにしたこ
の発明によれば、プラズマ密度が不均一となる原因が取
り除かれ、その結果として均一なアモルファスシリコン
薄膜の形成が可能となる。
流バイアス電圧との関係に着目したものであって、直流
バイアス電圧が飽和して、プラズマ密度が不均一となる
前に高周波放電を中断し、これを繰り返すようにしたこ
の発明によれば、プラズマ密度が不均一となる原因が取
り除かれ、その結果として均一なアモルファスシリコン
薄膜の形成が可能となる。
【００１７】プラズマＣＶＤ法でアモルファスシリコン
薄膜を形成する場合、間欠放電とすることによって、成
膜速度の増加およびパーティクル生成の抑制が可能とな
ることが知られているが、この発明も同様の作用、効果
を得ることができるものである。
薄膜を形成する場合、間欠放電とすることによって、成
膜速度の増加およびパーティクル生成の抑制が可能とな
ることが知られているが、この発明も同様の作用、効果
を得ることができるものである。
【００１８】
【実施例】以下、この発明を実施例に基づいて説明す
る。
る。
【００１９】図１は実施例で使用した装置の構成を示し
たものである。真空容器１内に高周波印加電極２と接地
電極３が対向して設置してあり、接地電極３に基板４が
支持できるようにしてあると共に、高周波印加電極２に
は、整合回路１２を介して高周波電源１１が接続してあ
る。高周波電源１１には波形発生器１３が接続してあ
り、波形発生器１３の変調用信号１４で、連続高周波電
力１５が、振幅変調高周波電力１６に変化できるように
なっている。
たものである。真空容器１内に高周波印加電極２と接地
電極３が対向して設置してあり、接地電極３に基板４が
支持できるようにしてあると共に、高周波印加電極２に
は、整合回路１２を介して高周波電源１１が接続してあ
る。高周波電源１１には波形発生器１３が接続してあ
り、波形発生器１３の変調用信号１４で、連続高周波電
力１５が、振幅変調高周波電力１６に変化できるように
なっている。
【００２０】真空容器１には、ＳｉＨ4 、Ｈ2 等のアモ
ルファスシリコン薄膜成膜の為の原料ガス５を流量制御
器６を通して導入するガス導入系が接続してあると共
に、可変コンダクタンスバルブ８を介して排気系９が接
続してあり、真空容器１内を所定の圧力に調整できるよ
うになっている。真空容器１内の圧力は圧力計７で測定
する。
ルファスシリコン薄膜成膜の為の原料ガス５を流量制御
器６を通して導入するガス導入系が接続してあると共
に、可変コンダクタンスバルブ８を介して排気系９が接
続してあり、真空容器１内を所定の圧力に調整できるよ
うになっている。真空容器１内の圧力は圧力計７で測定
する。
【００２１】接地電極３には、基板加熱機構１０が内蔵
してあり、基板４を加熱できるようになっている。
してあり、基板４を加熱できるようになっている。
【００２２】図中１７は高周波印加電極２と接地電極３
の間の放電で形成されるプラズマを表す。
の間の放電で形成されるプラズマを表す。
【００２３】次に図１に示した構成の成膜装置を用い
て、アモルファスシリコン薄膜を形成する手順を述べ
る。
て、アモルファスシリコン薄膜を形成する手順を述べ
る。
【００２４】まず、基板（通常はガラス基板）４を接地
電極３に取り付けた後、真空容器１内を真空に排気し、
十分な真空（〜５×１０-3 Pa(３．８×１０-5 Torr)）
を得た後、基板４を所望の温度まで加熱すると共に、原
料ガス５を流量制御器６を通じて導入し、真空容器１内
を所望の圧力（〜９０ Pa ）に調整する。圧力調整は、
可変コンダクタンスバルブ８で行う。
電極３に取り付けた後、真空容器１内を真空に排気し、
十分な真空（〜５×１０-3 Pa(３．８×１０-5 Torr)）
を得た後、基板４を所望の温度まで加熱すると共に、原
料ガス５を流量制御器６を通じて導入し、真空容器１内
を所望の圧力（〜９０ Pa ）に調整する。圧力調整は、
可変コンダクタンスバルブ８で行う。
【００２５】次に高周波印加電極２と接地電極３の間に
高周波電力を導入してプラズマ１７を生成し、成膜を行
う。高周波電力は、連続放電の場合は高周波電源１１を
動作させて連続高周波電力１５を用い、間欠放電の場合
は高周波電源１１と波形発生器１３を動作させ、波形発
生器で出力した所望の変調用信号１４により、高周波電
源からの高周波電力を振幅変調した振幅変調高周波電力
１６を用いる。
高周波電力を導入してプラズマ１７を生成し、成膜を行
う。高周波電力は、連続放電の場合は高周波電源１１を
動作させて連続高周波電力１５を用い、間欠放電の場合
は高周波電源１１と波形発生器１３を動作させ、波形発
生器で出力した所望の変調用信号１４により、高周波電
源からの高周波電力を振幅変調した振幅変調高周波電力
１６を用いる。
【００２６】図２（ａ）は前記装置の接地電極３に３０
cm×４０cmの大きさのガラス基板４を田字状に支持し
て、真空容器１内で高周波放電を行い、１０００：１プ
ローブを高周波電力供給経路上で、高周波印加電極２の
直前の位置に挿入して、供給電力波形をオシロスコープ
上に描かせ、放電開始初期の状態および放電停止後の状
態を観測したものである。図中ａが放電を開始した時点
で、ａ点から約２５０μsec 後のｂ点で直流バイアス電
圧が飽和している様子が判る。直流バイアス電圧の値は
−２５Ｖである。ｃ点は放電を停止した時点で、ｃ点か
ら約１００μsec後のｄ点で直流バイアス電圧は消滅
（０ボルト）し、安定していることが判る。
cm×４０cmの大きさのガラス基板４を田字状に支持し
て、真空容器１内で高周波放電を行い、１０００：１プ
ローブを高周波電力供給経路上で、高周波印加電極２の
直前の位置に挿入して、供給電力波形をオシロスコープ
上に描かせ、放電開始初期の状態および放電停止後の状
態を観測したものである。図中ａが放電を開始した時点
で、ａ点から約２５０μsec 後のｂ点で直流バイアス電
圧が飽和している様子が判る。直流バイアス電圧の値は
−２５Ｖである。ｃ点は放電を停止した時点で、ｃ点か
ら約１００μsec後のｄ点で直流バイアス電圧は消滅
（０ボルト）し、安定していることが判る。
【００２７】そこで、放電持続時間が２５０μsec 以下
となり、かつ放電停止時間が１００μsec 以上となるよ
うにする為に、間欠放電の条件を、変調周波数１０００
Ｈｚ、デューティー比２０％としてプラズマＣＶＤ法に
よるアモルファスシリコン薄膜の成膜を行い、比較の為
に同一条件で連続放電による成膜も行なった。高周波印
加電極２と接地電極３の対向電極間距離、原料ガスの流
量等の成膜条件を表１に示した。
となり、かつ放電停止時間が１００μsec 以上となるよ
うにする為に、間欠放電の条件を、変調周波数１０００
Ｈｚ、デューティー比２０％としてプラズマＣＶＤ法に
よるアモルファスシリコン薄膜の成膜を行い、比較の為
に同一条件で連続放電による成膜も行なった。高周波印
加電極２と接地電極３の対向電極間距離、原料ガスの流
量等の成膜条件を表１に示した。
【００２８】
【表１】
【００２９】図２（ｂ）はガラス基板４上に成膜された
アモルファスシリコン薄膜の膜厚分布である。ガラス基
板上の膜厚の測定は、基板の対角線上（図中の矢印）に
沿って行なった。対角線上の測定点からガラス基板４の
長辺に垂線を降したときの、長辺上の位置を図の横軸と
している。曲線ａは連続放電で成膜した場合の膜厚分布
であり、曲線ｂが間欠放電で成膜した場合の膜厚分布で
ある。
アモルファスシリコン薄膜の膜厚分布である。ガラス基
板上の膜厚の測定は、基板の対角線上（図中の矢印）に
沿って行なった。対角線上の測定点からガラス基板４の
長辺に垂線を降したときの、長辺上の位置を図の横軸と
している。曲線ａは連続放電で成膜した場合の膜厚分布
であり、曲線ｂが間欠放電で成膜した場合の膜厚分布で
ある。
【００３０】例えば、基板端から１．５cm以上内部にお
ける基板上での膜厚分布を見ると、連続放電の場合では
±４８％であるのに対し、間欠放電の場合には±２．２
％であり、形成されたアモルファスシリコン薄膜の膜厚
分布を大幅に改善することができた。
ける基板上での膜厚分布を見ると、連続放電の場合では
±４８％であるのに対し、間欠放電の場合には±２．２
％であり、形成されたアモルファスシリコン薄膜の膜厚
分布を大幅に改善することができた。
【００３１】
【発明の効果】以上に説明したように、この発明によれ
ば、比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシリコン
薄膜を均一な膜厚で形成できる効果があり、半導体デバ
イスの製造能率を向上することができる。
ば、比較的大形の絶縁材製基板にアモルファスシリコン
薄膜を均一な膜厚で形成できる効果があり、半導体デバ
イスの製造能率を向上することができる。
【図１】この発明の実施例で使用したプラズマＣＶＤ装
置の構成図である。
置の構成図である。
【図２】この発明の実施例で、（ａ）は放電の為に供給
した高周波電力の波形をオシロスコープで観測した図、
（ｂ）はガラス基板上に成膜したアモルファスシリコン
薄膜の膜厚分布の図である。
した高周波電力の波形をオシロスコープで観測した図、
（ｂ）はガラス基板上に成膜したアモルファスシリコン
薄膜の膜厚分布の図である。
【図３】連続放電で成膜したアモルファスシリコン薄膜
の膜厚分布の図である。
の膜厚分布の図である。
１ 真空容器 ２ 高周波印加電極 ３ 接地電極 ４ ガラス基板 ５ 原料ガス ６ 流量制御器 ７ 圧力計 ８ 可変コンダクタンスバルブ ９ 排気系 １０ 基板加熱機構 １１ 高周波電源 １２ 整合回路 １３ 波形発生器 １４ 変調用信号 １５ 連続高周波電力 １６ 振幅変調高周波電力 １７ プラズマ
Claims (3)
- 【請求項１】 絶縁材製基板上にプラズマＣＶＤ法によ
りアモルファスシリコン薄膜を形成する方法において、
プラズマ生成の為の高周波放電を間欠的に行い、かつ夫
々の放電期間の放電時間を、高周波印加電極側に生ずる
直流バイアス電圧が飽和する時間より短い時間に制限す
ることを特徴とするアモルファスシリコン薄膜の製造方
法。 - 【請求項２】 間欠的に行う高周波放電の、夫々の放電
停止期間は、高周波印加電極側に生じた直流バイアス電
圧が消滅する時間より長い時間とする請求項１記載のア
モルファスシリコン薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 高周波間欠放電は、変調周波数１ＫＨ
ｚ、デューティー比２０％とする請求項１又は２記載の
アモルファスシリコン薄膜の製造方法。
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